CN106449694A - 柔性显示器及其制造方法 - Google Patents

柔性显示器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106449694A
CN106449694A CN201610616045.0A CN201610616045A CN106449694A CN 106449694 A CN106449694 A CN 106449694A CN 201610616045 A CN201610616045 A CN 201610616045A CN 106449694 A CN106449694 A CN 106449694A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal layer
insulating barrier
tft
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610616045.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106449694B (zh
Inventor
徐泰安
金泰雄
薛英国
崔溱桓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN106449694A publication Critical patent/CN106449694A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106449694B publication Critical patent/CN106449694B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Abstract

公开了柔性显示器以及制造柔性显示器的方法。在一方面中，柔性显示器包括柔性衬底和薄膜晶体管(TFT)层，其中，柔性衬底包括显示区和围绕显示区的周边区，薄膜晶体管(TFT)层形成在柔性衬底上并且包括绝缘层和TFT。绝缘层由有机材料形成以及在周边区中具有围绕显示区的开口。柔性显示器还包括电连接至TFT的像素电极。柔性显示器还包括第一金属层，第一金属层形成在开口中并且覆盖开口的内侧面。

Description

柔性显示器及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年8月4日提交至韩国知识产权局的第10-2015-0110236号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用以其整体并入本文。
技术领域
所描述的技术大体涉及柔性显示器以及制造该柔性显示器的方法。
背景技术
由于对柔性显示器的兴趣增强，所以对柔性显示器进行了大量的研究。为了制造柔性显示器，使用由合成树脂等形成的柔性衬底代替典型的玻璃衬底。在不使用具有充分刚性的基础支承衬底的情况下，难以制造柔性衬底。柔性衬底被形成并且经历多种处理步骤，以及最终与支承衬底分离。
通常，在制造柔性显示器的方法中，周围大气的水分和氧气渗透显示单元，从而损伤材料，并且因此，柔性显示器的可靠性比刚性显示器低。
发明内容
所描述的技术大体涉及柔性显示器以及制造该柔性显示器的方法，藉此可易于阻挡外部的氧气和水分渗透柔性显示器的显示单元。
另一方面是柔性显示器，柔性显示器包括：柔性衬底，具有显示区和围绕显示区的周边区；薄膜晶体管层，位于柔性衬底上并且包括绝缘层和薄膜晶体管，其中，绝缘层包含有机材料以及在周边区中具有围绕显示区的开口；像素电极，电连接至薄膜晶体管；以及第一金属层，位于开口中并且覆盖开口的内侧面。
第一金属层可具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状以及可穿透绝缘层。
第一金属层可填充在开口中。
在柔性衬底与薄膜晶体管层之间还可插入有包含有机材料或无机材料的缓冲层，以及开口可使缓冲层的一部分暴露。
在第一金属层上还可布置有第二金属层。
第二金属层可包括与像素电极相同的材料。
薄膜晶体管可包括半导体层、栅电极以及源电极和漏电极，其中，栅电极的一部分与半导体层重叠，源电极和漏电极通过接触孔电连接至半导体层，以及在柔性衬底与第一金属层之间还可插入有包括与半导体层相同的材料的第一材料层。
开口可使第一材料层的上表面的一部分暴露。
第一金属层可包括与源电极和漏电极相同的材料。
绝缘层可介于半导体层与源电极和漏电极之间。
在第一金属层与第二金属层之间还可插入有第二材料层。
在薄膜晶体管与像素电极之间还可插入有通道层，以及第二材料层可包括与通道层相同的材料。
柔性显示器还可包括在像素电极之上的薄膜封装层，其中，薄膜封装层位于柔性衬底的整个表面上以及在第一金属层的上表面之上延伸，从而覆盖第一金属层。
另一方面是制造柔性显示器的方法，该方法包括以下操作：制备柔性衬底，柔性衬底具有显示区和围绕显示区的周边区；形成薄膜晶体管层，形成薄膜晶体管层包括在柔性衬底上形成半导体层的过程、形成栅电极的过程、形成源电极和漏电极的过程以及形成包含有机材料的绝缘层的过程，其中，栅电极的一部分与半导体层重叠，源电极和漏电极通过接触孔电连接至半导体层；形成电连接至薄膜晶体管的像素电极；在周边区上形成开口，开口穿透绝缘层，使得开口围绕柔性衬底的显示区；以及在开口中形成第一金属层，使得第一金属层覆盖开口的内侧面。
形成第一金属层可包括形成具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状的第一金属层，使得第一金属层可围绕柔性衬底的显示区。
本方法还可包括在形成薄膜晶体管层之前在柔性衬底上形成有机材料或无机材料的缓冲层，以及开口可形成为使缓冲层的一部分暴露或使包括与薄膜晶体管的半导体层相同的材料的第一材料层的上表面的一部分暴露。
本方法还可包括在第一金属层上形成第二金属层，其中，形成第二金属层和形成像素电极同时执行。
本方法还可包括：在形成源电极和漏电极与形成像素电极之间形成通道层；以及在形成第一金属层与形成第二金属层之间形成第二材料层，以及形成通道层和形成第二材料层可同时执行。
形成开口与在形成薄膜晶体管时形成接触孔可同时执行。
形成绝缘层可在形成半导体层与形成源电极和漏电极之间执行。
另一方面是柔性显示器，包括：柔性衬底，包括显示区和围绕显示区的周边区；薄膜晶体管(TFT)层，布置在柔性衬底上并且包括绝缘层和TFT，其中，绝缘层由有机材料形成且在周边区中具有围绕显示区的开口；像素电极，电连接至TFT；以及第一金属层，形成在开口中并且覆盖开口的内侧面。
在上述柔性显示器中，第一金属层具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状，以及穿透绝缘层。
在上述柔性显示器中，第一金属层部分地填充在开口中。
上述柔性显示器还包括由有机材料或无机材料形成的缓冲层，其中，缓冲层介于柔性衬底与TFT层之间，以及其中，缓冲层通过开口接触第一金属层。
上述柔性显示器还包括布置在第一金属层之上的第二金属层。
在上述柔性显示器中，第二金属层由与像素电极相同的材料形成。
在上述柔性显示器中，TFT包括半导体层、具有与半导体层重叠的部分的栅电极以及通过多个接触孔电连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，柔性显示器还包括由与半导体层相同的材料形成的第一材料层，以及其中，第一材料层介于柔性衬底与第一金属层之间。
在上述柔性显示器中，第一材料层的上表面的一部分通过开口接触第一金属层。
在上述柔性显示器中，第一金属层由与源电极和漏电极的材料相同的材料形成。
在上述柔性显示器中，绝缘层介于半导体层与源电极和漏电极之间。
上述柔性显示器还包括介于第一金属层与第二金属层之间的第二材料层。
上述柔性显示器还包括通道层，通道层介于TFT与像素电极之间，以及其中，第二材料层由与通道层相同的材料形成。
上述柔性显示器还包括形成在像素电极之上的薄膜封装层，其中，薄膜封装层形成在柔性衬底的整个表面之上并且在第一金属层的上表面之上延伸，从而覆盖第一金属层。
另一方面是制造柔性显示器的方法，该方法包括：制备柔性衬底，柔性衬底具有显示区和围绕显示区的周边区；形成薄膜晶体管(TFT)层，包括：在柔性衬底之上形成半导体层；形成栅电极，栅电极具有与半导体层重叠的部分；形成源电极和漏电极，源电极和漏电极通过多个接触孔电连接至半导体层；以及形成由有机材料形成的绝缘层。该方法还包括：形成电连接至TFT的像素电极；在周边区中形成开口，开口穿透绝缘层，使得开口围绕柔性衬底的显示区；以及在开口中形成第一金属层使得第一金属层覆盖开口的内侧面。
在上述方法中，形成第一金属层包括形成具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状的第一金属层，使得第一金属层围绕柔性衬底的显示区。
上述方法还包括：在形成TFT层之前在柔性衬底之上形成有机材料或无机材料的缓冲层，其中，缓冲层的一部分或第一材料层的上表面的一部分通过开口连接至第一金属层，以及其中，第一材料层由与TFT的半导体层相同的材料形成。
上述方法还包括在第一金属层之上形成第二金属层，其中，形成第二金属层和形成像素电极同时执行。
上述方法还包括：在形成源电极和漏电极与形成像素电极之间，形成通道层；以及在形成第一金属层与形成第二金属层之间，形成第二材料层，其中，形成通道层和形成第二材料层同时执行。
在上述方法中，形成开口与在形成薄膜晶体管时形成接触孔同时执行。
在上述方法中，形成绝缘层在形成半导体层与形成源电极和漏电极之间执行。
附图说明
图1示出了根据示例性实施方式的柔性显示器的平面图。
图2示出了沿线II-II作出的图1的柔性显示器的剖视图。
图3示出了根据另一示例性实施方式的柔性显示器的剖视图。
图4示出了根据另一示例性实施方式的柔性显示器的剖视图。
图5示出了根据另一示例性实施方式的柔性显示器的剖视图。
图6、图7和图8是示出了根据示例性实施方式的与柔性显示器有关的制造过程的剖视图。
图9是示出了根据示例性实施方式的制造柔性显示器的过程的流程图。
具体实施方式
因为所描述的技术顾及了多种改变和多个实施方式，所以具体实施方式将在附图中示出并且在书面描述中详细描述。现将参照附图更充分地描述所描述的技术的效果和特征，在附图中示出了示例性实施方式。然而，所描述的技术可以以许多不同的形式实施而不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。
相同或相对应的部件用相同的附图标记表示而与图号无关，以及省略了冗余的解释。
