CN104752474B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104752474B
CN104752474B CN201410815451.0A CN201410815451A CN104752474B CN 104752474 B CN104752474 B CN 104752474B CN 201410815451 A CN201410815451 A CN 201410815451A CN 104752474 B CN104752474 B CN 104752474B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
storage electrode
grid
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410815451.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104752474A (zh
Inventor
张理植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN104752474A publication Critical patent/CN104752474A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104752474B publication Critical patent/CN104752474B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/495—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
    • H01L29/4958—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo with a multiple layer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种制造有机发光显示装置的方法。一个实例中的所述方法包括：在基板上顺序形成第一金属膜和第二金属膜，并对第一金属膜和第二金属膜执行掩模工序，以在薄膜晶体管区域、存储电容器区域和焊盘区域中形成栅极、第一存储电极和焊盘；在设置有栅极的基板上形成栅极绝缘膜；形成第三存储电极，所述第三存储电极与第二存储电极重叠并连接至漏极，所述第三存储电极与所述第二存储电极之间具有钝化膜；在基板的各像素区域中形成红色、绿色和蓝色滤色器；和在设置有滤色器的基板上形成有机发光二极管。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2013年12月30日在韩国提交的韩国专利申请第10-2013-0167693号的权益，通过引用将该申请作为一个整体结合在此。
技术领域
本申请涉及一种有机发光显示装置。更具体地，本申请涉及一种适合于增强元件的可靠性并减少掩模工序的数量的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，用于取代重且体积大的阴极射线管(CRT)的平板显示装置正得到发展。平板显示装置包括液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置。
与LCD装置不同，OLED装置是自发光的且不需要额外的光源。因此，与LCD装置相比，OLED装置更薄、重量更轻且色彩再现范围更优异。据此，OLED装置成为下一代显示装置的焦点。
OLED装置通常划分为无源型和有源型。
有源型的OLED装置包括与像素相对的薄膜晶体管。因此，与无源型OLED装置相比，有源型OLED装置具有功耗低和清晰度优异的优点。因此，有源型OLED装置主要用于实现大型图像显示装置。
常规OLED装置的显示面板包括布置成矩阵形状的子像素。所述子像素可包括红色、绿色和蓝色子像素。或者，所述子像素每个可包括白色子像素和颜色转换层，所述颜色转换层配置成将白色子像素的白光转换为红光、绿光和蓝光之一。此外，子像素可以是有源型或无源型。例如，有源型子像素包括配置成响应于扫描信号传输数据信号的开关晶体管、用于存储对应于数据信号的数据电压的存储电容器、配置成产生对应于数据电压的驱动电流的驱动晶体管和配置成发射对应于驱动电流的光的有机发光二极管。因此，有源型OLED的子像素可形成为包括开关晶体管、驱动晶体管、电容器和有机发光二极管的2T1C(两个晶体管和一个电容器)结构。或者，有源型子像素可形成为3T1C结构、4T2C结构和5T2C结构等之一。此外，子像素可形成为基于截面结构的顶发光模式、底发光模式和双发光模式。
图1是示出在现有技术的制造OLED装置的方法中，通过相同的掩模工序形成的蚀刻阻止层和接触孔的截面图。
参照图1，在薄膜晶体管结构中形成开关晶体管或驱动晶体管。尽管未在附图中示出，但在形成薄膜晶体管时，同时形成存储电极、像素电极和焊盘。
现在将描述形成包括在薄膜晶体管中的蚀刻阻止层15的工序。
在透明绝缘材料的基板上形成金属膜。通过对金属膜执行掩模工序而形成栅极11。此外，在设置有栅极11的基板10的整个表面上形成栅极绝缘膜12。
之后，在栅极绝缘膜上形成与栅极11相对的对应于半导体层的沟道层14，并在沟道层14上形成蚀刻阻止层15。蚀刻阻止层用于保护沟道层14。此外，在栅极绝缘膜12中形成暴露栅极11的一部分的接触孔Ck。一般来说，蚀刻阻止层15和接触孔Ck是通过不同的掩模工序形成的。然而，为了减少掩模工序的数量，现有技术的OLED装置的制造方法能够使蚀刻阻止层15和接触孔Ck同时形成。
此外，必须对蚀刻阻止层15执行热处理工艺。可对蚀刻阻止层执行热处理工艺，所述蚀刻阻止层是通过沉积用于蚀刻阻止层15的绝缘层并通过掩模工序图案化绝缘层形成的。或者，可在通过掩模工序将绝缘层图案化为蚀刻阻止层15之前，对沉积用于蚀刻阻止层的绝缘层执行热处理工艺。
然而，优选地对通过掩模工序完成的蚀刻阻止层15执行热处理工艺。在这种情况下，元件能够获得如图4A和4B中所示的优异可靠性。
针对这一点，如图1B所示，现有技术的制造OLED装置的方法允许对完成的蚀刻阻止层15执行热处理工艺。然而，由接触孔Ck暴露的栅极11的一部分会由于热处理工艺而被损坏。
换句话说，通过蚀刻工艺和热处理工艺完成蚀刻阻止层15。栅极11的一部分通过栅极接触孔Ck暴露在外部。由于这一点，在蚀刻工艺和热处理工艺期间栅极11可能会被损坏。
虽然仅描述了附图中所示的栅极11，但在基板10上与栅极相同的层中形成有存储电极和栅极焊盘及数据焊盘，使得它们通过各接触孔被部分地暴露。因此，在蚀刻阻止层15的形成工序期间，存储电极和栅极焊盘及数据焊盘可能会被损坏。
这些损坏导致元件的可靠性劣化和图像的质量劣化。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示装置及其制造方法。
本发明提供一种通过在栅极金属膜上形成导电氧化物半导体材料的阻挡层，适合于防止栅极、存储电极和焊盘的损坏的有机发光显示装置及其制造方法。
本发明提供一种通过在栅极、存储电极和焊盘上形成导电氧化物半导体材料的阻挡层，适合于增强元件的可靠性并减少掩模工序的数量的有机发光显示装置及其制造方法。
本发明另外的特征和优点将在下面的描述中列出，这些特征和优点的一部分通过下面的描述将是显而易见的，或者可通过对本发明的实施领会到。本发明的优点将通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了解决现有技术的上述问题，一种根据本发明的OLED显示装置的制造方法，包括：在基板上顺序形成第一金属膜和第二金属膜，并对第一金属膜和第二金属膜执行掩模工序，以在薄膜晶体管区域、存储电容器区域和焊盘区域中形成栅极、第一存储电极和焊盘；在设置有栅极的基板上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成与栅极相对的沟道层；在设置有沟道层的基板上形成绝缘层；利用另一掩模工序形成设置于沟道层上的蚀刻阻止层和第一至第三接触孔，所述第一至第三接触孔配置成暴露栅极、第一存储电极和焊盘；形成源极和漏极以及第二存储电极，所述源极和漏极设置在设置有蚀刻阻止层的基板上，所述第二存储电极设置在栅极绝缘膜上并在存储电容器区域内与第一存储电极相对；形成第三存储电极，所述第三存储电极与第二存储电极重叠并连接至漏极，所述第三存储电极与所述第二存储电极之间具有钝化膜；在基板的各像素区域中形成红色、绿色和蓝色滤色器；和形成有机发光二极管，所述有机发光二极管形成于设置有滤色器的基板上并包括电连接至第三存储电极的第一电极、形成于第一电极上的有机发光层和形成于有机发光层上的第二电极。
根据另一实施方式的一种OLED显示装置，包括：在基板上对应于薄膜晶体管区域、存储电容器区域和焊盘区域形成的栅极、第一存储电极和焊盘；在栅极、第一存储电极和焊盘上形成的阻挡层；在设置有阻挡层的基板上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的与栅极相对的沟道层；在沟道层上形成的蚀刻阻止层；配置成接触沟道层的一端和蚀刻阻止层的一端的源极；与源极分隔开的漏极，所述漏极通过栅极绝缘膜连接至第一存储电极，并且所述漏极配置成接触沟道层和蚀刻阻止层的另一端；通过栅极绝缘膜连接至栅极上的阻挡层的第一连接部；在栅极绝缘膜上形成的与第一存储电极相对的第二存储电极；通过栅极绝缘膜连接至焊盘的第一焊盘接触层；在设置有第一连接部、源极和漏极、第二存储电极和第一焊盘接触层的基板上形成的钝化膜；通过钝化膜连接至第一连接部的第二连接部；通过钝化膜连接至漏极并与第二存储电极重叠的第三存储电极；通过钝化膜连接至第一焊盘接触层的第二焊盘接触层；在设置有第二连接部、第三存储电极和第二焊盘接触层的基板的像素区域中形成的滤色器；和在设置有滤色器的基板上形成的有机发光二极管，并且所述有机发光二极管包括电连接至第三存储电极的第一电极、形成于第一电极上的有机发光层和形成于有机发光层上的第二电极。
根据下面的附图和详细描述，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员来说将是或将变得显而易见。所有这些另外的系统、方法、特征和优点都被包含在该描述中，被包含在本发明的范围内并由下面的权利要求书保护。在本部分中的任何内容都不应作为对权利要求书的限制。下面结合实施方式讨论其它的方面和优点。应当理解，本发明的前面的概括性描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的说明。
