WO2017149635A1 - 発光装置の製造方法及び発光装置 - Google Patents

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light emitting
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hole transport
organic layer
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田中　章浩
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パイオニア株式会社
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    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device.
  • An organic EL element is one of light sources of light emitting devices such as lighting devices and display devices.
  • the organic EL element has a configuration in which an organic layer is disposed between the first electrode and the second electrode.
  • the organic layer has a multilayer structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are stacked.
  • Patent Document 1 describes that a hole injection layer and a part of the hole transport layer are formed by a coating method, and the remaining layer and the light emitting layer of the hole transport layer are formed by an evaporation method. Has been.
  • Patent Document 2 also describes that a part of the hole transport layer is formed by a coating method, and the remaining layer and the light emitting layer of the hole transport layer are formed by a vapor deposition method. Patent Document 2 describes that an electron transport layer positioned on a light emitting layer is also formed by an evaporation method.
  • the problem to be solved by the present invention is that when the lower layer of the hole transport layer is formed of a coating material and the remaining layer of the hole transport layer is formed of a vapor deposition material, the luminous efficiency of the light emitting device is One example is to prevent it from decreasing.
  • the invention according to claim 1 includes a first step of applying a hole injecting material; A second step that is performed after the first step, and the first hole transporting material is applied; A third step performed after the second step and applying a second hole transporting material; A fourth step that is performed after the third step and deposits the second hole transporting material; A fifth step which is performed after the fourth step and deposits a light emitting material;
  • a method for manufacturing a light emitting device comprising:
  • the invention according to claim 7 includes a hole injection layer, A first organic layer formed on the hole injection layer and including a first hole transporting material; A second organic layer formed on the first organic layer and including a second hole transporting material; A third organic layer formed on the second organic layer and including the second hole transporting material; A light emitting layer formed on the third organic layer; It is a light-emitting device provided with.
  • the invention according to claim 11 is a substrate, An insulating layer formed on the substrate and having a plurality of openings; A partition formed on a portion of the insulating layer located between the adjacent openings; A light emitting element formed inside each of the plurality of openings; With The light emitting element is A hole injection layer; A hole transport layer formed on the hole injection layer; A light emitting layer formed on the hole transport layer; Have A light emitting device in which the hole injection layer and a part of the hole transport layer are not formed on the partition wall, and the remaining part of the hole transport layer and the light emitting layer are formed. It is.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1.
  • FIG. It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 3.
  • 6 is a plan view of a light emitting device according to Example 2.
  • FIG. 8 It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG.
  • FIG. 8 is a sectional view taken along line BB in FIG. It is CC sectional drawing of FIG.
  • FIG. 8 is a DD sectional view of FIG. 7. It is a table
  • a hole transport layer and a hole injection layer are used to mean a layer containing a hole transport material and a layer containing a hole injection material, respectively.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device 10 according to an embodiment.
  • the light emitting device 10 includes a hole injection layer 121, a hole transport layer 122, and a light emitting layer 123.
  • the hole transport layer 122 includes a first hole transport layer 122a (an example of a first organic layer), a second hole transport layer 122b (an example of a second organic layer), and a third hole transport layer 122c (a third organic layer). An example of an organic layer).
  • the first hole transport layer 122a is formed on the hole injection layer 121 and contains a first hole transport material.
  • the second hole transport layer 122b is formed on the first hole transport layer 122a and includes a second hole transport material.
  • the third hole transport layer 122c is formed on the second hole transport layer 122b and includes a second hole transport material.
  • the light emitting layer 123 is formed on the third hole transport layer 122c.
  • the second hole transport layer 122b is formed using a coating method, and the third hole transport layer 122c is formed using a vapor deposition method. For this reason, an interface exists between the second hole transport layer 122b and the third hole transport layer 122c.
  • the refractive index of the second hole transport layer 122b is different from the refractive index of the third hole transport layer 122c. Details will be described below.
  • the light emitting device 10 includes a light emitting unit 140.
  • the light emitting unit 140 is formed on one surface of the substrate 100 and includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130.
  • the organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the light emitting unit 140 may be a bottom emission type light emitting unit or a top emission type light emitting unit.
  • the substrate 100 is formed of a light-transmitting material such as glass or a light-transmitting resin, and the surface of the substrate 100 opposite to the first electrode 110 is used. Is the light extraction surface of the light emitting device 10.
  • the substrate 100 may be formed of the above-described light-transmitting material or may be formed of a material that does not have light-transmitting properties.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Further, the substrate 100 may have flexibility. In the case where the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the material of the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. Is formed.
  • an inorganic barrier film such as SiNx or SiON is formed on at least the light emitting surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from passing through the substrate 100. Yes.
  • At least one of the first electrode 110 and the second electrode 130 is a transparent electrode having optical transparency.
  • the first electrode 110 is a transparent electrode.
  • the light emitting unit 140 is a top emission type
  • the second electrode 130 is a transparent electrode.
  • both the first electrode 110 and the second electrode 130 may be transparent electrodes.
  • the light emitting unit 140 is a double-sided light emitting unit.
  • the transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide), and the like. is there.
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a conductive organic material such as a carbon nanotube or PEDOT / PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrenesulfonate)), or a thin metal. It may be an electrode.
  • PEDOT / PSS poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (styrenesulfonate)
  • the non-transparent electrode is selected from, for example, a first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In. Or a metal layer made of an alloy of metals selected from the first group.
  • This electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may have a structure in which a metal layer and a transparent conductive layer are laminated in this order.
  • the hole injection layer 121 is formed using a material that moves holes (a hole-moving organic material).
  • the thickness of the hole injection layer 121 is, for example, not less than 50 nm and not more than 100 nm.
  • the hole injection layer 121 is formed using a coating method.
  • the material constituting the hole injection layer 121 (hole injection material) is a polymer, that is, has a higher molecular weight than the second hole transport material.
  • the material constituting the hole injection layer 121 (hole injection material) is a conductive polymer material, and examples thereof include polythiophene-based materials such as PEDOT-PSS.
  • polymer hole injection materials including arylamine derivatives, porphyrin derivatives, polystyrene derivatives, polypyrrole derivatives, polyaniline derivatives, polythiophene derivatives, polyacetylene derivatives, and the like can be given. However, it is not limited to these.
  • the hole transport layer 122 is formed using a hole-moving organic material.
  • the hole transport layer 122 includes a first hole transport layer 122a, a second hole transport layer 122b, and a third hole transport layer 122c.
  • the thickness of the first hole transport layer 122a is, for example, 30 nm or more and 100 nm or less
  • the thickness of the second hole transport layer 122b is, for example, 10 nm or more and 40 nm or less
  • the thickness of the third hole transport layer 122c is, for example, It is 10 nm or more and 40 nm or less.
  • the first hole transport layer 122a is formed using a first hole transport material, and the second hole transport layer 122b and the third hole transport layer 122c are formed using a second hole transport material. Is formed.
  • the first hole transporting material is a polymer material having a molecular weight larger than that of the second hole transporting material.
  • the first hole transporting material is a polymeric hole transporting material such as TFB (poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (4,4 ′ -(N- (4-sec-butylphenyl)) diphenylamine)]) and the like.
  • polymer hole transport materials including anthracene derivatives, carbazole derivatives, polythiophene derivatives, polyfluorene derivatives, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, and the like can be given. However, it is not limited to these.
  • the second hole transporting material is a low-molecular hole transporting material such as ⁇ -NPD (bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine)), m-MTDATA (4, 4 ', 4' '-tris [phenyl (m-tolyl) amino] triphenylamine), TCTA (4,4', 4 ''-tri (N-carbazole) triphenylamine), 2-TNATA (4, 4 ′, 4 ′′ -tris [2-naphthyl (phenyl) amino] triphenylamine) and the like.
  • ⁇ -NPD bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine
  • m-MTDATA (4, 4 ', 4' '-tris [phenyl (m-tolyl) amino] triphenylamine)
  • TCTA 4,4', 4 ''-tri (N-carbazole) triphenyl
  • organic solvent examples include toluene, xylene, anisole, cyclohexanone, dodecylbenzene, cyclohexanol, tetralin, mesitylene, bucumcumene, dihydrobenzofuran, cyclohexylbenzene, 1-methylnaphthalene, p-anisyl alcohol, dimethylnaphthalene, 3- Examples include methylbiphenyl, 4-methylbiphenyl, 3-isopropylbiphenyl, monoisopropylnaphthalene, tetrahydrofuran, dichloroethane, chloroform, ethyl benzoate, and butyl benzoate. However, it is not limited to these. You may use these individually or in mixture of 2 or more types.
  • the first hole transport layer 122a is formed by applying a first hole transport material.
  • the second hole transport layer 122b is formed by applying a second hole transport material. Specifically, the second hole transporting material to be the second hole transporting layer 122b is applied after the first hole transporting material to be the first hole transporting layer 122a is applied and dried. The For this reason, an interface exists between the 1st positive hole transport layer 122a and the 2nd positive hole transport layer 122b.
  • the first hole transport layer 122a and the second hole transport layer 122b are formed by using, for example, a spin coating method, but may be formed by using another coating method (for example, an ink jet method).
  • the third hole transport layer 122c is formed by using a vapor deposition method.
  • the second hole transport layer 122b and the third hole transport layer 122c are formed using different film formation methods. Therefore, although both the second hole transport layer 122b and the third hole transport layer 122c are formed using the second hole transport material, the second hole transport layer 122b and the third hole transport layer 122b An interface exists between the hole transport layers 122c.
  • the refractive indexes of the second hole transport layer 122b and the third hole transport layer 122c are different from each other. For example, the refractive index of the second hole transport layer 122b is smaller than the refractive index of the third hole transport layer 122c.
  • the light-emitting layer 123 is formed using a material that emits light when electrons and holes are recombined.
  • the emission color of the light emitting layer 123 (that is, the emission color of the light emitting unit 140) may be any color, for example, blue (peak wavelength is 430 nm to 480 nm or less), green (peak wavelength is 500 nm to 550 nm or less), or red (The peak wavelength is 600 nm or more and 680 nm or less).
  • the material of the light emitting layer 123 may be anything as long as it is a light emitting organic material.
  • the hole blocking layer 124 is in contact with the surface of the light emitting layer 123 opposite to the hole transporting layer 122, and the holes penetrate the light emitting layer 123 to reach the electron transporting layer 125 or the electron injection layer 126. Suppress.
  • the hole blocking layer 124 is formed using, for example, a material that can move electrons (electron-moving organic material).
  • the thickness of the hole blocking layer 124 is, for example, not less than 5 nm and not more than 50 nm.
  • the organic layer 120 may not have the hole blocking layer 124.
  • the electron transport layer 125 is formed using a material (electron mobility organic material) through which electrons move.
  • materials include nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivatives, aromatic hydrocarbon ring derivatives, dibenzofuran derivatives, dibenzothiophene derivatives, and silole derivatives.
  • the thickness of the electron transport layer 125 is, for example, 5 nm or more and 100 nm or less.
  • the electron injection layer 126 is formed using, for example, an alkali metal compound such as LiF, a metal oxide typified by aluminum oxide, or a metal complex typified by lithium 8-hydroxyquinolate (Liq).
  • the thickness of the electron injection layer 126 is, for example, not less than 0.1 nm and not more than 10 nm.
  • the organic layer 120 may further have an electron blocking layer.
  • the electron blocking layer is located between the hole transport layer 122 and the light emitting layer 123, and suppresses electrons penetrating the light emitting layer 123 from reaching the hole transport layer 122 and the hole injection layer 121.
  • the electron-inhibiting layer can be formed using, for example, at least one of materials in which holes move (hole-moving organic material).
  • the thickness of the electron inhibition layer is, for example, 5 nm or more and 50 nm or less.
  • FIG. 2 is a diagram showing a method for manufacturing the light emitting unit 140 of the light emitting device 10.
  • the manufacturing method of the light emitting device 10 includes a step of applying a hole injection material (first step), a step of applying a first hole transporting material (second step), and a step of applying a second hole transporting material. (Third step), a step of depositing a second hole transporting material (fourth step), and a step of depositing a light emitting material (fifth step).
  • the second step is performed after the first step
  • the third step is performed after the second step
  • the fourth step is performed after the third step
  • the fifth step is performed after the fourth step. Details will be described below.
  • the first electrode 110 is formed on the substrate 100 by using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method.
  • the hole injection material is applied using a coating method such as an inkjet method or a spin coating method, and then dried. Thereby, the hole injection layer 121 is formed (first step).
  • the first hole transport material is applied using a coating method such as an inkjet method or a spin coating method, and then dried. Thereby, the first hole transport layer 122a is formed (second step).
  • the second hole transport material is applied using, for example, an application method such as an inkjet method or a spin coating method, and then dried. Thereby, the second hole transport layer 122b is formed (third step).
  • a second hole transport material is deposited on the second hole transport layer 122b by using a vacuum evaporation method.
  • the third hole transport layer 122c is formed (fourth step).
  • the light emitting layer 123 is formed using a vacuum evaporation method (5th process).
  • the hole blocking layer 124 and the electron transporting layer 125 are formed using a vacuum deposition method.
  • the electron injection layer 126 is formed using a vacuum deposition method (sixth step). In this way, the organic layer 120 is formed.
  • the second electrode 130 is formed on the organic layer 120.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. In this way, the light emitting device 10 shown in FIG. 1 is formed.
  • the hole injection layer 121 and the first hole transport layer 122a are formed using a coating method, and the third hole transport layer 122c and the light emitting layer 123 are formed using an evaporation method. .
  • a part of the hole transport layer 122 is formed by a coating method, and the remaining layer of the hole transport layer 122 is formed by an evaporation method.
  • the mobility of holes may decrease at the interface between the layer formed by the coating method and the layer formed by the vapor deposition method in the hole transport layer 122.
  • the second hole transport layer 122b is provided between the first hole transport layer 122a and the third hole transport layer 122c.
  • the second hole transport layer 122b is formed using the same material as the third hole transport layer 122c. Therefore, the above-described decrease in hole mobility can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the light emission efficiency of the light emitting unit 140.
  • FIG. 12 is a table showing the external quantum efficiency (light emission efficiency) and lifetime of the light emitting device 10 shown in the embodiment and the light emitting device 10 according to the comparative example.
  • the light emitting device 10 of the embodiment has the following configuration.
  • the first electrode 110 is ITO having a thickness of 110 nm.
  • the organic layer 120 does not have the hole blocking layer 124.
  • the hole injection layer 121, the first hole transport layer 122a, the second hole transport layer 122b, the third hole transport layer 122c, the electron transport layer 125, and the electron injection layer 126 each have a thickness of 50 nm.
  • the light emitting layer 123 is a blue light emitting layer having a thickness of 20 nm.
  • the second electrode 130 is Al having a thickness of 100 nm.
  • the first electrode 110 is formed by a sputtering method, the hole injection layer 121, the first hole transport layer 122a, and the second hole transport layer 122b are formed by a spin coating method, and the remaining layers are formed by a vacuum evaporation method. Formed by.
  • the light emitting device 10 according to the comparative example has the same configuration as the above light emitting device 10 except that the second hole transport layer 122b is not provided.
  • each value of the comparative example is shown as a relative value with respect to the embodiment.
  • the external quantum efficiency indicates a value immediately after the start of light emission, and the lifetime is defined as the cumulative light emission time, which is the time until the external quantum efficiency (the light emission luminance of light emission of the light emitting device 10) reaches 70% immediately after the start of light emission. did.
  • the cumulative light emission time is the time until the external quantum efficiency (the light emission luminance of light emission of the light emitting device 10) reaches 70% immediately after the start of light emission. did.
  • it is 5288 hours of the embodiment and 4232 hours of the comparative example.
  • FIG. 12 shows that the external quantum efficiency immediately after the start of use of the light emitting device 10 hardly decreases even when the second hole transport layer 122b is provided.
  • the lifetime of the light emitting device 10 can be extended while maintaining the light emission luminance per unit applied current, in other words, the decrease in the light emission efficiency of the light emitting device 10 can be suppressed. I understood.
  • FIG. 3 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a view in which the second electrode 130 is removed from FIG.
  • FIG. 5 is a diagram in which the organic layer 120 and the insulating layer 150 are removed from FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment is a lighting device, and a light emitting unit 140 is formed on almost the entire surface of the substrate 100.
  • the first electrode 110, the first terminal 112, and the second terminal 132 are formed on one surface of the substrate 100.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 have a layer formed using the same material as the first electrode 110. This layer is formed in the same process as the first electrode 110.
  • a layer formed of the same material as the first electrode 110 in the first terminal 112 is integrated with the first electrode 110.
  • the second terminal 132 is separated from the first electrode 110.
  • first terminal 112 and the second terminal 132 are located on opposite sides of the first electrode 110.
  • the substrate 100 is rectangular.
  • the first terminal 112 is formed along one side of the substrate 100
  • the second terminal 132 is formed along the side opposite to the first terminal 112 among the four sides of the substrate 100.
  • the region where the organic layer 120 is to be formed in the substrate 100 is surrounded by the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed, for example, by including a photosensitive material in a resin material such as polyimide, and is formed in a predetermined shape through exposure and development processes.
  • the insulating layer 150 is formed after the first electrode 110 is formed and before the organic layer 120 is formed. However, the insulating layer 150 may not be formed.
  • the organic layer 120 is formed inside a region surrounded by the insulating layer 150.
  • the configuration of the organic layer 120 is as shown in the embodiment.
  • a second electrode 130 is formed on the organic layer 120. A part of the second electrode 130 extends over the second terminal 132 across the insulating layer 150.
  • the organic layer 120 has the configuration shown in the embodiment, and is manufactured using the method shown in the embodiment. For this reason, although some layers of the hole transport layer 122 are formed by a coating method and the remaining layers of the hole transport layer 122 are formed by a vapor deposition method, holes in the hole transport layer 122 are formed. The decrease in mobility can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the light emission efficiency of the light emitting unit 140.
  • FIG. 7 is a plan view of the light emitting device 10 according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from
  • FIG. 9 is a sectional view taken along the line BB in FIG. 7
  • FIG. 10 is a sectional view taken along the line CC in FIG. 7
  • FIG. 11 is a sectional view taken along the line DD in FIG.
  • the light emitting device 10 is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, an organic layer 120, a first layer. It has two electrodes 130, a plurality of lead wires 134, and a plurality of partition walls 170.
  • the first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 7). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.
  • the lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112.
  • one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112.
  • the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated.
  • a conductor layer 180 is formed on the first terminal 112 and the lead wiring 114.
  • the conductor layer 180 is formed using a metal having a lower resistance than that of the first electrode 110, such as Al or Ag.
  • a part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed on and between the plurality of first electrodes 110 as shown in FIGS. 7 and 9 to 11.
  • a plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150.
  • the plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 7).
  • a partition wall 170 which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130.
  • the opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view.
  • the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.
  • the opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view.
  • the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 7, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154.
  • the lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.
  • the lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 180 is also formed on the second terminal 132 and the lead wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.
  • the organic layer 120 is formed in the region overlapping with the opening 152.
  • the configuration of the organic layer 120 is as shown in the embodiment.
  • the light emitting unit 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.
  • each layer constituting the organic layer 120 is shown to protrude to the outside of the opening 152.
  • the organic layer 120 may be continuously formed between adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good. However, as shown in FIG. 11, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.
  • the second electrode 130 extends in the second direction (X direction in FIG. 7) intersecting the first direction.
  • a partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130.
  • the partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction.
  • the base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150.
  • the partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.
  • the partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method, so that the plurality of second electrodes 130 are formed. It can be formed in a lump.
  • the partition wall 170 has a function of dividing the organic layer 120.
  • layers formed by a coating method for example, the hole injection layer 121, the first hole transport layer 122a, and the second hole transport layer 122b
  • a coating method for example, the hole injection layer 121, the first hole transport layer 122a, and the second hole transport layer 122b
  • layers formed by a vapor deposition method for example, the third hole transport layer 122 c, the light emitting layer 123, the hole blocking layer 124, the electron transport layer 125, and the electron injection layer 126) Since it is not formed on the side surface, it is divided by the partition wall 170.
  • the layer formed by the vapor deposition method in the organic layer 120 is also formed on the upper surface of the partition wall 170.
  • each layer of the organic layer 120 (hole injection layer 121, each layer of the hole transport layer 122, light emitting layer 123, hole blocking layer 124, electron transport layer 125, and electron injection layer 126) Is formed.
  • a layer formed by the vapor deposition method of the organic layer 120 specifically, a part of the hole transport layer 122 (more specifically, the third hole transport layer 122c).
  • the organic layer located on the partition 170 is thinner than the organic layer 120 located in the opening 152.
  • the light emitting device 10 When the light emitting device 10 is a color display, the light emitting device 10 includes, for example, a red light emitting unit 140, a green light emitting unit 140, and a blue light emitting unit 140. And the organic layer 120 of these light emission parts 140 has the structure of above-described embodiment.
  • the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 in the embodiment.
  • the conductor layer 180 is formed on the lead wiring 114, on the first terminal 112, on the lead wiring 134, and on the second terminal 132.
  • the insulating layer 150 is formed, and further the partition 170 is formed.
  • each layer of the organic layer 120 is formed. The method for forming each layer of the organic layer 120 is as described in the embodiment.
  • the second electrode 130 is formed.
  • the organic layer 120 has the configuration shown in the embodiment, and is manufactured using the method shown in the embodiment. For this reason, although some layers of the hole transport layer 122 are formed by a coating method and the remaining layers of the hole transport layer 122 are formed by a vapor deposition method, holes in the hole transport layer 122 are formed. The decrease in mobility can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the light emission efficiency of the light emitting unit 140.

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Abstract

発光装置（１０）は、正孔注入層（１２１）、正孔輸送層（１２２）、及び発光層（１２３）を有している。正孔輸送層（１２２）は、第１有機層（１２２ａ）、第２有機層（１２２ｂ）、及び第３有機層（１２２ｃ）を有している。第１有機層（１２２ａ）は正孔注入層（１２１）の上に形成されており、第１正孔輸送材料を含んでいる。第２有機層（１２２ｂ）は第１有機層（１２２ａ）の上に形成されており、第２正孔輸送材料を含んでいる。第３有機層（１２２ｃ）は第２有機層（１２２ｂ）の上に形成されており、第２正孔輸送材料を含んでいる。第２有機層（１２２ｂ）は塗布法を用いて形成されており、第３有機層（１２２ｃ）は蒸着法を用いて形成されている。

Description

発光装置の製造方法及び発光装置
　本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。
　照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を積層した多層構造を有している。
　有機層を構成する各層の製造方法として、従来は真空成膜法（例えば蒸着法）が用いられてきた。これに対し、近年は有機層を塗布法で形成することが検討されている。しかし、現状では、有機層のすべての層を塗布法で形成することは難しい。例えば、特許文献１には、正孔注入層、及び正孔輸送層の一部の層を塗布法で形成し、正孔輸送層の残りの層及び発光層を蒸着法で形成することが記載されている。
　また、特許文献２にも、正孔輸送層の一部の層を塗布法で形成し、正孔輸送層の残りの層及び発光層を蒸着法で形成することが記載されている。特許文献２には、発光層の上に位置する電子輸送層も蒸着法により形成することが記載されている。
特開２０１２－１４２３６５号公報 特開２０１４－１２７３０３号公報
　特許文献１及び特許文献２に記載の方法では、正孔輸送層の一部（下側の層）は塗布材料を用いて形成され、正孔輸送層の残りの層（上側の層）は蒸着材料を用いて形成されている。本発明者が検討した結果、正孔輸送層がこのような構成を有している場合、正孔輸送層のホール移動度が低下する可能性があることが判明した。この場合、発光装置の発光効率が低下してしまう。
　本発明が解決しようとする課題としては、正孔輸送層の下側の層を塗布材料で形成し、正孔輸送層の残りの層を蒸着材料で形成する場合において、発光装置の発光効率が低下しないようにすることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、正孔注入性材料を塗布する第１工程と、
　前記第１工程の後に行われ、第１正孔輸送性材料を塗布する第２工程と、
　前記第２工程の後に行われ、第２正孔輸送性材料を塗布する第３工程と、
　前記第３工程の後に行われ、前記第２正孔輸送性材料を蒸着する第４工程と、
　前記第４工程の後に行われ、発光材料を蒸着する第５工程と、
を備える発光装置の製造方法である。
　請求項７に記載の発明は、正孔注入層と、
　前記正孔注入層の上に形成され、第１正孔輸送性材料を含む第１有機層と、
　前記第１有機層の上に形成され、第２正孔輸送性材料を含む第２有機層と、
　前記第２有機層の上に形成され、前記第２正孔輸送性材料を含む第３有機層と、
　前記第３有機層の上に形成された発光層と、
を備える発光装置である。
　請求項１１に記載の発明は、基板と、
　前記基板の上に形成され、複数の開口を有する絶縁層と、
　前記絶縁層のうち隣り合う前記開口の間に位置する部分の上に形成された隔壁と、
　前記複数の開口のそれぞれの内側に形成された発光素子と、
を備え、
　前記発光素子は、
　　正孔注入層と、
　　前記正孔注入層の上に形成された正孔輸送層と、
　　前記正孔輸送層の上に形成された発光層と、
を有し、
　前記隔壁の上には、前記正孔注入層、及び前記正孔輸送層の一部が形成されておらず、かつ前記正孔輸送層の残りの部分及び前記発光層が形成されている発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 発光装置の発光部の製造方法を示す図である。 実施例１に係る発光装置の平面図である。 図３から第２電極を取り除いた図である。 図４から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。 図３のＡ－Ａ断面図である。 実施例２に係る発光装置の平面図である。 図７から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図７のＢ－Ｂ断面図である。 図７のＣ－Ｃ断面図である。 図７のＤ－Ｄ断面図である。 実施形態に係る発光装置と比較例に係る発光装置の外部量子効率と寿命を示す表である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本実施形態において、正孔輸送層および正孔注入層などの表現はそれぞれ、正孔輸送性の材料を含む層、正孔注入性材料を含む層という意味で用いる。
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、及び発光層１２３を有している。正孔輸送層１２２は、第１正孔輸送層１２２ａ（第１有機層の一例）、第２正孔輸送層１２２ｂ（第２有機層の一例）、及び第３正孔輸送層１２２ｃ（第３有機層の一例）を有している。第１正孔輸送層１２２ａは正孔注入層１２１の上に形成されており、第１正孔輸送材料を含んでいる。第２正孔輸送層１２２ｂは第１正孔輸送層１２２ａの上に形成されており、第２正孔輸送材料を含んでいる。第３正孔輸送層１２２ｃは第２正孔輸送層１２２ｂの上に形成されており、第２正孔輸送材料を含んでいる。発光層１２３は第３正孔輸送層１２２ｃの上に形成されている。第２正孔輸送層１２２ｂは塗布法を用いて形成されており、第３正孔輸送層１２２ｃは蒸着法を用いて形成されている。このため、第２正孔輸送層１２２ｂ及び第３正孔輸送層１２２ｃの間には界面が存在する。また、第２正孔輸送層１２２ｂの屈折率は第３正孔輸送層１２２ｃの屈折率と異なる。以下、詳細に説明する。
　発光装置１０は発光部１４０を備えている。発光部１４０は、基板１００の一面に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。発光部１４０は、ボトムエミッション型の発光部であってもよいし、トップエミッション型の発光部であってもよい。
　発光部１４０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光部１４０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
　第１電極１１０及び第２電極１３０の少なくとも一方は、光透過性を有する透明電極である。例えば発光部１４０がボトムエミッション型である場合、少なくとも第１電極１１０は透明電極である。一方、発光部１４０がトップエミッション型である場合、少なくとも第２電極１３０は透明電極である。なお、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極であってもよい。この場合、発光部１４０は両面発光型の発光部になる。
　透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ(ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホナート))などの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
　第１電極１１０及び第２電極１３０のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
　なお、発光部１４０がトップエミッション型の発光装置である場合、第１電極１１０は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。
　正孔注入層１２１は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層１２１の厚さは例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔注入層１２１は、塗布法を用いて形成されている。正孔注入層１２１を構成する材料（正孔注入性材料）は、第２正孔輸送性材料よりも高分子、すなわち分子量が大きい。正孔注入層１２１を構成する材料（正孔注入性材料）は、導電性高分子材料であり、例えば、PEDOT-PSSなどのポリチオフェン系材料が挙げられる。その他、アリールアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリスチレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体等を含む高分子の正孔注入材料を挙げることができる。但し、これらに限定されない。
　正孔輸送層１２２は、正孔移動性の有機材料を用いて形成されている。詳細には、正孔輸送層１２２は、第１正孔輸送層１２２ａ、第２正孔輸送層１２２ｂ、及び第３正孔輸送層１２２ｃを有している。第１正孔輸送層１２２ａの厚さは例えば３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、第２正孔輸送層１２２ｂの厚さは例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、第３正孔輸送層１２２ｃの厚さは例えば１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。第１正孔輸送層１２２ａは、第１正孔輸送性材料を用いて形成されており、第２正孔輸送層１２２ｂ及び第３正孔輸送層１２２ｃは第２正孔輸送性材料を用いて形成されている。第１正孔輸送性材料は、第２正孔輸送性材料よりも分子量が大きい高分子材料である。第１正孔輸送性材料は、高分子の正孔輸送性材料であり、例えば、TFB(ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレニル-２,7-ジイル)-co-(4,4'-(N-(4-sec-ブチルフェニル))ジフェニルアミン)])等のトリフェニルアミン系材料が挙げられる。その他、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体等を含む高分子の正孔輸送材料が挙げられる。但し、これらに限定されない。また、第２正孔輸送性材料は低分子の正孔輸送性材料であり、例えば、α-NPD(ビス(N-(1-ナフチル-N-フェニル)ベンジジン))、m-MTDATA(4,4',4''-トリス[フェニル(m-トリル)アミノ]トリフェニルアミン)、TCTA(4,4',4''-トリ(N-カルバゾール)トリフェニルアミン)、2-TNATA(4,4',4''-トリス[2-ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン)等が挙げられる。その他、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、スチリルアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニレン誘導体、アザトリフェニレン誘導体等を含む低分子の正孔輸送材料が挙げられる。但し、これらに限定されない。塗布成膜の際はこれら材料を有機溶媒に溶解して成膜する。有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサノール、テトラリン、メシチレン、ブソイドクメン 、ジハイドロベンゾフラン、シクロヘキシルベンゼン、１-メチルナフタレン、p-アニシルアルコール、ジメチルナフタレン、3-メチルビフェニル、４－メチルビフェニル、３－イソプロピルビフェニル、モノイソプロピルナフタレン、テトラヒドロフラン、ジクロロエタン、クロロホルム、安息香酸エチル、安息香酸ブチル等が挙げられる。但し、これらに限定されない。これらは単独もしくは２種以上を混合して用いても良い。
　第１正孔輸送層１２２ａは第１正孔輸送性材料を塗布することにより形成されている。また、第２正孔輸送層１２２ｂは、第２正孔輸送性材料を塗布することにより形成されている。詳細には、第２正孔輸送層１２２ｂとなる第２正孔輸送性材料は、第１正孔輸送層１２２ａとなる第１正孔輸送性材料が塗布され、かつ乾燥された後に、塗布される。このため、第１正孔輸送層１２２ａと第２正孔輸送層１２２ｂの間には界面が存在する。第１正孔輸送層１２２ａ及び第２正孔輸送層１２２ｂは、例えばスピンコーティング法を用いて形成されているが、他の塗布法（例えばインクジェット法）を用いて形成されていてもよい。
　また、第３正孔輸送層１２２ｃは、蒸着法を用いて形成されている。このように、第２正孔輸送層１２２ｂと第３正孔輸送層１２２ｃは、互いに異なる成膜方法を用いて形成されている。このため、第２正孔輸送層１２２ｂと第３正孔輸送層１２２ｃがいずれも第２正孔輸送性材料を用いて形成されているにも関わらず、第２正孔輸送層１２２ｂと第３正孔輸送層１２２ｃの間には界面が存在する。また、第２正孔輸送層１２２ｂと第３正孔輸送層１２２ｃの屈折率は、互いに異なる。例えば、第２正孔輸送層１２２ｂの屈折率は、第３正孔輸送層１２２ｃの屈折率よりも小さい。
　発光層１２３は、電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。発光層１２３の発光色（すなわち発光部１４０の発光色）は何色であってもよく、例えば、青色（ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）、緑色（ピーク波長が５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下）、又は赤色（ピーク波長が６００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下）である。発光層１２３の材料は発光性の有機材料であれば何であってもよい。
　正孔ブロック層１２４は、発光層１２３のうち正孔輸送層１２２とは逆側の面に接しており、正孔が発光層１２３を突き抜けて電子輸送層１２５又は電子注入層１２６に到達することを抑制する。正孔ブロック層１２４は、例えば電子が移動することができる材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成される。正孔ブロック層１２４の厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。なお、有機層１２０は、正孔ブロック層１２４を有していなくてもよい。
　電子輸送層１２５は、電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。このような材料としては、例えば、含窒素芳香族複素環誘導体、芳香族炭化水素環誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体が挙げられる。電子輸送層１２５の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
　電子注入層１２６は、例えばＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８－ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。電子注入層１２６の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
　なお、有機層１２０は、さらに電子阻害層を有していてもよい。電子阻害層は、正孔輸送層１２２と発光層１２３の間に位置し、発光層１２３を突き抜けた電子が正孔輸送層１２２や正孔注入層１２１に到達することを抑制する。電子阻害層は、例えば、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）の少なくとも一つを用いて形成することができる。電子阻害層の厚さは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
　図２の各図は、発光装置１０の発光部１４０の製造方法を示す図である。発光装置１０の製造方法は、正孔注入材料を塗布する工程（第１工程）、第１正孔輸送性材料を塗布する工程（第２工程）、第２正孔輸送性材料を塗布する工程（第３工程）、第２正孔輸送性材料を蒸着する工程（第４工程）、及び発光材料を蒸着する工程（第５工程）を備えている。第２工程は第１工程の後に行われ、第３工程は第２工程の後に行われ、第４工程は第３工程の後に行われ、第５工程は第４工程の後に行われる。以下、詳細に説明する。
　まず、図２（ａ）に示すように、基板１００の上に、第１電極１１０を、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。次いで、正孔注入材料を、例えばインクジェット法やスピンコーティング法などの塗布法を用いて塗布し、その後乾燥させる。これにより、正孔注入層１２１が形成される（第１工程）。
　次いで、第１正孔輸送材料を、例えばインクジェット法やスピンコーティング法などの塗布法を用いて塗布し、その後乾燥させる。これにより、第１正孔輸送層１２２ａが形成される（第２工程）。次いで、第２正孔輸送材料を、例えばインクジェット法やスピンコーティング法などの塗布法を用いて塗布し、その後乾燥させる。これにより、第２正孔輸送層１２２ｂが形成される（第３工程）。
　次いで、図２（ｂ）に示すように、第２正孔輸送層１２２ｂの上に、第２正孔輸送材料を、真空蒸着法を用いて堆積させる。これにより、第３正孔輸送層１２２ｃが形成される（第４工程）。その後、発光層１２３を、真空蒸着法を用いて形成する（第５工程）。その後、正孔ブロック層１２４及び電子輸送層１２５を、真空蒸着法を用いて形成する。さらに、電子注入層１２６を、真空蒸着法を用いて形成する（第６工程）。このようにして、有機層１２０が形成される。
　その後、有機層１２０の上に第２電極１３０を形成する。第２電極１３０は、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成される。このようにして、図１に示した発光装置１０が形成される。
　本実施形態において、正孔注入層１２１及び第１正孔輸送層１２２ａは塗布法を用いて形成されており、第３正孔輸送層１２２ｃ及び発光層１２３は蒸着法を用いて形成されている。この場合、正孔輸送層１２２の一部の層は塗布法で形成されることになり、正孔輸送層１２２の残りの層は蒸着法で形成されることになる。このため、正孔輸送層１２２のうち塗布法で形成された層と蒸着法で形成された層の界面で、正孔の移動度が低下する可能性がある。これに対して本実施形態では、第１正孔輸送層１２２ａと第３正孔輸送層１２２ｃの間に、第２正孔輸送層１２２ｂを有している。第２正孔輸送層１２２ｂは第３正孔輸送層１２２ｃと同じ材料を用いて形成されている。従って、上記した正孔の移動度の低下を抑制できる。従って、発光部１４０の発光効率の低下を抑制できる。
　図１２は、実施形態に示した発光装置１０と比較例に係る発光装置１０の外部量子効率（発光効率）と寿命を示す表である。
　具体的には、実施形態の発光装置１０は、以下の構成を有している。まず、第１電極１１０は厚さが１１０ｎｍのＩＴＯである。有機層１２０は正孔ブロック層１２４を有していない。そして、正孔注入層１２１、第１正孔輸送層１２２ａ、第２正孔輸送層１２２ｂ、第３正孔輸送層１２２ｃ、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６は、それぞれ、厚さが５０ｎｍのＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ、厚さが５０ｎｍのＴＦＢ、厚さが１０ｎｍの２－ＴＮＡＴＡ、厚さが１５ｎｍの２－ＴＮＡＴＡ、厚さが３０ｎｍのＡｌｑ３、及び厚さが１ｎｍのＬｉＦである。また、発光層１２３は、厚さが２０ｎｍの青色発光層である。そして、第２電極１３０は厚さが１００ｎｍのＡｌである。そして、第１電極１１０はスパッタリング法により形成され、正孔注入層１２１、第１正孔輸送層１２２ａ、及び第２正孔輸送層１２２ｂはスピンコーティング法により形成され、残りの層は真空蒸着法により形成された。
　一方、比較例に係る発光装置１０は、第２正孔輸送層１２２ｂがない点を除いて、上記した発光装置１０と同様の構成とした。
　そして、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ２の直流電流を印加して、発光装置１０の発光の輝度を計測することで外部量子効率（発光効率）及び寿命を調べた。図１２において、比較例の各値は実施形態に対する相対値として示されている。なお、外部量子効率は発光開始直後の値を示しており、寿命は、外部量子効率（発光装置１０の発光の発光輝度）が発光開始直後の７０％となるまでの時間を累積発光時間と定義した。測定の結果、実施形態５２８８時間、比較例の４２３２時間であり両者の比により求めている。
　図１２から、第２正孔輸送層１２２ｂを設けても発光装置１０の使用開始直後の外部量子効率はほとんど低下しないことが分かった。また、第２正孔輸送層１２２ｂを設けることにより、単位印加電流あたりの発光輝度は維持しながらも発光装置１０の寿命が長くなること、言い換えると発光装置１０の発光効率の低下を抑制できることが分かった。
（実施例１）
　図３は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図４は図３から第２電極１３０を取り除いた図である。図５は図４から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図６は、図３のＡ－Ａ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は照明装置であり、基板１００のほぼ全面に発光部１４０が形成されている。
　詳細には、基板１００の一面には第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成される。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。
　また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基板１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基板１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基板１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。
　基板１００のうち有機層１２０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの樹脂材料に感光性の材料を含ませて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。
　有機層１２０は、絶縁層１５０で囲まれた領域の内側に形成されている。有機層１２０の構成は、実施形態に示した通りである。また、有機層１２０の上には第２電極１３０が形成されている。第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。
　本実施例によれば、有機層１２０は実施形態に示した構成を有しており、また、実施形態に示した方法を用いて製造されている。このため、正孔輸送層１２２の一部の層は塗布法で形成され、かつ正孔輸送層１２２の残りの層は蒸着法で形成されるにもかかわらず、正孔輸送層１２２における正孔の移動度の低下を抑制できる。従って、発光部１４０の発光効率の低下を抑制できる。
（実施例２）
　図７は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図８は、図７から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図９は図７のＢ－Ｂ断面図であり、図１０は図７のＣ－Ｃ断面図であり、図１１は図７のＤ－Ｄ断面図である。
　実施例２に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
　第１電極１１０は、第１方向（図７におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
　引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　絶縁層１５０は、図７、及び図９～図１１に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図７におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。
　開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図７におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
　引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の構成は、実施形態に示したとおりである。そして、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
　なお、図９及び図１０に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図７に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１１に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
　第２電極１３０は、図７、図９～図１１に示すように、第１方向と交わる第２方向（図７におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
　隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。
　また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。例えば有機層１２０を構成する各層のうち塗布法で形成される層（例えば、正孔注入層１２１、第１正孔輸送層１２２ａ、第２正孔輸送層１２２ｂ）は、隔壁１７０の間に位置する領域に塗布材料を塗布することにより、形成される。一方、有機層１２０のうち蒸着法で形成される層（例えば第３正孔輸送層１２２ｃ、発光層１２３、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６）は、隔壁１７０の側面には形成されないため、隔壁１７０によって分断される。なお、有機層１２０のうち蒸着法で形成される層は、隔壁１７０の上面にも形成される。
　そして、開口１５２の内側には、有機層１２０の各層（正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２の各層、発光層１２３、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６）が形成される。一方、隔壁１７０の上面には、有機層１２０のうち蒸着法で形成される層、具体的には、正孔輸送層１２２の一部の層（さらに具体的には第３正孔輸送層１２２ｃ）、発光層１２３、正孔ブロック層１２４、電子輸送層１２５、及び電子注入層１２６のみが形成されており、正孔注入層１２１及び正孔輸送層１２２の残りの層（具体的には第１正孔輸送層１２２ａ及び第２正孔輸送層１２２ｂ）は形成されていない。このため、隔壁１７０の上に位置する有機層は、開口１５２内に位置する有機層１２０よりも薄い。
　なお、発光装置１０がカラーディスプレイである場合、発光装置１０は、例えば赤色の発光部１４０、緑色の発光部１４０、及び青色の発光部１４０を有している。そしてこれら発光部１４０の有機層１２０は、上記した実施形態の構成を有している。
　次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
　次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０の各層を形成する。有機層１２０の各層の形成方法は、実施形態に示したとおりである。次いで、第２電極１３０を形成する。
　本実施例においても、有機層１２０は実施形態に示した構成を有しており、また、実施形態に示した方法を用いて製造されている。このため、正孔輸送層１２２の一部の層は塗布法で形成され、かつ正孔輸送層１２２の残りの層は蒸着法で形成されるにもかかわらず、正孔輸送層１２２における正孔の移動度の低下を抑制できる。従って、発光部１４０の発光効率の低下を抑制できる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (11)

  1. 　正孔注入性材料を塗布する第１工程と、
    　前記第１工程の後に行われ、第１正孔輸送性材料を塗布する第２工程と、
    　前記第２工程の後に行われ、第２正孔輸送性材料を塗布する第３工程と、
    　前記第３工程の後に行われ、前記第２正孔輸送性材料を蒸着する第４工程と、
    　前記第４工程の後に行われ、発光材料を蒸着する第５工程と、
    を備える発光装置の製造方法。
  2. 　請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第１正孔輸送性材料は、前記第２正孔輸送性材料よりも分子量が大きい発光装置の製造方法。
  3. 　請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記正孔注入性材料は前記第２正孔輸送性材料よりも高分子である発光装置の製造方法。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第１工程～前記第５工程は、発光素子の製造工程の一部であり、
    　前記発光素子からの発光のピーク波長は４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である発光装置の製造方法。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第１工程、前記第２工程、及び前記第３工程において、インクジェット法が用いられる発光装置の製造方法。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
    　前記第５工程の後に行われ、電子注入材料を蒸着する第６工程を備える発光装置の製造方法。
  7. 　正孔注入層と、
    　前記正孔注入層の上に形成され、第１正孔輸送性材料を含む第１有機層と、
    　前記第１有機層の上に形成され、第２正孔輸送性材料を含む第２有機層と、
    　前記第２有機層の上に形成され、前記第２正孔輸送性材料を含む第３有機層と、
    　前記第３有機層の上に形成された発光層と、
    を備える発光装置。
  8. 　請求項７に記載の発光装置において、
    　前記第２有機層の屈折率は前記第３有機層の屈折率と異なる発光装置。
  9. 　請求項７又は８に記載の発光装置において、
    　基板と、
    　前記基板の上に形成され、複数の開口を有する絶縁層と、
    　前記絶縁層のうち隣り合う前記開口の間に位置する部分の上に形成された隔壁と、
    を備え、
    　前記正孔注入層、前記第１有機層、前記第２有機層、前記第３有機層、及び前記発光層は前記開口の内側に形成されており、
    　前記第１有機層及び前記第２有機層は前記隔壁の上には形成されておらず、前記第３有機層及び前記発光層は前記隔壁の上に形成されている発光装置。
  10. 　請求項７～９のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記正孔注入層、前記第１有機層、前記第２有機層、前記第３有機層、及び前記発光層は発光素子の一部であり、
    　前記発光素子からの発光のピーク波長は４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である発光装置。
  11. 　基板と、
    　前記基板の上に形成され、複数の開口を有する絶縁層と、
    　前記絶縁層のうち隣り合う前記開口の間に位置する部分の上に形成された隔壁と、
    　前記複数の開口のそれぞれの内側に形成された発光素子と、
    を備え、
    　前記発光素子は、
    　　正孔注入層と、
    　　前記正孔注入層の上に形成された正孔輸送層と、
    　　前記正孔輸送層の上に形成された発光層と、
    を有し、
    　前記隔壁の上には、前記正孔注入層、及び前記正孔輸送層の一部が形成されておらず、かつ前記正孔輸送層の残りの部分及び前記発光層が形成されている発光装置。
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