JP2001250260A - 光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 - Google Patents
光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光利用効率が高く、記録媒体の高密度、高速
の記録・再生を図ることができ、誤再生の防止が可能な
光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッ
ドの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ２から出射されたレーザ光
２ｂは、中心部が遮光体１６によって遮光されて透明集
光用媒体６の入射面６ａに入射し、透明集光用媒体６の
被集光面６ｂに光スポット９が形成される。この光スポ
ット９が微小金属体８に照射されると、微小金属体８の
プラズモンが励起され、そこから近接場光１０が滲み出
す。近接場光１０は、ディスク１２の記録媒体１２１中
に伝播光となって入射し、この光によって記録媒体１２
１の記録および再生がなされる。レーザ光２ｂの中央部
を遮光することにより、透明集光用媒体６の被集光面６
ａから伝播光が発生するのを防げ、その伝播光による誤
再生を防止できる。
の記録・再生を図ることができ、誤再生の防止が可能な
光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッ
ドの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ２から出射されたレーザ光
２ｂは、中心部が遮光体１６によって遮光されて透明集
光用媒体６の入射面６ａに入射し、透明集光用媒体６の
被集光面６ｂに光スポット９が形成される。この光スポ
ット９が微小金属体８に照射されると、微小金属体８の
プラズモンが励起され、そこから近接場光１０が滲み出
す。近接場光１０は、ディスク１２の記録媒体１２１中
に伝播光となって入射し、この光によって記録媒体１２
１の記録および再生がなされる。レーザ光２ｂの中央部
を遮光することにより、透明集光用媒体６の被集光面６
ａから伝播光が発生するのを防げ、その伝播光による誤
再生を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ヘッド、光磁気
ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法に関
し、特に、光利用効率が高く、記録媒体の高密度、高速
の記録・再生を図ることができ、誤再生の防止が可能な
光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッ
ドの製造方法に関する。
ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法に関
し、特に、光利用効率が高く、記録媒体の高密度、高速
の記録・再生を図ることができ、誤再生の防止が可能な
光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッ
ドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光と磁界によって記録を行う光磁
気ディスクあるいは磁気ディスクや、光のみによって記
録を行う光ディスクの高記録密度化を図るため、記録あ
るいは再生に使用する近接場光の微小化が検討されてい
る。
気ディスクあるいは磁気ディスクや、光のみによって記
録を行う光ディスクの高記録密度化を図るため、記録あ
るいは再生に使用する近接場光の微小化が検討されてい
る。
【０００３】この微小化された近接場光を用いた従来の
ディスク装置として、例えば、特開平１１−２５０４６
０号公報に示されるものがある。
ディスク装置として、例えば、特開平１１−２５０４６
０号公報に示されるものがある。
【０００４】図１６は、そのディスク装置を示す。この
ディスク装置８０は、透明集光用媒体としての透明なレ
ンズ状の保持部材８１と、保持部材８１の入射面８１ａ
に斜方向からレーザ光８３ａを出射するレーザ光源８３
と、保持部材８１の底面８１ｂに設けられた光波長以下
の散乱体８２と、光ディスク８５からの反射光８７を対
物レンズ８８を介して検出する光検出器８９とを有す
る。このように構成されたディスク装置８０において、
レーザ光源８３からのレーザ光８３ａを保持部材８１の
底面８１ｂにおいて全反射するように斜方向から入射面
８１ａに入射させ散乱体８２の位置に集光して照射し、
それによって散乱体８２にプラズモン共鳴を生じさせ、
そこから発生する散乱光（近接場光）８４を光ディスク
８５の記録膜８６に入射させる。そして、記録膜８６か
らの反射光８７を対物レンズ８８により光検出器８９に
導いて検出する。保持部材８１のみの場合に比べて数分
の一以下の微小サイズの近接場光８４が得られるので、
記録密度を上げることができる。また、励起されたプラ
ズモンから近接場光を効率よく発生する方式として、例
えば、文献「Ｔ．Ｍａｔｕｍｏｔｏ，ｅｔａｌ．，Ｔｈ
ｅ ６ｔｈ ｌｎｔ．Ｃｏｎｆ．ｏｎ Ｎｅａｒ Ｆｉ
ｅｌｄ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｔｅ
ｃｈｓ．（２０００）、Ｎｏ．Ｍｏ０１３」に示された
シミュレーション結果がある。図１７は、その文献に示
された方式を示す。この方式は、２個の微小金属体１９
１，１９１’を対峙させた構造を有し、両者の先端部１
９１ａ，１９１ａ’およびギャップ１９２の幅は、２０
ｎｍ程度と入射光１９３ａのスポット１９３ｂ径よりも
大幅に小さく形成されている。また、入射光の偏光方向
１９４は、ギャップ１９２を横切る方向に整えられてい
る。このような構造により、微小金属体１９１，１９
１’で励起されるプラズモンは、偏光方向１９４に振動
し、その先端部１９１ａ，１９１ａ’に発生する電荷の
極性が逆となるため、両者間でダイポールが形成され、
効率よく近接場光を発生することが可能となる。また、
近接場光のサイズは、ギャップ１９２と同程度となるた
め、強力で微細な近接場光を形成することが可能とな
る。シミュレーション結果では、ギャップ１９２部のみ
から光が放出され、このダイポールの形成により、放射
される光の強度は入射光の強度の２３００倍に増強され
たとある。また、マイクロ波を用いたダイポールアンテ
ナによる実験例（Ｒ．Ｄ．Ｇｒｏｂｅｒ ｅｔａｌ．，
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．７，Ｎｏ．１
１，（１９９７）ｐ．１３５４）でも、マイクロ波放射
はアンテナのギャップ部のみに集中するとある。これ
は、金属のアンテナの導電率が十分高いため、このアン
テナに強いダイポールが形成されるとともに、アンテナ
が入射マイクロ波に対して強いシールド効果を有するた
めである。しかし、可視光の場合（図１７）、アンテ
ナ、すなわち微小金属体１９１，１９１’の厚さは１０
０ｎｍ程度かそれ以下と薄いため、実際には可視光の波
長での導電率を十分高く取ることができない。そのた
め、アンテナとしての増幅率、すなわちダイポールの強
度は入射光に対して十分なシールド効果を及ぼすには至
らず、かつ、入射光１９３ａのスポット１９３ｂ径は微
小金属体１９１，１９１’に比べて大幅に大きいため、
入射光１９３ａの大半は、微小金属体１９１，１９１’
とカップルせずに透過される。従って、このような構成
により発生した、強力で微細な近接場光を、光記録に使
用することを想定した場合、この入射光１９３ａの透過
した部分１９３ｃが、記録媒体を照射するため、それに
よって記録媒体が熱記録され、微細な記録マークを形成
することができない。
ディスク装置８０は、透明集光用媒体としての透明なレ
ンズ状の保持部材８１と、保持部材８１の入射面８１ａ
に斜方向からレーザ光８３ａを出射するレーザ光源８３
と、保持部材８１の底面８１ｂに設けられた光波長以下
の散乱体８２と、光ディスク８５からの反射光８７を対
物レンズ８８を介して検出する光検出器８９とを有す
る。このように構成されたディスク装置８０において、
レーザ光源８３からのレーザ光８３ａを保持部材８１の
底面８１ｂにおいて全反射するように斜方向から入射面
８１ａに入射させ散乱体８２の位置に集光して照射し、
それによって散乱体８２にプラズモン共鳴を生じさせ、
そこから発生する散乱光（近接場光）８４を光ディスク
８５の記録膜８６に入射させる。そして、記録膜８６か
らの反射光８７を対物レンズ８８により光検出器８９に
導いて検出する。保持部材８１のみの場合に比べて数分
の一以下の微小サイズの近接場光８４が得られるので、
記録密度を上げることができる。また、励起されたプラ
ズモンから近接場光を効率よく発生する方式として、例
えば、文献「Ｔ．Ｍａｔｕｍｏｔｏ，ｅｔａｌ．，Ｔｈ
ｅ ６ｔｈ ｌｎｔ．Ｃｏｎｆ．ｏｎ Ｎｅａｒ Ｆｉ
ｅｌｄ Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｔｅ
ｃｈｓ．（２０００）、Ｎｏ．Ｍｏ０１３」に示された
シミュレーション結果がある。図１７は、その文献に示
された方式を示す。この方式は、２個の微小金属体１９
１，１９１’を対峙させた構造を有し、両者の先端部１
９１ａ，１９１ａ’およびギャップ１９２の幅は、２０
ｎｍ程度と入射光１９３ａのスポット１９３ｂ径よりも
大幅に小さく形成されている。また、入射光の偏光方向
１９４は、ギャップ１９２を横切る方向に整えられてい
る。このような構造により、微小金属体１９１，１９
１’で励起されるプラズモンは、偏光方向１９４に振動
し、その先端部１９１ａ，１９１ａ’に発生する電荷の
極性が逆となるため、両者間でダイポールが形成され、
効率よく近接場光を発生することが可能となる。また、
近接場光のサイズは、ギャップ１９２と同程度となるた
め、強力で微細な近接場光を形成することが可能とな
る。シミュレーション結果では、ギャップ１９２部のみ
から光が放出され、このダイポールの形成により、放射
される光の強度は入射光の強度の２３００倍に増強され
たとある。また、マイクロ波を用いたダイポールアンテ
ナによる実験例（Ｒ．Ｄ．Ｇｒｏｂｅｒ ｅｔａｌ．，
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．７，Ｎｏ．１
１，（１９９７）ｐ．１３５４）でも、マイクロ波放射
はアンテナのギャップ部のみに集中するとある。これ
は、金属のアンテナの導電率が十分高いため、このアン
テナに強いダイポールが形成されるとともに、アンテナ
が入射マイクロ波に対して強いシールド効果を有するた
めである。しかし、可視光の場合（図１７）、アンテ
ナ、すなわち微小金属体１９１，１９１’の厚さは１０
０ｎｍ程度かそれ以下と薄いため、実際には可視光の波
長での導電率を十分高く取ることができない。そのた
め、アンテナとしての増幅率、すなわちダイポールの強
度は入射光に対して十分なシールド効果を及ぼすには至
らず、かつ、入射光１９３ａのスポット１９３ｂ径は微
小金属体１９１，１９１’に比べて大幅に大きいため、
入射光１９３ａの大半は、微小金属体１９１，１９１’
とカップルせずに透過される。従って、このような構成
により発生した、強力で微細な近接場光を、光記録に使
用することを想定した場合、この入射光１９３ａの透過
した部分１９３ｃが、記録媒体を照射するため、それに
よって記録媒体が熱記録され、微細な記録マークを形成
することができない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のディス
ク装置によると、レーザ光８３ａを斜めから保持部材８
１に入射しているので、保持部材８１の入射面８１ａに
おけるレーザ光８３ａの照射面積が小さくなるため、光
利用効率は悪くなる。そのために、高出力の光源が必要
になり、再生光の検出器が大型化する等の問題を招く。
一方、保持部材８１の真上からレーザ光を照射したとす
ると、保持部材８１の入射面８１ａにおける照射面積が
広くなるため、光利用効率が向上するが、被集光面８１
ｂの光スポット位置から染み出す伝播光によって誤って
他の記録領域を再生するおそれがある。
ク装置によると、レーザ光８３ａを斜めから保持部材８
１に入射しているので、保持部材８１の入射面８１ａに
おけるレーザ光８３ａの照射面積が小さくなるため、光
利用効率は悪くなる。そのために、高出力の光源が必要
になり、再生光の検出器が大型化する等の問題を招く。
一方、保持部材８１の真上からレーザ光を照射したとす
ると、保持部材８１の入射面８１ａにおける照射面積が
広くなるため、光利用効率が向上するが、被集光面８１
ｂの光スポット位置から染み出す伝播光によって誤って
他の記録領域を再生するおそれがある。
【０００６】従って、本発明の目的は、光利用効率が高
く、記録媒体の高密度、高速の記録・再生を図ることが
できる光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および
光ヘッドの製造方法を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、誤再生の防止が可能な光ヘッド、光磁
気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法を
提供することにある。
く、記録媒体の高密度、高速の記録・再生を図ることが
できる光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および
光ヘッドの製造方法を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、誤再生の防止が可能な光ヘッド、光磁
気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、レーザ光を出射するレーザ光源と、透明集
光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レーザ光を
前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポットを
形成する光学系と、前記レーザ光源から前記透明集光用
媒体に至る前記レーザ光の光路中に設けられ、前記レー
ザ光の中心部を遮光する遮光体と、前記光スポットの中
心位置の近傍に設けられ、前記光スポットのサイズより
小なるサイズを有する微小金属体とを備えたことを特徴
とする光ヘッドを提供する。上記構成によれば、レーザ
光源から出射されるレーザ光は、その中心部が遮光体に
よって遮光されて透明集光用媒体に入射し、その被集光
面に光スポットを形成する。レーザ光源から出射される
レーザ光は、その中心部が遮光されているため、被集光
面から伝播光が発生するのを防ぐ。光スポットの形成位
置に設けられた微小金属体にレーザ光が照射されると、
微小金属体のプラズモンが励起され、入射光の一桁以上
の強度の高い近接場光が発生する。この近接場光により
記録媒体を照射することにより、記録再生が可能とな
る。近接場光のサイズは、微小金属体のサイズにほぼ等
しくなるため、微小金属体を微小化することにより、近
接場光のサイズも微小化でき、高密度の記録が可能とな
る。
成するため、レーザ光を出射するレーザ光源と、透明集
光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レーザ光を
前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポットを
形成する光学系と、前記レーザ光源から前記透明集光用
媒体に至る前記レーザ光の光路中に設けられ、前記レー
ザ光の中心部を遮光する遮光体と、前記光スポットの中
心位置の近傍に設けられ、前記光スポットのサイズより
小なるサイズを有する微小金属体とを備えたことを特徴
とする光ヘッドを提供する。上記構成によれば、レーザ
光源から出射されるレーザ光は、その中心部が遮光体に
よって遮光されて透明集光用媒体に入射し、その被集光
面に光スポットを形成する。レーザ光源から出射される
レーザ光は、その中心部が遮光されているため、被集光
面から伝播光が発生するのを防ぐ。光スポットの形成位
置に設けられた微小金属体にレーザ光が照射されると、
微小金属体のプラズモンが励起され、入射光の一桁以上
の強度の高い近接場光が発生する。この近接場光により
記録媒体を照射することにより、記録再生が可能とな
る。近接場光のサイズは、微小金属体のサイズにほぼ等
しくなるため、微小金属体を微小化することにより、近
接場光のサイズも微小化でき、高密度の記録が可能とな
る。
【０００８】本発明は、上記目的を達成するため、中心
部の光強度が周辺部よりも弱いレーザ光を出射するレー
ザ光源と、透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源から
の前記レーザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光
して光スポットを形成する光学系と、前記光スポットの
中心位置の近傍に設けられ、前記光スポットのサイズよ
り小なるサイズを有する微小金属体とを備えたことを特
徴とする光ヘッドを提供する。
部の光強度が周辺部よりも弱いレーザ光を出射するレー
ザ光源と、透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源から
の前記レーザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光
して光スポットを形成する光学系と、前記光スポットの
中心位置の近傍に設けられ、前記光スポットのサイズよ
り小なるサイズを有する微小金属体とを備えたことを特
徴とする光ヘッドを提供する。
【０００９】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光を出射するレーザ光源と、透明集光用媒体を有し、
前記レーザ光源からの前記レーザ光を前記透明集光用媒
体の被集光面に集光して光スポットを形成する光学系
と、前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記
光スポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属
体とを備え、前記光学系は、前記透明集光用媒体の入射
面に入射する前記レーザ光の開口数が０．８以上を有す
ることを特徴とする光ヘッドを提供する。
ザ光を出射するレーザ光源と、透明集光用媒体を有し、
前記レーザ光源からの前記レーザ光を前記透明集光用媒
体の被集光面に集光して光スポットを形成する光学系
と、前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記
光スポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属
体とを備え、前記光学系は、前記透明集光用媒体の入射
面に入射する前記レーザ光の開口数が０．８以上を有す
ることを特徴とする光ヘッドを提供する。
【００１０】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光を出射するレーザ光源と、透明集光用媒体を有し、
前記レーザ光源からの前記レーザ光を前記透明集光用媒
体の被集光面に集光して光スポットを形成する光学系
と、前記レーザ光源から前記透明集光用媒体に至る前記
レーザ光の光路中に設けられ、前記レーザ光の中心部を
遮光する遮光体と、前記光スポットの中心位置の近傍に
設けられ、前記光スポットのサイズより小なるサイズを
有する微小金属体と、前記微小金属体の近傍に設けら
れ、記録情報に応じた変調磁界を発生する電磁石と、前
記記録情報を磁気情報として検出する磁気抵抗センサと
を備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提供する。
ザ光を出射するレーザ光源と、透明集光用媒体を有し、
前記レーザ光源からの前記レーザ光を前記透明集光用媒
体の被集光面に集光して光スポットを形成する光学系
と、前記レーザ光源から前記透明集光用媒体に至る前記
レーザ光の光路中に設けられ、前記レーザ光の中心部を
遮光する遮光体と、前記光スポットの中心位置の近傍に
設けられ、前記光スポットのサイズより小なるサイズを
有する微小金属体と、前記微小金属体の近傍に設けら
れ、記録情報に応じた変調磁界を発生する電磁石と、前
記記録情報を磁気情報として検出する磁気抵抗センサと
を備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提供する。
【００１１】本発明は、上記目的を達成するため、表面
に記録媒体が形成されたディスクと、レーザ光を出射す
るレーザ光源と、透明集光用媒体を有し、前記レーザ光
源からの前記レーザ光を前記透明集光用媒体の被集光面
に集光して光スポットを形成する光学系と、前記レーザ
光源から前記透明集光用媒体に至る前記レーザ光の光路
中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光する遮光体
と、前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記
光スポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属
体と、前記微小金属体からの出射光を前記記録媒体に対
して相対的に移動させる移動手段とを備えたことを特徴
とするディスク装置を提供する。
に記録媒体が形成されたディスクと、レーザ光を出射す
るレーザ光源と、透明集光用媒体を有し、前記レーザ光
源からの前記レーザ光を前記透明集光用媒体の被集光面
に集光して光スポットを形成する光学系と、前記レーザ
光源から前記透明集光用媒体に至る前記レーザ光の光路
中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光する遮光体
と、前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記
光スポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属
体と、前記微小金属体からの出射光を前記記録媒体に対
して相対的に移動させる移動手段とを備えたことを特徴
とするディスク装置を提供する。
【００１２】本発明は、上記目的を達成するため、表面
に記録媒体が形成されたディスクと、レーザ光を出射す
るレーザ光源と、透明集光用媒体を有し、前記レーザ光
源からの前記レーザ光を前記透明集光用媒体の被集光面
に集光して光スポットを形成する光学系と、前記レーザ
光源から前記透明集光用媒体に至る前記レーザ光の光路
中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光する第１の
遮光体と、前記光スポットの中心位置の近傍に設けら
れ、前記光スポットのサイズより小なるサイズを有する
微小金属体と、前記微小金属体からの出射光を前記記録
媒体に対して相対的に移動させる移動手段と、前記レー
ザ光源から前記光学系を介して前記記録媒体に照射した
レーザ光に基づく反射光を前記透明集光用媒体を介して
検出する検出手段と、前記透明集光用媒体の前記被集光
面に集光する前記レーザ光のうち前記被集光面で反射し
た戻り光が前記検出手段に入射しないように前記戻り光
を遮光する第２の遮光体とを備えたことを特徴とするデ
ィスク装置を提供する。
に記録媒体が形成されたディスクと、レーザ光を出射す
るレーザ光源と、透明集光用媒体を有し、前記レーザ光
源からの前記レーザ光を前記透明集光用媒体の被集光面
に集光して光スポットを形成する光学系と、前記レーザ
光源から前記透明集光用媒体に至る前記レーザ光の光路
中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光する第１の
遮光体と、前記光スポットの中心位置の近傍に設けら
れ、前記光スポットのサイズより小なるサイズを有する
微小金属体と、前記微小金属体からの出射光を前記記録
媒体に対して相対的に移動させる移動手段と、前記レー
ザ光源から前記光学系を介して前記記録媒体に照射した
レーザ光に基づく反射光を前記透明集光用媒体を介して
検出する検出手段と、前記透明集光用媒体の前記被集光
面に集光する前記レーザ光のうち前記被集光面で反射し
た戻り光が前記検出手段に入射しないように前記戻り光
を遮光する第２の遮光体とを備えたことを特徴とするデ
ィスク装置を提供する。
【００１３】本発明は、上記目的を達成するため、入射
するレーザ光によって光スポットが形成される被集光面
を有する透明集光用媒体を準備し、前記透明集光用媒体
の前記被集光面の前記光スポットのサイズより小なるサ
イズを有する領域以外の領域をホトレジストで覆い、前
記透明集光用媒体の前記被集光面の前記ホトレジストの
存在しない領域を前記レーザ光の波長以下の所定の深さ
でエッチングによって除去することにより前記被集光面
に凹部を形成し、前記凹部に金属材料を堆積させて微小
金属体を形成することを特徴とする光ヘッドの製造方法
を提供する。
するレーザ光によって光スポットが形成される被集光面
を有する透明集光用媒体を準備し、前記透明集光用媒体
の前記被集光面の前記光スポットのサイズより小なるサ
イズを有する領域以外の領域をホトレジストで覆い、前
記透明集光用媒体の前記被集光面の前記ホトレジストの
存在しない領域を前記レーザ光の波長以下の所定の深さ
でエッチングによって除去することにより前記被集光面
に凹部を形成し、前記凹部に金属材料を堆積させて微小
金属体を形成することを特徴とする光ヘッドの製造方法
を提供する。
【００１４】本発明は、上記目的を達成するため、入射
するレーザ光によって光スポットが形成される被集光面
を有する透明集光用媒体を準備し、前記透明集光用媒体
の前記被集光面の前記光スポットの中心位置に集光イオ
ンビーム（ｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎ ｂｅａｍ）法によっ
て金属膜を堆積することにより、前記光スポットのサイ
ズより小なるサイズの微小金属体を形成することを特徴
とする光ヘッドの製造方法を提供する。
するレーザ光によって光スポットが形成される被集光面
を有する透明集光用媒体を準備し、前記透明集光用媒体
の前記被集光面の前記光スポットの中心位置に集光イオ
ンビーム（ｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎ ｂｅａｍ）法によっ
て金属膜を堆積することにより、前記光スポットのサイ
ズより小なるサイズの微小金属体を形成することを特徴
とする光ヘッドの製造方法を提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は、本発明の第１の実
施の形態に係る光ヘッド１の主要部を示す。この光ヘッ
ド１は、レーザビーム２ａを出射する半導体レーザ２
と、半導体レーザ２からのレーザビーム２ａを平行ビー
ム２ｂに整形するコリメータレンズ３とコリメータレン
ズ３からの平行ビーム２ｂの中心部を遮光する遮光体１
６と、遮光体１６によって中心部が遮光された平行ビー
ム２ｂを垂直方向に反射するミラー４と、ミラー４で反
射した平行ビーム２ｂを収束させる対物レンズ５と、対
物レンズ５により収束された光２ｃが入射し、被集光面
６ｂに光スポット９を形成する透明集光用媒体６と、透
明集光用媒体６の被集光面６ｂの近傍であって光スポッ
ト９の形成位置に設けられた微小金属体８とを有する。
施の形態に係る光ヘッド１の主要部を示す。この光ヘッ
ド１は、レーザビーム２ａを出射する半導体レーザ２
と、半導体レーザ２からのレーザビーム２ａを平行ビー
ム２ｂに整形するコリメータレンズ３とコリメータレン
ズ３からの平行ビーム２ｂの中心部を遮光する遮光体１
６と、遮光体１６によって中心部が遮光された平行ビー
ム２ｂを垂直方向に反射するミラー４と、ミラー４で反
射した平行ビーム２ｂを収束させる対物レンズ５と、対
物レンズ５により収束された光２ｃが入射し、被集光面
６ｂに光スポット９を形成する透明集光用媒体６と、透
明集光用媒体６の被集光面６ｂの近傍であって光スポッ
ト９の形成位置に設けられた微小金属体８とを有する。
【００１６】半導体レーザ２には、赤色レーザ（６３０
ｎｍ）やＡＩＧａｌｎＮ系の青色レーザ（４００ｎｍ）
を用いることができる。青色レーザ（４００ｎｍ）を用
いることにより、光スポット径を０．１３μｍ以下にす
ることができ、微小金属体８を照射する光の割合を増す
ことができる。また、半導体レーザ２には、レーザ用半
導体のヘキ開面を光共振器に使用して活性層に平行に発
振する、いわゆる端面発光型半導体レーザや、活性層に
平行に形成した共振器により活性層の垂直方向に発振す
る、いわゆる面発光型半導体レーザを用いることができ
る。端面発光型半導体レーザを用いた場合は、ビーム広
がり角が大きいため、コリメータレンズ３との距離を狭
めることができ、光ヘッドの小型化が可能となる。面発
光型半導体レーザを用いた場合は、出力ビームが円形で
あるため、コリメータレンズ３でのけられを少なくして
集光することができ、光利用効率を上げることができ
る。
ｎｍ）やＡＩＧａｌｎＮ系の青色レーザ（４００ｎｍ）
を用いることができる。青色レーザ（４００ｎｍ）を用
いることにより、光スポット径を０．１３μｍ以下にす
ることができ、微小金属体８を照射する光の割合を増す
ことができる。また、半導体レーザ２には、レーザ用半
導体のヘキ開面を光共振器に使用して活性層に平行に発
振する、いわゆる端面発光型半導体レーザや、活性層に
平行に形成した共振器により活性層の垂直方向に発振す
る、いわゆる面発光型半導体レーザを用いることができ
る。端面発光型半導体レーザを用いた場合は、ビーム広
がり角が大きいため、コリメータレンズ３との距離を狭
めることができ、光ヘッドの小型化が可能となる。面発
光型半導体レーザを用いた場合は、出力ビームが円形で
あるため、コリメータレンズ３でのけられを少なくして
集光することができ、光利用効率を上げることができ
る。
【００１７】透明集光用媒体６は、本実施の形態では、
対物レンズ５からの収束光２ｃを球面状の入射面６ａで
屈折させ、その屈折光２ｄを被集光面６ｂの微小金属体
８に集光されるように裁底球状（Ｓｕｐｅｒ ＳＩＬ構
造）のものを用いる。また、透明集光用媒体６は、重フ
リントガラス（屈折率＝１．９１）や硫化カドミウムＣ
ｄＳ（屈折率２．５），閃亜鉛鉱ＺｎＳ（屈折率２．３
７）等の結晶性材料を用いることができ、また、屈折率
は１より大きれば上限はなく、さらに高い屈折率の材料
を用いることもできる。本実施の形態では、屈折率１．
９１の重フリントガラスを用いるが、結晶性材料を用い
た場合は、光スポット径を重フリントガラスより２割以
上縮小できる。
対物レンズ５からの収束光２ｃを球面状の入射面６ａで
屈折させ、その屈折光２ｄを被集光面６ｂの微小金属体
８に集光されるように裁底球状（Ｓｕｐｅｒ ＳＩＬ構
造）のものを用いる。また、透明集光用媒体６は、重フ
リントガラス（屈折率＝１．９１）や硫化カドミウムＣ
ｄＳ（屈折率２．５），閃亜鉛鉱ＺｎＳ（屈折率２．３
７）等の結晶性材料を用いることができ、また、屈折率
は１より大きれば上限はなく、さらに高い屈折率の材料
を用いることもできる。本実施の形態では、屈折率１．
９１の重フリントガラスを用いるが、結晶性材料を用い
た場合は、光スポット径を重フリントガラスより２割以
上縮小できる。
【００１８】光スポット９のスポット径は、球面の中心
６ｃからｒ／ｎ（ｒ、ｎはそれぞれ透明集光用媒体６の
半径と屈折率）の位置に集光させる場合、次式（１）で
表される。 Ｄ1/2＝ｋλ／（ｎ・ＮＡｉ）＝ｋλ／（ｎ2・ＮＡｏ） ……（１） ここに、Ｄ1/2：光強度が１／２となるところのスポッ
ト径 ｋ：光ビームの強度分布に依存する比例常数（通常０．
５程度） λ：光ビームの波長 ｎ：透明集光用媒体６の屈折率 ＮＡｉ：透明集光用媒体６内部での開口数 ＮＡｏ：透明集光用媒体６への入射光の開口数
６ｃからｒ／ｎ（ｒ、ｎはそれぞれ透明集光用媒体６の
半径と屈折率）の位置に集光させる場合、次式（１）で
表される。 Ｄ1/2＝ｋλ／（ｎ・ＮＡｉ）＝ｋλ／（ｎ2・ＮＡｏ） ……（１） ここに、Ｄ1/2：光強度が１／２となるところのスポッ
ト径 ｋ：光ビームの強度分布に依存する比例常数（通常０．
５程度） λ：光ビームの波長 ｎ：透明集光用媒体６の屈折率 ＮＡｉ：透明集光用媒体６内部での開口数 ＮＡｏ：透明集光用媒体６への入射光の開口数
【００１９】光スポット９は、式（１）に示すように、
透明集光用媒体６の屈折率ｎに逆比例して微小化され、
球面収差の小さな集光が可能となる。しかし、収束光２
ｃの取り得る入射角θ、すなわち開口数ＮＡｏと屈折率
ｎには相反関係があり、両者を独立に大きくできる訳で
はない。屈折率ｎとＮＡｏの最大値との積は約０．８８
であり、光線のけられを考慮すると実際には０．８程度
以下となる。従って、最小光スポット径Ｄ1/2ｍｉｎは
次式（２）のようになる。 Ｄ1/2ｍｉｎ＝ｋλ／（０．８ｎ）≒０．６λ／ｎ（ｋ＝０．５の時）…（２ ）
透明集光用媒体６の屈折率ｎに逆比例して微小化され、
球面収差の小さな集光が可能となる。しかし、収束光２
ｃの取り得る入射角θ、すなわち開口数ＮＡｏと屈折率
ｎには相反関係があり、両者を独立に大きくできる訳で
はない。屈折率ｎとＮＡｏの最大値との積は約０．８８
であり、光線のけられを考慮すると実際には０．８程度
以下となる。従って、最小光スポット径Ｄ1/2ｍｉｎは
次式（２）のようになる。 Ｄ1/2ｍｉｎ＝ｋλ／（０．８ｎ）≒０．６λ／ｎ（ｋ＝０．５の時）…（２ ）
【００２０】従って、透明集光用媒体６として非結晶と
しては最も大きな屈折率を有する重フリントガラス（屈
折率＝１．９１）を用い、半導体レーザ２に赤色レーザ
（波長６３０ｎｍ）を使用した場合、最小光スポット径
Ｄ1/2ｍｉｎは０．２０μｍとなる。また、青色レーザ
（４００ｎｍ）用いた場合は、最小光スポット径Ｄ1/ 2
ｍｉｎは約０．１３μｍとなる。また、それらの光スポ
ット９は、ほぼガウス型の強度の広がり分布を有する。
しては最も大きな屈折率を有する重フリントガラス（屈
折率＝１．９１）を用い、半導体レーザ２に赤色レーザ
（波長６３０ｎｍ）を使用した場合、最小光スポット径
Ｄ1/2ｍｉｎは０．２０μｍとなる。また、青色レーザ
（４００ｎｍ）用いた場合は、最小光スポット径Ｄ1/ 2
ｍｉｎは約０．１３μｍとなる。また、それらの光スポ
ット９は、ほぼガウス型の強度の広がり分布を有する。
【００２１】微小金属体８は、図１（ａ）に示すよう
に、透明集光用媒体６の被集光面６ｂに埋め込まれてい
る。微小金属体８の形状は、本実施の形態では、同図
（ｂ）に示すように円形であるが、同図（ｃ）に示すよ
うに、光スポット９の径よりも小さな矩形状、あるいは
同図（ｄ）に示すように、一辺が光スポット９の径より
も長い矩形状でもよく、他の形状、例えば楕円形でもよ
い。ホトリソグラフィを用いた加工においては、微小金
属体８が円形の場合は、加工し易く有利となり、また、
トラック方向に直交する方向を長辺とする長方形状とす
ることにより、トラック方向に広がる近接場光のサイズ
を小さくできるので、円形と比較して記録マークのトラ
ック方向の長さが短くなり、高記録密度化が可能にな
る。微小金属体８がトラック方向に直交する方向に平行
な楕円軸を有する楕円形の場合は、記録マークのトラッ
ク方向の長さが短くなるとともに、プラズモン共嗚によ
る近接場光の発生が増強されるため、低入力化が可能と
なる。本実施の形態では、微小金属体８の外径を５０ｎ
ｍとした。被集光面６ｂから染み出す近接場光１０のサ
イズは、ほぼ微小金属体８のサイズで決まり、５０ｎｍ
となる。なお、微小金属体８のサイズは、光ディスクの
高記録密度化技術および遮光体形成技術の進展に応じて
５０ｎｍより小さくしてもよい。また、同図（ｅ）に示
すように、スリット状のギャップ８ｃを形成するように
２つの微小金属体８Ａ，８Ｂを互いに近接して配置して
もよい。スリットの長手方向は、記録トラックを横切る
方向とする。このギャップ８ｃに収束ビーム２ｄの偏光
方向９ａがギャップ８ｃを横切るように、収束ビーム２
ｄを照射すると、プラズモン励起によりギャップ８ｃの
両側の対向縁部８ｂ，８ｂ’に誘起される電荷の極性が
逆となるため、この間にダイポールが形成され、これら
の微小金属体８Ａ，８Ｂがアンテナとして作用し、強力
な近接場光が発生される。また、収束ビーム２ｄをギャ
ップ８ｃの長手方向に移動させることにより、近接場光
の発生位置を移動させることができ、ドラッキングに好
適である。さらに、同図(ｆ）に示すように、微小金属
体８Ａ，８Ｂの先端を台形に形成して向かい合わせた配
置にしてもよい。これにより、発生する近接場光のサイ
ズを微細化することができ、より微小な記録マークの形
成が可能となる。
に、透明集光用媒体６の被集光面６ｂに埋め込まれてい
る。微小金属体８の形状は、本実施の形態では、同図
（ｂ）に示すように円形であるが、同図（ｃ）に示すよ
うに、光スポット９の径よりも小さな矩形状、あるいは
同図（ｄ）に示すように、一辺が光スポット９の径より
も長い矩形状でもよく、他の形状、例えば楕円形でもよ
い。ホトリソグラフィを用いた加工においては、微小金
属体８が円形の場合は、加工し易く有利となり、また、
トラック方向に直交する方向を長辺とする長方形状とす
ることにより、トラック方向に広がる近接場光のサイズ
を小さくできるので、円形と比較して記録マークのトラ
ック方向の長さが短くなり、高記録密度化が可能にな
る。微小金属体８がトラック方向に直交する方向に平行
な楕円軸を有する楕円形の場合は、記録マークのトラッ
ク方向の長さが短くなるとともに、プラズモン共嗚によ
る近接場光の発生が増強されるため、低入力化が可能と
なる。本実施の形態では、微小金属体８の外径を５０ｎ
ｍとした。被集光面６ｂから染み出す近接場光１０のサ
イズは、ほぼ微小金属体８のサイズで決まり、５０ｎｍ
となる。なお、微小金属体８のサイズは、光ディスクの
高記録密度化技術および遮光体形成技術の進展に応じて
５０ｎｍより小さくしてもよい。また、同図（ｅ）に示
すように、スリット状のギャップ８ｃを形成するように
２つの微小金属体８Ａ，８Ｂを互いに近接して配置して
もよい。スリットの長手方向は、記録トラックを横切る
方向とする。このギャップ８ｃに収束ビーム２ｄの偏光
方向９ａがギャップ８ｃを横切るように、収束ビーム２
ｄを照射すると、プラズモン励起によりギャップ８ｃの
両側の対向縁部８ｂ，８ｂ’に誘起される電荷の極性が
逆となるため、この間にダイポールが形成され、これら
の微小金属体８Ａ，８Ｂがアンテナとして作用し、強力
な近接場光が発生される。また、収束ビーム２ｄをギャ
ップ８ｃの長手方向に移動させることにより、近接場光
の発生位置を移動させることができ、ドラッキングに好
適である。さらに、同図(ｆ）に示すように、微小金属
体８Ａ，８Ｂの先端を台形に形成して向かい合わせた配
置にしてもよい。これにより、発生する近接場光のサイ
ズを微細化することができ、より微小な記録マークの形
成が可能となる。
【００２２】また、微小金属体８は、例えば、チタン
（Ｔｉ）からなり、レーザ光の波長より小なる厚さ（例
えば１０ｎｍ）を有する。なお、微小金属体８は、Ｔｉ
の他、透明集光用媒体６との被着性のよい金属材料であ
れば、特に限定しない。特に、金属Ａｇのように誘電率
が小さい金属を使用することにより、プラズモン共鳴の
条件により近づけることができる。プラズモン共鳴の条
件は、一次のモード励起の場合、次式（２）のように示
される（近接場ナノワォトニクスハンドブック：オプト
ロニクス社、１９９７、Ｐ．１７７）。 Ｒｅ［Ｅｍ（ａ）］＝−２・Ｅｄ（ａ） ……（３） ここに、Ｅｍ（ａ）は微小金属体８の誘電率、 Ｅｄ（ａ）は微小金属体８を取り巻く媒体の誘電率であ
る。 この式から分かるように、外側の媒体が空気の場合、微
小金属体８の誘電率は−２のとき、共鳴条件を満たす。
この条件において近接場光の強度は数桁増大しまた、こ
の条件の周辺においても一桁以上の増強効果が得られ
る。
（Ｔｉ）からなり、レーザ光の波長より小なる厚さ（例
えば１０ｎｍ）を有する。なお、微小金属体８は、Ｔｉ
の他、透明集光用媒体６との被着性のよい金属材料であ
れば、特に限定しない。特に、金属Ａｇのように誘電率
が小さい金属を使用することにより、プラズモン共鳴の
条件により近づけることができる。プラズモン共鳴の条
件は、一次のモード励起の場合、次式（２）のように示
される（近接場ナノワォトニクスハンドブック：オプト
ロニクス社、１９９７、Ｐ．１７７）。 Ｒｅ［Ｅｍ（ａ）］＝−２・Ｅｄ（ａ） ……（３） ここに、Ｅｍ（ａ）は微小金属体８の誘電率、 Ｅｄ（ａ）は微小金属体８を取り巻く媒体の誘電率であ
る。 この式から分かるように、外側の媒体が空気の場合、微
小金属体８の誘電率は−２のとき、共鳴条件を満たす。
この条件において近接場光の強度は数桁増大しまた、こ
の条件の周辺においても一桁以上の増強効果が得られ
る。
【００２３】図２（ａ）〜（ｄ）は、微小金属体８の形
成工程を示す。まず、裁底球状の透明集光用媒体６の底
面である被集光面６ｂに電子ビーム露光用のフォトレジ
スト膜を塗布し、同図（ａ）に示すように、フォトレジ
スト膜７０の微小金属体８に対応する部分を取り除くよ
うに電子ビームにより露光し、現像した後、同図（ｂ）
に示すように、被集光面６ｂをドライエッチングにより
約１００Å異方性にエッチングし、微小金属体８の被着
面６ｆを形成する。エッチングガスとしてはＣＦ4系の
ガスを使用する。次に、同図（ｃ）に示すように、全面
に微小金属体８用のＴｉ膜７１をスパッタリングにより
約５０ｎｍ被着した後、フォトレジスト膜７０を溶解す
ることにより、同図（ｄ）に示すように、微小金属体８
以外の部分のＴｉ膜７１をリフトオフする。このように
して微小金属体８が形成される。なお、Ｔ１膜は、ガラ
スとの優れた被着性を有する他の膜でもよい。また、透
明集光用媒体６の披集光面６ｂに埋め込むように微小金
属体８を形成することにより、被集光面６ｂとの凹凸が
小さくなるため、記録媒体１２１上を浮上走行させるの
に好適である。
成工程を示す。まず、裁底球状の透明集光用媒体６の底
面である被集光面６ｂに電子ビーム露光用のフォトレジ
スト膜を塗布し、同図（ａ）に示すように、フォトレジ
スト膜７０の微小金属体８に対応する部分を取り除くよ
うに電子ビームにより露光し、現像した後、同図（ｂ）
に示すように、被集光面６ｂをドライエッチングにより
約１００Å異方性にエッチングし、微小金属体８の被着
面６ｆを形成する。エッチングガスとしてはＣＦ4系の
ガスを使用する。次に、同図（ｃ）に示すように、全面
に微小金属体８用のＴｉ膜７１をスパッタリングにより
約５０ｎｍ被着した後、フォトレジスト膜７０を溶解す
ることにより、同図（ｄ）に示すように、微小金属体８
以外の部分のＴｉ膜７１をリフトオフする。このように
して微小金属体８が形成される。なお、Ｔ１膜は、ガラ
スとの優れた被着性を有する他の膜でもよい。また、透
明集光用媒体６の披集光面６ｂに埋め込むように微小金
属体８を形成することにより、被集光面６ｂとの凹凸が
小さくなるため、記録媒体１２１上を浮上走行させるの
に好適である。
【００２４】なお、図２（ｅ）に示すように、微小金属
体８を披集光面６ｂの表面に形成してもよい。これによ
り集光イオンビーム（ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂｅａ
ｍ）法のみにより金属膜を堆積して微小金属体８の形成
が可能となり、リフトオフ工程を不要にでき、形成プロ
セスを大幅に簡素化できる。また、被集光面６ｂと記録
媒体１２１との距離が長くなるため、被集光面６ｂから
の近接場光と記録媒体１２１との距離が増し、この部分
で記録再生がなされるのを防止でき、記録マークの微細
化と信号のＳＮ比の向上が可能となる。しかし、この構
造では、微小金属体８が記録媒体１２１に接触してクラ
ッシュを起こし易い。これを避けるため、図２（ｅ）に
示すように、金属体あるいはガラスからなるガードリン
グ８ａを設けるとよい。
体８を披集光面６ｂの表面に形成してもよい。これによ
り集光イオンビーム（ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂｅａ
ｍ）法のみにより金属膜を堆積して微小金属体８の形成
が可能となり、リフトオフ工程を不要にでき、形成プロ
セスを大幅に簡素化できる。また、被集光面６ｂと記録
媒体１２１との距離が長くなるため、被集光面６ｂから
の近接場光と記録媒体１２１との距離が増し、この部分
で記録再生がなされるのを防止でき、記録マークの微細
化と信号のＳＮ比の向上が可能となる。しかし、この構
造では、微小金属体８が記録媒体１２１に接触してクラ
ッシュを起こし易い。これを避けるため、図２（ｅ）に
示すように、金属体あるいはガラスからなるガードリン
グ８ａを設けるとよい。
【００２５】図３は、光学系の基本構成を示す。なお、
同図では、ミラー４を省略して光軸を直線で表してい
る。遮光体１６の形状は、本実施の形態では、同図
（ｂ）に示すように、円形である。遮光体１６のサイズ
は、臨界角θｃよりも大きな角度θｉで入射するように
設定する。これにより、遮光体１６の緑を通る光線２ｄ
が被集光面６ｃにおいて全反射されため、微小金属体８
の周囲の披集光面６ｂから記録媒体１２１へ透過する伝
播光はなくなる。また、微小金属体８への照射光は全反
射光となり、微小金属体８への入射角が大きくなるた
め、プラズモン共鳴が生じ易くなり、近接場光はさらに
増強される（近接場ナノフォトニクス：オプトロニクス
社、１９９７、P，１７７）。また、レーザ光の中心部
を遮光することにより、超解像効果を持たせることがで
き、光スポット９の直径を２割程度狭めることが可能と
なる。なお、遮光体１６の形状は、同図（ｃ）に示すよ
うに、一辺が平行ビーム２ｂより長い矩形状でもよい。
この場合、図１（ｄ）に示す矩形状の微小金属体８に適
しており、両者の長手方向を平行に揃えることによりと
プラズモンの励起効率を上げることができる。
同図では、ミラー４を省略して光軸を直線で表してい
る。遮光体１６の形状は、本実施の形態では、同図
（ｂ）に示すように、円形である。遮光体１６のサイズ
は、臨界角θｃよりも大きな角度θｉで入射するように
設定する。これにより、遮光体１６の緑を通る光線２ｄ
が被集光面６ｃにおいて全反射されため、微小金属体８
の周囲の披集光面６ｂから記録媒体１２１へ透過する伝
播光はなくなる。また、微小金属体８への照射光は全反
射光となり、微小金属体８への入射角が大きくなるた
め、プラズモン共鳴が生じ易くなり、近接場光はさらに
増強される（近接場ナノフォトニクス：オプトロニクス
社、１９９７、P，１７７）。また、レーザ光の中心部
を遮光することにより、超解像効果を持たせることがで
き、光スポット９の直径を２割程度狭めることが可能と
なる。なお、遮光体１６の形状は、同図（ｃ）に示すよ
うに、一辺が平行ビーム２ｂより長い矩形状でもよい。
この場合、図１（ｄ）に示す矩形状の微小金属体８に適
しており、両者の長手方向を平行に揃えることによりと
プラズモンの励起効率を上げることができる。
【００２６】次に、上記第１の実施の形態に係る光ヘッ
ド１の動作を説明する。半導体レーザ２からレーザビー
ム２ａを出射すると、そのレーザビーム２ａはコリメー
タレンズ３によって平行ビーム２ｂに整形され、その中
心部は遮光体１６で遮光され、さらにミラー４で反射さ
れた後、対物レンズ５によって収束され、透明集光用媒
体６の入射面６ａに入射する。入射面６ａに入射した収
束光２ｃは、入射面６ａで屈折し、その屈折光２ｄは被
集光面６ｂに集光し、被集光面６ｂに光スポット９が形
成される。この光スポット９の被集光面６ｂの外表面に
は近接場光が染み出しており、それが微小金属体８によ
り散乱される。また、微小金属体８自体をレーザ光によ
って照射することにより、微小金属体８中のプラズモン
が励起され、そこから近接場光１０が染み出す。これら
の近接場光１０は、ディスク１２の記録媒体１２１中に
伝播光となって入射し、この光によって記録媒体１２１
への記録および再生が可能となる。
ド１の動作を説明する。半導体レーザ２からレーザビー
ム２ａを出射すると、そのレーザビーム２ａはコリメー
タレンズ３によって平行ビーム２ｂに整形され、その中
心部は遮光体１６で遮光され、さらにミラー４で反射さ
れた後、対物レンズ５によって収束され、透明集光用媒
体６の入射面６ａに入射する。入射面６ａに入射した収
束光２ｃは、入射面６ａで屈折し、その屈折光２ｄは被
集光面６ｂに集光し、被集光面６ｂに光スポット９が形
成される。この光スポット９の被集光面６ｂの外表面に
は近接場光が染み出しており、それが微小金属体８によ
り散乱される。また、微小金属体８自体をレーザ光によ
って照射することにより、微小金属体８中のプラズモン
が励起され、そこから近接場光１０が染み出す。これら
の近接場光１０は、ディスク１２の記録媒体１２１中に
伝播光となって入射し、この光によって記録媒体１２１
への記録および再生が可能となる。
【００２７】上記第１の実施の形態に係る光ヘッド１に
よれば、近接場光１０のサイズは、微小金属体８のサイ
ズと程度となるため、記録媒体１２１と相互作用する近
接場光スポットを微小化できる。また、プラズモン励起
を用いることにより、近接場光１０の強度を単に披集光
面６ｂの光スポットから染み出させた場合に比べて一桁
以上強くできるため、高い光利用効率が得られる。従っ
て、数ミリワットの比較的低出力の半導体レーザ２が光
源として使用できる。また、記録媒体１２１からの信号
再生用反射光は、微小金属体８の周辺部から入射するた
め、効率良く透明集光用媒体６内に入射することがで
き、再生光を効率良く検出することが可能となり、再生
信号のＳ／Ｎを上げることができる。この結果、従来、
光デイスクメモリに常用されているＳｉ光検出器が使用
でき、ホトマルを使用しなくて済むので、光ヘッド１が
小型・軽量化できるとともに、高速度の読み出しが可能
となる。また、半導体レーザ２から出射されるレーザ光
２ｂは、その中央部が遮光体１６によって遮光され、透
明集光用媒体６に入射しないため、被集光面６ｂから伝
播光が発生するのを防げ、その伝播光による誤再生を防
止できる。なお、被集光面６ｂの微小金属体８局辺部に
使用するレーザ光の波長に合わせた反射防止膜（図示せ
ず）を形成してもよい。これにより、さらに信号再生用
反射光の透明集光用媒体６への入射効率を上げることが
できる。また、対物レンズ５の代わりに透過型ホログラ
ムや分布屈折率型集光媒体（図示せず）を使用してもよ
い。この場合には、ホログラムや分布屈折率型集光媒体
と透明集光用媒体とは一体化でき、光ヘッド１の高さを
下げることができる。
よれば、近接場光１０のサイズは、微小金属体８のサイ
ズと程度となるため、記録媒体１２１と相互作用する近
接場光スポットを微小化できる。また、プラズモン励起
を用いることにより、近接場光１０の強度を単に披集光
面６ｂの光スポットから染み出させた場合に比べて一桁
以上強くできるため、高い光利用効率が得られる。従っ
て、数ミリワットの比較的低出力の半導体レーザ２が光
源として使用できる。また、記録媒体１２１からの信号
再生用反射光は、微小金属体８の周辺部から入射するた
め、効率良く透明集光用媒体６内に入射することがで
き、再生光を効率良く検出することが可能となり、再生
信号のＳ／Ｎを上げることができる。この結果、従来、
光デイスクメモリに常用されているＳｉ光検出器が使用
でき、ホトマルを使用しなくて済むので、光ヘッド１が
小型・軽量化できるとともに、高速度の読み出しが可能
となる。また、半導体レーザ２から出射されるレーザ光
２ｂは、その中央部が遮光体１６によって遮光され、透
明集光用媒体６に入射しないため、被集光面６ｂから伝
播光が発生するのを防げ、その伝播光による誤再生を防
止できる。なお、被集光面６ｂの微小金属体８局辺部に
使用するレーザ光の波長に合わせた反射防止膜（図示せ
ず）を形成してもよい。これにより、さらに信号再生用
反射光の透明集光用媒体６への入射効率を上げることが
できる。また、対物レンズ５の代わりに透過型ホログラ
ムや分布屈折率型集光媒体（図示せず）を使用してもよ
い。この場合には、ホログラムや分布屈折率型集光媒体
と透明集光用媒体とは一体化でき、光ヘッド１の高さを
下げることができる。
【００２８】図４（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２の実
施の形態に係る光ヘッドに用いる半導体レーザを示す。
この半導体レーザは、第Ｉの実施の形態の遮光体１６の
代わりに、半導体レーザの光出力面の光スポット位置に
その中心部を遮るように遮光体１６を設けたものであ
り、（ａ），（ｂ）は端面発光型半導体レーザを示し、
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、面発光型半導体レーザを示
す。
施の形態に係る光ヘッドに用いる半導体レーザを示す。
この半導体レーザは、第Ｉの実施の形態の遮光体１６の
代わりに、半導体レーザの光出力面の光スポット位置に
その中心部を遮るように遮光体１６を設けたものであ
り、（ａ），（ｂ）は端面発光型半導体レーザを示し、
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、面発光型半導体レーザを示
す。
【００２９】端面発光型半導体レーザ９０は、同図
（ａ），（ｂ）に示すように、電流狭窄層９４により発
振領域９３ａを限定する埋め込みリッジ型構造のレーザ
を示すが、他の型のレーザ構造も使用可能である。この
端面発光型半導体レーザ９０は、同図（ａ）に示すよう
に、半導体基板９１、ｎ型クラッド層９２ａ、活性層９
３、ｐ型クラッド層９２ｂ、電流狭窄層９４、キャップ
層９５、ｎ電極９６ａおよびｐ電極９６ｂを有し、同図
（ｂ）に示すように、後端に設けられた高反射の誘電体
多層膜９７ａと、出力面に設けられた低反射の誘電体多
層膜９７ｂと、誘電体多層膜９７ｂ上の活性層９３ａの
中心部延長上に形成された遮光体１６とを有する。この
ように構成された端面発光型半導体レーザ９０は、次に
ように製造される。まず、ｎ型ＧａＡｓからなる半導体
基板９１に、ｎ型クラッド層９２ａ、活性層９３、ｐ型
クラッド層９２ｂ、電流狭窄層９４、キャップ層９５を
エピタキシー成長により積層した後、ｎ電極９６ａとｐ
電極９６ｂを形成する。その後、同図（ｂ）に示すよう
に、ヘキ開により適当な長さに切り出した後、共振器形
成のために、後端には高反射の誘電体多層膜９７ａを、
出力面には低反射の誘電体多層膜９７ｂを形成した後、
誘電体多層膜９７ｂ上の活性層９３ａの中心部延長上に
遮光体１６を形成する。
（ａ），（ｂ）に示すように、電流狭窄層９４により発
振領域９３ａを限定する埋め込みリッジ型構造のレーザ
を示すが、他の型のレーザ構造も使用可能である。この
端面発光型半導体レーザ９０は、同図（ａ）に示すよう
に、半導体基板９１、ｎ型クラッド層９２ａ、活性層９
３、ｐ型クラッド層９２ｂ、電流狭窄層９４、キャップ
層９５、ｎ電極９６ａおよびｐ電極９６ｂを有し、同図
（ｂ）に示すように、後端に設けられた高反射の誘電体
多層膜９７ａと、出力面に設けられた低反射の誘電体多
層膜９７ｂと、誘電体多層膜９７ｂ上の活性層９３ａの
中心部延長上に形成された遮光体１６とを有する。この
ように構成された端面発光型半導体レーザ９０は、次に
ように製造される。まず、ｎ型ＧａＡｓからなる半導体
基板９１に、ｎ型クラッド層９２ａ、活性層９３、ｐ型
クラッド層９２ｂ、電流狭窄層９４、キャップ層９５を
エピタキシー成長により積層した後、ｎ電極９６ａとｐ
電極９６ｂを形成する。その後、同図（ｂ）に示すよう
に、ヘキ開により適当な長さに切り出した後、共振器形
成のために、後端には高反射の誘電体多層膜９７ａを、
出力面には低反射の誘電体多層膜９７ｂを形成した後、
誘電体多層膜９７ｂ上の活性層９３ａの中心部延長上に
遮光体１６を形成する。
【００３０】遮光体１６の形状としては、円形でも可能
であるが、矩形状の方が縦方向の位置精度が緩和でき、
好適である。また、矩形の長手方向を微小金属体８の長
手方向と平行になるように端面発光型半導体レーザ９０
を設けることにより、効率良く微小金属体８を照射する
ことができる。但し、端面発光型半導体レーザ９０は、
通常、活性層９３の垂直方向に偏光しており、このまま
では、収束光２ｃの偏光画はｓ偏波となるため、光路２
ｂ中に１／２波長板を挿入し、偏波面を９０度回転し、
ｐ偏波とすることにより、プラズモンの励起の効率を上
げることができる。この遮光体１６により、発振領域９
３ａの中心部での発振が抑えられ、発振モード９８は中
心強度が低いモードとなり、出力方向は９８ａ，９８ｂ
に示すように広がる。なお、発振モードは、遮光体１６
の戻り率に応じてＴＥＭ００モードあるはＴＥＭ００モ
ードとなる。この半導体レーザ９０のレーザ出力光を第
１の実施の形態に示すようにコリメートし、対物レンズ
５により集光して透明集光用媒体６に入射することによ
り、被集光面６ｂにおいて全反射する収束光が得られ
る。また、同時に超解像の集光効果を有しており、第１
の実施の形態と同様に、ＴＥＭ００モードを集光した場
合よりも２割方小さな光スポットが得られる。これによ
って微小金属体８周囲の被集光面６ｂから記録媒体１２
１へ透過する伝播光はなくなり、記録マークの微細化
と、再生信号の高ＳＮ化が可能となる。また、微小金属
体８への照射光は全反射光となり、また、入射角が増大
するため、プラズモン共鳴が生じやすくなり、近接場光
はさらに増強される（近接場ナノフォトニクス：オプト
ロニクス社、１９９７、P．１７７）。
であるが、矩形状の方が縦方向の位置精度が緩和でき、
好適である。また、矩形の長手方向を微小金属体８の長
手方向と平行になるように端面発光型半導体レーザ９０
を設けることにより、効率良く微小金属体８を照射する
ことができる。但し、端面発光型半導体レーザ９０は、
通常、活性層９３の垂直方向に偏光しており、このまま
では、収束光２ｃの偏光画はｓ偏波となるため、光路２
ｂ中に１／２波長板を挿入し、偏波面を９０度回転し、
ｐ偏波とすることにより、プラズモンの励起の効率を上
げることができる。この遮光体１６により、発振領域９
３ａの中心部での発振が抑えられ、発振モード９８は中
心強度が低いモードとなり、出力方向は９８ａ，９８ｂ
に示すように広がる。なお、発振モードは、遮光体１６
の戻り率に応じてＴＥＭ００モードあるはＴＥＭ００モ
ードとなる。この半導体レーザ９０のレーザ出力光を第
１の実施の形態に示すようにコリメートし、対物レンズ
５により集光して透明集光用媒体６に入射することによ
り、被集光面６ｂにおいて全反射する収束光が得られ
る。また、同時に超解像の集光効果を有しており、第１
の実施の形態と同様に、ＴＥＭ００モードを集光した場
合よりも２割方小さな光スポットが得られる。これによ
って微小金属体８周囲の被集光面６ｂから記録媒体１２
１へ透過する伝播光はなくなり、記録マークの微細化
と、再生信号の高ＳＮ化が可能となる。また、微小金属
体８への照射光は全反射光となり、また、入射角が増大
するため、プラズモン共鳴が生じやすくなり、近接場光
はさらに増強される（近接場ナノフォトニクス：オプト
ロニクス社、１９９７、P．１７７）。
【００３１】図４（ｃ）〜（ｅ）は、面発光型半導体レ
ーザ９０ａを示す。面発光型半導体レーザ９０ａは、同
図（ｃ）に示すように、Ａｓｏｘの拡散を用いた電流と
発振領域の狭窄層９４により発振領域９３ｂを限定する
埋め込みリッジ型構造のレーザを示すが、他の構成のも
のも使用可能である。この面発光型半導体レーザ９０ａ
は、半導体基板９１、ｎ型半導体高反射多層膜９７ｃ、
ｎ型スペーサ層９２ｃ、活性層９３、ｐ型スペーサ層９
２ｄ、狭窄層９４ａ、ｐ型高反射多層膜９７ｄ、ｎ電極
９６ａおよびｐ電極９６ｂを有する。このように構成さ
れた面発光型半導体レーザ９０ａは、次のように製造さ
れる。すなわち、ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板９１
に、共振器用のｎ型半導体高反射多層膜９７ｃ、ｎ型ス
ペーサ層９２ｃ、活性層９３、ｐ型スペーサ層９２ｄ、
電流と発振領域の狭窄層９４ａ、ｐ型高反射多層膜９７
ｃを順次エピタキシー成長により積層した後、ｎ電極９
６ａとｐ電極９６ｂを形成する。ｐ型電極９６ｂの形成
時に、同図（ｄ），（ｅ）に示すように、発振領域９３
ａの中心部延長上にｐ型電極９６ｂ形成用の金属により
遮光体１６を同時に形成する。
ーザ９０ａを示す。面発光型半導体レーザ９０ａは、同
図（ｃ）に示すように、Ａｓｏｘの拡散を用いた電流と
発振領域の狭窄層９４により発振領域９３ｂを限定する
埋め込みリッジ型構造のレーザを示すが、他の構成のも
のも使用可能である。この面発光型半導体レーザ９０ａ
は、半導体基板９１、ｎ型半導体高反射多層膜９７ｃ、
ｎ型スペーサ層９２ｃ、活性層９３、ｐ型スペーサ層９
２ｄ、狭窄層９４ａ、ｐ型高反射多層膜９７ｄ、ｎ電極
９６ａおよびｐ電極９６ｂを有する。このように構成さ
れた面発光型半導体レーザ９０ａは、次のように製造さ
れる。すなわち、ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板９１
に、共振器用のｎ型半導体高反射多層膜９７ｃ、ｎ型ス
ペーサ層９２ｃ、活性層９３、ｐ型スペーサ層９２ｄ、
電流と発振領域の狭窄層９４ａ、ｐ型高反射多層膜９７
ｃを順次エピタキシー成長により積層した後、ｎ電極９
６ａとｐ電極９６ｂを形成する。ｐ型電極９６ｂの形成
時に、同図（ｄ），（ｅ）に示すように、発振領域９３
ａの中心部延長上にｐ型電極９６ｂ形成用の金属により
遮光体１６を同時に形成する。
【００３２】面発光型半導体レーザ９０ａは、出力光に
対して軸対称であるため、同図（ｄ）に示すように、面
発光型半導体レーザ９０ａの光出力面における開口９６
ｃを２分するように矩形状の遮光体１６を設けてもよ
い。また、同図（ｅ）に示すように、開口９６ｃの中心
に円形の遮光体１６を設けてもよい。この場合は、軸対
称のＴＥＭ０１モードとなる。また、このようにして上
記の端面発光型半導体レーザ９０の場合と同様の効果が
得られる。また、このようにレーザ上に遮光体１６を設
けることにより、光路２ｂ中に遮光体を設置する必要が
なくなり、部品点数を減らせるとともに、位置合せの精
度が緩和される。
対して軸対称であるため、同図（ｄ）に示すように、面
発光型半導体レーザ９０ａの光出力面における開口９６
ｃを２分するように矩形状の遮光体１６を設けてもよ
い。また、同図（ｅ）に示すように、開口９６ｃの中心
に円形の遮光体１６を設けてもよい。この場合は、軸対
称のＴＥＭ０１モードとなる。また、このようにして上
記の端面発光型半導体レーザ９０の場合と同様の効果が
得られる。また、このようにレーザ上に遮光体１６を設
けることにより、光路２ｂ中に遮光体を設置する必要が
なくなり、部品点数を減らせるとともに、位置合せの精
度が緩和される。
【００３３】図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３の実
施の形態に係る光ヘッドの要部を示す。この第３の実施
の形態は、第１および第２の実施の形態のように、遮光
体を用いずに、少なくとも中心部の強度が周辺部よりも
弱いレーザ光を出射する半導体レーザを用いたものであ
る。同図（ａ）は、ｘ＝０，ｙ＝１のＴＥＭ０１モード
を示し、同図（ｂ）は、ｒ＝１，θ＝０のＴＥＭ０１モ
ードを示し、同図（ｃ）は、ｘ＝１，ｙ＝０のＴＥＭ１
０モードを示し、同図（ｄ）は、ｘ＝１，ｙ＝１のＴＥ
Ｍ１１モードを示す。いずれの場合も、少なくとも中央
部２００が低い光強度を有し、斜線で施した周辺部の領
域２１０に記録、再生に必要な光強度を有するレーザ光
を出射する。
施の形態に係る光ヘッドの要部を示す。この第３の実施
の形態は、第１および第２の実施の形態のように、遮光
体を用いずに、少なくとも中心部の強度が周辺部よりも
弱いレーザ光を出射する半導体レーザを用いたものであ
る。同図（ａ）は、ｘ＝０，ｙ＝１のＴＥＭ０１モード
を示し、同図（ｂ）は、ｒ＝１，θ＝０のＴＥＭ０１モ
ードを示し、同図（ｃ）は、ｘ＝１，ｙ＝０のＴＥＭ１
０モードを示し、同図（ｄ）は、ｘ＝１，ｙ＝１のＴＥ
Ｍ１１モードを示す。いずれの場合も、少なくとも中央
部２００が低い光強度を有し、斜線で施した周辺部の領
域２１０に記録、再生に必要な光強度を有するレーザ光
を出射する。
【００３４】図６は、本発明の第４の実施の形態に係る
光ヘッドの主要部を示す。この光ヘッド１は、透明集光
用媒体６を半球状（Solid Immersion lens:S I L型）
にしたものであり、他は第１の実施の形態と同様に構成
されている。透明集光用媒体６の入射面６ａに入射した
収束光２ｃは、球面の中心に集光する。この場合、収束
光２ｃは入射面６ａにおいて屈折しないため、透明集光
用媒体６中での開口数ＮＡは、対物レンズ５の出射時の
ＮＡと変わらず、屈折によってＮＡを増大することはで
きない。従って、この場合の光スポット径は次式（4）
のようになる。 Ｄ1/2 ＝ｋλ／（ｎ・ＮＡｏ） ……（4） ここに、ＮＡｏ：ＳＩＬ型の透明集光用媒体６への入射
光の開口数
光ヘッドの主要部を示す。この光ヘッド１は、透明集光
用媒体６を半球状（Solid Immersion lens:S I L型）
にしたものであり、他は第１の実施の形態と同様に構成
されている。透明集光用媒体６の入射面６ａに入射した
収束光２ｃは、球面の中心に集光する。この場合、収束
光２ｃは入射面６ａにおいて屈折しないため、透明集光
用媒体６中での開口数ＮＡは、対物レンズ５の出射時の
ＮＡと変わらず、屈折によってＮＡを増大することはで
きない。従って、この場合の光スポット径は次式（4）
のようになる。 Ｄ1/2 ＝ｋλ／（ｎ・ＮＡｏ） ……（4） ここに、ＮＡｏ：ＳＩＬ型の透明集光用媒体６への入射
光の開口数
【００３５】上記第４の実施の形態に係る光ヘッド１に
よれば、第１の実施の形態と同様に近接場光１０の直径
は微小金属体８のサイズで決まり、光スポット９の直径
に依存しないので、収差や位置ずれ等の影響は少ないた
め、ＮＡｏは０．８と従来のＳＩＬを用いた光ヘッドに
比べて比較的大きくでき、第１の実施の形態のＳｕｐｅ
ｒ ＳＩＬ構造と同等の集光が可能となる。
よれば、第１の実施の形態と同様に近接場光１０の直径
は微小金属体８のサイズで決まり、光スポット９の直径
に依存しないので、収差や位置ずれ等の影響は少ないた
め、ＮＡｏは０．８と従来のＳＩＬを用いた光ヘッドに
比べて比較的大きくでき、第１の実施の形態のＳｕｐｅ
ｒ ＳＩＬ構造と同等の集光が可能となる。
【００３６】図７は、本発明の第５の実施の形態に係る
光ヘッドの主要部を示す。この光ヘッド１は、同図
（ａ）に示すように、レーザビーム２ａを出射する半導
体レーザ２と、半導体レーザ２からのレーザビーム２ａ
を平行ビーム２ｂに整形するコリメータレンズ３と、コ
リメータレンズ３からの平行ビーム２ｂの中心部を遮光
する遮光体１６と、遮光体１６によって中央部が遮光さ
れた平行ビーム２ｂを集光し、被集光面６ｂに光スポッ
ト９を形成する透明集光用媒体６と、透明集光用媒体６
の反射面６ｅの表面に被着形成された反射膜１１と、透
明集光用媒体６の披集光面６ｂに埋め込まれた微小金属
体８とを有する。
光ヘッドの主要部を示す。この光ヘッド１は、同図
（ａ）に示すように、レーザビーム２ａを出射する半導
体レーザ２と、半導体レーザ２からのレーザビーム２ａ
を平行ビーム２ｂに整形するコリメータレンズ３と、コ
リメータレンズ３からの平行ビーム２ｂの中心部を遮光
する遮光体１６と、遮光体１６によって中央部が遮光さ
れた平行ビーム２ｂを集光し、被集光面６ｂに光スポッ
ト９を形成する透明集光用媒体６と、透明集光用媒体６
の反射面６ｅの表面に被着形成された反射膜１１と、透
明集光用媒体６の披集光面６ｂに埋め込まれた微小金属
体８とを有する。
【００３７】透明集光用媒体６は、例えば、重フリント
ガラス（屈折率＝１．９１）からなり平行ビーム２ｂが
入射する入射面６ａと、入射面６ａに入射した平行ビー
ム２ｂを反射させる反射面６ｅと、光スポット９が形成
される被集光面６ｂとを有する反射面６ｅは、回転放物
面の一部を用いている。回転放物面の断面（６ｅ）の主
軸をｘ軸に、垂直軸をｙ軸に採り、焦点位置を（ｐ，
０）とすると、断面（６ｅ）は、次の式（５）で表され
る。 Ｙ2＝４ｐｘ ……（５）
ガラス（屈折率＝１．９１）からなり平行ビーム２ｂが
入射する入射面６ａと、入射面６ａに入射した平行ビー
ム２ｂを反射させる反射面６ｅと、光スポット９が形成
される被集光面６ｂとを有する反射面６ｅは、回転放物
面の一部を用いている。回転放物面の断面（６ｅ）の主
軸をｘ軸に、垂直軸をｙ軸に採り、焦点位置を（ｐ，
０）とすると、断面（６ｅ）は、次の式（５）で表され
る。 Ｙ2＝４ｐｘ ……（５）
【００３８】また、回転放物面を用いて透明集光用媒体
６の内部で集光する場合、原理的に無収差の集光が可能
であり（光学：久保田広、岩波書店、Ｐ．２８３）、単
一の集光性の反射体で光スポット９を集光することが可
能になる。また、この方式では、透明集光用媒体６の屈
折率と反射面６ｅによる集光の開口数ＮＡに限定がな
く、屈折率が高い場合でも、ＮＡは１に近い値を採り得
る。従って、この場合の光スポット径は次式（６）のよ
うに与えられる。 Ｄ1/2 ＝ｋλ／（ｎ・ＮＡｒ） ……（6） ここに、ＮＡｒ：反射面６ｅの反射光の開口数
６の内部で集光する場合、原理的に無収差の集光が可能
であり（光学：久保田広、岩波書店、Ｐ．２８３）、単
一の集光性の反射体で光スポット９を集光することが可
能になる。また、この方式では、透明集光用媒体６の屈
折率と反射面６ｅによる集光の開口数ＮＡに限定がな
く、屈折率が高い場合でも、ＮＡは１に近い値を採り得
る。従って、この場合の光スポット径は次式（６）のよ
うに与えられる。 Ｄ1/2 ＝ｋλ／（ｎ・ＮＡｒ） ……（6） ここに、ＮＡｒ：反射面６ｅの反射光の開口数
【００３９】回転放物面の焦点位置のｐを０．１２５ｍ
ｍとし、回転放物面の上端を（ｘ，ｙ）＝（２ｍｍ，１
ｍｍ）とすると、この上端からの収束角は６０度以上が
得られ、この反射面６ｃのＮＡは０．９８となり、従来
のＤＶＤにおけるＮＡ＝０．６の１．６倍以上に大きく
なる。
ｍとし、回転放物面の上端を（ｘ，ｙ）＝（２ｍｍ，１
ｍｍ）とすると、この上端からの収束角は６０度以上が
得られ、この反射面６ｃのＮＡは０．９８となり、従来
のＤＶＤにおけるＮＡ＝０．６の１．６倍以上に大きく
なる。
【００４０】遮光体１６は、本実施の形態では、コリメ
ータレンズ３の光出力面に形成している。半導体レーザ
２からの平行ビーム２ｂは、透明集光用媒体６の集光特
性を考慮して楕円状を有しており、本実施の形態の遮光
体１６の形状もその楕円状の平行ビーム２ｂの形状に対
応させて楕円状を有する。
ータレンズ３の光出力面に形成している。半導体レーザ
２からの平行ビーム２ｂは、透明集光用媒体６の集光特
性を考慮して楕円状を有しており、本実施の形態の遮光
体１６の形状もその楕円状の平行ビーム２ｂの形状に対
応させて楕円状を有する。
【００４１】上記第５の実施の形態に係る光ヘッド１に
よれば、ＮＡｒは、実際には設計余裕を見るため、０．
９程度が限界であるが、赤色レーザ（波長６３０ｎｍ）
と青色レーザ（４００ｎｍ）を用いた場合、それぞれ光
スポット径として０．１９μｍ、０．１２μｍまで絞る
ことができ、微小金属体８から扉み出す近接場光１０の
光量すなわち光利用効率は第１の実施の形態に比べて約
２０％程度増加させることができる。また、反射型の集
光のため、色収差が生じない。また、本実施の形態の光
学系は、いわゆる無限系、すなわちコリメータレンズ３
と透明集光用媒体６の入射面６ａとの間のレーザビーム
２ｂは平行となっているため、温度変動に対する焦点位
置ずれが小さい。また、レーザ光２ｂの光路中に設けた
遮光体１６により、第１の実施の形態と同様に、誤再生
を防止できる。透明集光用媒体６の反射面６ｅは、回転
放物面を用いているため、平行光ビーム２ｂと透明集光
用媒体６の相対位置がずれても、光スポット９の位置が
変勤しないため、それぞれの位置合わせ精度が大幅に緩
和でき、製作上非常に有利である。
よれば、ＮＡｒは、実際には設計余裕を見るため、０．
９程度が限界であるが、赤色レーザ（波長６３０ｎｍ）
と青色レーザ（４００ｎｍ）を用いた場合、それぞれ光
スポット径として０．１９μｍ、０．１２μｍまで絞る
ことができ、微小金属体８から扉み出す近接場光１０の
光量すなわち光利用効率は第１の実施の形態に比べて約
２０％程度増加させることができる。また、反射型の集
光のため、色収差が生じない。また、本実施の形態の光
学系は、いわゆる無限系、すなわちコリメータレンズ３
と透明集光用媒体６の入射面６ａとの間のレーザビーム
２ｂは平行となっているため、温度変動に対する焦点位
置ずれが小さい。また、レーザ光２ｂの光路中に設けた
遮光体１６により、第１の実施の形態と同様に、誤再生
を防止できる。透明集光用媒体６の反射面６ｅは、回転
放物面を用いているため、平行光ビーム２ｂと透明集光
用媒体６の相対位置がずれても、光スポット９の位置が
変勤しないため、それぞれの位置合わせ精度が大幅に緩
和でき、製作上非常に有利である。
【００４２】図８は、本発明の第６実施の形態に係る光
ヘッドの主要部を示す。この光ヘッド１は、平面状の反
射面６ｅを有する透明集光用媒体６を用い、反射面６ｅ
の表面に反射膜１１として反射型ホログラムを用いたも
のであり、他は第５の実施の形態と同様に構成されてい
る。反射型ホログラムとしては、凹凸型のバイナリホロ
グラムでも有機感光材料等からなるボリュームホログラ
ムでもよい。また、これらのホログラムの外側にアルミ
ニウム等の高反射金属層からなる反射膜を被着してもよ
い。透明集光用媒体６の反射面６ｅを平面状とすること
により、第５の実施の形態と比較して生産性を上げるこ
とができる。
ヘッドの主要部を示す。この光ヘッド１は、平面状の反
射面６ｅを有する透明集光用媒体６を用い、反射面６ｅ
の表面に反射膜１１として反射型ホログラムを用いたも
のであり、他は第５の実施の形態と同様に構成されてい
る。反射型ホログラムとしては、凹凸型のバイナリホロ
グラムでも有機感光材料等からなるボリュームホログラ
ムでもよい。また、これらのホログラムの外側にアルミ
ニウム等の高反射金属層からなる反射膜を被着してもよ
い。透明集光用媒体６の反射面６ｅを平面状とすること
により、第５の実施の形態と比較して生産性を上げるこ
とができる。
【００４３】図９は、本発明の第７の実施の形態に係る
光ヘッドの主要部を示す。この光ヘッド１は、同図
（ａ）に示すように、透明集光用媒体６にＳＩＭ（Soli
d Immersion Mirror）型と称せられているものを用いた
ものであり、レーザビーム２ａを出射する半導体レーザ
２と、半導体レーザ２からのレーザビーム２ａを平行ビ
ーム２ｂに整形するコリメータレンズ３と、コリメータ
レンズ３からの平行ビーム２ｂの中央部を遮光する遮光
体１６と、遮光体１６によって中央部が遮光された平行
ビーム２ｂを垂直方向に反射するミラー４と、ミラー４
からの平行ビーム２ｂが入射する凹球面状の入射面６
ａ、入射面６ａに対向する位置に設けられた被集光面６
ｂ、および入射面６ａの周囲に形成された非球面状の反
射面６ｅを有する透明集光用媒体６と、透明集光用媒体
６の反射面６ｅの表面に被着形成された反射膜１１と、
透明集光用媒体６の被集光面６ｂの光スポット９に対応
する位置に設けられた微小金属体８と、透明集光用媒体
６の被集光面６ｂに光スポット９より大なる内径を有す
る反射膜７とを有する。
光ヘッドの主要部を示す。この光ヘッド１は、同図
（ａ）に示すように、透明集光用媒体６にＳＩＭ（Soli
d Immersion Mirror）型と称せられているものを用いた
ものであり、レーザビーム２ａを出射する半導体レーザ
２と、半導体レーザ２からのレーザビーム２ａを平行ビ
ーム２ｂに整形するコリメータレンズ３と、コリメータ
レンズ３からの平行ビーム２ｂの中央部を遮光する遮光
体１６と、遮光体１６によって中央部が遮光された平行
ビーム２ｂを垂直方向に反射するミラー４と、ミラー４
からの平行ビーム２ｂが入射する凹球面状の入射面６
ａ、入射面６ａに対向する位置に設けられた被集光面６
ｂ、および入射面６ａの周囲に形成された非球面状の反
射面６ｅを有する透明集光用媒体６と、透明集光用媒体
６の反射面６ｅの表面に被着形成された反射膜１１と、
透明集光用媒体６の被集光面６ｂの光スポット９に対応
する位置に設けられた微小金属体８と、透明集光用媒体
６の被集光面６ｂに光スポット９より大なる内径を有す
る反射膜７とを有する。
【００４４】次に、第７の実施の形態に係る光ヘッド１
の動作を説明する。半導体レーザ２からレーザビーム２
ａを出射すると、そのレーザビーム２ａはコリメータレ
ンズ３によって整形され、その中央部が遮光体１６によ
って遮光され、ミラー４で反射された後、透明集光用媒
体６の入射面６ａに入射する。入射面６ａに入射した平
行ビーム２ｂは、入射面６ａで拡散され、その拡散光２
ｄは、反射膜７で反射し、その反射光２ｅは、反射膜１
１で反射して被集光面６ｂに集光し、被集光面６ｂに光
スポット９が形成され、微小金属体８から近接場光１０
が染み出す。微小金属体８から染み出した近接場光１０
は、ディスク１２の記録媒体１２１中に入射し、この光
によって記録媒体１２１への記録および読み出しが可能
になる。
の動作を説明する。半導体レーザ２からレーザビーム２
ａを出射すると、そのレーザビーム２ａはコリメータレ
ンズ３によって整形され、その中央部が遮光体１６によ
って遮光され、ミラー４で反射された後、透明集光用媒
体６の入射面６ａに入射する。入射面６ａに入射した平
行ビーム２ｂは、入射面６ａで拡散され、その拡散光２
ｄは、反射膜７で反射し、その反射光２ｅは、反射膜１
１で反射して被集光面６ｂに集光し、被集光面６ｂに光
スポット９が形成され、微小金属体８から近接場光１０
が染み出す。微小金属体８から染み出した近接場光１０
は、ディスク１２の記録媒体１２１中に入射し、この光
によって記録媒体１２１への記録および読み出しが可能
になる。
【００４５】上記第７の実施の形態に係る光ヘッド１に
よれば、第１の実施の形態と同様にトラック方向Ｘの記
録密度を増大させることができるとともに、第１の実施
の形態で用いた対物レンズが不要であるので、構成の簡
素化が図れる。また、透明集光用媒体６が膨張あるいは
収縮しても集光点が変化しないので、温度変化にも対応
できる。
よれば、第１の実施の形態と同様にトラック方向Ｘの記
録密度を増大させることができるとともに、第１の実施
の形態で用いた対物レンズが不要であるので、構成の簡
素化が図れる。また、透明集光用媒体６が膨張あるいは
収縮しても集光点が変化しないので、温度変化にも対応
できる。
【００４６】また、光スポットの径は、上記したように
０．２μｍ程度以下であり、効率よく０．１μｍ以下の
微小金属体８に光を入射するためには、光スポット９と
微小金属体８の位置合わせは、少なくとも０．１μｍ以
下の誤差で合わせる必要がある。第１の実施の形態で示
したようなＳＩＬを用いた集光では、対物レンズ５を用
いて集光を行い、その収束光をＳＩＬに入射するため、
入射光、対物レンズ５およびＳＩＬの相対位置によって
光スポット９の位置が変動するので、上記三者の位置を
高精度に合わせなければならない。一方、第５および第
６の実施の形態で示した光ヘッド１においては、集光の
ための対物レンズを用いず、かつ、平行ビーム２ｂを本
実施例の透明集光用媒体６に直接入射させることによ
り、平行ビーム２ｂと透明集光用媒体６の相対位置がず
れても、光スポット９の位置が変動しないようにでき
る。そのため、それぞれの位置合わせ精度が大幅に緩和
でき、製作上非常に有利である。
０．２μｍ程度以下であり、効率よく０．１μｍ以下の
微小金属体８に光を入射するためには、光スポット９と
微小金属体８の位置合わせは、少なくとも０．１μｍ以
下の誤差で合わせる必要がある。第１の実施の形態で示
したようなＳＩＬを用いた集光では、対物レンズ５を用
いて集光を行い、その収束光をＳＩＬに入射するため、
入射光、対物レンズ５およびＳＩＬの相対位置によって
光スポット９の位置が変動するので、上記三者の位置を
高精度に合わせなければならない。一方、第５および第
６の実施の形態で示した光ヘッド１においては、集光の
ための対物レンズを用いず、かつ、平行ビーム２ｂを本
実施例の透明集光用媒体６に直接入射させることによ
り、平行ビーム２ｂと透明集光用媒体６の相対位置がず
れても、光スポット９の位置が変動しないようにでき
る。そのため、それぞれの位置合わせ精度が大幅に緩和
でき、製作上非常に有利である。
【００４７】図１０は、本発明の第８の実施の形態に係
る光磁気ヘッドを示す。本実施の形態は、光アシスト磁
気記録に適した光磁気ヘッドであり、本実施の形態にお
いては、再生には、主にスピンバルブ膜１８ａと電極１
８ｂから構成されるＧＭＲ（Giant Magneto‐resistiv
e）センサ１８を、記録には、レーザ光１０の他に電磁
石１７とを使用している点が第５の実施の形態と異な
り、他は第５の実施の形態と同様に構成されている。こ
のような構成により、微小金属体８から染み出す近接場
光１０を磁気記録媒体１２１の記録部に照射して記録部
を加熱することにより保磁力を低下させ、電磁石１７に
より印加される変調磁界とにより、磁性記録媒体１２１
に記録する。磁気記録媒体１２１としては、通常のＣｏ
−Ｃｒ―Ｔａ等の面内記録膜や垂直記録膜、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ／ＴｅＦｅＣｏ等の光磁気記録膜等が使用でき
る。
る光磁気ヘッドを示す。本実施の形態は、光アシスト磁
気記録に適した光磁気ヘッドであり、本実施の形態にお
いては、再生には、主にスピンバルブ膜１８ａと電極１
８ｂから構成されるＧＭＲ（Giant Magneto‐resistiv
e）センサ１８を、記録には、レーザ光１０の他に電磁
石１７とを使用している点が第５の実施の形態と異な
り、他は第５の実施の形態と同様に構成されている。こ
のような構成により、微小金属体８から染み出す近接場
光１０を磁気記録媒体１２１の記録部に照射して記録部
を加熱することにより保磁力を低下させ、電磁石１７に
より印加される変調磁界とにより、磁性記録媒体１２１
に記録する。磁気記録媒体１２１としては、通常のＣｏ
−Ｃｒ―Ｔａ等の面内記録膜や垂直記録膜、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ／ＴｅＦｅＣｏ等の光磁気記録膜等が使用でき
る。
【００４８】遮光体１６は、本実施の形態では、透明集
光用媒体６の入射面６ａに形成している。半導体レーザ
２からの平行ビーム２ｂは、同図（ｄ）に示すように、
透明集光用媒体６の集光特性を考慮して楕円状を有して
おり、本実施の形態の遮光体１６の形状もその楕円状の
平行ビーム２ｂの形状に対応させて楕円状を有する。な
お、平行ビーム２ｂの少なくとも中央部を遮光する形状
ならば、同図（ｅ）に示すように縦方向に長い矩形状で
もよく、同図（ｆ）に示すように、横方向に長い矩形状
でもよい。
光用媒体６の入射面６ａに形成している。半導体レーザ
２からの平行ビーム２ｂは、同図（ｄ）に示すように、
透明集光用媒体６の集光特性を考慮して楕円状を有して
おり、本実施の形態の遮光体１６の形状もその楕円状の
平行ビーム２ｂの形状に対応させて楕円状を有する。な
お、平行ビーム２ｂの少なくとも中央部を遮光する形状
ならば、同図（ｅ）に示すように縦方向に長い矩形状で
もよく、同図（ｆ）に示すように、横方向に長い矩形状
でもよい。
【００４９】この第８の実施の形態によれば、近接場光
１０により磁性記録媒体１２１を加熱することにより保
磁力を下げて記録するため、常温において保磁力の高い
磁性媒体でも記録でき、記録の熱安定性を増すことがで
きる。この結果、記録磁区の縮小が図れ、高密度化が可
能となる。なお、第３〜第８の実施の形態の光ヘッドに
おいて、第２の実施の形態で用いた遮光体付き半導体レ
ーザを用いてもよい。
１０により磁性記録媒体１２１を加熱することにより保
磁力を下げて記録するため、常温において保磁力の高い
磁性媒体でも記録でき、記録の熱安定性を増すことがで
きる。この結果、記録磁区の縮小が図れ、高密度化が可
能となる。なお、第３〜第８の実施の形態の光ヘッドに
おいて、第２の実施の形態で用いた遮光体付き半導体レ
ーザを用いてもよい。
【００５０】図１１は、本発明の第９の実施の形態に係
るディスク装置を示す。このディスク装置１００は、円
盤状のプラスチック板１２０の一方の面にＧｅＳｂＴｅ
の相変化材料からなる記録媒体１２１が形成され、図示
しないモータによって回転軸３０を介して回転する光デ
ィスク１２と、光ディスク１２の記録媒体１２１に対し
光記録／光再生を行う光ヘッド１と、光ヘッド１をトラ
ッキング方向３１に移動させるり二アモータ３２と、リ
ニアモータ３２側から光ヘッド１を支持するサスペンシ
ョン３３と、光ヘッド１を駆動する光ヘッド駆動系３４
と、光ヘッド１から得られた信号を処理するとともに、
光ヘッド駆動系３４を制御する信号処理系３５とを有す
る。リニアモータ３２は、トラッキング方向３１に沿っ
て設けられた一対の固定部３２ａと、一対の固定部３２
ａ上を移動する可動コイル３２ｂとを備える。この可動
コイル３２ｂから上記サスペンション３３によって光ヘ
ッド１を支持している。
るディスク装置を示す。このディスク装置１００は、円
盤状のプラスチック板１２０の一方の面にＧｅＳｂＴｅ
の相変化材料からなる記録媒体１２１が形成され、図示
しないモータによって回転軸３０を介して回転する光デ
ィスク１２と、光ディスク１２の記録媒体１２１に対し
光記録／光再生を行う光ヘッド１と、光ヘッド１をトラ
ッキング方向３１に移動させるり二アモータ３２と、リ
ニアモータ３２側から光ヘッド１を支持するサスペンシ
ョン３３と、光ヘッド１を駆動する光ヘッド駆動系３４
と、光ヘッド１から得られた信号を処理するとともに、
光ヘッド駆動系３４を制御する信号処理系３５とを有す
る。リニアモータ３２は、トラッキング方向３１に沿っ
て設けられた一対の固定部３２ａと、一対の固定部３２
ａ上を移動する可動コイル３２ｂとを備える。この可動
コイル３２ｂから上記サスペンション３３によって光ヘ
ッド１を支持している。
【００５１】図１２は、光ディスク１２の詳細を示す。
この光ディスク１２は、光ヘッド１によって形成される
近接場光１０の微小化に対応して高記録密度化を図った
ものである。プラスチック板１２０は、例えば、ポリカ
ーボネート基板等が用いられ、この光ディスク１２は、
一方の面に、Ａｌ反射膜層（１００ｎｍ厚）１２１ハＳ
ｉＯ２層（１００ｎｍ厚）１２１ｂ、ＧｅＳｂＴｅ記録
層（１５ｎｍ厚）１２１ｃ、ＳＩＮ層（５０ｎｍ厚）１
２１ｄを積層して記録媒体１２１を形成したものであ
る。本実施の形態では、マーク長は０．０５μｍ、記録
密度は１３０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ２であり、１２ｃｍ
ディスクでは２１０ＧＢの記録容量に相当し、従来のＤ
ＶＤの４５倍に高記録密度化できる。
この光ディスク１２は、光ヘッド１によって形成される
近接場光１０の微小化に対応して高記録密度化を図った
ものである。プラスチック板１２０は、例えば、ポリカ
ーボネート基板等が用いられ、この光ディスク１２は、
一方の面に、Ａｌ反射膜層（１００ｎｍ厚）１２１ハＳ
ｉＯ２層（１００ｎｍ厚）１２１ｂ、ＧｅＳｂＴｅ記録
層（１５ｎｍ厚）１２１ｃ、ＳＩＮ層（５０ｎｍ厚）１
２１ｄを積層して記録媒体１２１を形成したものであ
る。本実施の形態では、マーク長は０．０５μｍ、記録
密度は１３０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ２であり、１２ｃｍ
ディスクでは２１０ＧＢの記録容量に相当し、従来のＤ
ＶＤの４５倍に高記録密度化できる。
【００５２】図１３は、本発明の第９の実施の形態に係
る光ヘッド１を示す。光ヘッド１は、光ディスク１２上
を浮上する浮上スライダ３６を有し、この浮上スライダ
３６上に、例えば、ＡＩＧａｌｎＰからなり、波長６３
０ｎｍのレーザビーム２ａを出射する端面発光型の半導
体レーザ２と、半導体レーザ２から出射されたレーザビ
ーム２ａを平行ビーム２ｂに整形するコリメータレンズ
３と、浮上スライダ３６上に取り付けられた溶融石英板
からなる座板３７Ａと、半導体レーザ２およびコリメー
タレンズ３を座板３７Ａ上に固定する溶融石英板からな
るホルダ３７Ｂと半導体レーザ２からの平行ビーム２ｂ
の中央部を遮光する遮光体１６と、半導体レーザ２から
の中央部が遮光された平行ビーム２ｂと光ディスク１２
からの反射光とを分離する偏光ビームスプリッタ１３
と、半導体レーザ２からの平行ビーム２ｂの直線偏光を
円偏光にする１／４波長板３８と、平行ビーム２ｂを垂
直方向に反射するミラー４と、ミラー４で反射した平行
ビーム２ｂを収束させる対物レンズ５および上部透明集
光用媒体６’と、座板３７Ａに取り付けられ、光ディス
ク１２からの反射光をビームスプリッタ１３を介して入
力する光検出器１５と、を各々配置している。また、全
体はヘッドケース３９内に収納され、ヘッドケース３９
は、サスペンション３３の先端に固定されている。
る光ヘッド１を示す。光ヘッド１は、光ディスク１２上
を浮上する浮上スライダ３６を有し、この浮上スライダ
３６上に、例えば、ＡＩＧａｌｎＰからなり、波長６３
０ｎｍのレーザビーム２ａを出射する端面発光型の半導
体レーザ２と、半導体レーザ２から出射されたレーザビ
ーム２ａを平行ビーム２ｂに整形するコリメータレンズ
３と、浮上スライダ３６上に取り付けられた溶融石英板
からなる座板３７Ａと、半導体レーザ２およびコリメー
タレンズ３を座板３７Ａ上に固定する溶融石英板からな
るホルダ３７Ｂと半導体レーザ２からの平行ビーム２ｂ
の中央部を遮光する遮光体１６と、半導体レーザ２から
の中央部が遮光された平行ビーム２ｂと光ディスク１２
からの反射光とを分離する偏光ビームスプリッタ１３
と、半導体レーザ２からの平行ビーム２ｂの直線偏光を
円偏光にする１／４波長板３８と、平行ビーム２ｂを垂
直方向に反射するミラー４と、ミラー４で反射した平行
ビーム２ｂを収束させる対物レンズ５および上部透明集
光用媒体６’と、座板３７Ａに取り付けられ、光ディス
ク１２からの反射光をビームスプリッタ１３を介して入
力する光検出器１５と、を各々配置している。また、全
体はヘッドケース３９内に収納され、ヘッドケース３９
は、サスペンション３３の先端に固定されている。
【００５３】上部透明集光用媒体６’は、例えば、屈折
率ｎ＝１．９１を有する重フリントガラスからなり、直
径１ｍｍ、高さ約１．３ｍｍを有し、図１〜図３に示す
透明集光用媒体６と同様に、Ｓｕｐｅｒ ＳＩＬ構造で
あるが、浮上スライダ３６を上部透明集光用媒体６’と
ほぼ等しい屈折率を有する透明媒体から構成し、浮上ス
ライダ３６の被集光面３６ａに光スポット９が形成され
る。すなわち、上部透明集光用媒体６’と浮上スライダ
３６とで一体の透明集光媒体を構成する。浮上スライダ
３６の被集光面３６ａには、第１の実施の形態と同様
に、微小金属体８が設けられている。
率ｎ＝１．９１を有する重フリントガラスからなり、直
径１ｍｍ、高さ約１．３ｍｍを有し、図１〜図３に示す
透明集光用媒体６と同様に、Ｓｕｐｅｒ ＳＩＬ構造で
あるが、浮上スライダ３６を上部透明集光用媒体６’と
ほぼ等しい屈折率を有する透明媒体から構成し、浮上ス
ライダ３６の被集光面３６ａに光スポット９が形成され
る。すなわち、上部透明集光用媒体６’と浮上スライダ
３６とで一体の透明集光媒体を構成する。浮上スライダ
３６の被集光面３６ａには、第１の実施の形態と同様
に、微小金属体８が設けられている。
【００５４】浮上スライダ３６は、図１３（ｂ）に示す
ように、被集光面３６ａに形成される光スポット９の周
辺部以外の部分に負圧を生じるように溝３６ｂを形成し
ている。スライダ凸部３６ｃにおける正圧とこの溝３６
ｂによる負圧とサスペンション３３のばね力との作用に
よって浮上スライダ３６と光ディスク１２との間隔が浮
上量として一定に保たれる。
ように、被集光面３６ａに形成される光スポット９の周
辺部以外の部分に負圧を生じるように溝３６ｂを形成し
ている。スライダ凸部３６ｃにおける正圧とこの溝３６
ｂによる負圧とサスペンション３３のばね力との作用に
よって浮上スライダ３６と光ディスク１２との間隔が浮
上量として一定に保たれる。
【００５５】光ヘッド駆動系３４は、記録時に、半導体
レーザ２の出力光を記録信号により変調することによ
り、記録媒体１２１に結晶／アモルファス間の相変化を
生じさせ、その間の反射率の違いとして記録し、再生時
には、半導体レーザ２の出力光を変調せずに、連続して
照射し、記録媒体１２１での反射率の違いを反射光の変
動として光検出器１５により検出するようになってい
る。
レーザ２の出力光を記録信号により変調することによ
り、記録媒体１２１に結晶／アモルファス間の相変化を
生じさせ、その間の反射率の違いとして記録し、再生時
には、半導体レーザ２の出力光を変調せずに、連続して
照射し、記録媒体１２１での反射率の違いを反射光の変
動として光検出器１５により検出するようになってい
る。
【００５６】信号処理系３５は、光検出器１５が検出し
た光ディスク１２からの反射光に基づいてトラッキング
制御用の誤差信号およびデータ信号を生成し、誤差信号
をハイパスフィルタとローパスフィルタによって高周波
域の誤差信号と低周波域の誤差信号を形成し、これらの
誤差信号に基づいて光ヘッド駆動系３４に対しトラッキ
ング制御を行うものである。ここでは、トラッキング用
の誤差信号をサンプルサーボ方式（光ディスク技術、ラ
ジオ技術社、Ｐ．９５）によって生成するようになって
おり、このサンプルサーボ方式は、千鳥マーク（Ｗｏｂ
ｂｌｃｄ Ｔｒａｃｋ）を間欠的にトラック上に設け、
それからの反射強度の変動から誤差信号を生成する方式
である。サンプルサーボ方式の場合、記録信号とトラッ
キング誤差信号とは時分割的に分離されているので、両
者の分離は再生回路におけるゲート回路によって行う。
また、サンプルサーポ方式を用いる場合には、受光面が
１つの光検出器を用いることになるので、自己結合効果
を有する半導体レーザを光検出器として併用する、いわ
ゆるＳＣＯＯＰ方式と組み合わせるのに好適である従っ
て、半導体レーザ２の出力側端面に反射防止膜を施し、
半導体レーザ２の後端面と、被集光面３６ｂあるいは記
録媒体１２１とにより半導体レーザ２の共振器を構成す
ることにより、ＳＣＯＯＰ型の光検出を行ってもよい。
た光ディスク１２からの反射光に基づいてトラッキング
制御用の誤差信号およびデータ信号を生成し、誤差信号
をハイパスフィルタとローパスフィルタによって高周波
域の誤差信号と低周波域の誤差信号を形成し、これらの
誤差信号に基づいて光ヘッド駆動系３４に対しトラッキ
ング制御を行うものである。ここでは、トラッキング用
の誤差信号をサンプルサーボ方式（光ディスク技術、ラ
ジオ技術社、Ｐ．９５）によって生成するようになって
おり、このサンプルサーボ方式は、千鳥マーク（Ｗｏｂ
ｂｌｃｄ Ｔｒａｃｋ）を間欠的にトラック上に設け、
それからの反射強度の変動から誤差信号を生成する方式
である。サンプルサーボ方式の場合、記録信号とトラッ
キング誤差信号とは時分割的に分離されているので、両
者の分離は再生回路におけるゲート回路によって行う。
また、サンプルサーポ方式を用いる場合には、受光面が
１つの光検出器を用いることになるので、自己結合効果
を有する半導体レーザを光検出器として併用する、いわ
ゆるＳＣＯＯＰ方式と組み合わせるのに好適である従っ
て、半導体レーザ２の出力側端面に反射防止膜を施し、
半導体レーザ２の後端面と、被集光面３６ｂあるいは記
録媒体１２１とにより半導体レーザ２の共振器を構成す
ることにより、ＳＣＯＯＰ型の光検出を行ってもよい。
【００５７】また、本実施の形態では、再生光が光検出
器１５に入射する手前に浮上スライダ３６の被集光面３
６ａにおいて全反射して光検出器１５に到達するレーザ
光を遮光するように、所定の開口１６ｂを有し、光路の
周辺部のみを遮光する遮光体１６ａを挿入している。上
記の全反射光は、再生信号成分を有せず、ノイズの原因
となり、また、むしろディスク１２からの再生信号光よ
りも強いため、上記の全反射光が光検出器１５に入射す
ると、ＤＣレベルを上げることになるため、光検出器１
５のＤＣ増幅率を上げることができず、ＳＮを高く取れ
ない。上記の全反射光は、光路の周辺部を通過し、ま
た、ディスク１２の反射光は、透明集光用媒体６内にお
いて原理的に臨界角よりも大きな角度を有することはな
いため、上記の遮光体１６ａにより両者を分離でき、光
検出器１５には、ディスク１２からの信号再生光のみが
入射するため、ＳＮの高い信号再生が可能となる。
器１５に入射する手前に浮上スライダ３６の被集光面３
６ａにおいて全反射して光検出器１５に到達するレーザ
光を遮光するように、所定の開口１６ｂを有し、光路の
周辺部のみを遮光する遮光体１６ａを挿入している。上
記の全反射光は、再生信号成分を有せず、ノイズの原因
となり、また、むしろディスク１２からの再生信号光よ
りも強いため、上記の全反射光が光検出器１５に入射す
ると、ＤＣレベルを上げることになるため、光検出器１
５のＤＣ増幅率を上げることができず、ＳＮを高く取れ
ない。上記の全反射光は、光路の周辺部を通過し、ま
た、ディスク１２の反射光は、透明集光用媒体６内にお
いて原理的に臨界角よりも大きな角度を有することはな
いため、上記の遮光体１６ａにより両者を分離でき、光
検出器１５には、ディスク１２からの信号再生光のみが
入射するため、ＳＮの高い信号再生が可能となる。
【００５８】次に、上記第９の実施の形態に係るディス
ク装置１００の動作を説明する。光ディスク１２は、図
示しないモータによって所定の回転速度で回転し、浮上
スライダ３６は、光ディスク１２の回転によって発生す
る正・負圧とサスペンション３３のばね力との作用によ
って光ディスク１２上を浮上走行する。光ヘッド駆動系
３５による駆動によって半導体レーザ２からレーザビー
ム２ａが出射されると半導体レーザ２からのレーザビー
ム２ａは、コリメータレンズ３により平行ビーム２ｂに
整形された後、遮光体１６によって中央部が遮光され、
偏光ビームスプリッタ１３および１／４波長板３８を通
り、上部透明集光用媒体６’の入射面６’ａに入射す
る。平行ビーム２ｂは、１／４波長板３８を通過する際
に、１／４波長板３８によって直線偏光から円偏光に変
わる。円偏光の平行ビーム２ｂは、対物レンズ５に収束
され、上部透明集光用媒体６’の入射面６’ａで屈折し
て集光され、浮上スライダ３６の被集光面３６に集光す
る。浮上スライダ３６の披集光面３６ａに微小の光スポ
ット９が形成される。この光スポット９下の微小金属体
８から光スポット９の光の一部が近接場光１０として浮
上スライダ３６の下面３６ｃの外側に漏れ出し、この近
接場光１０が光ディスク１２の記録媒体１２１に伝播し
て記録および再生が行われる。すなわち、近接場光１０
の照射によって記録媒体１２１が融点以上に加熱され、
アモルファスから結晶へと相変化を引き起こすことによ
って記録が行われる。一方、記録時より弱い強度の近接
場光１０を光ディスク１２の記録媒体１２１に照射する
と、記録媒体１２１のアモルファルと結晶とで異なる反
射率で反射し、その反射した反射光は、入射光の経路を
逆にたどり、上部透明集光用媒体６’の入射面６’ａで
屈折してミラー４で反射され、１／４波長板３８で入射
光２ａと偏光画を９０度異にする直線偏光光に成形され
た後、偏光ビームスプリッタ１３で９０度方向に反射さ
れ、光検出器１５に入射し、再生が行われる。信号処理
系３５は、光検出器１５に入射した光ディスク１２から
の反射光に基づいてトラッキング制御用の誤差信号およ
びデータ信号を生成し、誤差信号に基づいて光ヘッド駆
動系３４に対しトラッキング制御を行う。
ク装置１００の動作を説明する。光ディスク１２は、図
示しないモータによって所定の回転速度で回転し、浮上
スライダ３６は、光ディスク１２の回転によって発生す
る正・負圧とサスペンション３３のばね力との作用によ
って光ディスク１２上を浮上走行する。光ヘッド駆動系
３５による駆動によって半導体レーザ２からレーザビー
ム２ａが出射されると半導体レーザ２からのレーザビー
ム２ａは、コリメータレンズ３により平行ビーム２ｂに
整形された後、遮光体１６によって中央部が遮光され、
偏光ビームスプリッタ１３および１／４波長板３８を通
り、上部透明集光用媒体６’の入射面６’ａに入射す
る。平行ビーム２ｂは、１／４波長板３８を通過する際
に、１／４波長板３８によって直線偏光から円偏光に変
わる。円偏光の平行ビーム２ｂは、対物レンズ５に収束
され、上部透明集光用媒体６’の入射面６’ａで屈折し
て集光され、浮上スライダ３６の被集光面３６に集光す
る。浮上スライダ３６の披集光面３６ａに微小の光スポ
ット９が形成される。この光スポット９下の微小金属体
８から光スポット９の光の一部が近接場光１０として浮
上スライダ３６の下面３６ｃの外側に漏れ出し、この近
接場光１０が光ディスク１２の記録媒体１２１に伝播し
て記録および再生が行われる。すなわち、近接場光１０
の照射によって記録媒体１２１が融点以上に加熱され、
アモルファスから結晶へと相変化を引き起こすことによ
って記録が行われる。一方、記録時より弱い強度の近接
場光１０を光ディスク１２の記録媒体１２１に照射する
と、記録媒体１２１のアモルファルと結晶とで異なる反
射率で反射し、その反射した反射光は、入射光の経路を
逆にたどり、上部透明集光用媒体６’の入射面６’ａで
屈折してミラー４で反射され、１／４波長板３８で入射
光２ａと偏光画を９０度異にする直線偏光光に成形され
た後、偏光ビームスプリッタ１３で９０度方向に反射さ
れ、光検出器１５に入射し、再生が行われる。信号処理
系３５は、光検出器１５に入射した光ディスク１２から
の反射光に基づいてトラッキング制御用の誤差信号およ
びデータ信号を生成し、誤差信号に基づいて光ヘッド駆
動系３４に対しトラッキング制御を行う。
【００５９】上記第９の実施の形態に係るディスク装置
１００によれば、上部透明集光用媒体６’の入射面６'a
での最大屈折角が６０度となり、ＮＡは０．８６が得ら
れる。この結果、スポット径Ｄ1/2約０．２μｍの微小
の光スポット１０が得られ、サイズ５０ｎｍの微小金属
体８から漏れ出す近接場光１０が光ディスク１２の記録
媒体１２１に入射でき、超高密度（１８０Ｇｂｉｔｓ／
ｉｎｃｈ2）の超高密度の光記録／光再生が可能にな
る。また、半導体レーザ２から出射されるレーザ光２ｂ
は、その中央部が遮光体１６によって遮光され、透明集
光用媒体６に入射しないため、被集光面３６ａから伝播
光が発生するのを防げ、その伝播光による誤再生を防止
できる。また、サンプルサーボ方式の採用により、記録
信号とトラッキング誤差信号とは時分割的に分離されて
いるので、光検出器１５としては、分割型のものは必要
なく、例えば、１ｍｍ角のＰＩＮフォトダイオードを用
いることができる。光検出器１５として分割型である必
要がないため、検出系を大幅に簡素・軽量化できる。ま
た、光ヘッド１のサイズは、長さ約８ｍｍ、幅約４ｍ
ｍ、高さ約６ｍｍであり、自動焦点制御を行わずに記録
再生ができるため、自動焦点制御機構が不要となり、光
ヘッド１の重量を大幅に減らすことができ、小型化が図
れる。光ヘッド１の重量は約０．６ｇ、リニアモータ３
２の可動コイル３２ｂの重量等を合わせて可動部全体で
約２ｇであり、トラッキングの周波数帯域は５０ｋＨ
ｚ、利得６０以上が得られた。また、偏心を２５μｍに
抑えたことにより、６０００ｒｐｍの回転下において必
要精度５ｎｍを満たすトラッキングができる。この場合
の平均転送レートは６０Ｍｂｐｓであり、ＵＧＡレベル
のビデオ信号の記録再生が可能となった。
１００によれば、上部透明集光用媒体６’の入射面６'a
での最大屈折角が６０度となり、ＮＡは０．８６が得ら
れる。この結果、スポット径Ｄ1/2約０．２μｍの微小
の光スポット１０が得られ、サイズ５０ｎｍの微小金属
体８から漏れ出す近接場光１０が光ディスク１２の記録
媒体１２１に入射でき、超高密度（１８０Ｇｂｉｔｓ／
ｉｎｃｈ2）の超高密度の光記録／光再生が可能にな
る。また、半導体レーザ２から出射されるレーザ光２ｂ
は、その中央部が遮光体１６によって遮光され、透明集
光用媒体６に入射しないため、被集光面３６ａから伝播
光が発生するのを防げ、その伝播光による誤再生を防止
できる。また、サンプルサーボ方式の採用により、記録
信号とトラッキング誤差信号とは時分割的に分離されて
いるので、光検出器１５としては、分割型のものは必要
なく、例えば、１ｍｍ角のＰＩＮフォトダイオードを用
いることができる。光検出器１５として分割型である必
要がないため、検出系を大幅に簡素・軽量化できる。ま
た、光ヘッド１のサイズは、長さ約８ｍｍ、幅約４ｍ
ｍ、高さ約６ｍｍであり、自動焦点制御を行わずに記録
再生ができるため、自動焦点制御機構が不要となり、光
ヘッド１の重量を大幅に減らすことができ、小型化が図
れる。光ヘッド１の重量は約０．６ｇ、リニアモータ３
２の可動コイル３２ｂの重量等を合わせて可動部全体で
約２ｇであり、トラッキングの周波数帯域は５０ｋＨ
ｚ、利得６０以上が得られた。また、偏心を２５μｍに
抑えたことにより、６０００ｒｐｍの回転下において必
要精度５ｎｍを満たすトラッキングができる。この場合
の平均転送レートは６０Ｍｂｐｓであり、ＵＧＡレベル
のビデオ信号の記録再生が可能となった。
【００６０】なお、光記録媒体としては、凹凸ピットを
有する再生専用ディスクや光磁気記録材料や相変化材料
を用いた記録・再生用媒体、色素等の光吸収により凹凸
ピツトを形成して記録を行う追記型媒体等の各種の記録
媒体を用いることができる。また、１／４波長板３８を
使用せず、偏光ビームスプリッタ１３の代わりに非偏光
性のビームスプリッタを使用することにより、光ディス
クに直線偏光のレーザ光を照射してもよい。また、本実
施の形態のディスク装置では、光ヘッドとして第１の実
施の形態の光ヘッドを使用したが、これに限るものでは
なく、第２乃至第８の形態の光ヘッドを使用することが
できる。また、記録媒体として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ等の
面内記録膜や垂直記録膜、ＴｂＤｙＦｅＣｏ／ＴｅＦｅ
Ｃｏ等の光磁気記録膜等の磁性記録媒体を使用すること
により、第８の実施の形態の光磁気ヘッドを使用し、光
アシスト磁気記録を行うディスク装置を構成することが
できる。また、トラッキング制御用の誤差信号の生成に
は、上記実施の形態では、サンプルサーボ方式を用いた
が、周囲的に記録トラックを蛇行させて、それによる反
射光の変調を蛇行局波数に同期させて検出し、誤差信号
を生成するウォブルドトラック方式を用いてもよい。ま
た、再生専用ディスクのトラッキングには、ＣＤで行わ
れているように３スポット方式を用いることも可能であ
る。すなわち、コリメータレンズ３と偏光ビームスプリ
ッタ１３の間に回折格子を挿入し、かつ、その±一次光
それぞれのディスクからの反射光を検出する光検出素子
を主ビーム検出用素子の両側に配置しその出力の差分を
取ることにより、誤差信号の生成が可能となる。また、
本実施の形態の光ヘッド１をそのまま追記型光ディスク
（色素の光吸収により凹凸ビツトを形成したディスク）
への記録および再生に用いることができる。また、浮上
スライダ３６の下面３６ｃの光スポット９が形成される
位置の周辺に薄膜コイルを装着し、磁界変調を行うこと
により、光磁気媒体を用いての光磁気記録も可能とな
る。但し、再生の場合には、光の偏波面の回転を偏光解
析によって検出して信号を生成するため、１／４波長板
３８を取り外し、偏光ビームスプリッタ１３を非偏光の
スプリッタに変え、光検出素子の手前に検光子を配置す
る必要がある。また、レーザ源として本実施の形態で
は、端面発光型半導体レーザを用いたが、面発光型レー
ザ（ＶＣＳＥＬ）を用いることも可能である。面発光型
半導体レーザの場合、基本モード（ＴＥＭ００）の最大
出力は、３ｍＷ程度と端面発光型半導体レーザの１／１
０以下であるが、本実施の形態では従来のディスク装置
で使用されている光スポット径の数分の１に絞られてい
るため、光密度が１桁以上高くできることから、面発光
型半導体レーザでも記録が可能となる。また、面発光型
半導体レーザの場合、温度による波長変動が小さく、色
収差補正を不要にできる。図１４は、第１０の実施の形
態に係るディスク装置の光ヘッドの主要部を示す。この
ディスク装置における光ヘッド１は、浮上スライダ３６
に透明集光用媒体６を収容する収容孔３６ｄを形成し、
透明集光用媒体６をトラッキング方向４０に走査させる
一対の圧電素子４１，４１をホルダ４２によって浮上ス
ライダ３６に設けたものであり、他は第９の実施の形態
に係るディスク装置１００と同様に構成されている。こ
の透明集光用媒体６は、被集光面６ｃを有し、光ディス
クとの距離調整のため、披集光面６ｂを下面３６ｃから
突出あるいはへこましてもよいが、被集光面６ｂは、浮
上スライダ３６の下面３６ｃとほぼ同一平面をなすよう
に配置される。
有する再生専用ディスクや光磁気記録材料や相変化材料
を用いた記録・再生用媒体、色素等の光吸収により凹凸
ピツトを形成して記録を行う追記型媒体等の各種の記録
媒体を用いることができる。また、１／４波長板３８を
使用せず、偏光ビームスプリッタ１３の代わりに非偏光
性のビームスプリッタを使用することにより、光ディス
クに直線偏光のレーザ光を照射してもよい。また、本実
施の形態のディスク装置では、光ヘッドとして第１の実
施の形態の光ヘッドを使用したが、これに限るものでは
なく、第２乃至第８の形態の光ヘッドを使用することが
できる。また、記録媒体として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ等の
面内記録膜や垂直記録膜、ＴｂＤｙＦｅＣｏ／ＴｅＦｅ
Ｃｏ等の光磁気記録膜等の磁性記録媒体を使用すること
により、第８の実施の形態の光磁気ヘッドを使用し、光
アシスト磁気記録を行うディスク装置を構成することが
できる。また、トラッキング制御用の誤差信号の生成に
は、上記実施の形態では、サンプルサーボ方式を用いた
が、周囲的に記録トラックを蛇行させて、それによる反
射光の変調を蛇行局波数に同期させて検出し、誤差信号
を生成するウォブルドトラック方式を用いてもよい。ま
た、再生専用ディスクのトラッキングには、ＣＤで行わ
れているように３スポット方式を用いることも可能であ
る。すなわち、コリメータレンズ３と偏光ビームスプリ
ッタ１３の間に回折格子を挿入し、かつ、その±一次光
それぞれのディスクからの反射光を検出する光検出素子
を主ビーム検出用素子の両側に配置しその出力の差分を
取ることにより、誤差信号の生成が可能となる。また、
本実施の形態の光ヘッド１をそのまま追記型光ディスク
（色素の光吸収により凹凸ビツトを形成したディスク）
への記録および再生に用いることができる。また、浮上
スライダ３６の下面３６ｃの光スポット９が形成される
位置の周辺に薄膜コイルを装着し、磁界変調を行うこと
により、光磁気媒体を用いての光磁気記録も可能とな
る。但し、再生の場合には、光の偏波面の回転を偏光解
析によって検出して信号を生成するため、１／４波長板
３８を取り外し、偏光ビームスプリッタ１３を非偏光の
スプリッタに変え、光検出素子の手前に検光子を配置す
る必要がある。また、レーザ源として本実施の形態で
は、端面発光型半導体レーザを用いたが、面発光型レー
ザ（ＶＣＳＥＬ）を用いることも可能である。面発光型
半導体レーザの場合、基本モード（ＴＥＭ００）の最大
出力は、３ｍＷ程度と端面発光型半導体レーザの１／１
０以下であるが、本実施の形態では従来のディスク装置
で使用されている光スポット径の数分の１に絞られてい
るため、光密度が１桁以上高くできることから、面発光
型半導体レーザでも記録が可能となる。また、面発光型
半導体レーザの場合、温度による波長変動が小さく、色
収差補正を不要にできる。図１４は、第１０の実施の形
態に係るディスク装置の光ヘッドの主要部を示す。この
ディスク装置における光ヘッド１は、浮上スライダ３６
に透明集光用媒体６を収容する収容孔３６ｄを形成し、
透明集光用媒体６をトラッキング方向４０に走査させる
一対の圧電素子４１，４１をホルダ４２によって浮上ス
ライダ３６に設けたものであり、他は第９の実施の形態
に係るディスク装置１００と同様に構成されている。こ
の透明集光用媒体６は、被集光面６ｃを有し、光ディス
クとの距離調整のため、披集光面６ｂを下面３６ｃから
突出あるいはへこましてもよいが、被集光面６ｂは、浮
上スライダ３６の下面３６ｃとほぼ同一平面をなすよう
に配置される。
【００６１】一対の圧電素子４１，４１は、それぞれ同
図（ｃ）に示すように、電極端子４１０，４１０に接続
された複数の電極膜４１１と、電極膜４１１間に形成さ
れた多層ＰＺＴ薄膜（厚さ約２０μｍ）４１２とがらな
る。この圧電素子４１は、上記ホルダ４２に被着形成さ
れており、これらの一対の圧電素予４ １，４１により
集光用透明媒体６を支えるとともに、光線に対して垂直
方向、すなわちトラッキング方向４０に走査する。この
ように一対の圧電素子４１，４１を用いてプツシュプル
型のトラッキング動作をさせることにより、圧電素子が
有するヒステリシス効果の影響を避け、時開遅れなしに
トラッキングすることが可能となる。なお、変形方向が
光軸方向となる圧電素子を用いて集光用透明媒体６を光
軸方向に移動させてもよい。
図（ｃ）に示すように、電極端子４１０，４１０に接続
された複数の電極膜４１１と、電極膜４１１間に形成さ
れた多層ＰＺＴ薄膜（厚さ約２０μｍ）４１２とがらな
る。この圧電素子４１は、上記ホルダ４２に被着形成さ
れており、これらの一対の圧電素予４ １，４１により
集光用透明媒体６を支えるとともに、光線に対して垂直
方向、すなわちトラッキング方向４０に走査する。この
ように一対の圧電素子４１，４１を用いてプツシュプル
型のトラッキング動作をさせることにより、圧電素子が
有するヒステリシス効果の影響を避け、時開遅れなしに
トラッキングすることが可能となる。なお、変形方向が
光軸方向となる圧電素子を用いて集光用透明媒体６を光
軸方向に移動させてもよい。
【００６２】上記第１０の実施の形態に係るディスク装
置によれば、透明集光用媒体６の重量は、５ｍｇ以下と
軽くできるため、透明集光用媒体６を支持する系の共振
周波数を３００ｋＨｚ以上にでき、電極端子４１０，４
１０間への印加電圧５Ｖで０５μｍ以上の変位が得られ
る。
置によれば、透明集光用媒体６の重量は、５ｍｇ以下と
軽くできるため、透明集光用媒体６を支持する系の共振
周波数を３００ｋＨｚ以上にでき、電極端子４１０，４
１０間への印加電圧５Ｖで０５μｍ以上の変位が得られ
る。
【００６３】また、この圧電素子４１とリニアモータ３
２による２段制御により、８０ｄＢの利得で３００ｋＨ
ｚの帯域が得られ、高速回転時（３６００ｒｐｍ）下に
おいて５ｎｍの精度でトラッキングを行うことができ
る。これにより、本実施の形態では転送レートを第１の
実施の形態のディスク装置１００の６倍、すなわち、３
６０Ｍｂｐｓに上げることができる。
２による２段制御により、８０ｄＢの利得で３００ｋＨ
ｚの帯域が得られ、高速回転時（３６００ｒｐｍ）下に
おいて５ｎｍの精度でトラッキングを行うことができ
る。これにより、本実施の形態では転送レートを第１の
実施の形態のディスク装置１００の６倍、すなわち、３
６０Ｍｂｐｓに上げることができる。
【００６４】また、後述するマルチビームの光ヘッドを
使用した場合には、さらに８倍となり、３Ｇｂｐｓ近く
の転送レートが得られる。また、１２ｃｍのディスクに
おいて１０ｍｓ以下の平均シーク速度を達成できる。こ
れにより、３６００ｒｐｍ回転時のアクセス時間は２０
ｍｓ以下となる。
使用した場合には、さらに８倍となり、３Ｇｂｐｓ近く
の転送レートが得られる。また、１２ｃｍのディスクに
おいて１０ｍｓ以下の平均シーク速度を達成できる。こ
れにより、３６００ｒｐｍ回転時のアクセス時間は２０
ｍｓ以下となる。
【００６５】図１５は、本発明の第１１の実施の形態に
係るディスク装置を示す。第１０の実施の形態では、シ
ーク動作にリニアモータ３２を使用したが、この第１１
の実施の形態では、ハードディスク装置に使用する回転
型リニアモータ４３を使用したものである。光ヘッド１
は回動軸３３ａに回動可能に支持されたサスペンション
３３によって回転型リニアモータ４３に接続されてい
る。このような構成とすることにより、回転型リニアモ
ータ４３は光ディスク１２の外側に配置できるため、光
ヘッド１をさらに薄型にでき、ディスク装置１００全体
を小型化できる。また、これにより、光ディスク１２を
高速（３６００ｒｐｍ）に回転することができ、平均３
６０Ｍｂｐｓ以上のデータ転送レートが可能になる。
係るディスク装置を示す。第１０の実施の形態では、シ
ーク動作にリニアモータ３２を使用したが、この第１１
の実施の形態では、ハードディスク装置に使用する回転
型リニアモータ４３を使用したものである。光ヘッド１
は回動軸３３ａに回動可能に支持されたサスペンション
３３によって回転型リニアモータ４３に接続されてい
る。このような構成とすることにより、回転型リニアモ
ータ４３は光ディスク１２の外側に配置できるため、光
ヘッド１をさらに薄型にでき、ディスク装置１００全体
を小型化できる。また、これにより、光ディスク１２を
高速（３６００ｒｐｍ）に回転することができ、平均３
６０Ｍｂｐｓ以上のデータ転送レートが可能になる。
【００６６】なお、本実施の形態のディスク装置におい
ても、第１〜第８の実施の形態の光ヘッドが使用できる
ことは言うまでもない。また、本実施の形態において
も、１／４波長板３８を使用せず、偏光ビームスプリツ
タ１３の代わりに非偏光のビームスプリッタを使用し
て、直線偏光光を金属媒体７に照射してもよい。また、
上記実施の形態では、遮光体１６を平行ビーム２ｂの光
路中や半導体レーザの光出力面に設けたが、ミラー４、
対物レンズ５や透明集光用媒体６の入射面６ａに設けて
もよい。
ても、第１〜第８の実施の形態の光ヘッドが使用できる
ことは言うまでもない。また、本実施の形態において
も、１／４波長板３８を使用せず、偏光ビームスプリツ
タ１３の代わりに非偏光のビームスプリッタを使用し
て、直線偏光光を金属媒体７に照射してもよい。また、
上記実施の形態では、遮光体１６を平行ビーム２ｂの光
路中や半導体レーザの光出力面に設けたが、ミラー４、
対物レンズ５や透明集光用媒体６の入射面６ａに設けて
もよい。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ光を透明集光用媒体の被集光面上に集光させて微
小な光スポットを形成し、その光スポット位置の近傍に
微小金属体を配置して、微小かつ高強度の近接場光を得
るようにしたので、光利用効率が高く、記録媒体の高密
度、高速の記録・再生が可能となる。また、光利用効率
の向上により小型・軽量の光源および光検出器を用いる
ことが可能となるので、光ヘッドの小型化が図れ、デー
タ転送レートの向上が図れる。また、レーザ光の中央部
は、遮光体によって遮光され、透明集光用媒体に入射し
ないため、透明集光用媒体の披集光面から伝播光が発生
するのを防げ、その伝播光による誤再生を防止できる。
レーザ光を透明集光用媒体の被集光面上に集光させて微
小な光スポットを形成し、その光スポット位置の近傍に
微小金属体を配置して、微小かつ高強度の近接場光を得
るようにしたので、光利用効率が高く、記録媒体の高密
度、高速の記録・再生が可能となる。また、光利用効率
の向上により小型・軽量の光源および光検出器を用いる
ことが可能となるので、光ヘッドの小型化が図れ、デー
タ転送レートの向上が図れる。また、レーザ光の中央部
は、遮光体によって遮光され、透明集光用媒体に入射し
ないため、透明集光用媒体の披集光面から伝播光が発生
するのを防げ、その伝播光による誤再生を防止できる。
【図1】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る光ヘ
ッドの主要部を示す図、（ｂ）〜（ｆ）は微小金属体の
形状を示す図である。
ッドの主要部を示す図、（ｂ）〜（ｆ）は微小金属体の
形状を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は第１の実施の形態に係る微小
金属体の形成方法を示す図、（ｅ）は微小金属体の形成
方法の他の例を示す図である。
金属体の形成方法を示す図、（ｅ）は微小金属体の形成
方法の他の例を示す図である。
【図３】（ａ）は第１の実施の形態の光学系を示す図、
（ｂ），（ｃ）は遮光体の形状を示す図である。
（ｂ），（ｃ）は遮光体の形状を示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施の形態に
係る光ヘッドの半導体レーザを示す図である。
係る光ヘッドの半導体レーザを示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３の実施の形態に
係る光ヘッドの半導体レーザによる光パターンを示す図
である。
係る光ヘッドの半導体レーザによる光パターンを示す図
である。
【図６】本発明の第４実施の形態に係る光ヘッドの主要
部を示す図である。
部を示す図である。
【図７】（ａ）は本発明の第５実施の形態に係る光ヘッ
ドの主要部を示す図、（ｂ）はその底面図、（ｃ）はそ
の側面図である。
ドの主要部を示す図、（ｂ）はその底面図、（ｃ）はそ
の側面図である。
【図８】本発明の第６の実施の形態に係る光ヘッドの主
要部を示す図である。
要部を示す図である。
【図９】（ａ）は本発明の第７の実施の形態に係る光ヘ
ッドの主要部を示す図、（ｂ）はその底面図である。
ッドの主要部を示す図、（ｂ）はその底面図である。
【図1０】（ａ）は本発明の第８の実施の形態に係る光
ヘッドの主要部を示す図、（ｂ），（ｃ）はその主要底
面図、（ｄ）〜（ｆ）は遮光体の他の形状を示す図であ
る。
ヘッドの主要部を示す図、（ｂ），（ｃ）はその主要底
面図、（ｄ）〜（ｆ）は遮光体の他の形状を示す図であ
る。
【図1１】（ａ）は本発明の第９の実施の形態に係るデ
ィスク装置を示す図、（ｂ）は（ａ）のＡ―Λ断面図で
ある。
ィスク装置を示す図、（ｂ）は（ａ）のＡ―Λ断面図で
ある。
【図1２】第９の実施の形態に係る光ディスクの詳細を
示す図である。
示す図である。
【図1３】（ａ）は第９の実施の形態に係る光ヘッドを
示す図、（ｂ）はその底面図である。
示す図、（ｂ）はその底面図である。
【図1４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１０の実施の形
態に係るディスク装置の光ヘッドの主要部を示す図であ
る。
態に係るディスク装置の光ヘッドの主要部を示す図であ
る。
【図1５】本発明の第１１の実施の形態に係るディスク
装置を示す図である。
装置を示す図である。
【図1６】従来のディスク装置を示す図である。
【図１７】励起されたプラズモンから近接場光を効率よ
く発生する方式の一例を示す図である。
く発生する方式の一例を示す図である。
１ 光ヘッド ２ 半導体レーザ ２ａ，２ｂ，２ｂ'，２ｃ，２ｃ'，２ ｄ，２ｅ レー
ザビーム ３ コリメータレンズ ４ ミラー ５ 対物レンズ ６ 透明集光用媒体 ６' 上部透明集光用媒体 ６ａ，６'ａ 入射面 ６ｂ 被集光面 ６ｃ 中心 ６ｄ 底面 ６ｅ 反射面 ６ｆ 披着面 ７ 反射膜 ８ 微小金属体 ８ａ ガードリング ８Ａ，８Ｂ 微小金属体 ８ｂ，８ｂ’ 対向縁部 ８ｃ ギャップ ９ 光スポット ９ａ 偏光方向 １０ 近接場光 １１ 反射膜 １２ 光ディスク １３ ビームスプリッタ １４ 集光レンズ １５ 光検出器 １６，１６ａ 遮光体 １６ｂ 開口 ３０ 回転軸 ３１ トラッキング方向 ３２ リニアモータ ３２ａ 固定部 ３２ｂ 可動コイル ３３ サスペンション ３３ａ 回動軸 ３４ 光ヘッド駆動系 ３５ 信号処理系 ３６ 浮上スライダ ３６ａ 披集光面 ３６ｂ 溝 ３６ｃ 下面 ３６ｄ 収容孔 ３７ 溶融石英板 ３８ １／４波長板 ３９ ヘッドケース ４０ トラッキング方向 ４１ 圧電素子 ４２ ホルダ ４３ 回転型リニアモータ ７０ フォトレジスト膜 ７１ Ｔｉ膜 ９０ 端面発光型半導体レーザ電流狭窄層 ９０ａ 面発光型半導体レーザ ９１ 半導体基板 ９２ａ ｎ型クラッド層 ９２ｂ ｐ型クラツド層 ９２ｃ ｎ型スペーサ層 ９２ｄ Ｄ型スペーサ層 ９３，９３ａ 活性層 ９３ｂ 発振領域 ９４ 電流狭窄層 ９４ａ 狭窄層 ９５ キャップ層 ９６ａ ｎ電極 ９６ｂ Ｄ電極 ９７ａ 誘電体多層膜 ９７ｂ 誘電体多層膜 ９７ｃ ｎ型半導体高反射多層膜 ９７ｄ ｐ型高反射多層膜 ９８ 発振モード ９８ａ， ９８ｂ 出力方向 １００ ディスク装置 １２０ プラスチック板 １２１ 記録媒体 １２１ａ Ａ１反射膜層 １２１ｂ ＳｉＯ2層 １２１ｃ ＧｅＳｂＴｅ記録層 １２１ｄ ＳｉＮ層 １９１，１９１’ 微小金属体 １９１ａ，１９１ａ’ 微小金属体の先端部 １９２ ギャップ １９３ａ 入射光 １９３ｂ スポット １９３ｃ 入射光の透過した部分 １９４ 偏光方向 ２００ 中央部 ２１０ 領域 ４１０ 電極端子 ４１１ 電極膜 ４１２ 多層ＰＺＴ薄膜
ザビーム ３ コリメータレンズ ４ ミラー ５ 対物レンズ ６ 透明集光用媒体 ６' 上部透明集光用媒体 ６ａ，６'ａ 入射面 ６ｂ 被集光面 ６ｃ 中心 ６ｄ 底面 ６ｅ 反射面 ６ｆ 披着面 ７ 反射膜 ８ 微小金属体 ８ａ ガードリング ８Ａ，８Ｂ 微小金属体 ８ｂ，８ｂ’ 対向縁部 ８ｃ ギャップ ９ 光スポット ９ａ 偏光方向 １０ 近接場光 １１ 反射膜 １２ 光ディスク １３ ビームスプリッタ １４ 集光レンズ １５ 光検出器 １６，１６ａ 遮光体 １６ｂ 開口 ３０ 回転軸 ３１ トラッキング方向 ３２ リニアモータ ３２ａ 固定部 ３２ｂ 可動コイル ３３ サスペンション ３３ａ 回動軸 ３４ 光ヘッド駆動系 ３５ 信号処理系 ３６ 浮上スライダ ３６ａ 披集光面 ３６ｂ 溝 ３６ｃ 下面 ３６ｄ 収容孔 ３７ 溶融石英板 ３８ １／４波長板 ３９ ヘッドケース ４０ トラッキング方向 ４１ 圧電素子 ４２ ホルダ ４３ 回転型リニアモータ ７０ フォトレジスト膜 ７１ Ｔｉ膜 ９０ 端面発光型半導体レーザ電流狭窄層 ９０ａ 面発光型半導体レーザ ９１ 半導体基板 ９２ａ ｎ型クラッド層 ９２ｂ ｐ型クラツド層 ９２ｃ ｎ型スペーサ層 ９２ｄ Ｄ型スペーサ層 ９３，９３ａ 活性層 ９３ｂ 発振領域 ９４ 電流狭窄層 ９４ａ 狭窄層 ９５ キャップ層 ９６ａ ｎ電極 ９６ｂ Ｄ電極 ９７ａ 誘電体多層膜 ９７ｂ 誘電体多層膜 ９７ｃ ｎ型半導体高反射多層膜 ９７ｄ ｐ型高反射多層膜 ９８ 発振モード ９８ａ， ９８ｂ 出力方向 １００ ディスク装置 １２０ プラスチック板 １２１ 記録媒体 １２１ａ Ａ１反射膜層 １２１ｂ ＳｉＯ2層 １２１ｃ ＧｅＳｂＴｅ記録層 １２１ｄ ＳｉＮ層 １９１，１９１’ 微小金属体 １９１ａ，１９１ａ’ 微小金属体の先端部 １９２ ギャップ １９３ａ 入射光 １９３ｂ スポット １９３ｃ 入射光の透過した部分 １９４ 偏光方向 ２００ 中央部 ２１０ 領域 ４１０ 電極端子 ４１１ 電極膜 ４１２ 多層ＰＺＴ薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５１Ｋ ５６６ ５６６Ｃ 11/14 11/14
Claims (25)
- 【請求項１】レーザ光を出射するレーザ光源と、 透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レー
ザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポ
ットを形成する光学系と、 前記レーザ光源から前記透明集光用媒体に至る前記レー
ザ光の光路中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光
する遮光体と、 前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記光ス
ポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属体と
を備えたことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項２】所定の偏光方向を有するレーザ光を出射す
るレーザ光源と、 透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レー
ザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポ
ットを形成する光学系と、 前記レーザ光源から前記透明集光用媒体に至る前記レー
ザ光の光路中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光
する遮光体と、 前記光スポットの中心位置の近傍に前記所定の偏光方向
で対向するように設けられた一対の微小金属体とを備え
たことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項３】前記遮光体は、前記透明集光用媒体の入射
面に入射する前記レーザ光の入射角が前記透明集光用媒
体の屈折率で決まる臨界角よりも大きくなるように設定
された外形を有する構成の請求項１又は２記載の光ヘッ
ド。 - 【請求項４】前記光学系は、前記レーザ光源からの前記
レーザ光を平行光に整形する整形レンズを備え、 前記遮光体は、前記平行光の光路中に設けられた構成の
請求項１又は２記載の光ヘッド。 - 【請求項５】前記遮光体は、前記レーザ光源の出射面に
設けられた構成の請求項１又は２記載の光ヘッド。 - 【請求項６】前記遮光体は、前記透明集光用媒体の入射
面に設けられた構成の請求項１又は２記載の光ヘッド。 - 【請求項７】前記微小金属体は、楕円形を有し、 前記遮光体は、一辺が前記微小金属体の楕円軸に光学的
に平行な矩形状を有する構成の請求項１又は２記載の光
ヘッド。 - 【請求項８】前記微小金属体は、一辺が前記光スポット
よりも長い矩形状を有し、 前記遮光体は、長辺が前記微小金属体の前記一辺に光学
的に平行であり、かつ前記長辺が前記光ビームの径より
も長い矩形状を有する構成の請求項１又は２記載の光ヘ
ッド。 - 【請求項９】前記レーザ光源は、中心部の光強度が周辺
部よりも弱い前記レーザ光を出射する半導体レーザであ
る構成の請求項１又は２記載の光ヘッド。 - 【請求項１０】前記半導体レーザは、端面発光型半導体
レーザであり、 前記遮光体は、前記端面発光型半導体レーザの光出方面
の光スポット位置に、活性層に垂直に設けられた構成の
請求項９記載の光ヘッド。 - 【請求項１１】前記半導体レーザは、面発光型半導体レ
ーザであり、 前記遮光体は、矩形状を有し、前記面発光型半導体レー
ザの光出力面の開口を２分するように設けられた構成の
請求項９記載の光ヘッド。 - 【請求項１２】前記半導体レーザは、面発光型半導体レ
ーザであり、 前記遮光体は、円形状を有し、前記面発光型半導体レー
ザの光出力面の開口の中心に設けられた構成の請求項９
記載の光ヘッド。 - 【請求項１３】前記半導体レーザは、ＴＥＭ０１モード
あるいはＴＥＭ１１モードの前記レーザ光を出射する構
成の請求項９記載の光ヘッド。 - 【請求項１４】中心部の光強度が周辺部よりも弱いレー
ザ光を出射するレーザ光源と、 透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レー
ザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポ
ットを形成する光学系と、 前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記光ス
ポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属体と
を備えたことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１５】中心部の光強度が周辺部より弱く、かつ
所定の偏光方向を有するレーザ光を出射するレーザ光源
と、 透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レー
ザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポ
ットを形成する光学系と、 前記光スポットの中心位置の近傍に前記所定の偏光方向
で対向するように設けられた一対の微小金属体とを備え
たことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１６】前記レーザ光源は、ＴＥＭ０１モードあ
るいはＴＥＭ１１モードの前記レーザ光を出射する半導
体レーザである構成の請求項１４又は１５記載の光ヘッ
ド。 - 【請求項１７】レーザ光を出射するレーザ光源と、 透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レー
ザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポ
ットを形成する光学系と、 前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記光ス
ポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属体と
を備え、 前記光学系は、前記透明集光用媒体の入射面に入射する
前記レーザ光の開口数が０．８以上を有することを特徴
とする光ヘッド。 - 【請求項１８】前記一対の微小金属体は、前記光スポッ
トの径よりも小さい幅のスリット状のギャップを形成す
るように設けられたことを特徴とする請求項２又は１５
記載の光ヘッド。 - 【請求項１９】前記一対の微小金属体は、前記光スポッ
トの径よりも小さい幅および長さを有するギャップを形
成するように設けられたことを特徴とする請求項２又は
１５記載の光ヘッド。 - 【請求項２０】レーザ光を出射するレーザ光源と、 透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レー
ザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポ
ットを形成する光学系と、 前記レーザ光源から前記透明集光用媒体に至る前記レー
ザ光の光路中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光
する遮光体と、 前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記光ス
ポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属体
と、 前記微小金属体の近傍に設けられ、記録情報に応じた変
調磁界を発生する電磁石と、 前記記録情報を磁気情報として検出する磁気抵抗センサ
とを備えたことを特徴とする光磁気ヘッド。 - 【請求項２１】表面に記録媒体が形成されたディスク
と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、 透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レー
ザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポ
ットを形成する光学系と、 前記レーザ光源から前記透明集光用媒体に至る前記レー
ザ光の光路中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光
する遮光体と、 前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記光ス
ポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属体
と、 前記微小金属体からの出射光を前記記録媒体に対して相
対的に移動させる移動手段とを備えたことを特徴とする
ディスク装置。 - 【請求項２２】前記微小金属体は、一辺が前記光スポッ
トよりも長い矩形状を有し、 前記遮光体は、長辺が前記微小金属体の前記一辺に光学
的に沿い、かつ前記長辺が前記光ビームの径よりも長い
矩形状を有し、 前記移動手段は、前記微小金属体の前記一辺が前記記録
媒体の記録トラックに直交する方向に前記微小金属体か
らの出射光をトラッキングさせる構成の請求項２１記載
のディスク装置。 - 【請求項２３】表面に記録媒体が形成されたディスク
と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、 透明集光用媒体を有し、前記レーザ光源からの前記レー
ザ光を前記透明集光用媒体の被集光面に集光して光スポ
ットを形成する光学系と、 前記レーザ光源から前記透明集光用媒体に至る前記レー
ザ光の光路中に設けられ、前記レーザ光の中心部を遮光
する第１の遮光体と、 前記光スポットの中心位置の近傍に設けられ、前記光ス
ポットのサイズより小なるサイズを有する微小金属体
と、 前記微小金属体からの出射光を前記記録媒体に対して相
対的に移動させる移動手段と、 前記レーザ光源から前記光学系を介して前記記録媒体に
照射したレーザ光に基づく反射光を前記透明集光用媒体
を介して検出する検出手段と、 前記透明集光用媒体の前記被集光面に集光する前記レー
ザ光のうち前記被集光面で反射した戻り光が前記検出手
段に入射しないように前記戻り光を遮光する第２の遮光
体とを備えたことを特徴とするディスク装置。 - 【請求項２４】入射するレーザ光によって光スポットが
形成される被集光面を有する透明集光用媒体を準備し、 前記透明集光用媒体の前記被集光面の前記光スポットの
サイズより小なるサイズを有する領域以外の領域をホト
レジストで覆い、前記透明集光用媒体の前記被集光面の
前記ホトレジストの存在しない領域を前記レーザ光の波
長以下の所定の深さでエッチングによって除去すること
により前記被集光面に凹部を形成し、前記凹部に金属材
料を堆積させて微小金属体を形成することを特徴とする
光ヘッドの製造方法。 - 【請求項２５】入射するレーザ光によって光スポットが
形成される被集光面を有する透明集光用媒体を準備し、 前記透明集光用媒体の前記被集光面の前記光スポットの
中心位置に集光イオンビーム（ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ
ｂｅａｍ）法によって金属膜を堆積することにより、
前記光スポットのサイズより小なるサイズの微小金属体
を形成することを特徴とする光ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000395169A JP4099943B2 (ja) | 1999-12-28 | 2000-12-26 | 光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-375233 | 1999-12-28 | ||
| JP37523399 | 1999-12-28 | ||
| JP2000395169A JP4099943B2 (ja) | 1999-12-28 | 2000-12-26 | 光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001250260A true JP2001250260A (ja) | 2001-09-14 |
| JP4099943B2 JP4099943B2 (ja) | 2008-06-11 |
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ID=26582675
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000395169A Expired - Fee Related JP4099943B2 (ja) | 1999-12-28 | 2000-12-26 | 光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 |
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| JP (1) | JP4099943B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009541742A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | ユニバーシティ・オブ・デイトン | 偏光設計の方法およびそれらの適用例 |
| JP2010146663A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Sony Corp | 記録再生装置及び記録再生システム |
| JP2011065742A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Thomson Licensing | 近接場光記録装置、方法及び媒体 |
| US8780683B2 (en) | 2011-04-11 | 2014-07-15 | Panasonic Corporation | Information recording medium, tracking method, and optical information apparatus |
| KR20210135127A (ko) * | 2020-05-04 | 2021-11-12 | 한국기계연구원 | 광학식 리소그래피 장치 및 방법 |
-
2000
- 2000-12-26 JP JP2000395169A patent/JP4099943B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| US8780683B2 (en) | 2011-04-11 | 2014-07-15 | Panasonic Corporation | Information recording medium, tracking method, and optical information apparatus |
| KR20210135127A (ko) * | 2020-05-04 | 2021-11-12 | 한국기계연구원 | 광학식 리소그래피 장치 및 방법 |
| KR102468802B1 (ko) | 2020-05-04 | 2022-11-18 | 한국기계연구원 | 광학식 리소그래피 장치 및 방법 |
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