KR20140119583A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 측면에 의하면, 가요성 기판; 상기 가요성 기판 상에 형성되며 박막 트랜지스터를 포함하는 구동 회로부; 상기 가요성 기판 상에 형성되며 상기 구동 회로부와 연결된 유기 발광 소자; 상기 가요성 기판 상에 형성되어 상기 유기 발광 소자 및 상기 구동 회로부를 커버하는 봉지층; 및 상기 가요성 기판에 대향 배치된 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성되는 제 1 보호막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플렉서블(flexible)한 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하며, 애노드에서 주입되는 정공과 캐소드에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 재결합하여 소멸하면서 빛을 내는 자발광형 표시 장치이다.
또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
그런데, 유기 발광 표시 장치가 무겁고 파손되기 쉬운 유리 기판을 사용할 경우 휴대성 및 대화면 표시에 한계가 있다.
따라서, 플라스틱과 같은 가요성 기판을 사용하여 플렉서블(flexible)한 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 이에 따라 플라스틱과 같은 가요성 기판의 표면 및 패널 내부를 보호할 필요가 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내구성을 향상시키고, 두께 조절이 용이한 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
또한 상기한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 가요성 기판; 상기 가요성 기판 상에 형성되며 박막 트랜지스터를 포함하는 구동 회로부; 상기 가요성 기판 상에 형성되며 상기 구동 회로부와 연결된 유기 발광 소자; 상기 가요성 기판 상에 형성되어 상기 유기 발광 소자 및 상기 구동 회로부를 커버하는 봉지층; 및 상기 가요성 기판에 대향 배치된 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성되는 제 1 보호막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
여기서, 상기 제 1 보호막은 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist) 소재를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제 1 보호막은 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
여기서, 상기 가요성 기판은 플라스틱 소재로 만들어질 수 있다.
여기서, 상기 봉지층은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다.
여기서, 상기 가요성 기판 바로 위에 형성되는 베리어막;을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 가요성 기판; 상기 가요성 기판 상에 형성되며 박막 트랜지스터를 포함하는 구동 회로부; 상기 가요성 기판 상에 형성되며 상기 구동 회로부와 연결된 유기 발광 소자; 상기 가요성 기판 상에 형성되어 상기 유기 발광 소자 및 상기 구동 회로부를 커버하는 봉지층; 및 상기 가요성 기판 바로 위에 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성되는 제 2 보호막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
여기서, 상기 제 2 보호막은 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist) 소재를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제 2 보호막은 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
여기서, 상기 가요성 기판은 플라스틱 소재로 만들어질 수 있다.
여기서, 상기 봉지층은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제 2 보호층 바로 위에 형성되는 베리어막;을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 가요성 기판에 대향 배치된 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성되는 제 3 보호막;을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제 3 보호막은 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist) 소재를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, (a) 글라스(glass) 기판 상에 가요성(flexible) 기판을 형성하는 단계; (b) 상기 가요성 기판 상에 박막 트랜지스터를 포함하는 구동 회로부와 상기 구동 회로부와 연결된 유기 발광 소자를 형성하는 단계; (c) 상기 가요성 기판 상에 상기 유기 발광 소자 및 상기 구동 회로부를 커버하는 봉지층을 형성하는 단계; (d) 상기 글라스 기판을 상기 가요성 기판으로부터 분리시키는 단계; 및 (e) 상기 가요성 기판에 포토레지스트(photoresist) 소재의 제 1 보호막을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
여기서, 상기 제 1 보호막은 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist) 소재를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제 1 보호막은 스핀 코팅(spin coating) 방식으로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 스핀 코팅 방식에 있어서, 상기 제 1 보호막의 두께는상기 가요성 기판의 스핀 속력(spin speed)에 따라 조절될 수 있다.
여기서, 상기 제 1 보호막은 슬릿 코팅(slit coating) 방식으로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 슬릿 코팅 방식에 있어서, 슬릿 노즐(slit nozzle)의 너비는 650mm 이상 750mm 이하이고, 슬릿 노즐의 이동 속력(moving speed)은 10m/s 이상 20m/s 이하일 수 있다.
여기서, 상기 제 1 보호막은 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
여기서, 상기 (a) 단계 이후에, 상기 가요성 기판 바로 위에 베리어막을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 가요성 기판은 플라스틱 소재로 만들어질 수 있다.
여기서, 상기 봉지층은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내구성이 향상된 슬림한 유기 발광 표시 장치를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 제조 공정의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 제조 공정의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 7은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 표시 패널의 일 화소의 화소 회로를 나타내는 회로도이다.
도 8은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 표시 패널의 내부 구조를 확대 도시한 배치도이다.
도 9는 도 8의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 제조 공정의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 제조 공정의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 7은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 표시 패널의 일 화소의 화소 회로를 나타내는 회로도이다.
도 8은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 표시 패널의 내부 구조를 확대 도시한 배치도이다.
도 9는 도 8의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “위에” 또는 “상에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 위에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 표시 패널(100) 및 제 1 보호막(140)을 포함한다.
표시 패널(100)은 가요성 기판(110), 구동 회로부(DC), 유기 발광 소자(70), 그리고 봉지층(130)을 포함한다.
가요성 기판(110)은 플렉서블(flexible)한 플라스틱 소재로 만들어진다. 그러나 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 가요성 기판(110)이 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다. 또한 가요성 기판(110)으로 그 밖에 플렉서블한 다양한 소재가 사용될 수도 있다.
구동 회로부(DC)는 박막 트랜지스터(10, 20)(도 8에 도시)를 포함하며, 유기 발광 소자(70)를 구동한다. 유기 발광 소자(70)는 구동 회로부(DC)와 연결되어 구동 회로부(DC)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출하여 화상을 표시한다.
유기 발광 소자(70) 및 구동 회로부(DC)의 구체적인 구조는 도 8 및 도 9에 나타나 있으나, 본 발명의 일 실시예가 도 8 및 도 9에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 유기 발광 소자(70) 및 구동 회로부(DC)는 해당 기술 분야의 전문가가 용이하게 변형 실시할 수 있는 범위 내에서 다양한 구조로 형성될 수 있다.
봉지층(130)은, 구체적으로 도시하지는 않았으나, 다층 구조로 형성된다. 봉지층(130)은 복수의 무기막들로 만들어지거나, 무기막과 유기막이 혼합되어 만들어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 봉지층(130)은 해당 기술 분야에 종사하는 자에게 공지된 다양한 종류의 무기막들 및 유기막들을 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 표시 패널(100)은 가요성 기판(110)과 구동 회로부(DC) 사이에 배치된 베리어막(120)을 더 포함한다. 베리어막(120)은 다양한 무기막들 및 유기막들 중에서 하나 이상의 막으로 형성될 수 있다. 베리어막(120)은 수분과 같이 불필요한 성분이 가요성 기판(110)을 투과해 유기 발광 소자(70)에 침투하는 것을 방지한다. 유기 발광 소자(70)에 침투한 수분은 유기 발광 소자(70)의 수명을 단축시킨다.
제 1 보호막(140)은 가요성 기판(110)에 대향 배치된다. 제 1 보호막(140)은 표시 패널(100)의 기구 강도를 향상시키는 역할을 한다. 제 1 보호막은 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성될 수 있다. 포토레지스트(photoresist) 소재의 제 1 보호막(140)이 가요성 기판(110)에 대향 배치됨으로써, 공정상에서 표시 패널(100)을 물리적인 힘에 대해 보호할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제 1 보호막(140)으로 해당 기술 분야에 종사하는 자에게 공지된 다양한 종류의 포토레지스트(photoresist)가 사용될 수 있다.
제 1 보호막(140)의 바람직한 소재로서, 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist)가 사용될 수 있다. 에폭시 소재는 열경화성 플라스틱의 하나로 환경 변화에 잘 견디어 표시 패널(100)을 효과적으로 보호할 수 있다.
제 1 보호막(140)의 바람직한 소재로서, 마이크로켐(microchem)사의 KMPR 또는 마이크로켐(microchem)사의 SU-8이 사용될 수 있다. 상기한 KMPR 또는 SU-8을 제 1 보호막(140)의 소재로 사용함으로써, 완제품의 특성에 맞게끔 제 1 보호막(140)의 두께(T1)를 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 제 1 보호막(140)은 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께를 가질 수 있다. 제 1 보호막(140)의 두께(T1)가 10㎛ 보다 얇게 형성되면 에폭시 계열 수지의 경도(hardness)나 탄성 계수(reduced modulus) 등의 물리적 특성을 고려했을 때, 공정 흐름에서의 패널 보호막 기능을 만족하지 못한다. 반면, 제 1 보호막(140)의 두께(T1)가 100㎛ 보다 크게 형성되면 유기 발광 표시 장치(1)의 전체적인 두께가 불필요하게 두꺼워진다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 플렉서블한 특성이 저하될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)의 단면도이다.
이하, 전술한 도 1의 실시예와의 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명한다. 여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1) 표시 패널(200)을 포함한다.
표시 패널(200)은 가요성 기판(110), 구동 회로부(DC), 유기 발광 소자(70), 봉지층(130) 및 제 2 보호막(150)을 포함한다.
제 2 보호막(150)은 가요성 기판(110) 바로 위에 형성된다. 제 2 보호막(150)은 표시 패널(100)의 기구 강도를 향상시키는 역할을 한다. 제 1 보호막은 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성될 수 있다. 포토레지스트(photoresist) 소재의 제 2 보호막(150)이 가요성 기판(110) 바로 위에 배치됨으로써, 공정상에서 표시 패널(200) 내부의 구동 회로부(DC) 및 유기 발광 소자(70)를 물리적인 힘에 대해 보호할 수 있다. 본 실시예에서, 제 2 보호막(150)으로 해당 기술 분야에 종사하는 자에게 공지된 다양한 종류의 포토레지스트(photoresist)가 사용될 수 있다.
제 2 보호막(150)의 바람직한 소재로서, 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist)가 사용될 수 있다. 에폭시 소재는 열경화성 플라스틱의 하나로 환경 변화에 잘 견디어 표시 패널(200) 내부의 구동 회로부(DC) 및 유기 발광 소자(70)를 효과적으로 보호할 수 있다.
제 2 보호막(150)의 바람직한 소재로서, 마이크로켐(microchem)사의 KMPR 또는 마이크로켐(microchem)사의 SU-8이 사용될 수 있다. 상기한 KMPR 또는 SU-8을 제 2 보호막(150)의 소재로 사용함으로써, 완제품의 특성에 맞게끔 제 2 보호막(150)의 두께(T2)를 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 제 2 보호막(150)은 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께(T2)를 가질 수 있다. 제 2 보호막(150)의 두께(T2)가 10㎛ 보다 얇게 형성되면 에폭시 계열 수지의 경도(hardness)나 탄성 계수(reduced modulus) 등의 물리적 특성을 고려했을 때, 공정 흐름에서의 보호막 기능을 만족하지 못한다. 반면, 제 2 보호막(150)의 두께(T2)가 100㎛ 보다 크게 형성되면 유기 발광 표시 장치(2)의 전체적인 두께가 불필요하게 두꺼워진다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)의 플렉서블한 특성이 저하될 수 있다.
도 3는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3)의 단면도이다.
이하, 전술한 도 2의 실시예와의 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명한다. 여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.
도 3를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(3) 표시 패널(200) 및 제 3 보호막(160)을 포함한다.
표시 패널(200)은 가요성 기판(110), 구동 회로부(DC), 유기 발광 소자(70), 봉지층(130) 및 제 2 보호막(150)을 포함한다.
제 3 보호막(160)은 가요성 기판(110)에 대향 배치된다. 제 3 보호막(160)은 표시 패널(200)의 기구 강도를 향상시키는 역할을 한다.
제 2 보호막(150) 및 제 3 보호막(160)은 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성될 수 있다. 포토레지스트(photoresist) 소재의 제 3 보호막(160)이 가요성 기판(110)에 대향 배치됨으로써, 공정상에서 표시 패널(200)을 물리적인 힘에 대해 보호한다. 또한 포토레지스트(photoresist) 소재의 제 2 보호막(150)이 가요성 기판(110) 바로 위에 배치됨으로써, 공정상에서 표시 패널(200) 내부의 구동 회로부(DC) 및 유기 발광 소자(70)를 물리적인 힘에 대해 보호할 수 있다. 결국 표시 패널(200) 내부의 구동 회로부(DC) 및 유기 발광 소자(70)가 제 2 보호막(150) 및 제 3 보호막(160)에 의해 이중으로 보호됨으로써, 유기 발광 표시 장치(3)의 기구 신뢰성이 향상될 수 있다. 본 실시예에서, 제 2 보호막(150) 및 제 3 보호막(160)으로 해당 기술 분야에 종사하는 자에게 공지된 다양한 종류의 포토레지스트(photoresist)가 사용될 수 있다.
제 2 보호막(150) 및 제 3 보호막(160)의 바람직한 소재로서, 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist)가 사용될 수 있다. 에폭시 소재는 열경화성 플라스틱의 하나로 환경 변화에 잘 견디어 표시 패널(200) 및 표시 패널(200) 내부의 구동 회로부(DC) 및 유기 발광 소자(70)를 효과적으로 보호할 수 있다.
제 2 보호막(150) 및 제 3 보호막(160)의 바람직한 소재로서, 마이크로켐(microchem)사의 KMPR 또는 마이크로켐(microchem)사의 SU-8이 사용될 수 있다. 상기한 KMPR 또는 SU-8을 제 2 보호막(150) 및 제 3 보호막(160)의 소재로 사용함으로써, 완제품의 특성에 맞게끔 제 2 보호막(150)의 두께(T2) 및 제 3 보호막(160)의 두께(T3)를 용이하게 조절할 수 있다.
이하, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 도 1의 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 글라스(glass) 기판(170) 상에 플렉서블한 가요성 기판(110)을 형성한다. 가요성 기판(110)은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 및 폴리이미드 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱을 소재로 만들어진다.
플라스틱을 소재로 만들어진 가요성 기판(110)은 열을 가할 경우 휘거나 늘어나는 성질이 있어 그 위에 각종 전극이나 도전 배선 등의 박막 패턴을 정밀하게 형성하기 어려운 점이 있다. 이에, 가요성 기판(110)을 글라스 기판(170)에 접착시킨 상태에서 여러 박막 패턴 형성 공정을 진행하게 된다.
다음, 가요성 기판(110) 상에 베리어막(120)을 형성하고, 그 위에 구동 회로부(DC)와 유기 발광 소자(70)를 형성한다. 그리고 가요성 기판(110) 상에 유기 발광 소자(70) 및 구동 회로부(DC)를 커버하는 봉지층(130)을 형성하여 표시 패널(100)을 완성한다. 한편, 가요성 기판(110) 상에 베리어막(120)을 형성하기 전에, 가요성 기판(110) 바로 위에 제 2 보호막(150)을 형성한다면, 도 2 및 도 3의 표시 패널(200)을 완성할 수 있다.
다음, 도 4b에 도시한 바와 같이, 기판(170)을 가요성 기판(110)으로부터 분리시킨다.
다음, 도 4c에 도시한 바와 같이, 글라스 기판(170)이 떨어져나간 가요성 기판(110)에 제 1 보호막(140)을 형성한다. 제 1 보호막(140)의 구체적인 형성 방법은 도 5 및 도 6에서 설명한다.
이와 같은 제조 방법을 통하여, 내구성이 향상된 슬림한 유기 발광 표시 장치(1)를 제조할 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 1의 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 공정의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 5를 참조하면, 제 1 보호막(140)은 스핀 코팅(spin coating) 방식으로 형성될 수 있다. 스핀 코팅 장치는 표시 패널(100)이 안착되는 스테이지(210) 및 제 1 보호막(140)의 재료인 도포액(141)을 상기 표시 패널(100) 상에 제 1 보호막(140)을 적하시키는 디스펜서(220)를 포함하며, 이러한 스핀 코팅 장치는 도포액(141)을 표시 패널(100) 상에 적하시킨 후에 표시 패널(100)을 회전시키거나, 도포액(141)의 적하와 동시에 표시 패널(100)을 회전시키는 방식으로 도포액(141)을 도포한다. 표시 패널(100)의 회전에 따라, 표시 패널(100) 상의 도포액(141)은 점점 퍼지고, 결국 표시 패널(100) 상에 제 1 보호막(140)이 형성된다.
표시 패널(100)의 회전에 따라 표시 패널(100) 상의 도포액(141)은 점점 퍼지면서 제 1 보호막(140)이 형성되므로, 가요성 기판(110)의 스핀 속력(spin speed)(V1)에 따라 제 1 보호막(140)의 두께(T1, 도 1 참조)가 조절될 수 있다.
[그림 1]
[그림 1]의 그래프를 참조하여, 제 1 보호막(140)을 KMPR 소재로 스핀 코팅(spin coating) 방식으로 형성할 시에, KMPR의 종류별로 스핀 속력(V1, Spin Speed)과 제 1 보호막의 두께(T1, Film Thickness)와의 관계를 살펴본다.
KMPR의 제품명에 따른 점도(viscosity)를 살펴보면, KMPR1005는 45% 고체(solids) 함유에 95cSt 점도(viscosity)를 가진다. KMPR1010는 55% 고체(solids) 함유에 600cSt 점도(viscosity), KMPR1025는 63.8% 고체(solids) 함유에 4800cSt 점도(viscosity)를 가진다. 마지막으로 KMPR1050는 고체(solids) 함유에 13000cSt 점도(viscosity)를 가진다.
[그림1]의 그래프를 참조하면, KMPR의 종류별로 스핀 속력(V1, Spin Speed)이 커질수록 제 1 보호막의 두께(T1, Film Thickness)는 작아진다. 또한 스핀 속력(V1, Spin Speed)이 동일한 경우, KMPR1050, KMPR1025, KMPR1010 및 KMPR1005 순으로 제 1 보호막의 두께(T1, Film Thickness)는 작아진다.
종합적으로 살펴보면, 동일 스핀 속력(V1, Spin Speed) 1000rpm으로 적용했을시, KMPR의 종류에 따라 10㎛ 내지 100㎛까지 두께 조절이 가능함을 알 수 있다. 결국, 제 1 보호막(140)을 KMPR 소재로 스핀 코팅(spin coating) 방식으로 형성함으로써 제 1 보호막의 두께(T1)를 용이하게 조절할 수 있다. 한편 이런 점도(viscosity)와 스핀 속력(Spin Speed)의 관계를 비슷한 점도(viscosity)를 가지는 다른 포토레지스트(photoresist)나 폴리(poly) 계열의 제품에도 확대 적용시킬 수 있다.
도 6을 참조하면, 제 1 보호막(140)은 슬릿 코팅(spin coating) 방식으로 형성될 수 있다. 슬릿 코팅 장치는 표시 패널(100)이 안착되는 스테이지(310) 및 슬릿 노즐(slit nozzle)(320)을 포함하며, 이러한 슬릿 코팅 장치는 상기 슬릿 노즐(320)을 일 방향으로 소정의 이동 속력(V2)로 이동하면서, 도포액(141)을 표시 패널(100) 상에 도포하는 방식이다.
슬릿 노즐(slit nozzle)의 너비(W)는 650mm 이상 750mm 이하가 됨이 바람직하다. 슬릿 노즐(slit nozzle)의 너비(W)가 650mm보다 작은 경우에는 슬릿 노즐(slit nozzle)의 너비(W)가 표시 패널(100)의 너비보다 작게 되어 한번의 슬릿 코팅으로 제 1 보호막(140)을 형성하는 것이 불가능하다. 슬릿 노즐(slit nozzle)의 너비(W)가 750mm보다 클 경우에는 슬릿 노즐(slit nozzle)의 너비(W)가 표시 패널(100)의 너비보다 커지게 되어 원료 손실을 유발한다.
슬릿 노즐의 이동 속력(V2)은 10m/s 이상 20m/s 이하가 됨이 바람직하다. 슬릿 노즐의 이동 속력(V2)이 10m/s보다 느린 경우에는 설비 트랙 타임(track time)에 영향을 줄 수 있다. 슬릿 노즐의 이동 속력(V2)이 20m/s보다 빠른 경우에는 코팅(coating)된 필름 두께의 균일도(uniformity)에 문제가 발생한다. 물론 사용될 필름 제품의 점도(viscosity)에 따라 슬릿 노즐의 이동 속력(V2)의 약간의 변화 폭은 존재한다.
종합적으로 살펴보면, KMPR의 종류, 슬릿 노즐의 너비(W) 및 슬릿 노즐의 이동 속력(V2)에 따라 제 1 보호막(140)의 두께 조절이 가능하다. 결국, 제 1 보호막(140)을 KMPR 소재로 슬릿 코팅(slit coating) 방식으로 형성함으로써 제 1 보호막의 두께(T1)를 용이하게 조절할 수 있다. 한편 이런 슬릿 코팅(slit coating) 방식을 다른 포토레지스트(photoresist)나 폴리(poly) 계열의 제품에도 확대 적용시킬 수 있다.
이하, 도 7, 도 8 및 도 9를 참조하여, 유기 발광 표시 장치(1)의 표시 패널(100)의 내부 구조에 대해 상세히 설명한다. 도 7은 표시 패널(100)의 일 화소의 화소 회로(PC)를 나타내는 회로도이고, 도 8은 표시 패널(100)의 화소 구조를 나타낸 배치도이고, 도 9는 도 7의 Ⅵ-Ⅵ선에 따른 표시 패널(100)의 단면을 나타낸다.
도 7를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 복수의 신호선에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소들이 포함되어 있고, 각 화소들은 화소 회로(PC)를 갖는다. 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 패널(100)은 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
각 화소에는 데이터 라인(50), 게이트 라인(40), 및 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode, OLED)(70)의 일 구동전원이 되는 공통 전원 라인(60)이 구비된다. 화소 회로(PC)는 이들 데이터 라인(50), 게이트 라인(40), 및 공통 전원 라인(60)에 전기적으로 연결되어 있으며, 유기 발광 소자(70)의 발광을 제어하게 된다.
각 화소는 스위칭 박막 트랜지스터(10)와, 구동 박막 트랜지스터(20)의 적어도 2개의 박막 트랜지스터와, 축전 소자(30) 및 유기 발광 소자(70)를 구비한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(40)에 인가되는 게이트 신호에 의해 ON/OFF되어 데이터 라인(50)에 인가되는 데이터 신호를 축전 소자(30) 및 구동 박막 트랜지스터(20)에 전달한다. 스위칭 소자로는 반드시 스위칭 박막 트랜지스터(10)만에 한정되는 것은 아니며, 복수개의 박막 트랜지스터와 커패시터를 구비한 스위칭 회로가 구비될 수도 있고, 구동 박막 트랜지스터(20)의 Vth값을 보상해주는 회로나, 공통 전원 라인(60)의 전압강하를 보상해주는 회로가 더 구비될 수도 있다.
상기 구동 박막 트랜지스터(20)는 스위칭 박막 트랜지스터(10)를 통해 전달되는 데이터 신호에 따라, 유기 발광 소자(70)로 유입되는 전류량을 결정한다.
상기 축전 소자(30)는 스위칭 박막 트랜지스터(10)를 통해 전달되는 데이터 신호를 한 프레임 동안 저장한다.
구동 박막 트랜지스터(20) 및 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 PMOS 박막 트랜지스터로 도시되어 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 구동 박막 트랜지스터(20) 및 스위칭 박막 트랜지스터(10) 중 적어도 하나를 NMOS 박막 트랜지스터로 형성할 수도 있음은 물론이다. 그리고, 상기와 같은 박막 트랜지스터 및 축전 소자의 개수는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 이보다 더 많은 수의 박막 트랜지스터 및 축전 소자를 구비할 수 있음은 물론이다.
도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 표시 패널(100)은 하나의 화소마다 각각 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(30), 그리고 유기 발광 소자(70)를 포함한다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 및 축전 소자(30)를 포함하는 구성을 구동 회로부(DC)라 한다. 그리고 표시 패널(100)은 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(40)과, 게이트 라인(40)과 절연 교차되는 데이터 라인(50), 및 공통 전원 라인(60)을 더 포함한다. 여기서, 하나의 화소는 게이트 라인(40), 데이터 라인(50) 및 공통 전원 라인(60)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 8에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치(1)를 도시하고 있지만, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치(1)는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다.
유기 발광 소자(70)는 화소 전극(71)과, 화소 전극(71) 상에 형성된 유기 발광층(73)과, 유기 발광층(73) 상에 형성된 공통 전극(75)을 포함한다. 여기서, 화소 전극(71)은 정공 주입 전극인 양(+)극이며, 공통 전극(75)은 전자 주입 전극인 음(-)극이 된다. 그러나 본 발명의 일 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치(1)의 구동 방법에 따라 화소 전극(71)이 음극이 되고, 공통 전극(75)이 양극이 될 수도 있다. 화소 전극(71) 및 공통 전극(75)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(73) 내부로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
유기 발광층(73)은 개구 내부에 형성되어 각 화소별로 별도의 발광 물질이 형성될 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광층(73)은 화소의 위치에 관계 없이 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 이때, 유기 발광층은 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 또한, 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)에서 유기 발광 소자(70)는 봉지층(130) 방향으로 빛을 방출한다. 즉, 유기 발광 소자(70)는 전면 발광형이다. 여기서, 유기 발광 소자(70)가 봉지층(130) 방향으로 빛을 방출하기 위해, 화소 전극(71)으로는 반사형 전극이 사용되고 공통 전극(75)으로는 투과형 또는 반투과형 전극이 사용된다. 그러나 본 발명의 일 실시예에서, 유기 발광 표시 장치(1)가 전면 발광형에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(1)는 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수도 있다.
축전 소자(30)는 층간 절연막(80)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(31, 33)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(80)은 유전체가 된다. 축전 소자(30)에서 축전된 전하와 양 축전판(31, 33) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(11), 스위칭 게이트 전극(13), 스위칭 소스 전극(15), 및 스위칭 드레인 전극(17)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(21), 구동 게이트 전극(23), 구동 소스 전극(25), 및 구동 드레인 전극(27)을 포함한다.
또한, 도 9에서는, 탑(top) 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 도시하고 있으나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 바텀(bottom) 게이트 구조의 박막 트랜지스터가 사용될 수도 있다. 또한, 스위칭 반도체층(11) 및 구동 반도체층(21)은 다결정 실리콘으로 형성될 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면 반도체 활성층(212)은 G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)을 포함할 수 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(13)은 게이트 라인(40)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(15)은 데이터 라인(50)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(17)은 스위칭 소스 전극(15)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(31)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(70)의 유기 발광층(73)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(71)에 인가한다. 구동 게이트 전극(23)은 스위칭 드레인 전극(17)과 연결된 축전판(31)과 연결된다. 구동 소스 전극(25) 및 다른 한 축전판(33)은 각각 공통 전원 라인(60)과 연결된다. 구동 드레인 전극(27)은 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(70)의 화소 전극(71)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(40)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(50)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(60)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(30)에 저장되고, 축전 소자(30)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(70)로 흘러 유기 발광 소자(70)가 발광하게 된다.
유기 발광 소자(70) 상에는, 도 9에 도시한 바와 같이, 봉지층(130)이 배치되어 유기 발광 소자(70) 및 구동 회로부(DC)를 보호한다. 봉지층(130)은 하나 이상의 유기층(133)과 하나 이상의 무기층(131, 135)이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다. 상기 무기층 또는 상기 유기층은 각각 복수 개일 수 있다. 상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 봉지층 중 외부로 노출된 최상층은 유기 발광 소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 잇다. 상기 봉지층은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 상기 봉지층은 상기 유기 발광 소자 및 구동 회로부의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층은 상기 유기 발광 소자 및 구동 회로부의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층은 상기 유기 발광 소자 및 구동 회로부의 상부로부터 순차적으로 제 1 무기층, 제 1 유기층, 제 2 무기층, 제 2 유기층, 제 3 무기층, 제 3 유기층, 제 4 무기층을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 소자와 상기 제 1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 상기 제 1 무기층을 스퍼터링 방식 또는 플라즈마 증착 방식으로 형성할 때 상기 유기 발광 소자 및 구동 회로부가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제 1 유기층은 상기 제 2 무기층 보다 면적이 좁은 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 유기층도 상기 제 3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제 1 유기층은 상기 제 2 무기층에 의해 완전히 뒤덮이는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 유기층도 상기 제 3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.
또한, 가요성 기판(110) 바로 위에는 베리어막(120)이 형성된다. 베리어막(120)은 다양한 무기막들 및 유기막들 중에서 하나 이상의 막으로 형성될 수 있다. 베리어막(120)은 수분과 같이 불필요한 성분이 가요성 기판(110)을 투과해 유기 발광 소자(70)에 침투하는 것을 방지한다.
상기 도면들에 도시된 구성요소들은 설명의 편의상 확대 또는 축소되어 표시될 수 있으므로, 도면에 도시된 구성요소들의 크기나 형상에 본 발명이 구속되는 것은 아니며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100, 200: 표시 패널 110: 가요성 기판
120: 베리어막 DC: 구동 회로부
70: 유기 발광 소자 130: 봉지층
140: 제 1 보호막 150: 제 2 보호막
160: 제 3 보호막
120: 베리어막 DC: 구동 회로부
70: 유기 발광 소자 130: 봉지층
140: 제 1 보호막 150: 제 2 보호막
160: 제 3 보호막
Claims (24)
- 가요성 기판;
상기 가요성 기판 상에 형성되며 박막 트랜지스터를 포함하는 구동 회로부;
상기 가요성 기판 상에 형성되며 상기 구동 회로부와 연결된 유기 발광 소자;
상기 가요성 기판 상에 형성되어 상기 유기 발광 소자 및 상기 구동 회로부를 커버하는 봉지층; 및
상기 가요성 기판에 대향 배치된 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성되는 제 1 보호막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 보호막은 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist) 소재를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 보호막은 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께를 갖는 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 가요성 기판은 플라스틱 소재로 만들어진 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 봉지층은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 가요성 기판 바로 위에 형성되는 베리어막;을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 가요성 기판;
상기 가요성 기판 상에 형성되며 박막 트랜지스터를 포함하는 구동 회로부;
상기 가요성 기판 상에 형성되며 상기 구동 회로부와 연결된 유기 발광 소자;
상기 가요성 기판 상에 형성되어 상기 유기 발광 소자 및 상기 구동 회로부를 커버하는 봉지층; 및
상기 가요성 기판 바로 위에 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성되는 제 2 보호막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 보호막은 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist) 소재를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 보호막은 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께를 갖는 유기 발광 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 가요성 기판은 플라스틱 소재로 만들어진 유기 발광 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 봉지층은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 보호층 바로 위에 형성되는 베리어막;을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 가요성 기판에 대향 배치된 포토레지스트(photoresist) 소재로 형성되는 제 3 보호막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 3 보호막은 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist) 소재를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - (a) 글라스(glass) 기판 상에 가요성(flexible) 기판을 형성하는 단계;
(b) 상기 가요성 기판 상에 박막 트랜지스터를 포함하는 구동 회로부와 상기 구동 회로부와 연결된 유기 발광 소자를 형성하는 단계;
(c) 상기 가요성 기판 상에 상기 유기 발광 소자 및 상기 구동 회로부를 커버하는 봉지 박막을 형성하는 단계;
(d) 상기 글라스 기판을 상기 가요성 기판으로부터 분리시키는 단계; 및
(e) 상기 가요성 기판에 포토레지스트(photoresist) 소재의 제 1 보호막을 형성하는 단계;
를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 1 보호막은 에폭시계 음성 포토레지스트(epoxy based negative tone photoresist) 소재를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 보호막은 스핀 코팅(spin coating) 방식으로 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 스핀 코팅 방식에 있어서, 상기 제 1 보호막의 두께는상기 가요성 기판의 스핀 속력(spin speed)에 따라 조절되는 유기 발광 표시 제조 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 보호막은 슬릿 코팅(slit coating) 방식으로 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 슬릿 코팅 방식에 있어서, 슬릿 노즐(slit nozzle)의 너비는 650mm 이상 750mm 이하이고, 슬릿 노즐의 이동 속력(moving speed)은 10m/s 이상 20m/s 이하인 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 보호막은 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께를 갖는 유기 발광 표시 장치 제조 방법 - 제 16 항에 있어서,
상기 (a) 단계 이후에, 상기 가요성 기판 바로 위에 베리어막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 가요성 기판은 플라스틱 소재로 만들어진 유기 발광 표시 장치 제조 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 봉지층은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
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