CN104009044B - 一种阵列基板及其制作方法、显示基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。所述阵列基板包括：玻璃基板；柔性基板，包括第一区域和第二区域；所述玻璃基板支撑于所述柔性基板的第一区域下表面，所述第二区域自所述第一区域向所述玻璃基板外部伸出；显示阵列，其形成在所述柔性基板的第一区域；外围电路，其形成在所述柔性基板的第二区域。本发明提出的阵列基板能够实现超窄边框乃至无边框的显示装置的制备。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示基板和显示装置。
背景技术
平板显示技术在近十年有了飞速地发展，从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。经过不断的努力，LCD各方面的性能已经达到了传统CRT的水平，大有取代CRT的趋势。随着平板显示产品生产的不断扩大，各个生产厂商之间的竞争也日趋激烈。各厂家在不断提高产品性能的同时，也再不断努力降低产品的生产成本，从而提高市场的竞争力。柔性显示器件凭借其能够弯曲的特性可以胜任很多需要曲面显示的领域，如智能卡、电子纸、智能标签、和传统显示器件所能适用的所有领域。并将在未来的显示产品市场中凭借其梦幻般的靓丽外观占领巨大的市场份额。
超窄边框凭借其技术能带给消费者相同尺寸下更大屏的显示体验，是目前家电类产品的主要需求之一。目前的显示产品由于引线区(Fanout)、集成电路芯片区(COG)、柔性电路板绑定区(FPC Pad)必须制备在玻璃基板上，因此即使通过GOA(Gate driverOnArray)等窄边框设计付出极大努力，也只能使得边框维持在1mm以上。无法实现超窄边框乃至无边框的要求。
发明内容
有鉴于此，本发明提出了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，以实现超窄边框至无边框显示装置的制备。
根据本发明一方面，其提供了一种阵列基板，包括：
玻璃基板；
柔性基板，包括第一区域和第二区域；所述玻璃基板设置于所述柔性基板的第一区域下表面，所述第二区域自所述第一区域向所述玻璃基板外部伸出，在所述柔性基板的第二区域上设置有外围电路；
显示阵列，其形成在所述柔性基板的第一区域。
其中，所述柔性基板的第一区域与所述玻璃基板完全重合，所述柔性基板的第二区域的相对于所述玻璃基板弯折。
其中，所述玻璃基板支撑与所述柔性基板的中间部位，所述柔性基板的第一区域的边缘部分和第二区域相对于所述玻璃基板弯折。
其中，所述柔性基板的第二区域上未制作有外围电路的部分具有至少一个间断。
其中，所述至少一个间断位于所述玻璃基板四个角的延伸位置处。
其中，所述至少一个间断的图形为自所述玻璃基板的相邻两边交叉延伸而形成的直角四边形。
其中，所述柔性基板采用聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或几种的组合。
所述阵列基板还包括：
离型层，其位于所述玻璃基板和所述柔性基板之间，其为能够吸收激光能量而气化的材料。
其中，所述离型层采用聚对二甲苯、金属氧化物、SiNx、SiO2、非晶硅、三五族半导体、六甲基二硅胺烷中的一种或几种的组合。
所述阵列基板上还绑定有柔性电路板和驱动芯片；所述柔性电路板部分附着在所述柔性基板的第二区域边缘处，所述驱动芯片附着在所述柔性基板的第二区域，且与所述外围电路电性连接。
所述阵列基板上还绑定有柔性电路板，所述柔性电路板部分附着在所述柔性基板的第二区域边缘处，所述柔性电路板上设置有驱动芯片，所述驱动芯片与所述外围电路电性连接。
根据本发明第二方面，其还提供了一种显示基板，其包括如上所述的阵列基板。
根据本发明第三方面，其提供了一种显示装置，其包括如上所述的显示基板。
根据本发明第四方面，其提供了一种阵列基板的制作方法，其包括：
在玻璃基板上形成柔性基板；
在所述柔性基板上形成显示阵列和外围电路；所述柔性基板包括第一区域和第二区域，所述显示阵列位于所述柔性基板的第一区域，所述外围电路位于所述柔性基板的第二区域，所述第二区域为除所述第一区域之外的区域；
沿着形成有所述显示阵列的第一区域边缘切割所述玻璃基板；
将所述第一区域覆盖以外的玻璃基板从所述柔性基板剥离。
该方法还包括：在形成柔性基板之前，在玻璃基板上形成离型层，并在所述离型层上形成柔性基板；所述离型层采用能够吸收激光能量而气化的材料。
其中，所述离型层形成在所述玻璃基板整个表面，或者仅形成在需要切割掉的所述玻璃基板的部分表面。
该方法还包括：对所述柔性基板的第二区域未制作外围电路的部位进行切割，在所述第二区域形成至少一个间断区域。
本发明提出的方案通过在玻璃基板上制备一层柔性基板，并在柔性基板上制作显示阵列以及外围电路，并在柔性基板上绑定驱动芯片、柔性电路板等，之后再通过切割和激光剥离去除显示区域外的玻璃基板。在封装成显示面板时，所述柔性基板上制备的显示阵列的引线区域连带其上绑定的驱动芯片、柔性电路板以及印刷电路板等元件可以弯曲到显示屏背面，从而能够实现超窄边框乃至无边框的显示装置的制备。
附图说明
图1(A)～图1(B)为本发明中阵列基板的结构示意图；
图2为本发明中阵列基板的制备方法流程图；
图3、图4(A)～图4(B)、图5(A)～图5(B)为本发明中阵列基板的制备工艺流程图。
附图元件说明：
101 玻璃基板 102 柔性基板 103 显示阵列
104 外围电路 105 柔性电路板 106 驱动芯片
107 印刷电路板
1021 第一区域 1022 第二区域 1023 间断区域
301 玻璃基板 302 柔性基板 303 显示阵列
304 外围电路
3021 第一区域 3022 第二区域 3023 间断区域
