JP2002343560A - 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器Info
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- H10K50/805—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬパネルの端子と駆動回路基板の端子と
が異方性導電部材で接続されている電子機器において、
有機ＥＬパネルの端子と異方性導電部材との接触抵抗を
低減させて、駆動電圧を低くする。 【解決手段】有機ＥＬパネルＰの陽極用の端子２１ａ〜
２８ａと陰極用の端子２９の上に、それぞれ独立に、ア
ルミニウム薄膜からなる端子被覆部６１〜６８，６０を
形成する。これらの端子は、有機ＥＬ素子の陽極および
陽極−端子間の配線とともに、ＩＴＯ薄膜に対するパタ
ーニングで形成されている。有機ＥＬパネルＰの端子と
駆動回路基板Ｋの端子を異方性導電ゴム部材Ｇの各導通
路で接続する。この際に、異方性導電ゴム部材Ｇの各導
通路の上側の端面は、各端子被覆部６０〜６８と接触す
る。
が異方性導電部材で接続されている電子機器において、
有機ＥＬパネルの端子と異方性導電部材との接触抵抗を
低減させて、駆動電圧を低くする。 【解決手段】有機ＥＬパネルＰの陽極用の端子２１ａ〜
２８ａと陰極用の端子２９の上に、それぞれ独立に、ア
ルミニウム薄膜からなる端子被覆部６１〜６８，６０を
形成する。これらの端子は、有機ＥＬ素子の陽極および
陽極−端子間の配線とともに、ＩＴＯ薄膜に対するパタ
ーニングで形成されている。有機ＥＬパネルＰの端子と
駆動回路基板Ｋの端子を異方性導電ゴム部材Ｇの各導通
路で接続する。この際に、異方性導電ゴム部材Ｇの各導
通路の上側の端面は、各端子被覆部６０〜６８と接触す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（ＥＬ）装置および電子機器に関する。
ミネッセンス（ＥＬ）装置および電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、少なくとも一層の発光
性有機層が陰極と陽極の間に配置された構造を有する自
発光性素子であり、３Ｖ程度の直流電圧で駆動させるこ
とができるとともに、多彩な発光色の素子が作製可能で
あるという特長がある。また、有機ＥＬ素子は、液晶表
示素子と比較して応答速度が速く視野角が広い等、表示
素子としての利点を多く備えているため、表示装置の画
素や光源等を含む多種多様な用途での実用化が検討され
ている。
性有機層が陰極と陽極の間に配置された構造を有する自
発光性素子であり、３Ｖ程度の直流電圧で駆動させるこ
とができるとともに、多彩な発光色の素子が作製可能で
あるという特長がある。また、有機ＥＬ素子は、液晶表
示素子と比較して応答速度が速く視野角が広い等、表示
素子としての利点を多く備えているため、表示装置の画
素や光源等を含む多種多様な用途での実用化が検討され
ている。
【０００３】例えば、腕時計の用途では、文字盤の上
に、有機ＥＬ素子からなる発光部を備えた透明な有機Ｅ
Ｌパネルを配置することにより、文字盤による時刻のア
ナログ表示と、有機ＥＬパネルによるデジタル数字等の
表示の両方を同じ面内で行うことができる。このような
有機ＥＬパネルは以下のようにして形成される。先ず、
透明なガラス基板に陽極用の透明薄膜（ＩＴＯ薄膜）を
形成する。次に、この薄膜に対してフォトリソグラフィ
とエッチングを行うことにより、有機ＥＬ素子の陽極
（発光部を含む所定領域に形成される）と、陽極用の端
子と、陰極用の端子と、陽極−端子間の配線とを同時に
パターニングする。
に、有機ＥＬ素子からなる発光部を備えた透明な有機Ｅ
Ｌパネルを配置することにより、文字盤による時刻のア
ナログ表示と、有機ＥＬパネルによるデジタル数字等の
表示の両方を同じ面内で行うことができる。このような
有機ＥＬパネルは以下のようにして形成される。先ず、
透明なガラス基板に陽極用の透明薄膜（ＩＴＯ薄膜）を
形成する。次に、この薄膜に対してフォトリソグラフィ
とエッチングを行うことにより、有機ＥＬ素子の陽極
（発光部を含む所定領域に形成される）と、陽極用の端
子と、陰極用の端子と、陽極−端子間の配線とを同時に
パターニングする。
【０００４】次に、陽極の発光部および端子部分を残し
て、それ以外の部分のガラス基板面を絶縁層で覆う。次
に、このガラス基板面の端子部分以外の部分に、正孔注
入層と発光性有機層とを形成する。次に、このガラス基
板面の、発光部全体を含み端子部分を除く領域に所定の
金属薄膜からなる透明陰極を形成する。次に、陰極側の
端子部分以外の部分を封止材で封止する。
て、それ以外の部分のガラス基板面を絶縁層で覆う。次
に、このガラス基板面の端子部分以外の部分に、正孔注
入層と発光性有機層とを形成する。次に、このガラス基
板面の、発光部全体を含み端子部分を除く領域に所定の
金属薄膜からなる透明陰極を形成する。次に、陰極側の
端子部分以外の部分を封止材で封止する。
【０００５】腕時計の組み立て時には、この有機ＥＬパ
ネルと駆動回路基板を所定間隔を開けて平行に、対応す
る各端子位置が合うように配置し、両者の間に文字盤を
平行に配置する。また、両者の周縁部間に板状の異方性
導電ゴム部材を配置して、このゴム部材の上下の端面を
有機ＥＬパネル面と駆動回路基板面に接触させる。この
異方性導電ゴム部材は、ゴム部材中の各端子に対応する
位置に導電性粒子が分散されていて、この位置のみが導
電性ゴムからなる導通路となっており、この導通路によ
って有機ＥＬパネルの端子と駆動回路基板の端子を接続
している。
ネルと駆動回路基板を所定間隔を開けて平行に、対応す
る各端子位置が合うように配置し、両者の間に文字盤を
平行に配置する。また、両者の周縁部間に板状の異方性
導電ゴム部材を配置して、このゴム部材の上下の端面を
有機ＥＬパネル面と駆動回路基板面に接触させる。この
異方性導電ゴム部材は、ゴム部材中の各端子に対応する
位置に導電性粒子が分散されていて、この位置のみが導
電性ゴムからなる導通路となっており、この導通路によ
って有機ＥＬパネルの端子と駆動回路基板の端子を接続
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この腕
時計のように、有機ＥＬパネルの端子と駆動回路基板の
端子とが異方性導電ゴムで接続されている電子機器で
は、異方性導電ゴムと有機ＥＬパネルの端子との接触抵
抗が大きいため、駆動電圧を高くする必要がある。本発
明は、このような従来技術の問題点に着目してなされた
ものであり、通電により駆動する表示体と、この表示体
に駆動電流を供給する駆動回路基板と、表示体の端子と
駆動回路基板の端子とを接続する異方性導電部材と、を
備えた電子機器において、表示体の端子と異方性導電部
材との接触抵抗を低減させて、駆動電圧を低くすること
を課題とする。
時計のように、有機ＥＬパネルの端子と駆動回路基板の
端子とが異方性導電ゴムで接続されている電子機器で
は、異方性導電ゴムと有機ＥＬパネルの端子との接触抵
抗が大きいため、駆動電圧を高くする必要がある。本発
明は、このような従来技術の問題点に着目してなされた
ものであり、通電により駆動する表示体と、この表示体
に駆動電流を供給する駆動回路基板と、表示体の端子と
駆動回路基板の端子とを接続する異方性導電部材と、を
備えた電子機器において、表示体の端子と異方性導電部
材との接触抵抗を低減させて、駆動電圧を低くすること
を課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板上に、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素
子の陰極に接続された第１端子と、有機ＥＬ素子の陽極
に接続された第２端子とを有する有機ＥＬ装置におい
て、前記端子の少なくともいずれかは、端子を構成する
材料よりも導電性および耐酸化性が高い材料で被覆され
ていることを特徴とする有機ＥＬ装置を提供する。
に、本発明は、基板上に、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素
子の陰極に接続された第１端子と、有機ＥＬ素子の陽極
に接続された第２端子とを有する有機ＥＬ装置におい
て、前記端子の少なくともいずれかは、端子を構成する
材料よりも導電性および耐酸化性が高い材料で被覆され
ていることを特徴とする有機ＥＬ装置を提供する。
【０００８】前記両端子は、例えば、有機ＥＬ素子の陽
極および陽極−端子間の配線とともに、陽極用の透明薄
膜に対するパターニングによって形成される。本発明の
有機ＥＬ装置において、前記端子を構成する材料はＩＴ
Ｏ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）であり、被覆材は、アルミ
ニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、タンタル
（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、およびクロム（Ｃｒ）のいずれか、また
はこれら各金属の合金であることが好ましい。
極および陽極−端子間の配線とともに、陽極用の透明薄
膜に対するパターニングによって形成される。本発明の
有機ＥＬ装置において、前記端子を構成する材料はＩＴ
Ｏ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）であり、被覆材は、アルミ
ニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、タンタル
（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、およびクロム（Ｃｒ）のいずれか、また
はこれら各金属の合金であることが好ましい。
【０００９】ＩＴＯ以外の前記端子を構成する材料とし
ては、例えばＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ）が挙げ
られるが、この場合も被覆材は上述のものが使用でき
る。被覆の厚さは、十分な導電性が得られる厚さであれ
ばよく、特に限定されないが、５０〜５００ｎｍである
ことが好ましい。被覆の形成方法も特に限定されない
が、例えば、イオンビーム蒸着法、加熱抵抗蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法等が挙げられる。被覆の幅
は、端子の幅と同じ程度か、隣接する端子と接触しない
範囲で端子の幅より大きくすることができる。
ては、例えばＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ）が挙げ
られるが、この場合も被覆材は上述のものが使用でき
る。被覆の厚さは、十分な導電性が得られる厚さであれ
ばよく、特に限定されないが、５０〜５００ｎｍである
ことが好ましい。被覆の形成方法も特に限定されない
が、例えば、イオンビーム蒸着法、加熱抵抗蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法等が挙げられる。被覆の幅
は、端子の幅と同じ程度か、隣接する端子と接触しない
範囲で端子の幅より大きくすることができる。
【００１０】本発明はまた、表示体と、この表示体に駆
動電流を供給する駆動回路基板と、表示体の端子と駆動
回路基板の端子とを接続する異方性導電部材と、を備え
た電子機器において、表示体の端子と異方性導電部材と
の接触抵抗を低減する構造を有することを特徴とする電
子機器を提供する。本発明の電子機器において、前記表
示体の端子を構成する材料はＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 ）であり、前記構造は、この端子と異方性導電部材
との間に、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａ
ｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金
（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびクロム（Ｃｒ）
のいずれか、またはこれら各金属の合金からなる層を設
けることにより構成されることが好ましい。
動電流を供給する駆動回路基板と、表示体の端子と駆動
回路基板の端子とを接続する異方性導電部材と、を備え
た電子機器において、表示体の端子と異方性導電部材と
の接触抵抗を低減する構造を有することを特徴とする電
子機器を提供する。本発明の電子機器において、前記表
示体の端子を構成する材料はＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 ）であり、前記構造は、この端子と異方性導電部材
との間に、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａ
ｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金
（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびクロム（Ｃｒ）
のいずれか、またはこれら各金属の合金からなる層を設
けることにより構成されることが好ましい。
【００１１】本発明はまた、表示体と、この表示体に駆
動電流を供給する駆動回路基板と、表示体の端子と駆動
回路基板の端子とを接続する異方性導電部材と、を備え
た電子機器において、前記表示体として、本発明の有機
ＥＬ装置を備えている電子機器を提供する。有機ＥＬ装
置の陰極用端子および陽極用端子は、例えば、有機ＥＬ
素子の陽極および陽極−端子間の配線とともに、陽極用
の透明薄膜である比較的抵抗の高い薄膜（ＩＴＯ膜等）
に対するパターニングによって形成されるが、この場合
でも、本発明の有機ＥＬ装置のように前記端子に被覆を
設けることによって、端子と異方性導電部材との接触抵
抗を低減することができる。
動電流を供給する駆動回路基板と、表示体の端子と駆動
回路基板の端子とを接続する異方性導電部材と、を備え
た電子機器において、前記表示体として、本発明の有機
ＥＬ装置を備えている電子機器を提供する。有機ＥＬ装
置の陰極用端子および陽極用端子は、例えば、有機ＥＬ
素子の陽極および陽極−端子間の配線とともに、陽極用
の透明薄膜である比較的抵抗の高い薄膜（ＩＴＯ膜等）
に対するパターニングによって形成されるが、この場合
でも、本発明の有機ＥＬ装置のように前記端子に被覆を
設けることによって、端子と異方性導電部材との接触抵
抗を低減することができる。
【００１２】本発明における電子機器において、有機Ｅ
Ｌ装置の陰極が透明であり、発光部と端子部とを除く部
分を覆う絶縁層が透明であり、この有機ＥＬ装置を通し
て文字盤を見る構造となっていてもよい。透明な陰極と
しては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）
を共蒸着して得られた薄膜、リチウム（Ｌｉ）とアル
ミニウム（Ａｌ）共蒸着して得られた薄膜、仕事関数
が小さい材料からなる第一陰極層（発光層側）と、この
層より仕事関数の大きい第二陰極層とからなる二層構造
の薄膜であって、合計厚さが例えば１４０Å以下のもの
が挙げられる。第一陰極層の材料としては例えばカルシ
ウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）を、第二陰極
層の材料としては例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａ
ｇ）、金（Ａｕ）を用いることができる。
Ｌ装置の陰極が透明であり、発光部と端子部とを除く部
分を覆う絶縁層が透明であり、この有機ＥＬ装置を通し
て文字盤を見る構造となっていてもよい。透明な陰極と
しては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）
を共蒸着して得られた薄膜、リチウム（Ｌｉ）とアル
ミニウム（Ａｌ）共蒸着して得られた薄膜、仕事関数
が小さい材料からなる第一陰極層（発光層側）と、この
層より仕事関数の大きい第二陰極層とからなる二層構造
の薄膜であって、合計厚さが例えば１４０Å以下のもの
が挙げられる。第一陰極層の材料としては例えばカルシ
ウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）を、第二陰極
層の材料としては例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａ
ｇ）、金（Ａｕ）を用いることができる。
【００１３】透明な絶縁層としては、例えば、ＳｉＯ2
、ポリイミド、ポリスチレン、アクリル系樹脂、また
はフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる層であって、厚さ
が例えば５０ｎｍ〜１５０ｎｍであるものが挙げられ
る。この絶縁層の成膜方法としては、例えば、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコート法が挙げら
れる。本発明の電子機器において、前記異方性導電部材
は、異方性導電ゴムであってもよい。本発明の電子機器
において、前記異方性導電部材は、異方性導電フィルム
であってもよい。
、ポリイミド、ポリスチレン、アクリル系樹脂、また
はフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる層であって、厚さ
が例えば５０ｎｍ〜１５０ｎｍであるものが挙げられ
る。この絶縁層の成膜方法としては、例えば、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコート法が挙げら
れる。本発明の電子機器において、前記異方性導電部材
は、異方性導電ゴムであってもよい。本発明の電子機器
において、前記異方性導電部材は、異方性導電フィルム
であってもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１〜３を用いて本発明の有機ＥＬパネルの
一実施形態について説明する。図１はこの有機ＥＬパネ
ルの断面図であり、図２および３はこの有機ＥＬパネル
の製造方法の各工程を示す平面図である。
説明する。図１〜３を用いて本発明の有機ＥＬパネルの
一実施形態について説明する。図１はこの有機ＥＬパネ
ルの断面図であり、図２および３はこの有機ＥＬパネル
の製造方法の各工程を示す平面図である。
【００１５】この実施形態の有機ＥＬパネルは、有機Ｅ
Ｌ素子からなる発光部として、デジタル数字を構成する
７個のエレメントと「ＤＥＭＯ」という文字を備えた、
透明な有機ＥＬパネルである。この有機ＥＬパネルは、
腕時計の文字盤の上に配置して使用され、必要に応じて
有機ＥＬ素子を発光させることにより、文字盤上にデジ
タル数字と「ＤＥＭＯ」という文字を表示する表示体で
ある。
Ｌ素子からなる発光部として、デジタル数字を構成する
７個のエレメントと「ＤＥＭＯ」という文字を備えた、
透明な有機ＥＬパネルである。この有機ＥＬパネルは、
腕時計の文字盤の上に配置して使用され、必要に応じて
有機ＥＬ素子を発光させることにより、文字盤上にデジ
タル数字と「ＤＥＭＯ」という文字を表示する表示体で
ある。
【００１６】このような有機ＥＬパネルを以下のように
して形成した。先ず、透明な正八角形のガラス基板１
に、陽極用の透明薄膜２を形成する。次に、この薄膜に
対してフォトリソグラフィとエッチングを行う。これに
より、前記７個のエレメントに対応する７個のエレメン
ト用陽極２１〜２７と、「ＤＥＭＯ」という文字を表示
する領域に対応する１つの長方形陽極２８と、これらの
各陽極用の端子２１ａ〜２８ａと、陰極用の端子２９
と、陽極−端子間の配線２１ｂ〜２８ｂとを同時にパタ
ーニングする。図２（ａ）はこの状態を示す。
して形成した。先ず、透明な正八角形のガラス基板１
に、陽極用の透明薄膜２を形成する。次に、この薄膜に
対してフォトリソグラフィとエッチングを行う。これに
より、前記７個のエレメントに対応する７個のエレメン
ト用陽極２１〜２７と、「ＤＥＭＯ」という文字を表示
する領域に対応する１つの長方形陽極２８と、これらの
各陽極用の端子２１ａ〜２８ａと、陰極用の端子２９
と、陽極−端子間の配線２１ｂ〜２８ｂとを同時にパタ
ーニングする。図２（ａ）はこの状態を示す。
【００１７】次に、エレメント用陽極２１〜２７のエレ
メント部分（発光部）２１ｃ〜２７ｃと、長方形陽極２
８の「ＤＥＭＯ」という文字の部分（発光部）２８ｃ
と、端子部分１０を残して、それ以外の部分のガラス基
板１面を、透明な絶縁層３で覆う。図２（ｂ）はこの状
態を示す。次に、このガラス基板１面の端子部分１０以
外の部分に、発光性有機層（例えば正孔注入層／発光層
／電子輸送層）４を形成する。図２（ｃ）はこの状態を
示す。これにより、図１から分かるように、発光性有機
層４は、エレメント部分（発光部）２１ｃ〜２７ｃおよ
び「ＤＥＭＯ」という文字の部分（発光部）２８ｃには
接触するように、それ以外の部分には絶縁層３を介して
形成される。
メント部分（発光部）２１ｃ〜２７ｃと、長方形陽極２
８の「ＤＥＭＯ」という文字の部分（発光部）２８ｃ
と、端子部分１０を残して、それ以外の部分のガラス基
板１面を、透明な絶縁層３で覆う。図２（ｂ）はこの状
態を示す。次に、このガラス基板１面の端子部分１０以
外の部分に、発光性有機層（例えば正孔注入層／発光層
／電子輸送層）４を形成する。図２（ｃ）はこの状態を
示す。これにより、図１から分かるように、発光性有機
層４は、エレメント部分（発光部）２１ｃ〜２７ｃおよ
び「ＤＥＭＯ」という文字の部分（発光部）２８ｃには
接触するように、それ以外の部分には絶縁層３を介して
形成される。
【００１８】次に、このガラス基板１面に、ガラス基板
１の周縁部全体（端子部分１０を含む）を除く領域に、
透明陰極５を形成する。なお、この透明陰極５は、正八
角形の一つの角部から小さな長方形が突出している形状
で形成され、この突出部５１により透明陰極５と陰極用
の端子２９とを接触させている。図３（ａ）はこの状態
を示す。
１の周縁部全体（端子部分１０を含む）を除く領域に、
透明陰極５を形成する。なお、この透明陰極５は、正八
角形の一つの角部から小さな長方形が突出している形状
で形成され、この突出部５１により透明陰極５と陰極用
の端子２９とを接触させている。図３（ａ）はこの状態
を示す。
【００１９】次に、このガラス基板１面の陽極用の端子
２１ａ〜２８ａと陰極用の端子２９の上に、それぞれ独
立にアルミニウム薄膜からなる端子被覆部６１〜６８，
６０を形成する。陰極用の端子被覆部６０は、端子２９
の上のみでなく、透明陰極５の端子２９側の一部、すな
わち、端子２９の上に形成された突出部５１と、この突
出部５１の基端に位置する正八角形の辺（陽極用の端子
部側ではなくその反対側に延びる辺）に沿った所定長さ
の部分、の上にも形成する。図３（ｂ）はこの状態を示
す。
２１ａ〜２８ａと陰極用の端子２９の上に、それぞれ独
立にアルミニウム薄膜からなる端子被覆部６１〜６８，
６０を形成する。陰極用の端子被覆部６０は、端子２９
の上のみでなく、透明陰極５の端子２９側の一部、すな
わち、端子２９の上に形成された突出部５１と、この突
出部５１の基端に位置する正八角形の辺（陽極用の端子
部側ではなくその反対側に延びる辺）に沿った所定長さ
の部分、の上にも形成する。図３（ｂ）はこの状態を示
す。
【００２０】次に、図１に示すように、このガラス基板
１面（透明陰極５が形成されている面）の端子部分１０
以外の部分に、封止層７を形成し、この封止層７の上に
封止用のガラス基板８を固定する。これにより、腕時計
の文字盤の上に配置して使用される有機ＥＬパネルＰが
得られる。この有機ＥＬパネルＰの陰極用の端子２９と
陽極用の端子２１ａ〜２８ａを、駆動回路の対応する各
端子に接続し、デジタル数字を構成する７個のエレメン
トと「ＤＥＭＯ」のうち発光させたい部分の陽極２１〜
２８の端子２１ａ〜２８ａと陰極用の端子２９との間に
通電を行う。これにより、通電された部分の有機ＥＬ素
子が発光して、「０」〜「９」のいずれかのデジタル数
字および／または「ＤＥＭＯ」という文字が表示され
る。
１面（透明陰極５が形成されている面）の端子部分１０
以外の部分に、封止層７を形成し、この封止層７の上に
封止用のガラス基板８を固定する。これにより、腕時計
の文字盤の上に配置して使用される有機ＥＬパネルＰが
得られる。この有機ＥＬパネルＰの陰極用の端子２９と
陽極用の端子２１ａ〜２８ａを、駆動回路の対応する各
端子に接続し、デジタル数字を構成する７個のエレメン
トと「ＤＥＭＯ」のうち発光させたい部分の陽極２１〜
２８の端子２１ａ〜２８ａと陰極用の端子２９との間に
通電を行う。これにより、通電された部分の有機ＥＬ素
子が発光して、「０」〜「９」のいずれかのデジタル数
字および／または「ＤＥＭＯ」という文字が表示され
る。
【００２１】図３（ｃ）は、この有機ＥＬパネルＰの全
ての陽極用端子２１ａ〜２８ａを陰極用端子２９と接続
して、デジタル数字の「８」と「ＤＥＭＯ」の両方を表
示した状態を示す。この有機ＥＬパネルＰを以下の構成
で作製したところ、３Ｖの直流電圧を供給することによ
って、デジタル数字の「８」と「ＤＥＭＯ」の両方につ
いて、実用的な強度で発光することが確認された。
ての陽極用端子２１ａ〜２８ａを陰極用端子２９と接続
して、デジタル数字の「８」と「ＤＥＭＯ」の両方を表
示した状態を示す。この有機ＥＬパネルＰを以下の構成
で作製したところ、３Ｖの直流電圧を供給することによ
って、デジタル数字の「８」と「ＤＥＭＯ」の両方につ
いて、実用的な強度で発光することが確認された。
【００２２】ガラス基板１：厚さ０．７ｍｍのソーダガ
ラス 陽極用の透明薄膜２：厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ薄膜 透明な絶縁層３：厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ2 膜 発光性有機層４：絶縁層側３から、厚さ５０ｎｍのＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミンからなる正孔注入層
と、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯
体からなる電子輸送性発光層 透明陰極５：発光性有機層４側から、厚さ１２０Å（１
２ｎｍ）のカルシウム（Ｃａ）薄膜と厚さ２０Å（２ｎ
ｍ）の金（Ａｕ）薄膜 陰極用の端子被覆部６０：厚さ２００ｎｍ、幅０．２ｍ
ｍ 陽極用の端子被覆部６１〜６８：厚さ２００ｎｍ、幅
０．２ｍｍ 封止層７：厚さ２μｍのエポキシ樹脂からなる層 封止用のガラス基板８：厚さ０．１ｍｍのソーダガラス 図４を用いて本発明の電子機器の一実施形態について説
明する。この電子機器は、上述の有機ＥＬパネルＰが文
字盤Ｂの上に配置されている腕時計であり、文字盤Ｂに
よる時刻のアナログ表示と、有機ＥＬパネルＰによるデ
ジタル数字等の表示の両方を同じ面内で行うことができ
る。なお、図４の符号「Ｃ」はカバーガラスである。
ラス 陽極用の透明薄膜２：厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ薄膜 透明な絶縁層３：厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ2 膜 発光性有機層４：絶縁層側３から、厚さ５０ｎｍのＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミンからなる正孔注入層
と、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯
体からなる電子輸送性発光層 透明陰極５：発光性有機層４側から、厚さ１２０Å（１
２ｎｍ）のカルシウム（Ｃａ）薄膜と厚さ２０Å（２ｎ
ｍ）の金（Ａｕ）薄膜 陰極用の端子被覆部６０：厚さ２００ｎｍ、幅０．２ｍ
ｍ 陽極用の端子被覆部６１〜６８：厚さ２００ｎｍ、幅
０．２ｍｍ 封止層７：厚さ２μｍのエポキシ樹脂からなる層 封止用のガラス基板８：厚さ０．１ｍｍのソーダガラス 図４を用いて本発明の電子機器の一実施形態について説
明する。この電子機器は、上述の有機ＥＬパネルＰが文
字盤Ｂの上に配置されている腕時計であり、文字盤Ｂに
よる時刻のアナログ表示と、有機ＥＬパネルＰによるデ
ジタル数字等の表示の両方を同じ面内で行うことができ
る。なお、図４の符号「Ｃ」はカバーガラスである。
【００２３】文字盤ＢはアナログムーブメントＭにより
駆動され、有機ＥＬパネルＰは駆動回路基板Ｋによって
駆動される。有機ＥＬパネルＰと駆動回路基板Ｋとの間
に異方性導電ゴム部材Ｇが配置されている。この異方性
導電ゴム部材Ｇは、ゴム部材中の各端子に対応する位置
に導電性粒子が分散されていて、この位置のみが導通路
となっており、この導通路によって有機ＥＬパネルＰの
端子と駆動回路基板Ｋの端子が接続されている。
駆動され、有機ＥＬパネルＰは駆動回路基板Ｋによって
駆動される。有機ＥＬパネルＰと駆動回路基板Ｋとの間
に異方性導電ゴム部材Ｇが配置されている。この異方性
導電ゴム部材Ｇは、ゴム部材中の各端子に対応する位置
に導電性粒子が分散されていて、この位置のみが導通路
となっており、この導通路によって有機ＥＬパネルＰの
端子と駆動回路基板Ｋの端子が接続されている。
【００２４】この腕時計の組み立て時には、有機ＥＬパ
ネルＰと駆動回路基板Ｋを所定間隔を開けて平行に、対
応する各端子位置が合うように配置し、両者の間に、裏
面にアナログムーブメントＭが取り付けられた文字盤Ｂ
を平行に配置する。また、有機ＥＬパネルＰと駆動回路
基板Ｋの周縁部間に、板状の異方性導電ゴム部材Ｇを配
置して、この異方性導電ゴム部材Ｇの上下の端面を有機
ＥＬパネルＰの面と駆動回路基板Ｋの面に接触させる。
ネルＰと駆動回路基板Ｋを所定間隔を開けて平行に、対
応する各端子位置が合うように配置し、両者の間に、裏
面にアナログムーブメントＭが取り付けられた文字盤Ｂ
を平行に配置する。また、有機ＥＬパネルＰと駆動回路
基板Ｋの周縁部間に、板状の異方性導電ゴム部材Ｇを配
置して、この異方性導電ゴム部材Ｇの上下の端面を有機
ＥＬパネルＰの面と駆動回路基板Ｋの面に接触させる。
【００２５】ここで、上述の有機ＥＬパネルＰは、陽極
用の端子２１ａ〜２８ａと陰極用の端子２９の上に、そ
れぞれ独立にアルミニウム薄膜からなる端子被覆部６０
〜６８が形成されているため、異方性導電ゴム部材Ｇの
各導通路の上側の端面はこれらの各端子被覆部６０〜６
８と接触する。図４は、陰極用の端子２９の位置で切断
されている断面図であり、この図から、陰極用端子２９
の端子被覆部６０の面が異方性導電ゴム部材Ｇの端面と
接触していることが分かる。
用の端子２１ａ〜２８ａと陰極用の端子２９の上に、そ
れぞれ独立にアルミニウム薄膜からなる端子被覆部６０
〜６８が形成されているため、異方性導電ゴム部材Ｇの
各導通路の上側の端面はこれらの各端子被覆部６０〜６
８と接触する。図４は、陰極用の端子２９の位置で切断
されている断面図であり、この図から、陰極用端子２９
の端子被覆部６０の面が異方性導電ゴム部材Ｇの端面と
接触していることが分かる。
【００２６】したがって、この腕時計では、有機ＥＬパ
ネルＰの端子２１ａ〜２８ａ，２９と異方性導電ゴム部
材Ｇの各導通路とが直接ではなく、端子被覆部６０〜６
８を介して接触しているため、両者が直接接触している
場合よりも、異方性導電ゴム部材Ｇムと有機ＥＬパネル
Ｐの端子との接触抵抗が小さくなる。その結果、有機Ｅ
ＬパネルＰの駆動電圧を低くすることができる。例え
ば、端子被覆部６０〜６８のない構成で４．５Ｖであっ
た駆動電圧を、端子被覆部６０〜６８を設けることで
３．０Ｖにすることができる。
ネルＰの端子２１ａ〜２８ａ，２９と異方性導電ゴム部
材Ｇの各導通路とが直接ではなく、端子被覆部６０〜６
８を介して接触しているため、両者が直接接触している
場合よりも、異方性導電ゴム部材Ｇムと有機ＥＬパネル
Ｐの端子との接触抵抗が小さくなる。その結果、有機Ｅ
ＬパネルＰの駆動電圧を低くすることができる。例え
ば、端子被覆部６０〜６８のない構成で４．５Ｖであっ
た駆動電圧を、端子被覆部６０〜６８を設けることで
３．０Ｖにすることができる。
【００２７】また、陰極用の端子被覆部６０が透明陰極
５の端子２９側の一部にも形成されているため、この部
分の端子被覆部６０は、透明陰極５の保護膜としても作
用する。なお、上記実施形態では、表示体として有機Ｅ
Ｌパネルを使用した電子機器（時計装置）について記載
されているが、本発明は、通電により駆動する表示体の
端子と駆動回路基板の端子とが異方性導電ゴムで接続さ
れている電子機器であれば、有機ＥＬパネル以外の表示
体（例えば液晶表示体）を使用した電子機器にも適用で
きる。
５の端子２９側の一部にも形成されているため、この部
分の端子被覆部６０は、透明陰極５の保護膜としても作
用する。なお、上記実施形態では、表示体として有機Ｅ
Ｌパネルを使用した電子機器（時計装置）について記載
されているが、本発明は、通電により駆動する表示体の
端子と駆動回路基板の端子とが異方性導電ゴムで接続さ
れている電子機器であれば、有機ＥＬパネル以外の表示
体（例えば液晶表示体）を使用した電子機器にも適用で
きる。
【００２８】また、上記実施形態では、表示体の端子と
異方性導電ゴム部材との間にアルミニウムからなる金属
薄膜を設けることにより、表示体の端子と異方性導電ゴ
ムとの接触抵抗を低減しているが、表示体の端子と異方
性導電ゴム部材の接触面を凹凸状に形成して両者を嵌め
合わせる構造としてもよい。この構造では、両者が接触
する表面積が大きくなることによって、両者の接触抵抗
が低くなる。
異方性導電ゴム部材との間にアルミニウムからなる金属
薄膜を設けることにより、表示体の端子と異方性導電ゴ
ムとの接触抵抗を低減しているが、表示体の端子と異方
性導電ゴム部材の接触面を凹凸状に形成して両者を嵌め
合わせる構造としてもよい。この構造では、両者が接触
する表面積が大きくなることによって、両者の接触抵抗
が低くなる。
【００２９】また、金属薄膜を設ける場合でも、金属薄
膜は上記実施形態のように必ずしも端子に固定されてい
る必要はなく、異方性導電ゴム側に固定されていてもよ
い。また、端子および異方性導電ゴムのいずれにも固定
されずに、両者の端面間に挟持されていてもよい。な
お、本実施形態では異方性導電ゴムを用いたが、異方性
導電フィルムのような別の異方性導電部材を用いてもよ
い。また、上記実施形態では計時装置である腕時計につ
いて記載されているが、本発明の電子機器としては、腕
時計以外に、携帯端末、掛け時計や置き時計、ビデオカ
メラ等が挙げられる。
膜は上記実施形態のように必ずしも端子に固定されてい
る必要はなく、異方性導電ゴム側に固定されていてもよ
い。また、端子および異方性導電ゴムのいずれにも固定
されずに、両者の端面間に挟持されていてもよい。な
お、本実施形態では異方性導電ゴムを用いたが、異方性
導電フィルムのような別の異方性導電部材を用いてもよ
い。また、上記実施形態では計時装置である腕時計につ
いて記載されているが、本発明の電子機器としては、腕
時計以外に、携帯端末、掛け時計や置き時計、ビデオカ
メラ等が挙げられる。
【００３０】〔追加実施形態〕さらに、本発明の追加実
施形態について、図５及び図６を参照して説明する。本
発明は、図５に示すような単純マトリクス構造の有機Ｅ
Ｌパネルにも適用することができる。
施形態について、図５及び図６を参照して説明する。本
発明は、図５に示すような単純マトリクス構造の有機Ｅ
Ｌパネルにも適用することができる。
【００３１】図５に示すように、この種の有機ＥＬパネ
ルは、ガラス基板１０２上にマトリクス状に配置される
と共に各々が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる複数
の発光画素１０１からなる画像表示配列領域１０１ａを
有し、該画像表示配列領域１０１ａつまりガラス基板１
０２の周縁には、複数の端子パッドＰ1，Ｐ2（Ｐ1：第
１表示電極ライン用端子パッド，Ｐ2：第２表示電極ラ
イン用端子パッド）が形成されている。
ルは、ガラス基板１０２上にマトリクス状に配置される
と共に各々が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる複数
の発光画素１０１からなる画像表示配列領域１０１ａを
有し、該画像表示配列領域１０１ａつまりガラス基板１
０２の周縁には、複数の端子パッドＰ1，Ｐ2（Ｐ1：第
１表示電極ライン用端子パッド，Ｐ2：第２表示電極ラ
イン用端子パッド）が形成されている。
【００３２】上記画像表示配列領域１０１ａには、ＩＴ
Ｏなどの高仕事関数の材料からなる複数の島状透明電極
１０３ａ及び横方向に並ぶ各島状透明電極１０３ａを電
気的に接続するバスライン１０３ｂから構成された第１
表示電極ライン１０３が設けられている。この第１表示
電極ライン１０３は、図示するように所定間隔を隔てて
横方向に延在する複数のストライプとしてガラス基板１
０２上に形成されている。バスライン１０３ｂは、電気
的に導通のあるＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ等、抵抗率の低い金属
から構成されている。後述する第２表示電極ライン１０
９と上記第１表示電極ライン１０３特に透明電極が交差
する部分によって発光部が形成されている。
Ｏなどの高仕事関数の材料からなる複数の島状透明電極
１０３ａ及び横方向に並ぶ各島状透明電極１０３ａを電
気的に接続するバスライン１０３ｂから構成された第１
表示電極ライン１０３が設けられている。この第１表示
電極ライン１０３は、図示するように所定間隔を隔てて
横方向に延在する複数のストライプとしてガラス基板１
０２上に形成されている。バスライン１０３ｂは、電気
的に導通のあるＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ等、抵抗率の低い金属
から構成されている。後述する第２表示電極ライン１０
９と上記第１表示電極ライン１０３特に透明電極が交差
する部分によって発光部が形成されている。
【００３３】さらに、ガラス基板１０２上から突出する
複数の電気絶縁性の隔壁１０７が、図６に示すように第
１表示電極ライン１０３に直交するようにガラス基板１
０２及び第１表示電極ライン１０３上にわたって形成さ
れている。すなわち、隔壁１０７は、少なくとも第１表
示電極ライン１０３の一部分、特に島状透明電極１０３
ａを露出せしめるように形成される。
複数の電気絶縁性の隔壁１０７が、図６に示すように第
１表示電極ライン１０３に直交するようにガラス基板１
０２及び第１表示電極ライン１０３上にわたって形成さ
れている。すなわち、隔壁１０７は、少なくとも第１表
示電極ライン１０３の一部分、特に島状透明電極１０３
ａを露出せしめるように形成される。
【００３４】各隔壁１０７の間において島状透明電極１
０３ａの直上に位置する部分には、縦方向にストライプ
状に延在する第２表示電極ライン１０９が形成されてい
る。この第２表示電極ライン１０９は、例えば低仕事関
数の材料、例えばＡｌ，Ｍｇ，Ｌｉ及びこれらの合金が
用いられる。
０３ａの直上に位置する部分には、縦方向にストライプ
状に延在する第２表示電極ライン１０９が形成されてい
る。この第２表示電極ライン１０９は、例えば低仕事関
数の材料、例えばＡｌ，Ｍｇ，Ｌｉ及びこれらの合金が
用いられる。
【００３５】さらに、第１表示電極ライン１０３の各端
部は第１表示電極ライン用端子パッドＰ1にそれぞれ接
続され、また第２表示電極ライン１０９の各端部は、第
２表示電極ライン用端子パッドＰ2にそれぞれ接続され
ている。これら各端子パッドＰ1，Ｐ2上には、各々独立
にアルミニウム薄膜からなる端子被覆部１１１，１１２
が形成されている。
部は第１表示電極ライン用端子パッドＰ1にそれぞれ接
続され、また第２表示電極ライン１０９の各端部は、第
２表示電極ライン用端子パッドＰ2にそれぞれ接続され
ている。これら各端子パッドＰ1，Ｐ2上には、各々独立
にアルミニウム薄膜からなる端子被覆部１１１，１１２
が形成されている。
【００３６】そして、これら各端子被覆部１１１，１１
２は、上述したと同機能の異方性導電フィルムを介して
駆動回路基板と電気的に接続され、駆動されるようにな
っている。したがって、以上のように構成された単純マ
トリクス構造の有機ＥＬパネルの場合でも、異方性導電
フィルムと有機ＥＬパネルの各端子パッドＰ1，Ｐ2との
実装時における接触抵抗が小さくなるので、当該有機Ｅ
Ｌパネルの駆動電圧を低くすることができる。
２は、上述したと同機能の異方性導電フィルムを介して
駆動回路基板と電気的に接続され、駆動されるようにな
っている。したがって、以上のように構成された単純マ
トリクス構造の有機ＥＬパネルの場合でも、異方性導電
フィルムと有機ＥＬパネルの各端子パッドＰ1，Ｐ2との
実装時における接触抵抗が小さくなるので、当該有機Ｅ
Ｌパネルの駆動電圧を低くすることができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
パネルを、有機ＥＬパネルの端子と駆動回路基板の端子
とを異方性導電部材で接続する構造の電子機器の有機Ｅ
Ｌパネルとして使用することにより、有機ＥＬパネルの
端子と異方性導電部材との接触抵抗を低減させて、電子
機器の駆動電圧を低くすることができる。
パネルを、有機ＥＬパネルの端子と駆動回路基板の端子
とを異方性導電部材で接続する構造の電子機器の有機Ｅ
Ｌパネルとして使用することにより、有機ＥＬパネルの
端子と異方性導電部材との接触抵抗を低減させて、電子
機器の駆動電圧を低くすることができる。
【００３８】本発明の電子機器によれば、表示体の端子
と異方性導電部材との接触抵抗を低減させて、電子機器
の駆動電圧を低くすることができる。
と異方性導電部材との接触抵抗を低減させて、電子機器
の駆動電圧を低くすることができる。
【図１】 本発明の有機ＥＬパネルの一実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 図１の有機ＥＬパネルの製造方法の各工程を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】 図１の有機ＥＬパネルの製造方法の各工程を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】 本発明の電子機器の一実施形態に相当する腕
時計を示す断面図である。
時計を示す断面図である。
【図５】 本発明の追加実施形態に係わる有機ＥＬパネ
ルの正面図である。
ルの正面図である。
【図６】 図５におけるＡ−Ａ’線断面図である。
１ ガラス基板 １０ 端子部分 ２ 陽極用の透明薄膜 ２１〜２７ エレメント用陽極 ２１ａ〜２７ａ 陽極用の端子 ２１ｂ〜２７ｂ 陽極−端子間の配線 ２１ｃ〜２７ｃ エレメント部分（発光部） ２８ 長方形陽極 ２８ａ 陽極用の端子 ２８ｂ 陽極−端子間の配線 ２８ｃ 「ＤＥＭＯ」部分（発光部） ２９ 陰極用の端子 ３ 透明な絶縁層 ４ 発光性有機層 ５ 透明陰極 ５１ 透明陰極の突出部 ６０ 陰極用の端子被覆部 ６１〜６８ 陽極用の端子被覆部 ７ 封止層 ８ 封止用のガラス基板 Ｂ 文字盤 Ｃ カバーガラス Ｇ 異方性導電ゴム部材 Ｋ 駆動回路基板 Ｍ アナログムーブメント Ｐ 有機ＥＬパネル Ｐ1 端子パッド（第１表示電極ライン用端子パッド） Ｐ2 端子パッド（第２表示電極ライン用端子パッド） １０１ 発光画素 １０１ａ 画像表示配列領域 １０２ ガラス基板 １０３ 第１表示電極ライン １０３ａ 島状透明電極 １０３ｂ バスライン １０７ 隔壁 １０９ 第２表示電極ライン １１１，１１２ 端子被覆部
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に、有機エレクトロルミネッセン
ス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極に
接続された第１端子と、有機エレクトロルミネッセンス
素子の陽極に接続された第２端子とを有する有機エレク
トロルミネッセンス装置において、 前記端子の少なくともいずれかは、端子を構成する材料
よりも導電性および耐酸化性が高い材料で被覆されてい
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装
置。 - 【請求項２】 端子を構成する材料はＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ
3 −ＳｎＯ2 ）であり、被覆材は、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、およびクロム（Ｃｒ）のいずれか、またはこれら
各金属の合金である請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス装置。 - 【請求項３】 表示体と、この表示体に駆動電流を供給
する駆動回路基板と、表示体の端子と駆動回路基板の端
子とを接続する異方性導電部材と、を備えた電子機器に
おいて、 表示体の端子と異方性導電部材との接触抵抗を低減する
構造を有することを特徴とする電子機器。 - 【請求項４】 表示体の端子を構成する材料はＩＴＯ
（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）であり、前記構造は、この端
子と異方性導電部材との間に、アルミニウム（Ａｌ）、
銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングス
テン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、およ
びクロム（Ｃｒ）のいずれか、またはこれら各金属の合
金からなる層を設けることにより構成される請求項３記
載の電子機器。 - 【請求項５】 表示体と、この表示体に駆動電流を供給
する駆動回路基板と、表示体の端子と駆動回路基板の端
子とを接続する異方性導電部材と、を備えた電子機器に
おいて、 前記表示体として、請求項１または２記載の有機エレク
トロルミネッセンス装置を備えている電子機器。 - 【請求項６】 前記有機エレクトロルミネッセンス装置
の陰極が透明であり、発光部と端子部とを除く部分を覆
う絶縁層が透明であり、この有機エレクトロルミネッセ
ンス装置を通して文字盤を見る構造となっている電子機
器。 - 【請求項７】 前記異方性導電部材は、異方性導電ゴム
であることを特徴とする請求項３から６のいずれかに記
載の電子機器。 - 【請求項８】 前記異方性導電部材は、異方性導電フィ
ルムであることを特徴とする請求項３から６のいずれか
に記載の電子機器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069004A JP2002343560A (ja) | 2001-03-16 | 2002-03-13 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
| US10/096,950 US6897934B2 (en) | 2001-03-16 | 2002-03-14 | Organic electro luminescence device and electronic apparatus |
| CN02118699.5A CN1384694A (zh) | 2001-03-16 | 2002-03-15 | 有机电致发光装置、电子设备 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076036 | 2001-03-16 | ||
| JP2001-76036 | 2001-03-16 | ||
| JP2002069004A JP2002343560A (ja) | 2001-03-16 | 2002-03-13 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343560A true JP2002343560A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=26611431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002069004A Withdrawn JP2002343560A (ja) | 2001-03-16 | 2002-03-13 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6897934B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002343560A (ja) |
| CN (1) | CN1384694A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003086022A1 (fr) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Optrex Corporation | Element d'affichage electroluminescent organique, afficheur et procede de fabrication correspondant |
| JP2004296297A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Optrex Corp | 有機ｅｌ表示装置用配線基板の製造方法および有機ｅｌ表示装置 |
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| WO2013146350A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 昭和電工株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2016127018A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、発光パネル、表示パネル、センサパネル |
| KR101761438B1 (ko) | 2009-12-25 | 2017-07-25 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 조성물 및 상기 조성물을 이용하여 이루어지는 발광 소자 |
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|---|---|---|---|---|
| CN1960811A (zh) * | 2004-05-27 | 2007-05-09 | 亚利桑那西格玛实验室公司 | 大面积电致发光光发射设备 |
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| JP2007012853A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 画像読取装置 |
| KR20100043011A (ko) * | 2008-10-17 | 2010-04-27 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치, 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법, 전자 기기 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152069A (ja) | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP3186925B2 (ja) * | 1994-08-04 | 2001-07-11 | シャープ株式会社 | パネルの実装構造並びに集積回路搭載テープおよびその製造方法 |
| JP2762993B2 (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-11 | 日本電気株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN1115612C (zh) * | 1997-07-18 | 2003-07-23 | 时至准钟表股份有限公司 | 具有时刻显示单元的钟表 |
| US6277679B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film transistor |
| JP2000214794A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Seiko Epson Corp | 表示パネルと駆動回路との接続構造、それを用いた表示装置および電子機器、ならびに表示装置の製造方法 |
| JP4279391B2 (ja) | 1999-02-16 | 2009-06-17 | 東北パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイパネル及びその製造方法 |
| TW487896B (en) * | 2000-02-24 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corp | Mounting structure for semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus |
| TW550530B (en) * | 2000-10-27 | 2003-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of driving the same |
-
2002
- 2002-03-13 JP JP2002069004A patent/JP2002343560A/ja not_active Withdrawn
- 2002-03-14 US US10/096,950 patent/US6897934B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-15 CN CN02118699.5A patent/CN1384694A/zh active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003086022A1 (fr) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Optrex Corporation | Element d'affichage electroluminescent organique, afficheur et procede de fabrication correspondant |
| JP2004296297A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Optrex Corp | 有機ｅｌ表示装置用配線基板の製造方法および有機ｅｌ表示装置 |
| US7427224B2 (en) | 2003-11-28 | 2008-09-23 | Optrex Corporation | Organic EL display and method for producing the same |
| KR101761438B1 (ko) | 2009-12-25 | 2017-07-25 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 조성물 및 상기 조성물을 이용하여 이루어지는 발광 소자 |
| WO2013146350A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 昭和電工株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2016127018A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、発光パネル、表示パネル、センサパネル |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6897934B2 (en) | 2005-05-24 |
| US20020136925A1 (en) | 2002-09-26 |
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