CN109449163B - 阵列基板和柔性显示装置 - Google Patents
阵列基板和柔性显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109449163B CN109449163B CN201811151426.1A CN201811151426A CN109449163B CN 109449163 B CN109449163 B CN 109449163B CN 201811151426 A CN201811151426 A CN 201811151426A CN 109449163 B CN109449163 B CN 109449163B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- film layer
- array substrate
- metal
- planarization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 136
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 136
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 320
- 239000010408 film Substances 0.000 description 152
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006173 Good's buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种阵列基板和柔性显示装置，阵列基板的非显示区层叠设置有平坦化膜层和金属膜层，在所述平坦化膜层与所述金属膜层之间设置有嵌设的凹凸配合结构。相比于平坦化膜层与所述金属膜层原本平坦的接触表面，本实施例的凹凸配合结构增加了平坦化膜层和金属膜层之间的接触面积，增大两者表面间的粘附力。而且，凹凸配合结构的嵌合增加了膜层水平方向的相对限位能力，改善了在阵列基板弯折时平坦化膜层和金属膜层受力不均的情况，降低了平坦化膜层和金属膜层发生膜层剥离的可能性，提高了阵列基板的结构稳定性，进而提高了使用此种阵列基板的柔性显示装置的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和柔性显示装置。
背景技术
柔性显示装置是一种可变形可弯曲的显示装置，具有便携方便以及可弯折卷曲等优点。阵列基板作为柔性显示装置的关键部件之一，为了增加柔性显示装置的显示面积，目前较常用的一种方式是使阵列基板的非显示区永久性保持弯曲，因此提高阵列基板的非显示区的结构稳定性是十分必要的。
阵列基板包括显示区和非显示区，所述显示区上方的像素限定层中设置有有机发光层。所述非显示区通常包括依次层叠的柔性衬底层、沟道形成层、金属层下绝缘层、第一金属走线层、金属层上绝缘层、第二金属走线层、平坦化层。其中，平坦化层之上设置阳极层。所述非显示区中，沟道形成层、栅极绝缘层、电容绝缘层、金属层下绝缘层和金属层上绝缘层为无机膜层；第一金属走线层和第二金属走线层为金属膜层；平坦化层为有机膜层。
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称为OLED)显示装置是常用的一种柔性显示装置。无机膜层的物理延展性差，在弯折过程容易因应力作用发生断裂。因此在现有OLED显示装置生产制造中，通常去除掉阵列基板的非显示区的无机膜层，并在原无机膜层位置填充物理延展性较好的有机膜层。通过最终形成的有机膜层和金属膜层来实现非显示区可弯折。
然而，在柔性显示装置弯折时金属膜层与有机膜层结构受应力不均，在应力作用下易发生膜层剥离，导致柔性显示装置损坏。可见，现有的柔性显示装置非显示区的结构稳定性不高。
发明内容
本发明提供一种阵列基板和柔性显示装置，以降低金属膜层与有机膜层之间发生膜层剥离的可能性，进而提高柔性显示装置非显示区的结构稳定性。
根据本发明的第一方面，提供一种阵列基板，包括显示区和非显示区；
所述非显示区包括层叠设置的平坦化膜层和金属膜层；所述平坦化膜层与所述金属膜层之间设置嵌设的凹凸配合结构。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，所述平坦化膜层中设置有凹槽部，所述金属膜层上设置有凸起部，所述凸起部嵌设在所述凹槽部内。
可选地，在第一方面的另一种可能实现方式中，所述金属膜层和设置于其上的所述凸起部为一体结构，且材料相同。
可选地，在第一方面的再一种可能实现方式中，所述金属膜层中设置有凹槽部，所述平坦化膜层上设置有凸起部，其中凸起部嵌设在凹槽部内。
可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述平坦化膜层和设置于其上的所述凸起部为一体结构，且材料相同。
可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述凸起部分布于以下至少一个区域中：
所述非显示区靠近所述显示区的第一边缘区域；
所述非显示区远离所述显示区的第二边缘区域；
所述非显示区用于弯折变形的中心弯折区域。
可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，分布在所述中心弯折区域中的所述凸起部为条状凸起部，且所述条状凸起部的延伸方向，与所述中心弯折区域中预设折弯线的延伸方向一致。
可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述金属膜层包括：第一金属走线层和第二金属走线层；所述平坦化膜层包括：第一平坦化层、第二平坦化层和第三平坦化层；
所述第一平坦化层、所述第一金属走线层、所述第二平坦化层、所述第二金属走线层和所述第三平坦化层依次层叠设置；
所述凹槽部设置于所述第一平坦化层、所述第一金属走线层、所述第二平坦化层、所述第二金属走线层和所述第三平坦化层中的一个或多个层中；
所述凸起部设置于所述第一平坦化层、所述第一金属走线层、所述第二平坦化层、所述第二金属走线层和所述第三平坦化层中的一个或多个层中。
可选地，在第一方面的又一种可能实现方式中，所述凸起部在所述金属膜层上的正投影呈圆形或多边形。
根据本发明的第二方面，提供一种柔性显示装置，包括本发明的第一方面以及第一方面的各种可能实现方式中所述的阵列基板。
本发明提供的一种阵列基板和柔性显示装置中，阵列基板的非显示区层叠设置有平坦化膜层和金属膜层，在平坦化膜层与金属膜层之间设置嵌设的凹凸配合结构，利用相嵌合的嵌设的凹凸配合结构，增加了平坦化膜层和金属膜层之间的接触面积，从而增大了两者表面间的粘附力；此外，嵌设的凹凸配合结构的嵌合增加了膜层水平方向的相对限位能力，改善了在阵列基板弯折时平坦化膜层和金属膜层受力不均的情况，降低了平坦化膜层和金属膜层发生膜层剥离的可能性，提高了柔性显示装置的稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板中平坦化膜层和金属膜层结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种阵列基板中平坦化膜层和金属膜层结构示意图；
图4是本发明实施例提供的再一种阵列基板中平坦化膜层和金属膜层结构示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图；
图6是本发明实施例提供的再一种阵列基板结构示意图。
附图标记说明：
100-显示区， 110-柔性衬底层，
120-缓冲层， 130-有源层，
140-栅极绝缘层， 150-栅极，
161-源极， 162-漏极，
170-金属层下绝缘层， 180-金属层上绝缘层，
190-平坦化层， 200-非显示区，
210-第一平坦化层， 220-第一金属走线层，
230-第二平坦化层， 240-第二金属走线层，
201-金属膜层， 202-平坦化膜层，
1-凸起部， 2-凹槽部。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
应当理解，在本发明中，“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
应当理解，在本发明中，“多个”是指两个或两个以上。“包括A、B和C”是指A、B、C三者都包括，“包括A、B或C”是指包括A、B、C三者之一，“包括A、B和/或C”是指包括A、B、C三者中任1个或任2个或3个。
应当理解，在本发明中，“与A对应的B”、“与A相对应的B”、“A与B相对应”或者“B与A相对应”，表示B与A的形状或功能具有对应关系，根据A可以确定B。根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其他信息确定B。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终以相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
在现有的柔性显示装置的生产制造中，阵列基板包括显示区和围绕显示区的非显示区。为了实现弯曲显示，通常需要将阵列基板的两侧边缘的非显示区永久性地弯折，并固定在柔性显示装置的边框上。非显示区永久性地弯折的折弯线(Bend Line)一般平行于柔性显示装置的边框的中心线，为了使阵列基板的两侧边缘(非显示区)能够顺利弯折，通常会将非显示区的无机层替换为平坦化膜层。然而，阵列基板的非显示区在柔性显示装置弯折时，平坦化膜层和金属膜层由于材料延展性的差异，容易引起膜层分离或者发生断裂，进而导致现有柔性显示装置的稳定性不高。
本发明实施例通过提供阵列基板的下列各种可选结构，以提高柔性显示装置的稳定性，下面对本发明实施例中阵列基板的结构及其技术效果进行详细描述和举例。
参见图1，是本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图。如图1所示的阵列基板，主要包括柔性衬底层110、位于柔性衬底层110上的缓冲层120、位于缓冲层120上的薄膜晶体管层。其中，柔性衬底层110通常是可伸展、折叠、弯曲、卷曲的柔性基板。本实施例中的柔性衬底层110可以是多层结构，例如依次叠层设置的第一衬底基层、第一阻挡层、第二衬底基层以及第二阻挡层。本实施例的柔性衬底层110可以是透明的、半透明的或者不透明的，在此不做限定。
缓冲层120设置在柔性衬底层110的上表面，用于阻挡柔性衬底层110中的杂质向上扩散。缓冲层120例如可以是由从诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SioxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlNx)等无机材料中选择的材料，形成的无机层。
薄膜晶体管层，以顶栅结构的薄膜晶体管为例，继续参见图1，薄膜晶体管主要包括位于缓冲层120上的有源层130、栅极绝缘层140、栅极150、金属层下绝缘层170、源极161、漏极162、金属层上绝缘层180以及通常位于薄膜晶体管层顶层的平坦化层190。其中，栅极150、源极161和漏极162所在的区域通常为阵列基板的显示区100，除此之外的其他区域为阵列基板的非显示区200。阵列基板的非显示区200一般设置有用与源极161电连接的金属走线层和用于与漏极162电连接的金属走线层。
有源层130包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域。在源极区域和漏极区域之间的区域形成沟道区域。本实施例中的有源层130例如可以是非晶硅材料形成的无机层。栅极绝缘层140可以是包括诸如氧化硅、氮化硅的无机层，并且可以包括单层或多个层。栅极150位于栅极绝缘层140之上。栅极150可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(MO)或铬(Cr)的单层或多层，或者诸如铝(Al)：钕(Nd)合金以及钼(MO):钨(W)合金的合金。金属层下绝缘层170位于栅极150上，金属层下绝缘层170可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成。源极161和漏极162位于金属层下绝缘层170上，源极161和漏极162分别通过贯穿栅极绝缘层140和层间绝缘层的过孔电连接到有源层130中的源极区域和漏极区域。源极161和漏极162在非显示区200的金属走线之间设置有将两者隔离的金属层上绝缘层180。平坦化层190用于使表面平坦化，消除阵列基板上因各种不同层图案所造成的面内段差，平坦化层190例如可以是柔性的聚酰亚胺(Polyimide，简称：PI)材料形成的有机层。
由于无机材料的物理延展性差，在弯折时容易断裂，为了方便柔性显示装置的顺利弯折，本实施例非显示区200中的无机层均采用用于制作平坦化层的材料制成，由此在非显示区200形成层叠设置的平坦化膜层202和金属膜层201。可以理解为，将非显示区200中缓冲层120，以及薄膜晶体管层的有源层130、栅极绝缘层140、金属层下绝缘层170、金属层上绝缘层180去除，填充绝缘有机材料，形成平坦化膜层202。本实施例中非显示区200的平坦化膜层202，可以是包括用于填充原有无机层位置的有机层，以及设于阵列基板顶层的原有平坦化层190。继续参见图1，本实施例在平坦化膜层202与金属膜层201之间设置嵌设的凹凸配合结构。
相比于平坦化膜层202与金属膜层201原本平坦的接触表面，本实施例的凹凸配合结构增加了平坦化膜层202和金属膜层201之间的接触面积，增大两者表面间的粘附力。而且，凹凸配合结构的嵌合增加了膜层水平方向的相对限位能力，改善了在阵列基板弯折时平坦化膜层202和金属膜层201受力不均的情况，降低了平坦化膜层202和金属膜层201发生膜层剥离的可能性，提高了阵列基板的结构稳定性，进而提高了使用此种阵列基板的柔性显示装置的稳定性。嵌设的凹凸配合结构可以理解为各种具有相互对应形状的凸起与凹槽，例如图1所示的凹槽部2以及嵌设在凹槽部2内的凸起部1，以下用图1所示的凹槽部2以及凸起部1进行举例说明，但本发明可以不限于此。
在本发明实施例中，凹槽部2与凸起部1的结构设置方式可以有多种，以下通过图2至图4结合具体实施例，对三种可选的凹槽部2与凸起部1结构作举例说明。
参见图2，是本发明实施例提供的一种阵列基板中平坦化膜层和金属膜层结构示意图。作为一种优选的实施例，如图2所示的结构中，平坦化膜层202中设置有凹槽部2，金属膜层201上设置有凸起部1，且凸起部1嵌设在凹槽部2内。本实施例中的平坦化膜层202主要用于填补去除原无机层的空缺，并支撑非显示区200的金属膜层201。本实施例中的平坦化膜层202，例如可以是选用PI材料或者苯丙环丁烯(benzocyclohutene，简称：BCB)等有机材料制成的柔性膜层。本发明的发明人在实际研发过程中发现，现有的非显示区200在弯折中，平坦化膜层202和金属膜层201由于物理延展性的差异，以及处于不同弯曲位置导致的膜层弯曲程度差异等原因，平坦化膜层202和金属膜层201之间容易产生平行膜层平面的应力，导致平坦化膜层202和金属膜层201相互错开，进而出现膜层剥离。本实施例由于平坦化膜层202通常都是以有机材料制成的膜层，将设置于金属膜层201上的凸起部1嵌入平坦化膜层202的凹槽部2中，即使平坦化膜层202在弯曲过程中发生形变，可能导致凹槽部2的开口延展扩大，但金属膜层201的凸起部1仍然可以嵌在凹槽部2中，具有较优的钉附效果，从而提高平坦化膜层202和金属膜层201之间的黏附性。
优选地，所述金属膜层201和设置于其上的凸起部1为一体结构，且材料相同。可以理解为，凸起部1可以是制作金属膜层201时，用金属膜层201的材料一起形成的部分。例如首先在柔性衬底层110上涂覆平坦化膜层202直至与金属层下绝缘层170的原高度一致后，在平坦化膜层202上表面形成多个凹槽部2。然后在具有凹槽部2的平坦化膜层202上表面溅射金属膜层201，以使得金属膜层201下表面形成填充在凹槽部2内的凸起部1，由此实现凸起部1与金属膜层201的一体结构。
参见图3，是本发明实施例提供的另一种阵列基板中平坦化膜层和金属膜层结构示意图。作为一种可选的实施例，如图3所示的结构中，设置于金属膜层201中设置有凹槽部2，平坦化膜层202上设置有凸起部1，凸起部1嵌设在所述凹槽部2内。与图2所示结构形成区别的是，图3所示金属膜层201不设凸起部1，而是设置凹槽部2。与凹槽部2相应的凸起部1，设置于平坦化膜层202与金属膜层201接触的表面上。平坦化膜层202通常是以有机材料制成，其可以具有较优的缓冲性能，将平坦化膜层202上的凸起部1嵌在金属膜层201的凹槽内，在阵列基板弯曲过程中能够起到应力缓冲作用，提高平坦化膜层202和金属膜层201之间的黏附性。
可选地，所述平坦化膜层202和设置于其上的凸起部1为一体结构，且材料相同。可以理解为，凸起部1可以是制作平坦化膜层202时，用平坦化膜层202的材料一起形成的部分。例如在金属膜层201上表面形成多个凹槽部2。然后在具有凹槽部2的金属膜层201上表面涂覆平坦化膜层202，以使得平坦化膜层202下表面形成填充在凹槽部2内的凸起部1，由此实现凸起部1与平坦化膜层202的一体结构。
参见图4，是本发明实施例提供的再一种阵列基板中平坦化膜层和金属膜层结构示意图。作为一种可选的实施例，图4所示的结构是图2与图3所示结构的结合，以在平坦化膜层202和金属膜层201的接触表面形成相互交错的钉附结构。图4中平坦化膜层202的上表面既设有凸起也设有凹槽，而位于所述平坦化层190之上的金属膜层201则设有与平坦化膜层202相互嵌设的下表面，形成交错钉附的结构，可以进一步提高平坦化膜层202和金属膜层201之间的黏附性。
参见图5，是本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图。在上述各种实施例的基础上，本发明实施例中凸起部1与其相应的凹槽部2可以有多种分布方式，例如是均匀分布在非显示区200，也可以是以其他规律分布。可选地，如图5所示，所述凸起部1可以分布于以下至少一个区域中：
非显示区200靠近显示区100的第一边缘区域；
非显示区200远离显示区100的第二边缘区域；
非显示区200用于弯折变形的中心弯折区域。
其中，第一边缘区域可以理解为与显示区100相连的非显示区200边界部分，在阵列基板被弯折后，非显示区200中用于连接显示区100的第一边缘区域不会被弯折，第一边缘区域可以理解为与显示区100同一平面的部分。显示区100中的源极161、漏极162与非显示区200中的金属膜层201为一体结构，但显示区100中的无机层与非显示区200中的平坦化膜层202不是一体结构。因此现有的阵列基板被弯折时，金属膜层201受到来自显示区100的源极161和漏极162的拉力，而平坦化膜层202不会受到来自显示区100的拉力，非显示区200中金属膜层201与平坦化膜层202会出现应力差异。本实施例的凸起部1分布在第一边缘区域中，可以降低在发生弯折时非显示区200中金属膜层201与平坦化膜层202出现应力不均导致的膜层剥离的可能性。
第二边缘区域乐意理解为用于在背面安装固定的非显示区200边界部分，在阵列基板被弯折后，第二边缘区域可以是被永久性固定在背面的部分。将凸起部1分布在第二边缘区域中，同样可以降低在发生弯折时非显示区200中金属膜层201与平坦化膜层202出现应力不均导致的膜层剥离的可能性。
中心弯折区域可以理解为是主要发生弯折变形的中心部分，也是膜层剥离问题最可能发生的位置，在阵列基板被弯折后，中心弯折区域可以是形成柔性显示装置侧面厚度的部分。将凸起部1分布在中心弯折区域中，在变形最严重的区域，以凸起部1和凹槽部2形成了与膜层弯曲表面相平行的相互限位，进一步提高平坦化膜层202和金属膜层201之间的黏附性。
参见图6，是本发明实施例提供的再一种阵列基板结构示意图。可选地，在上述各种实施例的基础上，分布在所述中心弯折区域中的所述凸起部1，可以为条状凸起部1，且所述条状凸起部1的延伸方向，与所述中心弯折区域中预设折弯线的延伸方向一致。可以理解地，阵列基板弯折变形时，仅在与折弯线垂直的方向上被拉伸和扭曲，在平行折弯线的方向上并没有形变。因此，以平行折弯线的条状凸起部1配合条状凹槽部2，可以提高凸起部1与凹槽部2的嵌合稳定性，进一步提高平坦化膜层202和金属膜层201之间的黏附性。
可选地，上述各种实施例中，所述金属膜层201可以包括：第一金属走线层220和第二金属走线层240。所述平坦化膜层202可以包括：第一平坦化层210、第二平坦化层230和第三平坦化层。
其中，第一金属走线层220可以理解为与源极161电连接的金属走线，则第二金属走线层240可以理解为与漏极162电连接的金属走线。第一平坦化层210可以理解为是在非显示区200去除缓冲层120、有源层130、栅极绝缘层140和金属层下绝缘层170后涂覆填充的平坦化层190；第二平坦化层230可以理解为在非显示区200去除金属层上绝缘层180后涂覆填充的平坦化层190；第三平坦化层可以理解为原本就通常位于薄膜晶体管层顶层的平坦化层190。
所述第一平坦化层210、所述第一金属走线层220、所述第二平坦化层230、所述第二金属走线层240和所述第三平坦化层依次层叠设置。第一平坦化层210设于柔性衬底层110之上，第三平坦化层之上用于设置发光器件。
其中，凹槽部2设置于第一平坦化层210、第一金属走线层220、第二平坦化层230、第二金属走线层240和第三平坦化层中的一个或多个层中；凸起部1设置于第一平坦化层210、第一金属走线层220、第二平坦化层230、第二金属走线层240和第三平坦化层中的一个或多个层中。
可以理解为凹槽部2可以是设置在第一平坦化层210、第一金属走线层220、第二平坦化层230、第二金属走线层240和第三平坦化层中的至少一层中，而与凹槽部2一一对应的凸起部1则设置在该层相接触的其他层表面，形成相互嵌合的黏附结构，提高第一平坦化层210、第一金属走线层220、第二平坦化层230、第二金属走线层240和第三平坦化层中至少两层之间的粘附力。
可选地，凸起部1在金属膜层201上的正投影呈圆形或多边形。多边形可以理解为包括三角形、梯形、矩形或六边形。在设置有多个凸起部1的实施例中，多个凸起部1可以是相同形状的，也可以是不同形状的。可选地，凸起部1可以是呈柱状。
在一种可选实施例中，凸起部1为圆柱体，其侧面受力均匀，可以适用于各种折弯线的情况。
在另一种可选实施例中，凸起部1为长方体，其四个侧面中两个侧面的面积要大于另外两个侧面，则将面积大的两个侧面设置为与弯折线平行，以便在阵列基板弯折过程中，凸起部1与凹槽部2具有较大的接触面积和承力表面。
本发明实施例还提供了一种柔性显示装置，包括以上实施例任一的阵列基板。
其中，柔性显示装置的类型可以为有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，简称：OLED)显示装置、电子纸、量子点发光(Quantum Dot Light EmittingDiodes，简称：QLED)显示装置或者微发光二极管(Micro Light Emitting Diode Display，简称：Micro LED)显示装置等显示装置中的任意一种，本发明对此并不具体限制。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和非显示区；
所述显示区包括栅极、源漏极以及位于所述栅极与所述源漏极之间的金属层下绝缘层，所述源漏极包括源极与漏极；
所述非显示区包括层叠设置的平坦化膜层和金属膜层，所述平坦化膜层与所述金属层下绝缘层的高度一致，所述源极或所述漏极与所述金属膜层连接并且为一体结构；
所述平坦化膜层与所述金属膜层之间设置嵌设的凹凸配合结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化膜层中设置有凹槽部，所述金属膜层上设置有凸起部，所述凸起部嵌设在所述凹槽部内。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属膜层和设置于其上的所述凸起部为一体结构，且材料相同。
4.根据权利要求1或2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述金属膜层中设置有凹槽部，所述平坦化膜层上设置有凸起部，其中凸起部嵌设在凹槽部内。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化膜层和设置于其上的凸起部为一体结构，且材料相同。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起部分布于以下至少一个区域中：
所述非显示区靠近所述显示区的第一边缘区域；
所述非显示区远离所述显示区的第二边缘区域；
所述非显示区用于弯折变形的中心弯折区域。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，分布在所述中心弯折区域中的所述凸起部为条状凸起部，且所述条状凸起部的延伸方向，与所述中心弯折区域中预设折弯线的延伸方向一致。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述金属膜层包括：第一金属走线层和第二金属走线层；所述平坦化膜层包括：第一平坦化层、第二平坦化层和第三平坦化层；
所述第一平坦化层、所述第一金属走线层、所述第二平坦化层、所述第二金属走线层和所述第三平坦化层依次层叠设置；
所述凹槽部设置于所述第一平坦化层、所述第一金属走线层、所述第二平坦化层、所述第二金属走线层和所述第三平坦化层中的一个或多个层中；
所述凸起部设置于所述第一平坦化层、所述第一金属走线层、所述第二平坦化层、所述第二金属走线层和所述第三平坦化层中的一个或多个层中。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起部在所述金属膜层上的正投影呈圆形或多边形。
10.一种柔性显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至9任一所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811151426.1A CN109449163B (zh) | 2018-09-29 | 2018-09-29 | 阵列基板和柔性显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811151426.1A CN109449163B (zh) | 2018-09-29 | 2018-09-29 | 阵列基板和柔性显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109449163A CN109449163A (zh) | 2019-03-08 |
| CN109449163B true CN109449163B (zh) | 2021-07-09 |
Family
ID=65545634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811151426.1A Active CN109449163B (zh) | 2018-09-29 | 2018-09-29 | 阵列基板和柔性显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109449163B (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110277428B (zh) * | 2019-03-29 | 2022-05-20 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种柔性有机发光显示面板及显示装置 |
| CN112018143A (zh) * | 2019-05-28 | 2020-12-01 | 云谷（固安）科技有限公司 | 微发光二极管显示基板、显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110176189B (zh) * | 2019-07-04 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 面板、显示装置及面板的制造方法 |
| CN110444549B (zh) * | 2019-08-14 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法 |
| CN110707232A (zh) * | 2019-09-12 | 2020-01-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置 |
| CN110838508A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器的制作方法 |
| CN114287059A (zh) * | 2020-03-25 | 2022-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制作方法、显示装置 |
| MX2020009048A (es) | 2020-04-20 | 2022-02-03 | Ningbo Radi Cool Advanced Energy Tech Co Ltd | Placa metalica de enfriamiento radiativo, procedimiento de preparacion y aplicacion de la misma. |
| CN111497378A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-08-07 | 宁波瑞凌新能源科技有限公司 | 辐射制冷金属板、其制备方法及应用 |
| CN111524902A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-08-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| CN111915990A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-11-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN111952345B (zh) * | 2020-08-24 | 2022-10-14 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN114335071A (zh) | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示面板 |
| CN112309266B (zh) * | 2020-11-17 | 2022-12-20 | 苏州昱铮辉光电科技有限公司 | 一种用于电子产品的超薄柔性玻璃单向折叠屏 |
| CN112634757A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-09 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板的制备方法 |
| CN112864180B (zh) * | 2021-03-04 | 2023-12-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板、柔性显示面板及显示装置 |
| CN115148778A (zh) * | 2021-06-25 | 2022-10-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN113903857B (zh) * | 2021-12-06 | 2023-03-24 | 北京芯可鉴科技有限公司 | 一种电容器、芯片及电容器的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107230680A (zh) * | 2016-03-24 | 2017-10-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101114352B1 (ko) * | 2010-10-07 | 2012-02-13 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
| CN103490012B (zh) * | 2013-09-23 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光装置及其制备方法 |
| CN107833906A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性显示装置及其制造方法 |
-
2018
- 2018-09-29 CN CN201811151426.1A patent/CN109449163B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107230680A (zh) * | 2016-03-24 | 2017-10-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109449163A (zh) | 2019-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109449163B (zh) | 阵列基板和柔性显示装置 | |
| JP6898977B2 (ja) | マイクロドライバ及びマイクロｌｅｄのためのバックプレーン構造及びプロセス | |
| US10347702B2 (en) | Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device | |
| CN106601133B (zh) | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN107037921B (zh) | 显示装置 | |
| US10673001B2 (en) | Flexible display substrate, method for fabricating the same and display device | |
| US9773853B2 (en) | Organic light-emitting diode display with bent substrate | |
| KR102227455B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN104425560B (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
| WO2020199651A1 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
| CN101271919B (zh) | 显示基板、有机发光二极管显示器件及其制造方法 | |
| KR101878187B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US11699706B2 (en) | Display device | |
| KR20160017327A (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| CN108831914B (zh) | 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| KR20220139993A (ko) | 발광 다이오드 구조 및 그 제조 방법 | |
| US8008098B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
| KR20210031588A (ko) | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| CN110690257A (zh) | 一种tft阵列基板及其制造方法 | |
| KR20160054867A (ko) | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US20220238756A1 (en) | Light-emitting element, light-emitting element unit including the light-emitting element, and display device | |
| KR20210032618A (ko) | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| WO2017088272A1 (zh) | 像素结构、阵列基板、液晶显示面板及像素结构制造方法 | |
| US11793027B2 (en) | Display panel and method for manufacturing the same, and display device | |
| CN113471223B (zh) | 显示基板及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20190308 Assignee: Bazhou Yungu Electronic Technology Co., Ltd.|Kunshan Institute of technology new flat panel display technology center Co., Ltd.|Kunshan Guoxian photoelectric Co., Ltd Assignor: The valley (Guan) Technology Co. Ltd. Contract record no.: X2019990000155 Denomination of invention: Array substrate and flexible display device License type: Common License Record date: 20191030 |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20191209 Address after: No. 2 Xiangshan Avenue, Yongning Street, Zengcheng District, Guangzhou, Guangdong province (the core of Zengcheng economic and Technological Development Zone) Applicant after: Guangzhou Guoxian Technology Co., Ltd Address before: 065500 Hebei Langfang County Guan emerging industry demonstration area Applicant before: The valley (Guan) Technology Co. Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |