KR101952132B1 - 표시 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 패널은 어레이 기판, 대향 기판, 및 액정층을 포함한다. 상기 어레이 기판은 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 감싸고 제1 비표시 영역 및 제2 비표시 영역을 포함하는 비표시 영역에 배치된 제1 베이스 기판, 상기 제1 비표시 영역에 배치되고 패드 영역으로 연장된 감광성 고분자 유기물층, 상기 표시 영역에서 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소 전극, 및 상기 박막 트랜지스터와 접속되고, 상기 패드 영역에서 상기 감광성 고분자 유기물층 상에 배치된 신호 입력 패드를 포함하며, 상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 제1 비표시 영역의 에지부가 테이퍼진 형상을 가진다.

Description

표시 패널 및 이의 제조 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부 회로 모듈과 연결되는 패드 영역을 최소화할 수 있는 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 표시 장치는 화상을 표시하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널에 각종 제어 신호를 제공하는 외부 회로 모듈을 포함하고, 상기 표시 패널과 상기 외부 회로 모듈은 샤시와 같은 수납 용기에 고정된다. 또한, 상기 표시 패널 및 상기 외부 회로 모듈은 드라이버 IC를 포함하는 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package, TCP) 또는 연성 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board, FPC)와 같은 배선 부재를 통하여 연결된다.
한편, 상기 배선 부재는 일반적으로 상기 표시 패널의 일측에 부착되어 상기 외부 회로 모듈과 연결된다. 따라서, 상기 표시 패널은 상기 배선 부재와 연결되기 위하여 상기 표시 패널의 일측에 일정 공간을 마련하여야 하며, 상기 수납 용기는 상기 배선 부재를 위한 소정의 공간을 확보하여야 한다. 상기와 같이, 상기 배선 부재를 위한 공간은 표시 장치에서, 상기 표시 패널에서 화상이 표시되는 영역 이외의 영역을 최소화하고자 하는 최근 연구 경향에 제약이 된다.
본 발명의 일 목적은 외부 회로 모듈과 연결되는 패드 영역을 최소화할 수 있는 표시 패널을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 표시 패널은 어레이 기판, 대향 기판, 및 액정층을 포함한다. 상기 어레이 기판은 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 감싸고 제1 비표시 영역 및 제2 비표시 영역을 포함하는 비표시 영역에 배치된 제1 베이스 기판, 상기 제1 비표시 영역에 배치되고 패드 영역으로 연장된 감광성 고분자 유기물층, 상기 표시 영역에서 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소 전극, 및 상기 박막 트랜지스터와 접속되고, 상기 패드 영역에서 상기 감광성 고분자 유기물층 상에 배치된 신호 입력 패드를 포함한다. 여기서, 상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 제1 비표시 영역의 에지부가 테이퍼진 형상을 가진다.
상기 고분자 유기물층의 두께는 3㎛ 내지 5㎛일 수 있다.
상기 에지부의 테이퍼각은 20°내지 70°이며, 상기 에지부의 폭은 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다.
상기 감광성 고분자 유기물층은 절곡시의 곡률 반경이 100㎛ 이하일 수 있다.
상기 감광성 고분자 유기물층은 감광성 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 제1 베이스 기판 상에 배치될 수 있다. 또는 상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 신호 입력 패드 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 표시 패널의 제조 방법은 베이스 기판을 준비하는 단계, 패드 영역 및 제1 비표시 영역에 감광성 고분자 유기물층을 형성하는 단계, 표시 영역에서 상기 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하고, 이와 동시에 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 신호 입력 패드를 상기 패드 영역에 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 화소 전극을 형성하여 어레이 기판을 제조하는 단계, 상기 어레이 기판 및 상기 어레이 기판에 마주하는 공통 전극을 포함하는 대향 기판 사이에 액정층을 배치하고, 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판을 합착하는 단계, 및 상기 패드 영역의 상기 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함한다.
상기 감광성 고분자 유기물층을 형성하는 단계는 감광성 고분자 유기물을 도포하는 단계, 마스크를 이용하여 상기 감광성 고분자 유기물에 광을 조사하여, 상기 표시 영역 및 상기 제2 비표시 영역의 감광성 고분자 유기물을 제거하는 단계, 및 상기 제1 비표시 영역 및 상기 패드 영역에 잔류하는 상기 감광성 고분자 유기물을 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 마스크는 상기 표시 영역에 대응하는 개구 영역, 상기 제1 비표시 영역 및 상기 패드 영역에 대응하는 비개구 영역, 및 상기 개구 영역과 상기 비개구 영역 사이에 배치되는 반개구 영역을 구비할 수 있다.
상기 반개구 영역은 상기 개구 영역에 인접할수록 광 투과도가 높으며, 상기 비개구 영역에 인접할수록 광 투과도가 낮을 수 있다.
상기와 같은 표시 패널은 외부 회로 모듈과 연결되는 패드 영역 전체를 절곡할 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널을 구비하는 표시 장치는 상기 패드 영역을 위한 공간을 최소화할 수 있다.
상기와 같은 표시 패널은 어레이 기판 및 대향 기판의 크기가 실질적으로 동일하며, 상기 패드 영역이 상기 어레이 기판의 하부로 절곡되어 배치될 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널을 구비하는 표시 장치는 테이프 캐리어 패키지 또는 연성 회로 기판과 같은 배선 부재를 수용하기 위한 공간을 별도로 마련하지 않아도 되므로, 화상이 표시되는 표시 영역 이외의 영역을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널이 적용된 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널에 연성 회로 기판이 부착되기 전의 상태를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 2의 A 영역의 확대도이다.
도 4는 도 2의 B 영역의 확대도이다.
도 5는 표시 패널에 연성 회로 기판이 부착된 상태를 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 도 5의 Ⅰ-Ⅰ' 라인에 따른 단면도이다.
도 7은 도 6의 C 영역의 확대도이다.
도 8은 도 6의 표시 패널에서 패드 영역이 절곡된 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9 내지 도 13는 도 1 내지 도 8에 도시된 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 도 14의 표시 패널에서 패드 영역이 절곡된 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 16 내지 도 19는 도 14 및 도 15에 도시된 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 설명하기 위한 단면도이다.
도 21은 도 20의 표시 패널에서 패드 영역이 절곡된 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널이 적용된 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(100), 백라이트 유닛(200), 상부 커버(410) 및 하부 커버(420)를 포함한다.
상기 표시 패널(100)로는 다양한 형태의 표시 패널이 적용될 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 패널(100)로 액정 표시 패널(liquid crystal display panel, LCD panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel, EPD panel), 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel, EWD panel)과 같은 표시 패널을 사용하는 것이 가능하다. 본 실시예에서는 상기 표시 패널(100)로 상기 액정 표시 패널을 예로서 설명한다.
상기 표시 패널(100)은 장변 및 단변을 가지는 직사각형의 판상을 가지며, 화상을 표시하는 표시 영역(DA), 상기 표시 영역(DA) 주변의 비표시 영역(NDA), 및 상기 비표시 영역(NDA)의 적어도 일측에서 연장된 패드 영역(PA)을 포함한다. 또한, 상기 표시 패널(100)은 어레이 기판(110), 상기 어레이 기판(110)에 대향되는 대향 기판(120) 및 상기 어레이 기판(110)과 상기 대향 기판(120) 사이에 형성된 액정층(미도시)을 포함한다. 또한, 상기 표시 패널(100)의 양면, 즉, 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120) 각각의 외부면에는 편광 필름(미도시)이 부착될 수 있다.
상기 어레이 기판(110)의 상기 표시 영역(DA)에는 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소들(미도시)이 배치될 수 있다. 여기서, 각 화소는 다수의 서브 화소를 포함할 수 있으며, 각 서브 화소는 서로 다른 색상을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 각 서브 화소는 적색, 녹색, 청색, 황색 및 백색 중 어느 하나의 색상을 가질 수 있다. 따라서, 상기 각 서브 화소에서 출사되는 광은 상기 적색, 녹색, 청색, 황색 및 백색 중 어느 하나의 색상을 가질 수 있다. 또한, 상기 각 화소는 게이트 라인(미도시), 상기 게이트 라인과 절연되게 교차하는 데이터 라인(미도시), 및 화소 전극(미도시)을 구비할 수 있다. 또한, 상기 각 화소에는 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 전기적으로 연결되며, 상기 화소 전극에 대응하여 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터(미도시)가 구비될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 대응하는 화소 전극 측으로 제공되는 구동 신호를 스위칭할 수 있다.
상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NDA)에는 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)을 합착시키는 봉지 패턴(미도시)이 배치될 수 있다.
상기 어레이 기판(110)의 상기 패드 영역(PA)에는 드라이버 IC(141)가 실장된 연성 회로 기판(140)이 연결되며, 상기 연성 회로 기판(140)은 외부 회로 모듈(미도시)과 연결될 수 있다. 상기 드라이버 IC(141)는 상기 외부 회로 모듈로부터 각종 제어 신호를 입력받으며, 입력된 각종 제어 신호에 응답하여 상기 표시 패널(100)을 구동하는 구동 신호를 상기 박막 트랜지스터 측으로 출력한다.
상기 대향 기판(120)은 그 일면 상에 상기 백라이트 유닛(200)에서 제공되는 광을 이용하여 소정의 색을 구현하는 컬러 필터(미도시) 및 상기 컬러 필터 상에 형성되어 상기 화소 전극(미도시)과 대향하는 공통 전극(미도시)을 구비할 수 있다. 여기서 상기 컬러 필터는 적색, 녹색, 청색, 황색 및 백색 중 어느 하나의 색상을 가지며, 증착 또는 코팅과 같은 공정을 통하여 형성될 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 상기 대향 기판(120)에 상기 컬러 필터가 형성된 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 컬러 필터는 상기 어레이 기판(110) 상에 형성될 수도 있다.
상기 액정층은 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 인가되는 전압에 의하여 특정 방향으로 배열됨으로써, 상기 백라이트 유닛(200)으로부터 제공되는 상기 광의 투과도를 조절하여, 상기 표시 패널(100)이 영상을 표시할 수 있도록 한다.
상기 백라이트 유닛(200)은 상기 표시 패널(100)에서 영상이 출사되는 방향의 반대 방향에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(200)은 도광판(210), 복수의 광원을 포함하는 광원 유닛(220), 광학 부재(230) 및 반사 시트(240)를 포함한다.
상기 도광판(210)은 상기 표시 패널(100)의 하부에 위치하며, 상기 광원 유닛(220)에서 방출되는 상기 광을 가이드하여 상기 표시 패널(100) 방향으로 상기 광을 출사시킨다. 특히, 상기 도광판(210)은 적어도 상기 표시 패널(100)의 표시 영역(DA)과 중첩된다. 여기서, 상기 도광판(210)은 상기 광을 출사하는 출사면, 상기 출사면에 대향하는 하면, 및 상기 출사면과 상기 하면을 연결하는 측면들을 포함한다. 또한, 상기 측면들 중 적어도 어느 하나는 상기 광원 유닛(220)과 대향하여 상기 광원 유닛(220)에서 방출하는 광이 입사되는 입사면일 수 있으며, 상기 입사면에 대향하는 측면은 광을 반사하는 대광면일 수 있다.
상기 광원 유닛(220)은 복수의 광원들(221), 예를 들면 복수의 발광 다이오드(light-emitting diode)가 인쇄 회로 기판(222, printed circuit board, PCB)에 실장된 형태일 수 있다. 여기서, 상기 광원들(221)은 서로 다른 색상의 광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 상기 광원들(221) 중 일부는 적색광을 방출할 수 있으며, 상기 광원들(221) 중 다른 일부는 녹색광을 방출할 수 있으며, 상기 광원들(221) 중 나머지는 청색광을 방출할 수 있다.
또한, 상기 광원 유닛(220)은 상기 도광판(210)의 측면들 중 적어도 어느 하나를 마주하여 광을 방출하도록 배치되어, 상기 표시 패널(100)이 영상을 표시하는데 사용되는 광을 상기 도광판(210)을 통하여 제공한다.
상기 광학 부재(230)는 상기 도광판(210) 및 상기 표시 패널(100) 사이에 제공된다. 상기 광학 부재(230)는 상기 광원 유닛(220)에서 제공되어 상기 도광판(210)을 통해 출사되는 광을 제어하는 역할을 수행한다. 또한, 상기 광학 부재(230)은 순차적으로 적층된 확산 시트(236), 프리즘 시트(234) 및 보호 시트(232)를 포함한다.
상기 확산 시트(236)는 상기 도광판(210)에서 출사된 광을 확산하는 역할을 수행한다. 상기 프리즘 시트(234)는 상기 확산 시트(236)에서 확산된 빛을 상부의 표시 패널(100)의 평면에 수직한 방향으로 집광하는 역할을 수행한다. 상기 프리즘 시트(234)를 통과한 빛은 거의 대부분 상기 표시 패널(100)에 수직하게 입사된다. 상기 보호 시트(232)는 상기 프리즘 시트(234) 상에 위치한다. 상기 보호 시트(232)는 상기 프리즘 시트(234)를 외부의 충격으로부터 보호한다.
본 실시예에서는 상기 광학 부재(230)가 상기 확산 시트(236), 상기 프리즘 시트(234), 및 상기 보호 시트(232)가 한 매씩 구비된 것을 예로 들었으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광학 부재(230)는 상기 확산 시트(236), 상기 프리즘 시트(234), 및 상기 보호 시트(232) 중 적어도 어느 하나를 복수 매 겹쳐서 사용할 수 있으며, 필요에 따라 어느 하나의 시트를 생략할 수도 있다.
상기 반사 시트(240)는 상기 도광판(210)의 하부에 배치되어, 상기 광원 유닛(220)에서 출사된 광 중 상기 표시 패널(100) 방향으로 제공되지 않고 누설되는 광을 반사시켜 상기 표시 패널(100) 방향으로 광의 경로를 변경시킬 수 있다. 상기 반사 시트(240)는 광을 반사하는 물질을 포함한다. 상기 반사 시트(240)는 상기 하부 커버(420) 상에 구비되어 상기 광원 유닛(220)로부터 발생된 광을 반사시킨다. 그 결과, 상기 반사 시트(240)는 상기 표시 패널(100) 측으로 제공되는 광의 양을 증가시킨다.
한편, 본 실시예에서는 상기 광원 유닛(220)이 상기 도광판(210)의 측면 방향으로 광을 제공하도록 배치된 것을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 광원 유닛(220)은 상기 도광판(210)의 하면 방향으로 광을 제공하도록 배치될 수도 있다. 또한, 상기 백라이트 유닛(200)에서 상기 도광판(210)이 생략되고 상기 광원 유닛(220)이 상기 표시 패널(100)의 하부에 위치하여, 상기 광원 유닛(220)에서 출사된 광이 상기 표시 패널(100)로 직접 광을 제공될 수도 있다.
상기 상부 커버(410)는 상기 표시 패널(100)의 상부에 구비된다. 상기 상부 커버(410)는 상기 표시 패널(100)의 상기 표시 영역(DA)을 노출시키는 표시창(411)을 포함한다. 상기 상부 커버(410)는 상기 하부 커버(420)와 결합하여 상기 표시 패널(100)의 전면 가장자리를 지지한다.
상기 하부 커버(420)는 백라이트 유닛(200)의 하부에 구비된다. 상기 하부 커버(420)는 상기 표시 패널(100) 및 상기 백라이트 유닛(200)를 수용할 수 있는 공간을 포함한다. 또한, 상기 하부 커버(420)는 상기 상부 커버(410)와 결합되어 그 내부 공간에 상기 표시 패널(100) 및 백라이트 유닛(200)를 수납하고 지지한다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 패널에 연성 회로 기판이 부착되기 전의 상태를 설명하기 위한 평면도이며, 도 3은 도 2의 A 영역의 확대도이며, 도 4는 도 2의 B 영역의 확대도이며, 도 5는 표시 패널에 연성 회로 기판이 부착된 상태를 설명하기 위한 평면도이며, 도 6은 도 5의 Ⅰ-Ⅰ' 라인에 따른 단면도이며, 도 7은 도 6의 C 영역의 확대도이며, 도 8은 도 6의 표시 패널에서 패드 영역이 절곡된 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 내지 도 8을 참조하면, 표시 패널(100)은 영상을 표시하는 표시 영역(DA), 상기 표시 영역(DA)을 감싸는 비표시 영역(NDA), 및 상기 비표시 영역(NDA)의 적어도 일측에서 연장된 패드 영역(PA)을 포함한다. 여기서, 상기 비표시 영역(NDA)는 상기 패드 영역(PA)에 인접한 제1 비표시 영역(NDA-1), 및 상기 제1 비표시 영역(NDA-1) 이외의 제2 비표시 영역(NDA-2)으로 구분될 수 있다.
또한, 상기 표시 패널(100)은 어레이 기판(110), 상기 어레이 기판(110)에 마주하는 대향 기판(120), 및 상기 어레이 기판(110)과 상기 대향 기판(120) 사이에 배치되는 액정층(130)을 포함한다. 또한, 상기 표시 패널(100)의 양면, 즉, 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120) 각각의 외부면에는 편광 필름(118, 128)이 부착될 수 있다.
상기 어레이 기판(110)은 상기 표시 패널(100)의 형상에 대응하므로, 상기 표시 영역(DA), 상기 비표시 영역(NDA), 및 상기 패드 영역(PA)을 포함할 수 있다.
상기 어레이 기판(110)의 상기 표시 영역(DA)에는 색상을 구현할 수 있는 복수의 화소들이 매트릭스 형태로 배열될 수 있으며, 각 화소에는 이후에 설명되는 박막 트랜지스터(TFT) 및 화소 전극(115)이 배치될 수 있다.
상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NDA)에는 봉지 패턴(SP)이 배치될 수 있다. 상기 봉지 패턴(SP)은 상기 표시 영역(DA)을 감싸도록 배치되어 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)을 합착하며, 상기 액정층(130)이 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있다.
상기 어레이 기판(110)의 상기 패드 영역(PA)에는 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 연결되는 신호 입력 패드(SIP)가 배치될 수 있다.
또한, 상기 어레이 기판(110)은 제1 베이스 기판(111), 상기 제1 비표시 영역(NDA-1)에서 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 배치되고, 상기 패드 영역(PA)으로 연장된 감광성 고분자 유기물층(112), 상기 감광성 고분자 유기물층(112) 및 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 배치되는 절연막(113), 상기 절연막(113) 상에 배치되는 상기 박막 트랜지스터(TFT), 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 접속된 상기 화소 전극(115)을 포함한다.
상기 제1 베이스 기판(111)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 비표시 영역(NDA)에 배치되고, 장변 및 단변을 구비하는 직사각의 판상일 수 있다. 즉, 상기 제1 베이스 기판(111)은 상기 패드 영역(PA)과 중첩하지 않는다.
상기 제1 베이스 기판(111)은 투명 절연 물질을 포함하여 광의 투과가 가능하다. 또한, 상기 제1 베이스 기판(111)은 리지드 타입(Rigid type) 기판일 수 있으며, 플렉서블 타입(Flexible type)일 수도 있다. 상기 리지드 타입의 기판은 유리 기판, 석영 기판, 유리 세라믹 기판 및 결정질 유리 기판을 포함한다. 상기 플렉서블 타입의 기판은 고분자 유기물을 포함하는 필름 기판 및 플라스틱 기판을 포함한다. 상기 제1 베이스 기판(111)에 채용되는 물질은 제조 공정시 높은 처리 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다.
상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 상기 제1 비표시 영역(NDA-1)에서 상기 제1 베이스 기판(111)의 상기 대향 기판(12) 방향의 면상에 배치될 수 있으며, 상기 패드 영역(PA)으로 연장될 수 있다. 즉, 상기 패드 영역(PA)에서 상기 감광성 고분자 유기물층(112)의 하부에는 상기 제1 베이스 기판(111)이 존재하지 않는다.
또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 감광성 폴리이미드(Photo-sensitive Polyimide, PSPI)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 감광성 폴리이미드가 파지티브형 감광성 폴리이미드를 포함하는 경우, 상기 감광성 폴리이미드는 하기의 화학식 1 내지 5 중 어느 하나일 수 있다.
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또한, 상기 감광성 폴리이미드가 네거티브형 감광성 폴리이미드인 경우, 상기 감광성 폴리이미드는 하기의 화학식 6 내지 11 중 어느 하나일 수 있다.
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Figure 112012084513312-pat00007
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또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 320℃ 이상의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 이는 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 제조시 상기 감광성 고분자 유기물층(112)의 변형을 방지하기 위해서이다. 예를 들면, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 그 제조시에 일부 공정의 온도가 300℃ 이상일 수 있다. 따라서, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)의 유리 전이 온도가 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 공정 온도보다 높아야 상기 감광성 고분자 유기물층(112)의 변형 또는 변성을 방지할 수 있다.
또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 열팽창 계수가 3ppm/℃ 내지 10ppm/℃일 수 있다. 이는 상기 제1 베이스 기판(111) 및 상기 감광성 고분자 유기물층(112) 사이의 열팽창 또는 열수축 차이에 의한 스트레스가 발생하는 것을 방지하기 위해서이다.
또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 절곡시의 곡률 반경이 100㎛ 이하일 수 있다. 이는 상기 감광성 고분자 유기물층(112)의 절곡시 곡률 반경이 100㎛를 초과하면, 상기 감광성 고분자 유기물(112)이 차지하는 영역이 넓어지기 때문이다. 상기 감광성 고분자 유기물(112)이 차지하는 영역이 확대되면, 상기 표시 패널(100)을 포함하는 표시 장치는 상기 표시 패널(100)을 수용하는 상부 커버 및 하부 커버에서 상기 패드 영역(PA)에 대응하는 공간이 확대될 수 있다.
또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 상기 신호 입력 패드(SIP)를 지지하기 위하여 3㎛ 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 감광성 고분자 유기물층(112)의 두께가 3㎛ 미만인 경우, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)이 상기 신호 입력 패드(SIP)를 충분히 지지하지 못하고, 절곡하는 과정에서 상기 감광성 고분자 유기물층(112)이 파괴될 수 있다. 또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)의 두께가 5㎛를 초과하는 경우, 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120) 사이의 간격 유지가 어려울 수 있다.
또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 상기 표시 영역(DA)에 인접한 에지부가 테이퍼진 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 에지부의 테이퍼각(θ)은 20° 내지 70°일 수 있다. 또한, 상기 에지부의 폭(W)은 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다.
상기 절연막(113)은 상기 감광성 고분자 유기물층(112) 및 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 배치된다. 또한, 상기 절연막(113)은 광 투과가 가능한 절연물질, 예를 들면, SiNx 및 SiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 절연막(113)은 상기 감광성 고분자 유기물층(112)에 포함된 물질이 상기 박막 트랜지스터(TFT)로 확산되어 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 구동 특성이 저하되는 것을 방지한다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 절연막(113) 상에 배치되고, 반도체층(SCL), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 보다 상세히 설명하면, 상기 절연막(113) 상에 배치된 상기 게이트 전극(GE), 상기 게이트 전극(GE)을 커버하는 게이트 절연막(GIL), 상기 게이트 절연막(GIL) 상에 배치되는 상기 반도체층(SCL), 및 상기 반도체층(SCL)의 양단에 각각 접속하는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)을 포함한다. 여기서, 상기 반도체층(SCL)은 상기 게이트 전극(GE)과 평면상에서 중첩하는 채널 영역, 상기 소스 전극(SE)과 접속하는 소스 영역, 및 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 드레인 영역을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 게이트 전극(GE)은 스캔 신호 또는 게이트 신호를 상기 박막 트랜지스터(TFT)로 전송하는 게이트 라인(GL)과 접속할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 소스 전극(SE)은 데이터 전압을 상기 박막 트랜지스터(TFT)로 전송하는 데이터 라인(DL)과 접속할 수 있다.
한편, 상기에서는 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 게이트 전극(GE)이 상기 반도체층(SCL) 하부에 위치하는 바텀 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 전극(GE)이 상기 반도체층(SCL) 상부에 위치하는 탑 게이트 구조의 박막 트랜지스터일 수도 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에는 보호막(114)이 배치된다. 상기 보호막(114)의 일부 영역은 개구(open)되어 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(CH)일 수 있다. 또한, 상기 보호막(114)은 경우에 따라 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(114)은 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 상기 게이트 절연막(GIL)을 커버하고 무기물로 이루어지는 무기 보호막, 상기 무기 보호막 상에 배치되고 유기물로 이루어지는 유기 보호막을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 유기 보호막은 하부의 박막 트랜지스터(TFT)에 의해 발생하는 단차를 제거하여 표면이 평탄화될 수 있다.
상기 보호막(114)의 상부에는 상기 화소 전극(115)이 배치되며, 상기 화소 전극(115)은 상기 콘택 홀(CH)을 통하여 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(115)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 있다.
상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL) 중 적어도 하나, 예를 들면, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 패드 영역(PA)까지 연장되어 상기 표시 패널(100)을 제어하는 외부 신호가 입력되는 신호 입력 패드(SIP)와 연결될 수 있다. 즉, 상기 신호 입력 패드(SIP)는 상기 패드 영역(PA)의 상기 절연막(113) 상에 배치될 수 있다.
상기 신호 입력 패드(SIP)에는 드라이버 IC(141)가 실장된 연성 회로 기판(140)이 연결될 수 있다. 상기 드라이버 IC(141)는 외부 회로 모듈로부터 각종 제어 신호를 입력받으며, 입력된 각종 제어 신호에 응답하여 상기 표시 패널(100)을 구동하는 구동 신호를 상기 신호 입력 패드(SIP)를 통하여 상기 박막 트랜지스터(TFT) 측으로 출력한다.
상기 대향 기판(120)은 상기 표시 영역(DA), 및 상기 비표시 영역(NDA)에 배치된다. 또한, 상기 대향 기판(120)은 제2 베이스 기판(121) 및 상기 제2 베이스 기판(121) 위에 형성된 공통 전극(125)을 포함한다. 상기 제2 베이스 기판(121)은 상기 제1 베이스 기판(111)과 마찬가지로, 리지드 타입의 기판 또는 플렉서블 타입의 기판일 수 있다. 상기 공통 전극(125)은 상기 화소 전극(115)과 같이, 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(125)은 외부에서 제공되는 공통 전압(Vcom)을 상기 각 화소에 전달한다.
상기 액정층(130)은 복수의 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 상기 화소 전극(115) 및 상기 공통 전극(125) 사이에 형성되는 전계에 의하여 특정 방향으로 배열되어 광의 투과도를 조절할 수 있다. 따라서, 상기 액정층(130)은 상기 전계에 의하여 상기 백라이트 유닛(200)으로부터 제공되는 상기 광을 투과시켜, 상기 표시 패널(100)이 영상을 표시할 수 있도록 한다.
상기한 바와 같이, 상기 표시 패널(100)의 패드 영역(PA)에는 상기 제1 베이스 기판(111) 및 상기 제2 베이스 기판(121)이 존재하지 않으며, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 감광성 고분자 유기물층(112), 상기 절연막(113), 상기 신호 입력 패드(SIP) 및 상기 연성 회로 기판(140)만이 배치된다. 즉, 상기 표시 패널(100)은 상기 패드 영역(PA)에서 상기 감광성 고분자 유기물층(112) 상에 신호 입력 패드(SIP)가 배치되어 필름 형태의 연성 회로 기판과 유사한 형태를 가진다. 따라서, 상기 패드 영역(PA)이 백라이트 유닛 방향으로 절곡될 수 있으며, 상기 표시 패널(100)에서 상기 패드 영역(PA)의 폭이 최소화될 수 있다.
따라서, 상기 표시 패널(100)을 포함하는 표시 장치는 상기 표시 패널(100)을 수용하는 상부 커버 및 하부 커버에서 상기 패드 영역(PA)에 대응하는 공간이 축소될 수 있다.
하기에서는 도 9 내지 도 13을 참조하여, 상기 표시 패널(100)의 제조 방법을 설명한다. 도 9 내지 도 13는 도 1 내지 도 8에 도시된 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
우선, 어레이 기판(110)을 준비한다. 상기 어레이 기판(110)은 표시 영역(DA), 상기 표시 영역(DA)을 감싸는 비표시 영역(NDA), 및 상기 비표시 영역(NDA)의 적어도 일측에서 연장된 패드 영역(PA)을 포함한다. 여기서, 상기 비표시 영역(NDA)는 상기 패드 영역(PA)에 인접한 제1 비표시 영역(NDA-1), 및 상기 제1 비표시 영역(NDA-1) 이외의 제2 비표시 영역(NDA-2)으로 구분될 수 있다.
또한, 상기 어레이 기판(110)은 제1 베이스 기판(111), 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 배치되는 감광성 고분자 유기물층(112), 상기 감광성 고분자 유기물층(112) 상에 배치되는 절연막(113), 상기 절연막(113) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT), 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 접속된 상기 화소 전극(115)을 포함한다.
도 9 및 도 10을 참조하여, 상기 어레이 기판(110)을 제조하는 방법을 상세히 설명하면 하기와 같다.
우선, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제1 베이스 기판(111)을 준비한다. 상기 제1 베이스 기판(111)은 상기 표시 영역(DA), 상기 비표시 영역(NDA) 및 상기 패드 영역(PA)에 배치되고, 장변 및 단변을 구비하는 직사각의 판상일 수 있다. 상기 제1 베이스 기판(111)은 투명 절연 물질을 포함하여 광의 투과가 가능하다. 또한, 상기 제1 베이스 기판(111)에 채용되는 물질은 표시 패널의 제조 공정시 높은 공정 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다.
상기 제1 베이스 기판(111)을 준비한 후, 상기 제1 베이스 기판(111)의 상기 제1 비표시 영역(NDA-1) 및 상기 패드 영역(PA)를 커버하는 감광성 고분자 유기물층(112)을 형성한다. 여기서, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 감광성 폴리이미드를 포함할 수 있으며, 3㎛ 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 상기 감광성 폴리이미드를 포함하는 감광성 고분자 유기물을 도포하고 패터닝하여 감광성 고분자 유기물층(112)을 형성한다. 또한, 상기 감광성 고분자 유기물의 패터닝은 포토리소그래피 공정을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 감광성 고분자 유기물의 패터닝을 보다 상세히 설명하면, 우선, 상기 감광성 고분자 유기물을 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 도포한다.
그런 다음, 상기 감광성 고분자 유기물에 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크와 같은 마스크(M)를 이용하여 광을 조사한다. 예를 들면, 상기 감광성 고분자 유기물이 파지티브형 감광성 폴리이미드를 포함하는 경우, 상기 마스크(M)는 광이 투과할 수 있는 개구 영역(OA), 광이 투과할 수 없는 비개구 영역(NOA), 및 일부의 광이 투과할 수 있는 반개구 영역(HOA)를 포함할 수 있다. 상기 개구 영역(OA)은 상기 표시 영역(DA)에 대응하며, 상기 비개구 영역(NOA)는 상기 패드 영역(PA) 및 상기 패드 영역(PA)에 인접한 상기 제1 비표시 영역(NDA-1)의 일부에 대응할 수 있다. 또한, 상기 반개구 영역(HOA)은 상기 개구 영역(OA) 및 상기 비개구 영역(NOA) 사이에 배치되고, 상기 제1 비표시 영역(NDA-1)의 상기 표시 영역(DA)에 인접한 영역에 대응할 수 있다. 여기서, 상기 반개구 영역(HOA)은 상기 개구 영역(OA)에 인접할수록 광 투과도가 높으며, 상기 비개구 영역(NOA)에 인접할수록 광 투과도가 낮을 수 있다.
상기 마스크(M)를 이용하여 상기 감광성 고분자 유기물에 광을 조사하면, 상기 개구 영역(OA)에 대응하는 상기 감광성 고분자 유기물은 제거되고, 상기 비개구 영역(NOA)에 대응하는 고분자 유기물은 잔류하며, 상기 반개구 영역(HOA)에 대응하는 고분자 유기물의 일부는 제거되고 나머지는 잔류하여 상기 감광성 고분자 유기물층(112)가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 반개구 영역(HOA)에 대응하는 고분자 유기물 중 잔류하는 양은 상기 투과 영역(OA)에 인접할수록 적으며, 상기 비투과 영역(NOA)에 인접할수록 클 수 있다. 따라서, 상기 감광성 고분자 유기물층(112)은 상기 제1 비표시 영역(NDA-1) 및 상기 패드 영역(DA)에 배치되며, 상기 표시 영역(DA)에 인접한 영역에서 테이퍼진 형상을 가지는 에지부를 구비할 수 있다.
여기서, 상기 에지부의 테이퍼각은 20° 내지 70°일 수 있으며, 상기 에지부의 폭(W)은 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 감광성 고분자 유기물이 파지티브형 감광성 폴리이미드인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 감광성 고분자 유기물이 네거티브형 감광성 폴리이미드일 수도 있다. 이 경우, 상기 마스크(M)의 개구 영역(OA)은 상기 패드 영역(PA) 및 상기 패드 영역(PA)에 인접한 상기 제1 비표시 영역(NDA-1)의 일부에 대응할 수 있다. 또한, 상기 비개구 영역(NOA)은 상기 표시 영역(DA)에 대응할 수 있다. 상기 반개구 영역(HOA)은 상기 비개구 영역(NOA)에 인접할수록 광 투과도가 높으며, 상기 개구 영역(OA)에 인접할수록 광 투과도가 낮을 수 있다.
상기 감광성 고분자 유기물에 광을 조사한 후, 잔류하는 상기 감광성 고분자 유기물을 경화하여 상기 감광성 고분자 유기물층(112)을 형성한다.
상기 감광성 고분자 유기물층(112)을 형성한 후, 도 10에 도시된 바와 같이 상기 제1 베이스 기판(111) 및 상기 감광성 고분자 유기물층(112)을 커버하는 절연막(113)을 형성한다. 상기 절연막(113)은 광 투과가 가능한 절연물질, 예를 들면, SiNx 및 SiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 절연막(113)은 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 또는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)를 통하여 형성될 수 있다.
상기 절연막(113)은 금속 물질과의 접착력이 우수하다. 따라서, 상기 절연막(130)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 금속층이 상기 감광성 고분자 유기물층(112)에 직접 증착되는 경우 발생할 수 있는 상기 금속층의 박리 현상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 절연막(113)은 상기 감광성 고분자 유기물층(112)에 포함되는 물질이 상기 박막 트랜지스터(TFT)로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 절연막(113)은 상기 박막 트랜지스터(TFT) 구동 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연막(113)을 형성한 후, 상기 절연막(113) 상에 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 반도체층(SCL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법을 보다 상세히 설명하면, 우선, 상기 절연막(113) 상에 게이트 전극(GE)을 형성하고, 상기 게이트 전극(GE)을 커버하는 게이트 절연막(GIL)을 형성한다. 그런 다음, 상기 게이트 절연막(GIL) 상에 반도체층(SCL)을 형성하고, 상기 반도체층(SCL)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접속하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 형성한다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다.
또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성됨과 동시에 상기 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결되는 데이터 라인(DL), 및 상기 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결되고, 상기 패드 영역(PA)의 상기 절연막(113) 상에 배치되는 신호 입력 패드(SIP)가 형성될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한 후, 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 보호막(114)을 형성한다. 상기 보호막(114)은 무기물, 유기물 또는 유무기 복합물질을 포함할 수 있다.
상기 보호막(114)을 형성한 후, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시키도록 상기 보호막(114)의 일부 영역을 제거한다. 상기 제거된 영역은 콘택 홀(CH)일 수 있다.
상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시킨 후, 상기 콘택 홀(CH)을 통하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 상기 화소 전극(115)을 형성한다.
도 11을 참조하면, 상기 어레이 기판(110)을 형성한 후, 상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NDA)에 봉지 패턴(SP)을 배치한다. 즉, 상기 봉지 패턴(SP)은 상기 표시 영역(DA)을 감싸는 형상을 가질 수 있다.
한편, 상기 비표시 영역(NDA)의 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120) 사이에는 봉지 패턴(SP)이 배치될 수 있다. 상기 봉지 패턴(SP)은 상기 표시 영역(DA)을 감싸도록 배치되어 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)을 합착하며, 상기 액정층(130)이 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 봉지 패턴(SP)은 열 또는 광에 의하여 경화가 가능하다.
상기 봉지 패턴(SP)을 형성한 후, 상기 표시 영역(DA)에 다수의 액정 분자들을 포함하는 액정층(130)을 배치한다.
상기 액정층(130)을 배치한 후, 제2 베이스 기판(121) 및 상기 제2 베이스 기판(121) 상에 배치된 공통 전극(125)을 포함하는 대향 기판(120)을 준비한다. 여기서, 상기 대향 기판(120)은 상기 표시 영역(DA) 및 상기 비표시 영역(NDA)로 구분될 수 있다.
그런 다음, 상기 대향 기판(120)의 공통 전극(125)이 상기 어레이 기판(110)을 향하도록 배치한다. 여기서, 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)은 상기 봉지 패턴(SP)에 의하여 합착된다.
한편, 본 실시예에서는 상기 봉지 패턴(SP)을 형성한 후, 상기 액정층(130)을 배치하고, 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)을 합착하는 방법을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 봉지 패턴(SP)을 형성하고, 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)을 합착한 후, 상기 액정층(130)을 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120) 사이의 공간으로 주입하는 방법을 사용할 수도 있다.
상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)을 합착한 후, 상기 봉지 패턴(SP)에 열 또는 광을 공급하여 상기 봉지 패턴(SP)을 경화한다.
도 12를 참조하면, 상기 봉지 패턴(SP)을 경화한 후, 상기 패드 영역(PA)의 상기 제1 베이스 기판(111)을 제거한다. 상기 제1 베이스 기판(111)의 제거는 레이저 커팅 또는 습식 식각 등의 방법을 사용할 수 있다. 따라서, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 감광성 고분자 유기물층(112), 상기 절연막(113) 및 상기 신호 입력 패드(SIP)만이 잔류한다.
상기 패드 영역(PA)의 상기 제1 베이스 기판(111)을 제거한 후, 상기 신호 입력 패드(SIP)에 외부 회로 모듈과 연결되는 연성 회로 기판(140)을 부착하여, 상기 신호 입력 패드(SIP) 및 드라이버 IC(141)를 전기적으로 연결하여 표시 패널을 제조한다.
도 13을 참조하면, 상기 신호 입력 패드(SIP)에 상기 연성 회로 기판(140)을 연결한 후, 상기 패드 영역(PA)을 백라이트 유닛 방향으로 절곡한다.
이후에는 상기 표시 패널(100)을 상기 백라이트 유닛과 함께 상부 커버 및 하부 커버에 수납하는 공정을 진행하여 표시 장치를 제조할 수 있다.
상기한 바와 같은 공정을 통하여 제조된 상기 표시 패널(100)은 상기 패드 영역(PA)이 백라이트 유닛을 향하여 절곡될 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널(100)을 구비하는 표시 장치는 상기 패드 영역(PA)을 위한 공간이 최소화될 수 있다.
이하, 도 14 내지 도 21을 통하여 본 발명의 다른 실시예들을 설명한다. 도 14 내지 도 21에 있어서, 도 1에서 도 13에 도시된 구성 요소와 동일한 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고, 그에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 또한, 도 14 내지 도 21에서는 중복된 설명을 피하기 위하여, 도 1 내지 도 13과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 설명하기 위한 단면도이며, 도 15는 도 14의 표시 패널에서 패드 영역이 절곡된 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 표시 패널은 영상을 표시하는 표시 영역(DA), 상기 표시 영역(DA)을 감싸는 비표시 영역(NDA), 및 상기 비표시 영역(NDA)의 적어도 일측에서 연장된 패드 영역(PA)을 포함한다. 여기서, 상기 비표시 영역(NDA)는 상기 패드 영역(PA)에 인접한 제1 비표시 영역(NDA-1), 및 상기 제1 비표시 영역(NDA-1) 이외의 제2 비표시 영역(NDA-2)으로 구분될 수 있다.
또한, 상기 표시 패널(100)은 어레이 기판(110), 상기 어레이 기판(110)에 마주하는 대향 기판(120), 및 상기 어레이 기판(110)과 상기 대향 기판(120) 사이에 배치되는 액정층(130)을 포함한다.
상기 어레이 기판(110)은 상기 표시 패널(100)의 형상에 대응하므로, 상기 표시 영역(DA), 상기 비표시 영역(NDA), 및 상기 패드 영역(PA)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 어레이 기판(110)은 제1 베이스 기판(111), 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT), 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 보호막(114), 상기 제1 비표시 영역(NDA-1) 및 상기 패드 영역(PA)에서 상기 보호막(114) 상에 배치되는 고분자 유기물층(116), 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 접속된 상기 화소 전극(115)을 포함한다.
상기 감광성 고분자 유기물층(116)은 절곡시의 곡률 반경이 100㎛ 이하일 수 있다. 또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(116)은 상기 신호 입력 패드(SIP)를 지지하기 위하여 3㎛ 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(116)은 상기 표시 영역(DA)에 인접한 에지부가 테이퍼진 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 에지부의 테이퍼각(θ)은 20° 내지 70°일 수 있다. 또한, 상기 에지부의 폭은 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 또한, 상기 패드 영역(PA)에서 상기 감광성 고분자 유기물층(116)의 하부에는 상기 제1 베이스 기판(111)이 존재하지 않는다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(SCL), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 데이터 전압을 상기 박막 트랜지스터(TFT)로 전송하는 데이터 라인(DL)과 접속할 수 있다.
상기 보호막(114)의 일부 영역은 개구(open)되어 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(CH)일 수 있다.
상기 화소 전극(115)은 상기 콘택 홀(CH)을 통하여 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다.
상기 비표시 영역(NDA)의 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120) 사이에는 봉지 패턴(SP)이 배치될 수 있다.
한편, 상기 소스 전극(SE)은 데이터 라인과 연결되며, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 패드 영역(PA)까지 연장되어 신호 입력 패드(SIP)와 연결될 수 있다. 즉, 상기 신호 입력 패드(SIP)는 상기 패드 영역(PA)에서 그 하부면이 외부로 노출된 상태일 수 있다. 따라서, 상기 신호 입력 패드(SIP)는 상기 하부면을 통하여 외부 회로 모듈과 접속하는 드라이버 IC(141)와 실장된 연성 회로 기판(140)이 연결될 수 있다.
하기에서는 도 16 내지 도 19를 참조하여, 상기 표시 패널의 제조 방법을 설명한다. 도 16 내지 도 19는 도 14 및 도 15에 도시된 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
우선, 어레이 기판(110)을 준비한다. 상기 어레이 기판(110)은 표시 영역(DA), 상기 표시 영역(DA)을 감싸는 비표시 영역(NDA), 및 상기 비표시 영역(NDA)의 적어도 일측에서 연장된 패드 영역(PA)을 포함한다. 여기서, 상기 비표시 영역(NDA)는 상기 패드 영역(PA)에 인접한 제1 비표시 영역(NDA-1), 및 상기 제1 비표시 영역(NDA-1) 이외의 제2 비표시 영역(NDA-2)으로 구분될 수 있다.
또한, 상기 어레이 기판(110)은 제1 베이스 기판(111), 상기 패드 영역(NDA-1)에서 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 배치되는 희생층(119), 상기 표시 영역(DA)에서 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT), 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 상기 희생층(119)을 커버하는 보호막(114), 상기 패드 영역(PA)에서 상기 보호막(114) 상에 배치되는 고분자 유기물층(116), 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 접속된 상기 화소 전극(115)을 포함한다.
도 16 및 도 17을 참조하여, 상기 어레이 기판(110)을 제조하는 방법을 보다 상세히 설명하면 하기와 같다.
우선, 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 베이스 기판(111)을 준비한 후, 상기 제1 베이스 기판(111)의 상기 패드 영역(PA)를 커버하는 상기 희생층(119)을 형성한다. 여기서, 상기 희생층(119)은 레이저에 의하여 제거될 수 있는 물질을 포함할 수 있다.
상기 희생층(119)을 형성한 후, 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제1 베이스 기판(111)의 표시 영역(DA)에 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)를 제조하는 방법을 보다 상세히 설명하면, 우선, 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 게이트 전극(GE)을 형성하고, 상기 게이트 전극(GE)을 커버하는 게이트 절연막(GIL)을 형성한다. 그런 다음, 상기 게이트 절연막(GIL) 상에 반도체층(SCL)을 형성하고, 상기 반도체층(SCL)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접속하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 형성한다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다.
또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성됨과 동시에 상기 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결되는 데이터 라인(DL), 및 상기 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결되고, 상기 패드 영역(PA)의 상기 희생층(119) 상에 배치되는 신호 입력 패드(SIP)가 형성될 수 있다.
한편, 도면상에는 도시하지 않았으나, 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하기 이전에 상기 희생층(119) 및 상기 제1 베이스 기판(111)을 커버하는 절연막을 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 신호 입력 패드(SIP)는 상기 절연막 상에 형성될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한 후, 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버하는 보호막(114)을 형성한다.
그런 다음, 상기 보호막(114) 상에 감광성 고분자 유기물을 도포하고 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 제1 비표시 영역(NDA-1) 및 상기 패드 영역(PA)의 상기 보호막(114) 상에 상기 감광성 고분자 유기물층(116)을 형성한다. 여기서, 상기 감광성 고분자 유기물층(116)은 감광성 폴리이미드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(116)은 감광성 폴리이미드를 포함할 수 있으며, 3㎛ 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 감광성 고분자 유기물층(116)은 상기 표시 영역(DA)에 인접한 영역에서 테이퍼진 형상을 가지는 에지부를 구비할 수 있다. 상기 에지부의 테이퍼각은 20° 내지 70°일 수 있으며, 상기 에지부의 폭(W)은 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다.
상기 감광성 고분자 유기묵층(116)을 형성한 후, 상기 보호막(114)을 패터닝하여 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시킨다. 여기서, 상기 보호막(114)의 패터닝된 영역은 콘택 홀(CH)일 수 있다.
상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시킨 후, 상기 콘택 홀(CH)을 통하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 상기 화소 전극(115)을 형성한다.
한편, 본 실시예에서는 상기 보호막(114)을 형성한 후, 상기 감광성 고분자 유기물층(116)을 형성하는 방법을 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 화소 전극(115)을 형성한 후, 상기 감광성 고분자 유기물층(116)을 형성할 수도 있다.
도 18을 참조하면, 상기 어레이 기판(110)을 형성한 후, 상기 어레이 기판(110)의 상기 비표시 영역(NDA)에 봉지 패턴(SP)을 배치한다. 상기 봉지 패턴(SP)은 도전성을 가질 수 있으며, 열 또는 광에 의하여 경화될 수 있다.
상기 봉지 패턴(SP)을 형성한 후, 상기 표시 영역(DA)에 액정층(130)을 배치한다.
상기 액정층(130)을 배치한 후, 제2 베이스 기판(121) 및 상기 제2 베이스 기판(121)에 배치된 공통 전극(125)을 포함하는 대향 기판(120)을 준비하고, 상기 대향 기판(120)의 상기 공통 전극(125)이 상기 어레이 기판(110)을 향하도록 배치한다. 여기서, 상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)은 상기 봉지 패턴(SP)에 의하여 합착될 수 있다.
상기 어레이 기판(110) 및 상기 대향 기판(120)을 합착한 후, 상기 봉지 패턴(SP)에 열 또는 광을 공급하여 상기 봉지 패턴(SP)을 경화시킨다.
도 19를 참조하면, 상기 봉지 패턴(SP)을 경화한 후, 상기 패드 영역(PA)에 대응하는 상기 제1 베이스 기판(111)을 제거한다. 상기 제1 베이스 기판(111)을 제거하는 방법에는 레이저 커팅 또는 식각 등의 방법이 사용될 수 있다. 특히, 상기 제1 베이스 기판(111)을 제거하기 위하여 레이저를 조사하면, 상기 희생층(119)은 상기 레이저에 의하여 제거될 수 있다. 따라서, 상기 신호 입력 패드(SIP)는 그 하부면이 외부로 노출될 수 있다.
상기 패드 영역(PA)에 대응하는 상기 제1 베이스 기판(111) 및 상기 희생층(119)을 제거한 후, 상기 신호 입력 패드(SIP)의 상기 하부면에 연성 회로 기판(140)을 부착하여, 상기 신호 입력 패드(SIP) 및 드라이버 IC(141)를 전기적으로 연결한다.
그런 다음, 상기 패드 영역(PA)을 백라이트 유닛 방향으로 절곡한다.
이후에는 상기 표시 패널(100)을 상기 백라이트 유닛과 함께 상부 커버 및 하부 커버에 수납하는 공정을 진행하여 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 설명하기 위한 단면도이며, 도 21은 도 20의 표시 패널에서 패드 영역이 절곡된 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 20 및 도 21에 도시된 표시 패널은 도 14 내지 도 19에 도시된 표시 패널과 유사한 구조를 가진다.
다만, 도 20 및 도 21에 도시된 상기 표시 패널은 감광성 고분자 유기물층(116)이 제1 비표시 영역(NDA-1) 및 패드 영역(PA)에 한정되지 않고, 비표시 영역(NDA) 및 표시 영역(DA)까지 연장되어 어레이 기판(110) 전체를 커버할 수 있다.
이를 보다 상세히 설명하면, 상기 표시 패널은 상기 어레이 기판(110), 상기 어레이 기판(110)에 마주하는 대향 기판(120), 및 상기 어레이 기판(110)과 상기 대향 기판(120) 사이에 배치되는 액정층(130)을 포함한다.
상기 어레이 기판(110)은 상기 표시 영역(DA), 상기 비표시 영역(NDA), 및 상기 패드 영역(PA)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 어레이 기판(110)은 제1 베이스 기판(111), 상기 제1 베이스 기판(111) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT), 데이터 라인(DL)을 통하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되고 상기 패드 영역(PA)에 배치되는 신호 입력 패드(SIP), 상기 박막 트랜지스터(TFT), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 신호 입력 패드(SIP)를 커버하는 보호막(114), 상기 보호막(114) 상에 배치되는 상기 감광성 고분자 유기물층(116), 및 상기 감광성 고분자 유기물층(116) 상에 배치되고 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 접속된 상기 화소 전극(115)을 포함한다.
상기 어레이 기판(110)의 제조 방법은 하기와 같다.
상기 제1 베이스 기판(111) 상에 상기 박막 트랜지스터(TFT), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 신호 입력 패드(SIP)를 커버하는 상기 보호막(114)를 형성한다.
상기 보호막(114)을 형성한 후, 상기 보호막(114) 전면에 상기 감광성 고분자 유기물층(116)을 형성한다.
그런 다음, 상기 보호막(114) 및 상기 감광성 고분자 유기물층(116)을 동시에 패터닝하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(CH)를 형성한다.
상기 콘택 홀(CH)을 형성한 후, 상기 콘택 홀(CH)을 통하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 상기 화소 전극(115)을 형성하여 상기 어레이 기판(110)을 형성할 수 있다.
따라서, 상기 어레이 기판(110)은 상기 감광성 고분자 유기물층(116)을 패터닝하기 위한 별도의 공정을 도입할 필요가 없다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 표시 패널 110: 어레이 기판
111: 제1 베이스 기판 112, 116: 고분자 유기물층
113: 절연막 114: 보호막
115: 화소 전극 118, 128: 편광 필름
119: 희생층 TFT: 박막 트랜지스터
GE: 게이트 전극 GIL: 게이트 절연막
SCL: 반도체층 SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극 DL: 데이터 라인
GL: 게이트 라인 CH: 콘택 홀
120: 대향 기판 121: 제2 베이스 기판
125: 공통 전극 SP: 봉지 패턴
130: 액정층 DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역 NDA-1: 제1 비표시 영역
NDA-2: 제2 비표시 영역 PA: 패드 영역
SIP: 신호 입력 패드 140: 연성 회로 기판
141: 드라이버 IC 200: 백라이트 유닛
210: 도광판 220: 광원 유닛
221: 광원 222: 인쇄 회로 기판
230: 광학 부재 232: 보호 시트
234: 프리즘 시트 236: 확산 시트
240: 반사 시트 410: 상부 커버
411: 표시창 420: 하부 커버

Claims (22)

  1. 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 감싸는 비표시 영역으로 구분되는 어레이 기판;
    상기 어레이 기판에 마주하고, 제2 베이스 기판 및 상기 제2 베이스 기판 상에 배치되는 공통 전극을 포함하는 대향 기판; 및
    상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함하며,
    상기 어레이 기판은
    상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역에 배치된 제1 베이스 기판;
    상기 비표시 영역에 배치된 제1 베이스 기판의 상면 및 상기 비표시 영역에 배치된 상기 제1 베이스 기판의 측면 상에 배치된 감광성 고분자 유기물층;
    상기 표시 영역에서 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소 전극; 및
    상기 박막 트랜지스터와 접속되고, 상기 제1 베이스 기판의 상기 상면 및 상기 제1 베이스 기판의 상기 측면 상에 배치된 신호 입력 패드를 포함하는 표시 패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 신호 입력 패드와 상기 제1 베이스 기판 사이에 배치되는 표시 패널.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층의 두께는 3㎛ 내지 5㎛인 표시 패널.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 비표시 영역에 배치되며, 테이퍼진 형상을 갖는 에지부를 포함하고, 상기 에지부의 테이퍼각은 20°내지 70°인 표시 패널.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 에지부의 폭은 3㎛ 내지 15㎛인 표시 패널.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 제1 베이스 기판의 상기 상면 및 상기 제1 베이스 기판의 상기 측면 사이에서 절곡되고, 상기 감광성 고분자 유기물층의 절곡된 부분의 곡률 반경은 100㎛ 이하인 표시 패널.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 감광성 폴리이미드를 포함하는 표시 패널.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 감광성 폴리이미드는 하기의 화학식 1 내지 11 중 어느 하나인 표시 패널,
    [화학식 1]
    Figure 112012084513312-pat00012

    [화학식 2]
    Figure 112012084513312-pat00013

    [화학식 3]
    Figure 112012084513312-pat00014

    [화학식 4]
    Figure 112012084513312-pat00015

    [화학식 5]
    Figure 112012084513312-pat00016

    [화학식 6]
    Figure 112012084513312-pat00017

    [화학식 7]
    Figure 112012084513312-pat00018

    [화학식 8]
    Figure 112012084513312-pat00019

    [화학식 9]
    Figure 112012084513312-pat00020

    [화학식 10]
    Figure 112012084513312-pat00021

    [화학식 11]
    Figure 112012084513312-pat00022

    상기 화학식 1 내지 5는 파지티브형 감광성 폴리이미드이며, 상기 화학식 6 내지 11은 네거티브형 감광성 폴리이미드이다.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층 및 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 절연막을 더 포함하며,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 절연막 상에 배치되는 표시 패널.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 신호 입력 패드는 상기 감광성 고분자 유기물층과 상기 제1 베이스 기판 사이에 배치되는 표시 패널.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층의 두께는 3㎛ 내지 5㎛인 표시 패널.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 비표시 영역에 배치되며, 테이퍼진 형상을 갖는 에지부를 포함하고, 상기 에지부의 테이퍼각은 20°내지 70°인 표시 패널.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 비표시 영역에 배치되며, 테이퍼진 형상을 갖는 에지부를 포함하고,
    상기 에지부의 폭은 3㎛ 내지 15㎛인 표시 패널.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 제1 베이스 기판의 상기 상면 및 상기 제1 베이스 기판의 상기 측면 사이에서 절곡되고, 상기 감광성 고분자 유기물층의 절곡된 부분의 곡률 반경은 100㎛ 이하인 표시 패널.
  15. 표시 영역, 상기 표시 영역을 감싸는 비표시 영역으로 구분되는 어레이 기판;
    상기 어레이 기판에 마주하고, 제2 베이스 기판 및 상기 제2 베이스 기판 상에 배치되는 공통 전극을 포함하는 대향 기판; 및
    상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함하며,
    상기 어레이 기판은
    상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역에 배치된 제1 베이스 기판;
    상기 표시 영역에서 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터와 접속되고, 상기 비표시 영역에 배치된 상기 제1 베이스 기판의 상면 및 상기 비표시 영역에 배치된 상기 제1 베이스 기판의 측면 상에 배치된 신호 입력 패드;
    상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소 전극; 및
    상기 박막 트랜지스터 및 상기 화소 전극에 사이에 배치되고 상기 박막 트랜지스터를 커버하며, 상기 제1 베이스 기판의 상기 상면의 적어도 일부 및 상기 제1 베이스 기판의 상기 측면의 적어도 일부를 커버하는 감광성 고분자 유기물층을 포함하는 표시 패널.
  16. 표시 영역, 상기 표시 영역을 감싸는 비표시 영역, 및 상기 비표시 영역의 적어도 일측에서 연장된 패드 영역으로 구분된 베이스 기판을 준비하는 단계;
    상기 베이스 기판의 상기 패드 영역 및 상기 비표시 영역에 감광성 고분자 유기물층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판의 상기 표시 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터와 접속하는 신호 입력 패드를 상기 베이스 기판의 상기 표시 영역, 상기 표시 영역 및 상기 패드 영역에 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터와 접속하는 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판의 상기 패드 영역을 제거하는 단계; 및
    상기 베이스 기판의 상기 패드 영역을 제거한 후, 상기 베이스 기판의 상기 패드 영역에 배치되었던 상기 감광성 고분자 유기물층 및 상기 신호 입력 패드를 절곡하는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 감광성 폴리이미드를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층을 형성하는 단계는
    감광성 고분자 유기물을 도포하는 단계;
    마스크를 이용하여 상기 감광성 고분자 유기물에 광을 조사하여, 상기 표시 영역의 감광성 고분자 유기물을 제거하는 단계; 및
    상기 비표시 영역 및 상기 패드 영역에 잔류하는 상기 감광성 고분자 유기물을 경화시키는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 마스크는
    상기 표시 영역에 대응하는 개구 영역;
    상기 비표시 영역 및 상기 패드 영역에 대응하는 비개구 영역; 및
    상기 개구 영역과 상기 비개구 영역 사이에 배치되는 반개구 영역을 구비하는 표시 패널의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 반개구 영역은 상기 개구 영역에 인접할수록 광 투과도가 높으며, 상기 비개구 영역에 인접할수록 광 투과도가 낮은 표시 패널의 제조 방법.
  21. 제16 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 베이스 기판 상에 배치되는 표시 패널의 제조 방법.
  22. 제16 항에 있어서,
    상기 감광성 고분자 유기물층은 상기 신호 입력 패드 상에 배치되는 표시 패널의 제조 방법.
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