JP2018005003A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造コストの低減、又は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１領域ＡＲ１、第１領域と隣接する第２領域ＡＲ２、及び、第２領域ＡＲ２と隣接する第３領域ＡＲ３を有する絶縁基板１０と、絶縁基板１０の一方の面側で第３領域ＡＲ３と重なる位置に実装された配線基板１と、絶縁基板１０の一方の面側とは反対側の他方の面側で、絶縁基板１０に接着された支持基板５と、を備える表示装置ＤＳＰであって、第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１と第３領域ＡＲ３との間に位置し、支持基板５は、第２領域ＡＲ２と重なる位置には配置されていない。【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

近年、液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置等の表示装置の分野において、より一層の狭額縁化を実現する表示装置の要求が高まっている。また、柔軟性を有する基板を用いて形成されることにより、曲折することが可能なフレキシブル表示装置が開発されている。

このような表示装置は、各画素に電圧を供給するために、表示領域の周辺の非表示領域において外部回路等に接続され電圧が供給されるパッド、パッドに接続される配線等を備えている。ここで、表示装置を狭額縁化するために、パッドが基板の背面に配置されるように、表示装置は基板が折り曲げられた状態で電子機器等に収容される。

また、ガラス製の基板上に有機電界発光装置を製造した後に、ガラス製の基板を剥離し、剥離した部分にフレキシブルなバックプレートをラミネートする技術が知られている。

特開２０１５−５０１８１号公報 特開２０１５−１４８７２８号公報 特開２０１４−２３２３００号公報

本実施形態の目的は、製造コストの低減が可能な表示装置。又は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、第１領域、前記第１領域と隣接する第２領域、及び、前記第２領域と隣接する第３領域を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側で前記第３領域と重なる位置に実装された配線基板と、前記絶縁基板の一方の面側とは反対側の他方の面側で、前記絶縁基板に接着された支持基板と、を備える表示装置であって、前記第２領域は、前記第１領域と前記第３領域との間に位置し、前記支持基板は、前記第２領域と重なる位置には配置されていない、表示装置が提供される。

本実施形態によれば、第１領域、前記第１領域と隣接する第２領域及び前記第２領域と隣接する第３領域を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面側で前記第３領域に実装された配線基板と、前記絶縁基板の一方の面側とは反対側の他方の面側で、前記絶縁基板に接着された支持基板と、を備える表示装置の製造方法であって、前記絶縁基板の一方の面側に信号配線を形成し、前記絶縁基板の他方の面側に前記支持基板を貼り付け、第１のレーザー光によって、前記支持基板の前記第１領域及び前記第２領域の境界と重なる位置、及び前記第２領域及び前記第３領域の境界と重なる位置を切断し、第２のレーザー光によって、前記支持基板の前記第２領域と重なる部分を剥離する表示装置の製造方法が提供される。

図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示した表示装置の表示領域を示す断面図である。 図３は、図１に示した表示装置の非表示領域を含んだ断面図である。 図４は、本実施形態に係る表示パネルを示す平面図であり、第１領域、第２領域、及び第３領域の位置関係等を示す図である。 図５は、第１絶縁基板から基板を剥離する工程を説明するための断面図である。 図６は、接着層によって支持基板を貼り付ける工程を説明するための断面図である。 図７は、配線基板を表示パネルに圧着する工程を説明するための断面図である。 図８は、保護層を形成する工程及び支持基板を切断する工程を説明するための断面図である。 図９は、第２領域において支持基板の部分を剥離する工程を説明するための断面図である。 図１０は、第２領域において支持基板の部分を剥離した後の状態を説明するための断面図である。 図１１は、表示パネルの折り曲げ部を折り曲げる工程を説明するための断面図である。 図１２は、図１１に示した表示パネルの折り曲げ部を折り曲げた後の状態を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

まず、本実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成を概略的に示す斜視図である。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。以下、本実施形態において、表示装置が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置である場合について説明する。

本実施形態においては、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの矢印の先端に向かう方向とは反対側の方向を下又は下方と定義する。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、フレキシブル配線基板２と、支持基板５と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並べられ、マトリクス状に設けられている。

第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２と重なる領域よりも外側に延出した実装部ＭＴを有している。より具体的には、第１基板ＳＵＢ１の３つの側縁は、第３方向Ｚにおいて、第２基板ＳＵＢ２の３つの側縁と揃っている。第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと略等しい。また、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さより大きい。つまり、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積より大きい。ここで、Ｘ−Ｙ平面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定される平面である。なお、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さと同等に形成されていても良い。このとき、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積と略同等となる。

図示した例では、配線基板１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、実装部ＭＴの上方に実装されている。すなわち、配線基板１は、表示パネルＰＮＬの一方の面ＰＮＬａ側に実装されている。図示した例では、配線基板１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと比べて小さいが、同等であっても良い。表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、互いに電気的に接続されている。フレキシブル配線基板２は、配線基板１の下方に配置されている。

ここで、本実施形態においては、表示装置ＤＳＰは、電子機器等の筐体に収容される際に折り曲げられる領域である折り曲げ領域ＢＡを有している。図中、折り曲げ領域ＢＡに斜線を付している。すなわち、配線基板１、フレキシブル配線基板２が表示領域ＤＡの下方側に配置されるように、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられる。折り曲げ領域ＢＡは、非表示領域ＮＤＡ内に位置している。

支持基板５は、表示パネルＰＮＬの下方に貼り付けられている。すなわち、支持基板５は、表示パネルＰＮＬの一方の面ＰＮＬａ側とは反対側の他方の面ＰＮＬｂ側に配置されている。後述するが、支持基板５は、第３方向Ｚに折り曲げ領域ＢＡと重なる位置には配置されていない。なお、本実施形態においては、実装部ＭＴ及び折り曲げ領域ＢＡ以外の領域は後述する絶縁基板の第１領域ＡＲ１に相当し、折り曲げ領域ＢＡは後述する絶縁基板の第２領域ＡＲ２に相当し、実装部ＭＴは後述する絶縁基板の第３領域ＡＲ３に相当する。また、第１領域ＡＲ１は、表示領域ＤＡを含んでいる。

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡを示す断面図である。
図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、反射層４、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３、封止層４１、支持基板５等を備えている。第１絶縁基板１０は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成される。第１絶縁基板１０は、第１絶縁膜１１によって覆われている。

スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上方に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３はトップゲート型の薄膜トランジスタで構成されているが、ボトムゲート型の薄膜トランジスタで構成されていても良い。スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、同一構成であるため、以下、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより詳細に説明する。スイッチング素子ＳＷ１は、第１絶縁膜１１の上に形成された半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。

スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。また、第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。

このような第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料によって形成されている。

スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣと電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１は、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１４は、例えば、透明な樹脂等の有機系材料によって形成されている。

反射層４は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。反射層４は、アルミニウムや銀等の光反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層４の表面（つまり、第２基板ＳＵＢ２側の面）は、平坦面であっても良いし、光散乱性を付与するための凹凸面であっても良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、何れも第２基板ＳＵＢ２の側に向かって白色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、反射層４の上に形成された画素電極ＰＥ１を備えている。画素電極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された画素電極ＰＥ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された画素電極ＰＥ３を備えている。画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、有機発光層ＯＲＧ及び共通電極ＣＥを備えている。画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのうち、一方が陽極であり、他方が陰極である。有機発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上にそれぞれ位置している。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１５によって区画されている。なお、図示しないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。

封止層４１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の上を覆っている。封止層４１は、第１絶縁基板１０と封止層４１との間に配置された部材を封止するように形成されている。封止層４１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３への酸素や水分の侵入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の劣化を抑制する。なお、封止層４１は、無機膜と有機膜の積層体から構成されていても良い。

第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０、カラーフィルタ層２２０等を備えている。第２絶縁基板３０は、封止層４１の上に配置されている。第２絶縁基板３０は、例えば、ガラス基板や樹脂基板であっても良いし、光学フィルムや偏光板等を含んだ光学素子であっても良い。第２絶縁基板３０は、例えば、封止層４１に接着されている。

カラーフィルタ層２２０は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａ側に配置されている。カラーフィルタ層２２０は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、及び、カラーフィルタＣＦ３を備えている。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、互いに異なる色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。一例では、カラーフィルタＣＦ１は青色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ２は緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ３は赤色カラーフィルタである。なお、カラーフィルタ層２２０は、さらに、白色あるいは透明のカラーフィルタを含んでいても良い。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、それぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３と対向している。

支持基板５は、第１絶縁基板１０の一方の面１０Ａとは反対側の他方の面１０Ｂ側に配置されている。支持基板５は、第１絶縁基板１０に接着層ＡＤによって接着されている。支持基板５の材料としては、例えば、耐熱性、ガス遮断性、防湿性、強度に優れ、尚且つ安価な材料が好ましい。支持基板５は、例えば、表示装置ＤＳＰを製造する過程でのプロセス温度にて変質、変形しない程度の耐熱性を有する。また、支持基板５は、例えば、第１絶縁基板１０より大きな強度を有し、表示パネルＰＮＬが外部からの応力がかからない状態にて湾曲する事態を抑制する支持層として機能する。また、支持基板５は、例えば、第１絶縁基板１０への水分等の侵入を抑制する防湿性やガスの侵入を抑制するガス遮断性等を有し、バリア層として機能する。本実施形態においては、支持基板５は、例えば、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成されたフィルムである。本実施形態においては、例えば、支持基板５の第３方向Ｚに沿った幅は、約５０μｍである。

保護膜ＰＦは、支持基板５の下を覆っている。保護膜ＰＦは、例えば、下面もしくは上面が粗面に形成されており、透過した光を散乱する。保護膜ＰＦは、例えば、ポリエチレンを用いて形成されたフィルムである。また、例えば、保護膜ＰＦのヘイズ値は、支持基板５のヘイズ値より大きい。

このような表示装置ＤＳＰにおいては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光（白色光）は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、カラーフィルタＣＦ３を介してそれぞれ外部に出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１から放射された白色光のうち、青色波長の光がカラーフィルタＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２から放射された白色光のうち、緑色波長の光がカラーフィルタＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３から放射された白色光のうち、赤色波長の光がカラーフィルタＣＦ３を透過する。これにより、カラー表示が実現される。

図１に示した画素ＰＸは、例えば、カラー画像を構成する最小単位であり、上記の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を備えている。

なお、上記の構成例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３が共通の有機発光層ＯＲＧを備えていたが、これに限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が青色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が緑色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が赤色に発光する有機発光層を備えていても良く、このような構成例においては、カラーフィルタ層２２０を省略しても良い。

図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの非表示領域ＮＤＡを含んだ断面図である。ここで、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１を見ることを平面視と定義する。

支持基板５は、第１部分５ａと、第１部分５ａから間隔を空けて配置された第２部分５ｂと、を有している。また、第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１と、第１領域ＡＲに隣接する第２領域ＡＲ２と、第２領域ＡＲ２に隣接する第３領域ＡＲ３と、を有している。第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１と第３領域ＡＲ３との間に位置している。第１領域ＡＲ１は、平面視で第１部分５ａと重なる領域に相当する。第２領域ＡＲ２は、平面視で支持基板５が配置されていない領域に相当する。第３領域ＡＲ３は、平面視で第２部分５ｂと重なる領域に相当する。また、第１部分５ａは、接着層ＡＤによって第１領域ＡＲ１に接着され、第２部分５ｂは、接着層ＡＤによって第３領域ＡＲ３に接着されている。ここで、第１領域ＡＲ１と第２領域ＡＲ２との間の境界面を境界面Ｂとし、第２領域ＡＲ２と第３領域ＡＲ３との間の境界面を境界面Ｃとする。

第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１において膜厚Ｔ１、第２領域ＡＲ２において膜厚Ｔ２、第３領域ＡＲ３において膜厚Ｔ３を有している。膜厚Ｔ１及び膜厚Ｔ３は、略同等の大きさである。膜厚Ｔ２は、膜厚Ｔ１及び膜厚Ｔ３の各々よりも小さく形成されている。第１絶縁基板１０は、第１絶縁基板１０の他方の面１０Ｂ側において、第１領域ＡＲ１に位置する第１面Ｓ１と、第２領域ＡＲ２に位置する第２面Ｓ２と、第３領域ＡＲ３に位置する第３面Ｓ３と、を有している。第２面Ｓ２は、第３方向Ｚに沿って、第１面Ｓ１及び第３面Ｓ３よりも上側に位置している。第１面Ｓ１及び第３面Ｓ３は、略同一平面上に位置している。ここで、後述するが、第２面Ｓ２は、第１面Ｓ１及び第３面Ｓ３よりも粗面に形成されている。

図示した例では、第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２は、第１基板ＳＵＢ１の端部ＳＵＢ１Ｅまで延出している。第３絶縁膜１３は、第１領域ＡＲ１において途切れており、境界面Ｂまで延出していない。

信号配線６は、第１領域ＡＲ１において、第３絶縁膜１３の上に配置され、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。すなわち、信号配線６は、第１絶縁基板１０の一方の面１０Ａ側に形成されている。信号配線６は、第１領域ＡＲ１から第３領域ＡＲ３まで連続して配置されており、第１基板ＳＵＢ１の端部ＳＵＢ１Ｅまで延出している。信号配線６は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの積層体で形成されている。信号配線６は、電源線や各種制御用配線等に相当する。第４絶縁膜１４は、信号配線６を覆っている。第４絶縁膜１４は、第３領域ＡＲ３において、信号配線６まで貫通するコンタクトホールＣＨを有している。なお、第４絶縁膜１４は形成されていなくても良く、信号配線６が表示パネルＰＮＬの上側に露出していても良い。

パッドＰＤは、第３領域ＡＲ３に配置されている。パッドＰＤは、第４絶縁膜１４の上に配置され、コンタクトホールＣＨ内にも配置されている。パッドＰＤは、コンタクトホールＣＨ内において信号配線６と電気的に接続されている。パッドＰＤは、例えば、図２に示した画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３と同一工程で同一材料にて形成され、ＩＴＯやＩＺＯ等を用いて形成される。

なお、信号配線６及びパッドＰＤは、両者が同層に配置されていても良い。このとき、信号配線６及びパッドＰＤは、それぞれ別々に形成されていても良いし、一体的に形成されていても良い。また、図示したように、信号配線６及びパッドＰＤが互いに異なる層に配置され、信号配線６及びパッドＰＤの間の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して両者が電気的に接続されていても良い。

図示した例では、リブ１５、封止層４１、及び第２絶縁基板３０は、第１領域ＡＲ１に配置されている。また、図示した例では、リブ１５の端部１５Ｅ、封止層４１の端部４１Ｅ、第２絶縁基板３０の端部３０Ｅは、境界面Ｂ上に位置している。なお、リブ１５の端部１５Ｅ、封止層４１の端部４１Ｅ、第２絶縁基板３０の端部３０Ｅは、境界面Ｂ上に位置していなくてもよく、境界面Ｂより第１領域ＡＲ１側に位置していてもよいし、境界面Ｂより第２領域ＡＲ２側に位置していてもよい。

配線基板１は、第１絶縁基板１０の一方の面１０Ａ側で、第３領域ＡＲ３と重なる位置に実装されている。配線基板１は、コア基板２００と、コア基板２００の下面側に配置された接続配線１００と、コア基板２００の下面側に配置された駆動ＩＣチップ３と、を備えている。駆動ＩＣチップ３は、表示パネルＰＮＬを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源等として機能する。なお、駆動ＩＣチップ３の位置は、特に制限されるものではなく、コア基板２００の上面側に配置されていても良い。フレキシブル配線基板２は、配線基板１の下面側に配置されている。

表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、導電材料である異方性導電膜８を介して互いに電気的に接続されると共に接着されている。すなわち、異方性導電膜８は、接着剤中に分散された導電粒子を含んでいる。このため、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間に異方性導電膜８を介在させた状態で、配線基板１及び表示パネルＰＮＬを第３方向Ｚに上下から加圧し、加熱することによって、両者が電気的及び物理的に接続される。異方性導電膜８は、パッドＰＤと接し、電気的に接続されている。また、異方性導電膜８は、接続配線１００と接し、電気的に接続されている。これにより、接続配線１００は、異方性導電膜８を介して、パッドＰＤ及び信号配線６と電気的に接続されている。

ここで、図１に示したような折り曲げ領域ＢＡは、第２領域ＡＲ２に含まれており、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられることによって第１絶縁基板１０も折り曲げられる。もしくは、折り曲げ領域ＢＡは、第２領域ＡＲ２と同等の領域である。折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられることによって、パッドＰＤは、表示パネルＰＮＬの背面側へ配置される。

図４は、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬを示す平面図であり、第１領域ＡＲ１、第２領域ＡＲ２、及び第３領域ＡＲ３の位置関係等を示す図である。図４において、第１領域ＡＲ１は、左上がりの斜線で示されており、第３領域ＡＲ３は、右上がりの斜線で示されている。図４に示すように、第２領域ＡＲ２は、第１方向Ｘに沿って表示パネルＰＮＬの端部から端部へ延出し、第１領域ＡＲ１と第３領域ＡＲ３との間に位置している。

図３に示したように、第１領域ＡＲ１は、平面視で、支持基板５の第１部分５ａと重なる領域に相当し、第２領域ＡＲ２は、平面視で、支持基板５が配置されていない領域に相当し、第３領域ＡＲ３は、平面視で、支持基板５の第２部分５ｂと重なる領域に相当する。複数のパッドＰＤは、平面視で、第３領域ＡＲ３に重なり、第１方向Ｘに並んで配置されている。折り曲げ領域ＢＡは、第２領域ＡＲ２内に位置している。複数の信号配線６は、それぞれパッドＰＤに接続され、折り曲げ領域ＢＡにおいて第２方向Ｙに沿って延出し第１方向Ｘに沿って並んでいる。

次に、本実施形態の表示装置の製造工程について、図５から図１２までを用いて説明する。
図５は、第１絶縁基板１０から基板７を剥離する工程を説明するための断面図である。すなわち、基板７の上に、第１基板ＳＵＢ１を構成する第１絶縁基板１０、信号配線６、パッドＰＤ等の各部材を順次形成した後、第２基板ＳＵＢ２を貼り合せる。

その後、第１絶縁基板１０から基板７を剥離するために、基板７の下方からレーザー光ＬＬ１を照射する。ここで、本実施形態においては、例えば、基板７はガラスによって形成され、第１絶縁基板１０はポリイミドによって形成されている。基板７の背面側からレーザー光ＬＬ１が照射されると、レーザー光ＬＬ１は、第１絶縁基板１０の面１０Ａに到達する。第１絶縁基板１０は、基板７と第１絶縁基板１０との間の界面で、レーザー光ＬＬ１を吸収して分解するアブレーションを生じる。これにより、基板７及び第１絶縁基板１０の界面に空間が生じ、第１絶縁基板１０から基板７が剥離される。このとき、例えば、レーザー光ＬＬ１の波長は、約３０８ｎｍである。

図６は、接着層ＡＤによって支持基板５を貼り付ける工程を説明するための断面図である。
まず、第１絶縁基板１０に支持基板５を貼り付ける前に、支持基板５の面５Ａに保護膜ＰＦを貼付する。次に、保護膜ＰＦと一体となった支持基板５を、接着層ＡＤによって第１絶縁基板１０に貼り付ける。具体的には、第１絶縁基板１０及び支持基板５の間に接着層ＡＤとして、例えば接着シート等を配置した状態で、支持基板５をアライメントした後、加温処理することで、支持基板５を、第１絶縁基板１０の他方の面１０Ｂ側に貼り付ける。このように、支持基板５は、アライメント後に加温処理されるため、位置ズレが生じるのを抑制することができる。

図７は、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程を説明するための断面図である。
次に、異方性導電膜８を用いて、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程が行われる。すなわち、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間であってパッドＰＤと重なる位置に、異方性導電膜８を配置し、配線基板１の上方及び表示パネルＰＮＬの下方から、図７に示した矢印の方向に圧力を加え加熱する。これにより、異方性導電膜８が溶融して異方性導電膜８に含まれる導電粒子がパッドＰＤに接触し、配線基板１及び表示パネルＰＮＬが電気的及び物理的に接続される。
以上の工程により、配線基板１が表示パネルＰＮＬに圧着される。

なお、基板７が第１絶縁基板１０から剥離された後の工程から図７に示す工程まで、表示パネルＰＮＬの下面には略全面に亘って、支持基板５が配置されている。このため、信号配線６等の配線の断線が生じるのを抑制することができる。

図８は、保護層ＰＲを形成する工程及び支持基板５を切断する工程を説明するための断面図である。
次に、第４絶縁膜１４の上に保護層ＰＲを形成する。図示した例では、保護層ＰＲは、リブ１５の端部１５Ｅ、封止層４１の端部４１Ｅを覆っている。また、配線基板１の端部１Ｅを覆っている。保護層ＰＲは、例えば、有機絶縁材料を用いて形成され、ＵＶ照射によって硬化されることにより形成される。

次に、支持基板５を切断するために、支持基板５の下方からレーザー光ＬＬ２を照射する。折り曲げ部において支持基板５を取り除くために、支持基板５を２か所切断する。このとき、レーザー光ＬＬ２は、ＣＯ２レーザーであり、例えば、レーザー光ＬＬ２の波長は、約９．６μｍである。

図９は、第２領域ＡＲ２において支持基板５の部分５ｃを剥離する工程を説明するための断面図である。
支持基板５の下方からレーザー光ＬＬ２を照射した後、保護膜ＰＦ、支持基板５、及び接着層ＡＤには切れ目ＢＲ１及び切れ目ＢＲ２が形成されている。図８に示した工程において、レーザー光ＬＬ２によって、支持基板５の第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２と重なる位置、及び第２領域ＡＲ２及び第３領域ＡＲ３の境界と重なる位置を切断した。つまり、切れ目ＢＲ１の位置によって境界面Ｂの位置が決定され、切れ目ＢＲ２の位置によって境界面Ｃの位置が決定された。切れ目ＢＲ１及び切れ目ＢＲ２は、保護膜ＰＦ及び支持基板５を貫通している。また、切れ目ＢＲ１及び切れ目ＢＲ２は、接着層ＡＤを貫通せず、接着層ＡＤの途中まで形成されている。ここで、接着層ＡＤは、幅Ｗ１を有しており、切れ目ＢＲ２のうち、接着層ＡＤを切断している部分の幅Ｗ２は、例えば、幅Ｗ１の略半分である。本実施形態において、例えば、幅Ｗ１は約３０μｍであり、幅Ｗ２は約１５μｍである。

次に、支持基板５の第２領域ＡＲ２と重なる部分５ｃを剥離するために、レーザー光ＬＬ３を第２領域ＡＲ２における第１絶縁基板１０に下方から照射する。レーザー光ＬＬ３は、第１絶縁基板１０の面１０Ａに到達し、第１絶縁基板１０は、接着層ＡＤと第１絶縁基板１０との間の界面でアブレーションを生じる。これにより、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０及び接着層ＡＤの界面に空間が生じ、支持基板５に切れ目ＢＲ１及び切れ目ＢＲ２が形成されていることにより、支持基板５のうち第２領域ＡＲ２と重なる部分５ｃを第１絶縁基板１０から剥離する。

図９に示した工程において、支持基板５のレーザー光ＬＬ３の波長に対する吸収率よりも、第１絶縁基板１０のレーザー光ＬＬ３の波長に対する吸収率が大きいことが望ましい。レーザー光ＬＬ３の波長は、レーザー光ＬＬ２の波長とは異なっている。レーザー光ＬＬ３の波長は、例えば、３５５ｎｍ以下である。本実施形態においては、例えば、レーザー光ＬＬ３の波長は、約３５５ｎｍである。このとき、支持基板５は、３５５ｎｍ以下の波長を有するレーザー光を７０％以上透過する。

また、上記したように、保護膜ＰＦは、下面もしくは上面が粗面に形成されており、透過したレーザー光ＬＬ３を散乱する。散乱されたレーザー光ＬＬ３が第１絶縁基板１０に照射されることによって、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０の下面に凹凸が形成される。

図１０は、第２領域ＡＲ２において支持基板５の部分５ｃを剥離した後の状態を説明するための断面図である。
図９に示した工程において、第１絶縁基板１０がレーザー光ＬＬ３によってアブレーションを生じたため、膜厚Ｔ２は膜厚Ｔ１及び膜厚Ｔ３の各々よりも小さく形成されている。第２面Ｓ２は、第１面Ｓ１及び第３面Ｓ３よりも上側に位置している。本実施形態において、第２面Ｓ２と、第１面Ｓ１及び第３面Ｓ３との間の段差の幅Ｗ３は、例えば、約１５０Å（１５ｎｍ）である。

また、第２面Ｓ２は、保護膜ＰＦを透過して散乱されたレーザー光ＬＬ３を照射したことにより、第１面Ｓ１及び第３面Ｓ３よりも粗面に形成することができる。このように、第２面Ｓ２が粗面に形成されていることにより、第２領域ＡＲ２において剥離した支持基板５が再び第２領域ＡＲ２に貼り付けられ難い。

第２領域ＡＲ２と重なる領域において支持基板５が剥離されたことにより、支持基板５の第１部分５ａ及び第２部分５ｂが形成される。第１部分５ａは、接着層ＡＤを介して第１面Ｓ１に貼り付けられている。第２部分５ｂは、接着層ＡＤを介して第３面Ｓ３に貼り付けられている。第２部分５ｂは、第３方向Ｚに配線基板１と重なっている。

図１１は、表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡを折り曲げる工程を説明するための断面図である。
次に、台座部９は、位置をアライメントした後に、第１部分５ａに接着層ＡＤ１で接着される。その後、パッドＰＤが、表示パネルＰＮＬの下方に配置されるように、表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡが折り曲げられる。つまり、台座部９を基点として、配線基板１が台座部９の下方に配置されるように折り曲げ部ＢＡを折り曲げ、接着層ＡＤ２によって配線基板１を台座部９に貼り付ける。なお、本実施形態において、台座部９は、例えば、シート状に形成されている。

図１２は、図１１に示した表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡを折り曲げた後の状態を示す断面図である。
折り曲げ領域ＢＡは、表示パネルＰＮＬの第１領域ＡＲ１と配線基板１とが対向するように折れ曲がっている。本実施形態においては、曲率半径を１．０ｍｍ以下にすることが可能であり、例えば、折り曲げ領域ＢＡの曲率半径は、約０．３ｍｍである。台座部９は、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間に配置されている。台座部９が配置されることにより、外部から衝撃が加わった場合にも、衝撃に対して表示パネルＰＮＬ又は配線基板１に台座部９からの応力が生じるため、表示パネルＰＮＬや配線基板１が損傷し難くなる。また、台座部９が配置されることにより、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間の接着性が向上する。

接着層ＡＤ１は、第１領域ＡＲ１と台座部９との間に配置され、両者を接着している。また、接着層ＡＤ２は、配線基板１と台座部９との間に配置され、両者を接着している。なお、接着層ＡＤ１及びＡＤ２は、図示したようにつながって形成されていても良いし、別々に形成されていても良い。接着層ＡＤ１及びＡＤ２は、例えば両面テープである。

本実施形態によれば、支持基板５の第１部分５ａ及び第２部分５ｂは、第２領域ＡＲ２と重なる領域において支持基板５が剥離されることにより形成されている。このため、図６に示したような第１絶縁基板１０に支持基板５を貼り付ける工程から、図１１に示したような表示パネルＰＮＬの折り曲げ部ＢＡを折り曲げる工程まで一貫して、支持基板５には同一の部材を用いることができる。したがって、製造工程において、第１絶縁基板１０の下面側の全面に貼り付けられた支持基板を剥離する必要がなく、支持基板を剥離する際の静電気破壊等によって表示パネルが損傷するのを抑制することができる。言い換えると、第１絶縁基板１０から支持基板５を剥離すると言う、第１絶縁基板１０に帯電が生じる工程を必要としない。第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３などの絶縁膜のＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）破壊を低減することができるため、スイッチング素子ＳＷの破損を低減することができる。また、別の支持基板を用いることによる製造コストの増加を抑制することが可能である。

以上説明したように、本実施形態によれば、製造コストの低減が可能な表示装置、又は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を得ることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

例えば、上記実施形態においては、支持基板５の第１部分５ａ及び第２部分５ｂは、第２領域ＡＲ２と重なる領域において支持基板５が剥離されることにより形成されているが、支持基板５の第１部分５ａ及び第２部分５ｂをそれぞれ別々に第１基板ＳＵＢ１に貼り合わせて形成しても良い。

上記の実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に限らず、液晶表示装置に適用することも可能である。その場合、表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶表示パネルである。表示パネルＰＮＬが液晶表示パネルである場合には、液晶表示パネルは、第２基板ＳＵＢ２側から入射する光を選択的に反射することで画像を表示する反射型の液晶表示パネルであっても良いし、第１基板ＳＵＢ１側から入射する光を選択的に透過することで画像を表示する透過型の液晶表示パネルであっても良い。なお、平面視で、表示領域ＤＡと配線基板１とが重畳する場合には、反射型が好適であるが、第１基板ＳＵＢ１と配線基板１との間にバックライトユニットを配置することが可能であれば、透過型であっても良い。なお、本実施形態に関する主要な構成については、表示装置ＤＳＰが液晶表示装置であった場合にも略同一である。

ＤＳＰ…表示装置 ＡＲ１…第１領域 ＡＲ２…第２領域 ＡＲ３…第３領域
ＰＮＬ…表示パネル １００…接続配線 １…配線基板 ５…支持基板
１０…第１絶縁基板 Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３…膜厚 ６…信号配線 ＰＤ…パッド
１０Ａ、１０Ｂ…面 Ｓ１…第１面 Ｓ２…第２面 Ｓ３…第３面
９…台座部 ＡＤ…接着層 ＬＬ１、ＬＬ２、ＬＬ３…レーザー光 ５ｃ…部分。

Claims (11)

1. 第１領域、前記第１領域と隣接する第２領域、及び、前記第２領域と隣接する第３領域を有する絶縁基板と、
   前記絶縁基板の一方の面側で前記第３領域と重なる位置に実装された配線基板と、
   前記絶縁基板の一方の面側とは反対側の他方の面側で、前記絶縁基板に接着された支持基板と、を備える表示装置であって、
   前記第２領域は、前記第１領域と前記第３領域との間に位置し、
   前記支持基板は、前記第２領域と重なる位置には配置されていない、表示装置。
2. 前記絶縁基板の膜厚は、前記第１領域における膜厚及び前記第３領域における膜厚の各々より、前記第２領域における膜厚の方が小さい、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記絶縁基板は、前記絶縁基板の前記他方の面側において、前記第１領域に位置する第１面と、前記第２領域に位置する第２面と、前記第３領域に位置する第３面と、を有し、前記第２面は、前記第１面及び第３面よりも粗面である請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記支持基板は、３５５ｎｍ以下の波長を有するレーザー光を７０％以上透過する請求項１乃至３の何れか１項に記載の表示装置。
5. 前記支持基板は、ポリエチレンテレフタラートである請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示装置。
6. 台座部と、
   接着層と、をさらに備え、
   前記第１領域と前記配線基板とが対向するように前記第２領域が折れ曲がり、前記台座部は、前記第１領域と前記配線基板との間に配置され、前記接着層は、前記配線基板と前記台座部との間、及び、前記第１領域と前記台座部との間に配置される請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１領域は、表示領域を有しており、
   前記第２領域は、前記絶縁基板を折り曲げる折り曲げ領域であり、
   前記第３領域は、前記配線基板を実装する実装部である、請求項１乃至６の何れか１項に記載の表示装置。
8. 第１領域、前記第１領域と隣接する第２領域及び前記第２領域と隣接する第３領域を有する絶縁基板と、
   前記絶縁基板の一方の面側で前記第３領域に実装された配線基板と、
   前記絶縁基板の一方の面側とは反対側の他方の面側で、前記絶縁基板に接着された支持基板と、を備える表示装置の製造方法であって、
   前記絶縁基板の一方の面側に信号配線を形成し、
   前記絶縁基板の他方の面側に前記支持基板を貼り付け、
   第１のレーザー光によって、前記支持基板の前記第１領域及び前記第２領域の境界と重なる位置、及び前記第２領域及び前記第３領域の境界と重なる位置を切断し、
   第２のレーザー光によって、前記支持基板の前記第２領域と重なる部分を剥離する表示装置の製造方法。
9. 前記絶縁基板は、前記絶縁基板の前記他方の面側において、前記第１領域に位置する第１面と、前記第２領域に位置する第２面と、前記第３領域に位置する第３面と、を有し、前記第２面は、前記第１面及び前記第３面よりも粗面に形成される請求項８に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記支持基板の前記第２領域と重なる部分を剥離する際、前記第２領域における前記絶縁基板に３５５ｎｍ以下の波長を有する第２のレーザー光を照射する請求項８又は９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記第２のレーザー光の波長は、前記第１のレーザー光の波長とは異なる請求項８乃至１０の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。

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