在说明书全文中，当诸如“第一”、“第二”等措辞可用于描述各种部件时，这些部件不必限于以上措辞。以上措辞仅用于将一个部件与另一部件区分开。此外，除非存在与之相反的特定描述，否则单数形式可包括复数形式。
在说明书全文中，诸如“包括(comprise)”或“包括有(comprising)”的措辞用于说明在说明书中描述的特征和/或部件的存在，不排除一个或多个其它特征和/或一个或多个其它部件的存在。将理解的是，当层、区、部件等被称为在另一层、另一区或另一部件“上”时，该层、区、部件等可直接在另一层、另一区或另一部件上或者也可存在中间层、中间区或中间部件。
在附图中，为了清楚，层和区域的厚度被夸大。例如，为了便于描述，附图中的元件的厚度和尺寸被任意地示出，因此，所描述的技术的精神和范围不必须由附图限定。
在下文中，在一个或多个示例性实施方式中，X轴、Y轴和Z轴可不限于直角坐标系上的三个轴，而可被解释成包括三个轴的宽泛含义。例如，X轴、Y轴和Z轴可相互垂直或者可表示不相互垂直的不同方向。
此外，还应注意的是，在一些可替代的实现方式中，本文中所描述的所有方法的步骤可不按顺序发生。例如，示出为连续的两个步骤可实际上大致同时执行，或者这两个步骤可有时以相反的顺序执行。
如在本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关的所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。诸如“……中的至少一个”的表述当位于元件列表之后时，修饰元件的整个列表，而不修饰列表中的单个元件。在本公开中，措辞“大致”包括在一些应用下或根据本领域技术人员完全、几乎完全或到任何显著程度的意思。此外，“形成、布置或放置在…之上”也可以意为“形成、布置或放置在…上”。术语“连接”包括电连接。
图1示出了根据示例性实施方式的柔性显示器1的平面图。图2示出了沿线II-II作出的图1的柔性显示器1的剖视图。
参照图1和图2，根据本示例性实施方式的柔性显示器1包括柔性衬底100、薄膜晶体管层180、第一金属层300和第二金属层310。薄膜晶体管层180可布置在柔性衬底100上并且可包括薄膜晶体管TFT以及第一绝缘层130和第二绝缘层150。第一绝缘层130和第二绝缘层150中的每个可包含有机材料。柔性显示器1还包括像素电极210。在第一绝缘层130和第二绝缘层150中的每个中可形成有开口300a。第一金属层300和第二金属层310可布置在柔性衬底100的周边区PA上。
柔性衬底100可具有柔性特性并且可由包括金属材料、塑性材料的多种材料形成，塑性材料诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺等。柔性衬底100可具有显示区DA和围绕显示区DA的周边区PA，其中，在显示区DA中布置有多个像素。
参照图1，像素PX布置在柔性衬底100的显示区DA上。像素PX可具有红色、绿色、蓝色和白色中的一个，以及可组合来显示图像。
第一金属层300可布置在柔性衬底100的周边区PA上。如图1中所示，第一金属层300具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状，从而围绕显示区DA。第一金属层300可包括金属材料并且可形成为单层或多叠层。
虽然未在图1中示出，但是向显示区DA上的像素PX供应电信号的数据线(未示出)和扫描线(未示出)、以及分别驱动数据线和扫描线的数据驱动单元(未示出)和扫描驱动单元(未示出)可布置在周边区PA上。向数据驱动单元和扫描驱动单元传递图像和控制信号的焊盘单元(未示出)也可布置在周边区PA中。
在本示例性实施方式中，布置在柔性衬底100的周边区PA上的第一金属层300可设计成不干扰形成数据驱动单元和扫描驱动单元以及焊盘单元的其它线。例如，第一金属层300可形成在柔性衬底100的最外区，从而完全围绕形成有数据驱动单元和扫描驱动单元以及焊盘单元的区。作为另一示例，当围绕显示区DA的第一金属层300与包括在数据驱动单元和扫描驱动单元以及焊盘单元中的线部分地重叠时，为了防止第一金属层300干扰布置在周边区PA上的各种类型的线，重叠的线可形成在不同的层上、可形成有沟槽式结构或者可通过使用多种方法中的一种形成。
参照图2，薄膜晶体管层180可布置在柔性衬底100上。薄膜晶体管层180可包括薄膜晶体管TFT和多个绝缘层。电连接至薄膜晶体管TFT的像素电极210可布置在薄膜晶体管层180上。薄膜晶体管层180可包括在有机发光二极管(OLED)显示器或液晶显示器(LCD)中。在本示例性实施方式中，假设薄膜晶体管层180包括在OLED显示器中。
薄膜晶体管TFT包括由非晶硅、多晶硅或有机半导体材料形成的半导体层120、栅电极140、源电极160s和漏电极160d。为了绝缘的目的，第一绝缘层130和第二绝缘层150可分别布置在半导体层120与栅电极140之间以及栅电极140与源电极160s和漏电极160d之间。在下文中，描述薄膜晶体管TFT的一般结构。
首先，缓冲层110可布置在柔性衬底100上，从而平坦化柔性衬底100的上表面或者防止外来杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层120中，以及半导体层120可布置在缓冲层110上。缓冲层110可形成为包括氧化硅或氮化硅的单层或多叠层。
栅电极140布置在半导体层120上，以及源电极160s和漏电极160d响应于施加至栅电极140的信号而电连接。考虑到与相邻层的粘附、堆叠层的表面平坦化、可成形性等，栅电极140可形成为由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一个形成的单层或多叠层。
就此而言，第一绝缘层130可介于半导体层120与栅电极140之间。第一绝缘层130可以是布置为保证半导体层120与栅电极140之间的绝缘的栅绝缘层，以及可由绝缘材料形成。例如，为了改善柔性显示器1的柔性，第一绝缘层130可包括诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。
第二绝缘层150可布置在栅电极140上，以及可用作使栅电极140与源电极160s和漏电极160d绝缘的层间绝缘层。为了改善柔性显示器1的柔性，第二绝缘层150可包括诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。
源电极160s和漏电极160d布置在第二绝缘层150上。源电极160s和漏电极160d通过接触孔160a电连接至半导体层120，接触孔160a形成在第二绝缘层150和第一绝缘层130中。考虑到导电性，源电极160s和漏电极160d可形成为由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一个形成的单层或多叠层。
虽然未示出，但是保护层(未示出)可覆盖薄膜晶体管TFT，从而保护具有上述结构的薄膜晶体管TFT。保护层可由诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成。
通道层170可布置在柔性衬底100上。就此而言，通道层170可以是平坦化层或保护层。当在薄膜晶体管TFT上布置有OLED 200时，通道层170通常平坦化薄膜晶体管TFT的上表面，以及保护薄膜晶体管TFT和各种装置。通道层170可包括丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)。
如图2中所示，缓冲层110、第一绝缘层130、第二绝缘层150和通道层170布置在柔性衬底100的整个表面上。
像素限定层240可布置在薄膜晶体管TFT之上。像素限定层240可布置在通道层170上，以及可具有用于使像素电极210的中央部分暴露的开口。像素限定层240限定位于柔性衬底100上的像素区。
像素限定层240可形成为有机绝缘层。有机绝缘层可由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯基聚合物、聚苯乙烯(PS)、包括苯酚基的聚合物衍生物、亚胺基聚合物、烯丙醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、p-二甲苯聚合物、乙烯醇基聚合物或它们的组合形成。
OLED 200可布置在像素限定层240上。OLED 200可包括像素电极210、包括发射层(EML)的中间层220以及相对电极230。
像素电极210可形成为透明电极或半透明电极或反射电极。当像素电极210形成为透明电极或半透明电极时，像素电极210可包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。当像素电极210形成为反射电极时，像素电极210可具有包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层，以及可具有包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的层。然而，一个或多个示例性实施方式不限于此，以及因此像素电极210可由多种材料形成且可具有单层结构或多层结构。
中间层220可布置在由像素限定层240限定的像素区中。中间层220包括响应于电信号发光的EML，并且可具有这样的结构，在该结构中，布置在EML与像素电极210之间的空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)以及布置在EML与相对电极230之间的电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)等单独或多重地堆叠。就此而言，中间层220的结构不限于此以及因此可改变。
覆盖包括EML的中间层220且面对像素电极210的相对电极230可布置在柔性衬底100的整个表面上。相对电极230可形成为透明电极或半透明电极或反射电极。
当相对电极230形成为透明电极或半透明电极时，相对电极230可具有包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其具有小的功函数的化合物的层，以及可具有包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电层或半透明导电层。当相对电极230形成为反射电极时，相对电极230可具有包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物的层。然而，相对电极230的结构和材料不限于此以及可改变。
参照图1和图2，开口300a可布置在柔性衬底100的周边区PA上，以及第一金属层300可布置在开口300a上。第一金属层300可布置成覆盖开口300a的内侧面，以及如图1中所示，第一金属层300形成在开口300a中。因为第一金属层300如图1中所示围绕显示区DA，所以开口300a也可布置成围绕显示区DA。即，开口300a也可具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状，从而围绕显示区DA。
开口300a可穿透包括在薄膜晶体管层180中的第一绝缘层130和第二绝缘层150。缓冲层110的一部分可通过穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a暴露。就此而言，如上所述，缓冲层110可包括无机绝缘材料。
如上所述，第一绝缘层130和第二绝缘层150可包含有机绝缘材料，以及就此而言，当第一绝缘层130和第二绝缘层150包含有机绝缘材料时，柔性显示器1的柔性被改善。然而，因为有机绝缘材料容易受到外部水分的渗透，所以柔性显示器1也容易受到外部氧气和水分的渗透。此外，因为第一绝缘层130和第二绝缘层150布置在柔性衬底100的整个表面上，所以第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面在周边区PA的外侧处向外暴露，使得氧气和水分可通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的向外暴露的侧表面流动到显示区DA中。
因此，根据本示例性实施方式，穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a布置在周边区PA上，从而围绕柔性衬底100的显示区DA。开口300a可阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。
第一金属层300可布置在开口300a上。就此而言，为了将第一金属层300布置在开口300a上，将第一金属层300的一部分填充到开口300a中。即，开口300a填充有第一金属层300，以及第一金属层300可用作阻隔壁，该阻隔壁阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。如上所述，第一金属层300的一部分填充到开口300a中，以及因此，第一金属层300布置在开口300a上，但是第一金属层300不电连接至任何装置。
第一金属层300可包括与薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d相同的材料。即，在制造过程期间，第一金属层300以及薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d可通过相同的工艺形成。因此，第一金属层300可包括金属材料，以及例如，第一金属层300可形成为包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一个的单层或多叠层。
第二金属层310可进一步布置在第一金属层300上。第二金属层310可形成为覆盖第一金属层300，以及如第一金属层300那样，第二金属层310也可围绕显示区DA。第二金属层310可包括与像素电极210的材料相同的材料。例如，第二金属层310可形成为包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一个的单层或多叠层。第二金属层310可布置在第一金属层300上，以及可防止可在第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
形成为像素限定层240的延伸的绝缘层340可在周边区PA中布置在第二金属层310上。当形成薄膜封装层400时，绝缘层340可用作屏障，该屏障防止薄膜封装层400向柔性衬底100的外端蔓延。绝缘层340可具有单层结构或多层结构，以及绝缘层340的形状不限于图2中所示的形状而可改变。
薄膜封装层400可布置在相对电极230上。虽然未示出，但是薄膜封装层400可具有多层结构，在多层结构中，堆叠有至少一个无机层和至少一个有机层。例如，有机层由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、尿烷基树脂、纤维素基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一个形成。无机层可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅(SiON)中的至少一个。
当薄膜封装层400覆盖OLED 200时，薄膜封装层400可形成在柔性衬底100的整个表面上，以及可延伸至柔性衬底100的周边区PA。在本示例性实施方式中，薄膜封装层400在第一金属层300上延伸，从而覆盖第一金属层300。通过这种方式，可完全阻挡可在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
根据本示例性实施方式，柔性显示器1包括开口300a和第一金属层300，第一金属层300填充在开口300a中，以及因此布置在开口300a上，其中，开口300a布置在周边区PA中并且穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150从而围绕柔性衬底100的显示区DA，使得可在柔性显示器1中阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。因为薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300，所以薄膜封装层400可阻挡在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分的渗透。因此，由于柔性显示器1的上述结构，所以可完全阻挡在形成为有机绝缘层的第一绝缘层130和第二绝缘层150的上表面和侧表面上流动的氧气和水分。
图3示出了根据另一示例性实施方式的柔性显示器2的剖视图。图3中示出的柔性显示器2的平面图等同于图1的平面图。参照图3，柔性显示器2的薄膜晶体管TFT和OLED 200与柔性显示器1的薄膜晶体管TFT和OLED 200相同，以及因此，以上对其提供的描述应用于此。
参照图1和图3，根据本示例性实施方式的柔性显示器2包括：柔性衬底100；薄膜晶体管层180，薄膜晶体管层180布置在柔性衬底100上并且包括薄膜晶体管TFT和缓冲层110以及包含有机材料的第一绝缘层130和第二绝缘层150；像素电极210；以及布置在柔性衬底100的周边区PA上的开口300a、第一金属层300和第二金属层310。
薄膜晶体管层180可布置在柔性衬底100上。薄膜晶体管层180可包括薄膜晶体管TFT和多个绝缘层。电连接至薄膜晶体管TFT的像素电极210可布置在薄膜晶体管层180上。薄膜晶体管层180可包括在OLED显示器或LCD中。在本示例性实施方式中，假设薄膜晶体管层180包括在OLED显示器中。
薄膜晶体管TFT包括半导体层120、栅电极140、源电极160s和漏电极160d，其中，半导体层120包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。
首先，缓冲层110可布置在柔性衬底100上从而平坦化柔性衬底100的上表面或者防止外来杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层120中，以及半导体层120可布置在缓冲层110上。在根据本示例性实施方式的柔性显示器2中，为了改善柔性显示器2的柔性，缓冲层110可形成为包括诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料的单层或多叠层。
栅电极140布置在半导体层120上，以及源电极160s和漏电极160d响应于施加至栅电极140的信号而电连接。
就此而言，第一绝缘层130可介于半导体层120与栅电极140之间。第一绝缘层130可以是布置成保证半导体层120与栅电极140之间绝缘的栅绝缘层，以及可包括绝缘材料。例如，为了改善柔性显示器2的柔性，第一绝缘层130可由诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料形成。
第二绝缘层150可布置在栅电极140上，以及可用作使栅电极140与源电极160s和漏电极160d绝缘的层间绝缘层。为了改善柔性显示器2的柔性，第二绝缘层150可由诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料形成。
源电极160s和漏电极160d布置在第二绝缘层150上。源电极160s和漏电极160d通过形成在第二绝缘层150和第一绝缘层130中的接触孔160a电连接至半导体层120。
通道层170可布置在柔性衬底100上。就此而言，通道层170可以是平坦化层或保护层。当OLED 200布置在薄膜晶体管TFT上时，通道层170通常平坦化薄膜晶体管TFT的上表面，以及保护薄膜晶体管TFT和各种装置。通道层170可包括丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)。
如图3中所示，缓冲层110、第一绝缘层130、第二绝缘层150和通道层170布置在柔性衬底100的整个表面上。
像素限定层240可布置在薄膜晶体管TFT之上。像素限定层240可布置在通道层170上，以及可具有用于使像素电极210的中心部分暴露的开口。像素限定层240限定位于柔性衬底100上的像素区。像素限定层240可形成为有机绝缘层。
OLED 200可布置在像素限定层240上。OLED 200可包括像素电极210、包括EML的中间层220以及相对电极230。
参照图3，开口300a布置在柔性衬底100的周边区PA上，以及第一金属层300布置在开口300a上。第一金属层300可布置成覆盖开口300a的内侧面，以及如图3中所示，第一金属层300形成在开口300a中。因为第一金属层300如图1中所示围绕显示区DA，所以开口300a也可布置成围绕显示区DA。即，开口300a也可具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状，从而围绕显示区DA。
开口300a可穿透包括在薄膜晶体管层180中的缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150。柔性衬底100的一部分可通过穿透缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a暴露。
如上所述，缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150可包含有机绝缘材料，以及就此而言，当缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150包含有机绝缘材料时，柔性显示器2的柔性被改善。然而，因为有机绝缘材料容易受到外部水分的渗透，所以柔性显示器2也容易受到外部氧气和水分的渗透。此外，因为缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150布置在柔性衬底100的整个表面上，所以缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面在周边区PA的外侧处向外暴露，使得氧气和水分可通过缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150的向外暴露的侧表面流动到显示区DA中。
因此，根据本示例性实施方式，穿透缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a布置在周边区PA上，从而围绕柔性衬底100的显示区DA。开口300a可阻挡通过缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。
第一金属层300可布置在开口300a上。就此而言，为了将第一金属层300布置在开口300a上，将第一金属层300的一部分填充在开口300a中。即，开口300a填充有第一金属层300，以及第一金属层300可用作阻隔壁，该阻隔壁阻挡通过缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。如上所述，第一金属层300的一部分填充到开口300a中，以及因此第一金属层300布置在开口300a上，但是第一金属层300不电连接至任何装置。
第一金属层300可由与薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d相同的材料形成。即，在制造过程期间，第一金属层300以及薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d可通过相同的工艺形成。因此，第一金属层300可包括金属材料，以及例如，第一金属层300可形成为包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一个的单层或多叠层。
第二金属层310可进一步布置在第一金属层300上。第二金属层310可形成为覆盖第一金属层300，以及如第一金属层300一样，第二金属层310也可围绕显示区DA。第二金属层310可包括与像素电极210相同的材料。例如，第二金属层310可形成为包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一个的单层或多叠层。第二金属层310可布置在第一金属层300上，以及可防止可在第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
形成为像素限定层240的延伸的绝缘层340可在周边区PA中布置在第二金属层310上。当形成薄膜封装层400时，绝缘层340可用作屏障，该屏障防止薄膜封装层400向柔性衬底100的外端蔓延。绝缘层340可具有单层结构或多层结构，以及绝缘层340的形状不限于图3中所示的形状而可改变。
薄膜封装层400可布置在相对电极230上。虽然未示出，但是薄膜封装层400可具有多层结构，在该多层结构中，堆叠有至少一个无机层和至少一个有机层。当薄膜封装层400覆盖OLED 200时，薄膜封装层400可形成在柔性衬底100的整个表面上，以及可延伸至柔性衬底100的周边区PA。在本示例性实施方式中，薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300。通过这种方式，可完全阻挡可在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
根据本示例性实施方式，柔性显示器2包括开口300a和第一金属层300，第一金属层300填充在开口300a中，以及因此布置在开口300a上，其中，开口300a布置在周边区PA中并且穿透缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150，从而围绕柔性衬底100的显示区DA，使得可在柔性显示器2中阻挡通过缓冲层110以及第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。因为薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300，所以薄膜封装层400可阻挡在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分的渗透。因此，由于柔性显示器2的上述结构，所以可完全阻挡在形成为有机绝缘层的第一绝缘层130和第二绝缘层150的上表面和侧表面上流动的氧气和水分。
图4示出了根据另一示例性实施方式的柔性显示器3的剖视图。图4中示出的柔性显示器3的平面图等同于图1的平面图。参照图4，柔性显示器3的薄膜晶体管TFT和OLED 200与柔性显示器1的薄膜晶体管TFT和OLED 200相同，以及因此，以上对其提供的描述应用于此。
参照图1和图4，根据本示例性实施方式的柔性显示器3包括：柔性衬底100；薄膜晶体管层180，薄膜晶体管层180布置在柔性衬底100上并且包括薄膜晶体管TFT以及包含有机材料的第一绝缘层130和第二绝缘层150；像素电极210；布置在柔性衬底100的周边区PA上的开口300a、第一金属层300和第二金属层310；以及第一材料层320，第一材料层320的上表面由于开口300a而部分地暴露。
薄膜晶体管层180可布置在柔性衬底100上。薄膜晶体管层180可包括薄膜晶体管TFT和多个绝缘层。电连接至薄膜晶体管TFT的像素电极210可布置在薄膜晶体管层180上。薄膜晶体管层180可包括在OLED显示器或LCD中。在本示例性实施方式中，假设薄膜晶体管层180包括在OLED显示器中。
薄膜晶体管TFT包括半导体层120、栅电极140、源电极160s和漏电极160d，其中，半导体层120包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。为了绝缘的目的，第一绝缘层130和第二绝缘层150可布置在半导体层120与栅电极140、源电极160s和漏电极160d之间。
首先，缓冲层110可布置在柔性衬底100上从而平坦化柔性衬底100的上表面或者防止外来杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层120中，以及半导体层120可布置在缓冲层110上。缓冲层110可包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料并且可形成为单层或多叠层。
栅电极140布置在半导体层120上，以及源电极160s和漏电极160d响应于施加至栅电极140的信号而电连接。
就此而言，第一绝缘层130可介于半导体层120与栅电极140之间。第一绝缘层130可以是布置成保证半导体层120与栅电极140之间绝缘的栅绝缘层，以及可包括绝缘材料。例如，为了改善柔性显示器3的柔性，第一绝缘层130可由诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料形成。
第二绝缘层150可布置在栅电极140上，以及可用作使栅电极140与源电极160s和漏电极160d绝缘的层间绝缘层。为了改善柔性显示器3的柔性，第二绝缘层150可包括诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。
源电极160s和漏电极160d布置在第二绝缘层150上。源电极160s和漏电极160d通过形成在第二绝缘层150和第一绝缘层130中的接触孔160a电连接至半导体层120。
通道层170可布置在柔性衬底100上。就此而言，通道层170可以是平坦化层或保护层。当OLED 200布置在薄膜晶体管TFT上时，通道层170通常平坦化薄膜晶体管TFT的上表面，以及保护薄膜晶体管TFT和各种装置。通道层170可包括丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)。
如图4中所示，缓冲层110、第一绝缘层130、第二绝缘层150和通道层170可布置在柔性衬底100的整个表面上。
像素限定层240可布置在薄膜晶体管TFT之上。像素限定层240可布置在通道层170上，以及可具有用于使像素电极210的中心部分暴露的开口。像素限定层240限定位于柔性衬底100上的像素区。像素限定层240可形成为有机绝缘层。
OLED 200可布置在像素限定层240上。OLED 200可包括像素电极210、包括EML的中间层220以及相对电极230。
参照图4，开口300a布置在柔性衬底100的周边区PA上，以及第一金属层300可布置在开口300a上。第一金属层300可覆盖开口300a的内侧面，以及如图4中所示，第一金属层300形成在开口300a中。因为第一金属层300如图1中所示围绕显示区DA，所以开口300a也可布置成围绕显示区DA。即，开口300a也可具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状，从而围绕显示区DA。
第一材料层320可布置在缓冲层110的布置有开口300a的部分上。第一材料层320也可沿着开口300a的布置围绕显示区DA。第一材料层320可包括与薄膜晶体管TFT的半导体层120相同的材料。
开口300a可穿透包含有机绝缘材料的第一绝缘层130和第二绝缘层150。第一材料层320的一部分可通过穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a暴露。
如上所述，第一绝缘层130和第二绝缘层150可包含有机绝缘材料，以及就此而言，当第一绝缘层130和第二绝缘层150包含有机绝缘材料时，柔性显示器3的柔性被改善。然而，因为有机绝缘材料容易受到外部水分的渗透，所以柔性显示器3也容易受到外部氧气和水分的渗透。此外，因为第一绝缘层130和第二绝缘层150布置在柔性衬底100的整个表面上，所以第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面在周边区PA的外侧处向外暴露，使得氧气和水分可通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的向外暴露的侧表面流动到显示区DA中。
因此，根据本示例性实施方式，穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a布置在周边区PA上，从而围绕柔性衬底100的显示区DA。开口300a可阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。
第一金属层300可布置在开口300a上。就此而言，为了将第一金属层300布置在开口300a上，将第一金属层300的一部分填充在开口300a中。即，开口300a填充有第一金属层300，以及第一金属层300可用作阻隔壁，该阻隔壁阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。
如上所述，第一金属层300的一部分填充到开口300a中，以及因此第一金属层300布置在开口300a上，但是第一金属层300不电连接至任何装置。虽然第一金属层300通过开口300a接触第一材料层320，但是这不使第一金属层300与第一材料层320电连接。这里，第一材料层320还形成围绕显示区DA的突起，以及第一金属层300通过开口300a接触形成突起的第一材料层320，使得可有效防止穿过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面的水分渗透。
第一金属层300可包括与薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d相同的材料。即，在制造过程期间，第一金属层300以及薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d可通过相同的工艺形成。
第二金属层310可进一步布置在第一金属层300上。第二金属层310可形成为覆盖第一金属层300，以及如第一金属层300一样，第二金属层310也可围绕显示区DA。第二金属层310可由与像素电极210相同的材料形成并且可形成为单层或多叠层。第二金属层310可布置在第一金属层300上，以及可防止可在第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
形成为像素限定层240的延伸的绝缘层340可在周边区PA中布置在第二金属层310上。当形成薄膜封装层400时，绝缘层340可用作屏障，该屏障防止薄膜封装层400向柔性衬底100的外端蔓延。绝缘层340可具有单层结构或多层结构，以及绝缘层340的形状不限于图4中所示的形状而可改变。
薄膜封装层400可布置在相对电极230上。虽然未示出，但是薄膜封装层400可具有多层结构，在该多层结构中，堆叠有至少一个无机层和至少一个有机层。当薄膜封装层400覆盖OLED 200时，薄膜封装层400可形成在柔性衬底100的整个表面上，以及可延伸至柔性衬底100的周边区PA。在本示例性实施方式中，薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300。通过这种方式，可完全阻挡可在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
根据本示例性实施方式，柔性显示器3包括开口300a和第一金属层300，第一金属层300填充在开口300a中，以及因此布置在开口300a上，其中，开口300a布置在周边区PA中并且穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150，从而围绕柔性衬底100的显示区DA，使得在柔性显示器3中可阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。因为薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300，所以薄膜封装层400可阻挡在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第一绝缘层130和第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分的穿透。因此，由于柔性显示器3的上述结构，所以可完全阻挡在形成为有机绝缘层的第一绝缘层130和第二绝缘层150的上表面和侧表面上流动的氧气和水分。
图5示出了根据另一示例性实施方式的柔性显示器4的剖视图。图5中示出的柔性显示器4的平面图等同于图1的平面图。参照图5，柔性显示器4的薄膜晶体管TFT和OLED 200与柔性显示器1的薄膜晶体管TFT和OLED 200相同，以及因此，以上对其提供的描述应用于此。
参照图1和图5，根据本示例性实施方式的柔性显示器4包括：柔性衬底100；薄膜晶体管层180，薄膜晶体管层180布置在柔性衬底100上并且包括薄膜晶体管TFT以及包含有机材料的第一绝缘层130和第二绝缘层150；像素电极210；布置在柔性衬底100的周边区PA上的开口300a、第一金属层300和第二金属层310；第一材料层320；以及介于第一金属层300与第二金属层310之间的第二材料层330。
薄膜晶体管层180可布置在柔性衬底100上。薄膜晶体管层180可包括薄膜晶体管TFT和多个绝缘层。电连接至薄膜晶体管TFT的像素电极210可布置在薄膜晶体管层180上。薄膜晶体管层180可包括在OLED显示器或LCD中。在本示例性实施方式中，假设薄膜晶体管层180包括在OLED显示器中。
薄膜晶体管TFT包括半导体层120、栅电极140、源电极160s和漏电极160d，其中，半导体层120包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。为了绝缘，第一绝缘层130和第二绝缘层150可布置在半导体层120与栅电极140、源电极160s和漏电极160d之间。
首先，缓冲层110可布置在柔性衬底100上从而平坦化柔性衬底100的上表面或者防止外来杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层120中，以及半导体层120可布置在缓冲层110上。缓冲层110可包括诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料并且可形成为单层或多叠层。
栅电极140布置在半导体层120上，以及源电极160s和漏电极160d响应于施加至栅电极140的信号而电连接。
就此而言，第一绝缘层130可介于半导体层120与栅电极140之间。第一绝缘层130可以是布置成保证半导体层120与栅电极140之间绝缘的栅绝缘层，以及可包括绝缘材料。例如，为了提高柔性显示器4的柔性，第一绝缘层130可由诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料形成。
第二绝缘层150可布置在栅电极140上，以及可用作使栅电极140与源电极160s和漏电极160d绝缘的层间绝缘层。为了改善柔性显示器4的柔性，第二绝缘层150可由诸如丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料形成。
源电极160s和漏电极160d布置在第二绝缘层150上。源电极160s和漏电极160d通过形成在第二绝缘层150和第一绝缘层130中的接触孔160a电连接至半导体层120。
通道层170可布置在柔性衬底100上。就此而言，通道层170可以是平坦化层或保护层。当OLED 200布置在薄膜晶体管TFT上时，通道层170通常平坦化薄膜晶体管TFT的上表面，以及保护薄膜晶体管TFT和各种装置。通道层170可包括丙烯基有机材料或苯并环丁烯(BCB)。
如图5中所示，缓冲层110、第一绝缘层130、第二绝缘层150和通道层170可布置在柔性衬底100的整个表面上。
像素限定层240可布置在薄膜晶体管TFT之上。像素限定层240可布置在通道层170上，以及可具有用于使像素电极210的中心部分暴露的开口。像素限定层240限定位于柔性衬底100上的像素区。像素限定层240可形成为有机绝缘层。
OLED 200可布置在像素限定层240上。OLED 200可包括像素电极210、包括EML的中间层220以及相对电极230。
参照图5，开口300a布置在柔性衬底100的周边区PA上，以及第一金属层300可布置在开口300a上。第一金属层300可布置成覆盖开口300a的内侧面。因为第一金属层300如图1中所示围绕显示区DA，所以开口300a也可布置成围绕显示区DA。即，开口300a也可具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状，从而围绕显示区DA。
第一材料层320可布置在缓冲层110的布置有开口300a的部分上。第一材料层320也可沿着开口300a的布置围绕显示区DA。第一材料层320可包括与薄膜晶体管TFT的半导体层120相同的材料。
开口300a可穿透包含有机绝缘材料的第一绝缘层130和第二绝缘层150。第一材料层320的一部分可通过穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a暴露。
如上所述，第一绝缘层130和第二绝缘层150可包含有机绝缘材料，以及就此而言，当第一绝缘层130和第二绝缘层150包含有机绝缘材料时，柔性显示器4的柔性被改善。然而，因为有机绝缘材料容易受到外部水分的渗透，所以柔性显示器4也容易受到外部氧气和水分的渗透。此外，因为第一绝缘层130和第二绝缘层150布置在柔性衬底100的整个表面上，所以第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面在周边区PA的外侧处向外暴露，使得氧气和水分可通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的向外暴露的侧表面流动到显示区DA中。
因此，根据本示例性实施方式，穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a布置在周边区PA上，从而围绕柔性衬底100的显示区DA。开口300a可阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。
