CN103376606B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示设备。公开了一种用于减小边框宽度的TFT阵列基板和包括该TFT阵列基板的显示设备。显示设备包括：第一基板，所述第一基板包括显示区域和非显示区域，显示区域包括在由彼此交叉的选通线和数据线限定的像素区域中形成的像素，非显示区域包括连接到选通线的内置移位寄存器和连接到内置移位寄存器的选通连接部分；第二基板，所述第二基板面对第一基板；以及密封图案，所述密封图案形成在第一基板的非显示区域中，与所述第二基板的边缘部分相对应，以将第一基板和第二基板面对耦合。所述密封图案包括通过第一硬化处理硬化的第一硬化区域和通过第二硬化处理硬化的第二硬化区域。

Description

显示设备
技术领域
本发明涉及包括薄膜晶体管（TFT）阵列基板的显示设备。
背景技术
最近，随着时代发展到面向信息的社会，平板显示设备由于其具有薄和轻的良好特性并且实现了低功率消耗，因而被需要。在平板显示设备中，液晶显示（LCD）设备在分辨率、颜色显示和图像质量上较为优异，因而被商业化作为笔记本计算机、平板计算机和桌上型计算机的显示设备。
一般地，在LCD设备中，其中形成有电极的两个基板被布置为使得两个基板的电极彼此面对，液晶被注入在面对的电极之间，利用通过向面对的电极施加不同电压而产生的电场将液晶分子重新配向，因而通过光透射率根据液晶分子的重新配向而变化来实现图像。
LCD设备包括液晶显示面板、向液晶显示面板上照射光的背光单元和用于驱动液晶显示面板的驱动电路部分，在液晶显示面板中在两个基板之间形成有液晶层。
一般地，在印刷电路板（PCB）上实现驱动电路部分。驱动电路部分包括选通驱动电路部分和数据驱动电路部分，选通驱动电路部分连接到液晶显示面板的选通线并且向选通线施加选通信号，数据驱动电路部分连接到液晶显示面板的数据线并且向各个数据线施加数据信号。
驱动电路部分安装在带式载体封装（TCP）或者膜上芯片（COF）上，并且附接到液晶显示面板的一侧或者两侧。
最近，提出了面板内选通（GIP）型LCD设备用于减少受驱动电路部分影响的LCD设备的体积和重量并且减小边框宽度，其中在GIP型LCD设备中与形成液晶显示面板的TFT的工艺同时地形成选通驱动电路部分的一些电路。
图1是示意地例示现有技术的GIP型LCD设备的平面图。
参照图1，现有技术GIP型LCD设备包括作为下基板的第一基板10、作为上基板的第二基板20和其中第一基板10和第二基板20彼此面对地耦合的密封图案30，在第一基板10和第二基板20之间形成有液晶层（未示出）。
第一基板10是TFT阵列基板，并且包括用于显示图像的显示区域DA和被形成为包围显示区域DA并且不能够显示图像的非显示区域NDA。
在第一基板10的显示区域DA中形成有多个选通线11、多个数据线12、多个薄膜晶体管T和多个像素电极PE。
选通线11和数据线12交叉以限定多个像素区域。每个薄膜晶体管T是开关元件，连接到对应的选通线11和对应的数据线12，并且通过施加到选通线11的选通信号被导通，以将从数据线12施加的数据信号提供到对应的像素电极PE。
每个像素电极PE连接到对应的薄膜晶体管T，并且利用从薄膜晶体管T提供的数据信号产生电场以将液晶层的液晶分子重新配向。
在第一基板10的非显示区域NDA中布置有焊盘部分13、多个数据连接线14、公共电压线部分15、选通连接部分16和内置移位寄存器17。
焊盘部分13包括数据焊盘部分13a、选通焊盘部分13b和公共电压焊盘部分13c。
数据焊盘部分13a被布置在非显示区域NDA的作为第一基板10的上侧的一个侧表面（第一选通线的上侧）的上侧，并且连接到外部驱动电路部分（未示出）。选通焊盘部分13b被布置在数据焊盘部分13a的一侧，并且连接到外部驱动电路部分。公共电压焊盘部分13c被布置在选通焊盘部分13b的一侧，并且连接到外部驱动电路部分的公共电压产生器（未示出）。
每个数据连接线14从对应的数据线12延伸，并且连接数据线12和数据焊盘部分13的对应的数据焊盘。
公共电压线部分15包括以特定间隔在密封图案30内形成的多个公共电压连接线。每条公共电压线的一个侧端部通过一个公共电压延伸线15a电连接到公共电压焊盘部分13c。此外，公共电压连接线（未示出）电连接到形成在对应的像素区域中的公共电极（未示出）。
选通连接部分16包括在公共电压线部分15和内置移位寄存器17之间以特定间隔形成的选通起始信号线、多个时钟信号线、前向信号线、后向信号线、复位信号线和接地电压线。选通连接部分16的每条信号线通过选通连接线16a电连接到焊盘部分13的选通焊盘部分13b。选通连接部分16的每条信号线通过选通控制信号连接线16b选择性地连接到内置移位寄存器17。
与上述形成薄膜晶体管T的工艺同时地在第一基板10的非显示区域NDA中形成内置移位寄存器17。内置移位寄存器17利用从选通连接部分16提供的选通起始信号、多个时钟信号、前向信号、后向信号、复位信号和接地电压产生选通信号，并且将选通信号提供到选通线11。为此，内置移位寄存器17包括分别连接到选通线11的多个级17s。
响应于从选通起始信号线或者前一级提供的选通起始信号，每个级17s将通过其中一个时钟信号线提供的时钟信号作为选通信号提供到对应的选通线11。多个级17s根据从选通起始信号线或者前一级提供的选通起始信号顺序地操作，因而从第一选通线到最后选通线顺序地提供选通信号，或者从最后选通线到第一选通线顺序地提供选通信号。
第二基板20包括在第一基板10的每个像素区域中限定的黑底（未示出），和被形成为与第一基板10的每个像素区域交叠的滤色器层（未示出）。除了第一基板10的焊盘部分13的尺寸之外，第二基板20具有与第一基板10的尺寸相对应的尺寸。
沿着第一基板10的非显示区域NDA形成密封图案30以与第二基板20的边缘部分交叠，并且密封图案30将之间具有液晶层的第一基板10和第二基板20面对耦合。在此情况下，密封图案30与第二基板20的边缘部分交叠，并且形成在相对于LCD设备的左侧和右侧的公共电压线部分15的外部以及形成在相对于LCD设备向上和向下的显示区域DA的外部。
在现有技术GIP型LCD设备中，由于第一基板10的密封图案30和非显示区域不能够显示图像，因而第一基板10的密封图案30和非显示区域被壳体（未示出）覆盖。在此，被壳体覆盖的部分被称为边框。
因此，在现有技术的GIP型LCD设备中，布置在第一基板10的非显示器区域中的内置移位寄存器17和密封图案30增加了边框宽度。另外，在现有技术GIP型LCD设备中，由于在将耦合的第一基板10和第二基板20进行切割的划片工艺中划片线与密封图案30交叠，不容易进行划片工艺，并且由于密封图案30的宽度减小在第一基板10和第二基板20中出现裂缝，以及在密封图案30的被划片工艺切割的一部分中出现裂缝，导致第一基板10和第二基板20的刚性降低。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种显示设备，其基本消除了由现有技术的局限和缺点造成的一个或者更多个问题。
本发明的一个方面旨在提供一种用于减小边框宽度的显示设备。
在随后的描述中将会部分地阐述本发明的额外的优点和特征，并且部分优点和特征通过下面的描述对于本领域的技术人员来说将是显而易见的，或者可以从本发明的实践获知。通过在给出的描述及其权利要求以及附图中特别地指出的结构，可以实现并且获得本发明的目的和其它的优点。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如这里所具体实施和广泛描述的，提供了一种显示设备，所述显示设备包括：第一基板，所述第一基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括在由彼此交叉的选通线和数据线限定的像素区域中形成的像素，并且所述非显示区域包括连接到所述选通线的内置移位寄存器和连接到所述内置移位寄存器的选通连接部分；第二基板，所述第二基板面对所述第一基板；以及密封图案，所述密封图案形成在所述第一基板的所述非显示区域中，与所述第二基板的边缘部分相对应，以将所述第一基板和所述第二基板面对耦合，其中，所述密封图案包括：通过第一硬化处理硬化以与所述内置移位寄存器的一部分相交叠的第一硬化区域；以及通过不同于所述第一硬化处理的第二硬化处理硬化以与所述内置移位寄存器的一部分相交叠的第二硬化区域。
所述内置移位寄存器可以包括开关元件，所述开关元件形成在所述第一基板中以与所述第一硬化区域相交叠，所述开关元件包括与所述密封图案相交叠的多个开口。
开关元件可以包括：包括所述多个开口的栅电极；在所述栅电极上形成的半导体层；以及在所述半导体层上形成的源电极和漏电极。
在本发明的另一个方面，提供一种显示设备，所述显示设备包括：第一基板，所述第一基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括在由彼此交叉的选通线和数据线限定的像素区域中形成的像素，并且所述非显示区域包括连接到所述选通线的内置移位寄存器和连接到所述内置移位寄存器的选通连接部分；第二基板，所述第二基板面对所述第一基板；以及密封图案，所述密封图案形成在所述内置移位寄存器的一部分和所述选通连接部分上，以将所述第一基板和所述第二基板面对耦合，其中，所述内置移位寄存器包括开关元件，所述开关元件形成在与所述密封图案相交叠的区域中以具有多个开口。
开关元件可以包括：栅电极，所述栅电极包括以特定间隔突出以制备所述多个开口的多个栅突出电极；在所述栅突出电极上形成的半导体层；以及在所述半导体层上形成的源电极和漏电极。
所述密封图案可以包括：通过第一硬化处理硬化以与所述多个开口中的一些开口相交叠的第一硬化区域；以及通过不同于所述第一硬化处理的第二硬化处理硬化以与所述选通连接部分相交叠的第二硬化区域。
所述第一硬化区域可以通过使用光的第一硬化处理硬化，所述第二硬化区域可以通过使用热的第二硬化处理硬化。
所述第一基板可以还包括：在所述像素区域中形成的公共电极；以及公共电压线部分，所述公共电压线部分形成在与所述第一基板的一侧的外围部分相邻的非显示区域中，以将公共电压施加到所述公共电极，所述密封图案可以还包括通过所述第一硬化处理硬化以覆盖所述公共电压线部分的第三硬化区域。
所述第一基板可以还包括：在所述像素区域中形成的公共电极；以及公共电压线部分，所述公共电压线部分形成在与所述第一基板的一侧的外围部分相邻的非显示区域中，以将公共电压施加到所述公共电极，所述第二硬化区域可以与所述选通连接部分和所述公共电压线部分相交叠。
应该理解的是，对本发明的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，其旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，结合到本申请中并且构成本申请的一部分，这些附图例示了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示意地例示现有技术的GIP型LCD设备的平面图；
图2是示意地例示根据本发明的实施方式的TFT阵列基板的平面图；
图3是示意地例示图2的内置移位寄存器的一部分以及选通连接部分的一部分的电路图；
图4是图2的A部分的放大图，并且是例示图2的公共电压线部分、选通连接部分和内置移位寄存器的布局图；
图5是示意地例示沿着图4的I-I'线取得的横截面的截面图；
图6是示意地例示根据本发明的实施方式的显示装置的平面图；
图7是示意地例示沿着图6的II-II'线取得的横截面的截面图；以及
图8是示意地例示图7的放大部分E的截面图。
具体实施方式
下面将参照附图来详细地描述本发明的实施方式。
图2是示意地例示根据本发明的实施方式的TFT阵列基板的平面图。图3是示意地例示图2的内置移位寄存器的一部分以及选通连接部分的一部分的电路图。
参照图2和图3，根据本发明的实施方式的TFT阵列基板100包括：具有显示区域DA和非显示区域NDA的基板110；被形成为在显示区域DA中彼此交叉并且限定多个像素区域的多个选通线111和多个数据线112；内置移位寄存器117，该内置移位寄存器117包括具有多个开口的多个开关元件并且被布置在非显示区域NDA中以连接到选通线111；以及形成在非显示区域NDA中并且连接到内置移位寄存器117的选通连接部分116。
选通线111和数据线112被形成为在显示区域DA中彼此交叉并且限定多个像素区域。为此，选通线111沿着显示区域DA的宽度方向或者沿着基板110的长边方向以特定间隔形成，并且数据线112沿着显示区域DA的长度方向或者基板110的短边方向以特定间隔形成。
在每个像素区域中形成有薄膜晶体管T和像素电极PE。
薄膜晶体管T连接到相邻的选通线111和相邻的数据线112。薄膜晶体管T包括从相邻的选通线111突出的栅电极、形成在栅电极上的半导体层、形成在半导体层上以从相邻数据线112突出的源电极以及与源电极相分离并且包围源电极的漏电极。
在每一个像素区域中，像素电极PE形成为连接到薄膜晶体管T。形成具有特定间隔的多个像素电极PE，并且像素电极PE连接到薄膜晶体管T的漏电极。在此情况下，在每一个像素区域中，与各个像素电极PE平行地形成在像素电极PE之间的各个空间中布置的多个公共电极。
在基板110的非显示区域NDA中布置有焊盘部分113、多个数据连接线114、公共电压线部分115、选通连接部分116和内置移位寄存器117。
焊盘部分113包括数据焊盘部分113a、选通焊盘部分113b和公共电压焊盘部分113c。
数据焊盘部分113a被布置在非显示区域NDA的作为第一基板110的上侧的一个侧表面（第一选通线的上侧）的上侧，并且连接到外部驱动电路部分（未示出）。选通焊盘部分113b被布置在数据焊盘部分113a的一侧，并且连接到外部驱动电路部分。公共电压焊盘部分113c被布置在选通焊盘部分113b的一侧，并且连接到外部驱动电路部分的公共电压产生器（未示出）。
选通焊盘部分113b包括在数据焊盘部分113a的一侧以特定间隔布置的多个选通焊盘。选通焊盘部分113b连接到外部驱动电路部分（未示出），并且从驱动电路部分接收选通控制信号。在此，选通控制信号可以包括选通起始信号Vst、多个时钟信号CLK1到CLK4、前向信号FWD、后向信号BWD和接地电压Vss。
公共电压焊盘部分113c包括被布置在选通焊盘部分113b的一侧的至少一个公共电压焊盘。公共电压焊盘部分113c连接到外部驱动电路部分（未示出），并且从驱动电路部分的公共电压产生器接收公共电压。
每个数据连接线114从对应的数据线112延伸，并且连接数据焊盘部分113a的对应的数据焊盘和数据线112。
公共电压线部分115布置在与基板110的一个侧表面相隔第一距离d1的非显示区域NDA的一部分中。公共电压线部分115包括以特定间隔形成的并且共同连接到公共电压焊盘部分113c的多个公共电压连接线。在此，公共电压连接线通过一个公共电压连接延伸线115a或者多个公共电压连接延伸线115a电连接到公共电压焊盘部分113c。
每个公共电压连接线的线宽被形成为比公共电压连接线之间的间隔更宽。另选地，将公共电压连接线之间的间隔设定为透射光，使得与公共电压线部分115交叠的密封图案硬化。
选通连接部分116包括在公共电压线部分115和内置移位寄存器117之间以特定间隔形成的选通起始信号线、多个时钟信号线、前向信号线、后向信号线、复位信号线和接地电压线。选通连接部分116的每个信号线通过选通连接线116a电连接到焊盘部分113的选通焊盘部分113b。选通连接部分116的每个信号线通过选通控制信号连接线116b选择性地连接到内置移位寄存器117。
按照被设定为不受相邻信号线之间的信号干扰影响的最小范围的间隔形成选通连接部分116的信号线。也就是说，由于与选通连接部分116交叠的密封图案被热硬化，可以按照比公共电压连接线之间的间隔相对更窄的间隔形成选通连接部分116的信号线。因此，在本发明中，以最窄的间隔形成选通连接部分116的信号线，因而增加了用于布置以下描述的内置移位寄存器117的空间。
内置移位寄存器117布置在选通连接部分116和显示区域DA之间，并且连接到选通连接部分116和选通线111。内置移位寄存器117包括分别连接到选通线111的多个级“ST1、ST2、...”。
每一个级“ST1、ST2、...”包括第一开关元件T1、第二开关元件T2和节点控制器117a。
第一开关元件T1和第二开关元件T2共同连接到一个选通线111。
第一开关元件T1根据节点控制器117a的控制而导通，并且通过选通控制信号连接线116b将从一个时钟信号线（形成在选通连接部分116中）提供的时钟信号CLK作为选通信号提供到选通线111。
第二开关元件T2根据节点控制器117a的控制而导通，并且将从接地电压线（形成在选通连接部分116）提供的接地电压Vss通过选通控制信号连接线116b提供到选通线111。
节点控制器117a连接到第一节点N1（第一节点N1连接到第一开关元件T1的栅电极）和第二节点N2（第二节点N2连接到第二开关元件T2的栅电极），并且还通过选通控制信号连接线116b连接到选通连接部分116的选通起始信号线、前向信号线、后向信号线和接地电压线。节点控制器117a根据通过选通连接部分116的选通起始信号线提供的选通起始信号Vst或者根据从前一级输出的选通信号、前向信号FWD和后向信号BWD来控制第一节点N1和第二节点N2的电压。为此，节点控制器117a包括多个节点控制开关元件（未示出）以及至少一个电容器（未示出），这些节点控制开关元件根据选通开始信号Vst或者从前一级输出的选通信号、前向信号FWD和后向信号BWD被有组织地导通并且切换第一节点N1和第二节点N2的电压。
第一开关元件T1可以具有相对宽的通道宽度（或者面积），以用于向选通线111提供高电压选通信号。因此，第一选通开关元件T1被布置得邻近选通连接部分116，并且包括由选通连接部分116的信号线之间的间隔所确保的空间。此外，第一开关元件T1的部分区域与密封图案交叠，因而，第一开关元件T1包括多个开口，这些开口使得能够顺利地透射光以硬化交叠的密封图案。
以下描述的密封图案形成在公共电压线部分115、选通连接部分116以及内置移位寄存器117的一部分上。因此，在根据本发明的实施方式的TFT阵列基板100中，密封图案与公共电压线部分115、选通连接部分116以及内置移位寄存器117的一部分交叠，因而减小了由覆盖基板110的非显示区域NDA的壳体形成的边框宽度W。
图4是图2的A部分的放大图，并且是例示图2的公共电压线部分、选通连接部分和内置移位寄存器的布局图。图5是示意地例示沿着图4的I-I'线取得的横截面的截面图。
以下将参照图4和图5详细描述公共电压线部分115、选通连接部分116和内置移位寄存器117。
公共电压线部分115布置在与基板110的一个侧端间隔第一距离d1的非显示区域NDA的外部区域中。第一距离d1为用于耦合基板的工艺之后进行的面板划片工艺的划片余量区域。
如在图5的B部分的放大图中，公共电压线路部分115包括由基板110中的选通材料形成的之间具有第二距离d2的多个公共电压连接线115L。因此，在公共电压线部分115中，由于公共电压连接线115L之间具有第二距离d2，在相邻的公共电压连接线之间制备开口115o。开口115o透射光使得形成在公共电压线部分115上的密封图案130硬化，因而防止密封图案130由于公共电压连接线而不被硬化。
公共电压线部分115可以被栅绝缘层152、层间电介质157和平坦化层158覆盖。在此情况下，可以不形成布置在公共电压线部分115上的层间电介质157的一部分和平坦化层158的一部分。
选通连接部分116布置在非显示区域NDA的与公共电压线路部分115的内侧相邻的一部分中。如在图5的放大部分C中，选通连接部分116包括由基板110中的选通材料形成并且以特定间隔布置的选通起始信号线L1、多个时钟信号线L2到L5、前向信号线L6、后向信号线L7和接地电压线L8。以最小间隔布置选通连接部分116的信号线L1到L8，因而增大了用于布置以下描述的内置移位寄存器117的空间。
选通连接部分116的信号线L1到L8可以被栅绝缘层152、层间电介质157和平坦化层158覆盖。在此情况下，可以不形成布置在选通连接部分116上的层间电介质157的一部分和平坦化层158的一部分。
在图5中，选通连接部分116的每一个信号线L1到L8并非被例示为一条线，但是不限于此。作为另一个示例，选通连接部分116的每一个信号线L1到L8可以以形成为多个。
内置移位寄存器117布置在选通连接部分116和显示区域DA之间的非显示区域NDA中。如以上参照图5所描述的，内置移位寄存器117包括第一开关元件T1、第二开关元件T2和节点控制器117a，节点控制器117a包括多个节点控制开关元件和至少一个电容器。
内置移位寄存器117的第一开关元件T1在包括由选通连接部分116确保的区域的一区域中被形成为具有相对大的尺寸。具体地，如图5的D部分的放大图，第一开关元件T1包括栅电极151、半导体层153、源电极155和漏电极156。与在显示区域DA的各个像素区域中形成薄膜晶体管T的工艺同时地形成具有该构造的第一开关元件T1。
栅电极151包括由基板110中的选通材料形成的具有“-”形状的公共栅电极和从公共栅电极突出第三距离d3并且分别制备多个开口117o的栅突出电极151a。也就是说，由于公共栅电极和栅突出电极151a，栅电极151具有E形状，并且在多个栅突出电极151a之间的相应间隙中制备开口117o。
栅电极151被栅绝缘层152覆盖。
半导体层153形成在栅绝缘层152上，与栅电极151，即，栅突出电极151a交叠。
源电极155形成在半导体层153的第一区域中，与栅电极151交叠。也就是说，源电极155可以包括与栅电极151的公共栅电极交叠的公共源电极，和分别与栅突出电极151a交叠的多个源突出电极。源电极155通过选通控制信号连接线连接到时钟信号线L2到L5中的一个时钟信号线。
漏电极156形成在半导体层153的第二区域中以与源极155分离，并且包围源电极155。也就是说，漏电极156可以包括连接到栅突出电极151a的各个远端的公共漏电极，和分别与栅突出电极151a交叠的多个漏突出电极。漏电极156通过内置移位寄存器117的内部连接线连接到选通线。
源电极155和漏电极156中的每一个可以通过欧姆接触层154欧姆接触半导体层153。
源电极155和漏电极156由层间电介质157和平坦化层158覆盖。在此情况下，可以不形成平坦化层158。
公共电压线部分115、选通连接部分116和在内置移位寄存器117中形成的开关元件T1的一些开口117o与形成在基板110的非显示区域NDA中的密封图案130交叠。也就是说，TFT阵列基板100包括在基板110的非显示区域NDA中限定的密封图案区域，并且密封图案区域包括公共电压线部分115、选通连接部分116和开关元件T1的一些开口117o。
以上描述了内置移位寄存器117被形成为使得第一开关元件T1具有相对大的尺寸，并且内置移位寄存器117具有由多个栅电极151之间的各个间隙形成的多个开口117o，但是内置移位寄存器117不限于此。作为另一个示例，内置移位寄存器117可以被形成为使得第二开关元件T2或者（包括在节点控制器117a中的）开关元件中除第一开关元件T1之外的一个开关元件与选通连接部分116相邻地布置并且具有多个开口。
另一方面，在TFT阵列基板100中，上面已经描述了公共电压线部分115、选通连接部分116和内置移位寄存器117布置在非显示区域NDA的一侧，但是TFT阵列基板100并不限于此。作为另一个示例，公共电压线部分115、选通连接部分116和内置移位寄存器117可以布置在与显示区域的两侧相邻的非显示区域中，并且与密封图案130交叠。在此情况下，在显示区域的一侧非显示区域中形成的每个内置移位寄存器可以接触奇数编号选通线，并且在显示区域的另一侧非显示区域中形成的每个内置移位寄存器可以接触偶数编号选通线。
图6是示意地例示根据本发明的实施方式的显示装置的平面图。图7是示意地例示沿着图6的II-II'线取得的横截面的截面图。图8是示意地例示图7的放大部分E的截面图。
参照图6到图8，根据本发明的实施方式的显示设备具有显示区域DA和非显示区域NDA，并且包括第一基板110和第二基板120，第一基板110包括布置在非显示区域NDA中的选通连接部分116和内置移位寄存器117，第二基板120通过密封图案130与第一基板110面对耦合。密封图案130具有与内置移位寄存器117的一部分相交叠的第一硬化区域HA1和与选通连接部分116相交叠的第二硬化区域HA2。
第一基板110包括显示区域DA和非显示区域NDA，显示区域DA包括在由彼此交叉的选通线111和数据线112限定的像素区域中形成的像素P，非显示区域NDA包括连接到选通线111的内置移位寄存器117和连接到内置移位寄存器117的选通连接部分116。第一基板110与图2到图5的TFT阵列基板100相同地配置，因而，不进行重复的描述。相同的附图标记通篇指代相同的元件。
可以在第一基板110的显示区域DA中形成第一配向层118。第一配向层118将在第一基板110和第二基板120之间形成的液晶层的液晶分子（未示出）在特定方向上配向。
第二基板120是滤色器阵列基板，并且包括挡光图案121、滤色器图案122和第二配向层123。
挡光图案121形成在第二基板120中除了与第一基板110的像素区域交叠的透光区域之外的区域中。挡光图案121阻挡传输到除了透光区域之外的区域的光。
滤色器图案122形成在由挡光图案121制备的透光区域中，并且与第一基板110的像素区域相交叠。在此情况下，滤色器图案122包括红色、绿色和蓝色滤色器，以对应于在第一基板110的像素区域中形成的各个像素的颜色。
第二配向层123被形成为覆盖挡光图案121和滤色器图案122，并且第二配向层123和第一配向层118将液晶层的液晶分子在特定方向上配向。第二配向层123可以形成于在第二基板120上形成的外包层（未示出）上，以覆盖挡光层121和滤色器图案122。
第二基板120通过密封图案130与第一基板110面对耦合，并且具有与除了在第一基板110的上部非显示区域中制备的焊盘部分之外的部分相交叠的大小。
密封图案130沿着第一基板110的非显示区域NDA形成，与第二基板120的边缘部分相对应，并且与中间具有液晶层的第一基板110和第二基板120面对耦合。
密封图案130的外部与第一基板110的外表面间隔第一距离d1，即，划片余量，并且不与划片线相交叠。此外，密封图案130与第二基板120的边缘部分交叠，并且形成在相对于显示设备的左侧和右侧的公共电压线部分15的外围部分，以及形成在相对于显示设备的向上和向下的显示区域DA的外围部分。
密封图案130被形成为与在第一基板110中形成的公共电压线部分115、选通连接部分116以及内置移位寄存器117的一部分交叠。密封图案130具有与内置移位寄存器117的一部分相交叠以与显示区域DA相邻的第一硬化区域HA1、与选通连接部分116相交叠以与第一硬化区域HA1相邻的第二硬化区域HA2以及与公共电压线部分115相交叠以与第一基板110的侧表面的远端相邻的第三硬化区域HA3。
第一硬化区域HA1通过使用诸如紫外光（UV）的光的第一硬化处理来形成。在此，第一硬化处理可以使用从第一基板110的下部照射UV的后侧照射处理。因此，透过第一基板110的UV通过在内置移位寄存器117的开关元件T1中制备的开口117o照射在密封图案130上，并且将密封图案130的内部区域硬化，因而形成第一硬化区域HA1。
第二硬化区域HA2通过使用热的第二硬化处理来形成。在此，第二硬化处理可以从第一基板110的下部或者上部向密封图案130的第二硬化区域HA2施加热。
当第二硬化区域HA2通过UV硬化处理被硬化时，需要分离选通连接部分116的信号线，使得与选通连接部分116的信号线相交叠的密封图案被UV硬化，因而，形成选通连接部分116的区域增加，造成边框宽度增加。
第三硬化区域HA3通过使用诸如UV的光的第一硬化处理来形成。因此，透过第一基板110的UV通过在公共电压线部分115的公共电压连接线115L之间制备的开口117o照射在密封图案130上，并且使得密封图案130的外部区域硬化，因而形成第三硬化区域HA3。
第三硬化区域HA3被布置在基板110的外围部分，因而可以通过使用热的第二硬化处理来形成，而不是通过使用光的第一硬化处理。当通过热硬化处理形成第三硬化区域HA3时，公共电压线部分115的公共电压连接线115L之间的间隔可以变得更窄，因而进一步减小了边框宽度。
根据本发明的实施方式的显示装置可以进一步包括引导框（未示出）、背光单元（未示出）、下壳体（未示出）和上壳体，该引导框支撑包括面对耦合到密封图案130的第一基板110和第二基板120的显示面板，背光单元将光照射到显示面板上，下壳体容纳背光单元并支撑引导框，上壳体覆盖显示面板的非显示区域。在此，显示面板的被上壳体覆盖的前边缘部分被称为边框。
另一方面，在根据本发明的实施方式的显示设备中，上面已经描述了公共电压线部分115、选通连接部分116和内置移位寄存器117被布置在非显示区域NDA的一侧，但是TFT阵列基板100并不限于此。作为另一个示例，公共电压线部分115、选通连接部分116和内置移位寄存器117可以被布置在与显示区域的两侧相邻的非显示区域中，并且与密封图案130交叠。在此情况下，在显示区域的一侧非显示区域形成的每个内置移位寄存器可以接触奇数编号选通线，并且在显示区域的另一侧非显示区域中形成的每个内置移位寄存器可以接触偶数编号选通线。
在根据本发明的实施方式的显示设备中，包括具有多个开口的开关元件的内置移位寄存器117形成在第一基板110的非显示区域NDA中，并且密封图案130被形成为与内置移位寄存器117交叠，因而减小了由覆盖非显示区域NDA的壳体形成的边框宽度。另外，由于密封图案130不与划片线交叠，因而可以防止由于密封图案130和划片线的交叠造成的现有限制。
在根据本发明的实施方式的TFT阵列基板和包括该TFT阵列基板的显示设备中，以上描述集中在包括背光单元的LCD设备，但是根据本发明的实施方式的TFT阵列基板和包括TFT阵列基板的显示设备并不限于LCD设备。作为另一个示例，本发明可以应用于诸如有机发光显示设备（例如，有机发光二极管显示设备）的各种平板显示设备。例如，在有机发光显示设备中，类似于本发明，在第一基板（即，TFT阵列基板的非显示区域中）构建选通连接部分和内置移位寄存器，并且密封图案被形成为与选通连接部分和内置移位寄存器交叠，在此情况下与显示区域相邻的密封图案的内部区域可以通过光来硬化，而密封图案的其它区域可以通过热来硬化。
根据本发明的实施方式的包括TFT阵列基板的显示设备可以应用于电视机和监视器，并且还用作笔记本计算机、平板计算机和各种便携信息装置的图像显示装置。
根据本发明的实施方式，选通连接部分和包括具有多个开口的多个开关元件的内置移位寄存器被布置在第一基板的非显示区域中，并且密封图案被形成为覆盖选通连接部分和内置移位寄存器，因而减小了由覆盖非显示区域的壳体所形成的边框宽度。
另外，由于密封图案不与划片线相交叠，因而容易进行划片工艺，并且本发明可以防止由密封图案引起的在每个基板中出现裂缝，因而可以防止显示面板的刚性降低。
对于本领域技术人员而言很明显的是，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明做出各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖本发明的各种修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年4月16日提交的韩国专利申请No.10-2012-0039066的优先权，通过引用将其并入这里，如同全面在此阐述一样。

Claims (11)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
第一基板，所述第一基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括在由彼此交叉的选通线和数据线限定的像素区域中形成的像素，并且所述非显示区域包括连接到所述选通线的内置移位寄存器和连接到所述内置移位寄存器的选通连接部分；
第二基板，所述第二基板面对所述第一基板；以及
密封图案，所述密封图案形成在所述第一基板的所述非显示区域中，与所述第二基板的边缘部分相对应，以将所述第一基板和所述第二基板面对耦合，
其中，所述密封图案包括：
第一硬化区域，所述第一硬化区域通过第一硬化处理硬化以与所述内置移位寄存器的一部分相交叠；以及
第二硬化区域，所述第二硬化区域通过不同于所述第一硬化处理的第二硬化处理硬化以与所述选通连接部分相交叠。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述内置移位寄存器包括形成在所述第一基板中以与所述第一硬化区域交叠的开关元件，所述开关元件包括与所述密封图案交叠的多个开口。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述开关元件包括：
包括所述多个开口的栅电极；
在所述栅电极上形成的半导体层；以及
在所述半导体层上形成的源电极和漏电极。
4.一种显示设备，所述显示设备包括：
第一基板，所述第一基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括在由彼此交叉的选通线和数据线限定的像素区域中形成的像素，并且所述非显示区域包括连接到所述选通线的内置移位寄存器和连接到所述内置移位寄存器的选通连接部分；
第二基板，所述第二基板面对所述第一基板；以及
密封图案，所述密封图案形成在所述内置移位寄存器的一部分和所述选通连接部分上，以将所述第一基板和所述第二基板面对耦合，
其中，所述内置移位寄存器包括开关元件，所述开关元件形成在与所述密封图案相交叠的区域中以具有多个开口。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述开关元件包括：
栅电极，所述栅电极包括以特定间隔突出以制备所述多个开口的多个栅突出电极；
在所述栅突出电极上形成的半导体层；以及
在所述半导体层上形成的源电极和漏电极。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述密封图案包括：
第一硬化区域，所述第一硬化区域通过第一硬化处理硬化以与所述多个开口中的一些开口相交叠；以及
第二硬化区域，所述第二硬化区域通过不同于所述第一硬化处理的第二硬化处理硬化以与所述选通连接部分相交叠。
7.根据权利要求1到3和权利要求6中任一项权利要求所述的显示设备，其中，
所述第一硬化区域通过使用光的第一硬化处理硬化，以及
所述第二硬化区域通过使用热的第二硬化处理硬化。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中
所述第一基板还包括公共电极和公共电压线部分，所述公共电极形成在所述像素区域中，所述公共电压线部分形成在与所述第一基板的一侧的外围部分相邻的非显示区域中，以将公共电压施加到所述公共电极，以及
所述密封图案还包括通过所述第一硬化处理硬化以与所述公共电压线部分相交叠的第三硬化区域。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中
所述第一基板还包括公共电极和公共电压线部分，所述公共电极形成在所述像素区域中，所述公共电压线部分形成在与所述第一基板的一侧的外围部分相邻的非显示区域中，以将公共电压施加到所述公共电极，以及
所述第二硬化区域与所述选通连接部分和所述公共电压线部分相交叠。
10.根据权利要求6所述的显示设备，其中
所述第一硬化区域与与其相邻的所述内置移位寄存器的一侧的一部分相交叠，以及
所述第二硬化区域通过使用热的第二硬化处理硬化。
11.根据权利要求1或4所述的显示设备，其中，所述密封图案的外围部分与所述第一基板的侧表面间隔特定距离。
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