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明自，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
图1(A)～图1(B)示出了本发明中阵列基板的结构示意图，其中图1(A)为阵列基板的平面示意图，图1(B)为阵列基板的剖面示意图。如图1(A)～图1(B)所示，其包括：
玻璃基板101；
柔性基板102，其设置在玻璃基板101的上表面，其包括第一区域1021和第二区域1022，所述第一区域1021为制作显示阵列的显示区域，所述玻璃基板101设置在所述第一区域1021的下表面，且由所述玻璃基板101支撑，第二区域1022为显示区域以外的外围区域，其自所述第一区域1021向所述玻璃基板101外部伸出；
显示阵列103，其制作在所述柔性基板102上，且位于所述第一区域1021；
外围电路104，其制作在所述柔性基板102上，且位于所述第二区域1022。
其中，由于所述柔性基板102是柔性材料制成，因此下面未支撑有所述玻璃基板101的所述柔性基板102的第二区域1022和第一区域1021的部分区域相对于所述玻璃基板可上下弯折，或者所述柔性基板102的第一区域1021全部被玻璃基板所支撑，而未被所述玻璃基板101支撑的第二区域1022相对于所述玻璃基板可上下弯折。
在制作成显示面板时，通过将所述第二区域1022及其上制作的外围电路、绑定的驱动芯片和/或柔性电路板等弯折至显示面板的显示屏背后，实现窄边框显示面板的制作。
在弯折所述柔性基板102时，为防止破坏其上的电路，不能直接以直角的形式折叠所述柔性基板，而只能以在弯折之处存在一弯曲弧度的方式弯折，这样如果只弯曲所述柔性基板102的第二区域1022，则所述第二区域1022上的部分外围电路必然会出现在显示屏的边缘处，这样制成的显示屏必然会存在一窄边框。因此为了实现无边框显示面板的制作，将所述第一区域1021边缘部分及其上的部分显示阵列103、所述第二区域1022及其上制作的外围电路、绑定的驱动芯片和/或柔性电路板等弯折至显示面板的显示屏背后，实现窄边框显示面板的制作。
可选地，所述第一区域1021由所述玻璃基板101支撑，所述玻璃基板101可完全支撑于所述第一区域1021下表面，即所述第一区域1021与所述玻璃基板101完全重合，在制作显示面板时只弯折第二区域1022部分，实现超窄边框显示面板的制作；所述玻璃基板101也可只支撑于所述第一区域1021的中间部位，使得所述第一区域1021的边缘部分为柔性可弯折区域，可与所述第二区域1022同时弯折至显示屏背后，以便制成无边框显示面板。
制作无边框显示面板时，未被玻璃基板所制成的第一区域1021的边缘区域的宽度要求比较窄，具体宽度可根据实际的工艺进行设置。
可选地，所述第二区域1022具有至少一个间断区域1023，以方便将所述柔性基板102的第二区域1022的弯折至显示屏背后。所述间断区域1023可设置在所述玻璃基板101的四个角的延伸位置处，其可以是形成在所述柔性基板102第二区域上的一个开口。所述开口图形为自所述玻璃基板101的相邻两边交叉延伸而形成的直角四边形，或者仅仅是所述第二区域上切割形成的一处断裂。
可选地，所述柔性基板102是通过涂布或贴附制作在所述玻璃基板101上的，所述柔性基板102选用绝缘的柔性材质，可以是聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或几种的组合。
可选地，所述显示阵列103可以为薄膜晶体管(TFT)显示阵列。
可选地，所述外围电路104包括延伸至显示阵列外部的扫描线阵列、数据线阵列及其他电路等，所述扫描线阵列制作在所述阵列基板的左侧和/或右侧；所述数据线阵列制作在所述阵列基板的上侧和/或下侧，当然，扫描线阵列和数据线阵列的位置也不限于上述方式，可以根据实际情况进行选择设置。
可选地，所述阵列基板还具有离型层，其位于所述玻璃基板101和柔性基板102之间。所述离型层选用能够吸收激光而气化的材料，其在激光照射下可气化，其目的是在切割所述玻璃基板101时，通过激光照射需要切割部分，所述离型层在激光照射下气化后，可方便将激光照射部位的所述玻璃基板101和柔性基板102进行剥离。
所述离型层可以为聚对二甲苯、金属氧化物、SiNx、SiO2、非晶硅、三五族半导体、六甲基二硅胺烷中的一种或几种的组合。
可选地，所述阵列基板上还绑定有柔性电路板105和驱动芯片106；所述柔性电路板的部分绑定在所述柔性基板102的第二区域1022的边缘处；所述驱动芯片绑定在所述柔性基板102的所述第二区域1022上，且与所述外围电路104电性连接，所述驱动芯片106与所述柔性电路板105通过引线连接。所述驱动芯片106包括数据驱动芯片和扫描驱动芯片，分别向所述外围电路的数据线阵列和扫描线阵列输出数据信号和扫描信号。所述柔性电路板105的另一部分与印刷电路板107绑定。
可选地，所述阵列基板上还绑定有柔性电路板105，所述柔性电路板105上设置有驱动芯片106，所述柔性电路板的部分绑定在所述柔性基板102的第二区域1022的边缘处，且与所述外围电路104电性连接。
本发明提出的上述阵列基板上，外围电路制作在柔性基板的第一区域即制作有显示阵列的显示区域以外的第二区域，且所述第二区域下方的玻璃基板被去除，基于玻璃基板的可弯折性，在封装成显示面板时，可将所述柔性面板的第二区域向下或向上弯折至显示屏的背面，从而能够实现超窄边框乃至无边框的显示装置。
本发明还提出了一种显示模组，其包括上述阵列基板。
本发明还提出了一种显示装置，其包括上述显示模组。
图2示出了本发明中阵列基板的制作方法流程图。图3、图4(A)～图4(B)、图5(A)～图5(B)示出了本发明中阵列基板的制作工艺流程图。如图2、图3、图4(A)～图4(B)、图5(A)～图5(B)所示，该方法包括：
步骤201：在玻璃基板301上形成柔性基板302，见图3；
可选地，所述柔性基板302可通过涂布或贴附的方式制作；
步骤202：在所述柔性基板302上制作显示阵列303和外围电路304；所述显示阵列303制作在所述柔性基板302的第一区域3021；所述外围电路304制作在所述柔性基板302的第二区域3022，所述第二区域3022为除所述第一区域3021之外的区域，其位于所述第一区域3021的外围，见图4(A)、4(B)；
可选地，所述外围电路304包括扫描线阵列、数据线阵列及其他电路；将所述扫描线阵列制作在所述阵列基板的左侧和/或右侧；将所述数据线阵列制作在所述阵列基板的上侧和/或下侧；当然，扫描线阵列和数据线阵列的位置也不限于上述方式，可以根据实际情况进行选择设置；
步骤203：对所述玻璃基板301进行切割，即沿着形成有所述显示阵列303的所述第一区域3021边缘切割所述玻璃基板301，以保留所述第一区域3021覆盖的玻璃基板区域，而切除其他部分；
可选地，在切割时，可以仅保留与所述第一区域3021完全重合的部分所述玻璃基板301，而将其他部分切除，以实现窄边框显示面板的制作；
可选地，在切割时，可以保留被所述第一区域3021覆盖且支撑于所述第一区域3021中间部位的部分所述玻璃基板301，使得所述柔性基板302的第一区域3021边缘部位的玻璃基板也被切割掉，以实现无边框显示面板的制作；
可选地，步骤204中采用激光切割机或刀轮机械切割沿切割位置将不需要的玻璃基板切下。
步骤204：剥离所切除的部分所述玻璃基板301，见图5(A)、5(B)；
可选地，该步骤中可采用紫外线照射所要切除的部分所述玻璃基板301，使得在照射区域处所述玻璃基板301和所述柔性基板302的贴合处发生气化，进而将所切除的部分所述玻璃基板301从所述柔性基板302玻璃。
可选地，该方法包括：
在制作柔性基板302之前，在所述玻璃基板301上制作离型层。后续为了方便剥离所切割下的玻璃基板和柔性基板，可以在所述玻璃基板301上制作一层离型层，然后在离型层上制作所述柔性基板302。所述离型层302选用能够吸收激光能量而气化的材料，其在激光照射下变为气体，使得柔性基板与玻璃基板分离。所述离型层可以制作在所述玻璃基板301的整个表面，也可以仅制作在需要切割掉的所述玻璃基板的部分表面。
所述离型层可采用PVD、CVD、涂布等方法制作，其材料可选用聚对二甲苯、金属氧化物、SiNx、SiO2、非晶硅、三五族半导体、六甲基二硅胺烷中的一种或几种的组合。
可选地，该方法还包括：
在步骤203之后，对所述柔性基板302的第二区域3022上未制作有外围电路的部分进行切割，在所述第二区域3022上形成至少一个间断3023，见图5(A)；切割出所述间断3023的目的是在进行显示面板封装时，可以方便所述柔性基板302的第二区域3022弯折至显示屏背面。
优选地，可以将所述第二区域3022上的边角区域进行切割，切割形成的间断图形可以是任意的，目的是在后续封装过程中，能够使得柔性基板302的第二区域3022方便弯曲。例如，在第一区域3021两边的延长线上切割所述第二区域3022的边角，切割出间断区域为一个直角四边形。
可选地，该方法还包括：
在制作完成显示阵列303和外围电路304之后，将驱动芯片绑定在所述柔性基板302的第二区域上，并将柔性电路板的部分绑定在所述柔性基板302的第二区域的边缘处，且使得所述驱动芯片与所述外围电路304电性连接。所述驱动芯片包括扫描驱动芯片和数据驱动芯片。
可选地，该方法还包括：在制作完成显示阵列303和外围电路304之后，将柔性电路板的部分绑定在所述柔性基板302的第二区域的边缘处，所述柔性电路板上设置有驱动芯片，使得所述驱动芯片与所述外围店里304电性连接。
本发明提出的上述阵列基板的制作方法通过在玻璃基板上制作一层柔性基板，并将显示阵列以及外围电路制作在柔性基板上，驱动芯片、柔性电路板也绑定在柔性基板，之后通过将制作有外围电路以及绑定了驱动芯片和柔性电路板的柔性基板区域下方的玻璃基板切除，从而在封装成显示面板时，可以将制作有外围电路以及绑定了驱动芯片和柔性电路板的柔性基板区域弯折至显示屏的背后，从而能够实现超窄边框乃至无边框显示装置的制备。
以上所提出实施例为最佳实现方法，并非唯一实现方法。可根据不同生产线的需要，使用不同材料、工艺参数和设备实现之。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种阵列基板的制作方法，其包括：
在玻璃基板上形成离型层，并在所述离型层上通过涂布或粘贴的方式形成柔性基板，所述离型层采用能够吸收激光能量而气化的材料；
在所述柔性基板上形成显示阵列和外围电路；所述柔性基板包括第一区域和第二区域，所述显示阵列位于所述柔性基板的第一区域，所述外围电路位于所述柔性基板的第二区域，所述第二区域为除所述第一区域之外的区域；
沿着形成有所述显示阵列的第一区域边缘切割所述玻璃基板；
通过激光照射，将所述第一区域覆盖以外的玻璃基板从所述柔性基板剥离，使玻璃基板支撑于所述柔性基板的中间部位；以及
令所述柔性基板的第一区域的边缘部分和第二区域相对于所述玻璃基板弯折。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述离型层形成在所述玻璃基板整个表面，或者仅形成在需要切割掉的所述玻璃基板的部分表面。
3.如权利要求1所述的方法，其还包括：对所述柔性基板的第二区域未制作外围电路的部位进行切割，在所述第二区域形成至少一个间断区域。
4.一种阵列基板，其由权利要求1所述的制作方法制备，包括：
玻璃基板；
柔性基板，包括第一区域和第二区域；所述玻璃基板设置于所述柔性基板的第一区域下表面，所述第二区域自所述第一区域向所述玻璃基板外部伸出，在所述柔性基板的第二区域上设置有外围电路；
显示阵列，其形成在所述柔性基板的第一区域；以及
离型层，其位于所述玻璃基板和所述柔性基板之间，其为能够吸收激光能量而气化的材料；
其中，所述玻璃基板支撑于所述柔性基板的中间部位，所述柔性基板的第一区域的边缘部分和第二区域相对于所述玻璃基板弯折。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述柔性基板的第二区域上未制作有外围电路的部分具有至少一个间断。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其中，所述至少一个间断位于所述玻璃基板四个角的延伸位置处。
7.如权利要求5或6所述的阵列基板，其中，所述至少一个间断的图形为自所述玻璃基板的相邻两边交叉延伸而形成的直角四边形。
8.如权利要求4-6任一项所述的阵列基板，其中，所述柔性基板采用聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或几种的组合。
9.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述离型层为聚对二甲苯、金属氧化物、SiNx、SiO2、非晶硅、三五族半导体、六甲基二硅胺烷中的一种或几种的组合。
10.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述阵列基板上还绑定有柔性电路板和驱动芯片；所述柔性电路板部分附着在所述柔性基板的第二区域边缘处，所述驱动芯片附着在所述柔性基板的第二区域，且与所述外围电路电性连接。
11.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述阵列基板上还绑定有柔性电路板，所述柔性电路板部分附着在所述柔性基板的第二区域边缘处，所述柔性电路板上设置有驱动芯片，所述驱动芯片与所述外围电路电性连接。
12.一种显示基板，其包括如权利要求4-11任一项所述的阵列基板。
13.一种显示装置，其包括如权利要求12所述的显示基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021003849A1 (zh) * 2019-07-05 2021-01-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10446585B2 (en) * 2014-03-17 2019-10-15 E Ink Corporation Multi-layer expanding electrode structures for backplane assemblies
CN104009044B (zh) 2014-05-22 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示基板、显示装置
TWI587768B (zh) * 2014-09-12 2017-06-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN104317080A (zh) * 2014-10-31 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制作方法
CN104409476A (zh) * 2014-12-11 2015-03-11 昆山国显光电有限公司 显示模组
CN104503122B (zh) * 2014-12-25 2018-05-18 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示器及其制作方法
US10395615B2 (en) 2014-12-25 2019-08-27 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same cross-references to related applications
KR20160110861A (ko) 2015-03-13 2016-09-22 삼성디스플레이 주식회사 연성 회로 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN204884440U (zh) * 2015-08-27 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板和柔性显示装置
CN105223747B (zh) * 2015-10-27 2019-04-05 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种显示面板
CN106887187A (zh) * 2015-12-16 2017-06-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种无边框显示装置及其制备方法
CN106066550A (zh) * 2016-07-28 2016-11-02 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示器、液晶显示面板及其制备方法
KR20180070309A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
CN106790811B (zh) * 2016-12-26 2019-11-26 武汉华星光电技术有限公司 显示屏驱动系统及移动终端
TWI598661B (zh) * 2016-12-26 2017-09-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
JP2019533200A (ja) * 2016-12-30 2019-11-14 深▲セン▼市柔宇科技有限公司Ｓｈｅｎｚｈｅｎ Ｒｏｙｏｌｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示パネル
WO2018120139A1 (zh) * 2016-12-30 2018-07-05 深圳市柔宇科技有限公司 柔性显示屏和显示装置
CN107742628A (zh) * 2017-09-12 2018-02-27 奕瑞影像科技（太仓）有限公司 柔性闪烁屏、放射线图像传感器及其制备方法
CN109712528A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 北京小米移动软件有限公司 屏幕模组及电子设备
CN107931845B (zh) * 2017-11-20 2020-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 切割方法
CN107863055B (zh) * 2017-11-29 2021-06-22 武汉天马微电子有限公司 一种柔性基板及其状态检测方法、显示装置
CN108051965A (zh) * 2018-01-02 2018-05-18 京东方（河北）移动显示技术有限公司 显示基板及制造方法、显示装置及制造方法、移动终端
CN110021234B (zh) * 2018-01-08 2022-03-08 上海和辉光电股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板
CN108336113B (zh) * 2018-01-31 2021-01-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 减弱激光灼伤的cof及柔性显示装置
CN108364986B (zh) * 2018-02-09 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN110308579B (zh) * 2018-03-22 2022-04-12 上海和辉光电股份有限公司 一种刚性显示面板及其制作方法
CN108648710A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN108693999B (zh) * 2018-05-14 2021-06-29 昆山国显光电有限公司 异形显示装置及其制备方法
CN108682369A (zh) * 2018-05-22 2018-10-19 Oppo广东移动通信有限公司 一种显示面板及全面屏显示装置
CN110515481B (zh) * 2018-05-22 2023-05-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电子装置及电子装置的制造方法
CN108803103A (zh) * 2018-05-30 2018-11-13 上海中航光电子有限公司 一种液晶显示装置及其制作方法
CN108614372B (zh) * 2018-06-06 2021-07-16 上海中航光电子有限公司 液晶显示装置
CN109188801A (zh) * 2018-09-26 2019-01-11 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN109523949A (zh) 2018-11-15 2019-03-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN109493745B (zh) * 2018-11-28 2020-06-16 武汉华星光电技术有限公司 显示装置及其制作方法
CN111240109A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 北京小米移动软件有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109459896A (zh) * 2018-12-29 2019-03-12 武汉华星光电技术有限公司 窄边框显示模块及其显示装置
CN109980123A (zh) * 2019-03-19 2019-07-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 刚性oled显示面板的制备方法及显示面板
CN110426877B (zh) * 2019-07-08 2020-10-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种窄边框显示面板及其制备方法、窄边框显示装置
CN110853572A (zh) 2019-11-27 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN114078364A (zh) * 2020-08-17 2022-02-22 深圳市柔宇科技股份有限公司 显示面板、显示装置
CN112701085A (zh) * 2020-12-28 2021-04-23 广东聚华印刷显示技术有限公司 柔性显示器的制造方法及柔性显示器
CN113534516A (zh) * 2021-06-16 2021-10-22 北海惠科光电技术有限公司 阵列基板、显示装置及显示装置的制作方法
CN114822298B (zh) * 2022-06-27 2022-09-30 季华实验室 一种基于玻璃基板的显示单元的制造方法及显示单元

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102636898A (zh) * 2012-03-14 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置的制备方法
CN102683384A (zh) * 2011-02-28 2012-09-19 苹果公司 具有最小化边沿的显示器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4764413A (en) 1984-09-13 1988-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Metal-based organic film substrate
JP4445189B2 (ja) * 2002-08-29 2010-04-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
JP4004994B2 (ja) * 2003-06-05 2007-11-07 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 表示装置
TWI373081B (en) * 2008-09-09 2012-09-21 Prime View Int Co Ltd Flexible display panel
US8593061B2 (en) 2009-08-25 2013-11-26 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
CN102013414A (zh) * 2009-09-08 2011-04-13 群康科技(深圳)有限公司 软性显示器组件的制作方法
KR101618157B1 (ko) * 2009-12-21 2016-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20120092324A1 (en) 2010-10-18 2012-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Touch, handwriting and fingerprint sensor with elastomeric spacer layer
JP5720222B2 (ja) 2010-12-13 2015-05-20 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
TWI449007B (zh) * 2011-09-16 2014-08-11 E Ink Holdings Inc 可撓性顯示裝置的製造方法
KR102115174B1 (ko) * 2012-06-18 2020-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
US9419065B2 (en) * 2012-08-07 2016-08-16 Apple Inc. Flexible displays
US9214507B2 (en) * 2012-08-17 2015-12-15 Apple Inc. Narrow border organic light-emitting diode display
KR101952132B1 (ko) * 2012-10-17 2019-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP6033880B2 (ja) * 2012-11-12 2016-11-30 シャープ株式会社 表示装置
TWM455211U (zh) 2013-02-05 2013-06-11 Unidisplay Inc 觸控面板以及觸控顯示面板
CN103558703B (zh) * 2013-10-12 2016-08-10 深圳市华星光电技术有限公司 超窄边框液晶显示器及其驱动电路的cof封装结构
CN104009044B (zh) * 2014-05-22 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示基板、显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683384A (zh) * 2011-02-28 2012-09-19 苹果公司 具有最小化边沿的显示器
CN102636898A (zh) * 2012-03-14 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021003849A1 (zh) * 2019-07-05 2021-01-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9515102B2 (en) 2016-12-06
CN104009044A (zh) 2014-08-27
EP3147946A1 (en) 2017-03-29
US20160268318A1 (en) 2016-09-15
WO2015176428A1 (zh) 2015-11-26
EP3147946A4 (en) 2017-12-13
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