第一金属层300可布置在开口300a上，以及就此而言，当第一金属层300布置在开口300a上时，第一金属层300可覆盖开口300a的内侧面。即，在根据本示例性实施方式的柔性显示器4中，开口300a具有预设宽度，第一金属层300布置在开口300a上从而覆盖开口300a的内侧面，以及第一金属层300可用作阻隔壁，该阻隔壁阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。
如上所述，第一金属层300的一部分沿着开口300a的内侧面布置，但是第一金属层300不电连接至任何装置。虽然第一金属层300通过开口300a接触第一材料层320，但是这不使第一金属层300与第一材料层320电连接。这里，第一材料层320还形成围绕显示区DA的突起，以及第一金属层300通过开口300a接触形成突起的第一材料层320，使得可有效防止穿过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面的水分渗透。
第一金属层300可包括与薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d相同的材料。即，在制造过程期间，第一金属层300以及薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d可通过相同的工艺形成。
在根据本示例性实施方式的柔性显示器4中，第二材料层330可布置在第一金属层300上。第二材料层330可通过填充成部分地覆盖沿着开口300a的内侧面布置的第一金属层300而形成。第二材料层330可由与通道层170相同的材料形成，以及根据通道层170的材料，第二材料层330可包含有机材料或无机材料。就此而言，第二材料层330可仅布置在第一金属层300上，而不会超出布置有第一金属层300的区。
第二金属层310可进一步布置在第二材料层330上。第二金属层310可布置成覆盖第一金属层300和第二材料层330，以及如第一金属层300一样，第二金属层310也可围绕显示区DA。第二金属层310可包括与像素电极210相同的材料并且可形成为单层或多叠层。第二金属层310可形成为覆盖第一金属层300，使得第二金属层310可防止可在第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
形成为像素限定层240的延伸的绝缘层340可在周边区PA中布置在第二金属层310上。当形成薄膜封装层400时，绝缘层340可用作屏障，该屏障防止薄膜封装层400向柔性衬底100的外端蔓延。绝缘层340可具有单层结构或多层结构，以及绝缘层340的形状不限于图5中所示的形状而可改变。
薄膜封装层400可布置在相对电极230上。虽然未示出，但是薄膜封装层400可具有多层结构，在该多层结构中，堆叠有至少一个无机层和至少一个有机层。当薄膜封装层400覆盖OLED 200时，薄膜封装层400可形成在柔性衬底100的整个表面上，以及可延伸至柔性衬底100的周边区PA。在本示例性实施方式中，薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300。通过这种方式，可完全阻挡可在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
根据本示例性实施方式，柔性显示器4包括开口300a和第一金属层300，第一金属层300填充在开口300a中，以及因此布置在开口300a上，其中，开口300a布置在周边区PA中并且穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150，从而围绕柔性衬底100的显示区DA，使得可在柔性显示器4中阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。因为薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300，所以薄膜封装层400可阻挡在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分的穿透。因此，由于柔性显示器4的上述结构，所以可完全阻挡在形成为有机绝缘层的第一绝缘层130和第二绝缘层150的上表面和侧表面上流动的氧气和水分。
在上文中描述了柔性显示器，但是一个或多个示例性实施方式不限于此。例如，执行为制造柔性显示器中的一个的柔性显示器方法也可属于一个或多个示例性实施方式的范围。
图6至图8是示出了根据示例性实施方式的与柔性显示器1有关的制造过程的剖视图。
参照图6，制备了具有显示区DA和围绕显示区DA的周边区PA的柔性衬底100。
柔性衬底100可包括具有柔性特性的多种材料。缓冲层110可布置在柔性衬底100上，从而平坦化柔性衬底100的上表面或者防止外来杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层120中。缓冲层110可形成为包括氧化硅或氮化硅的单层或多叠层。
形成薄膜晶体管TFT的半导体层120可形成在柔性衬底100的显示区DA上。在半导体层120形成之后，第一绝缘层130可形成在半导体层120上。第一绝缘层130可使半导体层120与栅电极140电绝缘。第一绝缘层130可形成在柔性衬底100的整个表面上，以及可包含有机绝缘材料。
与半导体层120部分地重叠的栅电极140可形成在半导体层120上。在栅电极140形成之后，第二绝缘层150可形成在栅电极140上。如第一绝缘层130一样，第二绝缘层150可形成在柔性衬底100的整个表面上，以及可包含有机绝缘材料。
然后，可形成穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150以使半导体层120的一部分暴露的接触孔160a。同时，穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a可形成在柔性衬底100的周边区PA中。通过开口300a，缓冲层110的一部分可向外暴露。
如上所述，第一绝缘层130和第二绝缘层150可由有机绝缘材料形成，以及当第一绝缘层130和第二绝缘层150由有机绝缘材料形成时，柔性显示器1的柔性被改善。然而，因为有机绝缘材料容易受到外部水分的渗透，所以柔性显示器1也容易受到外部氧气和水分的渗透。此外，因为第一绝缘层130和第二绝缘层150布置在柔性衬底100的整个表面上，所以第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面在周边区PA的外侧处向外暴露，使得氧气和水分可通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的向外暴露的侧表面流动到显示区DA中。
因此，根据本示例性实施方式，穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150的开口300a布置在周边区PA上，从而围绕柔性衬底100的显示区DA。开口300a可阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。
参照图7，可形成薄膜晶体管TFT的源电极160s和漏电极160d。源电极160s和漏电极160d可通过接触孔160a电连接至半导体层120。
如上所述，当形成源电极160s和漏电极160d时，第一金属层300可同时形成在周边区PA的开口300a中。因此，第一金属层300可包括与源电极160s和漏电极160d相同的材料。当第一金属层300布置在开口300a上时，第一金属层300形成为使得第一金属层300的一部分形成在开口300a中。即，第一金属层300形成在开口300a中，以及形成在开口300a中的第一金属层300围绕显示区DA，以及因此可用作阻隔壁，该阻隔壁阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。如上所述，第一金属层300的一部分形成在开口300a中，以及因此第一金属层300布置在开口300a上，但是第一金属层300不电连接至任何装置。
然后，参照图8，通道层170可形成在薄膜晶体管TFT上，以及电连接至薄膜晶体管层180的像素电极210可形成在通道层170上。
当形成像素电极210时，第二金属层310可同时形成在周边区PA的第一金属层300上。如第一金属层300一样，第二金属层310可围绕显示区DA。第二金属层310可形成为包括与像素电极210相同的材料。第二金属层310可布置在第一金属层300上，以及可防止可在第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分渗透到第一金属层300中。
形成为像素限定层240的延伸的绝缘层340可在周边区PA中布置在第二金属层310上。当形成薄膜封装层400时，绝缘层340可用作屏障，该屏障防止薄膜封装层400向柔性衬底100的外端蔓延。绝缘层340可具有单层结构或多层结构，以及绝缘层340的形状不限于图2中所示的形状而可改变。
重新参照图2，像素限定层240可布置在薄膜晶体管TFT之上。像素限定层240可布置在通道层170上以及可具有用于使像素电极210的中心部分暴露的开口。像素限定层240的开口限定OLED 200的像素区。
包括EML的中间层220可形成在像素限定层240的开口中，以及相对电极230可形成在中间层220上，同时，相对电极230在柔性衬底100的整个表面之上延伸。
薄膜封装层400可形成在相对电极230上。虽然未示出，但是薄膜封装层400可具有多层结构，在该多层结构中，堆叠有至少一个无机层和至少一个有机层。当薄膜封装层400覆盖OLED 200时，薄膜封装层400可形成在柔性衬底100的整个表面上，以及可延伸至柔性衬底100的周边区PA。在本示例性实施方式中，薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300。通过这种方式，可完全阻挡可在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第一绝缘层130和第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分。
根据本示例性实施方式，柔性显示器1包括开口300a和第一金属层300，第一金属层300填充在开口300a中以及因此布置在开口300a上，其中，开口300a布置在周边区PA中并且穿透第一绝缘层130和第二绝缘层150，从而围绕柔性衬底100的显示区DA，使得可在柔性显示器1中阻挡通过第一绝缘层130和第二绝缘层150的侧表面流动到显示区DA中的氧气和水分的渗透路径。因为薄膜封装层400在第一金属层300上延伸从而覆盖第一金属层300，所以薄膜封装层400可阻挡在布置在柔性衬底100的周边区PA上的第二绝缘层150的上表面上流动的氧气和水分的穿透。因此，由于柔性显示器1的上述结构，所以可完全阻挡在形成为有机绝缘层的第一绝缘层130和第二绝缘层150的上表面和侧表面上流动的氧气和水分。
图9是示出了根据示例性实施方式的制造柔性显示器的过程的流程图。如图9所示，在步骤S901中，制备具有显示区和围绕显示区的周边区的柔性衬底；在步骤S902中，形成薄膜晶体管(TFT)层；在步骤S903中，形成电连接至TFT的像素电极；在步骤904中，在周边区中形成穿透绝缘层的开口，使得开口围绕柔性衬底的显示区；以及在步骤S905中，在开口中形成第一金属层，使得第一金属层覆盖开口的内侧面。
根据所公开的实施方式中的至少一个，提供了柔性显示器以及制造该柔性显示器的方法，藉此可易于阻挡外部的氧气和水分渗透柔性显示器的显示单元。
应理解的是，本文中所描述的示例性实施方式应仅以描述性的意义理解而不是为了限制的目的。对各个示例性实施方式中的特征或方面的描述应通常被理解为适用于在其它示例性实施方式中的其它类似特征或方面。
一个或多个示例性实施方式的上述方面可通过使用系统、方法、计算机程序实现，或者可通过使用系统、方法和计算机程序的任何组合实现。
虽然已参照附图描述了发明的技术，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由以下权利要求限定的精神和范围的情况下，可在发明的技术中作出多种形式和细节上的改变。

Claims (20)

1.柔性显示器，包括：
柔性衬底，包括显示区和围绕所述显示区的周边区；
薄膜晶体管层，布置在所述柔性衬底上并且包括绝缘层和薄膜晶体管，其中，所述绝缘层由有机材料形成以及在所述周边区中具有围绕所述显示区的开口；
像素电极，电连接至所述薄膜晶体管；以及
第一金属层，形成在所述开口中以及覆盖所述开口的内侧面。
2.如权利要求1所述的柔性显示器，其中，所述第一金属层具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状以及穿透所述绝缘层。
3.如权利要求1所述的柔性显示器，其中，所述开口填充有所述第一金属层。
4.如权利要求1所述的柔性显示器，还包括由有机材料或无机材料形成的缓冲层，其中，所述缓冲层介于所述柔性衬底与所述薄膜晶体管层之间，以及其中，所述缓冲层通过所述开口接触所述第一金属层。
5.如权利要求1所述的柔性显示器，还包括布置在所述第一金属层之上的第二金属层。
6.如权利要求5所述的柔性显示器，其中，所述第二金属层由与所述像素电极相同的材料形成。
7.如权利要求5所述的柔性显示器，其中，所述薄膜晶体管包括：
半导体层；
栅电极，具有与所述半导体层重叠的部分；以及
源电极和漏电极，通过多个接触孔电连接至所述半导体层，
其中，所述柔性显示器还包括由与所述半导体层相同的材料形成的第一材料层，以及其中，所述第一材料层介于所述柔性衬底与所述第一金属层之间。
8.如权利要求7所述的柔性显示器，其中，所述第一材料层的上表面的一部分通过所述开口接触所述第一金属层。
9.如权利要求7所述的柔性显示器，其中，所述第一金属层由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成。
10.如权利要求7所述的柔性显示器，其中，所述绝缘层介于所述半导体层与所述源电极和所述漏电极之间。
11.如权利要求5所述的柔性显示器，还包括第二材料层，所述第二材料层介于所述第一金属层与所述第二金属层之间。
12.如权利要求11所述的柔性显示器，还包括通道层，所述通道层介于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间，以及其中，所述第二材料层由与所述通道层相同的材料形成。
13.如权利要求1所述的柔性显示器，还包括形成在所述像素电极之上的薄膜封装层，其中，所述薄膜封装层形成在所述柔性衬底的整个表面之上以及在所述第一金属层的上表面之上延伸，从而覆盖所述第一金属层。
14.制造柔性显示器的方法，所述方法包括：
制备柔性衬底，所述柔性衬底具有显示区和围绕所述显示区的周边区；
形成薄膜晶体管层，包括：
在所述柔性衬底之上形成半导体层；
形成栅电极，所述栅电极具有与所述半导体层重叠的部分；
形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极通过多个接触孔电连接至所述半导体层；以及
形成绝缘层，所述绝缘层由有机材料形成，
形成像素电极，所述像素电极电连接至所述薄膜晶体管；
在所述周边区中形成开口，所述开口穿透所述绝缘层，使得所述开口围绕所述柔性衬底的所述显示区；以及
在所述开口中形成第一金属层，使得所述第一金属层覆盖所述开口的内侧面。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述形成所述第一金属层包括：形成具有闭合的多边形形状或闭合的曲线形状的所述第一金属层，使得所述第一金属层围绕所述柔性衬底的所述显示区。
16.如权利要求14所述的方法，还包括：在所述形成所述薄膜晶体管层之前在所述柔性衬底之上形成有机材料或无机材料的缓冲层，
其中，所述缓冲层的一部分或第一材料层的上表面的一部分通过所述开口连接至所述第一金属层，以及其中，所述第一材料层由与所述薄膜晶体管的所述半导体层相同的材料形成。
17.如权利要求14所述的方法，还包括：在所述第一金属层之上形成第二金属层，其中，所述形成所述第二金属层和所述形成所述像素电极同时执行。
18.如权利要求17所述的方法，还包括：
在所述形成所述源电极和所述漏电极与所述形成所述像素电极之间，形成通道层；以及
在所述形成所述第一金属层与所述形成所述第二金属层之间，形成第二材料层，以及
其中，所述形成所述通道层和所述形成所述第二材料层同时执行。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述形成所述开口和在所述形成所述薄膜晶体管时形成所述接触孔同时执行。
20.如权利要求14所述的方法，其中，所述形成所述绝缘层在所述形成所述半导体层与所述形成所述源电极和所述漏电极之间执行。
CN201610616045.0A 2015-08-04 2016-07-29 柔性显示器及其制造方法 Active CN106449694B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0110236 2015-08-04
KR1020150110236A KR102396295B1 (ko) 2015-08-04 2015-08-04 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106449694A true CN106449694A (zh) 2017-02-22
CN106449694B CN106449694B (zh) 2022-08-16

Family

ID=58052685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610616045.0A Active CN106449694B (zh) 2015-08-04 2016-07-29 柔性显示器及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10229933B2 (zh)
KR (1) KR102396295B1 (zh)
CN (1) CN106449694B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107342363A (zh) * 2017-08-25 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法
CN109801953A (zh) * 2019-02-15 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板、其制备方法及装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180027704A (ko) * 2016-09-06 2018-03-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
CN107068715B (zh) 2017-03-28 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法
KR102531868B1 (ko) 2018-01-23 2023-05-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN109243305B (zh) * 2018-09-17 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
CN109585511A (zh) * 2018-12-03 2019-04-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN110071153B (zh) * 2019-04-26 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
KR20220082153A (ko) * 2020-12-09 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20230116154A (ko) * 2022-01-27 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066206A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
US20080121886A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-29 Hyun-Eok Shin Flat panel display and method of fabricating the same
CN101344695A (zh) * 2007-07-10 2009-01-14 三菱电机株式会社 显示面板及其制造方法
JP2009139394A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Mitsubishi Electric Corp 半透過型液晶表示装置、及びその製造方法
CN100550411C (zh) * 2005-11-16 2009-10-14 佳能株式会社 显示设备
US20130032802A1 (en) * 2011-08-01 2013-02-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin-film transistor array substrate, organic light-emitting display having the same, and method of manufacturing the organic light-emitting display
CN102983150A (zh) * 2011-09-02 2013-03-20 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN103811530A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
US20140361261A1 (en) * 2013-06-07 2014-12-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US20150060778A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
CN104600090A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230664B2 (ja) * 1998-04-23 2001-11-19 日本電気株式会社 液晶表示装置とその製造方法
KR100712103B1 (ko) 2004-11-26 2007-05-02 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
KR101365120B1 (ko) 2007-10-24 2014-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101065318B1 (ko) 2009-12-03 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101233348B1 (ko) * 2010-06-09 2013-02-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101521676B1 (ko) 2011-09-20 2015-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
JP6231281B2 (ja) * 2013-01-23 2017-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6391917B2 (ja) 2013-07-03 2018-09-19 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置及びその製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066206A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
CN100550411C (zh) * 2005-11-16 2009-10-14 佳能株式会社 显示设备
US20080121886A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-29 Hyun-Eok Shin Flat panel display and method of fabricating the same
CN101344695A (zh) * 2007-07-10 2009-01-14 三菱电机株式会社 显示面板及其制造方法
JP2009139394A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Mitsubishi Electric Corp 半透過型液晶表示装置、及びその製造方法
US20130032802A1 (en) * 2011-08-01 2013-02-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin-film transistor array substrate, organic light-emitting display having the same, and method of manufacturing the organic light-emitting display
CN102983150A (zh) * 2011-09-02 2013-03-20 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN103811530A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
US20140361261A1 (en) * 2013-06-07 2014-12-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US20150060778A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
CN104425550A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 乐金显示有限公司 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN104600090A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107342363A (zh) * 2017-08-25 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法
CN109801953A (zh) * 2019-02-15 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板、其制备方法及装置
CN109801953B (zh) * 2019-02-15 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板、其制备方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106449694B (zh) 2022-08-16
KR20170017057A (ko) 2017-02-15
US20170040347A1 (en) 2017-02-09
KR102396295B1 (ko) 2022-05-11
US10229933B2 (en) 2019-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106449694A (zh) 柔性显示器及其制造方法
US10756293B2 (en) Organic light-emitting display device having an undercut in the opening for the electrical connection to an auxiliary electrode
US20240130176A9 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN105957874B (zh) 有机发光显示装置
CN106252379A (zh) 显示装置
KR102632616B1 (ko) 디스플레이 장치
CN104517999B (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
TWI673692B (zh) 顯示裝置及其驅動方法
KR102386458B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107221549A (zh) 显示设备
CN108933162A (zh) 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法
US9651816B2 (en) Display panel, display apparatus having the same and method for displaying image using the same
CN109962093A (zh) 显示设备
CN106887523A (zh) 有机发光显示器及其制造方法
CN107658386A (zh) 具有用于防止有机材料溢出的结构的显示装置
CN102916009B (zh) 显示衬底、制造显示衬底的方法以及具有显示衬底的液晶显示装置
CN107801414A (zh) 触摸面板
CN106783911A (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN104752474B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR20150061302A (ko) 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치
KR20140128721A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN104300003B (zh) 薄膜晶体管及其制造方法以及电子设备
CN107154464A (zh) 制造显示装置的方法
CN105655378A (zh) 一种阵列基板和oled显示面板、制备方法及显示装置
CN109427823A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant