JP3350789B2 - 光ヘッドおよび光ディスク装置 - Google Patents
光ヘッドおよび光ディスク装置Info
- Publication number
- JP3350789B2 JP3350789B2 JP03384593A JP3384593A JP3350789B2 JP 3350789 B2 JP3350789 B2 JP 3350789B2 JP 03384593 A JP03384593 A JP 03384593A JP 3384593 A JP3384593 A JP 3384593A JP 3350789 B2 JP3350789 B2 JP 3350789B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical head
- optical
- layer
- head according
- photodiodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
スク装置に関する。
公報および特開昭64−43822号公報に記載の光ヘ
ッド(光ピックアップ)が知られている。特開昭64−
46242号公報に記載の光ヘッドは、面発光レーザと
光検出器とを同一基板上に形成し、その基板にガラス板
を積層し、そのガラス板の表面にグレーティング集光レ
ンズ(ホログラムレンズ)を形成したものである。ま
た、特開昭64−43822号公報に記載の光ヘッド
は、上記特開昭64−46242号公報に記載の構成の
光ヘッドを光ヘッド本体とし、その光ヘッド本体を浮上
スライダに取り付けたものである。
術;ラジオ技術社;尾上守夫監修」や「光ディスク;オ
ーム社;電子情報通信学会編」や「光エレクトロニク
ス;丸善;島田潤一著」や「面発光レーザ;オーム社;
伊賀健一,小山二三男共著」などの書籍に記載されてい
る。
242号公報に記載の光ヘッドでは、グレーティング集
光レンズを用いているが、グレーティング集光レンズの
場合、光源の波長が温度変化などによって変化したとき
の色収差が大きい。同公報では面発光レーザを用いれば
波長変化は生じないと述べているが、「応用物理 第6
0巻 第1号(1991年) 8頁 伊賀“面発光半導
体レーザ” 図12」に記載のように、温度によって波
長が変るため、やはり影響があるが、これに対する考慮
がされていない問題点がある。さらに、同公報に記載の
光ヘッドでは、面発光レーザから光ディスクへのレーザ
光の光路と光ディスクから光検出器への戻り光の光路と
を分離するために光ディスクに対する光路が斜めになっ
ているが、光路が斜めであると、収差や非対称な強度分
布が発生しやすく,スポットサイズが大きくなってしま
う問題点がある。なお、光路が斜めであることに起因す
る問題点を考慮して、SCOOP構造の応用が、同公報
でも提案されているが、SCOOP構造の場合には、媒
体の反射率の違いしか検出することができないため、ト
ラッキング信号検出や,光磁気信号の検出ができない欠
点がある。
載の光ヘッドは、別に作製した浮上スライダに光ヘッド
を搭載するため、スライダ面と光ヘッドを通常2〜3μ
mの焦点深度以内に調整することが非常に難しいという
問題点がある。もし自動焦点制御を行なうのであれば、
この調整は不要となるが、同公報ではそれを行なわない
のが目的であるから、これはやはり問題となる。なお、
上記両公報および書籍には、面発光レーザを用いた光ヘ
ッドの製造方法が開示されていない。また、浮上式の光
ヘッドに適合した光ディスク装置が開示されていない。
長が温度変化などによって変化したときの色収差を小さ
くできるようにした光ヘッドを提供することにある。ま
た、本発明の第2の目的は、浮上スライダとの位置決め
調整の不要な浮上式の光ヘッドを提供することにある。
また、本発明の第3の目的は、浮上式の光ヘッドに適合
した光ディスク装置を提供することにある。
は、半導体レーザ源と、集光レンズと、前記半導体レー
ザ源から出射されるレーザを検出するためのフォトダイ