附图说明
被包括用来提供对本发明的进一步理解且并入本申请且构成本申请的一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1A是示出在现有技术的制造OLED装置的方法中，通过相同的掩模工序形成的蚀刻阻止层和接触孔的截面图；
图1B是图解在形成蚀刻阻止层之后，所执行的现有技术的OLED装置制造方法的热处理工艺的截面图；
图2A至图2K是图解根据本发明一个实施方式的OLED制造方法的截面图；
图3A至图3D是详细地图解根据本发明一个实施方式的制造栅极、存储电极和焊盘的工序的截面图；和
图4A和图4B是根据对包括在本发明的OLED装置中的蚀刻阻止层执行热处理工艺的时间点，比较说明元件的特性的数据表。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的实施方式，这些实施方式的例子在附图中示出。
以下介绍的这些实施方式作为例子提供，以将本发明的精神传达给本领域的普通技术人员。因此，这些实施方式可以以不同方式来实施，而不限于这里描述的这些实施方式。此外，在附图中，为了方便起见，装置的尺寸和厚度可被放大。将尽可能地在包括附图的整个公开内容中使用相同的附图标记指代相同或相似的部件。
图2A至图2K是图解根据本发明一个实施方式的OLED制造方法的截面图。
参照图2A至图2K，根据本发明一个实施方式的OLED制造方法在基板100上形成栅极101。基板100由透明绝缘材料形成。可通过在基板100上形成栅极金属膜并对栅极金属膜执行第一掩模工序，来制备栅极101。同时，不仅在基板100上对应于存储电容器区域形成第一存储电极131，而且在基板100上对应于焊盘区域形成焊盘170。焊盘170可以是用于栅极线、数据线和电源线之一的焊盘。
栅极金属膜可包括至少两个金属膜。
例如，栅极金属膜可形成为包括顺序堆叠的第一至第三金属层的三层结构。第一金属层可由诸如钼钛MoTi之类的钼合金形成。第二金属层可由具有低电阻的不透明导电材料形成。例如，第二金属层可由铝Al、铝合金、钨W、铜Cu、镍Ni、铬Cr、钼Mo、钛Ti、铂Pt和钽Ta的一种形成。第三金属层可由导电氧化物半导体或金属氧化物形成。所述导电氧化物半导体可以是氧化铟镓锌IGZO、氧化锌ZnO和氧化钛TiO的一种。金属氧化物可以是氧化铟锡ITO和氧化铟锌IZO的一种。
或者，栅极101、第一存储电极131和焊盘170可形成为双层结构，所述双层结构包括由具有低电阻的不透明导电材料形成的第一金属层和由导电氧化物半导体或金属氧化物之一形成的第二金属层。低电阻的不透明导电材料可以是钼钛合金、铝Al、铝合金、钨W、铜Cu、镍Ni、铬Cr、钼Mo、钛Ti、铂Pt、钽Ta和上述金属的合金的一种。导电氧化物半导体可以是氧化铟镓锌IGZO、氧化锌ZnO和氧化钛TiO的一种。金属氧化物可以是氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO和氧化铟锡锌ITZO的一种。
在这种情况下，栅极101配置有如图3B中所示的栅极图案101a和栅极阻挡层101b。类似地，第一存储电极131配置有存储电极图案131a和存储阻挡层131b，而焊盘170配置有焊盘图案170a和焊盘阻挡层170b。
换句话说，栅极101、第一存储电极131和焊盘170各自被由氧化物半导体形成的阻挡层覆盖。
如上所述在基板100上形成栅极101、第一存储电极131和焊盘170之后，如图2B所示，在上述基板100的整个表面上形成栅极绝缘膜102。此外，在栅极绝缘膜102上形成与栅极101相对的沟道层104。
栅极绝缘膜102可由氧化硅SiOx形成并形成为单层结构。或者，栅极绝缘膜102可通过交替地沉积氮化硅SiNx和氧化硅SiOx而形成为多层结构。
沟道层104可以是包括单晶硅层和欧姆接触层的半导体层。或者，沟道层104可由氧化物半导体层形成。
所述氧化物半导体层可由包括铟In、锌Zn、镓Ga和铪Hf的至少一种的非晶态氧化物形成。例如，如果氧化物半导体层由Ga-In-Zn-O的氧化物半导体通过溅射工艺形成，则可在溅射工艺中使用由In2O3、Ga2O3和ZnO形成的三个靶材或由Ga-In-Zn氧化物形成的单个靶材。或者，可通过使用由HfO2、In2O3和ZnO形成的三个靶材或者由Hf-In-Zn氧化物形成的单个靶材的溅射工艺，来形成所述氧化物半导体层。
当如上所述在栅极绝缘膜102上形成沟道层104时，如图2C所示，在沟道层104上形成蚀刻阻止层106。可通过在上述基板100的整个表面上沉积绝缘层并接着对绝缘层执行掩模工序，来制备蚀刻阻止层106。
这时，同时形成部分地暴露栅极101、第一存储电极131和焊盘170的接触孔。这样，所述OLED装置制造方法能够减少掩模工序的数量。
随后，对蚀刻阻止层106执行热处理工艺，以使蚀刻阻止层106硬化。在现有技术中，在形成蚀刻阻止层106期间，通过接触孔被暴露的栅极101、第一存储电极131和焊盘170由于蚀刻工艺和热处理工艺而被损坏。这是由于现有技术中的栅极101、第一存储电极131和焊盘不被任何阻挡层覆盖。
相比之下，本发明的栅极101、第一存储电极131和焊盘170可被由导电氧化物半导体形成的阻挡层覆盖。这样，在形成蚀刻阻止层106期间，栅极101、第一存储电极131和焊盘170不会被损坏。
当如上所述在基板100上形成蚀刻阻止层106时，如图2D所示，通过在上述基板100的整个表面上形成源极/漏极金属膜，并接着对源极/漏极金属膜执行掩模工序，在沟道层104的两端处形成源极107a和漏极107b。据此，完成了薄膜晶体管。漏极107b通过各个接触孔电连接至第一存储电极131。这样的薄膜晶体管可以是在OLED装置的像素区域中形成的开关晶体管和驱动晶体管的一种。
此外，在暴露栅极101的一部分的接触孔中形成第一连接部201。在栅极绝缘膜102上形成与第一存储电极131相对的第二存储电极132。在暴露焊盘170的一部分的各接触孔中形成第一焊盘接触层171。
此外，在形成源极107a和漏极107b时，可同时形成数据线和电源线。
源极/漏极金属膜可由具有低电阻的不透明导电材料形成。例如，源极/漏极金属膜可由铝Al、铝合金、钨W、铜Cu、镍Ni、铬Cr、钼Mo、钛Ti、铂Pt和钽Ta等的一种形成。或者，源极/漏极金属膜可形成为包括堆叠的透明导电材料层和不透明导电材料层的双层结构。所述透明导电材料层可由氧化铟锡ITO和氧化铟锌IZO形成。
在基板100上形成源极107a和漏极107b之后，如图2E所示，可在上述基板100的整个表面上形成钝化膜112。此外，通过对钝化膜112执行掩模工序，在钝化膜中形成接触孔，所述接触孔暴露与栅极101接触的第一连接部201、与第一存储电极131接触的漏极和与焊盘接触的第一焊盘接触层171。
之后，在设置有接触孔的基板上形成金属膜，并对金属膜执行掩模工序。这样，如图2F所示，在第一连接部201上堆叠第二连接部203，在钝化膜上设置与第二存储电极132相对的第三存储电极133，并在第一焊盘接触层171上堆叠第二焊盘接触层172。
第二连接部203可连接至在各像素区域中形成的不同的晶体管的栅极。所述不同的晶体管可以是开关晶体管和驱动晶体管中的另一个。
第三存储电极133与第一存储电极131和第二存储电极132重叠。此外，第三存储电极133电连接至漏极107b。
之后，通过在上述基板上涂覆红色树脂并接着对所涂覆的红色树脂执行曝光和显影工艺，而在像素区域中形成红色滤色器238。此外，如图2H所示，在上述基板100上形成与薄膜晶体管相对的、占据非显示区域的红色滤色器239。
以同样的方式，在上述基板100上顺序形成与薄膜晶体管相对的、占据不同的非显示区域的绿色滤色器和蓝色滤色器。
此外，在设置有滤色器的基板100的整个表面上形成覆盖层212。覆盖层212可被用来平坦化基板100的上表面。
随后，如图2I所示，通过在上述基板100的整个表面上沉积透明导电材料并接着对所沉积的透明导电材料执行掩模工序，来形成第一电极129和第三焊盘接触层173。第一电极129形成于覆盖层212上并与红色滤色器238相对，第三焊盘接触层173形成于第二焊盘接触层172上。
如果所述OLED装置为底发光模式OLED装置，则第一电极129可被用作阴极。
如上所述在上述基板100的像素区域上形成第一电极129之后，如图2J所示，通过在上述基板100的整个表面上形成绝缘层并接着对所述绝缘层执行掩模工序，来形成堤层260。堤层260暴露各个子像素区域。这样，对应于子像素区域尺寸的第一电极129通过堤层260被暴露。
此外，在第一电极129的暴露表面上形成有机发光层221。此外，如图2J所示，在设置有有机发光层221的基板100的整个表面上形成第二电极223。据此，完成了配置有第一电极129和第二电极223及有机发光层221的有机发光二极管OL。
有机发光层221可包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。在空穴传输层HTL中包括电子阻挡层EBL。电子传输层ETL由低分子材料形成。例如，电子传输层ETL可由PBD、TAZ、Alq3、BAlq、TPBI和Bepp2的一种形成。
有机发光层221的发光层EML可根据发光层EML的形成材料而发射彩色光。为了实现全彩色，可在各个子像素区域中形成红色、绿色和蓝色发光层。或者，发光层EML可成为通过堆叠红色、绿色和蓝色有机材料而形成的白色发光层。
由于在子像素区域中形成滤色器，因此本发明的发光层EML能够发射白光。
之后，如图2K所示，利用粘结层320在上述基板100上附接覆盖膜350。
以这种方式，根据本发明的OLED装置制造方法允许在形成于基板上的栅极金属膜上形成导电氧化物半导体的阻挡层。这样，能够防止在制造工序过程中对栅极、存储电极和焊盘的损坏。
此外，本发明的OLED装置制造方法能够在形成于基板上的栅极、存储电极和焊盘上形成导电氧化物半导体的阻挡层。据此，能够减少掩模工序的数量并增强元件的可靠性。
图3A至图3D是详细地图解根据本发明一个实施方式的制造OLED装置的栅极、第一存储电极131和焊盘的工序的截面图。
参照图3A至图3D，可通过在基板上顺序形成第一金属膜ML1和第二金属膜ML2并接着对所述第一金属膜ML1和第二金属膜ML2执行掩模工序，来形成栅极101、第一存储电极和焊盘170。
第一金属膜ML1可形成为具有单个金属层或两个金属层。第二金属膜ML2可由具有导电性能的氧化物半导体形成。优选地，所述氧化物半导体是具有0％的氧分压的材料。
如图3B所示，栅极101配置有栅极图案101a和栅极阻挡层101b。第一存储电极131配置有存储电极图案131a和存储阻挡层131b。焊盘170配置有焊盘图案170a和焊盘阻挡层170b。
栅极图案101a、存储电极图案131a和焊盘图案170a每个可形成为具有单个金属层。或者，栅极图案101a、存储电极图案131a和焊盘图案170a可形成为包括堆叠的两个金属层的双层结构。
栅极图案101a、存储电极图案131a和焊盘图案170a的上表面可被由氧化物半导体形成的阻挡层覆盖。换句话说，栅极图案101a、存储电极图案131a和焊盘图案170a的上表面层由氧化物半导体形成并被用作阻挡层。
如上所述在基板100上形成栅极图案101a、存储电极图案131a和焊盘图案170a之后，如图3C所示，可在上述基板100的整个表面上形成栅极绝缘膜102。此外，可在栅极绝缘膜102上形成与栅极101相对的沟道层104。
之后，如图3D所示，可通过在设置有沟道层104的基板100的整个表面上形成绝缘层，并接着对绝缘层执行掩模工序，来形成蚀刻阻止层106。
同时，本发明可允许与蚀刻阻止层106一起，同时形成部分地暴露栅极101、第一存储电极131和焊盘170的第一至第三接触孔C1、C2和C3。这样，能够减少本发明的OLED装置制造方法中使用的掩模工序的数量。
随后，为了使蚀刻阻止层106硬化，可对包括蚀刻阻止层106的基板100的整个表面执行热处理工艺。当蚀刻阻止层106硬化，栅极101、第一存储电极131和焊盘170可通过第一至第三接触孔C1、C2和C3被暴露在外部。
然而，本发明能够使栅极101、第一存储电极131和焊盘170的上表面被各阻挡层101b、131b和170b覆盖，所述阻挡层101b、131b和170b由具有导电性能的氧化物半导体形成。这样，在蚀刻工艺和热处理工艺期间，栅极101、第一存储电极131和焊盘170不会被损坏。
图4A和图4B是根据对包括在本发明的OLED装置中的蚀刻阻止层执行热处理工艺的时间点，比较说明元件的特性的数据表。
蚀刻阻止层的形成工序包括热处理工艺。更详细地，如图3A至3D所述，可通过沉积绝缘层，并在绝缘层的蚀刻工艺之前对绝缘层执行热处理工艺，来形成蚀刻阻止层。或者，可通过沉积绝缘层并蚀刻绝缘层，之后对图案化的绝缘层进行热处理工艺，来形成蚀刻阻止层。换句话说，在形成蚀刻阻止层的过程中，在蚀刻工艺之前或之后执行热处理工艺。
图4A图解当蚀刻阻止层是通过在基板上沉积绝缘层并在蚀刻工艺之前执行热处理工艺来形成时，晶体管的阈值电压特性。在这种情况下，如图4A所示，晶体管具有对应于约1.0V(Δ2.0V)的阈值电压Vth偏差。由于这一点，晶体管的可靠性不能满足所需的程度。
然而，如果蚀刻阻止层是通过沉积绝缘层并在热处理工艺之前通过蚀刻工艺图案化绝缘层来形成的，则晶体管具有如图4B中所示的阈值电压特性。参照图4B，晶体管具有对应于约-0.72V(Δ1.52V)的阈值电压Vth偏差。这样，很明显地，晶体管确保了优异的可靠性。
以这种方式，本发明能够允许在形成蚀刻阻止层之后执行热处理工艺。这样，可通过单个(即相同的)掩模工序来形成蚀刻阻止层和接触孔。据此，不仅能够增强元件的可靠性，而且能够减少掩模工序的数量。
此外，本发明的OLED装置制造方法能够允许在形成于基板上的栅极金属膜上形成导电氧化物半导体的阻挡层。这样，能够防止在制造过程中对栅极、存储电极和焊盘的损坏。
此外，本发明的OLED装置制造方法能够在形成于基板上的栅极、存储电极和焊盘上形成导电氧化物半导体的阻挡层。据此，能够减少掩模工序的数量并增强元件的可靠性。
虽然已参照本发明的多个示例性实施方式对其进行描述，然而应该理解，本领域技术人员可以设计出落入本发明的原理的精神和范围以内的众多其他的修改及实施方式。更具体地说，在本发明、附图以及所附权利要求的范围内，关于主题组合排列的组成部分和/或排列的各种变化和修改都是可行的。除了组成部分和/或排列的变化和修改之外，对本领域技术人员来说，替换使用同样将是显而易见的。

Claims (18)

1.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上顺序形成第一金属膜和第二金属膜，并对所述第一金属膜和所述第二金属膜执行掩模工序，以在薄膜晶体管区域、存储电容器区域和焊盘区域中分别形成栅极、第一存储电极和焊盘，其中所述栅极、所述第一存储电极和所述焊盘每个包括上表面层，所述上表面层被用作阻挡层；
在设置有所述栅极的所述基板上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成与所述栅极相对的沟道层；
在设置有所述沟道层的所述基板上形成绝缘层；
利用另一掩模工序形成蚀刻阻止层和第一至第三接触孔，所述蚀刻阻止层设置于所述沟道层上，所述第一至第三接触孔配置成暴露所述栅极、所述第一存储电极和所述焊盘；
形成源极和漏极以及第二存储电极，所述源极和所述漏极设置在设置有所述蚀刻阻止层的所述基板上，所述第二存储电极设置在所述栅极绝缘膜上，并在所述存储电容器区域内与所述第一存储电极相对；
形成第三存储电极，所述第三存储电极与所述第二存储电极重叠，并连接至所述漏极，所述第三存储电极与所述第二存储电极之间具有钝化膜；
在所述基板的各像素区域中形成红色、绿色和蓝色滤色器；和
形成有机发光二极管，所述有机发光二极管形成于设置有所述滤色器的所述基板上，并且所述有机发光二极管包括电连接至所述第三存储电极的第一电极、形成于所述第一电极上的有机发光层和形成于所述有机发光层上的第二电极。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二金属膜由导电氧化物半导体形成。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述导电氧化物半导体是氧化铟镓锌IGZO、氧化锌ZnO和氧化钛TiO的一种。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属膜包括至少两个金属层。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属膜形成为单层，所述单层由钼和钛的合金MoTi、铝Al、铝合金、钨W、铜Cu、镍Ni、铬Cr、钼Mo、钛Ti、铂Pt和钽Ta的一种形成。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述蚀刻阻止层之后，执行热处理工艺。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括在形成所述源极和所述漏极之前，对所述蚀刻阻止层执行热处理工艺。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属膜形成为配置有堆叠的金属层的双层结构，所述金属层每个由钼钛合金MoTi、铝Al、铝合金、钨W、铜Cu、镍Ni、铬Cr、钼Mo、钛Ti、铂Pt和钽Ta的一种形成。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述栅极、所述第一存储电极和所述焊盘的所述上表面层由导电氧化物形成。
10.一种有机发光显示装置，包括：
在基板上分别对应于薄膜晶体管区域、存储电容器区域和焊盘区域形成的栅极、第一存储电极和焊盘；
在所述栅极、所述第一存储电极和所述焊盘上形成的阻挡层；
在设置有所述阻挡层的所述基板上形成的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成的与所述栅极相对的沟道层；
在所述沟道层上形成的蚀刻阻止层；
配置成接触所述沟道层的一端和所述蚀刻阻止层的一端的源极；
与所述源极分隔开的漏极，所述漏极通过所述栅极绝缘膜连接至所述第一存储电极，并且所述漏极配置成接触所述沟道层和所述蚀刻阻止层的另一端；
通过所述栅极绝缘膜连接至所述栅极上的所述阻挡层的第一连接部；
在所述栅极绝缘膜上形成的与所述第一存储电极相对的第二存储电极；
通过所述栅极绝缘膜连接至所述焊盘的第一焊盘接触层；
在设置有所述第一连接部、所述源极和所述漏极、所述第二存储电极和所述第一焊盘接触层的所述基板上形成的钝化膜；
通过所述钝化膜连接至所述第一连接部的第二连接部；
通过所述钝化膜连接至所述漏极并与所述第二存储电极重叠的第三存储电极；
通过所述钝化膜连接至所述第一焊盘接触层的第二焊盘接触层；
在设置有所述第二连接部、所述第三存储电极和所述第二焊盘接触层的所述基板的像素区域中形成的滤色器；和
在设置有所述滤色器的所述基板上形成的有机发光二极管，并且所述有机发光二极管包括电连接至所述第三存储电极的第一电极、形成于所述第一电极上的有机发光层和形成于所述有机发光层上的第二电极。
11.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述阻挡层由导电氧化物形成。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述导电氧化物是氧化铟镓锌IGZO、氧化锌ZnO和氧化钛TiO的一种。
13.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述栅极包括至少两个金属层。
14.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述栅极形成为单层，所述单层由钼和钛的合金MoTi、铝Al、铝合金、钨W、铜Cu、镍Ni、铬Cr、钼Mo、钛Ti、铂Pt和钽Ta的一种形成。
15.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述栅极形成为配置有堆叠的金属层的双层结构，所述金属层每个由钼钛合金MoTi、铝Al、铝合金、钨W、铜Cu、镍Ni、铬Cr、钼Mo、钛Ti、铂Pt和钽Ta的一种形成。
16.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中在形成所述源极和所述漏极之前，通过热处理工艺使所述蚀刻阻止层硬化。
17.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中在形成所述蚀刻阻止层之后，通过热处理工艺使所述蚀刻阻止层硬化。
18.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极为阴极，且所述有机发光显示装置为底发光模式有机发光显示装置。
CN201410815451.0A 2013-12-30 2014-12-23 有机发光显示装置及其制造方法 Active CN104752474B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130167693A KR102068596B1 (ko) 2013-12-30 2013-12-30 유기전계발광표시장치 제조방법
KR10-2013-0167693 2013-12-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104752474A CN104752474A (zh) 2015-07-01
CN104752474B true CN104752474B (zh) 2018-04-27

Family

ID=53482885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410815451.0A Active CN104752474B (zh) 2013-12-30 2014-12-23 有机发光显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9564480B2 (zh)
KR (1) KR102068596B1 (zh)
CN (1) CN104752474B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102471668B1 (ko) * 2014-11-10 2022-11-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
US10559644B2 (en) 2016-05-17 2020-02-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR101849590B1 (ko) * 2016-10-31 2018-05-31 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN106783919B (zh) * 2016-12-20 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 提高显示面板制程良率的结构
CN110462718B (zh) * 2017-03-29 2022-03-04 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法及制造装置、成膜装置
CN107634002A (zh) * 2017-09-26 2018-01-26 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法
KR102430809B1 (ko) * 2017-09-29 2022-08-09 엘지디스플레이 주식회사 양면 디스플레이
CN109103140B (zh) * 2018-08-03 2020-10-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板的制作方法
KR20210030783A (ko) * 2019-09-10 2021-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 금속 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치
KR20210131508A (ko) 2020-04-23 2021-11-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW508830B (en) * 2001-08-28 2002-11-01 Hannstar Display Corp Thin film transistor structure having four procedures of mask processing and the manufacturing method
CN103400802A (zh) * 2013-07-30 2013-11-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8513677B2 (en) * 2006-03-16 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device having an aluminum complex oxide on metal layer for improving corrosion resistance
KR101254589B1 (ko) * 2006-06-29 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR20120039947A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101841770B1 (ko) * 2011-09-02 2018-03-26 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시장치 및 그의 제조방법
