JP2000215539A - 光学素子、記録及び/又は再生装置、並びに光学素子の製造方法 - Google Patents

光学素子、記録及び/又は再生装置、並びに光学素子の製造方法

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JP2000215539A
JP2000215539A JP11012215A JP1221599A JP2000215539A JP 2000215539 A JP2000215539 A JP 2000215539A JP 11012215 A JP11012215 A JP 11012215A JP 1221599 A JP1221599 A JP 1221599A JP 2000215539 A JP2000215539 A JP 2000215539A
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optical recording
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magnetic field
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Akira Kochiyama
彰 河内山
Koichiro Kijima
公一朗 木島
Kiyoshi Osato
潔 大里
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高NA化を実現するとともに、低消費電力で
効率よく光学記録媒体の光磁気記録層に磁界を印加し、
またコイルの断線等を抑制する。 【解決手段】 光磁気ヘッド25は、光磁気ディスク2
の光磁気記録層2aに照射する光を収束させるレンズ4
1,42と、レンズ41上のコイル支持基板44a上の
光磁気ディスク2に対向する側に配置されている磁界発
生素子であるコイル部46とを備えている。そして、レ
ンズ41上のコイル支持基板44aには、コア部46が
配設されている後退部44cから光磁気ディスク2側に
向かって光の出射面44dが突出してなる突起部44b
が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスク等の光記
録媒体に対して情報信号の記録又は再生を行う記録及び
/又は再生装置に用いられる光学素子、この光学素子を
用いた記録及び/又は再生装置、並びに光学素子の製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁界変調方式により、記録媒体である光
磁気ディスクに対して情報信号の記録、再生を行う記録
及び/又は再生装置(以下、光ディスク装置という。)
として、光磁気ディスクの光磁気記録層側に光学系を配
して高NA化を図ることにより高密度記録を実現し、光
学系と磁気コイルを一体化することにより装置の薄型化
を実現した光ディスク装置が提案されている。
【0003】この光ディスク装置は、対物レンズとして
図15に示すような2つのレンズを有する光学素子10
0を用いている。
【0004】この光学素子100は、2つのレンズの内
光磁気ディスク101側のレンズ(以下、この光磁気デ
ィスク101側のレンズを先玉レンズ102、他方のレ
ンズを後玉レンズ103という。)が半球レンズからな
り、先玉レンズ102の円形平面102a上に磁界変調
用のコイル部104が形成されている。
【0005】そして、この光学素子100は、光源から
出射されて光学素子100に入射した光が、後玉レンズ
103及び先玉レンズ102により収束され、コイル部
104の中心孔104aを通過して光磁気ディスク10
1の光磁気記録層に照射されるようになっている。
【0006】また、この光学素子100は、コイル部1
04が所定の装置から供給される記録信号に対応する磁
界を発生して、光磁気ディスク101の光磁気記録層の
光が照射される位置にこの磁界を印加するようになって
いる。
【0007】されに、近年において、光ディスクの高密
度化のために、ニアフィールド光記録技術により、高N
A化を図り高密度記録を実現しようとする試みが提案さ
れている。ニアフィールド光記録技術を実現するために
は、光学レンズと記録媒体の距離を光学的コンタクト状
態に保つことが必要となる。
【0008】そこで、Terris et al.,Appl.Phys.Lett.6
5(4),p388-p390,25 July,1994あるいはTerris et al.,A
ppl.Phys.Lett.68(2),p141-p143,8 January,1996で
は、HDD(ハードディスクドライブ)の浮上型スライ
ダー技術を応用した光記録が試みられている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の技術の光ディスク装置に用いられる光学素子100
においては、高NA化を実現するとともに、低消費電力
で効率よく光磁気ディスク101のに光磁気記録層に磁
界を印加するために、コイル部104の中心孔104a
の径が小さく設定されることが望まれるが、上述した光
学素子100は、このコイル部104の中心孔104a
の径を小さくすることが困難であった。
【0010】すなわち、光学素子100のコイル部10
4が、先玉レンズ102の光磁気ディスク101に対応
する側に配されていると、コイル部104の厚み分だけ
先玉レンズ102と光磁気ディスク101の表面との間
の距離を大きくすることが必要となるが、先玉レンズ1
02と光磁気ディスクの表面との間の距離が大きい場
合、光学素子100は、高NA化を実現するためには、
コイル部104の中心孔104aを径を大きくする必要
が生じる。
【0011】すなわち、コイル部104の中心孔104
aの径dは、(1)式で示すように、先玉レンズ102
と光磁気ディスク101との間の距離Lに依存する。
【0012】 d≧2(t×tanθ1+L×tanθ2) ・・・(1) ここで、θ1は光磁気ディスク101の光磁気ディスク
層105側に設けられたカバーガラス106を透過した
光が、光磁気記録層105に照射される際の入射角を示
し、θ2はカバーガラス106に入射する光の入射角を
示している。そして、tはカバーガラス106の厚さを
示し、高NA化を実現するために、所定の値に設定され
ている。入射角θ1、θ2は、(2)式及び(3)式で表
される。
【0013】 θ1=sin-1(NA/ns) ・・・(2) θ2=sin-1(NA) ・・・(3) なお、nsは、カバーガラスの屈折率を示している。例
えば、高NA化を実現するために、入射角θ1は34°
程度とされ、入射角θ2は58°程度とされている。
【0014】以上説明したように、コイル部104の厚
み分先玉レンズ102と光磁気ディスク101との間の
距離Lを大きくしなくてはならないため、コイル部10
4の中心孔104aの径が大きくなってしまう。
【0015】しかし、コイル部104の中心孔104a
の径が大きくなると、記録時に必要な磁界を発生させる
ために、コイル部104に非常に大きな電流を供給しな
ければならず、消費電力が増加するばかりか、コイル部
104における発熱が大きくなり、コイル部104の断
線等を招いてしまう場合がある。
【0016】本発明は、上述した実情の鑑みてなされた
ものであり、高NA化を実現するとともに、低消費電力
で効率よく光学記録媒体の光磁気記録層に磁界を印加
し、またコイルの断線等を抑制する光学素子、この光学
素子を用いた記録及び/又は再生装置、並びにこの光学
素子の製造方法を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光学素子
は、上述の課題を解決するために、光学記録媒体の光磁
気記録層に照射される光を収束させるレンズと、レンズ
の光学記録媒体に対向する側に配置されている磁界発生
素子とを備えている。そして、レンズは、磁界発生素子
が配設されている配設面から光学記録媒体側に向かって
光の出射面が突出してなる突出出射部を有している。
【0018】このような構成を有する光学素子は、突出
出射部の光学記録媒体に対向される面に出射面を設けて
いることにより、配設面の磁界発生素子の形状を小型化
することができる。
【0019】また、本発明に係る記録及び/又は再生装
置は、上述の課題を解決するために、光学記録媒体の光
磁気記録層に照射される光を収束させるレンズ及びこの
レンズの光学記録媒体に対向する側に配置されている磁
界発生素子を有し、光源から出射させる光の光路上に配
される光学素子とを備えている。そして、レンズは、記
磁界発生素子が配設されている配設面から光学記録媒体
側に向かって光の出射面が突出してなる突出出射部を有
している。
【0020】このような構成を有する記録及び/又は再
生装置は、突出出射部の光学記録媒体に対向される面に
出射面を設けていることにより、配設面の磁界発生素子
の形状を小型化することができる。
【0021】また、本発明に係る光学素子の製造方法
は、上述の課題を解決するために、光学記録媒体の光磁
気記録層に照射される光を収束させるレンズと、レンズ
の上記光学記録媒体に対向する側に配置されている磁界
発生素子とをからなる光学素子の製造方法であって、レ
ンズの光学記録媒体に対向される面に、光の出射面を設
けてなる突出出射部と、突出出射部の周囲の後退部に上
記磁界発生素子を配設する配設部とを形成する。
【0022】このような光学素子の製造方法により、光
学素子は、光学記録媒体に対向される面に突出した出射
面が設けられ、突出出射部周囲の配設面の磁界発生素子
の形状が小型化されたものとなる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳しく説明する。本実施の形態は、光学
記録媒体である光磁気ディスクに対するデータの記録及
び/又は再生を行う記録及び/又は再生装置(以下、光
ディスク装置という)に適用したものである。
【0024】この光ディスク装置は、図1に示すような
構成からなる光磁気ヘッド部25を有している。図2に
示す光ディスク装置1は、この光磁気ヘッド部25によ
り光磁気ディスク2に対する情報信号の記録及び再生を
行っている。
【0025】光磁気ヘッド部25は、図1に示すよう
に、光磁気ディスク2の光磁気記録層2aに照射する光
を収束させる対物レンズを構成するレンズ41,42及
びコイル支持基板44aと、レンズ41上のコイル支持
基板44a上の光磁気ディスク2に対向する側に配置さ
れている磁界発生素子であるコイル部46とを備えてい
る。そして、レンズ41上のコイル支持基板44aに
は、コア部46が配設されている後退部44cから光磁
気ディスク2側に向かって光の出射面44dが突出して
なる突起部44bが設けられている。コイル支持基板4
4aの形状について換言すれば、コイル部46が設けら
れる部分が、光の出射面44dよりも後退し、当該出射
面44dを含む突起部44bが形成された形状とされて
いる。
【0026】光ディスク装置1は、このような構成から
なる光磁気ヘッド部25により、高NA化を実現すると
ともに、低消費電力で効率よく光磁気ディスク2の光磁
気記録層2aに磁界を印加することができる。
【0027】図2には、光ディスク装置1の具体例を示
している。光ディスク装置1は、この図2に示すよう
に、光磁気ディスク2を回転駆動させるスピンドルモー
タ3と、このスピンドルモータ3により回転駆動される
光磁気ディスク2に対して所定の信号を記録するととも
にこの光磁気ディスク2に記録された信号を読み取って
MO再生信号及び制御信号を生成するための受光信号を
出力するヘッド4と、ヘッド4から出力された受光信号
を入力して制御信号を生成する制御信号生成部5と、制
御信号生成部5から供給される制御信号に基づいてヘッ
ド4を光磁気ディスク2の径方向又は光磁気ディスク2
に接離する方向に移動させる駆動用アクチュエータ6と
を備えている。
【0028】スピンドルモータ3は、図示しない電源に
接続されており、この電源から駆動電流が供給される
と、保持した光磁気ディスク2を所定の速度で回転駆動
させる。
【0029】ヘッド4は、図示しない所定の装置から記
録信号が供給されると、光磁気ディスク2の光磁気記録
層2aに光を照射させるとともに、記録信号に応じた磁
界を発生して、光磁気記録層2aの光が照射された箇所
に、所定の信号を記録する。また、ヘッド4は、光磁気
ディスク2の光磁気記録層2aに光を照射させ、その戻
り光を検出することにより、光磁気ディスク2に記録さ
れたデータを読み取ってMO再生信号として出力すると
ともに、受光信号を制御信号生成部5に供給する。
【0030】制御信号生成部5は、フォーカスマトリッ
クス回路8と、トラッキングマトリックス回路11と、
位相補償回路9,12と、アンプ7,10,13とを備
えている。
【0031】フォーカスマトリックス回路8は、アンプ
7を介してヘッド4より供給された受光信号に基づいて
フォーカスエラー信号を生成し、このフォーカスエラー
信号を位相補償回路9に供給する。
【0032】位相補償回路9は、フォーカスマトリック
ス回路8より供給されたフォーカスエラー信号の位相補
償を行い、位相補償された信号をアンプ10を介して駆
動用アクチュエータ6に供給する。
【0033】トラッキングマトリックス回路11は、ア
ンプ7を介してヘッド4より供給された受光信号に基づ
いてトラッキングエラー信号を生成し、このトラッキン
グエラー信号を位相補償回路12に供給する。
【0034】位相補償回路12は、トラッキングマトリ
ックス回路11より供給されたトラッキングエラー信号
の位相補償を行い、位相補償された信号をアンプ13を
介して駆動用アクチュエータ6に供給する。
【0035】駆動用アクチュエータ6は、フォーカスマ
トリックス回路8から位相補償回路9及びアンプ10を
介して供給されるフォーカスエラー信号に基づいて、ヘ
ッド4を光磁気ディスク2に接離する方向に移動させ、
フォーカシング制御を行う。また、駆動用アクチュエー
タ6は、トラッキングマトリックス回路11から位相補
償回路12及びアンプ13を介して供給されるトラッキ
ングエラー信号に基づいて、ヘッド4を光磁気ディスク
2の径方向に移動させ、トラッキング制御を行う。
【0036】ここで、ヘッド4の詳細について説明す
る。
【0037】ヘッド4は、図3に示すように、所定のレ
ーザ光を出射する半導体レーザ21を備え、この半導体
レーザ21から出射されるレーザ光が、まずコリメータ
レンズ22に入射するようになされている。
【0038】コリメータレンズ22は、半導体レーザ2
1から出射されるレーザ光を平行光線に整えるもので、
このコリメータレンズ22を透過したレーザ光は、平行
光線に整えられた状態で整形プリズム23を介して、第
1のビームスプリッタ24に入射するようになされてい
る。
【0039】第1のビームスプリッタ24は、整形プリ
ズム23からのレーザ光を、2つのレンズからなる対物
レンズと薄膜コイルとを有する光学素子(光磁気ヘッド
部)25に向けて透過させるとともに、光磁気ディスク
2の光磁気記録層2aで反射され、光磁気ヘッド部25
を透過するレーザ光(戻り光)を第2のビームスプリッ
タ26に向けて反射させるようになされている。
【0040】光磁気ヘッド部25は、対物レンズが、第
1のビームスプリッタ24からのレーザ光を収束して光
磁気ディスク2の光磁気記録層2aに照射させるととも
に、データ記録時においては、薄膜コイルが、アンプ3
6を介して供給される記録信号に対応する強度の磁界
を、光磁気記録層2aのレーザ光の照射位置に印加する
ようになされている。
【0041】また、この光磁気ヘッド部25は、光磁気
ディスク2の光磁気記録層2aで反射されるレーザ光
(戻り光)を第1のビームスプリッタ24に入射させる
ようになされている。第1のビームスプリッタ24に入
射した戻り光は、上述したように第1のビームスプリッ
タ24により反射され、第2のビームスプリッタ26に
入射する。
【0042】第2のビームスプリッタ26は、第1のビ
ームスプリッタ24により反射される戻り光を、所定の
割合で第1の集光レンズ27に向けて反射するととも
に、1/2波長板30を介して第2の集光レンズ31に
向けて透過させるようになされている。
【0043】第1の集光レンズ27は、第2のビームス
プリッタ26により反射される平行光線の戻り光を収束
光にし、この収束光を非点収差を与えるシリンドリカル
レンズ28を介して、第1の光検出器29に入射させる
ようになされている。
【0044】第1の光検出器29は、4分割された受光
部を有し、それぞれの受光部に入射する戻り光を電気信
号(受光信号)に変換し、上述した制御信号生成部5の
アンプ7に供給する。
【0045】第2の集光レンズ31は、第2のビームス
プリッタ26から1/2波長板30を介して供給される
平行光線の戻り光を収束光にし、第3のビームスプリッ
タ32に入射させるようになされている。
【0046】第3のビームスプリッタ32は、第2の集
光レンズ31により収束光とされた戻り光の一部を第2
の光検出器33に向けて透過させるとともに、戻り光の
他の部分を第3の光検出器34に向けて反射させる。
【0047】第2の光検出器33及び第3の光検出器3
4は、第3のビームスプリッタ32から入射する戻り光
をその光量に対応する電気信号に変換して、それぞれ差
動アンプ35に供給するようになされている。
【0048】差動アンプ35は、第2の光検出器33か
ら供給される電気信号と第3の光検出器34から供給さ
れる電気信号の差を計算し、その計算結果をMO再生信
号として、図示しない所定の装置に供給するようになさ
れている。
【0049】光ディスク装置1は、以上のように構成さ
れることにより、光磁気ディスク2に対して所定の情報
信号を記録し、又は光磁気ディスク2から所定の情報信
号を読み取ることが可能とされている。
【0050】なお、この光ディスク装置1は、光磁気デ
ィスクに限らず、相変化を利用した相変化型光ディスク
や読み出し専用の光ディスク等にも対応可能である。光
ディスク装置1は、相変化型光ディスクに情報信号を記
録する場合は、ヘッド4が相変化型光ディスクの記録層
にレーザ光を照射させ、この記録層の相変化を利用して
情報信号を記録し、相変化型光ディスクから情報信号を
読み取る場合は、ヘッド4が相変化型光ディスクの記録
層にレーザ光を照射させ、記録層の状態による戻り光の
違いから再生信号を得るようにする。
【0051】また、この光ディスク装置1は、読み出し
専用の光ディスクから情報信号を読み取る場合は、ヘッ
ド4が読み出し専用の光ディスクの信号記録層にレーザ
光を照射させ、その戻り光を検出して再生信号を得るよ
うにする。
【0052】次に、本発明の要部であるヘッド4の光磁
気ヘッド部25について説明する。
【0053】この光磁気ヘッド部25は、図1に示すよ
うに、第1のビームスプリッタ24を透過したレーザ光
の光路上に配された2つのレンズ41,42を備え、こ
の2つのレンズ41,42が半導体レーザ21から出射
されたレーザ光を収束する対物レンズとして構成されて
いる。なお、以下の説明においては、この2つのレンズ
の内、光磁気ディスク2側に配されたレンズを先玉レン
ズ41、他の方のレンズを後玉レンズ42という。
【0054】先玉レンズ41及び後玉レンズ42は、と
もに使用される透過光に対して透明な白板ガラス、青板
ガラスや石英ガラス等が所定の形状に成形されており、
それぞれのレンズホルダ43に支持されて、第1のビー
ムスプリッタ24を透過したレーザ光の光路上に配設さ
れている。特に、先玉レンズ41は、半球状に形成さ
れ、円形平面が光磁気ディスク2と対向するようにレン
ズホルダ43に支持されている。なお、先玉レンズ41
の球面形状は、後玉レンズ42の形状や配置位置、光磁
気ディスク2の基板厚さや屈折率等に応じて、光磁気記
録層2aに照射されるレーザ光が球面収差の影響を受け
ないように最適化されている。
【0055】また、先玉レンズ41及び後玉レンズ42
は、レンズホルダ43に支持された状態で、駆動用アク
チュエータ6により、光磁気ディスク2の径方向及び光
磁気ディスク2に接離する方向に一体に移動され、これ
によりトラッキング制御やフォーカシング制御が行える
ようになされている。なお、フォーカシング制御を行う
際は、先玉レンズ41又は後玉レンズ42が他方のレン
ズに対して接離する方向に移動操作され、球面収差を補
正するようになされている。
【0056】光磁気ヘッド部25には、先玉レンズ41
の光磁気ディスク2側に位置して、コイル支持基板44
aが設けられており、先玉レンズ41とコイル支持基板
44aとは固着されて構成される。
【0057】コイル支持基板44aは、上述した先玉レ
ンズ41と同一材料により形成されており、すなわち、
白板ガラス、青板ガラスや石英ガラス等のガラス材によ
り形成されている。このコイル支持基板44aは、略平
板状に成型されてなり、その光磁気ディスク2と対向す
る面には、出射面44dを有する突起部44bが設けら
れている。
【0058】突起部44bは、光磁気ヘッド部25にお
いて光磁気ディスク2に対して光が出射される部分であ
り、また、光磁気ディスク2からの戻り光が入射される
部分とされる。突起部44bは、例えば、フォトリソグ
ラフィー技術を用いて所定の径にパターニングを行い、
突起部44bの周囲をイオンミリング、リアクティブイ
オンエッチング等のプラズマエッチングにより後退させ
ることにより形成されている。この突起部44bの成形
方法については、後で詳しく説明する。
【0059】そして、この突起部44bの周囲の後退部
44cの光磁気ディスク2と対向される主面上には、図
4及び図5に示すように、磁界発生のためのコイル部4
6が形成されている。
【0060】コイル部46は、コイル支持基板44a上
の突起部44bの周囲の後退部44cの光磁気ディスク
2と対向する主面上に形成された磁性体コア47と、こ
の磁性体コア47上に形成されたスパイラル形状の薄膜
コイル48を有している。ここで、薄膜コイル48に隣
接して磁性体コア47を設けるのは、コイル部46の磁
界効率が高められるからである。
【0061】磁性体コア47は、中心孔47aを有して
円環上に形成されてなる。この磁性体コア47に中心孔
47aは、後玉レンズ42及び先玉レンズ41により収
束されたレーザ光を通過させて、光磁気ディスク2の光
磁気記録層2aに照射されるためのものであり、この中
心孔47a内に、コイル支持基板44aと一体的に形成
された突起部44bが配置されている。例えば、中心孔
47aの直径は、後玉レンズ42及び先玉レンズ41に
より収束されるレーザ光を透過させて、光磁気ディスク
2の光磁気記録層2aに照射させることを要件として決
定されており、例えば、110μm程度とされる。
【0062】磁性体コア47の材料としては、例えばNi
-Fe合金、Co系アモルファス合金、Fe-Al-Si合金、Fe-C
合金とNi-Fe合金の積層体、Fe-Ta-N合金、Mn-Znフェラ
イト等、広範囲の材料を使用することができ、これらを
2種以上組み合わせて使用することも可能である。な
お、磁性体コア47を導電性を有する材料により形成す
れば、この磁性体コア47を介して薄膜コイル48を一
方の電極に接続することが可能で、別に引き出し電極を
設けて薄膜コイル48を一方の電極に接続する必要がな
い。したがって、磁性体コア47を導電性を有する材料
により形成し、この磁性体コア47を介して薄膜コイル
48を一方の電極に接続させるようにすれば、コイル部
46の厚みを薄くすることができ、コイル支持基板44
a上の突起部44bの高さを低くすることが可能であ
る。
【0063】なお、磁性体コア47のコイル支持基板4
4aに対する密着性を向上させるために、コイル支持基
板44aの主面上にCr膜等の接着層を形成し、この接着
層を介してコイル支持基板44a上の磁性体コア47を
形成するようにしてもよい。
【0064】薄膜コイル48は、所定の装置から供給さ
れる記録信号に対応する磁界を発生し、この磁界を光磁
気ディスク2の光磁気記録層2aのレーザ光が照射され
る位置に印加するもので、中心孔を有するスパイラル形
状をなすように、磁性体コア47上に形成されている。
【0065】この薄膜コイル48は、例えば、Cu、Ag、
Auから選ばれる1種、あるいはこれらの内から少なくと
も1種以上を含む合金等の導電性を有する材料からな
り、磁性体コア47上にフォトリソグラフィー技術を用
いて、中心孔を有するスパイラル形状で、所定の厚さに
メッキ成長されてなるか、あるいは、磁性体コア47上
に所定の厚さで成膜された後に、フォトリソグラフィー
技術を用いてこの導電性を有する材料が中心孔を有する
スパイラル形状にエッチングされることにより形成され
る。
【0066】そして、この薄膜コイル48は、絶縁材料
からなる絶縁層49の中に埋め込まれた形とされて保護
が図られているとともに、スパイラル形状の外周部か
ら、この薄膜コイル48に駆動電流を供給するための一
方の電極50aが引き出されている。
【0067】また、この薄膜コイル48は、磁性体コア
47が導電性を有する材料を用いて形成される場合は、
スパイラル形状の内周部をこの磁性体コア47を介して
他方の電極50bに接続される。
【0068】薄膜コイル48の保護を図るための絶縁層
49の材料としては、例えば、レジスト材料、ポリイミ
ド、アクリル樹脂等が用いられる。そして、絶縁層49
も薄膜コイル48の形状に応じて中心部に中心孔が設け
られており、後玉レンズ42及び先玉レンズ41により
収束されたレーザ光がこの中心孔を通過するようになさ
れている。
【0069】この薄膜コイル48は、光磁気ディスク2
の光磁気記録層2aに対して略平行となるように、コイ
ル支持基板44a上の磁性体コア47上に形成されてい
る。したがって、この薄膜コイル48を流れる電流の方
向は、光磁気ディスク2の光磁気記録層2aに対して略
平行となるので、薄膜コイル48は、中心孔を貫いて光
磁気ディスク2の光磁気記録層2aに略垂直な磁界を発
生し、この磁界を光磁気記録層2aに印加する。
【0070】以上のように光磁気ヘッド部25は、コイ
ル部46の中心孔の内側であって、コイル部46が形成
されているコイル支持基板44aに一体的に突起部44
bが形成されているので、コイル部46の中心孔、ある
いは磁性体コア47の中心孔47aを小さくすることが
できる。
【0071】コイル部46の中心孔、あるいは磁性体コ
ア47の中心孔47aを小さく形成することができるの
は次の理由からである。図6中(A)には、コイル部4
6が配置される面と光が出射する出射面44d1とが同
一平面となるようなコイル支持基板44bを示し、図6
中(B)には、突起部44bが形成されているコイル支
持基板44bを示している。
【0072】図6中(A)の例では、出射面44d1
ら出射された光がコイル部46の中心孔46a内を通過
して、焦点を結ぶようになされている。例えばこの場合
の中心孔46aの直径はd1である。
【0073】ここで、コイル支持基板44bの出射面4
4d1は、光磁気ディスク2との対向面であり、光磁気
ディスク2との間は空間とされていることから、例え
ば、ガラス材と空気との屈折率の違いにより、出射面4
4d1から出射された光の出射角θ3は、コイル支持基板
44bの入射角θ4より大きな値となる。このような関
係を考慮して、所定の位置で焦点を結ぶようにコイル部
46の中心孔46aの径d1が決定されている。
【0074】しかし、本発明を適用して構成したコイル
支持基板44aでは、図6中(B)に示すように、突起
部44bを有することにより、突起部44bの突出量分
を入射角θ4として光路を確保して出射面44d2を光を
出射させていることから、上述した図6中(A)の出射
面44d1と同一位置の平面を通過する光の径を小さく
することが可能になる。すなわち、コイル部46の中心
孔46a、あるいは磁性体コア47の中心孔47aの直
径d2を、小さく形成することができる。
【0075】よって、光磁気ヘッド部25は、コイル部
46の中心孔の径が小されるので、低消費電力で効率よ
く光学記録媒体の光学記録層に磁界を印加することがで
きる。
【0076】したがって、この光磁気ヘッド部25は、
特に、高い周波数時において、薄膜コイル48の熱によ
る発生磁界の低効率化を招くことがなく、また、薄膜コ
イル48の損傷も抑制される。
【0077】なお、磁性体コア47は、後退部44cに
のみ形成されることに限定されるものではなく、少なく
とも突起部44bの出射面44dから光が出射すること
を確保しつつ、突起部44bの各面に形成することもで
きる。すなわち、図7中(A)は、コイル支持基板44
a上の突起部44bの周囲に形成される例として説明し
たが、図7中(B)に示すように、突起部44bの側壁
44bに対しても形成することもでき、さらに、図7中
(C)に示すように、突起部44bの側壁44e及び出
射面44dの外側面に形成することもできる。このよう
に磁性体コア47を突起部44bの外側面に対しても形
成することにより、磁界効率を高めることが可能にな
る。
【0078】図8には、この効果を確認すべく得た測定
結果を示している。この測定では、後退部44cにのみ
磁性体コア47を形成したもの、及び突起部44bの側
壁に磁性体コア47を形成したものを用いて、薄膜コイ
ルに通電し、その時に得た発生磁界の値を得ている。具
体的には、白板ガラス上にリアクティブイオンエッチン
グにより、突起部を形成し、それぞれの突起高さに対応
した光磁気記録用光学素子(光磁気ヘッド部)を作製
し、この光学素子の発生磁界と、突起のないコイル支持
基板を用いた光学素子の発生磁界とを比較している。
【0079】ここで、図8中、縦軸に発生磁界をとり、
横軸にコイル支持基板44aの突起部44bの高さ(μ
m)をとっている。なお、横軸のコイル支持基板44b
の高さの変化によりコイル部46の中心孔の径も変化し
ており、すなわち、突起部44bの高さの増加は、コイ
ル部46の中心孔の径の増加となる。
【0080】この図8に示す結果から、突起部44bの
側壁44eに磁性体コア47を形成することにより、発
生磁界の値が大きくなっているのがわかる。また、突起
部46を設けた光学素子では、突起の存在しないコイル
の支持基板(突起高さが0μm)を用いた場合に比し
て、磁界発生効率が向上しており、さらに、突起部高さ
の増加、すなわち、コイル部の中心孔の減少により、発
生磁界効率が高くなるのがわかる。
【0081】次にコイル支持基板44aの製造方法の具
体例について、図9中(A)〜(D)、図10中(E)
〜(H)、図11中(I)〜(K)、及び図12中
(L)〜(N)からなる各工程を説明する。
【0082】(A)工程では、コイル支持基板の母材4
4としてガラス材からなるウェハを用意する。例えばガ
ラス材としてBK−7を用いる。
【0083】(B)工程は、突起部44bを造る工程の
最初の工程であり、フォトレジスト61を塗布し、その
後、露光、現像を行う。
【0084】(C)工程では、リアクティブイオンエッ
チング又はイオンミリングにより、上記フォトレジスト
61を塗布した周囲部をエッチングする。これにより突
起部44bが形成されたコイル支持基板44aの形状と
される。
【0085】(D)工程では、フォトレジスト61を除
去し、突起部44b及びその周囲部分に磁性コア材62
を成膜する。例えば、磁性コア材62としてCoPdZrを成
膜する。
【0086】(E)工程では、突起部44bの表面の光
の出射部分62a以外の部分に、フォトレジスト63を
塗布し、露光、現像を行う。
【0087】(F)工程では、エッチングプロセスとし
て、イオンミリングにより、フォトレジスト63が塗布
されていない部分62aの磁性コア材62を除去する。
これにより、突起部44bの表面の光の出射部分44d
以外の部分に磁性体コア47が形成される。なお、この
磁性体コア47の形状は、上述した図7(C)の形状に
対応している。
【0088】(G)工程では、フォトレジスト63を除
去する。
【0089】(H)工程では、導通孔及び中心孔64を
有した絶縁層65を形成する。具体的には、フォトレジ
スト(65)を塗布し、露光、現像を行い、これを熱処
理して、有機溶剤に溶けない絶縁層65を形成する。例
えば、感光性を有するアクリル樹脂を用いて、フォトリ
ソグラフィーの手法によりアクリル樹脂層による絶縁層
65を形成する。また、この工程において、コイルリー
ドを形成する。
【0090】(I)工程では、電解メッキ処理を行うた
めのメッキ用の電極を形成する。具体的には、全体にメ
ッキ下地層66を成膜する。
【0091】(J)工程では、パターニングをするため
のフォトレジスト67の塗布を行う。具体的には、メッ
キ成長させたい所以外の部分にフォトレジスト67を塗
布して、露光、現像を行う。
【0092】(K)工程では、電解メッキ処理して、所
望の膜厚までメッキ68を成長させる。例えば、電解メ
ッキ処理は、Cuを用いて行う。
【0093】(L)に示すように、フォトレジストを除
去する。これにより、スパイラル形状のコイル部分(薄
膜コイル)48が形成されたことになる。
【0094】(M)工程では、上記(L)工程のままだ
と、コイル間が下地のメッキ下地層66により接続され
た状態となっているので、メッキ下地層66をイオンミ
リングにより、エッチング除去する。これにより、隣接
するコイル間の導通が切断されて、スパイラル形状の薄
膜コイル48のパターンが完成する。
【0095】(N)工程では、フォトレジスト69を塗
布して、露光、現像、熱処理を行う。これにより、薄膜
コイル48等に対しての上述した絶縁保護膜(絶縁層4
9)が形成される。
【0096】以上のようにして突起部44b及びコイル
部46が形成されて、ピックアップにあう形状に切断さ
れて、コイル支持部材44aが形成される。そして、こ
のコイル支持部材44aは先玉レンズ41のレーザ光の
出射面側に取り付けられ、当該先玉レンズ41が後玉レ
ンズ42とともにレンズホルダ43に取り付けることに
より光磁気ヘッド部25が作製される。
【0097】次に、上述した光磁気ヘッド部25を有す
る光ディスク装置1の記録再生動作について説明する。
【0098】この光ディスク装置1は、所定のデータを
光磁気ディスク2に記録する際は、スピンドルモータ3
が装着された光磁気ディスク2を回転駆動させるととも
に、ヘッド4の半導体レーザ21からレーザ光が出射さ
れる。
【0099】半導体レーザ21から出射されたレーザ光
は、コリメータレンズ22、整形レンズ23及び第一の
ビームスプリッタ24を介して光磁気ヘッド部25に入
射する。そして、光磁気ヘッド部25に入射されたレー
ザ光は、光磁気ヘッド部25の後玉レンズ42及び先玉
レンズ41により収束され、コイル部46の磁性体コア
47に設けられた中心孔47a及び薄膜コイル48の中
心孔を通過して、光磁気ディスク2の光磁気記録層2a
に照射される。
【0100】光ディスク装置1は、このように光磁気デ
ィスク2の光磁気記録層2aにレーザ光を照射させるこ
とにより、このレーザ光が照射された箇所の磁性材料を
キュリー温度又は補償温度以上まで上昇させて、その箇
所の磁化を消失させる。
【0101】そして、光ディスク装置1は、記録するデ
ータに対応して変調された記録信号が、アンプ36を介
して光磁気ヘッド部25に供給されると、薄膜コイル4
8がその記録信号に対応する磁界を発生し、この磁界を
光磁気ディスク2の光磁気記録層2aのレーザ光が照射
された箇所を印加する。
【0102】このようにして、光ディスク装置1は、所
定のデータ(記録信号)を光磁気ディスク2に記録す
る。なお、光ディスク装置1は、この記録時において
も、後述する再生時と同様に、フォーカシング制御及び
トラッキング制御を行うようになされている。
【0103】この光ディスク装置1は、光磁気ディスク
2に記録されたデータを読み取る際は、記録動作時と同
様に、スピンドルモータ3が装着された光磁気ディスク
2を回転駆動させるとともに、ヘッド4の半導体レーザ
21からレーザ光が出射される。
【0104】半導体レーザ21から出射されたレーザ光
は、コリメータレンズ22、整形レンズ23及び第1の
ビームスプリッタ24を介して光磁気ヘッド部25に入
射する。そして、光磁気ヘッド部25の後玉レンズ42
及び先玉レンズ41により収束され、コイル部46の磁
性体コア47に設けられた中心孔47a及び薄膜コイル
48の中心孔を通過して、光磁気ディスク2の光磁気記
録層2aの照射される。 光磁気記録層2aで反射され
た戻り光は、第2のビームスプリッタ26、1/2波長
板30、第2の集光レンズ31及び第3のビームスプリ
ッタ32を介して、第2の光検出器33及び第3の光検
出器34に入射し、検出される。この光磁気記録層2a
からの戻り光の偏波面は、カー効果により、光磁気記録
層2aの磁化の向き(記録されているデータの値に対応
する)によって互いに反対方向に回転している。そし
て、この光磁気記録層2aからの戻り光は、第3のビー
ムスプリッタ32を介して第2の光検出器33及び第3
の光検出器34に入射することにより、その偏波面の向
きと光磁気記録層2aに照射された光の偏波面の向きと
の間に見られる回転角(カー回転角)の変化が光の強度
変化に変換され、この強度変化が検出される。
【0105】第2の光検出器33及び第3の光検出器3
4は、入射した戻り光の強度に対応する電気信号の差動
アンプ35に出力し、差動アンプ35は、第2の光検出
器33と第3の光検出器34との出力の差を計算し、M
O再生信号として出力する。
【0106】また、光磁気記録層2aで反射された戻り
光の一部は、第2のビームスプリッタ26により反射さ
れ、第1の集光レンズ27及びシリンドリカルレンズ2
8を介して第1の光検出器29に入射する。
【0107】第1の光検出器29は、入射した戻り光を
電気信号に変換し、この電気信号を制御信号生成部5及
びアンプ7を介して、フォーカスマトリックス回路8及
びトラッキングマトリックス回路11に供給する。
【0108】フォーカスマトリックス回路8及びトラッ
キングマトリックス回路11は、この信号に基づいてフ
ォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号をそれ
ぞれ生成し、これらのフォーカスエラー信号及びトラッ
キングエラー信号をアンプ10,13を介して駆動用ア
クチュエータ6に供給する。
【0109】駆動用アクチュエータ6は、これらのフォ
ーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号に対応し
て、光磁気ヘッド部25を光磁気ディスク2に接離する
方向又は光磁気ディスク2の径方向に移動させ、フォー
カシング制御及びトラッキング制御を行う。
【0110】以上説明したように、この光磁気ディスク
装置1に用いられる磁気ヘッド部25は、コイル部46
がコイル支持基板44a上の突起部44bの周囲の後退
部44c上に形成されているので、コイル支持基板44
a上の光の出射面44dと光磁気ディスク2の表面との
間の距離を短くすることができ、コイル部46の中心孔
の径を小さくすることができる。これにより、低消費電
力で効率よく光磁気ディスク2の光磁気記録層2aに磁
界を印加することが可能になる。
【0111】したがって、この光磁気ヘッド部25は、
特に、高い周波数時において、薄膜コイル48の熱によ
る発生磁界の低効率化を招くことがなく、また、薄膜コ
イル48の断線等の損傷も抑制される。
【0112】なお、本実施の形態では、先玉レンズ41
の光磁気ディスク2と対向する側に、コイル支持基板4
4aが固着された状態で配置され、このコイル支持基板
44a上に突起部44bが設けられ、さらに、突起部4
4bの周囲の後退部44cにコイル部46が設けられた
光磁気ヘッド部25について説明したが、図13に示す
ように、先玉レンズ41の円形状平面側に、突起部41
aを形成し、この周囲の後退部41b上にコイル部46
を設けるようにしてもよい。このような形状としても上
述したような効果を得ることができる。
【0113】また、本実施の形態では、薄膜コイル48
を単層のコイルにより構成した例について説明したが、
光磁気ヘッド部25に用いられる薄膜コイル48は、図
14に示すように、上層コイル48aと下層コイル48
bの2層構成とされ、それぞれのコイルが絶縁層49中
に埋め込まれた形とされてもよい。
【0114】この場合、上層コイル48aのスパイラル
形状の外周部及び下層コイル48bのスパイラル形状の
外周部から、この薄膜コイル48に駆動電流を供給する
ための一対の電極50a、50bを引き出すとともに、
上層コイル48aのスパイラル形状の内周部と下層コイ
ル48bのスパイラル形状の内周部とを接続させ、上層
コイル48aと下層コイル48bとを電気的に導通させ
る。
【0115】また、本実施の形態では、コイル支持基板
44a上に設けられた突起部44bの周囲の後退部44
c上に磁性体コア47が形成され、この磁性体コア47
上に薄膜コイル48が形成される例について説明した
が、この例に限定されるものではなく、コイル支持基板
44a上に設けられた突起部44bの周囲の後退部44
c上に磁性体コア47を介さずに薄膜コイル48が形成
されるようにしてもよい。
【0116】また、本実施の形態では、コイル支持基板
44aの突起部44bあるいは、先玉レンズ41の突起
部44bを形成した後、コイル部46を形成する例につ
いて述べたが、コイル支持基板44a、あるいは先玉レ
ンズ41の円形平面41a上に予めコイル部46を形成
し、その後に成膜光学部材により、コイル部46の中心
孔を埋めて突起部を設けることとしてもよい。そして、
このように形成された突起部の出射面を研磨等により平
坦化してもよい。コイル部46を予め形成し、その後に
設けた突起部の出射面を研磨等して平坦化することによ
り、例えば、成膜した際に生じた出射面の誤差を、先に
設けているコイル部46を基準にとり、修正することが
できるようになる。
【0117】
【発明の効果】本発明に係る光学素子は、光学記録媒体
の光磁気記録層に照射される光を収束させるレンズと、
レンズの光学記録媒体に対向する側に配置されている磁
界発生素子とを備えている。そして、レンズは、磁界発
生素子が配設されている配設面から光学記録媒体側に向
かって光の出射面が突出してなる突出出射部を有してい
る。このような構成を有する光学素子は、突出出射部の
光学記録媒体に対向される面に出射面を設けていること
により、配設面の磁界発生素子の形状を小型化すること
ができる。
【0118】これにより、低消費電力で効率よく光学記
録媒体の光磁気記録層に磁界を印加することが可能にな
る。よって、特に高い周波数時において、磁界発生素子
の熱による発生磁界の低効率化を招くこともなく、ま
た、磁界発生素子内に構成されるコイル等の断線等の損
傷も抑制される。
【0119】また、本発明に係る記録及び/又は再生装
置は、光学記録媒体の光磁気記録層に照射される光を収
束させるレンズ及びこのレンズの光学記録媒体に対向す
る側に配置されている磁界発生素子を有し、光源から出
射させる光の光路上に配される光学素子とを備えてい
る。そして、レンズは、記磁界発生素子が配設されてい
る配設面から光学記録媒体側に向かって光の出射面が突
出してなる突出出射部を有している。このような構成を
有する記録及び/又は再生装置は、突出出射部の光学記
録媒体に対向される面に出射面を設けていることによ
り、配設面の磁界発生素子の形状を小型化することがで
きる。
【0120】これにより、低消費電力で効率よく光学記
録媒体の光磁気記録層に磁界を印加することが可能にな
る。よって、特に高い周波数時において、磁界発生素子
の熱による発生磁界の低効率化を招くこともなく、ま
た、磁界発生素子内に構成されるコイル等の断線等の損
傷も抑制される。
【0121】また、本発明に係る光学素子の製造方法
は、光学記録媒体の光磁気記録層に照射される光を収束
させるレンズと、レンズの上記光学記録媒体に対向する
側に配置されている磁界発生素子とをからなる光学素子
の製造方法であって、レンズの光学記録媒体に対向され
る面に、光の出射面を設けてなる突出出射部と、突出出
射部の周囲の後退部に上記磁界発生素子を配設する配設
部とを形成する。このような光学素子の製造方法によ
り、光学素子は、光学記録媒体に対向される面に突出し
た出射面が設けられ、突出出射部周囲の配設面の磁界発
生素子の形状が小型化されたものとなる。
【0122】これにより、低消費電力で効率よく光学記
録媒体の光磁気記録層に磁界を印加することが可能にな
る。よって、特に高い周波数時において、磁界発生素子
の熱による発生磁界の低効率化を招くこともなく、ま
た、磁界発生素子内に構成されるコイル等の断線等の損
傷も抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である光学素子を示す縦断
面図である。
【図2】本発明の実施の形態である光ディスク装置の構
成を示すブロック図である。
【図3】上記光ディスク装置のヘッドの構成を示す図で
ある。
【図4】上記光学素子のコイル部を示す平面図である。
【図5】上記コイル部を示す図であり、図4におけるA
−A線断面図である。
【図6】上記コイル部の中心孔を小さくすることができ
ることについての説明に使用した図である。
【図7】上記コイル部を支持するコイル支持部材に形成
された突起部に、当該コイル部の磁性体コアが形成され
る複数の形態を示す断面図である。
【図8】本発明を適用して形成した光学素子の発生磁界
の特性を示す特性図である。
【図9】上記コイル支持基板の前半の製造工程を示す図
である。
【図10】上記コイル支持基板の中半の製造工程を示す
図である。
【図11】上記コイル支持基板の中半の製造工程を示す
図である。
【図12】上記コイル支持基板の後半の製造工程を示す
図である。
【図13】先玉レンズの表面に突起部を形成した場合を
示す断面図である。
【図14】上記コイル部の他の例を示す図であり、図4
におけるA−A線断面図である。
【図15】従来の光学素子を示す縦断面図である。
【符号の説明】
41 先玉レンズ、44a コイル支持基板、44b
突起部、44c 後退部、44d 出射面、46 コイ
ル部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大里 潔 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 2H052 BA02 BA06 BA11 5D075 AA03 CC04 CD17 CF03 CF08 5D119 AA22 AA37 BA01 BB05 JA43 JB02 JC05 NA03 NA05

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光学記録媒体の光磁気記録層に照射され
    る光を収束させるレンズと、 上記レンズの上記光学記録媒体に対向する側に配置され
    ている磁界発生素子とを備え、 上記レンズは、上記磁界発生素子が配設されている配設
    面から上記光学記録媒体側に向かって光の出射面が突出
    してなる突出出射部を有していることを特徴とする光学
    素子。
  2. 【請求項2】 上記レンズの上記光学記録媒体に対向さ
    れる面に、上記配設面及び上記突出出射部が設けられた
    光学部材からなる磁界発生素子支持基板が取り付けられ
    ていることを特徴とする請求項1記載の光学素子。
  3. 【請求項3】 上記レンズは、上記光学記録媒体に照射
    される光の光路上に配された複数のレンズからなり、 上記複数のレンズの内の上記光学記録媒体に最も近いレ
    ンズの当該光学記録媒体に対向される側に、上記配設面
    及び上記突出出射部を有していることを特徴とする請求
    項1記載の光学素子。
  4. 【請求項4】 上記複数のレンズの内の上記光学記録媒
    体に最も近いレンズの当該光学記録媒体に対向される面
    に、上記配設面及び上記突出出射部が設けられた光学部
    材からなる磁界発生素子支持基板が取り付けられている
    ことを特徴とする請求項3記載の光学素子。
  5. 【請求項5】 上記磁界発生素子は、磁界発生用の薄膜
    コイルを備えていることを特徴とする請求項1記載の光
    学素子。
  6. 【請求項6】 上記磁界発生素子は、磁性コアを備えて
    いることを特徴とする請求項1記載の光学素子。
  7. 【請求項7】 上記磁性コアは、上記突出出射部の周囲
    に設けられていることを特徴とする請求項6記載の光学
    素子。
  8. 【請求項8】 上記磁性コアは、上記突出出射部の外側
    面に対しても形成されていることを特徴とする請求項7
    記載の光学素子。
  9. 【請求項9】 光学記録媒体を回転駆動させる回転駆動
    手段と、 上記光学記録媒体に向けて光を出射する光源と、 上記光学記録媒体の光磁気記録層に照射される光を収束
    させるレンズ及びこのレンズの上記光学記録媒体に対向
    する側に配置されている磁界発生素子を有し、上記光源
    から出射させる光の光路上に配される光学素子と、 上記光学記録媒体で反射された戻り光を受光する受光手
    段と、 上記受光手段により受光された戻り光に基づいて所定の
    信号を生成する信号処理手段とを備え、 上記レンズは、上記磁界発生素子が配設されている配設
    面から上記光学記録媒体側に向かって光の出射面が突出
    してなる突出出射部を有していることを特徴とする記録
    及び/又は再生装置。
  10. 【請求項10】 上記レンズの上記光学記録媒体に対向
    される面に、上記配設面及び上記突出出射部が設けられ
    た光学部材からなる磁界発生素子支持基板が取り付けら
    れていることを特徴とする請求項9記載の記録及び/又
    は再生装置。
  11. 【請求項11】 上記光学素子は、上記光学記録媒体に
    照射される光の光路上に配された複数のレンズを有し、 上記複数のレンズの内の上記光学記録媒体に最も近いレ
    ンズの当該光学記録媒体に対向される側に、上記配設面
    及び上記突出出射部を有していることを特徴とする請求
    項9記載の記録及び/又は再生装置。
  12. 【請求項12】 上記複数のレンズの内の上記光学記録
    媒体に最も近いレンズの当該光学記録媒体に対向される
    面に、上記配設面及び上記突出出射部が設けられた光学
    部材からなる磁界発生素子支持基板が取り付けられてい
    ることを特徴とする請求項11記載の記録及び/又は再
    生装置。
  13. 【請求項13】 上記磁界発生素子は、磁界発生用の薄
    膜コイルを備えていることを特徴とする請求項9記載の
    記録及び/又は再生装置。
  14. 【請求項14】 上記磁界発生素子は、磁性コアを備え
    ていることを特徴とする請求項9記載の記録及び/又は
    再生装置。
  15. 【請求項15】 上記磁性コアは、上記突出出射部の周
    囲に設けられていることを特徴とする請求項14記載の
    記録及び/又は再生装置。
  16. 【請求項16】 上記磁性コアは、上記突出出射部の外
    側面に対しても形成されていることを特徴とする請求項
    15記載の記録及び/又は再生装置。
  17. 【請求項17】 光学記録媒体の光磁気記録層に照射さ
    れる光を収束させるレンズと、上記レンズの上記光学記
    録媒体に対向する側に配置されている磁界発生素子とを
    からなる光学素子を製造する光学素子の製造方法であっ
    て、 上記レンズの上記光学記録媒体に対向される面に、光の
    出射面を設けてなる突出出射部と、上記突出出射部の周
    囲の後退部に上記磁界発生素子を配設する配設部とを形
    成することを特徴とする光学素子の製造方法。
  18. 【請求項18】 上記突出出射部を、エッチング処理に
    より形成することを特徴とする請求項17記載の光学素
    子の製造方法。
  19. 【請求項19】 上記突出出射部を、光学材料を積層さ
    せて形成することを特徴とする請求項17記載の光学素
    子の製造方法。
  20. 【請求項20】 上記配設部に上記磁界発生素子を設け
    た後に、上記光学材料を積層させて上記突出出射部の形
    成することを特徴とする請求項19記載の光学素子の製
    造方法。
  21. 【請求項21】 上記突出出射部の光の出射面を研磨し
    て平坦化することを特徴とする請求項20記載の光学素
    子の製造方法。
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