CN110349998A - 显示设备 - Google Patents
显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110349998A CN110349998A CN201910272053.1A CN201910272053A CN110349998A CN 110349998 A CN110349998 A CN 110349998A CN 201910272053 A CN201910272053 A CN 201910272053A CN 110349998 A CN110349998 A CN 110349998A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- display equipment
- electrode
- equipment according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 546
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 23
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IOJNPSPGHUEJAQ-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-4-(pyridin-2-yldiazenyl)aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=CC=CC=N1 IOJNPSPGHUEJAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N Cellulose propionate Chemical compound CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- -1 it is all Such as Polymers 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开涉及一种显示设备,所述显示设备包括:基底,所述基底包括显示区域和设置在所述显示区域外部的外围区域;多个布线,所述多个布线设置在所述外围区域中;和层间绝缘层,所述层间绝缘层覆盖所述多个布线。所述层间绝缘层包括具有与所述多个布线对应的第一凹凸表面的上表面。所述显示设备还包括:第一导电层,所述第一导电层设置在所述层间绝缘层上并且包括具有与所述第一凹凸表面对应的第二凹凸表面的第二上表面;平坦化层,所述平坦化层设置在所述第一导电层上并且具有平坦的上表面;第二导电层,所述第二导电层设置在所述平坦化层上并且具有平坦的上表面;和偏光板,所述偏光板设置在所述第二导电层上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年4月6日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0040599号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
示例性实施例涉及显示设备,并且更具体地涉及能够防止或减小由外部光导致的图像质量劣化的显示设备。
背景技术
显示设备具有其中设置有像素的显示区域。诸如用于传输待被施加到位于显示区域中的像素的电信号的布线或电路单元等的组件位于显示区域外部的外围区域中。外部光可由布线反射,并且这种反射可导致由用户见到的图像的质量劣化。
发明内容
示例性实施例包括能够防止由外部光导致的图像质量劣化的显示设备。
根据示例性实施例,显示设备包括:基底,所述基底包括显示区域和设置在所述显示区域外部的外围区域;多个布线,所述多个布线设置在所述外围区域中;和层间绝缘层,所述层间绝缘层覆盖所述多个布线。所述层间绝缘层包括具有与所述多个布线对应的第一凹凸表面的上表面。所述显示设备还包括:第一导电层,所述第一导电层设置在所述层间绝缘层上并且包括具有与所述第一凹凸表面对应的第二凹凸表面的第二上表面;平坦化层,所述平坦化层设置在所述第一导电层上并且具有平坦的上表面;第二导电层,所述第二导电层设置在所述平坦化层上并且具有平坦的上表面;和偏光板,所述偏光板设置在所述第二导电层上。
在示例性实施例中,所述多个布线包括多个第一布线和多个第二布线。
在示例性实施例中,所述多个第一布线和所述多个第二布线交替设置。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括:第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层设置在所述多个第一布线下方;和第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层设置在所述层间绝缘层下方并且覆盖所述多个第一布线。所述多个第二布线设置在所述第二栅极绝缘层上并且对应于所述多个第一布线之间的空间。
在示例性实施例中,所述第二导电层包括设置在所述多个布线上方的通孔。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括附加的绝缘层,所述附加的绝缘层填充所述通孔。
在示例性实施例中,所述附加的绝缘层设置在所述第二导电层和所述偏光板之间。
在示例性实施例中,所述附加的绝缘层暴露所述第二导电层的所述上表面的至少一部分。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括:发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极。所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠,并且所述对电极延伸到所述外围区域并且接触所述第二导电层的所述上表面。
在示例性实施例中,所述第二导电层电连接到所述第一导电层。
在示例性实施例中,所述第二导电层包括彼此间隔开的第一部分和第二部分。
在示例性实施例中,所述第一部分和所述第二部分之间的空间与所述多个布线中的一个对准。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括填充所述第一部分和所述第二部分之间的空间的附加的绝缘层。
在示例性实施例中,所述附加的绝缘层设置在所述第二导电层和所述偏光板之间。
在示例性实施例中,所述附加的绝缘层暴露所述第一部分的上表面的至少一部分。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括:发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极。所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠,并且所述对电极延伸到所述外围区域并且接触所述第一部分的所述上表面。
在示例性实施例中,所述第一部分电连接到所述第一导电层。
在示例性实施例中,所述第二部分电连接到所述像素电极。
在示例性实施例中,所述第二导电层包括多个互连线。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括填充所述多个互连线之间的空间的附加的绝缘层。
在示例性实施例中,所述附加的绝缘层设置在所述第二导电层和所述偏光板之间。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括设置在所述外围区域中的驱动电路。所述驱动电路产生待施加到设置在所述显示区域中的多个显示器件的电信号,并且所述多个互连线电连接到所述驱动电路。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括:附加的绝缘层,所述附加的绝缘层设置在所述第二导电层和所述偏光板之间并且具有平坦的上表面;和第三导电层,所述第三导电层设置在所述附加的绝缘层和所述偏光板之间并且具有平坦的上表面。
在示例性实施例中,所述第三导电层包括多个附加的布线,并且设置在所述多个附加的布线之间的多个空间设置在所述多个互连线上方。
在示例性实施例中,所述第三导电层包括彼此间隔开的第一部分和第二部分。
在示例性实施例中,所述第一部分和所述第二部分之间的空间设置在所述多个互连线上方。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括:发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极。所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠,并且所述对电极延伸到所述外围区域并且接触所述第一部分的上表面。
在示例性实施例中,所述第一部分电连接到所述第一导电层。
在示例性实施例中,所述第二部分电连接到所述像素电极。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括:发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极。所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠,并且所述第二导电层与所述像素电极设置在同一层上。
在示例性实施例中,所述显示设备还包括:发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极。所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠。所述显示设备还包括:第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管设置在所述发光器件下方,并且包括第一栅电极和设置在所述第一栅电极上方的第一源电极。所述显示设备还包括:中间导电层,所述中间导电层设置在所述第一源电极和所述发光器件之间。所述第一导电层与所述第一源电极设置在同一层上,并且所述第二导电层与所述中间导电层设置在同一层上。
在示例性实施例中,所述中间导电层是第二源电极。
根据示例性实施例,显示设备包括:基底,所述基底包括显示区域和设置在所述显示区域外部的外围区域;层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述外围区域中并且包括具有第一凹凸表面的上表面;第一导电层,所述第一导电层设置在所述层间绝缘层上并且包括具有与所述第一凹凸表面对应的第二凹凸表面的上表面;平坦化层,所述平坦化层设置在所述第一导电层上并且具有平坦的上表面;第二导电层,所述第二导电层设置在所述平坦化层上并且具有平坦的上表面;和偏光板,所述偏光板设置在所述第二导电层上。
根据如上所述的示例性实施例,可实现能够防止由外部光导致的图像质量劣化的显示设备。然而,本公开的范围不限于此。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例,本公开的以上和其他方面将变得更明显,在附图中:
图1是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性概念图;
图2是图1的显示设备的部分A的示意性概念图;
图3是沿着图2的线III-III截取的示意性剖视图;
图4是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图5是图4的显示设备的一部分的示意性平面图;
图6是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图7是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图8是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图9是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图10是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图11是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图12是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图13是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图14是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图15是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图16是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图17是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图18是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图19是根据示例性实施例的显示设备的像素的示意性电路图。
具体实施方式
下文中,将参照附图更充分地描述示例性实施例。同样的附图标记可在所有附图中指示同样的元件。在图中,无论图号如何,相同或对应的元件由相同的附图标记表示,并且省略了多余的说明。
将理解的是,除非另有明确说明,否则当诸如层、膜、区域或基底的元件被描述为“在”另一元件“上”时,该元件可以“直接”在该另一元件上,或者也可以存在中间元件。
在本公开中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴并且可以以更广泛的含义来解释。在示例性实施例中,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或者可以代表彼此不垂直的不同方向。
将理解的是,文中使用术语“第一”、“第二”或“第三”等来区分一个元件与另一元件,并且所述元件不受这些术语的限制。因此,在示例性实施例中的“第一”元件可在另一示例性实施例中被描述为“第二”元件。
图1是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性概念图。图2是图1的显示设备的部分A的示意性概念图。
如图1中所示,根据示例性实施例的显示设备包括基底,所述基底包括其中设置有多个像素的显示区域DA和设置在显示区域DA周围的外围区域PA。外围区域PA包括各种电子装置可电连接到的焊盘区域PADA,所述各种电子装置诸如是集成电路(IC)或印刷电路板(PCB)等。
可将图1理解为示出在显示设备的制造期间的基底的平面图。在诸如完全制造的显示设备或包括显示设备的智能电话等的电子装置中,为了最小化或减小由用户识别的外围区域PA的面积,基底等的一部分可弯曲。例如,如图1和图2中所示,基底可具有在x轴方向上具有不同的宽度的部分,并且基底可在窄的部分处(相对于平行于x轴的弯曲轴)弯曲。在此情况下,焊盘区域PADA的至少一部分可与显示区域DA重叠。将弯曲方向设置为使得焊盘区域PADA不覆盖显示区域DA而是位于显示区域DA后面。因此,用户识别出显示区域DA占用大部分显示设备。
基底可包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料。例如,基底可包括聚合树脂,诸如,聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。基底可具有多层结构,所述多层结构包括包含聚合树脂的两个层和介于所述两个层之间的包含无机材料(例如,氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等)的阻挡层。以此方式,可进行各种修改。在其中不要求显示设备弯曲的情况下,基底可包括玻璃。
显示区域DA的边缘可具有类似于矩形或正方形的形状。例如,显示区域DA可包括彼此相对的第一边缘E1和第二边缘E2以及彼此相对且位于第一边缘E1和第二边缘E2之间的第三边缘E3和第四边缘E4。焊盘区域PADA与第四边缘E4相邻。在此情况下,将第一边缘E1连接到第四边缘E4的第一部分可具有弧形形状。此外,将第二边缘E2连接到第四边缘E4的第二部分也可具有弧形形状。此外,显示区域DA可在除了第一部分和第二部分之外的部分处具有弧形形状。
图3是沿着图2的线III-III截取的示意性剖视图。图3是示出图2中的彼此间隔开的部分的剖视图,因此不示出相邻的组件。例如,图3示出像素PX1和像素PX2。参照图3,像素PX1和像素PX2彼此不接近(例如,彼此不直接相邻)。此外,图3是示出图2中的彼此间隔开的部分的剖视图,因此,间隔开的部分的剖面可不在同一方向上。例如,像素PX1的剖面可不与多个布线PL的剖面的平面在同一平面上。例如,为便于示出,将图2中的线III-III示出为直线,然而,实际上,图2中的线III-III可以是曲线或弯曲数次的线。可将图3理解为示出在图2的显示区域DA中的像素PX1和像素PX2以及图2的外围区域PA中的多个布线PL中的一些布线PL的剖视图。
如图3中所示,在示例性实施例中,第一显示器件310和第二显示器件320以及电连接到第一显示器件310和第二显示器件320的第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220可位于基底100的显示区域DA中。第一显示器件310和第二显示器件320例如可以是有机发光器件。可将电连接到第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的有机发光器件理解为分别电连接到第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的第一像素电极311和第二像素电极321。
根据示例性实施例,图3示出这样的示例,在所述示例中,第一薄膜晶体管210位于第一像素PX1中,第二薄膜晶体管220位于第二像素PX2中,第一显示器件310电连接到第一薄膜晶体管210,并且第二显示器件320电连接到第二薄膜晶体管220。下文中,为便于说明,将描述第一薄膜晶体管210和第一显示器件310。该描述同样可适用于第二薄膜晶体管220和第二显示器件320。例如,将省略第二薄膜晶体管220的第二半导体层221、第二栅电极223、第二源电极225a和第二漏电极225b的描述以及第二显示器件320的第二像素电极321、对电极325、中间层323的描述。在示例性实施例中,第二显示器件320的对电极325可与第一显示器件310的对电极315一体形成。
第一薄膜晶体管210可包括第一半导体层211、第一栅电极213、第一源电极215a和第一漏电极215b。第一半导体层211例如可包括非晶硅、晶体硅或有机半导体材料。为确保第一半导体层211和第一栅电极213之间的绝缘,在第一半导体层211和第一栅电极213之间可设有第一栅极绝缘层121。第一栅极绝缘层121例如可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。第一层间绝缘层131可设置在第一栅电极213上方并且例如可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。第一源电极215a和第一漏电极215b可设置在第一层间绝缘层131上。这种包括无机材料的绝缘层可例如经由化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。这同样可适用于有待后面描述的示例性实施例及其修改。
第一栅电极213、第一源电极215a和第一漏电极215b可包括各种导电材料。例如,第一栅电极213可包括钼(Mo)或铝(Al),并且在示例性实施例中,可具有多层结构。在示例性实施例中,第一栅电极213可以是包括Mo层、Al层和Mo层的三层结构。第一源电极215a和第一漏电极215b例如可包括钛(Ti)或Al。根据示例性实施例,第一源电极215a和第一漏电极215b中的每个可具有多层结构。在示例性实施例中,第一源电极215a和第一漏电极215b中的每个可以是例如包括Ti层、Al层和Ti层的三层结构。然而,将理解的是,示例性实施例不限于此。
缓冲层110可设置在第一薄膜晶体管210和基底100之间,并且可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可提高基底100的上表面的平滑度,并且可防止或减小杂质从基底100渗入第一薄膜晶体管210的第一半导体层211中。
平坦化层140可设置在第一薄膜晶体管210上。在示例性实施例中,如图3中所示,当有机发光器件设置在第一薄膜晶体管210上方时,平坦化层140可使覆盖第一薄膜晶体管210的保护层的上部平坦化。平坦化层140可包括诸如苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅醚(HMDSO)的有机材料。虽然在图3中将平坦化层140示出为单层,但是可对平坦化层140进行各种修改。例如,在示例性实施例中,平坦化层140可以是多个层的堆叠。
第一显示器件310可位于基底100的显示区域DA中的平坦化层140上。在示例性实施例中,第一显示器件310可以是具有第一像素电极311、对电极315以及设置在第一像素电极311和对电极315之间的中间层313的有机发光器件。中间层313可包括发射层。如图3中所示,第一像素电极311可经由形成在平坦化层140中的开口接触第一源电极215a和第一漏电极215b中的一个,并且电连接到第一薄膜晶体管210。第一像素电极311例如可包括ITO、IZO或In2O3。必要时,第一像素电极311可包括与前述材料不同的材料。在示例性实施例中,第一像素电极311可包括诸如Al或铜(Cu)的金属。
像素限定层150可设置在平坦化层140上方。像素限定层150通过包括与子像素对应的各个开口来限定像素。例如,像素限定层150可包括开口,通过该开口暴露第一像素电极311的至少中央部分。在如图3中所示的这种情况下,像素限定层150通过增加第一像素电极311的边缘和布置在第一像素电极311上方的对电极315之间的距离来防止在第一像素电极311的边缘上发生电弧等。像素限定层150可包括诸如PI或HMDSO的有机材料。
有机发光器件的中间层313可包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层313包括低分子量材料时,中间层313可具有这样的结构,在所述结构中,空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)堆叠在单个结构或复合结构中。中间层313例如可通过真空沉积形成。当中间层313包括高分子量材料时,中间层313可具有包括HTL和EML的结构。在此情况下,HTL可包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT),并且EML可包括诸如基于聚对苯撑乙烯(PPV)的材料或基于聚芴的材料的高分子量材料。中间层313可例如通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)等形成。中间层313不限于上述结构,并且可具有各种其他结构中的任何结构。中间层313可包括覆盖多个第一像素电极311和第二像素电极321的单层,或者可包括分别与多个第一像素电极311和第二像素电极321对应的图案化的层。
对电极315可设置在显示区域DA上方并且可覆盖显示区域DA。例如,对电极315可形成为构成多个有机发光器件的单体,因此,可对应于多个第一像素电极311和第二像素电极321。
多个布线PL可设置在外围区域PA中的第一栅极绝缘层121上。在此情况下,在显示设备的制造期间,多个布线PL可通过使用与第一栅电极213的材料相同的材料与第一薄膜晶体管210的第一栅电极213同时形成。多个布线PL可传输待施加到位于显示区域DA中的第一像素PX1或第二像素PX2的电信号,或者可传输待施加到位于显示区域DA外部的外围区域PA中的电路单元的电信号。位于外围区域PA中的电路单元例如可以是移位寄存器,所述移位寄存器产生待施加到如后面将参照图19描述的位于显示区域DA内的扫描线SL的扫描信号。
如同第一层间绝缘层131覆盖显示区域DA中的第一栅电极213和第二栅电极223,第一层间绝缘层131覆盖外围区域PA中的多个布线PL。例如,第一层间绝缘层131可从显示区域DA延伸到外围区域PA。如上所述,由于第一层间绝缘层131包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料,因此第一层间绝缘层131的上表面具有与位于第一层间绝缘层131下方的组件对应的形状。例如,由于多个布线PL设置在第一层间绝缘层131下方,因此第一层间绝缘层131的上表面具有与多个布线PL对应的凹凸表面。这里,第一层间绝缘层131的上表面的凹凸表面可称作第一凹凸表面。此外,这里,术语“凹凸表面”和“凹凸图案”可以可交换地使用。
第一凹凸表面不仅仅意指存在被任意包括在表面上的随机区域中的凸部和凹部。随着显示设备的分辨率提高,传输待施加到显示区域DA或者设置在显示区域DA外部的驱动电路单元的电信号的布线PL的数量也增加。由显示设备中的显示区域DA占用的面积的比例的增加可通过减小外围区域PA的面积来实现。因此,传输电信号的多个布线PL之间的间隔减小。因此,参照图3,第一层间绝缘层131的上表面的凹凸表面在与多个布线PL之间的空间对应的位置处具有“V”形谷。因此,根据示例性实施例,凹凸表面意指如上所述的在与多个布线PL之间的空间对应的位置处具有“V”形谷的表面。这一点在有待后面描述的示例性实施例以及其修改中相同。例如,如图3中所示,在示例性实施例中,第一层间绝缘层131的上表面在位于相邻布线PL之间的每个区域中包括“V”形谷。在示例性实施例中,形成凹凸表面的“V”形谷仅设置在位于相邻布线PL之间的区域中,且不设置在与布线PL重叠的区域中。因此,在示例性实施例中,形成第一层间绝缘层131的上表面的凹凸表面的“V”形谷不与设置在第一层间绝缘层131下方的布线PL中的任何布线PL重叠。
在外围区域PA中,第一导电层1CL位于第一层间绝缘层131上。如上所述,由于第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b位于显示区域DA中的第一层间绝缘层131上,因此在显示设备的制造期间,第一导电层1CL可通过使用与用于第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b的材料相同的材料与第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b同时形成。如上所述,第一层间绝缘层131的上表面具有与多个布线PL对应的凹凸表面。即,第一层间绝缘层131的上表面包括设置在相邻布线PL之间的位置中的“V”形谷。因此,形成在第一层间绝缘层131上的第一导电层1CL的上表面具有与第一层间绝缘层131的上表面的凹凸表面(这里称作第一凹凸表面)对应的凹凸表面(这里称作第二凹凸表面)。例如,如图3中所示,在示例性实施例中,第二凹凸表面的“V”形谷与第一凹凸表面的“V”形谷对准。因此,在示例性实施例中,第二凹凸表面的“V”形谷和第一凹凸表面的“V”形谷两者均设置在相邻布线PL之间(和上方)的位置中。
平坦化层140位于包括具有第二凹凸表面的上表面的第一导电层1CL上。在显示区域DA中,平坦化层140设置在第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220上。因此,即使当第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220设置在平坦化层140下方时,包括有机材料的平坦化层140仍具有大致平坦的上表面。此外,在外围区域PA中,平坦化层140位于包括具有第二凹凸表面的上表面的第一导电层1CL上,并且平坦化层140的上表面具有大致平坦的形状。在显示设备的制造期间,外围区域PA中的平坦化层140可通过使用相同的材料与显示区域DA中的平坦化层140同时形成。因此,外围区域PA中的平坦化层140可具有与显示区域DA中的平坦化层140的结构相同的结构。平坦化层140可具有从显示区域DA至外围区域PA延伸的单体结构,或者可具有在外围区域PA内的不连续部分。
这里,如将由本领域普通技术人员理解地,当将表面或表面的一部分描述为大致平坦时,将理解的是,表面或者表面的一部分完全平坦或者几乎平坦(例如,在测量误差内)。此外,在示例性实施例中,当将凹凸表面描述为包括“V”形谷时,表面的不包括“V”形谷的部分是表面的大致平坦部分。因此,在示例性实施例中,凹凸表面的大致平坦部分指的是凹凸表面的不包括任何“V”形谷的部分。
在外围区域PA中,第二导电层2CL位于平坦化层140上。由于平坦化层140的上表面是大致平坦的,因此第二导电层2CL的上表面也具有大致平坦形状。由于第一像素电极311和第二像素电极321位于显示区域DA中的平坦化层140上,因此,在显示设备的制造期间,第二导电层2CL可通过使用与第一像素电极311和第二像素电极321的材料相同的材料在与第一像素电极311和第二像素电极321相同的层中与第一像素电极311和第二像素电极321同时形成。
偏光板400位于第二导电层2CL上方。偏光板400减小了入射在显示设备上的外部光反射的程度。因此,当用户看见图像时,可防止或减小在显示区域DA中显示的图像的可见度劣化。例如,作为入射在偏光板400上的光的一部分的第一光进入偏光板400、被第二导电层2CL的上表面反射并且经由偏光板400被发射回显示设备的外部。此外,作为入射在偏光板400上的光的另一部分的第二光被偏光板400的上表面反射。此时,当第一光通过偏光板400两次时,第一光的相位改变,因此,可与第二光的相位相反。因此,第一光和第二光彼此相消干涉,因此,当用户看见显示区域DA中显示的图像时,可有效防止或减小在显示区域DA中显示的图像的可见度被外部光劣化。在显示区域DA中,对电极315和325可用作第二导电层2CL。
如果在外围区域PA中不存在具有平坦的上表面的第二导电层2CL,则通过偏光板400透射的第一光由偏光板400下方的第一导电层1CL的上表面反射。然而,如上所述,第一导电层1CL的上表面包括第二凹凸表面。因此,第一光的入射在第二凹凸表面上的部分被漫反射,因此,可不促进与由偏光板400反射的第二光的相消干涉。例如,如图3中所示,当第一光由第二凹凸表面的“V”形谷反射而不由第二凹凸表面的相对平坦的上表面(例如,不包括“V”形谷的大致平坦表面)反射时,第一光被漫反射,因此,在第一光和由偏光板400反射的第二光之间可不发生相消干涉。当用户看见在外围区域PA中反射的外部光时,即使在外围区域PA中不显示图像,在用户看见在显示区域DA中显示的图像时,在显示区域DA中显示的图像的可见度也可由于外部光而劣化。
此外,由于第二凹凸表面由设置在第二凹凸表面下方的多个布线PL形成,因此,第二凹凸表面的对光漫反射的部分因而是与设置在第二凹凸表面下方的多个布线PL对应的部分。因此,当用户识别出漫反射的光时,这导致与用户识别出设置在第二凹凸表面下方的多个布线PL的形状相同的后果。当然,这使得显示设备的整个图像可见度劣化。
然而,如上所述,在根据图3的示例性实施例的显示设备中,具有大致平坦上表面的平坦化层140覆盖第一导电层1CL,并且具有大致平坦上表面的第二导电层2CL位于平坦化层140上。因此,可有效防止或减小如上所述的图像可见度劣化。
在图3中,没有元件示出为位于第二导电层2CL和偏光板400之间。然而,将理解的是,这仅仅是为了便于示出,可将各种组件设置在覆盖第二导电层2CL的像素限定层150和偏光板400之间。由于有机发光器件可由外部湿气或氧等损坏,因此包封层可覆盖和保护这些有机发光器件。由于包封层可覆盖显示区域DA并且在外围区域PA的至少一部分上方延伸,因此包封层也可位于第二导电层2CL和偏光板400之间。包封层例如可包括第一无机包封层、有机包封层和第二无机包封层。在示例性实施例中,除包封层以外的各种组件也可位于第二导电层2CL和偏光板400之间。
图4是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。根据图4的示例性实施例的显示设备与以上参照图3描述的显示设备的不同之处在于第二导电层2CL具有通孔TH。
如上所述,平坦化层140位于包括具有第二凹凸表面的上表面的第一导电层1CL上。此外,由于平坦化层140包括有机材料,因此,即使当具有第二凹凸表面的第一导电层1CL设置在平坦化层140下方时,平坦化层140的上表面也具有大致平坦形状。由于平坦化层140包括有机材料,因此在形成平坦化层140之后的制造工艺期间或者在完成制造工艺之后的使用期间,可由平坦化层140产生气体。当未将该气体排放到外部时,平坦化层140可随后膨胀。这可导致在设置在平坦化层140上方或下方的导电层或布线中发生缺陷。允许将所产生的气体排放到外部可防止这些缺陷发生。
在根据图4的示例性实施例的显示设备中,第二导电层2CL包括通孔TH。因此,由具有有机材料的平坦化层140产生的气体可经由通孔TH排放到外部,因此,可有效防止或减小如上所述的缺陷的发生。
第二导电层2CL的通孔TH可位于多个布线PL上方。如上所述,第二导电层2CL反射通过偏光板400透射的光并且通过偏光板400再次透射所述光。然而,由于第二导电层2CL包括通孔TH,因此当通过偏光板400透射的光穿过通孔TH时,所述光不由第二导电层2CL反射,而是由位于第二导电层2CL下方的导电层反射。如上所述,第一导电层1CL的上表面具有第二凹凸表面。当光由第一导电层1CL的第二凹凸表面的相对平坦的部分反射时,可不发生图像可见度劣化。然而,如上所述,当光由“V”形谷反射而不是由第二凹凸表面的相对平坦的部分反射时,光被漫反射,这可劣化图像可见度。因此,在示例性实施例中,通孔TH位于多个布线PL上方,使得即使穿过通孔TH的光由第一导电层1CL的上表面反射,所述光也是由相对平坦的上表面反射。因此,穿过通孔TH的光可由第一导电层1CL的上表面的相对平坦的部分反射,而不是由第一导电层1CL的上表面的“V”形谷反射,从而防止或减小图像可见度劣化。
第二导电层2CL中的通孔TH可具有各种形状。例如,如作为根据示例性实施例的第二导电层2CL的示意性平面图的图5中所示,第二导电层2CL可具有通孔TH,所述通孔TH具有大致圆形形状。可替代地,如作为根据示例性实施例的第二导电层2CL的示意性平面图的图6中所示,通孔TH在平面图中可具有诸如正方形或三角形的各种形状,并且通孔TH的尺寸还可根据通孔TH的位置而改变。此外,如作为根据示例性实施例的第二导电层2CL的示意性平面图的图7中所示,第二导电层2CL不包括示例性实施例中的通孔TH,而是包括彼此间隔开的多个布线。
图8是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。根据图8的示例性实施例的显示设备与以上参照图4描述的显示设备的不同之处在于,根据图8的示例性实施例的显示设备还包括填充第二导电层2CL的通孔TH的附加的绝缘层AIL。如图8中所示,附加的绝缘层AIL可设置在第二导电层2CL和偏光板400之间。
如上所述,第二导电层2CL可通过使用与第一像素电极311和第二像素电极321的材料相同的材料与显示区域DA中的第一像素电极311和第二像素电极321同时形成在平坦化层140上。如上所述,覆盖第一像素电极311和第二像素电极321的边缘的像素限定层150位于显示区域DA中。因此,当形成像素限定层150时,附加的绝缘层AIL可通过使用与像素限定层150的材料相同的材料与像素限定层150同时形成。此外,附加的绝缘层AIL可与像素限定层150一体形成。在此情况下,可将附加的绝缘层AIL理解为像素限定层150的延伸到显示区域DA外部的部分。
图8的示例性实施例不限于此。例如,在示例性实施例中,附加的绝缘层AIL不包括与像素限定层150相同的材料,并且可包括无机材料。在待后面描述的示出的示例性实施例的图中,为了方便起见,示出了附加的绝缘层AIL不包括与像素限定层150相同的材料。然而,在待后面描述的示例性实施例中,附加的绝缘层AIL可包括与像素限定层150相同的材料,并且附加的绝缘层AIL的高度可与像素限定层150的高度相同。
图9是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。如图9中所示,在示例性实施例中,附加的绝缘层AIL填充第二导电层2CL的通孔TH并且暴露第二导电层2CL的上表面的至少一部分。显示区域DA中的对电极315和325延伸到显示区域DA的外部并且接触第二导电层2CL的上表面。
如上所述,作为有机发光器件的第一显示器件310包括第一像素电极311、对电极315和包括设置在第一像素电极311和对电极315之间的发射层的中间层313。第二显示器件320的结构与第一显示器件310的结构相同。在示例性实施例中,将作为一体形成的有机发光器件的第一显示器件310的对电极315和第二显示器件320的对电极325保持在恒电位。为此目的,对电极315和325可在显示区域DA外部的区域中与第二导电层2CL接触,并且可通过第二导电层2CL保持在恒电位。第二导电层2CL可通过形成在平坦化层140中的接触孔连接到设置在第二导电层2CL下方的第一导电层1CL,并且可具有与第一导电层1CL相同的电位。例如,当第一导电层1CL电连接到诸如集成电路或印刷电路板的电子装置时,第一导电层1CL和第二导电层2CL彼此连接,并且对电极315和325与第二导电层2CL接触。因此,当驱动显示设备时,对电极315和325可保持在恒电位。
图10是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。如图10中所示,在示例性实施例中,第二导电层2CL可包括第一部分2CLP1和与第一部分2CLP1间隔开的第二部分2CLP2。
在此情况下,第一部分2CLP1和第二部分2CLP2之间的空间可位于多个布线PL中的任何一个布线PL上方。例如,在示例性实施例中,第一部分2CLP1和第二部分2CLP2之间的空间与多个布线PL中的任何一个布线PL对准。如上所述,第二导电层2CL反射通过偏光板400透射的光并且通过偏光板400再次透射所述光。然而,由于第二导电层2CL具有彼此间隔开的第一部分2CLP1和第二部分2CLP2,因此,当通过偏光板400透射的光穿过第一部分2CLP1和第二部分2CLP2之间的空间时,所述光由位于第二导电层2CL下方的导电层反射而不由第二导电层2CL反射。如上所述,第一导电层1CL的上表面具有第二凹凸表面。当光由第一导电层1CL的第二凹凸表面的相对平坦的部分反射时,可不发生图像可见度劣化。然而,如上所述,当光由“V”形谷反射而不是由第二凹凸表面的相对平坦的部分反射时,光被漫反射,这可导致图像可见度劣化。因此,第二导电层2CL的第一部分2CLP1和第二部分2CLP2之间的空间可位于多个布线PL中的一个上方,使得即使穿过第二导电层2CL的第一部分2CLP1和第二部分2CLP2之间的空间的光由第一导电层1CL的上表面反射,所述光也是由相对平坦的上表面反射。因此,穿过第二导电层2CL的第一部分2CLP1和第二部分2CLP2之间的空间的光可由第一导电层1CL的上表面的相对平坦的部分反射,而不是由第一导电层1CL的上表面的“V”形谷反射,从而防止或减小图像可见度劣化。
图11是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。根据图11的示例性实施例的显示设备与根据图10的示例性实施例的显示设备的不同之处在于,根据图11的示例性实施例的显示设备还包括填充第二导电层2CL的第一部分2CLP1和第二部分2CLP2之间的空间的附加的绝缘层AIL。如图11中所示,附加的绝缘层AIL可设置在第二导电层2CL和偏光板400之间。
在图11中,附加的绝缘层AIL的材料不同于显示区域DA中的像素限定层150的材料,并且附加的绝缘层AIL的厚度不同于像素限定层150的厚度。然而,图11的示例性实施例不限于此。例如,在示例性实施例中,当形成像素限定层150时,附加的绝缘层AIL可通过使用与像素限定层150的材料相同的材料与像素限定层150同时形成。此外,附加的绝缘层AIL可与像素限定层150一体形成。在此情况下,可将附加的绝缘层AIL理解为像素限定层150的延伸到显示区域DA外部的部分。
图12是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。如图12中所示,在示例性实施例中,附加的绝缘层AIL填充第二导电层2CL的第一部分2CLP1和第二部分2CLP2之间的空间并且暴露第一部分2CLP1的上表面的至少一部分。显示区域DA的对电极315和325延伸到显示区域DA外部并且接触第一部分2CLP1的上表面。
通过采用这种结构,对电极315和325可在显示区域DA外部的区域中与第二导电层2CL的第一部分2CLP1接触,并且通过第一部分2CLP1保持在恒电位。第二导电层2CL的第一部分2CLP1可通过形成在平坦化层140中的接触孔连接到第二导电层2CL下方的第一导电层1CL,并且可具有与第一导电层1CL相同的电位。例如,当第一导电层1CL电连接到诸如集成电路或印刷电路板的电子装置时,第一导电层1CL和第二导电层2CL的第一部分2CLP1彼此连接,并且对电极315和325与第二导电层2CL的第一部分2CLP1接触。因此,当驱动显示设备时,对电极315和325可保持在恒电位。
第二导电层2CL的第二部分2CLP2可电连接到显示区域DA中的第一像素电极311。如后面将参照图19描述的,在显示区域DA中设有电源线VDD,并且电源线VDD电连接到第一薄膜晶体管210的源电极或漏电极。结果,电源线VDD电连接到第一显示器件310的第一像素电极311。电源线VDD可布置为越过显示区域DA并且可在显示区域DA外部的区域中电连接到第二导电层2CL的第二部分2CLP2。例如,当第二导电层2CL的第二部分2CLP2电连接到诸如集成电路或印刷电路板的电子装置时,第二导电层2CL的第二部分2CLP2电连接到电源线VDD,并且电源线VDD通过第一薄膜晶体管210电连接到第一显示器件310的第一像素电极311。因此,可将用于驱动第一显示器件310所需的电力供应到第一显示器件310。
以上已经描述了其中第一薄膜晶体管210的第一栅电极213和第二薄膜晶体管220的第二栅电极223位于同一层上的情况。然而,示例性实施例不限于此。例如,如作为根据示例性实施例的显示设备的一部分的剖视图的图13中所示,除了第一栅极绝缘层121以外,还可设置覆盖第一薄膜晶体管210的第一栅电极213的第二栅极绝缘层122,并且第二薄膜晶体管220的第二栅电极223可位于第二栅极绝缘层122上。例如,第一栅电极213和第二栅电极223可位于不同的层上。第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b位于覆盖第二栅电极223的第一层间绝缘层131上。第二栅极绝缘层122可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。
在此情况下,多个布线PL可包括多个第一布线PL1和多个第二布线PL2。多个第一布线PL1可位于其上设置有第一薄膜晶体管210的第一栅电极213的同一层上,并且多个第二布线PL2可位于其上设置有第二薄膜晶体管220的第二栅电极223的同一层上。例如,在显示设备的制造期间,多个第一布线PL1可通过使用与用于形成第一薄膜晶体管210的第一栅电极213的材料相同的材料与第一薄膜晶体管210的第一栅电极213同时形成,并且多个第二布线PL2可通过使用与用于形成第二薄膜晶体管220的第二栅电极223的材料相同的材料与第二薄膜晶体管220的第二栅电极223同时形成。
此外,多个第一布线PL1和多个第二布线PL2的位置可彼此交替。多个第二布线PL2可定位成与多个第一布线PL1之间的空间对应。当布线PL的数量在外围区域PA中增加并且所有多个布线PL位于同一层上时,布线PL之间的间隔减小,并且在布线PL之间可发生短路。然而,多个第一布线PL1和多个第二布线PL2彼此交替,使得第二栅极绝缘层122设置在多个第一布线PL1和多个第二布线PL2之间,从而有效防止发生短路。
即使在此情况下,由于多个第一布线PL1设置在第二栅极绝缘层122下方,因此第二栅极绝缘层122的上表面不平坦。类似地,第一层间绝缘层131的覆盖第二栅极绝缘层122和多个第二布线PL2的上表面不平坦。例如,类似于根据图3的示例性实施例的显示设备的第一层间绝缘层131的上表面等,图13的第一层间绝缘层131的上表面具有第一凹凸表面,所述第一凹凸表面在与多个布线PL之间的空间对应的位置处具有“V”形谷。在图13中,设置在第一层间绝缘层131上方的第一导电层1CL还具有具备与第一凹凸表面对应的第二凹凸表面的上表面。
在根据图13的示例性实施例的显示设备中,类似于根据图3的示例性实施例的显示设备,具有大致平坦上表面的平坦化层140覆盖第一导电层1CL,并且具有大致平坦上表面的第二导电层2CL位于平坦化层140上。因此,可有效防止或减小由于漫反射等而出现的问题。
可以以各种方式修改根据图13的示例性实施例的显示设备。例如,除了多个布线PL包括多个第一布线PL1和多个第二布线PL2并且多个第一布线PL1和多个第二布线PL2位于不同的层上以外,根据以上参照图4至图12描述的示例性实施例的所有特征同样可适用于图13的显示设备。
以上已经描述了其中第一薄膜晶体管210的第一源电极215a和第一漏电极215b以及第二薄膜晶体管220的第二源电极225a和第二漏电极225b位于同一层上的情况。然而,示例性实施例不限于此。例如,图14示出了根据示例性实施例的显示设备的一部分的剖视图,在所述剖视图中,除了覆盖第一栅电极213或第二栅电极223的第一层间绝缘层131以外,还可包括覆盖第一薄膜晶体管210的第一源电极215a和第一漏电极215b的第二层间绝缘层132,并且第二薄膜晶体管220的第二源电极225a和第二漏电极225b可位于第二层间绝缘层132上。第一源电极215a和第一漏电极215b可设置在与其上设置有第二源电极225a和第二漏电极225b的层不同的层上。第二层间绝缘层132可由诸如PI或HMDSO的有机材料形成。在示例性实施例中,第一源电极215a和第一漏电极215b可包括与第二源电极225a和第二漏电极225b相同的材料,并且可具有与第二源电极225a和第二漏电极225b相同的结构。
在此情况下,在外围区域PA中,位于覆盖多个布线PL的第一层间绝缘层131上方的第一导电层1CL可由第二层间绝缘层132覆盖。第二层间绝缘层132可通过包括有机材料来形成为具有大致平坦的上表面。因此,第二导电层2CL形成在第二层间绝缘层132上使得第二导电层2CL的上表面也大致平坦。因此,外部光可在到达上表面不平坦的第一导电层1CL之前由具有大致平坦上表面的第二导电层2CL所反射。例如,可将根据图14的示例性实施例的显示设备的第二层间绝缘层132理解为用作根据上述示例性实施例的显示设备的平坦化层140。
由于第二导电层2CL位于第二层间绝缘层132上,因此第一导电层1CL可通过使用与第一薄膜晶体管210的第一源电极215a和第一漏电极215b的材料相同的材料在与第一源电极215a和第一漏电极215b相同的层中与第一源电极215a和第一漏电极215b同时形成。此外,第二导电层2CL可通过使用与第二薄膜晶体管220的第二源电极225a和第二漏电极225b的材料相同的材料在与第二源电极225a和第二漏电极225b相同的层中与第二源电极225a和第二漏电极225b同时形成。如图14中所示,第二导电层2CL由平坦化层140覆盖。
在图14中,第二导电层2CL位于与第二薄膜晶体管220的第二源电极225a和第二漏电极225b相同的层上。然而,示例性实施例不限于此。例如,在示例性实施例中,不同于图14,不存在第二薄膜晶体管220,并且第二显示器件320可电连接到位于第二显示器件320下方并且具有与第一薄膜晶体管210(如图13等中所示)的层叠结构相同的层叠结构的薄膜晶体管。在此情况下,中间导电层可位于薄膜晶体管的源电极和第二显示器件320之间。中间导电层的位置可与图14中的第二源电极225a的位置相同。例如,设置在第一显示器件310和第二显示器件320下面的薄膜晶体管的源电极可由第二层间绝缘层132覆盖,并且中间导电层可位于第二层间绝缘层132上。在此情况下,在显示设备的制造期间,第二导电层2CL可通过使用与中间导电层的材料相同的材料在与中间导电层相同的层中与中间导电层同时形成。为了参考起见,图4示出了其中中间导电层是第二源电极225a的情况。这可同样适用于待后面描述的示例性实施例及其修改。
位于第二层间绝缘层132上的第二导电层2CL可具有通孔或者可具有彼此间隔开的第一部分和第二部分。以上参照图4至图12提供的描述可适用于第二导电层2CL的结构。当第二导电层2CL具有通孔或者具有彼此间隔开的第一部分和第二部分时,通孔或者介于第一部分和第二部分之间的空间填充有平坦化层140。因此,可将平坦化层140理解为填充第二导电层2CL中的通孔或者填充第二导电层2CL中的第一部分和第二部分之间的空间的附加的绝缘层。例如,可将附加的绝缘层理解为通过将显示区域DA中的平坦化层140延伸到显示区域DA外部所形成的部分。平坦化层140可具有在显示区域DA外部的不连续部分。
在图14中,第一源电极215a和第一漏电极215b位于与其上设置有第二源电极225a和第二漏电极225b的层不同的层上。然而,示例性实施例不限于此。例如,在示例性实施例中,类似于第一源电极215a和第一漏电极215b,第二源电极225a和第二漏电极225b可位于第一层间绝缘层131上,并且导电层可位于第二层间绝缘层132上以用作布线或连接层。在此情况下,类似于第一源电极215a、第一漏电极215b、第二源电极225a和第二漏电极225b,第一导电层1CL可位于第一层间绝缘层131上,并且类似于用于用作显示区域DA中的布线或连接层的导电层,第二导电层2CL可位于第二层间绝缘层132上。因此,即使在此情况下,仍可在外围区域PA中使用如图14中所示的相同的结构。
图15是根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。不同于以上参照图14描述的显示设备,根据图15的示例性实施例的显示设备还包括位于覆盖第二导电层2CL的平坦化层140上的第三导电层3CL。在此情况下,由于第三导电层3CL位于与显示区域DA中的第一像素电极311相同的层上,因此,在显示设备的制造期间,第三导电层3CL可通过使用与第一像素电极311相同的材料与第一像素电极311同时形成。
当第二导电层2CL如图14中所示地位于第二层间绝缘层132上时,第二导电层2CL可包括彼此间隔开的多个互连线。当第二导电层2CL包括彼此间隔开的多个互连线时,如果通过偏光板400透射的一部分光穿过互连线之间的空间,则所述一部分光由位于第二导电层2CL下方的第一导电层1CL的上表面反射而不由第二导电层2CL反射。如上所述,由于第一导电层1CL的上表面具有第二凹凸表面,因此所述一部分光可由第一导电层1CL的上表面漫反射,从而如上所述地导致图像可见度劣化。
然而,在根据图15的示例性实施例的显示设备中,由于第三导电层3CL位于第二导电层2CL上方,通过偏光板400透射的光由第三导电层3CL反射。因此,即使第二导电层2CL包括彼此间隔开的多个互连线,也可避免图像可见度劣化。第三导电层3CL可具有通孔。在此情况下,第三导电层3CL中的通孔可位于第二导电层2CL中的多个互连线上。
如图15中所示,平坦化层140位于具有多个互连线的第二导电层2CL和第三导电层3CL之间。因此,可将平坦化层140理解为填充多个互连线之间的空间的附加的绝缘层。例如,可将附加的绝缘层理解为显示区域DA中的平坦化层140的延伸到显示区域DA外部的部分。平坦化层140可具有在显示区域DA外部的不连续部分。
当第二导电层2CL包括彼此间隔开的多个互连线时,第三导电层3CL还可包括彼此间隔开的多个附加的布线。图16是示出了其中第二导电层2CL包括彼此间隔开的多个互连线并且第三导电层3CL包括彼此间隔开的多个附加的布线的情况的平面图。在此情况下,如图16中所示,多个附加的布线之间的空间位于多个互连线上方。
当第二导电层2CL包括彼此间隔开的多个互连线时,如果通过偏光板400透射的一部分光穿过互连线之间的空间,则所述一部分光由位于第二导电层2CL下方的第一导电层1CL的上表面反射而不是由第二导电层2CL反射。如上所述,由于第一导电层1CL的上表面具有第二凹凸表面,因此所述一部分光可由第一导电层1CL的上表面漫反射,从而导致图像可见度劣化。
然而,在根据图16的示例性实施例的显示设备中,由于位于第二导电层2CL上方的第三导电层3CL中的多个附加的布线之间的空间位于第二导电层2CL中的互连线上方,因此通过偏光板400透射的光由第三导电层3CL中的多个附加的布线的大致平坦上表面反射,或者由第二导电层2CL中的多个互连线的大致平坦上表面反射,而不到达第二导电层2CL下方的第一导电层1CL。因此,可有效防止或减小由于漫反射导致的图像可见度劣化的发生。
在示例性实施例中,设置在第三导电层3CL中的多个附加的布线不对应于第二导电层2CL中的多个互连线。例如,如作为根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性平面图的图17中所示,第三导电层3CL可包括彼此间隔开的第一部分3CLP1和第二部分3CLP2。在此情况下,第一部分3CLP1可位于包括第二导电层2CL中的多个互连线之中的两个或更多个互连线的第一组上方,并且第二部分3CLP2可位于包括第二导电层2CL中的多个互连线之中的另外两个或更多个互连线的第二组上方。第一部分3CLP1和第二部分3CLP2之间的空间可位于第二导电层2CL中的多个互连线上方。因此,可防止由第一导电层1CL的漫反射。
如作为根据示例性实施例的显示设备的一部分的示意性平面图的图18中所示,当第三导电层3CL包括第一部分3CLP1和第二部分3CLP2时,包括无机材料或有机材料的附加的辅助绝缘层AIL'可填充第三导电层3CL的第一部分3CLP1和第二部分3CLP2之间的空间,但是可暴露第一部分3CLP1的上表面的至少一部分。显示区域DA中的对电极315和325可延伸到显示区域DA外部并且接触第一部分3CLP1的上表面。
通过采用这种结构,对电极315和325可在显示区域DA外部的区域中与第三导电层3CL的第一部分3CLP1接触,并且可通过第一部分3CLP1保持在恒电位。第三导电层3CL的第一部分3CLP1可通过形成在平坦化层140中的接触孔连接到第三导电层3CL下方的第一导电层1CL和/或第二导电层2CL。例如,当第一导电层1CL和/或第二导电层2CL电连接到诸如集成电路或印刷电路板的电子装置时,第一导电层1CL和/或第二导电层2CL和第三导电层3CL的第一部分3CLP1彼此连接,并且对电极315和325与第三导电层3CL的第一部分3CLP1接触。因此,当驱动显示设备时,对电极315和325可保持在恒电位。
第三导电层3CL的第二部分3CLP2可电连接到显示区域DA中的第一像素电极311。如图19中所示,电源线VDD存在于显示区域DA中,并且电源线VDD电连接到第一像素PX1中的第一薄膜晶体管210的源电极或者漏电极。结果,电源线VDD电连接到第一显示器件310的第一像素电极311。电源线VDD可布置为越过显示区域DA并且可电连接到显示区域DA外部的区域中的第三导电层3CL的第二部分3CLP2。例如,当第三导电层3CL的第二部分3CLP2电连接到诸如集成电路或印刷电路板的电子装置时,第三导电层3CL的第二部分3CLP2电连接到电源线VDD,并且电源线VDD通过第一薄膜晶体管210电连接到第一显示器件310的第一像素电极311。因此,可将用于驱动第一显示器件310所需的电力供应到第一显示器件310。
图19示出了电源线VDD、基本上平行于电源线VDD的数据线DL和在与数据线DL交叉的方向上延伸的扫描线SL。这种数据线DL将数据信号传输到第一显示器件310等。数据信号被从位于外围区域PA中的集成电路或印刷电路板经由多个布线PL传输到数据线DL。数据线DL可与多个布线PL一体形成。可替代地,数据线DL可位于与其上设置有多个布线PL的层不同的层上,但是可经由接触孔等电连接到多个布线PL。
扫描线SL将扫描信号同时施加到位于同一行上的多个显示器件。扫描信号可在位于外围区域PA中的驱动电路单元中产生,所述外围区域PA设置在显示区域DA周围。驱动电路单元例如可包括移位寄存器。在以上参照图15至图17描述的示例性实施例中,第二导电层2CL中的多个互连线可电连接到驱动电路单元。例如,多个互连线可将电信号从位于外围区域PA中的集成电路或印刷电路板传输到驱动电路单元,并且驱动电路单元可产生待施加到显示区域DA的电信号。
虽然以上已经描述了各种示例性实施例,但是示例性实施例不限于此。例如,其中基底具有显示区域和设置在显示区域外部的外围区域的显示设备包括:在外围区域中的层间绝缘层,所述层间绝缘层包括具有第一凹凸表面的第一上表面;第一导电层,所述第一导电层位于外围区域中的层间绝缘层上,所述第一导电层包括具有与第一凹凸表面对应的第二凹凸表面的上表面;平坦化层,所述平坦化层位于第一导电层上并且具有大致平坦上表面;第二导电层,所述第二导电层位于平坦化层上并且具有大致平坦上表面;和偏光板,所述偏光板位于第二导电层上。这种配置可借由具有大致平坦上表面的第二导电层来有效防止由于第一导电层的第一凹凸表面导致的图像可见度劣化。
除非上下文明确地另有指示,否则通常应当将每个示例性实施例内的特征或方面的描述考虑为可用于其他示例性实施例中的其他类似特征或方面。
尽管已经参照附图描述了一个或多个示例性实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离本公开的精神和范围的情况下,可在其中进行形式和细节上的各种改变。
Claims (33)
1.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
基底,所述基底包括显示区域和设置在所述显示区域外部的外围区域;
多个布线,所述多个布线设置在所述外围区域中;
层间绝缘层,所述层间绝缘层覆盖所述多个布线,其中,所述层间绝缘层包括具有与所述多个布线对应的第一凹凸表面的上表面;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述层间绝缘层上并且包括具有与所述第一凹凸表面对应的第二凹凸表面的第二上表面;
平坦化层,所述平坦化层设置在所述第一导电层上并且具有平坦的上表面;
第二导电层,所述第二导电层设置在所述平坦化层上并且具有平坦的上表面;和
偏光板,所述偏光板设置在所述第二导电层上。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多个布线包括多个第一布线和多个第二布线。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述多个第一布线和所述多个第二布线交替设置。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层设置在所述多个第一布线下方;和
第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层设置在所述层间绝缘层下方并且覆盖所述多个第一布线,
其中,所述多个第二布线设置在所述第二栅极绝缘层上并且对应于所述多个第一布线之间的空间。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二导电层包括设置在所述多个布线上方的通孔。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
附加的绝缘层,所述附加的绝缘层填充所述通孔。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述附加的绝缘层设置在所述第二导电层和所述偏光板之间。
8.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述附加的绝缘层暴露所述第二导电层的所述上表面的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极,其中,所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠,
其中,所述对电极延伸到所述外围区域并且接触所述第二导电层的所述上表面。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述第二导电层电连接到所述第一导电层。
11.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二导电层包括彼此间隔开的第一部分和第二部分。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述第一部分和所述第二部分之间的空间与所述多个布线中的一个对准。
13.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
附加的绝缘层,所述附加的绝缘层填充所述第一部分和所述第二部分之间的空间。
14.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述附加的绝缘层设置在所述第二导电层和所述偏光板之间。
15.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述附加的绝缘层暴露所述第一部分的上表面的至少一部分。
16.根据权利要求15所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极,其中,所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠,
其中,所述对电极延伸到所述外围区域并且接触所述第一部分的所述上表面。
17.根据权利要求16所述的显示设备,其中,所述第一部分电连接到所述第一导电层。
18.根据权利要求16所述的显示设备,其中,所述第二部分电连接到所述像素电极。
19.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二导电层包括多个互连线。
20.根据权利要求19所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
附加的绝缘层,所述附加的绝缘层填充所述多个互连线之间的空间。
21.根据权利要求20所述的显示设备,其中,所述附加的绝缘层设置在所述第二导电层和所述偏光板之间。
22.根据权利要求19所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
驱动电路,所述驱动电路设置在所述外围区域中,其中,所述驱动电路产生待施加到设置在所述显示区域中的多个显示器件的电信号,
其中,所述多个互连线电连接到所述驱动电路。
23.根据权利要求19所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
附加的绝缘层,所述附加的绝缘层设置在所述第二导电层和所述偏光板之间并且具有平坦的上表面;和
第三导电层,所述第三导电层设置在所述附加的绝缘层和所述偏光板之间并且具有平坦的上表面。
24.根据权利要求23所述的显示设备,其中,所述第三导电层包括多个附加的布线,并且设置在所述多个附加的布线之间的多个空间设置在所述多个互连线上方。
25.根据权利要求23所述的显示设备,其中,所述第三导电层包括彼此间隔开的第一部分和第二部分。
26.根据权利要求25所述的显示设备,其中,所述第一部分和所述第二部分之间的空间设置在所述多个互连线上方。
27.根据权利要求25所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极,其中,所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠,
其中,所述对电极延伸到所述外围区域并且接触所述第一部分的上表面。
28.根据权利要求27所述的显示设备,其中,所述第一部分电连接到所述第一导电层。
29.根据权利要求27所述的显示设备,其中,所述第二部分电连接到所述像素电极。
30.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极,其中,所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠,
其中,所述第二导电层与所述像素电极设置在同一层上。
31.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
发光器件,所述发光器件设置在所述显示区域中,并且所述发光器件包括:像素电极;中间层,所述中间层包括发射层;和对电极,其中,所述像素电极、所述中间层和所述对电极被依次堆叠;
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管设置在所述发光器件下方,并且包括第一栅电极和设置在所述第一栅电极上方的第一源电极;和
中间导电层,所述中间导电层设置在所述第一源电极和所述发光器件之间,
其中,所述第一导电层与所述第一源电极设置在同一层上,并且所述第二导电层与所述中间导电层设置在同一层上。
32.根据权利要求31所述的显示设备,其中,所述中间导电层是第二源电极。
33.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
基底,所述基底包括显示区域和设置在所述显示区域外部的外围区域;
层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述外围区域中并且包括具有第一凹凸表面的上表面;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述层间绝缘层上并且包括具有与所述第一凹凸表面对应的第二凹凸表面的上表面;
平坦化层,所述平坦化层设置在所述第一导电层上并且具有平坦的上表面;
第二导电层,所述第二导电层设置在所述平坦化层上并且具有平坦的上表面;和
偏光板,所述偏光板设置在所述第二导电层上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180040599A KR102586042B1 (ko) | 2018-04-06 | 2018-04-06 | 디스플레이 장치 |
KR10-2018-0040599 | 2018-04-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110349998A true CN110349998A (zh) | 2019-10-18 |
Family
ID=68097391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910272053.1A Pending CN110349998A (zh) | 2018-04-06 | 2019-04-04 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10658452B2 (zh) |
KR (1) | KR102586042B1 (zh) |
CN (1) | CN110349998A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113130595A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110896089A (zh) | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
US11243624B2 (en) | 2018-09-12 | 2022-02-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Input sensing unit and display apparatus including the same |
US10890998B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-01-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Input sensing unit and display apparatus including the same |
US11073955B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-07-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR20200108212A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR20200115944A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR20200133890A (ko) | 2019-05-20 | 2020-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20210049221A (ko) | 2019-10-24 | 2021-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105609521A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 |
CN107731869A (zh) * | 2016-08-12 | 2018-02-23 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN110197840A (zh) * | 2018-02-27 | 2019-09-03 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100814820B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2008-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
KR101658149B1 (ko) | 2010-03-03 | 2016-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 패널 일체형 표시 장치 |
KR101701978B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2017-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101800285B1 (ko) * | 2010-10-04 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101764272B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2017-08-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101868607B1 (ko) | 2011-12-20 | 2018-06-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 |
KR102151752B1 (ko) * | 2013-08-05 | 2020-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102227875B1 (ko) | 2014-05-30 | 2021-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR102451728B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2022-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN105070741A (zh) | 2015-09-02 | 2015-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及oled显示面板、显示装置 |
KR102417818B1 (ko) | 2015-11-10 | 2022-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102430580B1 (ko) | 2015-12-31 | 2022-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102568781B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
US10319308B2 (en) * | 2016-12-12 | 2019-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
-
2018
- 2018-04-06 KR KR1020180040599A patent/KR102586042B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-25 US US16/363,145 patent/US10658452B2/en active Active
- 2019-04-04 CN CN201910272053.1A patent/CN110349998A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105609521A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 |
CN107731869A (zh) * | 2016-08-12 | 2018-02-23 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
CN110197840A (zh) * | 2018-02-27 | 2019-09-03 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113130595A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
US12004365B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-06-04 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190312097A1 (en) | 2019-10-10 |
KR102586042B1 (ko) | 2023-10-10 |
KR20190117866A (ko) | 2019-10-17 |
US10658452B2 (en) | 2020-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107731869B (zh) | 显示设备 | |
CN110349998A (zh) | 显示设备 | |
TWI776875B (zh) | 顯示設備 | |
US10283574B2 (en) | Display apparatus with bending area capable of minimizing manufacturing defects | |
TWI764890B (zh) | 顯示裝置 | |
TWI781937B (zh) | 具有減少之缺陷的顯示設備 | |
KR102514411B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
CN107799015B (zh) | 显示设备 | |
CN107464800A (zh) | 显示设备 | |
JP2019061242A (ja) | ディスプレイ装置 | |
KR20190064716A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
CN110197840B (zh) | 显示设备 | |
CN107180595A (zh) | 显示设备 | |
CN109950279A (zh) | 显示设备 | |
CN113035903A (zh) | 显示装置 | |
EP3945591A1 (en) | Display apparatus | |
KR20220079760A (ko) | 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |