CN107464818A - 具有减少的缺陷的显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示设备。所述显示设备能够在确保更长的使用寿命的同时在制造工艺期间减少诸如断线的缺陷。所述显示设备包括：基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，基底的弯曲区域关于弯曲轴弯曲或为可弯曲的；有机材料层，至少与弯曲区域对应地设置在基底上；导电层，从第一区域通过弯曲区域延伸至第二区域，设置于有机材料层上方，并包括与弯曲区域对应设置的多个通孔；第一保护层，彼此分隔开以至少部分覆盖多个通孔的侧面。

Description

具有减少的缺陷的显示设备
本申请要求于2016年6月2日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0068852号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例总体涉及显示设备，更具体地，涉及能够减少在制造工艺期间产生诸如断线(disconnection)的缺陷的显示设备。
背景技术
通常，显示设备包括制造在基底上的显示单元。通常，显示设备的至少一部分可被弯曲以改善各种角度下的可视性，或以减小非显示区域的尺寸。
然而，在传统显示设备中，通过制造弯曲显示设备的工艺会出现缺陷或会缩短显示设备的使用寿命(lifespan)。
发明内容
一个或更多个实施例包括能够在促进显示设备的使用寿命延长的同时在制造工艺期间减少诸如断线的缺陷的产生的显示设备。
其他方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是清楚的，或者可以由本领域普通技术人员在实施本发明的实施例期间了解到。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，基底的弯曲区域关于弯曲轴被弯曲或为可弯曲的；有机材料层，至少与所述弯曲区域对应地设置在基底上；导电层，从第一区域通过弯曲区域延伸至第二区域，设置于有机材料层上方，并包括与弯曲区域对应设置的多个通孔；第一保护层，彼此分隔开以至少部分覆盖多个通孔的侧面。
第一保护层可以包括无机材料。
第一保护层可以基本完全覆盖多个通孔的侧面。
第一保护层可以覆盖多个通孔的侧面和有机材料层的上表面，其中，所述上表面可以经由多个通孔暴露。
导电层可以具有多层结构。导电层可以包括顺序堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，第二导电层与有机材料的反应比与第一导电层与有机材料的反应以及第三导电层与有机材料的反应强烈，第一保护层可以至少覆盖所述侧面的与所述第二导电层对应的部分。
导电层可以包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，在通孔内，第二导电层的表面可以从第一导电层和第三导电层的表面凹进。第一保护层可以覆盖第二导电层的表面以及覆盖第一导电层和第三导电层中的至少一个的表面，第一保护层的覆盖第二导电层的表面的部分的厚度大于第一保护层的覆盖第一导电层和第三导电层中的至少一个的表面的部分的厚度。
显示设备还可以包括第二保护层，第二保护层在弯曲区域中彼此分隔开以部分覆盖导电层的相背对的外表面。第二保护层可以包括无机材料。
导电层的与所述弯曲区域对应的部分具有下表面和上表面，下表面可具有比上表面的宽度大的宽度。
导电层可以包括按与基底的距离增大的顺序堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，在与弯曲区域对应的部分中，第一导电层可以具有比第三导电层的宽度大的宽度。第二保护层可以至少部分覆盖第二导电层的相背对的外表面。
通孔可以沿导电层延伸的方向以行布置。导电层的第一边缘可以包括布置在相邻通孔之间的第一凹入部分，导电层的第二边缘可以包括布置在相邻通孔之间的第二凹入部分。第二保护层可以覆盖第一凹入部分和第二凹入部分。
通孔可以沿导电层延伸的方向布置，并包括设置在导电层的中心轴的一侧的多个第一通孔以及设置在中心轴的另一侧的多个第二通孔。第一通孔和第二通孔可以沿导电层延伸的方向以交替方式布置。导电层的第一边缘可以包括均与第二通孔中的一个对应设置的第一凹入部分，导电层的第二边缘可包括均与第一通孔中的一个对应设置的第二凹入部分。第二保护层可以覆盖第一凹入部分和第二凹入部分。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/其他方面将变得更加清楚并且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图；
图2是图1的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图3是图1的显示设备的一部分的示意性透视图；
图4是沿图3的线IV-IV截取的显示设备的示意性剖视图；
图5是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图6是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图7是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图8和图9是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图10是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图11是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图12是沿图11的线XII-XII截取的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图13是沿图11的线XIII-XIII截取的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图14是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图15是沿图14的线XV-XV截取的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图16是沿图14的线XVI-XVI截取的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图17是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图18是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图19是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图；
图20是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图；以及
图21是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图。
具体实施方式
现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就这点而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为受限于在此阐述的描述。因此，通过参照附图仅在下面描述实施例以解释本描述的方面。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表达出现在一列元件之后时，修饰整列元件而非修饰该列的单个元件。
在下文中，将通过参照附图说明本发明构思的优选实施例来详细描述本公开。附图中同样的附图标记指示同样的元件。
为便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，各附图不必按尺寸绘制，由于附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于说明而任意示出的，因此以下实施例不限于此。所有数值是近似的，并且可以变化。特定材料和成分的所有示例将被认为是非限制性的并且仅为示例性的。可以使用其他合适的材料和成分代替。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并可以以更广泛地意义来理解。例如，x轴、y轴和z轴可以相互垂直，或者可以表示不相互垂直的不同方向。
图1是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图，图2是图1的显示设备的一部分的示意性剖视图。
在根据实施例的显示设备中，作为显示设备的一部分的基底100是部分弯曲的，因此，显示设备也具有与基底100相似的部分弯曲的形状。为便于描述，图2中的显示设备不是弯曲的。为便于描述，在与后面将描述的其他实施例关联的一些剖视图或平面图中，显示设备可示出为直的或未弯曲的。
如图1和图2所示，根据实施例的显示设备的基底100包括沿第一方向(+y方向)延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1A和第二区域2A之间。此外，如图1所示，基底100关于在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴BAX被弯曲。基底100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料，例如，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)的一种或更多种聚合物树脂。
第一区域1A包括显示区域DA。如图2所示，第一区域1A还可以包括显示区域DA外部的非显示区域的一部分。如果必要的话，显示区域DA可延伸至弯曲区域BA。第二区域2A也包括非显示区域。
在基底100的显示区域DA上，可以设置显示装置300和薄膜晶体管210，其中，如图2所示，显示装置300电连接至薄膜晶体管210。在图2中，有机发光装置作为显示装置300位于显示区域DA中。像素电极310电连接至薄膜晶体管210。如果需要的话，薄膜晶体管(未示出)也可位于基底100的显示区域DA外部的外围区域上。外围区域上的薄膜晶体管可为，例如，用于控制被施加到显示区域DA的电信号的电路单元的一部分。
薄膜晶体管210可以包括半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b，其中，半导体层211包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。为了确保半导体层211和栅电极213之间的绝缘，栅极绝缘层120可以位于半导体层211和栅电极213之间，其中，栅极绝缘层120包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。此外，层间绝缘层130可以位于栅电极213上，源电极215a和漏电极215b可以位于层间绝缘层130上，其中，层间绝缘层130包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。无机绝缘层可通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。这将被应用到将在后面描述的其他实施例及其修改。
缓冲层110可以位于薄膜晶体管210和基底100之间。缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以改善基底100的上表面的平滑度，或者防止或减少杂质从基底100向薄膜晶体管210的半导体层211中的渗入。
平坦化层140可以布置在薄膜晶体管210上。例如，如图2所示，当有机发光装置布置在薄膜晶体管210上时，平坦化层140可使覆盖薄膜晶体管210的保护层的上部平坦化。平坦化层140可包括，例如，诸如亚克力、苯丙环丁烯(BCB)、六甲基二硅醚(HMDSO)的有机材料。在图2中，虽然平坦化层140示出为具有单层结构，但是平坦化层140可以具有各种其他构造。例如，平坦化层140可以具有多层结构。此外，如图2所示，平坦化层140在显示区域DA外部可以具有开口，使得平坦化层140位于显示区域DA中的一部分和平坦化层140位于第二区域2A中的一部分可以物理地彼此分离。因此，来自外部源的杂质不会经由平坦化层140到达显示区域DA。
在基底100的显示区域DA中，有机发光装置可以被位于平坦化层140上。有机发光装置包括像素电极310、对电极330以及在像素电极310与对电极330之间的中间层320。中间层320可以包括发射层。如图2所示，像素电极310可以经由形成在平坦化层140中的开口接触源电极215a和漏电极215b中的一个并可以电连接至薄膜晶体管210。
像素限定层150可以位于平坦化层140上。像素限定层150包括分别与子像素对应的开口(即，至少暴露每个像素电极310的中心部分的开口)以限定像素。此外，在图2示出的示例中，像素限定层150使像素电极310的边缘和像素电极310上方的对电极330之间的距离增大以防止在像素电极310的边缘处产生电弧(arc)(即，防止电短路)。像素限定层150可以包括有机材料，例如，PI或HMDSO。
有机发光装置的中间层320可以包括低分子量的有机材料或者聚合物材料。当中间层320包括低分子量的有机材料时，中间层320可以以单层或者多层结构包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)，有机材料的示例可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N、N'-二苯基联苯胺(NPB)以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。可以通过真空沉积法沉积低分子量的有机材料。
当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可包括HTL和EML。在此，HTL可以包括PEDOT，EML可以包括聚亚苯基亚乙烯基(PPV)类或聚芴类聚合物材料。上述中间层320可以通过丝网印刷方法、喷墨印刷方法或激光诱导热成像(LITI)方法形成。
然而，中间层320不限于上述示例，并可以具有各种结构。此外，中间层320可以包括跨过多个像素电极310整体形成的层或被图案化为分别与多个像素电极310中的每个对应的层。
对电极330在显示区域DA中布置在中间层320的上方，并且如图2所示，可以覆盖显示区域DA。即，对电极330可以跨过多个有机发光装置整体地形成，以与多个像素电极310对应。
由于有机发光装置会容易被外部湿气或氧损坏，因此，包封层400可以覆盖有机发光装置以保护有机发光装置。包封层400覆盖显示区域DA，并也可以延伸至显示区域DA外部。如图2所示，包封层400可以包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430。
第一无机包封层410覆盖对电极330，并可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果需要的话，可以在第一无机包封层410和对电极330之间形成诸如覆盖层的其他层。由于第一无机包封层410与其底层结构共形地形成，因此第一无机包封层410可以具有如图2所示的不均匀上表面。有机包封层420覆盖第一无机包封层410，与第一无机包封层410不同，有机包封层420可以具有均匀的或平坦化的上表面。更具体地，有机包封层420可以在与显示区域DA对应的部分处具有基本均匀或平坦的上表面。有机包封层420可以包括从由PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷组成的组中选择的至少一种材料。第二无机包封层430覆盖有机包封层420，并可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机包封层430可以在显示区域DA外部接触第一无机包封层410，以不将有机包封层420暴露至外部污染物。
如上所述，由于包封层400包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430，因此即使在上述多层结构中的包封层400中存在裂纹，裂纹也可以在第一无机包封层410和有机包封层420之间或有机包封层420和第二无机包封层430之间的边界处停止。如此，可以防止或减少形成使外部湿气或氧会渗透到显示区域DA中的路径。
如果必要的话，可以在包封层400上形成具有执行触摸屏功能的各种图案的触摸电极或保护触摸电极的触摸保护层。这种与触摸相关的结构可以通过沉积工艺形成在包封层400上。一个或更多个实施例可不限于此，即，可以将提前准备的并包括触摸电极的触摸面板附着到包封层400，使得显示设备可以具有触摸屏功能。
偏振片520可以形成在或放置在包封层400上，位于光学透明粘合剂(OCA)510上方。偏振片520可以减少外部光的反射。例如，当穿过偏振片520的外部光被对电极330的上表面反射然后再次穿过偏振片520时，外部光穿过偏振片520两次并且外部光的相位会改变。因此，反射光的相位与进入偏振片520的外部光的相位不同，因此发生了相消干涉。因此，可以降低外部光的反射并且提高可视性。如图2所示，OCA510和偏振片520可以覆盖平坦化层140中的开口。根据一个或更多个实施例的显示设备可以省略偏振片520，例如，如果需要的话，偏振片520可以被省略或被其他元件取代。例如，可以省略偏振片520，并且可以使用黑矩阵和滤色器代替来减少外部光的反射。
此外，包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以共同称为无机绝缘层。如图2所示，此无机绝缘层可以包括与弯曲区域BA对应的开口。即，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以分别包括与弯曲区域BA对应的开口110a、120a和130a，其中，可以将这些开口110a、120a和130a共同称为“开口”。该开口对应于弯曲区域BA可以表示开口覆盖弯曲区域BA。在此，开口的面积可以大于弯曲区域BA的面积。为此，在图2中，开口的宽度OW大于弯曲区域BA的宽度。在此，开口的面积可以限定为缓冲层110的开口110a、栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a的面积中最小的面积。此外，在图2中，开口的面积由缓冲层110中的开口110a的面积(即，开口110a、120a和130a中的最小开口的面积)来限定。
如图2所示，栅极绝缘层120中的开口120a的面积可以大于缓冲层110中的开口110a的面积。然而，一个或更多个实施例不限于此，缓冲层110中的开口110a的内侧表面可以与栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面对应(见图17)。
根据实施例的显示设备包括至少部分地填充无机绝缘层中的开口的有机材料层160。在图2中，有机材料层160完全填充开口，即，覆盖整个开口。此外，根据实施例的显示设备包括从第一区域1A通过弯曲区域BA延伸至第二区域2A并位于有机材料层160上方的导电层215c。如果省略有机材料层160，则导电层215c可以位于诸如层间绝缘层130的无机绝缘层上。可以通过使用与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时形成导电层215c。如果触摸电极如上所述位于包封层400上，则可以通过使用与触摸电极的材料相同的材料与触摸电极同时形成导电层215c。
如上所述，虽然图2为便于描述而示出显示设备未弯曲的状态，但是如图1所示，根据实施例的显示设备实际可以处于基底100在弯曲区域BA处被弯曲的状态。为此，制造显示设备使得基底100如图2所示是平坦的。被制造后，在弯曲区域BA处弯曲基底100使得显示设备可以具有如图1所示的形状。在此，当基底100在弯曲区域BA处被弯曲时，拉应力可以被施加到导电层215c。即使有这种应力，在根据实施例的显示设备中，也可以防止或减少弯曲工艺期间在导电层215c中出现缺陷。
如果包括缓冲层110、栅极绝缘层120和/或层间绝缘层130的无机绝缘层不包括与弯曲区域BA对应的开口，而是从第一区域1A连续延伸至第二区域2A，并且如果导电层215c位于这样的无机绝缘层上，则在使基底100弯曲期间会向导电层215c施加大的拉应力。具体地，由于无机绝缘层具有比有机材料层的硬度大的硬度，因此在弯曲区域BA中的无机绝缘层中容易形成裂纹，当裂纹出现在无机绝缘层中时，裂纹也会出现在无机绝缘层上的导电层215c中，因此极大地增加了在导电层215c中产生诸如断线的缺陷的可能性。
然而，根据实施例的显示设备，无机绝缘层包括与弯曲区域BA对应的开口，导电层215c与弯曲区域BA对应的部分位于至少部分地填充无机绝缘层的该开口的有机材料层160上。由于无机绝缘层具有与弯曲区域BA对应的开口，因此极大地降低了在无机绝缘层中出现裂纹的可能性，并且由于有机材料的特性，有机材料层160不易具有裂纹。因此，可以防止或减少在导电层215c的位于有机材料层160上的部分中出现裂纹，其中，导电层215c的所述部分对应于弯曲区域BA。由于有机材料层160具有比无机材料层的硬度低的硬度，因此有机材料层160可以具有因基底100的弯曲而产生的较小拉应力，从而减少在导电层215c中产生的拉应力的量。
此外，当导电层215c至少在与弯曲区域BA对应的部分中包括多个通孔215d(见图3)时，可以进一步防止或减少对导电层215c的损坏。由于导电层215c包括多个通孔215d，因此改善了导电层215c的柔性，因而即使在弯曲工艺期间出现拉应力时，也可以有效防止在导电层215c中产生诸如断线的缺陷。为便于描述，图2未示出导电层215c中的多个通孔215d。此外，可以理解的是图2仅示出了导电层215c的未包含通孔215d的部分。
除了导电层215c之外，根据实施例的显示设备还可以包括附加导电层213a和213b。附加导电层213a和213b可以位于第一区域1A或第二区域2A中以位于与导电层215c所位于的层水平不同的层水平处，并且可以电连接至导电层215c。在图2中，附加导电层213a和213b示出为位于与薄膜晶体管210的栅电极213相同的层水平处，即，在栅极绝缘层120之上，并通过使用与栅电极213的材料相同的材料形成。此外，导电层215c经由形成在层间绝缘层130中的接触孔接触附加导电层213a和213b。此外，如图2所示，附加导电层213a位于第一区域1A中，附加导电层213b位于第二区域2A中。
第一区域1A中的附加导电层213a可以电连接至显示区域DA中的薄膜晶体管，因此，导电层215c可以经由附加导电层213a电连接至显示区域DA中的薄膜晶体管。此外，第二区域2A中的附加导电层213b可以经由导电层215c电连接至显示区域DA中的薄膜晶体管。如上所述，附加导电层213a和213b可以位于显示区域DA的外部并电连接至显示区域DA中的元件，或者可以位于显示区域DA的外部并朝向显示区域DA延伸以至少部分地位于显示区域DA中。
如上所述，在图2中，为便于描述，显示设备示出为直的或未弯曲。然而，实际上，根据实施例的显示设备实际处于如图1所示的基底100在弯曲区域BA处被弯曲的状态。为实现这一点，首先制造显示设备使得基底100如图2所示为平坦的。随后，在弯曲区域BA处弯曲基底100使得显示设备可以具有如图1所示的形状。在此，在弯曲区域BA处弯曲基底100时，拉应力可以被施加到位于弯曲区域BA中的元件。
因此，由于跨过弯曲区域BA延伸的导电层215c包括具有高伸展率的材料，因此可以防止导电层215c中的诸如裂纹或断线的缺陷。此外，由于具有比导电层215c的伸展率低的伸展率以及与导电层215c的物理性质不同的物理性质的附加导电层213a和213b可以形成在第一区域1A和/或第二区域2A中，因此可以改善显示设备中传输电信号的效率，或者可以降低显示设备的制造工艺期间的缺陷率。例如，附加导电层213a和213b可以包括钼，导电层215c可以包括铝。如果需要的话，导电层215c或附加导电层213a和213b可以具有多层结构。
不同于图2中示出的示例，第二区域2A中的附加导电层213b可以不被平坦化层140完全覆盖，反而可以被至少部分地暴露以电连接至各种电子装置或印刷电路板。
此外，如图2所示，可以考虑使有机材料层160覆盖无机绝缘层中的开口的内侧表面。如上所述，可以通过使用与源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a和漏电极215b同时形成导电层215c，为此，在基底100的整个表面上方形成导电层并使该导电层图案化以形成源电极215a、漏电极215b和导电层215c。如果有机材料层160没有覆盖缓冲层110中的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面或者层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面，则在使导电层图案化时，导电材料不会被去除，而是会保留在缓冲层110中的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面或者层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面上。在此情况下，保留的导电材料会导致与其他导电层之间的短路。
因此，有机材料层160可以覆盖无机绝缘层中的开口的内侧表面。在图2中，有机材料层160示出为具有恒定的厚度，但可以具有根据位置而变化的厚度，使得有机材料层160的上表面中的曲线的倾斜度可以围绕缓冲层110中的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面或层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面变得更慢或更平缓。因此，在源电极215a、漏电极215b和导电层215c的图案化期间可以防止原本应被去除的导电材料的不期望的残留部分。
如图2所示，有机材料层160的上表面(在+z方向上)的至少一部分可以为不均匀表面160a。由于有机材料层160包括不均匀表面160a，因此位于有机材料层160上的导电层215c可以具有与有机材料层160的不均匀表面160a的形状对应的上表面和/或下表面。
如上所述，由于在制造工艺期间使基底100在弯曲区域BA处弯曲时会向导电层215c施加拉应力，因此当导电层215c的上表面和/或下表面具有与有机材料层160的不均匀表面160a对应的形状时，施加到导电层215c的拉应力的量可以减少。即，通过低强度的有机材料层160的变形可以减小在弯曲工艺期间产生的拉应力。更具体地，在弯曲期间，导电层215c的不均匀形状被变形成与有机材料层160的因弯曲操作而变形的形状对应，由此可以有效地防止在导电层215c中产生诸如断线的缺陷。
此外，由于不均匀表面160a设置在有机材料层160的上表面的至少一部分上(在+z方向上)，因此位于开口中的有机材料层160的上表面的表面积以及导电层215c的上表面和下表面的表面积可以增大。有机材料层160的上表面以及导电层215c的上表面和下表面的大的表面积可以表示变形余量大，从而减小由基底100的弯曲而引起的拉应力。
由于导电层215c位于有机材料层160上，因此导电层215c的下表面具有与有机材料层160的不均匀表面160a对应的形状。然而，导电层215c的上表面可以具有不均匀表面，所述不均匀表面具有与有机材料层160的不均匀表面160a的形状不同的形状。
例如，在有机材料层160上形成导电材料层后，将光致抗蚀剂施加到导电材料层，并且通过使用狭缝掩模或半色调掩模，根据光致抗蚀剂上的位置改变曝光量时使光致抗蚀剂显影。因此，蚀刻由于光致抗蚀剂的显影而暴露的导电材料层，之后去除光致抗蚀剂，从而形成导电层215c。由于曝光量根据狭缝掩模或半色调掩模而变化，因此蚀刻导电材料层的程度可以根据导电材料层上的位置而变化。因此，可以在导电层215c的上表面中人工地形成不均匀表面，在这种情况下，导电层215c的上表面可以具有不均匀表面，所述不均匀表面具有与有机材料层160的不均匀表面160a的形状独立的形状。这将被应用于将在后面描述的一个或更多个实施例及其修改示例。即使如上所述地执行在导电层215c的上表面中人工地形成不均匀表面的工艺，但是导电层215c的上表面的不均匀表面可以与有机材料层160的不均匀表面160a对应。
有机材料层160的上表面(在+z方向上)中的不均匀表面160a可以以各种方式形成。例如，可以如上所述地采用光致抗蚀剂材料，从而可以将有机材料层160的上表面的部分蚀刻掉。在此，被过多地蚀刻的部分可以在有机材料层160的上表面中形成凹陷部分。当制造根据实施例的显示设备时使用的方法不限于上述示例。例如，在形成具有平坦上表面的有机材料层160之后，可以通过干蚀刻方法或可以使用各种其他的方法去除特定部分。
为了使有机材料层160在其上表面(在+z方向上)具有不均匀表面160a，有机材料层160可以在上表面(在+z方向上)中具有多个凹槽，其中，凹槽在第一方向(+y方向)上延伸。在此，导电层215c的在有机材料层160上方的上表面具有与有机材料层160的上表面对应的形状。
有机材料层160的不均匀表面160a可以仅被设置在无机绝缘层的开口之内。在图2中，有机材料层160的不均匀表面160a的宽度UEW小于无机绝缘层的开口的宽度OW，使得不均匀表面160a完全位于无机绝缘层中的开口之内。
如果有机材料层160具有贯穿位于无机绝缘层中的开口的内部和外部的不均匀表面160a，则有机材料层160的不均匀表面160a靠近缓冲层110中的开口110a的内表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面。在这种情况下，有机材料层160在凹陷部分可以具有比在突出部分的厚度相对小的厚度，因此，当凹陷部分位于缓冲层110中的开口110a的内表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面周围时，有机材料层160会断线。因此，有机材料层160的不均匀表面160a可以完全放置在无机绝缘层的开口之内，因此，可以防止有机材料层160在缓冲层110中的开口110a的内表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面周围断线。
如上所述，为了不在弯曲区域BA处使导电层215c中产生断线，有机材料层160可以遍布整个弯曲区域BA具有不均匀表面160a。因此，有机材料层160的不均匀表面160a的面积可以比弯曲区域BA的面积大并且比开口的面积小。即，如图2所示，有机材料层160的不均匀表面160a的宽度UEW大于弯曲区域BA的宽度并且小于开口的宽度OW。
此外，弯曲保护层(BPL)600可以位于显示区域DA外部。即，BPL 600可以位于至少与弯曲区域BA对应的导电层215c上方。
当堆叠结构被弯曲时，在堆叠结构中存在应力中和面。如果不存在BPL600，则当基底100被弯曲时，由于导电层215c的位置不会与应力中和面对应，因此过多的拉应力会被施加到弯曲区域BA中的导电层215c。然而，通过形成BPL 600并调整BPL600的厚度和模量，可以调整包括基底100、导电层215c和BPL600的结构中的应力中和面的位置。具体地，可以经由BPL600使应力中和面调整到在导电层215c周围，因此可以减小施加到导电层215c的拉应力。
不同于图2的示例，BPL 600可以延伸至在显示设备中的基底100的端部。例如，在第二区域2A中，导电层215c、附加导电层213b和/或电连接至导电层215c和/或附加导电层213b的其他导电层可以被层间绝缘层130或平坦化层140中的开口至少部分地暴露，从而可以电连接至各种电子装置或印刷电路板。因此，导电层215c、附加导电层213b和/或电连接至导电层215c和213b的其他导电层可具有电连接至例如各种电子装置或印刷电路板的部分。在此，电连接的部分应当优选地被保护以避免受诸如外部湿气的外部杂质的影响。因此，BPL 600可以覆盖电连接的部分，以亦用作保护层。为此，BPL 600可以延伸至例如显示设备的基底100的端部。
此外，在图2中，虽然BPL 600的在朝向显示区域DA的方向(-x方向)上的上表面与偏振片520在+z方向上的上表面一致，但是一个或更多个实施例不限于此。例如，BPL 600在显示区域DA方向(-x方向)上的端部可以部分覆盖偏振片520的端部的上表面。可选择地，BPL 600在显示区域DA方向(-x方向)上的端部可以不接触偏振片520和/或OCA 510。在后一种情况下，在形成BPL 600期间或之后，可以防止从BPL 600产生的气体在朝向显示区域DA方向(-x方向)上扩散，从而防止显示装置300的劣化。
如图2所示，如果BPL 600的在朝向显示区域DA的方向(-x方向)上的上表面与偏振片520在+z方向上的上表面一致，如果BPL 600在显示区域DA方向(-x方向)上的端部部分覆盖偏振片520的端部的上表面，或者如果BPL 600在显示区域DA方向(-x方向)上的端部接触OCA 510，则BPL600的与显示区域DA(-x方向)对应的高度可以大于BPL600的其他部分的高度。由于可以施加液相材料或膏式材料并使其硬化以形成BPL600，因此BPL600的体积可以通过硬化工艺而减小。在此，如果BPL600的与显示区域DA(-x方向)对应的部分与偏振片520和/或OCA510接触，则BPL 600的此部分被固定在某一个最小标高(elevation)，因此，BPL600的剩余部分中发生体积减小。因此，BPL 600的与显示区域DA(-x方向)对应的高度或标高可以大于BPL 600的其他部分的高度或标高。
图3是图1的显示设备的一部分(具体地，导电层215c的一部分)的示意性透视图，图4是沿着图3的线IV-IV截取的导电层215c的示意性剖视图。如图3所示，导电层215c可以包括多个通孔215d。在此，根据实施例的显示设备还可以包括彼此分隔开并至少部分覆盖多个通孔215d的内侧表面的第一保护层217。在图4中，第一保护层217示出为覆盖通孔215d的整个内侧表面。
如上所述，导电层215c在弯曲区域BA中位于有机材料层160上方，包括至少与弯曲区域BA对应的有机材料的层被设置在导电层215c上。在图2中，包括有机材料的平坦化层140位于导电层215c上。与图2中的示例不同的是有机材料可以在其他层而非平坦化层140中，这些其他层可以位于导电层215c上。如上所述，在弯曲区域BA中，当包括有机材料的层位于导电层215c的上方和下方时，导电层215c中的多个通孔215d的内侧表面会接触有机材料。在此情况下，导电层215c中的多个通孔215d的内侧表面和有机材料会彼此反应，因此，导电层215c中的多个通孔215d的内侧表面会被腐蚀。在此情况下，在显示设备的制造期间或之后会出现诸如导电层215c的断线的缺陷。
然而，根据实施例的显示设备包括第一保护层217，第一保护层217至少部分覆盖多个通孔215d的内侧表面。如此，可以防止或减少多个通孔215d的内侧表面与有机材料之间的接触，因此，可以防止或减少多个通孔215d的内侧表面的腐蚀。此外，多个第一保护层217彼此分隔开，从而允许基底100在弯曲区域BA处被弯曲。
第一保护层217防止或减少导电层215c中的多个通孔215d的内侧表面和有机材料之间的接触，因此，第一保护层217包括无机材料而非有机材料。例如，第一保护层217可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
如图4所示，第一保护层217可以覆盖导电层215c中的多个通孔215d的所有内侧表面。在此，如图4所示，第一保护层217可以不覆盖通孔215d的底部的中心部分。反之，如图5所示，图5为根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图，第一保护层217可以覆盖有机材料层160在导电层215c中的多个通孔215d内的所有暴露的上表面。这将结合将在之后描述的其他实施例及其示例进行描述。
图6是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。如图6所示，导电层215c可以具有多层结构。在图6中，导电层215c示出为包括顺序地堆叠在有机材料层160上的第一导电层215c1、第二导电层215c2和第三导电层215c3。在此，第二导电层215c2和有机材料之间的反应可以比第一导电层215c1和有机材料之间或第三导电层215c3和有机材料之间的反应强烈。例如，第一导电层215c1和第三导电层215c3可以包括钛，第二导电层215c2可以包括铝。在这种情况下，第一保护层217可以覆盖第二导电层215c2的在通孔215d内的内侧表面。如此，在第一导电层215c1、第二导电层215c2和第三导电层215c3中与有机材料反应最强烈的第二导电层215c2不直接接触有机材料。因此，可以减少或防止第二导电层215c2的腐蚀。
图7是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。如上面参照图6的描述，根据实施例的显示设备中的导电层215c包括顺序地堆叠在有机材料层160上的第一导电层215c1、第二导电层215c2和第三导电层215c3。在此，第二导电层215c2在通孔215d内的第二内侧表面可以从第一导电层215c1的第一内侧表面和第三导电层215c3的第三内侧表面凹入。
当形成导电层215c时，可以顺序地沉积第一导电材料层、第二导电材料层和第三导电材料层并同时对它们进行图案化以形成导电层215c。在对第一导电材料层至第三导电材料层进行图案化期间，执行蚀刻工艺。此时，如果第二导电材料层的蚀刻率大于第一导电材料层的蚀刻率或第三导电材料层的蚀刻率，则第二导电材料层可以被过蚀刻。因此，如图7所示，第二导电层215c2的第二内侧表面可以比第一导电层215c1的第一内侧表面和第三导电层215c3的第三内侧表面更加凹陷，并从第一导电层215c1的第一内侧表面和第三导电层215c3的第三内侧表面凹进。例如，当第一导电层215c1和第三导电层215c3包括钛，第二导电层215c2包括铝时，多个通孔215d的内侧表面可以均具有如图7所示的形状。
在根据实施例的显示设备中，每个第一保护层217可以覆盖第一导电层215c1的第一内侧表面、第三导电层215c3的第三内侧表面和第二导电层215c2的第二内侧表面中的至少一个。在图7中，第一保护层217覆盖第一导电层215c1的第一内侧表面、第三导电层215c3的第三内侧表面和第二导电层215c2的第二内侧表面中的每个。在此，在每个第一保护层217中，与第二内侧表面对应的部分可以具有比与第一内侧表面和第三内侧表面中的至少一个对应的部分的厚度更大的厚度。这可以通过按以下方式形成第一保护层217来实现，即，使得第一保护层217在填充第二导电层215c2的第二内侧表面的凹陷部分的同时，具有远离第一导电层215c1至第三导电层215c3并且与有机材料层160基本垂直的表面。如此，第一保护层217和导电层215c中的通孔215d之间的接触面积可以增大，此外，第一保护层217的体积可以增大。因此，可以防止在制造期间第一保护层217与导电层215c的不期望的分离或隔离。这将结合下面的其他实施例及其修改示例进一步描述。
图8和图9是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。更具体地，图8是沿图3的线IV-IV截取的显示设备的示意性剖视图，图9是沿图3的线IX-IX截取的显示设备的示意性剖视图。如上所述，当多个通孔215d的内侧表面接触有机材料层时，导电层215c会被腐蚀。此外，导电层215c在+y方向和-y方向上相背对的外表面也接触有机材料，因此，导电层215c会被腐蚀。因此，根据实施例的显示设备还可以包括如图8所示的第二保护层219。第二保护层219对应于弯曲区域BA而彼此分隔开，并可以部分覆盖导电层215c的相背对的外表面。第二保护层219包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料，并防止导电层215c的相背对的外表面与有机材料之间的直接接触。
第二保护层219在导电层215c延伸的方向(x轴方向)上彼此分隔开，因而可以至少部分覆盖导电层215c的与通孔215d相背对的侧表面。因此，如图9所示，在导电层215c的未设置多个通孔215d的部分中，导电层215c的相背对的外表面未被第二保护层219覆盖。
在根据实施例的显示设备中，可以防止或减少导电层215c的设置有通孔215d的外表面的腐蚀。此外，由于第二保护层219在导电层215c延伸的方向上彼此分隔开，因此其未明显增加基底100的硬度，基底100可以在弯曲区域BA充分弯曲。导电层215c的外表面具有未被第二保护层219覆盖并会被腐蚀的部分。然而，导电层215c的该部分不包括参照图3的通孔215d，在相应部分处的导电层215c可以具有足够大的宽度。因此，即使会发生腐蚀，也不会在导电层215c中出现诸如断线的缺陷。其可以被应用到将在之后描述的其他实施例及其修改示例，除非相互矛盾。
图10是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。图10示意性地示出了沿图3的线IV-IV截取的显示设备的剖视图。根据实施例的显示设备中的导电层215c在与弯曲区域BA对应的部分中在靠近基底100处更宽并随着其与基底之间的距离而变窄。具体地，导电层215c包括顺序地堆叠在有机材料层160上的第一导电层215c1、第二导电层215c2和第三导电层215c3，第一导电层215c1在与弯曲区域BA对应的部分中具有比第三导电层215c3的宽度大的宽度。
第二保护层219在导电层215c延伸的方向上彼此分隔开，并部分覆盖导电层215c的相背对的外表面。具体地，如图10所示，在导电层215c的形成有多个通孔215d的部分中，第二保护层219可以至少部分覆盖导电层215c的相背对的外表面。如图9所示，在导电层215c的不存在多个通孔215d的部分中，第二保护层219可以不覆盖导电层215c的相背对的外表面。
在根据实施例的显示设备中，由于导电层215c随着与基底100之间的距离而变窄，因此第二保护层219和导电层215c之间的接触面积可以增大。此外，如果必要的话，第二保护层219的体积可以增大，从而防止在制造期间第二保护层219与导电层215c不期望地分离或隔离。这将结合下面的其他实施例及其修改示例进一步描述。
图11是作为根据实施例的显示设备的一部分的导电层215c的示意性平面图，图12是沿图11的线XII-XII截取的导电层215c的示意性剖视图，图13是沿图11的线XIII-XIII截取的导电层215c的示意性剖视图。
在根据实施例的显示设备中，导电层215c中的多个通孔215d沿导电层215c延伸的方向以行布置。此外，导电层215c的位于导电层215c的延伸中心轴ECA的一侧(-y方向)处的第一边缘215ce1包括与多个通孔215d之间的空间对应的第一凹入部分215cc1。此外，导电层215c的位于延伸中心轴ECA的另一侧(+y方向)处的第二边缘215ce2包括与多个通孔215d之间的空间对应的第二凹入部分215cc2。具体地，如图11所示，第一凹入部分215cc1和第二凹入部分215cc2可以一一对应。
在根据实施例的显示设备中，由图11中的箭头A1和箭头A2表示通孔215d的关于延伸中心轴ECA的方向倾斜角度的边缘。当基底100在弯曲区域BA处被弯曲时，弯曲轴BAX(见图1)接近垂直于导电层215c的延伸中心轴ECA。因此，弯曲可以导致箭头A1和A2关于轴ECA的角度减小，而非拉紧或伸长。因此，在弯曲期间导电层215c中的拉应力减小，可以防止或减少导电层215c中的裂纹或断线的生成。
在此，如图12所示，第二保护层219在导电层215c延伸的方向(x轴方向)上彼此分隔开，并覆盖导电层215c的第一凹入部分215cc1的外表面和第二凹入部分215cc2的外表面。第二保护层219在导电层215c延伸的方向(x轴方向)上彼此分隔开，因此，如图13所示，导电层215c的与通孔215d的中心对应的外表面可以不被第二保护层219覆盖。
如图11所示，由于导电层215c包括第一凹入部分215cc1和第二凹入部分215cc2，所以导电层215c在形成有第一凹入部分215cc1和第二凹入部分215cc2处更窄。因此，如果导电层215c与第一凹入部分215cc1和第二凹入部分215cc2对应的外表面被腐蚀，则在导电层215c中会出现诸如断线的缺陷。然而，在根据实施例的显示设备中，第二保护层219覆盖导电层215c中的第一凹入部分215cc1和第二凹入部分215cc2的外表面。因此，可以防止或减少在导电层215c中相应部分的外表面上的腐蚀。
如果通孔215d的表面不被第二保护层219覆盖，则会发生腐蚀。然而，如图11所示，可以理解的是与导电层215c中的通孔215d对应的部分均具有两条导电路径，因此，即使两条路径中的一条由于腐蚀而损坏，另一条路径也仍可以用作导电路径，从而减少缺陷率。
图14是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图，图15是沿图14的线XV-XV截取的导电层的示意性剖视图，图16是沿图14的线XVI-XVI截取的导电层215c的示意性剖视图。
如图14所示，在根据实施例的显示设备中的导电层215c中，可以沿导电层215c延伸的方向(+x方向)布置多个通孔215d。所述多个通孔215d可以包括具有位于延伸中心轴ECA的一侧(-y方向)的中心的多个第一通孔215d1，以及具有位于延伸中心轴ECA的另一侧(+y方向)的中心的多个第二通孔215d2。在此，多个第一通孔215d1和多个第二通孔215d2沿导电层215c的延伸方向(+x方向)交替设置。此外，导电层215c的位于延伸中心轴ECA的一侧(-y方向)的第一边缘215ce1包括与多个第二通孔215d2对应的第一凹入部分215cc1，导电层215c的位于延伸中心轴ECA的另一侧(+y方向)的第二边缘215ce2包括与多个第一通孔215d1对应的第二凹入部分215cc2。
在此，第二保护层219覆盖导电层215c的第一边缘215ce1的外部或外表面，其中，外表面位于如图15所示的第一凹入部分215cc1之间。第二保护层219也可以覆盖导电层215c的第二边缘215ce2的外表面，其中，外表面位于如图16所示的第二凹入部分215cc2之间。简言之，第二保护层219可以覆盖第一边缘215ce1的外表面的与第一通孔215d1对应的部分，也可以覆盖第二边缘215ce2的外表面的与第二通孔215d2对应的部分。
如图14所示，由于第一通孔215d1和第二通孔215d2彼此交替布置，导电层215c包括第一凹入部分215cc1和第二凹入部分215cc2，第一边缘215ce1的位于第一凹入部分215cc1之间的部分，即，第一边缘215ce1的与第一通孔215d1对应的部分可以提供宽度减少的导电路径。类似地，第二边缘215ce2的位于第二凹入部分215cc2之间的部分，即，第二边缘215ce2的与第二通孔215d2对应的部分也可以提供宽度减少的导电路径。因此，当上述部分中发生腐蚀时，在上述部分的导电路径中产生断线的可能性增加，因此，第二保护层219覆盖上述部分以防止或减少缺陷的产生。
如果第一边缘215ce1的在第一通孔215d1之间的外表面或第二边缘215ce2的在第二通孔215d2之间的外表面未被第二保护层219覆盖，则会发生腐蚀。然而，如图14所示，上述部分具有更大宽度的导电路径，因此可以降低缺陷率。
在上述实施例中，多个通孔215d具有大致正方形的剖面形状，但其不限于此。例如，多个通孔215d可以具有各种其他的剖面形状，例如，圆形、菱形、倒角正方形、倒角菱形、椭圆形或凹口圆形。
此外，在图12、图13、图15和图16的剖视图中，第一保护层217或第二保护层219示出为未覆盖导电层215c的上表面，但本发明的实施例不限于此。即，如图4至图8以及图10所示，第一保护层217或第二保护层219可以部分覆盖导电层215c的上表面。例如，第一保护层217可以覆盖导电层215c的上表面的与通孔215d相邻的部分。第二保护层219也可以覆盖导电层215c的上表面的任何其他部分，例如，与边缘相邻的部分。因此，在很多实施例中，导电层215c中的多个通孔215d的至少内侧表面可以被第一保护层217覆盖。
图17是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。根据实施例的显示设备与上面参照图2描述的显示设备不同之处在于：有机材料层160未与弯曲区域BA整体形成或连续跨过弯曲区域BA，而是包括至少部分地填充无机绝缘层中的开口并彼此分隔开的多个岛状物160b。多个岛状物160b在第一方向(+y方向)上延伸，即，在弯曲轴BAX的方向上延伸，并在与弯曲轴交叉的第二方向(+x方向)上彼此分隔开。
导电层215c覆盖多个岛状物160b，从而导电层215c的位于多个岛状物160b上方的上表面具有与多个岛状物160b的上表面对应的形状。因此，导电层215c的上表面(在+z方向上)的表面积可以比该上表面为平坦时的表面积大。在上述结构中，当存在第一保护层217和/或第二保护层219时，可以防止或减少导电层215c上的腐蚀。在上述实施例中的导电层的结构也可以应用到图17的导电层215c。
此外，上面描述了无机绝缘层包括开口的情况，但一个或更多个实施例不限于此。更具体地，无机绝缘层可以包括各种形状的开口，诸如凹槽。例如，在图2或图17示出的结构中，缓冲层110可以不包括开口，而可以遍布第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A地连续形成。类似地，栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以仅具有开口120a和130a。在此情况下，当缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130被共同称为无机绝缘层时，可以理解的是无机绝缘层包括与弯曲区域BA对应的凹槽而非开口。可以通过一个图案化工艺形成栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a。例如，当接触孔形成在栅极绝缘层120和层间绝缘层130中而使得薄膜晶体管210的源电极215a和漏电极215b可以接触半导体层211时，可以同时形成开口120a和130a。在这种情况下，栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面可以与层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面对应。即，栅极绝缘层120中的开口120a和层间绝缘层130中的开口130a的内表面可以叠置以形成连续的表面。
在这种情况下，上述实施例中的有机材料层160可以理解为至少部分填充无机绝缘层中的凹槽。即，有机材料层160的不均匀表面160a可以位于弯曲区域BA中的缓冲层110的上方，或多个岛状物160b可以位于弯曲区域BA中的缓冲层110的上方。如上所述的导电层215c、第一保护层217和/或第二保护层219的结构也可以应用到此实施例以及其他实施例。
此外，无机绝缘层既不包括开口也不包括凹槽的情况也可以包括在发明构思的范围内。例如，如图18所示，不同于图2中示出的实施例，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以连续地遍布第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A。此外，有机材料层160位于基底100的上方，例如，层间绝缘层130的上方，并且如果需要的话，可以在其至少与弯曲区域BA对应的上表面中具有不均匀表面160a。在此情况下，可以应用如上所述的导电层215c、第一保护层217和/或第二保护层219的结构。
此外，不同于参照图17所示出的示例，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以连续地遍布第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A，至少与弯曲区域BA对应并彼此分隔开的多个岛状物160b可以位于基底100的上方，例如，在图18的示例中位于设置有不均匀表面160a处。在此情况下，可以应用如上所述的导电层215c、第一保护层217和/或第二保护层219的结构。
图19是根据实施例的显示设备的一部分(具体地，基底100)的示意性透视图。参照上述实施例描述的弯曲区域BA在图19中示出为第一弯曲区域1BA，基底100在第一弯曲区域1BA处关于第一弯曲轴1BAX弯曲。
不同于参照图1示出的示例，根据实施例的显示设备除了第一弯曲区域1BA之外，还包括第二弯曲区域2BA。第二弯曲区域2BA位于第一区域1A内。类似于基底100在第一弯曲区域1BA处关于沿第一方向(+y方向)延伸的第一弯曲轴1BAX弯曲，基底100也关于沿第二方向(+x方向)延伸的第二弯曲轴2BAX被弯曲。在此，基底100的转角被斜切，其中，转角最靠近第一弯曲轴1BAX和第二弯曲轴2BAX彼此交叉的部位，使得基底100的此转角具有斜切的部分CP。由于存在斜切的部分CP，因此基底100可以关于第一弯曲轴1BAX和第二弯曲轴2BAX弯曲。
在此，基底100在第一弯曲区域1BA处的曲率半径R1小于基底100在第二弯曲区域2BA处的曲率半径R2。可以理解的是基底100在第二弯曲区域2BA处比在第一弯曲区域1BA处弯曲得更加缓和。因此，在第二弯曲区域2BA处，施加到显示设备的组件的拉应力相对小于施加到第一弯曲区域1BA中的组件的拉应力。因此，以上参照上面实施例描述的无机绝缘层可以至少在包括第二弯曲区域2BA的部分是连续的。在此，无机绝缘层的至少一部分必须连续的原因是无机绝缘层在第一区域1A内可以具有使上导电层和下导电层电连接的接触孔。该接触孔在平面图中示出为圆形、椭圆形、正方形或者其类似的形状，开口或者凹槽可以在平面图中示出为具有非常大的长宽比的矩形。如果需要的话，无机绝缘层也可以在第二弯曲区域2BA中具有开口或者凹槽。此外，上述有机材料层160和导电层215c可以位于第二弯曲区域2BA内。
图19示出了显示设备除了第一弯曲区域1BA之外还包括第二弯曲区域2BA，但是一个或更多个实施例不限于此。例如，如图20所示，图20是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图，除了第一弯曲区域1BA和第二弯曲区域2BA之外，显示设备还可以包括第三弯曲区域3BA和第四弯曲区域4BA。在此实施例中，可以理解的是，显示设备的四条边缘全部被弯曲。在此，第三弯曲区域3BA和第四弯曲区域4BA可以具有与第二弯曲区域2BA的结构相似或相同的结构。
在此实施例的显示设备中，显示设备可以在第二弯曲区域2BA至第四弯曲区域4BA处被弯曲，因此，当用户观看显示设备的显示屏时，用户可以察觉到外围区域的未执行显示操作并包括焊盘的部分已经减少。不同于图20示出的示例，基底100可以可选择地以一个或更多个与第一弯曲区域1BA的曲率半径相同或相似的曲率半径弯曲。
图21是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图。如图21中所示，当导电层215c在弯曲区域BA中包括多个通孔215d时，彼此分隔开的第一保护层217可以在弯曲区域BA的中心处至少部分覆盖通孔215d的内侧表面。此外，附加保护层217a和217b设置在除弯曲区域BA的中心之外的部分上，即，设置在与第一区域1A相邻的部分上或与第二区域2A相邻的部分上，未被图案化的附加保护层217a和217b可以覆盖导电层215c。这样的附加保护层217a和217b可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料。在这样的构造中，可以避免附加保护层217a和217b中的大应力，因为附加保护层217a和217b未设置在弯曲区域BA的中心处，因此即使当基底100被弯曲时也不会出现裂纹。
根据一个或更多个实施例，显示设备能够在制造期间减少诸如断线的缺陷的产生，同时确保显示设备更长的使用寿命。然而，一个或更多个实施例的范围不限于上述效果。
应理解的是，在此描述的示例性实施例应仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。在每个示例性实施例中对特征或方面的描述通常应被认为可以用于其他示例性实施例中的其他相似特征或方面。例如，在前述实施例中描述的是基底在弯曲区域被弯曲。然而，本发明不限于此，基底在弯曲区域可以为可弯曲的。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域技术人员将理解的是在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下可以对其做出形式和细节上的各种改变。上述和其他实施例的各种特征可以各种方式被混合以及配合，从而产生与本发明一致的另外的实施例。

Claims (10)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，所述基底的所述弯曲区域关于弯曲轴被弯曲或为可弯曲的；
有机材料层，至少与所述弯曲区域对应地设置在所述基底上；
导电层，从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸至所述第二区域，设置于所述有机材料层上方，并包括与所述弯曲区域对应设置的多个通孔，
第一保护层，彼此分隔开以至少部分覆盖所述多个通孔的侧面。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一保护层包括无机材料。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一保护层基本完全覆盖所述多个通孔的所述侧面。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一保护层覆盖所述多个通孔的所述侧面和所述有机材料层的上表面，其中，所述上表面经由所述多个通孔暴露。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述导电层具有多层结构。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述导电层包括顺序堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第二导电层与有机材料的反应比所述第一导电层与有机材料的反应以及所述第三导电层与有机材料的反应强烈，所述第一保护层至少覆盖所述侧面的与所述第二导电层对应的部分。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中：
所述导电层包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，
在所述通孔内，所述第二导电层的表面从所述第一导电层和所述第三导电层的表面凹进。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一保护层覆盖所述第二导电层的表面以及覆盖所述第一导电层和所述第三导电层中的至少一个的表面，所述第一保护层的覆盖所述第二导电层的所述表面的部分的厚度大于所述第一保护层的覆盖所述第一导电层和所述第三导电层中的所述至少一个的所述表面的部分的厚度。
9.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
第二保护层，在所述弯曲区域中彼此分隔开，以部分覆盖所述导电层的相背对的外表面。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二保护层包括无机材料。
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