KR20130035030A (ko) * 2011-09-29 2013-04-08 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR101941439B1 (ko) * 2011-10-04 2019-01-24 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101852634B1 (ko) * 2011-11-24 2018-04-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR102087791B1 (ko) * 2013-03-27 2020-03-12 삼성디스플레이 주식회사 식각 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW508830B (en) * 2001-08-28 2002-11-01 Hannstar Display Corp Thin film transistor structure having four procedures of mask processing and the manufacturing method
CN103400802A (zh) * 2013-07-30 2013-11-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102068596B1 (ko) 2020-01-21
US9755011B2 (en) 2017-09-05
KR20150078389A (ko) 2015-07-08
US9564480B2 (en) 2017-02-07
US20150188083A1 (en) 2015-07-02
US20170104053A1 (en) 2017-04-13
CN104752474A (zh) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104752474B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US10644052B2 (en) Display device with separation member including steps
US10916611B2 (en) Organic light emitting display device and fabricating method thereof
KR102137392B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US20190027502A1 (en) Display substrate comprising interconnected first and second wirings and display device including the same
CN108257972A (zh) 显示装置
CN106505085A (zh) 透明显示装置和制造该透明显示装置的方法
US10707446B2 (en) Display unit and electronic apparatus
TW201413975A (zh) 薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
US10529790B2 (en) Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same with no cladding process
TWI627744B (zh) 有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置的方法
US10804404B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
CN108122953A (zh) 封装单元和包括该封装单元的有机发光显示装置
CN102931359B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN104934437B (zh) 薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机el显示装置
US10431152B2 (en) Organic light-emitting display device
CN108269828A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR20160093749A (ko) 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN106952934A (zh) 大面积镜面显示装置及其制造方法
JP2017535961A (ja) 薄膜トランジスタ基板の製造方法及び製造装置
KR20150047743A (ko) 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 박막트랜지스터 기판을 포함하는 표시 장치
JP2016054046A (ja) 表示装置および電子機器
CN104659284B (zh) 有机发光二极管显示装置的制造方法
KR102277988B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN107146855A (zh) Oled基板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant