JP2018010232A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】歩留りを向上することが可能な表示装置、及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態によれば、表示機能層を有する絶縁基板と、絶縁基板に接着された保護部材と、を有する表示装置であって、絶縁基板は、表示機能層が形成される第１面と、保護部材が接着され、第１面とは反対側の面である第２面とを有し、第１面と第２面の少なくとも一方は、凸部及び凹部を有する面である、表示装置が提供される。【選択図】図２

Description

本実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を有する表示装置や液晶表示装置において、狭額縁化が望まれている。このため、可撓性を有する基板が用いた表示装置が開発されている。このような表示装置は、可撓性を有する基板を折り曲げることにより、額縁領域を減少させている。

このような表示装置を製造する際は、例えば、可撓性を有する基板を、ガラス基板等の支持基板から剥離する工程が必要となる。このとき異物等が支持基板に付着していると、支持基板に向けて剥離用のレーザー光が照射された際に、レーザー光が異物に吸収され、剥離不良が生じる場合がある。また、異物が支持基板に密着していた場合には、レーザー光を照射する前に洗浄したとしても、その洗浄だけでは異物が除去できないこともあり得る。

特開２０１５−０５０１８１号公報 特開２０１５−１４８７２８号公報

本実施形態の目的は、歩留りを向上することが可能な表示装置、及び表示装置の製造方法を提供することである。

一実施形態によれば、表示機能層を有する絶縁基板と、前記絶縁基板に接着された保護部材と、を有する表示装置であって、前記絶縁基板は、前記表示機能層が形成される第１面と、前記保護部材が接着され、前記第１面とは反対側の面である第２面とを有し、前記第１面と前記第２面の少なくとも一方は、凸部及び凹部を有する面である、表示装置が提供される。

一実施形態によれば、凸部及び凹部を有するガラス基板上に絶縁基板を形成し、前記絶縁基板上に、スイッチング素子を含むアレイ層を形成し、前記アレイ層上に表示機能層を形成し、前記ガラス基板の前記絶縁基板が形成されていない面に、レーザー光を照射し、前記ガラス基板から前記絶縁基板を剥離する、表示装置の製造方法が提供される。

図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 図２は、図１に示す表示装置の表示領域を概略的に示す断面図である。 図３は、図１に示す表示装置の表示領域の他の例を概略的に示す断面図である。 図４は、図２及び図３に示す点線で囲んだ部分の一部を拡大して示す断面図である。 図５は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。 図６は、図５に続く製造方法を概略的に示す断面図である。 図７は、ガラス基板を洗浄する前の状態を概略的に示す断面図である。 図８は、図６に続く製造方法を概略的に示す断面図である。 図９は、レーザー光を照射している状態を概略的に示す断面図である。 図１０は、図８に続く製造方法を概略的に示す断面図である。 図１１は、図１０に続く製造方法を概略的に示す断面図である。 図１２は、図１１に続く製造方法を概略的に示す断面図である。 図１３は、表示パネルの折り曲げ領域を折り曲げた後の状態を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態に係る表示装置１を概略的に示す斜視図である。なお、本実施形態においては、表示装置１の一例として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を有する有機ＥＬ表示装置を示しているが、表示装置１は、液晶層を有する液晶表示装置、あるいは電気泳動型素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、他の表示装置であってもよい。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。また、例えば、第１方向Ｘは表示装置１の短辺と平行であり、第２方向Ｙは表示装置１の長辺と平行であり、第３方向Ｚは表示装置１の厚さ方向に相当する。

本実施形態においては、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向とは反対側の方向を下又は下方と定義する。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

表示装置１は、表示パネル２、第１回路基板３、第２回路基板４などを備えている。表示パネル２は、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。

表示パネル２は、表示領域ＤＡ、表示領域を囲む周辺領域ＳＡ、及び実装部ＭＴを有している。表示領域ＤＡは、画像を表示する領域であり、例えばマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸにより構成されている。画素ＰＸは、後述する発光素子と、発光素子を駆動するためのスイッチング素子などを含んでいる。

実装部ＭＴは、表示パネル２の第２方向Ｙの一端側に設けられている。つまり、第１基板ＳＵＢ１が、第２基板ＳＵＢ２と重なる領域よりも外側に延出した部分を有している。具体的には、第１基板ＳＵＢ１の３つの側縁は、第３方向Ｚにおいて、第２基板ＳＵＢ２の３つの側縁と揃っている。第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと略等しい。また、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さより大きい。つまり、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積より大きい。ここで、Ｘ−Ｙ平面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定される平面である。なお、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さと同等に形成されていても良い。このとき、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積と略同等となる。

第１回路基板３、及び、第２回路基板４は、表示パネル２の第２方向Ｙの一端側に設けられている。第１回路基板３は、表示パネル２と第２回路基板４との間に設けられている。第１回路基板３は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第１回路基板３は、表示パネル２を駆動する駆動ＩＣチップ５などを備えている。駆動ＩＣチップ５は、第１回路基板３の上に配置されている。図示した例では、第１回路基板３は、実装部ＭＴの上方に実装されている。図示した例では、第１回路基板３の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと比べて小さいが、同等であっても良い。表示パネル２及び第１回路基板３は、互いに電気的に接続されている。なお、図示した例では、駆動ＩＣチップ５は第１回路基板３の上に配置されているが、下に配置されていても良い。

第２回路基板４は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第２回路基板４は、第１回路基板３の例えば下方において第１回路基板３と接続されている。

ここで、本実施形態においては、表示装置１は、電子機器等の筐体に収容される際に折り曲げられる領域である折り曲げ領域ＢＡを有している。図中、折り曲げ領域ＢＡに斜線を付している。すなわち、第１回路基板３及び第２回路基板４が、表示領域ＤＡの下方側に配置されるように、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられる。

保護部材ＰＰは、表示パネル２の下方に貼り付けられている。保護部材ＰＰは、第３方向Ｚに折り曲げ領域ＢＡと重なる位置には配置されていない。

図２は、本実施形態に係る表示装置１の表示領域ＤＡにおける断面図である。

図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ、発光素子としての有機ＥＬ素子ＯＤなどを備えている。

第１絶縁基板１０は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料により形成されている。第１絶縁基板１０は、第１面１０Ａと、第１面１０Ａと反対側の面である第２面１０Ｂとを有している。第１面１０Ａ側には、有機ＥＬ素子ＯＤが形成されている。第２面１０Ｂ側には、接着層ＧＬを介して保護部材ＰＰが設けられている。保護部材ＰＰは、第１絶縁基板１０を保護する保護フィルムであり、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などによって形成されている。保護部材ＰＰは、第２面１０Ｂに接着される第３面ＰＡを有している。

本実施形態において、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとのうち、少なくとも一方は凸部及び凹部を有する粗面である。なお、粗面についての詳細は後述するが、例えば表面粗さによって粗面の程度を定義することができる。図２に示した例では、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの双方が粗面である。第２面１０Ｂの表面粗さは、第１面１０Ａの表面粗さと同等以上である。また、第２面１０Ｂの表面粗さは、第３面ＰＡの表面粗さより大きい。なお、ここで述べる表面粗さとは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（１９９４）によって定義される（あるいは測定される）値（例えば算術平均粗さＲａ）である。

第１絶縁基板１０の第１面１０Ａ上には、オーバーコート層としての第１絶縁膜１１が形成されている。第１絶縁膜１１は、省略されてもよい。また、第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０から有機ＥＬ素子ＯＤへ向かう水分等の侵入を抑制するためのバリア層を含んでいてもよい。

スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁膜１１上に形成されている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；thin-film-transistor）により構成されている。スイッチング素子は、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥを備えている。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１上に形成され、第２絶縁膜１２により覆われている。ゲート電極ＧＥは、第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３により覆われている。ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥは、それぞれ第３絶縁膜１３の上に形成され、半導体層ＳＣに接触している。第１乃至第３絶縁膜１１乃至１３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタで構成されているが、ボトムゲート型の薄膜トランジスタで構成されていても良い。

スイッチング素子ＳＷは、第４絶縁膜１４により覆われている。第４絶縁膜は、有機絶縁材料により形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＤは、第４絶縁膜１４上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＤは、第１絶縁基板１０とは反対側に光を出射する所謂トップエミッションタイプであるが、この例に限らず、第１絶縁基板１０の側に光を出射する所謂ボトムエミッションタイプであっても良い。有機ＥＬ素子ＯＤは、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、及び画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の有機発光層ＯＲＧにより構成されている。

有機ＥＬ素子ＯＤは、有機絶縁材料からなるリブ１５により、画素ＰＸごとに区画されている。すなわち、リブ１５が設けられた領域では、画素電極ＰＥと有機発光層ＯＲＧとが接触されない（すなわち絶縁される）ため、有機発光層ＯＲＧは発光しない。

画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４上に設けられている。画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４内に設けられたコンタクトホールを介して、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＤＥとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。なお、図２に示すように、トップエミッションタイプの場合には、有機ＥＬ素子ＯＤは、第４絶縁膜１４と画素電極ＰＥとの間に反射層ＲＬを含んでいることが望ましい。反射層ＲＬは、例えばアルミニウム等の反射率の高い金属材料により形成されている。なお、反射層ＲＬは、図示したように平坦であっても良いし、光散乱性を付与するために凹凸面であっても良い。

有機発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に印加される電圧（あるいは電流）に応じた輝度で発光する。有機発光層ＯＲＧは、発光層の他、発光効率を向上するために、電子注入層、正孔注入層、電子輸送層、正孔輸送層等の他の層を含んでいてもよい。

共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ上に形成されている。共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。なお、図示を省略するが、有機ＥＬ素子ＯＤは、有機ＥＬ素子ＯＤを水分等から保護するための保護膜によって封止されることが望ましい。

有機ＥＬ素子ＯＤは、封止層３０によって覆われている。封止層３０は、第１絶縁基板１０と封止層３０との間に配置された部材を封止するように形成されている。封止層３０は、有機ＥＬ素子ＯＤへの酸素や水分の侵入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＤの劣化を抑制する。なお、封止層３０は、無機膜と有機膜との積層体から構成されていても良い。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、カラーフィルタ層２１などを備えている。第２絶縁基板２０は、ガラス基板や樹脂基板でもよく、光学フィルムや偏光板などを含んだ光学素子でもよい。カラーフィルタ層２１は、第２絶縁基板２０の内面側（すなわち第１基板ＳＵＢ１と対向する側）に設けられている。カラーフィルタ層２１は、カラーフィルタＣＦを含んでいる。カラーフィルタＣＦは、例えば赤色、青色、緑色、白色等に着色された樹脂材料により形成されている。

上記のように形成された第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、例えば、封止層３０により接着されている。第２基板ＳＵＢ２に設けられたカラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に設けられた有機ＥＬ素子ＯＤの少なくとも発光領域を覆うように配置される。

なお、図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＤは、複数の画素ＰＸに亘って、共通の有機発光層ＯＲＧを備えるように形成されているが、これに限定されるものではない。例えば、画素毎に、青色に発光する有機発光層と、緑色に発光する有機発光層と、赤色に発光する有機発光層と、が備えられていても良い。このような構成においては、カラーフィルタ層２１を省略しても良い。

図３は、本実施形態に係る表示装置１の表示領域ＤＡの他の例を示す断面図である。図３に示した例は、図２に示した例と比較して、第２面１０Ｂの表面粗さが第１面１０Ａの表面粗さよりも大きい点で相違しており、その他の構成については、図２と同一である。図３に示した例では、第１面１０Ａがほぼ平坦面であるのに対して、第２面１０Ｂが粗面である。

図４は、図２及び図３において点線で囲んだ部分の一部を拡大して示す断面図である。以下では、第２面１０Ｂを例として説明するが、第１面１０Ａについても同様である。但し、凹部と凸部との関係は、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとでは逆となる。例えば、図示した例が第２面１０Ｂの断面図である場合、第１位置Ｐ１を含む領域Ａ１は凹部となり、第２位置Ｐ２を含む領域Ａ２は凸部となる。一方で、図示した例が第１面１０Ａの断面図である場合には、第２位置Ｐ２を含む領域Ａ２は凹部となり、第１位置Ｐ１を含む領域Ａ１は凸部となる。

図４において、第３方向Ｚは、第１絶縁基板１０の厚さ方向に相当する。

第２面１０Ｂにおいては、第１絶縁基板１０の厚さ方向で有機ＥＬ素子ＯＤに最も近接した第１位置Ｐ１と、厚さ方向で有機ＥＬ素子ＯＤから最も離間した第２位置Ｐ２との厚さ方向の距離Ｈ２が、０．０１μｍ乃至１０μｍ、となるように形成されている。また、第２面１０Ｂにおいては、隣り合う凹部と凸部との距離についても規定することができる。例えば、領域Ａ３は凹部に相当し、領域Ａ４は領域Ａ３に隣り合う凸部に相当する。領域Ａ３の底部となる第３位置Ｐ３と、領域Ａ４の頂部となる第４位置Ｐ４との距離Ｌ２は、１５μｍ以下となるように形成されている。

なお、第１絶縁基板１０の厚さが例えば２０μｍよりも厚い場合などにおいては、第１面１０Ａは、第２面１０Ｂよりも平坦となる場合があり得る。すなわち、第１面１０Ａの表面粗さＲａ１は、第２面１０Ｂの表面粗さＲａ２より小さくなる場合があり得る。このような場合には第１面１０Ａにおける第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２の厚さ方向の距離Ｈ１は、第２面１０Ｂにおける第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２の厚さ方向の距離Ｈ２より小さいことがあり得る。あるいは、隣り合う凹部及び凸部において、第１面１０Ａにおける第３位置Ｐ３と第４位置Ｐ４との距離Ｌ１は、第２面１０Ｂにおける第３位置Ｐ３と第４位置Ｐ４との距離Ｌ２よりも小さいことがあり得る。

次に、図５乃至図１２を参照して、表示装置１の製造方法について説明する。

まず、図５に示すように、ガラス基板４０の表面４０Ａ上に、例えばポリイミド等の有機絶縁材料からなる第１絶縁基板１０が形成される。ガラス基板４０は、表面４０Ａが粗面化されている。なお、ガラス基板４０を粗面化する手法については詳細を省略するが、例えばフッ酸などで化学的に腐食させるなどの手法が適用可能である。これにより、第１絶縁基板１０において、少なくともガラス基板４０の表面４０Ａと接する第２面１０Ｂは、ガラス基板４０の表面４０Ａと同様に粗面化される。

なお、図示した例では、ガラス基板４０の表面４０Ａ及び裏面４０Ｂの双方が粗面化されているが、第１絶縁基板１０を粗面化するためには、少なくとも第１絶縁基板１０が形成される表面４０Ａのみが粗面化されていれば良い。後述するガラス基板４０への異物の密着を抑制するためには、裏面４０Ｂが粗面化されていれば良い。また、ガラス基板４０の表面４０Ａ及び裏面４０Ｂについても、上記の図４を参照した説明が適用できる。すなわち、ガラス基板４０の表面４０Ａ及び裏面４０Ｂの少なくとも一方が粗面である場合、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との厚さ方向の距離が、０．０１μｍ乃至１０μｍであり、第３位置Ｐ３と第４位置Ｐ４との距離が、１５μｍ以下となるように形成されている。

次に、図６に示すように、第１絶縁基板１０上に、スイッチング素子ＳＷを含むアレイ層４１が形成される。アレイ層４１は、図２及び図３における第１絶縁膜１１から第４絶縁膜１４までの層に相当する。次いで、アレイ層４１上に、有機ＥＬ素子ＯＤを含む表示機能層４２が形成される。表示機能層４２は、図２及び図３における反射層ＲＬから共通電極ＣＥまでの層に相当する。なお、必要に応じて、有機ＥＬ素子ＯＤの表面は保護膜によって封止される。その後、ガラス基板４０が例えば半分にカットされる。なお、ガラス基板４０は、複数の表示装置１が含まれるようにカットされてもよく、１つの表示装置１に対応する大きさ（セル個片）にカットされてもよい。また、ガラス基板４０は、カットされなくてもよい。

次に、表示機能層４２上に、絶縁基板２０を含む光学層４３が貼り付けられる。光学層４３は、図２及び図３における第２基板ＳＵＢ２に相当する。光学層ＳＵＢ２は、例えば偏光板を含んでいてもよい。その後、必要に応じて、ガラス基板４０が洗浄される。

図７は、ガラス基板を洗浄する前の状態を概略的に示す断面図である。

例えば、ガラス基板４０をカットする場合、カットの際にガラス屑（カレット）が生じる場合がある。ガラス基板４０の裏面４０Ｂは、カレットのサイズよりも十分に小さい凹部及び凸部を有する程度に粗面化されている。このため、図７に示すように、カレットＣと、ガラス基板４０の裏面４０Ｂとの間には、隙間が生じる。この結果、カレットＣのガラス基板４０の裏面４０Ｂへの密着を抑制することができ、カレットＣを容易に除去することができる。

次に、図８に示すように、ガラス基板４０に、レーザー光を照射して、第１絶縁基板１０からガラス基板を剥離する。

ガラス基板４０に、波長が例えば３５５ｎｍのレーザー光が照射される。レーザー光は、ガラス基板４０の下方（つまりガラス基板４０の裏面４０Ｂ）から照射され、ガラス基板４０を透過し、第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂに到達する。第１絶縁基板１０は、ガラス基板４０と第１絶縁基板１０との間の界面付近において、レーザー光を吸収し、その一部が分解されるアブレーションが生じる。これにより、ガラス基板４０と第１絶縁基板１０との間に空間が生じ、第１絶縁基板１０からガラス基板４０が剥離される。

図９は、レーザー光を照射している状態を概略的に示す断面図である。

図示した例では、ガラス基板４０の裏面４０Ｂに異物が付着している。図９のように、ガラス基板４０の裏面４０Ｂに、洗浄では除去しきれなかった異物などが付着している場合であっても、レーザー光を第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂに到達させることが可能である。すなわち、ガラス基板４０の裏面４０Ｂは、粗面化されていることから、レーザー光は裏面４０Ｂで散乱し、散乱したレーザー光が異物などと重なる領域に回り込み、レーザー光を第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂに到達させることが可能となる。したがって、ガラス基板４０の剥離不良を抑制することが可能となる。これにより、ガラス基板４０は、第１絶縁基板１０から剥離される。

次に、図１０に示すように、第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂに、接着層ＧＬを介して、保護部材ＰＰが貼り付けられる。具体的には、第１絶縁基板１０及び保護部材ＰＰの間に接着層ＧＬとして、例えば接着シートなどを配置した状態で、保護部材ＰＰをアライメントした後、加熱処理することで、保護部材ＰＰを、第１絶縁基板１０の下に貼り付ける。このように、保護部材ＰＰは、アライメント後に加熱処理されるため、位置ズレが生じるのを抑制することができる。また、接着層ＧＬ及び保護部材ＰＰは、折り曲げ領域ＢＡを除く領域に貼り付けられる。

次に、図１１に示すように、第１絶縁基板１０に、第１回路基板３が圧着される。すなわち、第１絶縁基板１０と第１回路基板３との間に、異方性導電膜（図示しない）を配置し、第１絶縁基板１０の下方及び第１回路基板３の上方から、図１１に示した矢印の方向に圧力を加え加熱する。これにより、異方性導電膜が溶融して、第１絶縁基板１０及び第１回路基板が電気的及び物理的に接続される。

次に、図１２に示すように、表示パネル２の折り曲げ領域ＢＡを折り曲げる。まず、折り曲げ領域ＢＡにおいて、第１回路基板３の端部、アレイ層４１の端部及び表示機能層４２の端部からの水分などの侵入を防ぐために、樹脂層４４が配置される。樹脂層４４は、例えば、有機絶縁材料を用いて形成され、ＵＶ照射によって硬化されることにより形成される。

次に、支持部５０の位置をアライメントして、支持部５０が保護部材ＰＰに接着材５１を介して接着される。その後、第１回路基板３及び第２回路基板４が、表示領域ＤＡの下方側に配置されるように、表示パネル２の折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられる。つまり、支持部５０を基点として、第１回路基板３及び第２回路基板４が支持部５０の下方に配置されるように回し、接着材５１を介して支持部５０に貼り付けられる。なお、本実施形態において、折り曲げ領域ＢＡにおける表示パネルＰＮＬの厚みは、例えば、約１３０μｍである。

図１３は、図１２に示した表示パネル２の折り曲げ領域ＢＡを折り曲げた後の状態を示す断面図である。尚、図１３では要部のみを示しており、アレイ層４１等は図示を省略している。

折り曲げ領域ＢＡは、表示パネル２と第１回路基板３及び第２回路基板４とが対向するように折れ曲がっている。本実施形態においては、曲率半径を１．０ｍｍ以下にすることが可能であり、例えば、折り曲げ領域ＢＡの曲率半径は、約０．３ｍｍである。支持部５０は、保護部材ＰＰと第１回路基板３との間に配置されている。支持部５０が配置されることにより、外部から衝撃が加わった場合でも、表示パネル２や第１回路基板３が損傷し難くなる。また、支持部５０が配置されることにより、保護部材ＰＰと第１回路基板３との間の接着性が向上する。

なお、上記の工程は一例であり、各工程は上記の順に限定されない。

本実施形態よれば、表示装置１は、第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂの少なくとも一方の面が粗面である第１絶縁基板１０を有している。第１絶縁基板１０が粗面化されているため、応力の集中を緩和することが可能となるため、第１絶縁基板１０を曲げることが容易になる。さらに、保護部材ＰＰと接着される第２面１０Ｂが粗面である場合には、第２面１０Ｂと接着層ＧＬとの接触面積が大きくなるため、保護部材ＰＰの密着性を向上することができる。

また、ガラス基板４０においても、第１絶縁基板１０が形成される表面４０Ａ及び表面４０Ａと反対側の裏面４０Ｂが粗面化されているため、ガラス基板４０の裏面４０Ｂに、異物などが付着することを抑制することができる。ガラス基板４０の裏面４０Ｂに異物などが付着したとしても、容易に除去することができる。

さらに、第１絶縁基板１０からガラス基板４０を剥離するためのレーザー光が、ガラス基板４０の裏面４０Ｂで散乱するため、ガラス基板４０の裏面４０Ｂに異物が付着している場合であっても、レーザー光を第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂに到達させることが可能となる。したがって、ガラス基板の剥離不良を抑制することが可能となる。

以上のように、表示装置１を製造する際に、粗面を有するガラス基板４０を用いることにより、容易に歩留りを向上することができる。

なお、表示装置１が液晶表示装置である場合は、液晶表示装置は、その背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、その前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、及び、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。表示装置１が液晶表示装置の場合、上記の表示機能層４２は、画素電極と、液晶層と、共通電極とを含む層に相当する。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…表示装置、２…表示パネル、３…第１回路基板、４…第２回路基板、５…駆動ＩＣチップ、１０…第１絶縁基板、１０Ａ…第１面、１０Ｂ…第２面、１１…第１絶縁膜、１２…第２絶縁膜、１３…第３絶縁膜、１４…第４絶縁膜、２０…絶縁基板、２１…カラーフィルタ層、３０…封止層、４０…ガラス基板、４０Ａ…表面、４０Ｂ…裏面、４１…アレイ層、４２…表示機能層、４３…光学層、ＰＰ…保護部材、ＰＡ…第３面、ＧＬ…接着層、ＳＷ…スイッチング素子、ＳＣ…半導体層、ＧＥ…ゲート電極、ＳＥ…ソース電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＯＲＧ…有機発光層、ＰＸ…画素、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＭＴ…実装部、ＢＡ…折り曲げ領域、Ｈ１，Ｈ２…厚さ方向の距離、Ｌ１，Ｌ２…距離。

Claims (12)

1. 表示機能層を有する絶縁基板と、
   前記絶縁基板に接着された保護部材と、を有する表示装置であって、
   前記絶縁基板は、前記表示機能層が形成される第１面と、前記保護部材が接着され、前記第１面とは反対側の面である第２面とを有し、
   前記第１面と前記第２面の少なくとも一方は、凸部及び凹部を有する面である、表示装置。
2. 前記第２面の表面粗さは、前記第１面の表面粗さよりも大きい、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記保護部材は、前記絶縁基板の前記第２面と対向する第３面を有し、
   前記第２面の表面粗さは、前記第３面の表面粗さよりも大きい、請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記第２面は、前記絶縁基板の厚さ方向で前記表示機能層に最も近接している第１位置と、前記第１位置と離間し、前記絶縁基板の前記厚さ方向で前記表示機能層から最も離間している第２位置と、を有している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第１位置と前記第２位置との前記厚さ方向の距離は、０．０１乃至１０μｍである、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第２面は、第３位置と、前記第３位置と隣接する第４位置と、を有し、
   前記第３位置と前記第４位置との距離は、１５μｍ以下である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 凸部及び凹部を有するガラス基板上に絶縁基板を形成し、
   前記絶縁基板上に、スイッチング素子を含むアレイ層を形成し、
   前記アレイ層上に表示機能層を形成し、
   前記ガラス基板の前記絶縁基板が形成されていない面に、レーザー光を照射し、
   前記ガラス基板から前記絶縁基板を剥離する、
   表示装置の製造方法。
8. 前記絶縁基板は、有機絶縁材料からなる、請求項７に記載の製造方法。
9. 前記ガラス基板は、前記絶縁基板が形成される表面と、前記表面とは反対側の面である裏面と、を有し、
   前記凸部及び前記凹部は、前記表面と前記裏面の少なくとも一方の面に形成されている、請求項７または８に記載の製造方法。
10. 前記絶縁基板は、前記アレイ層が形成される第１面と、前記ガラス基板と接し、前記第１面とは反対側の面である第２面と、を有し、
    前記第２面は、前記絶縁基板の厚さ方向で前記表示機能層に最も近接する第１位置と、前記第１位置と離間し、前記絶縁基板の厚さ方向で前記表示機能層から最も離間した第２位置と、を有している、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の製造方法。
11. 前記第１位置と前記第２位置との前記厚さ方向の距離が、０．０１乃至１０μｍである、請求項１０に記載の製造方法。
12. 前記第２面は、第３位置と、前記第３位置と隣接する第４位置と、を有し、
    前記第３位置と前記第４位置との距離が、１５μｍ以下である、請求項１０又は１１に記載の製造方法。

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