オードと、前記フォトダイオードに前記レーザを導くた
めの光分岐手段とを有し、前記集光レンズの色収差W
は、式 W(h,NA)={(NA) 3 Δλ/(4λ)}h (h:ホログラム上での光軸からの入射光線の高さ、N
A:開口数、Δλ:波長変動、λ:記録時波長)を満た
し、前記色収差Wがλ/4以下になるように、hが設計
されている ことを特徴とする光ヘッドを提供する。
状を浮上スライダ形状に一体として加工したことを特徴
とする光ヘッドを提供する。
μm以下である浮上式の光ヘッドと、記録面の情報読取
側に透明保護層を持たないか又は透明保護層が厚さ26
μm未満である光ディスクと、前記光ヘッドを支持する
支持機構と、前記光ディスクと前記光ヘッドと前記支持
機構とを少なくとも内部に包含する防塵ケースとを具備
してなることを特徴とする光ディスク装置を提供する。
集光レンズの色収差Wは、式 W(h,NA)={(NA) 3 Δλ/(4λ)}h (h:ホログラム上での光軸からの入射光線の高さ、N
A:開口数、Δλ:波長変動、λ:記録時波長)を満た
し、前記色収差Wがλ/4以下になるように、hが設計
されているが、このようにすると、 温度変化などによっ
て光源の波長が変化した場合の色収差の問題を生じない
ようになる。
は、浮上スライダを光ヘッド自体と一体として、酸化ジ
ルコニウムなどのセラミック材料を臆厚を制御してスパ
ッタなどで形成することで、浮上スライダと光ヘッドの
位置決め調整を不要とすることが出来る。
装置では、浮上量が26μm以下である浮上式の光ヘッ
ドと、記録面の情報読取側に透明保護層を持たないか又
は透明保護層が厚さ26μm未満である光ディスクを用
いる。後で詳述するように、光ヘッドの浮上量を26μ
m以下とすると、浮上変動量は2.6μm以下になり、
この浮上変動量を集光レンズの焦点深度で吸収できるよ
うになる。従って、焦点ずれ制御なしで記録面を読取可
能となる。保護層が薄いと光ディスクはホコリに弱くな
るが、防塵ケースに収容するので、実用上、支障を生じ
ない。
る。 −第1実施例− 図1は、本発明の第1実施例の光ヘッド101の構成断
面図である。この光ヘッド101は、面発光レーザ1お
よびフォトダイオード7,7を、半導体レーザ1のレー
ザ光出射面とフォトダイオード7,7の受光面をn−G
aAs基板2に向けて、n−GaAs基板2上にAlGaAs
バッファ層47を介して形成し、前記レーザ光出射面と
受光面の下部基板に開口を形成し、さらにその開口部を
第1ガラス層3で充填し、その第1ガラス層3の下面に
回折格子4を形成し、前記第1ガラス層3の下部に第2
ガラス層5を積層し、その第2ガラス層5の下面にグレ
ーティングレンズによる口径1mm以下の集光レンズ6
を形成した構造である。
(図中、破線で示す)は、バッファ層47および第1ガ
ラス層3および回折格子4および第2ガラス層5を透過
し、集光レンズ6で真下に向けて集光され、集光レンズ
6から離れた光記録媒体Rの記録面上に直径0.4μm
〜2μmの光スポットを形成する。集光レンズ6と光記
録媒体Rの記録面の距離は、1mm以下である。
(図中、2点鎖線で示す)は、集光レンズ6および第2
ガラス層5を透過し、回折格子4でフォトダイオード
7,7の受光面に向かうように回折され、第1ガラス層
3を透過して、フォトダイオード7,7に受光される。
層を形成し、基板2に開口部を形成する理由は、レーザ
発振波長において吸収の大きい(α=104(cm-1)) G
aAs基板を除去し、吸収の小さい(α=20(cm-1))
AlGaAsバッファ層でレーザを支持するためである。
AlGaAs を用いても電気伝導率はGaAsと変らないた
め、光吸収損失を大きくすることなく、バッファ層厚を
厚くして電気抵抗を減らすことができる。また、集光レ
ンズ6の口径を1mm以下とする理由は、光源の波長が
温度変化などによって変化したときの色収差を最大値で
少なくともλ/4以下に抑えるためであるすなわち、ホ
ログラムの球面収差Wは、ホログラム上での光軸からの
入射光線の高さをhとして、 W(h)=Ah4 (1) で与えられる(光工学ハンドブック;小瀬輝次他編;朝
倉書店;p180)。ここで、ホログラムから物点まで
の距離Ro,記録時参照光源までの距離Rr,再生時参
照光源までの距離Rc,再生像点までの距離Ri,記録
時波長λ,再生時波長λ’とすれば、 A={(λ’/λ)(1/Rr3−1/Ro3)−1/Rc3+1/Ri3} (2) である。一方、結像関係は、 1/Ri=1/Rc+(λ’/λ)(1/Ro−1/Rr) (3) である。そこで、Rr→−∞、Rc→−∞とすれば、 W(h)=(1/8Ro3){(λ’/λ)3−(λ’/λ)}h4 (4) となる。波長変動Δλと開口数NAを、 λ’/λ=(λ+△λ)/λ (5) (NA)=h/Ro (6) とすれば、 W(h,NA)={(NA)3△λ/(4λ)}h (7) となる。つまり、開口数NAが一定の場合、波長変動Δ
λによって生じる最大の球面収差Wは、ホログラム上で
の光軸からの入射光線の高さhに比例することが判る。
例えば、NA=0.55,λ=0.78μm,△λ=3
nmのとき、 W(h=2.0mm)=0.41λ W(h=1.0mm)=0.21λ W(h=0.5mm)=0.10λ となる。これより、集光レンズ6の口径2hを1mm以
下にすると、波長変動が3nmのときでも、収差をλ/
10以下に抑えることが出来る。これは、凸レンズによ
る集光レンズでも同様である。例えば、球面1面による
レンズを考えると、その球面収差Wは、物空間の屈折率
を1,像空間の屈折率をn,焦点距離をfとすれば、 W(h)=−{3n/(8(n−1)2f3)}h4 (8) である。開口数NAを、 NA=nh/f (9) とすれば、 W(h)=−{3(NA)3/(8(n−1)2n2)}h (10) となる。これより、開口数NAを一定にして,口径2h
を小さくすれば、収差を小さくすることが出来る。な
お、これは球面収差に限らず,他の収差についても同様
である。
分岐を行い、光記録媒体Rに対する光路を垂直としてい
るから、光路が斜めであることに起因する問題を生じな
い。なお、回折格子4による±1次回折光を合わせた回
折効率を50%とすれば、面発光レーザ1に25%の反
射光が戻るが、面発光レーザ1では戻り光によるモード
ホップが起こりにくいので、影響は少ない。フォトダイ
オード7,7の受光量は、合わせて25%の最大値を得
ることが出来る。
の概念図である。回折格子4は、光記録媒体Rの記録ト
ラック方向に平行な中央線を境に両側が45゜傾いて互
いに直交する直線型の回折格子である。フォトダイオー
ド7は、回折格子4による±1次回折光を受光できるよ
うに4箇所に設置されている。4箇所のフォトダイオー
ド7a,7b,7c,7dは、回折格子4の分割方向に
さらに2分割されている。
7b,7c,7dにそれぞれに入射する反射光の後焦点
時,合焦点時,前焦点時の光分布を示す。図4は、光ヘ
ッド101における信号検出回路の例である。焦点ずれ
信号AFは、図4中の上段外側と下段内側の4つのフォ
トダイオードの出力を加算器8aで加算し、上段内側と
下段外側の4つのフォトダイオードの出力を加算器8b
で加算し、両加算器8a,8bの出力を減算器9aで減
算して得られる。トラックずれ信号TRは、トラックず
れに伴う光記録媒体Rからの反射光の分布の不均一さか
ら得られるので、図2における回折格子4の左右両側に
入射する光量の差をとればよい。従って、図4中の上段
左側と下段右側の4つのフォトダイオードの出力を加算
器8cで加算し、上段右内側と下段左側の4つのフォト
ダイオードの出力を加算器8dで加算し、両加算器8
c,8dの出力を減算器9bで減算して得られる。光記
憶媒体Rが追記型,読出専用型の光ディスクの場合、再
生信号は全てのフォトダイオードの出力の和をとればよ
い。従って、両加算器8c,8dの出力を加算器9cで
加算して得られる。
する。 (a)n−GaAs基板2の下面に、n−AlGaAs バッフ
ァ層47を成長させ、その下面に補強用ガラス基板11
を密着させ、その上面にAl電極12を蒸着する。 (b)Al電極12およびn−GaAs基板2をエッチング
して、レーザ光出射用の穴2bを加工する。 (c)Al電極12およびn−GaAs基板2の上に、プラ
ズマCVD,スパッタリングなどの方法で、第1ガラス
層3を堆積させ、研磨等の方法で平滑化するか、紫外線
硬化樹脂などを充填、硬化させるなどを行ない、上記エ
ッチング穴を補填する。
露光プロセスにより回折格子4を作製する。すなわち、
第1ガラス層3の上面にフォトレジストを塗布し,乾燥
し,回折格子パターンを露光し,現像し,イオンビーム
加工などにより回折格子4を作製する。 (e)第1ガラス層3の上に、屈折率の異なる第2ガラス
層5をプラズマCVD,スパッタリングなどの方法で積
層し、フォトマスク露光プロセスによりグレーティング
レンズ6を作製する。 (f)補強用ガラス基板11を除去し、バッファ層47の
下面に面発光レーザ1およびフォトダイオード7,7を
作製する。
である。n−AlGaAs バッファ層47上に、導電率を
上げるため多量のn型不純物を添加したn+型GaAs層
14を成長する。その上に、n型のAlAs とGaAlAs
を交互に積層した反射ミラー層15aを形成する。その
上に、n型の GaAlAsのクラッド層16を成長する。
更に、p型のGaAlAs/GaAs の量子井戸層17を形
成して活性層とする。GaAlAs のみで活性層を形成し
ても十分な特性が得られるが、量子井戸を用いることに
より、低しきい値電流化を図れる。量子井戸層17の上
に、p型のGaAlAs のクラッド層18を成長する。そ
の上に、n型のAlAsとGaAlAs を交互に積層した反
射ミラー層15bを形成する。その上に、導電率を上げ
るため多量のp型不純物を添加したp型GaAs層19を
形成する。最後に、Au 電極20を形成する。
例である。図6と同様の構造を作製した後、レーザ部分
のみを円柱形に残し、他の部分をエッチングにより除去
する。円柱形のメサ部の直径は2μm〜3μmであり、
高さは約5μmである。メサ部の直径が小さいため、レ
ーザ部分からのレーザ光の放射角度θは、30゜〜44
゜と大きな値となる。このため、例えば焦点距離=0.
1mm,NA=0.55の集光レンズ6を用いる場合、
ガラス層の屈折率を1.5とすれば面発光型レーザ1か
ら集光レンズ6までの距離を220μm〜320μmと
極めて短くでき、光ヘッド101を小型化できる。ま
た、メサ型とすることにより光電界及び注入電流のとじ
こめの効果が高くなるため、低しきい値電流化を図れ
る。
る。n型のAlGaAsバッファ層47上に、多量のn型
不純物を添加したn+型GaAs層14を成長する。その
上に、不純物をドープしないGaAs層21を成長する。
その上に、p型のGaAs層22を部分的に成長する。p
型のGaAs層22の一部をマスクし、SiO2絶縁層23
を形成する。次いで、マスクを除去し、Au電極20を
形成する。
ォトダイオード7を作製するが、両者を同時に作製する
ことも可能である。図9に、面発光レーザ1とフォトダ
イオード7を同時に作製する製造方法を示す。 (a)n型のAlGaAs バッファ層47上に、導電率を
上げるため多量のn型不純物を添加したn+型GaAs層
14を成長する。その上に、n型のAlAs とGaAlAs
を交互に積層した反射ミラー層15aを形成する。 (b)フォトダイオード7を形成する部分のみ、エッチ
ングにより反射ミラー層15aを取り除く。反射ミラー
層15aを取り除いた部分に、n型のAlGaAs層25
を成長する。 (c)反射ミラー層15aおよびn型のAlGaAs 層2
5の上に、n型のAlGaAsのクラッド層16を形成す
る。その上に、p型のGaAlAs/GaAs の量子井戸層
17を成長して活性層とする。その上に、p型のGaAl
Asのクラッド層18を形成する。その上に、n型のAl
AsとGaAlAs を交互に積層した反射ミラー層15b
を成長する。フォトダイオード7を形成する部分のみ、
エッチングにより反射ミラー層15bを取り除く。そし
て、反射ミラー層15bを取り除いた部分に、p型のG
aAs層22を形成する。さらに、反射ミラー層15bお
よびp型のGaAs層22の上に、導電率を上げるため多
量のp型不純物を添加したp+型のGaAs層19を形成
する。 (d)p+型のGaAs層19の上に、Au電極20を形
成する。そして、エッチングにより面発光レーザ1とフ
ォトダイオード7とを分離する。 このように、面発光レーザ1とフォトダイオード7とを
同時に作製すれば、製造工程を大幅に簡略化でき、低コ
スト化を図ることが出来る。
断面図である。この光ヘッド102は、図1の光ヘッド
101における集光レンズ6がグレーティングレンズで
あったのに対して、凸レンズを用いたものである。
断面図である。この光ヘッド103は、図1の光ヘッド
101におけるフォトダイオード7の直下の下部基板2
aに、フィルム状の偏光子28,29を貼着したもので
ある。偏光子28,29は、それぞれ直交する透過偏光
方向を有している。なお、偏光子28,29の透過偏光
軸方向が反射光の偏光方向に対してそれぞれ±45゜を
なす場合、最も検出感度が高くなる(尾島、角田「光磁
気記録技術」光学 第18巻第11号(1989年)5
99頁)。図12は、光ヘッド103における信号検出
回路の例である。焦点ずれ信号AFは、図12中の上段
外側と下段内側の4つのフォトダイオードの出力を加算
器8aで加算し、上段内側と下段外側の4つのフォトダ
イオードの出力を加算器8bで加算し、両加算器8a,
8bの出力を減算器9aで減算して得られる。トラック
ずれ信号TRは、図12中の上段左側と下段右側の4つ
のフォトダイオードの出力を加算器8cで加算し、上段
右内側と下段左側の4つのフォトダイオードの出力を加
算器8dで加算し、両加算器8c,8dの出力を減算器
9bで減算して得られる。光記憶媒体Rが書換型のMO
タイプの光ディスクの場合、光磁気信号MOは、偏光子
28に含まれるフォトダイオードの出力の和と,偏光子
28に含まれるフォトダイオードの出力の和の差をとれ
ばよい。従って、図12中の上段左側と下段左側の4つ
のフォトダイオードの出力を加算器8eで加算し、上段
右内側と下段右側の4つのフォトダイオードの出力を加
算器8fで加算し、両加算器8e,8fの出力を減算器
9dで減算して得られる。
断面図である。この光ヘッド104は、上記第1実施例
から第3実施例の光ヘッド101,102,103の周
囲に、AFアクチュエータ35を備えたものである(但
し、図13は、光ヘッド101を備えたものである)。
光記録媒体Rは、光ディスクである。光ディスクは、一
般に、記録面40の情報読取側に厚さ1.2mmの透明
保護層34を有している。例えばレーザ側NA=0.3
の有限系集光レンズ6を用いる場合、面発光型レーザ1
から集光レンズ6までの距離は2mm程度になり、光ヘ
ッド104の大きさは3mm×3mm×3mm程度とな
る。
断面図である。この光ヘッド105は、上記第1実施例
から第3実施例の光ヘッド101,102,103の底
面に、酸化ジルコニウム等のセラミック材料製のスライ
ダ底補強層13を形成し、且つ、全体を浮上スライダ形
状に加工したものである。浮上スライダを製膜プロセス
によって光ヘッドと一体に成形するため、スライダ底面
に対する光ヘッドの位置決め調整が不要となる。
5の形状や光記録媒体Rの線速度に依存するが、例えば
26μm以下である。浮上量変動量は、定常トラッキン
グ状態で浮上量の約10%であるから、浮上量26μm
に対し、約2.6μmである。集光レンズ6の焦点深度
は、λ/NA2 で近似されるから、λ=0.78μm,
NA=0.55とすれば、約2.6μmとなる。このと
き、浮上変動量2.6μmは集光レンズ6の焦点深度以
下であるから、焦点ずれ補正の制御は不要となる。すな
わち、集光レンズ6の焦点深度以下の浮上変動量にすれ
ばよい。ただし、光記録媒体Rは、記録面の情報読取側
に透明保護層を持たないか又は透明保護層が屈折率1.
0の媒質中における集光レンズのバックフォーカスから
浮上量を減じて保護層屈折率を乗じた厚さ未満のものと
する。透明保護層を持たないか又は透明保護層が厚さ1
00μm未満程度の場合、表面にホコリが付着すると読
取に支障を生じるので、防塵構造のケース中に入れる必
要がある。なお、焦点ずれ補正の制御が不要の場合は、
図4,図12の回路中の焦点ずれ信号AFの検出部分も
不要になる。
す。(a)は、図5の(a)〜(f)で説明したプロセス
により作製された状態である。 (b)グレーティングレンズ6の部分をマスクし、その周
辺に酸化ジルコニウムなどのセラミックをスパッタなど
の方法で堆積し、スライダ底補強層13とする。堆積す
る厚さは、グレーティングレンズ6のバックフォーカス
(空気中におけるレンズ表面から焦点までの距離)から
浮上量と光ディスク保護層厚さを保護層屈折率で除した
厚さを差し引いた量とする。 (c)補強用ガラス基板11を除去し、基板2の下面に面
発光レーザ1およびフォトダイオード7,7を作製す
る。
断面図である。この光ヘッド106は、上記第5実施例
の光ヘッド105の底面のスライダ底補強層13に、磁
界印加用の薄膜型の磁気コイル39を備えたものであ
る。図17は、磁気コイル39とその磁界の説明図であ
る。巻数n,半径aの円電流Iのつくる磁界Hは、その
中心軸z上において、 H=na2I/2√(a2+z2)3 で与えられる。例えば、n=5,a=50μm,z=1
μm,I=160mAとすると、H=100Oeの磁界を
得ることが出来る。
の斜視図である。この光ディスク装置201は、記録面
の情報読取側に透明保護層を持たないか又は透明保護層
が厚さ26μm未満の光記録媒体Rと,上記第5実施例
の浮上式の光ヘッド105又は上記第6実施例の浮上式
の光ヘッド106と,その光ヘッドを支持する支持アー
ム46と,トラッキングアクチュエータ31とを防塵ケ
ース37に内蔵し、電源や信号の接続端子45を設けた
ものである。
Rに厚い透明保護層がなく,焦点ずれ検出回路や焦点ず
れ補正アクチュエータも含まないため、非常に薄型,軽
量になり、携帯可能なカートリッジにすることが出来
る。この場合、図19に示すように、光ディスク書込/
読取装置33に対して着脱して使用する。なお、光ディ
スク書込/読取装置33も、光記録媒体Rのドライブ機
構と信号処理回路を内蔵すればよく,光ヘッドやトラッ
キングアクチュエータが要らないため、小型,安価にな
る。
の斜視図である。この光ディスク装置202は、記録面
の情報読取側に透明保護層を持たないか又は透明保護層
が厚さ26μm未満の光記録媒体Rと,上記第5実施例
の浮上式の光ヘッド105又は上記第6実施例の浮上式
の光ヘッド106と,その光ヘッドを支持する支持アー
ム46とを防塵ケース38に内蔵し、電源や信号の接続
端子45を設けたものである。トラッキングアクチュエ
ータ31は、光ディスク書込/読取装置330に設けら
れ、光ディスク装置202の支持アーム46と接続可能
になっている。この光ディスク装置202は、トラッキ
ングアクチュエータ31を含まないため、より小型,安
価になる。
減衰が小さく、温度変化などによって光源の波長が変化
した場合の色収差の問題を生じないようになる。また、
半導体レーザへの戻り光によるノイズの問題を生じな
い。また、光ディスクに対する光路を斜めにすることに
起因する問題点およびSCOOP構造の問題点を生じな
い。さらに、光ヘッドの数倍のサイズの浮上スライダを
用いないから、全体を小型化することが出来る。本発明
の光ディスク装置によれば、焦点ずれ制御なしで記録面
を読取可能となる。
ある。
る。
変化の説明図である。
ある。
法の説明図である。
である。
である。
図である。
である。
である。
る。
である。
磁界の説明図である。
図である。
ある。
図である。
光ヘッド、1‥‥面発光レーザ、2‥‥n−GaAs基
板、2a‥‥下部基板、3‥‥第1ガラス層、4‥‥回
折格子、5‥‥第2ガラス層、6‥‥集光レンズ、7,
7a,7b,7c,7d‥‥フォトダイオード、12‥
‥Al電極、8a,8b,8c,8d,8e,8f,9
c‥‥加算器、9a,9b,9d‥‥減算器、11‥‥
ガラス基板、13‥‥スライダ底補強層、14‥‥n+
型GaAs層、15a,15b‥‥反射ミラー層、16,
18‥‥クラッド層、17‥‥量子井戸層、19‥‥p
+型GaAs層、20‥‥Au電極、21‥‥GaAs層、2
2‥‥p型GaAs層、23‥‥SiO2絶縁層、25‥‥
n型AlGaAs層、28,29‥‥偏光子、34‥‥透
明保護層、36‥‥凸レンズ、39‥‥磁気コイル、2
01,202‥‥光ディスク装置、31‥‥トラッキン
グアクチュエ−タ、33,330‥‥光ディスク書込/
読取装置、45‥‥接続端子、46‥‥支持アーム、R
‥‥光記録媒体、47…n−AlGaAsバッファ層
Claims (9)
- 【請求項1】 半導体レーザ源と、集光レンズと、前記
半導体レーザ源から出射されるレーザを検出するための
フォトダイオードと、前記フォトダイオードに前記レー
ザを導くための光分岐手段とを有し、前記集光レンズの
色収差Wは、式 W(h,NA)={(NA) 3 Δλ/(4λ)}h (h:ホログラム上での光軸からの入射光線の高さ、N
A:開口数、Δλ:波長変動、λ:記録時波長) を満たし、前記色収差Wがλ/4以下になるように、h
が設計されている ことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項2】 請求項1に記載の光ヘッドにおいて、半
導体レーザ源が面発光レーザであることを特徴とする光
ヘッド。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の光ヘッ
ドにおいて、半導体レーザ源がメサ構造であることを特
徴とする光ヘッド。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の光ヘッドにおいて、2グループのフォトダイオードを
形成し、各グループのフォトダイオードの受光面の下部
の基板下面に、互いに直交する2つの偏光子を設けたこ
とを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項5】 請求項1から請求項4のいずれかに記載
の光ヘッドにおいて、集光レンズを形成した透明層の下
部に集光レンズ部分を除いてセラミック膜を形成したこ
とを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項6】 請求項5に記載の光ヘッドにおいて、セ
ラミック膜の部分に薄膜コイルを設けたことを特徴とす
る光ヘッド。 - 【請求項7】 請求項5または請求項6に記載の光ヘッ
ドにおいて、光ヘッドの形状を浮上スライダ形状に加工
したことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項8】 請求項7に記載の光ヘッドにおいて、浮
上量が26μm以下であることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項9】 記録面の情報読取側に透明保護層を持た
ないか又は透明保護層が厚さ26μm未満である光ディ
スクと、請求項8に記載の浮上式の光ヘッドと、その光
ヘッドを支持する支持機構と、それらを内部に包含する
防塵ケースとを具備してなることを特徴とする光ディス
ク装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03384593A JP3350789B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 光ヘッドおよび光ディスク装置 |
DE4447765A DE4447765C2 (de) | 1993-02-17 | 1994-02-14 | Schwimmender optischer Abtastkopf, der integral mit einer Lichtquelle und einem Photodetektor ausgebildet ist, und optisches Plattengerät mit einem solchen |
DE4404635A DE4404635C2 (de) | 1993-02-17 | 1994-02-14 | Schwimmender optischer Abtastkopf, der integral mit einer Lichtquelle und einem Photodetektor ausgebildet ist, und optisches Plattengerät mit einem solchen |
US08/197,870 US5481386A (en) | 1993-02-17 | 1994-02-17 | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
US08/460,196 US5715226A (en) | 1993-02-17 | 1995-06-02 | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
US08/900,112 US5995474A (en) | 1993-02-17 | 1997-07-25 | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
US09/389,105 US20010012244A1 (en) | 1993-02-17 | 1999-09-02 | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
US09/573,610 US6185177B1 (en) | 1993-02-17 | 2000-05-19 | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
US10/209,930 US6611487B2 (en) | 1993-02-17 | 2002-08-02 | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03384593A JP3350789B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 光ヘッドおよび光ディスク装置 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000304966A Division JP2001155366A (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | 光ヘッドおよび光ヘッドの製造方法 |
JP2000305041A Division JP2001167488A (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | 光ディスク装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06251410A JPH06251410A (ja) | 1994-09-09 |
JP3350789B2 true JP3350789B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=12397840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03384593A Expired - Fee Related JP3350789B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-24 | 光ヘッドおよび光ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3350789B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4404635C2 (de) | 1993-02-17 | 1998-06-18 | Hitachi Ltd | Schwimmender optischer Abtastkopf, der integral mit einer Lichtquelle und einem Photodetektor ausgebildet ist, und optisches Plattengerät mit einem solchen |
KR0147589B1 (ko) * | 1994-05-31 | 1998-10-15 | 김광호 | 수직공진기 면발광 레이저 다이오드를 이용한 광픽엎 |
US6061169A (en) * | 1998-03-26 | 2000-05-09 | Digital Optics Corporation | Integrated micro-optical systems |
JP3426962B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2003-07-14 | 株式会社日立製作所 | 光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
US6657927B1 (en) | 1998-08-04 | 2003-12-02 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical head and apparatus provided therewith |
JP2001319365A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 浮上記録ヘッド、ディスク装置、および浮上記録ヘッドの製造方法 |
US8059345B2 (en) | 2002-07-29 | 2011-11-15 | Digitaloptics Corporation East | Integrated micro-optical systems |
JP2006236516A (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Hitachi Ltd | 光へッド、光情報再生装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP03384593A patent/JP3350789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
「光学の原理▲II▼」マックス−ボルン,エミル・ウオルク著、東海大学出版会(1987.2.20)P696−P697 |
「光工学ハンドブック」朝倉書店 P179−P186 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06251410A (ja) | 1994-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3231331B2 (ja) | 積層型近接場光ヘッドおよび光情報記録再生装置 | |
EP0936604B1 (en) | Optical pickup device | |
US7457206B2 (en) | Optical head, optical information storage apparatus, and their fabrication method | |
US5715226A (en) | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same | |
EP1130582B1 (en) | Semiconductor laser device and optical pickup device using the same | |
JPH0648543B2 (ja) | 光学ヘツド装置 | |
KR100449847B1 (ko) | 광정보기록매체용기록및/또는재생광학계및대물렌즈 | |
JP3350789B2 (ja) | 光ヘッドおよび光ディスク装置 | |
KR20010102380A (ko) | 광 정보 처리 장치 | |
JP2001155366A (ja) | 光ヘッドおよび光ヘッドの製造方法 | |
US7483345B2 (en) | Optical pickup apparatus capable of compensating thickness deviation of optical recording media | |
JP2001229570A (ja) | 光ピックアップ装置及びレーザダイオードチップ | |
JP4590660B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JP2001126446A (ja) | 光ディスク装置 | |
JP2001167488A (ja) | 光ディスク装置 | |
JP3485692B2 (ja) | 光ピックアップ | |
JP2001250260A (ja) | 光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 | |
JPH10233031A (ja) | 光学ピックアップ装置及びその調整方法 | |
JPH1196581A (ja) | 対物レンズ及び光ピックアップ | |
JP3608046B2 (ja) | 光ディスク装置 | |
JP2000076694A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JPH09161310A (ja) | 光学装置 | |
JP2003022560A (ja) | 情報記録再生装置 | |
JPH06251412A (ja) | 光ピックアップ | |
JPH0547023A (ja) | 光ピツクアツプ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070920 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090920 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090920 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100920 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |