CN105870147B - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN105870147B
CN105870147B CN201610034254.4A CN201610034254A CN105870147B CN 105870147 B CN105870147 B CN 105870147B CN 201610034254 A CN201610034254 A CN 201610034254A CN 105870147 B CN105870147 B CN 105870147B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
insulating layer
display device
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610034254.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105870147A (zh
Inventor
郭源奎
李在容
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority to CN201910257645.6A priority Critical patent/CN109962093B/zh
Priority to CN202110427579.XA priority patent/CN113130514A/zh
Publication of CN105870147A publication Critical patent/CN105870147A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105870147B publication Critical patent/CN105870147B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示设备包括：基板，划分为中央区和设置为与中央区相邻的外围区,中央区包括显示区；第一绝缘层，对应于基板的外围区；至少一个切口，对应于第一绝缘层的区域；以及覆层，覆盖所述至少一个切口且位于第一绝缘层上。

Description

显示设备
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备。
背景技术
近年来，显示设备已经被用于各种用途。随着显示设备薄且轻量化，其使用范围变得宽广。
特别是，近年来，平板显示设备被进一步研究并制造。
显示设备，更具体而言，平板显示设备具有多种不同的膜。当向平板显示设备施加外力时，或由于制造平板显示设备期间的工艺条件，不同的膜可能被破坏或可产生裂纹扩展的路径。
当显示设备由一块母基板形成时，制造可包括切割母基板的处理，以使显示设备分离。
在切割处理期间，在显示设备的膜上可能出现裂纹，而且膜可产生裂纹扩展的路径。
因此，显示设备的耐久性受到影响。
发明内容
一个或多个实施方式包括显示设备及制造显示设备的方法。
附加方面将在随后的说明书中部分地进行阐述，附加方面的部分将通过说明书显而易见，或者可以通过所呈现的实施方式的实践来习得。
根据一个或多个实施方式，一种显示设备包括：基板，划分为中央区和设置为与中央区相邻的外围区，中央区包括显示区；第一绝缘层，对应于基板的外围区；至少一个切口，对应于第一绝缘层的区域；以及覆层，位于第一绝缘层上并覆盖至少一个切口。
显示设备可以进一步包括显示区中的一个或多个绝缘层，而且覆层可以包括与一个或多个绝缘层的材料相同的材料。
至少一个切口的深度可以小于或等于第一绝缘层的厚度。
覆层可以以一个方向延伸并可以与基板的边缘平行。
覆层的宽度可以大于至少一个切口的宽度。
覆层的长度可以比至少一个切口的长度长。
第一绝缘层可以延伸到显示区。
第一绝缘层可以延伸到基板的边缘。
显示设备可以进一步包括基板与第一绝缘层之间的阻挡层。
阻挡层可以延伸到显示区。
显示设备可以进一步包括第一绝缘层上的第二绝缘层，而且至少一个切口可以延伸穿过第二绝缘层。
第二绝缘层可以延伸到显示区。
至少一个切口可以与基板的至少一个边缘分隔开。
至少一个切口可以与基板的至少一个边缘重叠。
覆层可以与基板的至少一个边缘分隔开。
覆层可以与基板的边缘之中的至少一个边缘重叠。
多个切口可以在一个方向上彼此分隔开。
多个切口可以在与所述一个方向相交的方向上设置。
在多个切口之中，最靠近基板的边缘的切口的宽度可以大于除了最靠近基板的边缘的切口之外的切口中的每个的宽度。
在多个切口之中，距离基板的边缘最远的切口的宽度可以大于除了距离基板的边缘最远的切口之外的切口中的每个的宽度。
在多个切口之中，位于距离基板的边缘最远的切口和最靠近基板的边缘的切口之间的中间切口的宽度可以大于除了该中间切口之外的切口中的每个的宽度。
基板的边缘之中的至少一个边缘可被定义为切割线。
基板可以包括柔性材料。
基板可以包括有机材料。
基板可以包括多层。
基板可以进一步包括第一层、第二层、以及位于第一层和第二层之间的插入层，其中第一层包括有机材料，第二层包括有机材料。
显示设备可以进一步包括残留在至少一个切口中的微粒，而且覆层可以形成为覆盖微粒。
显示设备可以进一步包括显示区中的至少一个封装层。
至少一个封装层可以延伸到外围区。
至少一个封装层可以与覆层分隔开。
至少一个封装层可以包括一个或多个无机封装层或者一个或多个有机封装层。
显示设备可以进一步包括基板的中央区中的多个薄膜晶体管(TFT)，多个TFT中的每个包括有源层、栅电极、源电极以及漏电极，其中一个或多个绝缘层可以与有源层、栅电极、源电极以及漏电极中的至少一个相邻，而且覆层和一个或多个绝缘层可以包括相同的材料。
第一绝缘层可以延伸到中央区，而且可以设置在基板和多个TFT之间。
显示设备可以进一步包括源电极和漏电极上的钝化层，而且覆层和钝化层可以由相同材料形成。
显示设备可以进一步包括栅电极和有源层之间的第二绝缘层，而且第二绝缘层可以位于第一绝缘层之上，并可以延伸到外围区，以对应于至少一个切口。
显示设备可以进一步包括栅电极与源电极和漏电极之间的层间绝缘层，而且层间绝缘层可以位于第一绝缘层上，并可以延伸到外围区，以对应于至少一个切口。
显示设备可以进一步包括与多个TFT中的至少一个电连接的第一电极，以及覆盖第一电极的一部分并限定像素区的像素限定层。
显示设备可以进一步包括面对第一电极的第二电极；以及位于第一电极和第二电极之间且包括有机发射层的中间层。
覆层和像素限定层可以包括相同材料。
覆层可以围绕显示区。
覆层可以对应于显示区的除了边缘中的一个边缘之外的边缘。
覆层可以包括对应于基板的边缘的一个或多个主部分，而且可以包括连接两个相邻的主部分的拐角部分。
显示设备可以进一步包括基板的外围区中的焊盘区，其中覆层靠近焊盘区并包括对应于焊盘区的弯曲部分，并且弯曲部分朝向显示区弯曲或远离显示区弯曲。
根据一个或多个实施方式，提供了一种制造显示设备的方法，该显示设备包括基板，该基板划分为中央区和与中央区相邻的外围区，中央区包括显示区，该方法包括：形成对应于基板的外围区的第一绝缘层；通过部分地去除第一绝缘层的竖直部分来形成至少一个切口，其中至少一个切口对应于第一绝缘层的区域；以及在第一绝缘层上形成覆层，其中覆层覆盖至少一个切口。
方法可以进一步包括在显示区中形成一个或多个绝缘层，而且，覆层可以包括与在显示区中形成的一个或多个绝缘层相同的材料。
方法可以进一步包括在基板的中央区中形成多个薄膜晶体管(TFT)，其中多个TFT中的每一个包括有源层、栅电极、源电极以及漏电极。
方法可以进一步包括在源电极和漏电极上形成钝化层，其中形成钝化层的步骤可以包括在钝化层中形成通孔，以暴露源电极和漏电极中的至少一个的区域，而且覆层可以包括与钝化层相同的材料，而且，覆层可通过形成通孔而同时图案化。
根据一个或多个实施方式，提供了一种通过使用母基板制造显示设备的方法，该显示设备包括中央区和与中央区相邻的外围区，该方法包括：沿切割线切割母基板，形成对应于外围区的第一绝缘层；通过部分地去除第一绝缘层的竖直部分来形成至少一个切口，其中切口对应于第一绝缘层的区域；在第一绝缘层上形成覆层，其中覆层覆盖至少一个切口；以及沿切割线执行切割处理，并因此将形成于母基板上的一个或多个显示设备分离。
在切割处理期间，切割线可以与覆层分隔开。
在切割处理期间，切割线可以与覆层重叠。
附图说明
通过下面结合附图对一些实施方式的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见且更容易理解，在附图中：
图1示出了根据实施方式的显示设备的平面图；
图2示出了图1的D部分的放大图；
图3示出了沿图2的III-III线截取的、D部分的剖视图；
图4至图12示出了图1至图3的切口和覆层的变形例；
图13示出了根据实施方式的微粒残留在显示设备的切口中的示例；
图14示出了根据另一实施方式的显示设备的平面图；
图15示出了图14的D部分的放大图；
图16示出了沿图15的XVI-XVI线截取的、D部分的剖视图；
图17示出了图15和图16中示出的切口和覆层的变形例；
图18示出了根据另一实施方式的显示设备的平面图；
图19示出了图18的D部分的放大图；
图20示出了沿图19的IXX-IXX线截取的、D部分的剖视图；
图21示出了图18至图20中示出的切口和覆层的变形例；
图22示出了根据另一实施方式的显示设备的平面图；
图23示出了沿图22的XXII-XXII线截取的剖视图；
图24示出了图22和图23的显示设备的变形例；
图25示出了根据另一实施方式的显示设备的平面图；
图26示出了沿图25的XXVA-XXVA和XXVB-XXVB线截取的、显示设备的剖视图；
图27示出了图25和图26中示出的显示设备的变形例；
图28示出了根据另一实施方式的显示设备的平面图；
图29示出了沿图28的XXXA-XXXA和XXXB-XXXB线截取的剖视图；
图30至图33示出了根据另一实施方式的显示设备的平面图；
图34示出了根据实施方式的、用于制造显示设备的母基板的平面图；
图35示出了图34的M部分的放大平面图；
图36示出了沿图35的XXX-XXX线截取的、M部分的剖视图；以及
图37示出了图36中示出的结构的变形例。
具体实施方式
由于发明构思允许各种改变和多种实施方式，所以具体实施方式将在附图中示出并在书面描述中进行详细描述。通过参照下面对实施方式的详细描述和附图可以更容易地理解发明构思及实现发明构思的方法的效果和特征。然而，发明构思可以以多种不同的形式实施，而且不应被解释为受限于本文阐述的实施方式。
在一个或多个实施方式中，可使用诸如“第一”、“第二”等的术语，但是，这些组件应当不限于上述术语，而且上述术语仅用于区分一个组件与另一组件。
在一个或多个实施方式中，除非存在与此相反的具体描述，否则，单数形式可以包括复数形式。
在一个或多个实施方式中，术语诸如“包括(include)”或“包括(comprising)”用于说明所指的特征或组件的存在，并不排除一个或多个其他所指的特征或一个或多个其他组件的存在。
在一个或多个实施方式中，还将理解的是，在诸如层、区域、区、或组件的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或也可以在二者之间插入诸如层、区域、区、或组件的中间元件。
在附图中，为了便于描述，层和区域的大小为了清楚而可以放大。例如，为了便于描述，各元件的大小和厚度可以是任意的，因此，一个或多个实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中，X轴、Y轴、以及Z轴可以不限于直角坐标系上的三个轴，而可以解释为包括这三个轴的广义含义。例如，X轴、Y轴、以及Z轴可以彼此垂直，或可以指示彼此不垂直的不同方向。
在一个或多个实施方式中，处理的顺序可以与描述的不同。例如，顺序描述的两个处理可以基本同时执行，或可以以与描述的顺序相反的顺序执行。
下面，将参照附图对一个或多个实施方式更详细地进行描述。相同或相对应的那些组件通常都标记相同的参考数字而不管附图号，并省略冗余的解释。
如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。诸如“…中的至少一个”的措词在位于一列元素之后时，修饰整列元素而不修饰该列中的单个元素。
图1示出了根据实施方式的显示设备1000的平面图。图2示出了图1的D部分的放大图，以及图3示出了沿图2的III-III线截取的、D部分的剖视图。
参照图1至图3，显示设备1000包括基板101。基板101可以包括各种材料。在一些实施方式中，基板101可以包括玻璃材料、金属材料或其它有机材料。
在一些实施方式中，基板101可以包括柔性材料。例如，基板101可以是充分弯曲的、曲面的、折叠的或卷曲的。
在一些实施方式中，基板101可以包括超薄玻璃、金属或塑料。例如，在使用塑料时，基板101可以包括聚酰亚胺(PI)，但实施方式并不限于此，并因此可以使用各种材料。
可以在母基板上形成多个显示设备1000，而且可以按照沿基板101的切割线CL切割母基板的方式使多个显示设备1000分离成各个显示设备1000。图1示出了沿切割线CL切割并因此分离的一个显示设备1000。因此，基板101的边缘通过切割线CL定义。
基板101的所有边缘，例如图1中所示出的基板101的四个边缘，均可以为切割线CL。在实施方式中，基板101的四个边缘中的1个、2个或3个边缘可以为切割线CL。
根据母基板的大小或形状，显示设备1000的所有边缘之中的、确定为切割线CL的边缘的位置或数量可以变化。
基板101划分为外围区PA和中央区CA。外围区PA包括切割线CL周围的区,即与切割线CL相邻的区，而且中央区CA指示相比外围区PA布置于内部的区。
实施方式并不限于此。可以不存在切割线CL。可以在母基板上形成一个显示设备1000，而且在这种情况下，基板101可以对应于母基板，使得切割线CL可以不存在。在这种情况下，外围区PA可以指示与基板101的边缘相邻的区域，而且中央区CA可以指示相比外围区PA布置于内部的区。为了便于描述，假设在下述实施方式中存在切割线CL。
中央区CA可以包括至少一个显示区DA。
显示区DA可以包括至少一个显示器件(未示出)，例如用于显示图像的有机发光器件(OLED)。此外，可以在显示区DA中设置多个像素(未示出)，而且可以在多个像素的每个中设置至少一个显示器件(未示出)。
绕显示区DA可以形成非显示区(未示出)。非显示区可以形成为包围显示区DA。在一些实施方式中，非显示区可以形成为与显示区DA的多侧相邻。在一些实施方式中，非显示区可以形成为与显示区DA的一侧相邻。
在一些实施方式中，可以在中央区CA仅布置显示区DA。非显示区可以仅形成在外围区PA中。
在非显示区中可以形成焊盘区(未示出)。在焊盘区中可以设置驱动器或多个焊盘单元(未示出)。
在一些实施方式中，在中央区CA的显示区DA中可以形成至少一个绝缘层(未示出)。绝缘层可以包括有机材料或无机材料。
外围区PA指示与切割线CL相邻的区，而且外围区PA布置在基板101的、沿切割线CL的边缘中。
在外围区PA中，在基板101上形成第一绝缘层111。在第一绝缘层111上形成切口SL。切口SL形成于外围区PA中，以便与显示区DA分隔开。
第一绝缘层111可以包括各种绝缘材料。在一些实施方式中，第一绝缘层111可以包括无机材料。例如，第一绝缘层111可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物。第一绝缘层111可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、或氮氧化硅(SiOxNy)。
在一些实施方式中，第一绝缘层111可以在延伸至中央区CA或显示区DA的情况下形成。在一些实施方式中，第一绝缘层111可以共同地形成在基板101的中央区CA和外围区PA上。第一绝缘层111可以形成于基板101的整个顶面上。
第一绝缘层111可以减少或防止湿气或杂质经由基板101渗入显示设备1000中，而且可以在基板101的顶面上提供平面。
在一些实施方式中，第一绝缘层111可以延伸到基板101的切割线CL。
实施方式不限于此，而且，第一绝缘层111可以不覆盖基板101的、位于外围区PA的区域中的顶面。
切口SL由第一绝缘层111通过去除第一绝缘层111的竖直部分而形成。但是，形成切口SL的方法不限于蚀刻法。
切口SL可以通过不完全去除而是部分地去除第一绝缘层111的竖直部分来形成，使得可以不暴露基板101的区域。切口SL的深度可以小于第一绝缘层111的厚度。
切口SL可以具有各种形状，包括例如以一个方向延伸的形状。
在一些实施方式中，如图2所示，切口SL可以以这种方式形成：切口SL可以具有与基板101的边缘或切割线CL平行的侧面。
在此，切口SL的长度可以变化，并因此可以小于或大于显示区DA的长度。
在一些实施方式中，切口SL可以与中央区CA分隔开，而且例如，切口SL可以与显示区DA分隔开。
在第一绝缘层111上形成覆层CLL以覆盖切口SL。
在一些实施方式中，覆层CLL的宽度可以大于切口SL的宽度，而且覆层CLL的长度可以大于切口SL的长度。通过这样，覆层CLL可以完全覆盖切口SL，以防止切口SL被暴露。
覆层CLL可以包括各种材料。覆层CLL可以包括无机或有机材料。
在一些实施方式中，覆层CLL可以包括有机材料。通过这样，可以确保覆层CLL的适当的厚度和适当的宽度，而且，其结果为覆层CLL可以覆盖切口SL。
在一些实施方式中，覆层CLL可以包括与可形成于基板101的显示区DA中的绝缘层(未示出)相同的材料。此外，覆层CLL和可形成于基板101的显示区DA中的绝缘层(未示出)可以同时形成。
覆层CLL可以形成于外围区PA中。
在一些实施方式中，覆层CLL可以设置在基板101的边缘和中央区CA的边界之间。
在一些实施方式中，覆层CLL可以设置在切割线CL和中央区CA的边界之间。
覆层CLL可以纵向延伸。如图2中所示，覆层CLL可以具有与基板101的切割线CL平行地纵向延伸的形状。覆层CLL的长度可以变化，并因此可以大于或小于显示区DA的长度。
在布置于显示设备1000的外围区PA中的第一绝缘层111中的切口SL阻止来自基板101的边缘的裂纹扩展。例如，与基板101的切割线CL相邻的切口SL主要防止在各个显示设备1000被切割并随后与母基板分离时、在基板101上可能出现的裂纹的扩展。
具体地，第一绝缘层111可以形成于基板101的外围区PA中，而且可以选择性延伸到切割线CL，从而保护基板101的顶面。此外，切口SL可以阻止或减少因施加到第一绝缘层111的压力而导致在第一绝缘层111上可能出现的裂纹或裂纹的扩展。
覆层CLL形成在切口SL上。由于覆层CLL，所以可以防止在切口SL中可能产生的外来物质或微粒的移动。在一些实施方式中，覆层CLL可以覆盖切口SL，并因此可以不暴露切口SL中的外来物质或微粒。
当制造显示设备1000时，可能在切口SL中产生外来物质或微粒。例如，在显示设备1000的制造工序中用于形成电极(未示出)的导电材料可能残留在切口SL中。残留在切口SL中的导电材料可能在后续工序中引起显示设备1000的缺陷，例如残留的导电材料可能移动到显示区DA，而且可能引起显示区DA的电气缺陷，这导致电气特性和图像质量的劣化。
然而，在切口SL上形成覆层CLL，并由此可以防止残留的外来物质和微粒的移动，从而可以减少并防止可能出现在显示区DA中的缺陷。
另外，由于第一绝缘层111，所以能够防止覆层CLL与基板101分层。
图4至图12示出了图1至图3的切口SL和覆层CLL的变形例。为了便于描述，将仅考虑与上述实施方式的特征不同的特征对变形例进行描述。
参照图4，第一绝缘层111形成于基板101上，而且切口SL通过部分地去除第一绝缘层111而形成。切口SL的深度对应于第一绝缘层111的厚度。
一些实施方式可以具有以下结构，其中如图4所示，切口SL具有对应于第一绝缘层111的厚度的深度。
参照图5，在基板101和第一绝缘层111之间设置阻挡层102。切口SL形成于第一绝缘层111中。
切口SL未形成于阻挡层102中，并且仅形成于第一绝缘层111中。阻挡层102可以减少或防止湿气或外来物质经由基板101渗入显示设备1000中。由于切口SL未形成于阻挡层102中，所以阻挡层102可以减少或防止湿气或外来物质朝向切口SL渗透。
在一些实施方式中，切口SL可以具有大于图5中示出的深度的深度，并因此甚至可形成在阻挡层102中。
阻挡层102可以包括，例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、或氮氧化硅(SiOxNy)。
参照图6，在第一绝缘层111上形成第二绝缘层121。第二绝缘层121可以包括各种绝缘材料。在一些实施方式中，第二绝缘层121可以包括与第一绝缘层111相同的材料。
在一些实施方式中，第二绝缘层121可以包括无机材料。
例如，第二绝缘层121可以包括氧化物、氮化物、或氮氧化物。第二绝缘层121可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、或氮氧化硅(SiOxNy)。
在一些实施方式中，第二绝缘层121可以延伸到中央区CA，而且可以形成于显示区DA中。在一些实施方式中，第二绝缘层121可以完全形成于基板101的中央区CA和外围区PA中。
在一些实施方式中，第二绝缘层121可以延伸到基板101的切割线CL。
实施方式并不限于此，而且在外围区PA的区域中，第二绝缘层121可以不覆盖基板101的顶面。
切口SL形成于第二绝缘层121中。切口SL形成于第二绝缘层121和第一绝缘层111中。切口SL可以延伸穿过第二绝缘层121。通过这样，切口SL可以具有等于或大于预定值的厚度，使得当在切口SL中形成覆层CLL时，覆层CLL深深地填埋在切口SL中，并因此覆层CLL牢固地设置于切口SL中。通过这样，能够减少或防止覆层CLL与切口SL分层。
虽然未示出，但是在第二绝缘层121上可以附加地形成至少一个绝缘层(未示出)，而且切口SL可以延伸穿过该至少一个绝缘层。
此外，可以在基板101和第一绝缘层111之间形成阻挡层102。在一些实施方式中，图6的阻挡层102可以省略。
参照图7，基板101不是单层，而是包括第一层101a、第二层101b以及插入层101c的多层。第一层101a和第二层101b可以包括有机材料，而且插入层101c可以包括无机材料。在一些实施方式中，第一层101a和第二层101b可以包括塑性材料，例如聚酰亚胺，而且插入层101c可以包括例如氧化硅。
实施方式并不限于此，而且第一层101a和第二层101b可以包括各种类型的相同或不同的有机材料。插入层101c可以包括能够用作阻挡件的各种材料，而且可以不具有单层结构，而可具有多层结构。
虽然未示出，但图7中示出的基板101的多层结构可以应用于以上实施方式、它们的变形例、以及以下描述的一个或多个实施方式。
参照图8，在第一绝缘层111中形成多个切口SL。虽然图8示出了两个切口SL，但实施方式不限于此。在其它实施方式中可以形成更多的切口SL，例如三个或多于三个切口SL。
在一些实施方式中，多个切口SL可以彼此分隔开。多个切口SL可以排列在一个方向中，例如在多个切口SL的宽度方向(见图8的X轴方向)中。
图9示出了沿图8的IX-IX线截取的剖视图。如图9中所看到的，覆层CLL可以覆盖多个切口SL中的所有切口。虽然未示出，但是在一些实施方式中，覆层CLL可以形成为彼此分隔开的多个覆层CLL，以分别对应于多个切口SL。
在一些实施方式中，多个切口SL可以彼此平行地形成，而且可以具有固定宽度。虽然未示出，但是多个切口SL的宽度可以彼此不同。图9中所示出的多个切口SL的结构可以应用于以上实施方式和以下描述的一个或多个实施方式。
多个切口SL和形成在多个切口SL之间的空间可以有效阻止裂纹经由基板101的切割线CL扩展到基板101。由于多个切口SL之中的、最靠近切割线CL或基板101的边缘的切口SL，所以可以使裂纹的出现最小化，而且由于次最靠近切割线CL的另一切口SL，所以可以提高阻止另外的裂纹出现和扩展的效果。
参照图10，形成有多个切口SL。在切口SL之中，最靠近基板101的边缘或切割线CL的切口SL的宽度W1可以与其它切口SL的宽度W2不同。在切口SL之中，最靠近基板101的边缘或切割线CL的切口SL的宽度W1大于其它切口SL的宽度W2中的每一个。通过这样，可以增加主要防止已经出现在基板101的切割线CL处的裂纹的扩展的效果。
实施方式不限于此，并且多个切口SL的宽度可以不同地设定。例如，如图11所示，在切口SL之中，距离基板101的边缘或切割线CL最远的切口SL的宽度W1可以大于其它切口SL的宽度W2中的每一个。此外，如图12所示，在多个切口SL之中，位于最靠近基板101的边缘或切割线CL的切口SL与距离基板101的边缘或切割线CL最远的切口SL之间的、切口SL的宽度W1可以大于其它切口SL的宽度W2。
图13示出了根据实施方式的微粒MR残留在显示设备1000的切口SL中的示例。
参照图13，微粒MR残留在参照图1至图3描述的显示设备1000的切口SL中。微粒MR可以是例如，金属微粒、金属层废物或其他金属残渣。微粒MR可以从外部源产生，或为在显示设备1000的制造工序过程中用于形成显示设备1000的元件的材料的残渣。
当在覆层CLL形成于切口SL上时，覆层CLL覆盖微粒MR，因此，可以防止微粒MR的移动或可以减少微粒MR移动的可能性。覆层CLL可以防止微粒MR移动至显示设备1000的显示区DA。通过这样，可以防止显示设备1000的显示区DA的缺陷，使得显示设备1000可以具有改善的电气特性和/或改善的图像质量。
图14示出了根据另一实施方式的显示设备2000的平面图。图15示出了图14的D部分的放大图，以及图16示出了沿图15的XVI-XVI线截取的、D部分的剖视图。
参照图14至图16，显示设备2000包括基板201。基板201可以包括各种材料。基板201的各种材料的详细示例与在以上实施方式中描述的那些相同，并因此在此省略对其的详细描述。
多个显示设备2000可以形成于母基板上，而且可以以沿基板201的切割线CL切割母基板的方式分离成每个显示设备2000。图14示出了沿切割线CL切割并因此分离的一个显示设备2000。因此，基板201的边缘由切割线CL定义。
基板201的所有边缘，诸如图14中所示出的基板201的四个边缘，均可以为切割线CL。在其它实施方式中，基板201的四个边缘中的1个、2个或3个边缘可以为切割线CL。
根据母基板的大小或形状，显示设备2000的所有边缘之中被确定为切割线CL的边缘的位置或数量可以变化。
基板201划分为外围区PA和中央区CA。外围区PA包括切割线CL周围的区，即与切割线CL相邻的区，而且中央区CA指示相比外围区PA布置于内部的区。
实施方式并不限于此。可以不存在切割线CL。可以在母基板上形成一个显示设备2000，而且在这种情况下，基板201可以对应于母基板，使得切割线CL可以不存在。在这种情况下，外围区PA可以指示与基板201的边缘相邻的区，而且中央区CA可以指示相比外围区PA布置于内部的区。为了便于描述，假设在下述实施方式中存在切割线CL。
中央区CA可以包括至少一个显示区DA。
显示区DA可以具有至少一个显示器件(未示出)，例如用于显示图像的OLED。此外，可以在显示区DA中布置多个像素。
绕显示区DA可以形成非显示区(未示出)。非显示区可以形成为包围显示区DA。在一些实施方式中，非显示区可以形成为与显示区DA的多侧相邻。在一些实施方式中，非显示区可以形成为与显示区DA的一侧相邻。
在另一实施方式中，可以在中央区CA中仅布置显示区DA。非显示区可以仅形成在外围区PA中。
在非显示区中可以形成焊盘区(未示出)。在焊盘区中可以设置驱动器或多个焊盘单元(未示出)。
在一些实施方式中，在中央区CA的显示区DA中可以形成至少一个绝缘层(未示出)。绝缘层可以包括有机材料或无机材料。
外围区PA指示与切割线CL相邻的区，而且外围区PA布置在基板201的、沿切割线CL的边缘中。
在外围区PA中，在基板201上形成第一绝缘层211。在第一绝缘层211中形成切口SL。切口SL形成于外围区PA中，以与显示区DA分隔开。
第一绝缘层211可以包括各种绝缘材料。在一些实施方式中，第一绝缘层211可以包括无机材料。例如，第一绝缘层211可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物。第一绝缘层211可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、或氮氧化硅(SiOxNy)。
在一些实施方式中，第一绝缘层211可以在延伸至中央区CA或显示区DA的情况下形成。在一些实施方式中，第一绝缘层211可以共同地形成于基板201的中央区CA和外围区PA上。第一绝缘层211可以形成于基板201的整个顶面上。
在一些实施方式中，第一绝缘层211可以延伸到基板201的切割线CL。
实施方式不限于此，而且，第一绝缘层211可以不覆盖基板201的、位于外围区PA的区域中的顶面。
在第一绝缘层211上形成覆层CLL以覆盖切口SL。
在一些实施方式中，覆层CLL的宽度可以大于切口SL的宽度，而且覆层CLL的长度可以大于切口SL的长度。通过这样，覆层CLL可以完全覆盖切口SL，以防止切口SL被暴露。
覆层CLL可以包括各种材料。覆层CLL可以包括无机或有机材料。
在一些实施方式中，覆层CLL可以包括有机材料。通过这样，可以确保覆层CLL的适当的厚度和适当的宽度，而且，其结果为覆层CLL可以覆盖切口SL。
在一些实施方式中，覆层CLL可以包括与可以形成于基板201的中央区CA中的绝缘层(未示出)相同的材料。此外，覆层CLL和可以形成于基板201的显示区DA中的绝缘层(未示出)可以同时形成。
在一些实施方式中，覆层CLL可以形成为与基板201的边缘或切割线CL相邻。
覆层CLL的、与基板201的边缘或切割线CL相邻的一侧面，以及覆层CLL的、面对该侧面的另一侧面可以具有不同的形状。例如，覆层CLL的、与基板201的边缘或切割线CL相邻的一侧面可以为几乎与地面垂直的平面，以及覆层CLL的、面对该侧面的另一侧面可以为斜面或曲面。
当沿切割线CL切割母基板时，通过在设置于切割线CL处的覆层CLL上执行切割处理可以得到显示设备2000，而且，其结果为覆层CLL的侧面可以具有由切割处理而产生的剖面。
图17示出了图15和图16中所示出的切口SL和覆层CLL的变形例。
参照图17，形成有多个切口SL。虽然未示出，但是多个切口SL中一个可以与切割线CL重叠。
图18示出了根据另一实施方式的显示设备3000的平面图。图19示出了图18的D部分的放大图，以及图20示出了沿图19的IXX-IXX线截取的、D部分的剖视图。
参照图18至图20，显示设备3000包括基板301。基板301可以包括各种材料。基板301的各种材料的详细示例与在以上实施方式中描述的那些相同，并因此在此省略对其的详细描述。
多个显示设备3000可以形成于母基板上，而且可以以沿基板301的切割线CL切割母基板的方式分离成每个显示设备3000。图18示出了沿切割线CL切割并因此分离的一个显示设备3000。因此，基板301的边缘由切割线CL定义。
基板301的所有边缘，例如图18中所示出的基板301的四个边缘均可以为切割线CL。在一些实施方式中，基板301的四个边缘中的1个、2个或3个边缘可以为切割线CL。
根据母基板的大小或形状，显示设备3000的所有边缘之中被确定为切割线CL的边缘的位置或数量可以变化。
基板301划分为外围区PA和中央区CA。外围区PA指示切割线CL周围的区，而且中央区CA指示相比外围区PA布置于内部的区。
实施方式并不限于此。可以不存在切割线CL。可以在母基板上形成一个显示设备3000，而且在这种情况下，基板301可以对应于母基板，使得切割线CL可以不存在。在这种情况下，外围区PA可以指示与基板301的边缘相邻的区，而且中央区CA可以指示相比外围区PA布置于内部的区。为了便于描述，假设在以下描述的实施方式中存在切割线CL。
中央区CA可以包括至少一个显示区DA。
显示区DA可以包括至少一个显示器件(未示出)，例如用于显示图像的OLED。此外，可以在显示区DA中设置多个像素。
绕显示区DA可以形成非显示区(未示出)。非显示区可以形成为包围显示区DA。在一些实施方式中，非显示区可以形成为与显示区DA的多侧相邻。在一些实施方式中，非显示区可以形成为与显示区DA的一侧相邻。
在一些实施方式中，可以在中央区CA中仅布置显示区DA。非显示区可以仅形成在外围区PA中。
在非显示区中可以形成焊盘区(未示出)。在焊盘区中可以设置驱动器或多个焊盘单元(未示出)。
在一些实施方式中，在中央区CA的显示区DA中可以形成至少一个绝缘层(未示出)。绝缘层可以包括有机材料或无机材料。
在外围区PA中，在基板301中形成第一绝缘层311。在第一绝缘层311中形成多个切口SL。多个切口SL可以彼此分隔开。
多个切口SL可以排列在一个方向中，该方向与从基板301的边缘或切割线CL到显示区DA的另一方向相交。
另外，如图21所示，多个切口SL可以形成于一个方向(见图21的Y轴方向)以及与该方向相交的另一方向(见图21的X轴方向)中。
覆层CLL可以形成为覆盖多个切口SL中的所有切口。
图22示出了根据另一实施方式的显示设备4000的平面图。图23示出了沿图22的XXII-XXII线截取的剖视图。
参照图22和图23，显示设备4000包括基板401。基板401可以包括各种材料。基板401的各种材料的详细示例与在以上实施方式中描述的那些相同，并因此在此省略对其的详细描述。
显示设备4000的切割线CL与在以上实施方式中的相同，并因此在此省略对其的详细描述。
基板401划分为外围区PA和中央区CA。外围区PA指示切割线CL周围的区，而且中央区CA指示相比外围区PA布置于内部的区。由于在以上实施方式中对此进行了描述，所以在此省略对其的详细描述。
在一些实施方式中，在中央区CA的显示区DA中形成至少一个绝缘层(未示出)。绝缘层可以包括有机材料或无机材料。
在外围区PA中，在基板401上形成第一绝缘层411。在第一绝缘层411上形成切口SL。切口SL形成于外围区PA中，以与显示区DA分隔开。
在中央区CA的显示区DA中，可形成至少一个封装层以减少或防止湿气或外来物质渗入显示区DA中的显示器件(未示出)中。图23示出了两个封装层461和462，第一无机封装层461和第二无机封装层462。参照图23，第一无机封装层461和第二无机封装层462从显示区DA延伸到外围区PA。第一无机封装层461形成于第一绝缘层411上，以及第二无机封装层462形成于第一无机封装层461上。
第一无机封装层461和第二无机封装层462可以与覆层CLL和切口SL分隔开。
虽然未示出，但是第一无机封装层461和第二无机封装层462可以不延伸到外围区PA，而且可以不与外围区PA重叠。
在一些实施方式中，可以设置第一无机封装层461和第二无机封装层462中的一个。在一些实施方式中，可以形成包括有机材料而非无机材料的封装层(未示出)。
图24示出了图22和图23的显示设备4000的变形例。
图24示出了四个封装层：第一无机封装层461、第二无机封装层462、第一有机封装层471、以及第二有机封装层472。
参照图24，四个封装层461、462、471以及472从显示区DA延伸到外围区PA。第一无机封装层461可以形成于第一绝缘层411上，第一有机封装层471可以形成于第一绝缘层411和第一无机封装层461之间，第二无机封装层462可以形成于第一无机封装层461上，以及第二有机封装层472可以设置在第一无机封装层461和第二无机封装层462之间。
第一无机封装层461的顶面的、靠近外围区PA的区域可以与第二无机封装层462的底面的、靠近外围区PA的区域接触。
四个封装层461、462、471以及472可以与覆层CLL和切口SL分隔开。
由于四个封装层461、462、471以及472与覆层CLL和切口SL分隔开，所以能够防止在切口SL中可能出现的裂纹经由四个封装层461、462、471以及472中的一个扩展，而且能够防止可能残留在切口SL中的微粒经由四个封装层461、462、471以及472中的一个移动。
虽然未示出，但四个封装层461、462、471以及472可以不延伸到外围区PA，而且可以不与外围区PA重叠。
图25示出了根据另一实施方式的显示设备5000的平面图。图26示出了沿图25的XXVA-XXVA和XXVB-XXVB线截取的显示设备5000的剖视图。
参照图25和图26，显示设备5000包括基板501。基板501可以包括各种材料。基板501的各种材料的详细示例与在以上实施方式中描述的那些相同，并因此在此省略对其的详细描述。
显示设备5000的切割线CL与在以上实施方式中的相同，并因而在此省略对其的详细描述。
基板501划分为外围区PA和中央区CA。外围区PA指示切割线CL周围的区，而且中央区CA指示相比外围区PA布置于内部的区。由于在以上实施方式中对此进行了描述，所以在此省略对其的详细描述。
在基板501上形成第一绝缘层511。第一绝缘层511可以包括各种绝缘材料。例如，第一绝缘层511可以包括无机材料。
第一绝缘层511可以形成于中央区CA和外围区PA中。在一些实施方式中，第一绝缘层511可以在无需单独图案化处理的情况下形成于基板501上。
第一绝缘层511可以包括各种绝缘材料。在一些实施方式中，第一绝缘层511可以包括无机材料。例如，第一绝缘层511可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物。第一绝缘层511可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiOxNy)。此外，第一绝缘层511可以通过使用包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法、大气压CVD(APCVD)法、低压CVD(LPCVD)法等的各种沉积法形成。
在第一绝缘层511上，在显示区DA中可以形成薄膜晶体管(TFT)。形成于显示区DA中的TFT用作像素电路的一部分。此外，TFT可以形成于非显示区中。形成于非显示区中的TFT用作包括在驱动器中的电路的一部分。
在一些实施方式中，TFT对应于顶栅型TFT，在顶栅型TFT中依次形成有源层513、栅电极515、源电极517以及漏电极518。在其它实施方式中，包括底栅型TFT的各种类型的TFT可以用作TFT。
有源层513形成在第一绝缘层511上。有源层513可以包括半导体材料，例如非晶硅或多晶硅。在一些实施方式中，有源层513可以包括各种材料。在一些实施方式中，有源层513可以包括有机半导体材料。
在一些实施方式中，有源层513可以包括氧化物半导体材料。例如，有源层513可以包括氧化物，该氧化物包括选自第12、13以及14族金属元素的材料，诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)以及铪(Hf)，或它们的组合。
如上所述，一个实施方式可以包括底栅型TFT。如果有源层513包括氧化物或非晶硅，则该实施方式可以包括底栅型TFT。
底栅型TFT可以具有各种结构。对于一个示例，可以在第一绝缘层511上形成栅电极，可以在栅电极上形成有源层，并且可以在有源层上设置源电极和漏电极。作为另一示例，可以在基板上形成栅电极，可以在栅电极上形成源电极和漏电极，并且可以在源电极和漏电极上形成有源层。在这种情况下，绝缘层，例如无机层可以形成为与栅电极、有源层以及源电极和漏电极中的至少一个相邻。
在有源层513上形成第二绝缘层521。第二绝缘层521可以形成为包括例如氧化硅和/或氮化硅的无机材料的多层或单层。第二绝缘层521使有源层513与栅电极515绝缘。
第二绝缘层521可以形成于中央区CA和外围区PA中。在一些实施方式中，第二绝缘层521可以在无需单独的图案化处理的情况下，形成于有源层513和栅电极515之间。
在第二绝缘层521上设置栅电极515。栅电极515可以连接至向TFT施加导通(ON)信号或截止(OFF)信号的栅极线(未示出)。
栅电极515可以包括低电阻金属材料。例如，栅电极515可以形成为包括导电材料的多层或单层，导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)。
在栅电极515上形成层间绝缘层522。层间绝缘层522使栅电极515与源电极517和漏电极518绝缘。
层间绝缘层522可以形成于中央区CA和外围区PA中。在一些实施方式中，层间绝缘层522可以在无需单独的图案化处理的情况下，形成于源电极517和漏电极518与栅电极515之间。
层间绝缘层522可以形成为包括无机材料的多层或单层。例如，无机材料可以为金属氧化物或金属氮化物。在一些实施方式中，无机材料可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锆(ZrO2)。
在源电极517和漏电极518形成于层间绝缘层522上之前，执行形成接触孔的处理，以使源电极517和漏电极518分别与有源层513的区域接触。去除第二绝缘层521和层间绝缘层522的、形成于有源层513上的区域。
在一些实施方式中，当执行形成接触孔的处理时，可以执行在外围区PA中形成切口SL的处理。将第二绝缘层521和层间绝缘层522的在有源层513上的区域去除的处理和形成切口SL的处理可以同时执行。
各切口SL延伸穿过第二绝缘层521和层间绝缘层522，而且对应于第一绝缘层511的预定厚度。
在一些实施方式中，各切口SL可以延伸穿过层间绝缘层522，而且可以对应于第二绝缘层521的厚度的一部分。在一些实施方式中，各切口SL可以对应于层间绝缘层522的厚度的一部分。
图26示出了多个切口SL，但是在其他实施方式中可以形成一个切口SL。
在层间绝缘层522上形成源电极517和漏电极518。源电极517和漏电极518中的每个可以形成为包括高导电性材料的单层或多层。
源电极517和漏电极518形成为与有源层513接触。用于形成源极517和漏极518的一些金属材料可能残留在切口SL中。
在源电极517和漏电极518上形成钝化层530以覆盖TFT。
钝化层530可以去除由TFT导致的阶梯，在TFT之上提供平坦层，并因此防止由TFT引起的凹凸而导致在OLED 540中出现缺陷。钝化层530可以形成为包括有机材料的单层或多层。有机材料可以包括具有商用聚合物的聚合物衍生物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，以及酚基聚合物、丙烯基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它们的组合。此外，钝化层530可以形成为包括无机绝缘层和有机绝缘层的多堆叠。
在一些实施方式中，覆层CLL可以包括与钝化层530相同的材料。覆层CLL可以包括有机材料。
在一些实施方式中，钝化层530和覆层CLL可以同时形成。当形成钝化层530时，执行通孔形成处理以暴露源电极517和漏电极518中的一个的表面，而且可以执行通孔形成处理且同时可以图案化覆层CLL。覆层CLL可以在无需使用额外掩模的情况下容易地形成。
覆层CLL可以覆盖切口SL，并因此可以减少或防止可能残留在切口SL中的微粒的移动。通过这样，可以减少包括OLED 540在显示区DA中的短路缺陷的电气缺陷。
在钝化层530上形成OLED 540。OLED 540与TFT电连接。
OLED 540包括第一电极541、第二电极542、以及设置在第一电极541和第二电极542之间的中间层543。
第一电极541与源电极517和漏电极518中的一个电连接。参照图26，第一电极541可以与漏电极518电连接。
第一电极541可以具有各种形式中的一种。例如，第一电极541可以图案化为岛的形式。
第一电极541可以包括各种材料。第一电极541可以包括至少一种透明导电氧化物材料，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、或氧化铝锌(AZO)。第一电极541可以包括具有高反射率的金属，例如，银(Ag)。
中间层543可以包括有机发射层，该有机发射层包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料。在一些实施方式中，中间层543包括有机发射层，而且可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层中的一个或多个。
有机发射层可以形成在每个OLED中。在这种情况下，OLED可以分别发射红光、绿光以及蓝光。在一些实施方式中，有机发射层可以共同地形成在OLED中。例如，发射红光、绿光以及蓝光的多个有机发射层可以竖直地堆叠或混合，并因此可以发射白光。用于发射白光的颜色组合不限于上述描述。可以单独地布置颜色转换层或滤色器以将发射的白光转换成预定颜色。
第二电极542可以包括各种导电材料。例如，第二电极542可以形成为包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或包括这些材料中的至少两种的合金中的至少一种的多层或单层。
在钝化层530上形成像素限定层535。像素限定层535形成但未覆盖第一电极541的预定区域，在第一电极541的、未由像素限定层535覆盖的预定区域上形成中间层543，以及在中间层543上形成第二电极542。
像素限定层535可以包括至少一种无机绝缘材料，例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂，而且像素限定层535可以通过使用旋涂法形成。
在一些实施方式中，覆层CLL可以包括与像素限定层535相同的材料。
虽然在第二电极542上未示出，但是在一些实施方式中，在第二电极542上可以进一步形成功能层(未示出)。功能层可以包括形成在第二电极542上的多个层。功能层的至少一层可以防止第二电极542在后续处理中被污染，以及功能层的另一层可以提高从中间层543向第二电极542排放的可见光的效率。
布置在显示设备5000的外围区PA中的第一绝缘层511中的切口SL防止从基板501的边缘扩展的裂纹。例如，与基板501的切割线CL相邻的切口SL主要防止在各显示设备5000被切割并与母基板分离时，可能出现在基板501上的裂纹的扩展。
当基板501包括柔性材料并因此显示设备5000具有柔性时，切口SL可以在外围区PA处出现弯曲或弯折动作的情况下，有效地减少或防止裂纹在外围区PA中的出现和扩展。
在切口SL上形成覆层CLL。由于覆层CLL，所以可以防止可能残留在切口SL中的外来物质或微粒的移动。在一些实施方式中，覆层CLL可以覆盖切口SL，使得可以不暴露可能残留在切口SL中的外来物质或微粒。
由于第一绝缘层511，覆层CLL可以与基板501不分层。
覆层CLL可以包括与中央区CA中的钝化层530相同的材料，而且，在一些实施方式中，在形成钝化层530时，可以同时执行通孔形成处理和覆层形成处理。因此，可以容易地形成覆层CLL，而且可以不增加使用单独掩模的图案化处理。
实施方式可以包括多种类型的TFT中的一种，而且在一些实施方式中，覆层CLL可以包括与TFT的绝缘层相同的材料，绝缘层与有源层、栅电极、源电极以及漏电极中的一个相邻。在一些实施方式中，覆层CLL和TFT的绝缘层可以同时形成。
图27示出了图25和图26中所示出的显示设备5000的变形例。
为了便于描述，将针对与以上实施方式的不同之处描述本实施方式。
参照图27，显示设备5000包括位于基板501和第一绝缘层511之间的阻挡层502。
阻挡层502可以减少或防止湿气或外来物质经由基板501渗入显示设备5000中。由于切口SL未形成在阻挡层502中，所以阻挡层502可以减少或防止湿气或外来物质朝向切口SL渗透。
在一些实施方式中，各切口SL可以具有大于图27中所示出的深度的深度，并因此各切口SL甚至可以形成在阻挡层502中。
阻挡层502可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiOxNy)。
图28示出了根据另一实施方式的显示设备6000的平面图。图29示出了沿图28的XXXA-XXXA和XXXB-XXXB线截取的剖视图。
参照图28和图29，显示设备6000包括基板601。基板601可以包括各种材料。基板601的各种材料的详细示例和在以上实施方式中描述的示例相同，并因此在此省略对其的详细描述。
显示设备6000的切割线CL与在以上实施方式中的相同，并因此，在此省略对其的详细描述。
基板601划分为外围区PA和中央区CA。外围区PA指示与切割线CL相邻的区，以及中央区CA指示相比外围区PA布置于内部的区。由于在以上实施方式中对此进行了描述，所以在此省略对其的详细描述。
在基板601和第一绝缘层611之间形成阻挡层602。
阻挡层602可以减少或防止湿气或外来物质经由基板601渗入显示设备6000中。由于切口SL未形成在阻挡层602中，所以阻挡层602可以减少或防止湿气或外来物质朝向切口SL渗透。
在一些实施方式中，各切口SL可以具有大于图29中所示出的深度的深度，并因此各切口SL甚至可以形成在阻挡层602中。
阻挡层602可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiOxNy)。
在阻挡层602上形成第一绝缘层611。第一绝缘层611可以包括各种绝缘材料。例如，第一绝缘层611可以包括无机材料。
第一绝缘层611可以形成于中央区CA和外围区PA中。在一些实施方式中，第一绝缘层611可以在无需单独的图案化处理的情况下，形成于基板601上。
第一绝缘层611可以包括各种绝缘材料。例如，第一绝缘层611可以包括无机材料。例如，第一绝缘层611可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物。第一绝缘层611可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiOxNy)。此外，第一绝缘层611可以通过使用包括PECVD法、APCVD法、LPCVD法等的各种沉积法形成。
在第一绝缘层611上，在显示区DA中可以形成TFT。形成于显示区DA中的TFT用作像素电路的一部分。此外，TFT可以形成于非显示区中。形成于非显示区中的TFT用作包括在驱动器中的电路的一部分。
在一些实施方式中，TFT对应于顶栅型TFT，在顶栅型TFT中依次形成有源层613、栅电极615、源电极617以及漏电极618。在其它实施方式中，包括底栅型TFT的各种类型的TFT可以应用于TFT。
在第一绝缘层611上形成有源层613。用于形成第一绝缘层611的材料在以上实施方式中进行了描述，并因此在此省略对其的详细描述。
在有源层613上形成第二绝缘层621。第二绝缘层621可以形成为包括例如氧化硅和/或氮化硅的无机材料的多层或单层。第二绝缘层621可以形成在中央区CA和外围区PA中。在一些实施方式中，第二绝缘层621可以在无需单独的图案化处理的情况下，形成于有源层613和栅电极615之间。
在第二绝缘层621上设置栅电极615。栅电极615可以连接至向TFT施加ON信号或OFF信号的栅极线(未示出)。
在栅电极615上形成层间绝缘层622。层间绝缘层622使栅电极615与源电极617和漏电极618绝缘。
层间绝缘层622可以形成于中央区CA和外围区PA中。在一些实施方式中，层间绝缘层622可以在无需单独的图案化处理的情况下，形成于源电极617和漏电极618与栅电极615之间。
层间绝缘层622可以形成为包括无机材料的多层或单层。例如，无机材料可以为金属氧化物或金属氮化物。无机材料可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锆(ZrO2)。
在源电极617和漏电极618形成于层间绝缘层622上之前，执行形成接触孔的处理，以使源电极617和漏电极618分别与有源层613的区域接触。去除第二绝缘层621和层间绝缘层622的、形成于有源层613上的区域。
在一些实施方式中，当执行形成接触孔的处理时，可以执行在外围区PA中形成切口SL的处理。将第二绝缘层621和层间绝缘层622的、在有源层613上的区域去除的处理和形成切口SL的处理可以同时执行。
各切口SL延伸穿过第二绝缘层621和层间绝缘层622，而且对应于第一绝缘层611的预定厚度。
在一些实施方式中，各切口SL可以延伸穿过层间绝缘层622，而且可以对应于第二绝缘层621的厚度的一部分。在一些实施方式中，各切口SL可以对应于层间绝缘层622的厚度的一部分。
图29示出了多个切口SL，但是在一些实施方式中，可以形成一个切口SL。
在层间绝缘层622上形成源电极617和漏电极618。源电极617和漏电极618中的每一个可以形成为包括高导电性材料的单层或多层。
源电极617和漏电极618形成为与有源层613接触。用于形成源电极617和漏电极618的一些金属材料可能残留在切口SL中。
在源电极617和漏电极618上形成钝化层630以覆盖TFT。
钝化层630可以去除由TFT导致的阶梯，在TFT之上提供平坦层，并因此防止由TFT引起的凹凸而导致在OLED 640中出现缺陷。钝化层630可以形成为包括有机材料的单层或多层。有机材料可以包括具有商用聚合物的聚合物衍生物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，以及芳香族、丙烯基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它们的组合。钝化层630可以形成为包括无机绝缘层和有机绝缘层的多堆叠。
在一些实施方式中，覆层CLL可以包括与钝化层630相同的材料。覆层CLL可以包括有机材料。
在一些实施方式中，钝化层630和覆层CLL可以同时形成。当形成钝化层630时，执行通孔形成处理，以暴露源电极617和漏电极618中的一个的表面，而且，可以执行通孔形成处理且同时可以图案化覆层CLL。覆层CLL可以在无需使用额外掩模的情况下容易地形成。
在钝化层630上形成OLED 640。OLED 640与TFT电连接。
OLED 640包括第一电极641、第二电极642、以及设置在第一电极641和第二电极642之间的中间层643。
第一电极641与源电极617和漏电极618中的一个电连接。参照图29，第一电极641可以与漏电极618电连接。
第一电极641可以具有各种形式中的一种。例如，第一电极641可以图案化为岛的形式。
第一电极641可以包括各种材料。第一电极641可以包括至少一种透明导电氧化物材料，包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。此外，第一电极641可以包括具有高反射率的金属，诸如银(Ag)。
中间层643可以包括有机发射层，该有机发射层包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料。在一些实施方式中，中间层643包括有机发射层，而且可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层中的至少一个。
有机发射层可以形成在每个OLED中。OLED可以分别发射红光、绿光以及蓝光。在其他实施方式中，有机发射层可以共同地形成在OLED中。例如，发射红光、绿光以及蓝光的多个有机发射层可以竖直地堆叠或混合，并因此可以发射白光。用于发射白光的颜色组合不限于上述描述。可以单独地布置颜色转换层或滤色器以将发射的白光转换成预定颜色。
第二电极642可以包括各种导电材料。例如，第二电极642可以形成为包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或包括这些材料中的至少两种的合金中的至少一种的多层或单层。
在钝化层630上形成像素限定层635。像素限定层635形成但未覆盖第一电极641的预定区域，在第一电极641的、未由像素限定层635覆盖的预定区域上形成中间层643，以及在中间层643上形成第二电极642。
像素限定层635可以包括至少一种无机绝缘材料，例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂，而且像素限定层635可以通过使用旋涂法形成。
在一些实施方式中，覆层CLL可以包括与像素限定层635相同的材料。
虽然在第二电极642上未示出，但是在一些实施方式中，在第二电极642上可以进一步形成功能层(未示出)。功能层可以包括形成在第二电极642上的多个层。功能层的至少一层可以防止第二电极642在后续处理中被污染，并且功能层的另一层可以提高从中间层643向第二电极642排放的可见光的效率。
在第二电极642上可以形成一个或多个封装层661、662、671以及672，以减少或防止湿气或外来物质渗透至OLED 640。
图29示出了四个封装层：第一无机封装层661、第二无机封装层662、第一有机封装层671以及第二有机封装层672。
第一无机封装层661形成于第一有机封装层671上，第二有机封装层672形成于第一无机封装层661上，而且第二无机封装层662形成于第二有机封装层672上。
第一无机封装层661的区域和第二无机封装层662的区域可以彼此接触。第一无机封装层661和第二无机封装层662的宽度可以在一个方向上延伸，以便大于第一有机封装层671和第二有机封装层672的宽度。在一些实施方式中，第一无机封装层661和第二无机封装层662的整个面积可以大于第一有机封装层671和第二有机封装层672的整个面积。
在一些实施方式中，四个封装层661、662、671以及672中的至少一个可以省略，而且在一些实施方式中，显示设备6000至少可以进一步包括附加有机封装层或附加无机封装层。
第一有机封装层671和第二有机封装层672可以包括包含丙烯基材料、环氧基材料、PI基材料等的各种有机材料。
第一无机封装层661和第二无机封装层662可以包括各种无机材料，包括金属氧化物，例如，Al2O3、TiO2、MgO或CrO。在一些实施方式中，第一无机封装层661和第二无机封装层662可以包括硅基材料，例如SiNx、SiON或SiO2或其他陶瓷材料。
四个封装层661、662、671以及672可以从显示区DA延伸至外围区PA。
四个封装层661、662、671以及672可以与覆层CLL和切口SL分隔开。
在一些实施方式中，四个封装层661、662、671以及672可以不向外围区PA延伸，而且可以不与外围区PA重叠。
在一些实施方式中，覆层CLL和四个封装层661、662、671以及672中的至少一个可以包括相同的材料。
图30至图33示出了根据另一实施方式的显示设备7000的平面图。
参照图30至图33，显示设备7000包括在基板701上的显示区DA和覆层CLL。图30至图33中所示出的显示设备7000的结构可以应用于以上实施方式和下述的一个或多个实施方式。
为了便于描述，在此省略对除了覆层CLL以外的元素的详细描述。
参照图30，覆层CLL可以围绕显示区DA，而且可以具有与基板701的边缘平行的边缘。
参照图31，覆层CLL的边缘可以对应于显示区DA的除了显示区DA的一个边缘以外的边缘。
参照图32，覆层CLL的边缘可以对应于显示区DA的除了显示区DA的一个边缘以外的边缘。
如图32所示，覆层CLL可以包括对应于基板701的边缘的一个或多个主部分CLLm，而且可以包括与两个相邻的主部分CLLm连接的至少一个拐角部分CLLa。在一些实施方式中，拐角部分CLLa可以对应于基板701的拐角。
此外，如图33所示，当焊盘区PDA形成于基板701的显示区DA外部的区域中时，覆层CLL可以形成于焊盘区PDA附近，并同时覆层CLL与焊盘区PDA分隔开。覆层CLL可以根据焊盘区PDA的形状而包括弯曲部分CLLt。参照图33，弯曲部分CLLt朝向显示区DA弯曲。然而，在一些实施方式中，弯曲部分CLLt可以远离显示区DA而弯曲。
图34示出了根据实施方式的在制造显示设备中使用的母基板MSU的平面图。图35示出了图34的M部分的放大平面图，以及图36示出了沿图35的XXX-XXX线截取的、M部分的剖视图。
参照图34，在母基板MSU上设置有多个单元C1、C2、C3以及C4。多个单元C1、C2、C3以及C4分别对应于多个显示设备。
沿切割线CL切割母基板MSU，并因此使多个单元C1、C2、C3以及C4分离。之后，经由后续处理制造四个显示设备。制造的四个显示设备中的每一个可以是根据上述实施方式的显示设备中的一个。
母基板MSU包括基板101。
基板101可以包括各种材料。基板101的各种材料的详细示例和在以上实施方式中描述的那些相同，并因此在此省略对其的详细描述。
母基板MSU的多个单元C1、C2、C3以及C4中的每一个划分为外围区PA和中央区CA。外围区PA指示与切割线CL相邻的区，以及中央区CA指示相比外围区PA布置于内部的区。
中央区CA可以包括至少一个显示区DA。
显示区DA可以具有用于显示图像的至少一个显示器件(未示出)，例如OLED。此外，在显示区DA中可以布置多个像素。
绕显示区DA可以形成非显示区(未示出)。非显示区可以形成为环绕显示区DA。在一些实施方式中，非显示区可以形成为与显示区DA的多侧相邻。在一些实施方式中，非显示区可以形成为与显示区DA的一侧相邻。
在一些实施方式中，可以在中央区CA中仅布置显示区DA。非显示区可以仅形成于外围区PA中。
在非显示区中可以形成焊盘区(未示出)。在焊盘区中可以设置驱动器或多个焊盘单元(未示出)。
外围区PA指示切割线CL周围的区域，而且外围区PA可以沿切割线CL布置在母基板MSU的侧端中。
在外围区PA中，在基板101上形成第一绝缘层111。在第一绝缘层111上形成切口SL。切口SL形成于外围区PA中以与显示区DA分隔开。
切口SL可以与切割线CL分隔开。在第一绝缘层111上形成覆层CLL以覆盖切口SL。覆层CLL可以与切割线CL分隔开。
由于切口SL，可以防止或可以减少在沿切割线CL执行切割处理期间，在第一绝缘层111上可能出现的裂纹的移动。此外，由于覆层CLL，可以防止或可以减少可能残留在切口SL中的微粒的移动，使得可以防止可能出现在显示设备中的电气缺陷。
由于第一绝缘层111和覆层CLL彼此接触，所以能够防止覆层CLL与基板101分层。
为了便于描述，图1中所示出的显示设备1000的结构应用于本实施方式，而且以上实施方式中的任一个的结构可以应用于本实施方式。
图37示出了图36中所示出的结构的变形例。
参照图37，在外围区PA中，在基板101上形成第一绝缘层111。在第一绝缘层111上形成多个切口SL。多个切口SL形成于外围区PA中，以与显示区DA分隔开。
此外，多个切口SL之中的切口SLC可以与切割线CL重叠。与切割线CL重叠的切口SLC可以增加防止在沿切割线CL执行切割处理期间在第一绝缘层111上出现裂纹的效果。
在第一绝缘层111上形成覆层CLL以覆盖多个切口SL。覆层CLL可以与切割线CL重叠。在执行切割处理后，覆层CLL可以具有与切割线CL平行的剖面。
如上所述，根据以上实施方式中的一个或多个，显示设备可以具有改善的耐久性和改善的图像质量。
应该理解，本文描述的实施方式应该被认为仅仅是描述性的意思，并非出于限制的目的。对各实施方式内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施方式中的其他相似特征或方面。
虽然参照附图对一个或多个实施方式进行了描述，但是，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，在本文中可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (19)

1.一种显示设备，包括：
基板，具有中央区和设置为与所述中央区相邻的外围区，所述中央区包括显示区；
第一绝缘层，设置在所述基板的所述外围区中；
至少一个切口，对应于所述第一绝缘层的区域；以及
覆层，位于所述第一绝缘层上并覆盖所述至少一个切口，
其中，所述显示设备在所述显示区中还包括一个或多个绝缘层，以及
其中，所述覆层的材料与所述一个或多个绝缘层中至少一个绝缘层的材料相同。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个切口的深度小于或等于所述第一绝缘层的厚度。
3.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述覆层以一个方向延伸并且与所述基板的边缘平行。
4.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述覆层的宽度大于所述至少一个切口的宽度。
5.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述覆层的长度比所述至少一个切口的长度长。
6.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层延伸到所述显示区。
7.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层延伸到所述基板的边缘。
8.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括所述基板与所述第一绝缘层之间的阻挡层。
9.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括所述第一绝缘层上的第二绝缘层，以及
其中，所述至少一个切口延伸穿过所述第二绝缘层。
10.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个切口与所述基板的至少一个边缘分隔开。
11.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个切口与所述基板的至少一个边缘重叠。
12.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述覆层与所述基板的至少一个边缘分隔开。
13.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述覆层与所述基板的边缘之中的至少一个边缘重叠。
14.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个切口包括多个切口，所述多个切口在一个方向上彼此分隔开。
15.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述基板的边缘之中的至少一个边缘被定义为切割线。
16.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述基板包括柔性材料。
17.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述基板包括有机材料。
18.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述基板包括多层。
19.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括残留在所述至少一个切口中的微粒，以及
其中，所述覆层被形成为覆盖所述微粒。
CN201610034254.4A 2015-02-06 2016-01-19 显示设备 Active CN105870147B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910257645.6A CN109962093B (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备
CN202110427579.XA CN113130514A (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0018904 2015-02-06
KR1020150018904A KR102420461B1 (ko) 2015-02-06 2015-02-06 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910257645.6A Division CN109962093B (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备
CN202110427579.XA Division CN113130514A (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105870147A CN105870147A (zh) 2016-08-17
CN105870147B true CN105870147B (zh) 2021-05-11

Family

ID=56567022

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910257645.6A Active CN109962093B (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备
CN202110427579.XA Pending CN113130514A (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备
CN201610034254.4A Active CN105870147B (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910257645.6A Active CN109962093B (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备
CN202110427579.XA Pending CN113130514A (zh) 2015-02-06 2016-01-19 显示设备

Country Status (3)

Country Link
US (7) US9825056B2 (zh)
KR (3) KR102420461B1 (zh)
CN (3) CN109962093B (zh)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102420461B1 (ko) 2015-02-06 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102517446B1 (ko) * 2015-12-02 2023-04-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102421577B1 (ko) 2016-04-05 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102592956B1 (ko) * 2016-08-29 2023-10-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102636680B1 (ko) * 2016-09-30 2024-02-14 엘지디스플레이 주식회사 백플레인 기판 및 이를 이용한 플렉서블 디스플레이
KR102671370B1 (ko) 2016-12-06 2024-06-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2018124501A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6792723B2 (ja) * 2017-09-26 2020-11-25 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
CN107634071B (zh) * 2017-10-17 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制作方法、显示基板、显示装置
US10562261B2 (en) * 2017-11-16 2020-02-18 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display device and display substrate
KR102538983B1 (ko) 2018-01-11 2023-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108364987B (zh) * 2018-02-24 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
KR102581675B1 (ko) * 2018-04-06 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102583898B1 (ko) 2018-04-30 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN108594506A (zh) 2018-05-02 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用基板母板、显示用基板及显示装置
US11793041B2 (en) * 2018-05-22 2023-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having a slit passing through the second flattening film
KR102635542B1 (ko) * 2018-07-06 2024-02-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109103346B (zh) * 2018-08-17 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种封装结构及显示面板
CN110931521B (zh) 2018-08-29 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR20200028567A (ko) * 2018-09-06 2020-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109087937A (zh) * 2018-09-07 2018-12-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种amoled面板
US20210343812A1 (en) * 2018-09-28 2021-11-04 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN109545998B (zh) * 2018-10-15 2020-04-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法
KR20200047941A (ko) 2018-10-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
CN109564986B (zh) * 2018-11-02 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
KR102617275B1 (ko) 2018-11-30 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109616506A (zh) * 2018-12-18 2019-04-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 全屏显示面板及其制作方法
CN109686862A (zh) * 2019-01-10 2019-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20200123906A (ko) 2019-04-22 2020-11-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN110137375B (zh) * 2019-05-29 2022-12-20 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、装置及方法
CN110164945B (zh) * 2019-06-03 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
CN112997315A (zh) 2019-10-16 2021-06-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110943108B (zh) * 2019-11-06 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种折叠显示面板及其制作方法、显示装置
CN111048562B (zh) * 2019-12-13 2023-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制备方法、显示基板和显示装置
CN111162097B (zh) * 2020-01-03 2022-03-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
US11997891B2 (en) 2020-03-24 2024-05-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, fabricating method thereof and display panel
KR20210126202A (ko) * 2020-04-09 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US11502107B2 (en) 2020-08-19 2022-11-15 Innolux Corporation Crack stopper structure in electronic device
WO2024009728A1 (ja) * 2022-07-05 2024-01-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101853875A (zh) * 2006-01-31 2010-10-06 京瓷株式会社 El装置
CN102568377A (zh) * 2010-12-13 2012-07-11 索尼公司 显示装置和电子装置
CN102820264A (zh) * 2011-06-09 2012-12-12 精材科技股份有限公司 晶片封装结构及其制作方法
CN103811530A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN104425550A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN105261620A (zh) * 2014-07-10 2016-01-20 三星显示有限公司 显示设备及制造该显示设备的方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100831235B1 (ko) 2002-06-07 2008-05-22 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판
KR100972148B1 (ko) * 2002-12-31 2010-07-23 엘지디스플레이 주식회사 씰패턴 하부의 적층구조에 특징을 가지는 액정표시장치
KR100495866B1 (ko) 2003-08-19 2005-06-16 학교법인 동아대학교 어레이 구조의 분자 전자 소자 및 그 제조 방법
KR100599726B1 (ko) 2003-11-27 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
JP4297438B2 (ja) 2003-11-24 2009-07-15 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光表示装置，表示パネル，及び発光表示装置の駆動方法
JP2006054111A (ja) * 2004-08-12 2006-02-23 Sony Corp 表示装置
US7753751B2 (en) * 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
KR100695169B1 (ko) * 2006-01-11 2007-03-14 삼성전자주식회사 평판표시장치
KR20100010810A (ko) 2008-07-23 2010-02-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법
KR20100020167A (ko) 2008-08-12 2010-02-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101319096B1 (ko) 2009-02-24 2013-10-17 엘지디스플레이 주식회사 탑 에미션 인버티드형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의제조방법
CN102754524B (zh) * 2010-07-23 2015-09-02 株式会社日本有机雷特显示器 显示面板及其制造方法
WO2012017498A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法
JP2014021170A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
KR101980230B1 (ko) * 2012-10-09 2019-09-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치용 어레이 기판과, 이의 제조 방법
KR101984736B1 (ko) * 2012-10-09 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치용 어레이 기판
KR101971202B1 (ko) * 2012-11-22 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20140119583A (ko) * 2013-04-01 2014-10-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102257119B1 (ko) * 2013-06-17 2021-05-31 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US9472507B2 (en) * 2013-06-17 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and organic light-emitting display including the same
KR102116105B1 (ko) * 2013-07-31 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR102420461B1 (ko) * 2015-02-06 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101853875A (zh) * 2006-01-31 2010-10-06 京瓷株式会社 El装置
CN102568377A (zh) * 2010-12-13 2012-07-11 索尼公司 显示装置和电子装置
CN102820264A (zh) * 2011-06-09 2012-12-12 精材科技股份有限公司 晶片封装结构及其制作方法
CN103811530A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN104425550A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN105261620A (zh) * 2014-07-10 2016-01-20 三星显示有限公司 显示设备及制造该显示设备的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11563034B2 (en) 2023-01-24
US20230215870A1 (en) 2023-07-06
US20160233248A1 (en) 2016-08-11
KR102633850B1 (ko) 2024-02-07
CN109962093B (zh) 2023-07-11
KR20230060493A (ko) 2023-05-04
US20240213255A1 (en) 2024-06-27
KR20160097449A (ko) 2016-08-18
US10461096B2 (en) 2019-10-29
US11923375B2 (en) 2024-03-05
KR102525052B1 (ko) 2023-04-25
CN105870147A (zh) 2016-08-17
US20200052002A1 (en) 2020-02-13
KR102420461B1 (ko) 2022-07-14
KR20220103079A (ko) 2022-07-21
US10211228B2 (en) 2019-02-19
US9825056B2 (en) 2017-11-21
US10847546B2 (en) 2020-11-24
US20210104555A1 (en) 2021-04-08
CN113130514A (zh) 2021-07-16
US20190181158A1 (en) 2019-06-13
US20180076230A1 (en) 2018-03-15
CN109962093A (zh) 2019-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105870147B (zh) 显示设备
US11639551B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US10923682B2 (en) Display apparatus having protective layer and method of manufacturing the same
KR102087952B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN111312763B (zh) 显示装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant