JP2707588B2 - 磁気光学ピックアップ - Google Patents
磁気光学ピックアップInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録用の磁気光学ピックアップに関
する。
する。
本発明は、光磁気記録用の磁気光学ピックアップにお
いて、スライダーの側面に磁気記録媒体に対向して空隙
を有する磁気コアからなる磁気回路を形成し、この磁気
回路に励磁巻線を巻装し、磁気コアに囲まれた内部に、
半導体レーザと、この半導体レーザからの記録光又は再
生光を磁気記録媒体にガイドし且つ光スポットの大きさ
を規定する第１の光導波路と、再生光が磁気記録媒体で
反射した反射光をガイドする第２の光導波路と、第２の
光導波路の端部に設けた光検出器を有してなる光回路を
配した構成とすることによって、光学系を簡素にし、小
さくして、小型、軽量化を可能にし、高速アクセス、高
速転送等に対応できるようにして、しかも、記録磁界と
記録光の位置を一致させて記録光のパワーを必要最小限
とし且つ確実な記録を行えるようにしたものである。
いて、スライダーの側面に磁気記録媒体に対向して空隙
を有する磁気コアからなる磁気回路を形成し、この磁気
回路に励磁巻線を巻装し、磁気コアに囲まれた内部に、
半導体レーザと、この半導体レーザからの記録光又は再
生光を磁気記録媒体にガイドし且つ光スポットの大きさ
を規定する第１の光導波路と、再生光が磁気記録媒体で
反射した反射光をガイドする第２の光導波路と、第２の
光導波路の端部に設けた光検出器を有してなる光回路を
配した構成とすることによって、光学系を簡素にし、小
さくして、小型、軽量化を可能にし、高速アクセス、高
速転送等に対応できるようにして、しかも、記録磁界と
記録光の位置を一致させて記録光のパワーを必要最小限
とし且つ確実な記録を行えるようにしたものである。
第９図は従来の光磁気ディスク用の磁気光学非の例を
示す。同図において、（１）は記録媒体である光磁気デ
ィスク、（２）はレーザ光源を示す。レーザ光源（２）
からの光ビームはグレイティング（３）、レンズ系
（４）、偏光子（５）、ビームスプリッタ（６）及び対
物レンズ（７）を経て光磁気ディスク（１）上に集光さ
れる。光磁気ディスク（１）を反射した戻りの光ビーム
はビームスプリッタ（６）で90゜方向に反射され、1/2
波長板（８）を経て偏光ビームスプリッタ（９）とフォ
トダイオード（10），（11）により差動検出されて再生
信号が得られる。なお（12）及び（13）はシリンドカル
・レンズである。
示す。同図において、（１）は記録媒体である光磁気デ
ィスク、（２）はレーザ光源を示す。レーザ光源（２）
からの光ビームはグレイティング（３）、レンズ系
（４）、偏光子（５）、ビームスプリッタ（６）及び対
物レンズ（７）を経て光磁気ディスク（１）上に集光さ
れる。光磁気ディスク（１）を反射した戻りの光ビーム
はビームスプリッタ（６）で90゜方向に反射され、1/2
波長板（８）を経て偏光ビームスプリッタ（９）とフォ
トダイオード（10），（11）により差動検出されて再生
信号が得られる。なお（12）及び（13）はシリンドカル
・レンズである。
一方、記録する場合には、磁気光学ピックアップで光
磁気ディスク（１）の記録層上に焦点を結ぶように光ビ
ームを照射し、光磁気ディスク（１）の裏面からマグネ
ット又はコイルにより、記録磁界、即ち光変調方式では
補助磁界を、磁界変調方式では信号磁界を印加して行わ
れる。
磁気ディスク（１）の記録層上に焦点を結ぶように光ビ
ームを照射し、光磁気ディスク（１）の裏面からマグネ
ット又はコイルにより、記録磁界、即ち光変調方式では
補助磁界を、磁界変調方式では信号磁界を印加して行わ
れる。
ところで、上述した従来の磁気光学ピックアップにお
いては、光学レンズ系を使うために構造が大きく、重い
こと、また記録磁界はマグネット又はコイルにより光磁
気ディスクの裏面から印加するので機構が複雑であるこ
と等の欠点があり、高速アクセス、高速転送が困難であ
った。
いては、光学レンズ系を使うために構造が大きく、重い
こと、また記録磁界はマグネット又はコイルにより光磁
気ディスクの裏面から印加するので機構が複雑であるこ
と等の欠点があり、高速アクセス、高速転送が困難であ
った。
本発明は、上述の点に鑑み、小型、軽量で高速アクセ
ス、高速転送が可能な磁気光学ピックアップを提供する
ものである。
ス、高速転送が可能な磁気光学ピックアップを提供する
ものである。
本発明の磁気光学ピックアップは、スライダー（24）
の側面に、磁気記録媒体（21）に対向して空隙ｇを有す
る磁気コア（26,27）からなる磁気回路（28）を形成
し、磁気回路（28）に励磁巻線（29）を巻装し、磁気コ
ア（26,27）に囲まれた内部に、半導体レーザ（36）
と、この半導体レーザ（36）からの記録光又は再生光を
磁気記録媒体（21）にガイドし且つ光スポットの大きさ
を規定する第１の光導波路（38）と、再生光が記録媒体
（21）で反射した反射光をガイドする第２の光導波路
（40）と、この第２の光導波路（40）の端部に設けた光
検出器（37）を有してなる光回路を配した構成とする。
の側面に、磁気記録媒体（21）に対向して空隙ｇを有す
る磁気コア（26,27）からなる磁気回路（28）を形成
し、磁気回路（28）に励磁巻線（29）を巻装し、磁気コ
ア（26,27）に囲まれた内部に、半導体レーザ（36）
と、この半導体レーザ（36）からの記録光又は再生光を
磁気記録媒体（21）にガイドし且つ光スポットの大きさ
を規定する第１の光導波路（38）と、再生光が記録媒体
（21）で反射した反射光をガイドする第２の光導波路
（40）と、この第２の光導波路（40）の端部に設けた光
検出器（37）を有してなる光回路を配した構成とする。
上述の構成によれば、記録するときには、第１の光導
波路（38）を通じて半導体レーザ（36）からの記録光を
磁気記録媒体（21）に照射すると共に、磁気回路（28）
により磁気記録媒体（21）に記録磁界を与える。この場
合、光変調方式では磁気回路（28）より補助磁界が与え
られ、磁界変調方式では磁気回路より記録信号に基づく
磁界が与えられる。
波路（38）を通じて半導体レーザ（36）からの記録光を
磁気記録媒体（21）に照射すると共に、磁気回路（28）
により磁気記録媒体（21）に記録磁界を与える。この場
合、光変調方式では磁気回路（28）より補助磁界が与え
られ、磁界変調方式では磁気回路より記録信号に基づく
磁界が与えられる。
再生時には、半導体レーザ（36）からの再生光が第１
の光導波路（38）を通じて磁気記録媒体（21）に入射さ
れ、その反射光が第２の光導波路（40）より光検出器
（37）に受光されて之より再生信号が取り出される。
の光導波路（38）を通じて磁気記録媒体（21）に入射さ
れ、その反射光が第２の光導波路（40）より光検出器
（37）に受光されて之より再生信号が取り出される。
上述の磁気光学ピックアップは、従来のような大きな
レンズ系に変えて、記録光又は再生光をガイドし且つ光
スポットの大きさを規定する第１の光導波路（38）と再
生光が磁気記録媒体で反射した反射光をガイドする第２
の光導波路（40）からなる光導波路（31）を用いること
により、光学系を簡素にし、小さくすることができる。
そして、この第１、第２の光導波路（38），（40）、半
導体レーザ（36）及び光検出器（37）を有する光回路
（32）と、巻線（29）の施された磁気回路（28）を一体
に組合わせたことにより、磁気光学ピックアップ、所謂
光磁気用の記録再生ヘッドの小型、軽量化が図られる。
また、磁気光学ピックアップ（25）はスライダー（24）
上に形成されることにより、高速アクセス、高速転送が
可能となる。
レンズ系に変えて、記録光又は再生光をガイドし且つ光
スポットの大きさを規定する第１の光導波路（38）と再
生光が磁気記録媒体で反射した反射光をガイドする第２
の光導波路（40）からなる光導波路（31）を用いること
により、光学系を簡素にし、小さくすることができる。
そして、この第１、第２の光導波路（38），（40）、半
導体レーザ（36）及び光検出器（37）を有する光回路
（32）と、巻線（29）の施された磁気回路（28）を一体
に組合わせたことにより、磁気光学ピックアップ、所謂
光磁気用の記録再生ヘッドの小型、軽量化が図られる。
また、磁気光学ピックアップ（25）はスライダー（24）
上に形成されることにより、高速アクセス、高速転送が
可能となる。
また、記録磁界と記録光の位置が一致するので、記録
光のパワーは必要最小限のパワーで済み、パワーの無駄
がなく、また確実に記録が行える。
光のパワーは必要最小限のパワーで済み、パワーの無駄
がなく、また確実に記録が行える。
以下、図面を参照して本発明による磁気光学ピックア
ップの実施例を説明する。
ップの実施例を説明する。
第１図及び第２図は本発明の磁気光学ピックアップの
一例である。第１図及び第２図において、（21）は磁気
記録媒体例えば基板（22）上に記録層（23）を有してな
る光磁気ディスク、（24）はスライダーであり、その端
面（24A）に本発明に係る磁気光学ピックアップ（25）
が形成される。
一例である。第１図及び第２図において、（21）は磁気
記録媒体例えば基板（22）上に記録層（23）を有してな
る光磁気ディスク、（24）はスライダーであり、その端
面（24A）に本発明に係る磁気光学ピックアップ（25）
が形成される。
磁気光学ピックアップ（25）は、第２図に示すように
フェライト基板（26）（スライダー（24）を兼ねること
もできる）と略コ字状のフェライトコア（27）よりなり
光磁気ディスク（21）に対向する先端に磁気空隙（９）
を形成した閉磁路を構成する磁気回路（28）と、この磁
気回路（28）を励磁するためフェライトコア（27）に巻
装された巻線（29）と、フェライト基板（26）上に例え
ばSiO2等の絶縁層（30）を介して配され磁気空隙ｇを通
って光磁気ディスク（21）に対向する光導波路（31）を
含む光回路（32）とから構成される。
フェライト基板（26）（スライダー（24）を兼ねること
もできる）と略コ字状のフェライトコア（27）よりなり
光磁気ディスク（21）に対向する先端に磁気空隙（９）
を形成した閉磁路を構成する磁気回路（28）と、この磁
気回路（28）を励磁するためフェライトコア（27）に巻
装された巻線（29）と、フェライト基板（26）上に例え
ばSiO2等の絶縁層（30）を介して配され磁気空隙ｇを通
って光磁気ディスク（21）に対向する光導波路（31）を
含む光回路（32）とから構成される。
この光回路（32）は、次のように形成される。例えば
第３図及び第４図の例では基板（26）上に絶縁層（30）
を介して光源となる半導体レーザダイオード（36）と、
例えばフォトダイオードよりなる光検出器（37）と、一
端がレーザダイオード（36）に対接又は対向し、他端が
光磁気ディスク（21）に対向し、レーザダイオード（3
6）からの射出光を光磁気ディスク（21）の面に直接入
射せしめる第１の光導波路（38）と、この第１の光導波
路（38）と交差型光方向性結合器（39）を構成し光磁気
ディスク（21）での反射光を第１の光導波路（38）より
交差型光方向性結合器（39）を介して光検出器（37）へ
導く第２の光導波路（40）が設けられて成る。第１の光
導波路（38）は、第３図で示すように、半導体レーザダ
イオード（36）からの出射光をガイドすると共に、光磁
気ディスク（21）の面に入射する光スポットの大きさを
規定する。レーザダイオード（36）としては記録を可能
にするためにパワーの大きなレーザダイオードを使用す
る。第１及び第２の光導波路（38）及び（40）は夫々例
えばソーダガラスをKNO3溶液中に浸漬しK+イオンとNa+
イオン交換によるイオン交換導波路、或は例えばLiNbO3
結晶にTi拡散してなるTi拡散LiNbO3導波路により構成さ
れる。なお、図示の例はイオン交換導波路を示し、（4
2）はソーダガラス基板、（43），（44）はガラススパ
ッタ膜である。一方、レーザダイオード（36）は十分な
偏光比を有する直線偏光であるが、再生信号を最大にす
るために第１の光導波路（38）のレーザダイオード（3
6）及び交差型光方向性結合器（39）間の途上、及び第
２の光導波路（40）の光検出器（37）及び交差型光方向
性結合器（37）間の途上に夫々偏光子及び検光子となる
金属クラッド型モードフィルタ（46）及び（47）が設け
られる。この金属クラッド型モードフィルタ（46）及び
（47）は第５図（第３図のＡ−Ａ線上の断面図）及び第
６図（第３図のＢ−Ｂ線上の断面図）に示すように第１
の光導波路（38）及び第２の光導波路（40）上に夫々例
えばSiO2等の絶縁層からなるバッファ層（48），（49）
を介して例えばAl等の金属層（50），（51）を被着形成
して構成する。そして、偏光子となる金属クラッド型モ
ードフィルタ（46）と検光子となる金属クラッド型モー
ドフィルタ（47）とは互のなす角が45゜、若しくは45゜
に近い所定角度となるように第４図及び第５図に示すよ
うに夫々バッファ層（48），（49）金属層（50），（5
1）を基準面（52）に対して角α，角β傾けて形成しそ
の際α＋β＝45゜若しくはα＋β45゜となるように構
成する。第６図（第３図のＣ−Ｃ線上の断面図）は交差
型光方向性結合器（39）の断面を示す。この光回路（3
2）ではレーザダイオード（36）からの出射光が第１の
光導波路（38）に入り、偏光子である金属クラッド型モ
ードフィルタ（46）を伝搬して光磁気ディスク（31）の
面に入射される。再生時の光磁気ディスク（31）で反射
した反射光は検光子の金属クラッド型モードフィルタ
（47）を通過して光検出器（37）に受光され、これより
再生信号が取り出される。
第３図及び第４図の例では基板（26）上に絶縁層（30）
を介して光源となる半導体レーザダイオード（36）と、
例えばフォトダイオードよりなる光検出器（37）と、一
端がレーザダイオード（36）に対接又は対向し、他端が
光磁気ディスク（21）に対向し、レーザダイオード（3
6）からの射出光を光磁気ディスク（21）の面に直接入
射せしめる第１の光導波路（38）と、この第１の光導波
路（38）と交差型光方向性結合器（39）を構成し光磁気
ディスク（21）での反射光を第１の光導波路（38）より
交差型光方向性結合器（39）を介して光検出器（37）へ
導く第２の光導波路（40）が設けられて成る。第１の光
導波路（38）は、第３図で示すように、半導体レーザダ
イオード（36）からの出射光をガイドすると共に、光磁
気ディスク（21）の面に入射する光スポットの大きさを
規定する。レーザダイオード（36）としては記録を可能
にするためにパワーの大きなレーザダイオードを使用す
る。第１及び第２の光導波路（38）及び（40）は夫々例
えばソーダガラスをKNO3溶液中に浸漬しK+イオンとNa+
イオン交換によるイオン交換導波路、或は例えばLiNbO3
結晶にTi拡散してなるTi拡散LiNbO3導波路により構成さ
れる。なお、図示の例はイオン交換導波路を示し、（4
2）はソーダガラス基板、（43），（44）はガラススパ
ッタ膜である。一方、レーザダイオード（36）は十分な
偏光比を有する直線偏光であるが、再生信号を最大にす
るために第１の光導波路（38）のレーザダイオード（3
6）及び交差型光方向性結合器（39）間の途上、及び第
２の光導波路（40）の光検出器（37）及び交差型光方向
性結合器（37）間の途上に夫々偏光子及び検光子となる
金属クラッド型モードフィルタ（46）及び（47）が設け
られる。この金属クラッド型モードフィルタ（46）及び
（47）は第５図（第３図のＡ−Ａ線上の断面図）及び第
６図（第３図のＢ−Ｂ線上の断面図）に示すように第１
の光導波路（38）及び第２の光導波路（40）上に夫々例
えばSiO2等の絶縁層からなるバッファ層（48），（49）
を介して例えばAl等の金属層（50），（51）を被着形成
して構成する。そして、偏光子となる金属クラッド型モ
ードフィルタ（46）と検光子となる金属クラッド型モー
ドフィルタ（47）とは互のなす角が45゜、若しくは45゜
に近い所定角度となるように第４図及び第５図に示すよ
うに夫々バッファ層（48），（49）金属層（50），（5
1）を基準面（52）に対して角α，角β傾けて形成しそ
の際α＋β＝45゜若しくはα＋β45゜となるように構
成する。第６図（第３図のＣ−Ｃ線上の断面図）は交差
型光方向性結合器（39）の断面を示す。この光回路（3
2）ではレーザダイオード（36）からの出射光が第１の
光導波路（38）に入り、偏光子である金属クラッド型モ
ードフィルタ（46）を伝搬して光磁気ディスク（31）の
面に入射される。再生時の光磁気ディスク（31）で反射
した反射光は検光子の金属クラッド型モードフィルタ
（47）を通過して光検出器（37）に受光され、これより
再生信号が取り出される。
第７図及び第８図は光回路（32）の他の例を示す。こ
の例は、一端が光磁気ディスク（21）に対向し他端にレ
ーザダイオード（36）を配した第１の光導波路（38）
と、一端が第１の光導波路（38）の一端に隣接し且つ第
１の光導波路（38）の一端の断面積より広い断面積を有
して、他端に光検出器（37）を配した第２の光導波路
（40）からなり、夫々の光導波路（38），（40）の途上
に第４図及び第５図で説明したと同様の偏光子及び検光
子となる金属クラッド型モードフィルタ（46）及び（4
7）を設けて構成される。この光回路（32）は狭トラッ
ク化、再生出力の向上、戻り光の影響を抑えレーザダイ
オード（36）の発振の不安定を防ぐこと等が図れる。
の例は、一端が光磁気ディスク（21）に対向し他端にレ
ーザダイオード（36）を配した第１の光導波路（38）
と、一端が第１の光導波路（38）の一端に隣接し且つ第
１の光導波路（38）の一端の断面積より広い断面積を有
して、他端に光検出器（37）を配した第２の光導波路
（40）からなり、夫々の光導波路（38），（40）の途上
に第４図及び第５図で説明したと同様の偏光子及び検光
子となる金属クラッド型モードフィルタ（46）及び（4
7）を設けて構成される。この光回路（32）は狭トラッ
ク化、再生出力の向上、戻り光の影響を抑えレーザダイ
オード（36）の発振の不安定を防ぐこと等が図れる。
また光回路（32）としては第３図、第７図の構成で金
属クラッド型モードフィルタ（46），（47）を省略した
構成も可能である。さらに光回路（32）としては図示せ
ざるも分岐型導波路を設け、その一部を光磁気ディスク
（21）に対向させ、一方の分岐導波路端にレーザダイオ
ード（36）を配し、他方の分岐導波路端に光検出器（3
7）を配した構成とすることもできる。
属クラッド型モードフィルタ（46），（47）を省略した
構成も可能である。さらに光回路（32）としては図示せ
ざるも分岐型導波路を設け、その一部を光磁気ディスク
（21）に対向させ、一方の分岐導波路端にレーザダイオ
ード（36）を配し、他方の分岐導波路端に光検出器（3
7）を配した構成とすることもできる。
尚、第２図の絶縁層（30）に代えてこれを例えばシリ
コン基板とし、このシリコン基板にフォトダイオードの
光検出器（37）を作り込み、このシリコン基板上にレー
ザダイオード（36）及び上述の光導波路（31）を配置す
るように構成することもできる。
コン基板とし、このシリコン基板にフォトダイオードの
光検出器（37）を作り込み、このシリコン基板上にレー
ザダイオード（36）及び上述の光導波路（31）を配置す
るように構成することもできる。
次に、かかる構成の磁気光学ピックアップ（25）の動
作を説明する。
作を説明する。
記録時の場合、例えば光変調方式では磁気回路（28）
の磁気空隙ｇより、光磁気ディスク（21）に補助磁界を
印加し、レーザダイオード（36）からの記録光を第１の
光導波路（38）を通じて光磁気ディスク（21）に入射せ
しめて記録する。
の磁気空隙ｇより、光磁気ディスク（21）に補助磁界を
印加し、レーザダイオード（36）からの記録光を第１の
光導波路（38）を通じて光磁気ディスク（21）に入射せ
しめて記録する。
磁界変調方式ではレーザダイオード（30）からの記録
光を第１の光導波路（38）を通じて光磁気ディスク（2
1）に入射し、磁気回路（28）に記録信号を入力してそ
の磁気空隙ｇにより光磁気ディスク（21）に記録信号に
応じた磁界を印加して記録する。
光を第１の光導波路（38）を通じて光磁気ディスク（2
1）に入射し、磁気回路（28）に記録信号を入力してそ
の磁気空隙ｇにより光磁気ディスク（21）に記録信号に
応じた磁界を印加して記録する。
次に再生するときは、前述したようにレーザダイオー
ド（36）からの再生光が第１の光導波路（38）を通じて
光磁気ディスク（21）に入射されその反射光が第２の光
導波路（40）を通じて光検出器（37）で検出されて之よ
り再生信号が取り出される。
ド（36）からの再生光が第１の光導波路（38）を通じて
光磁気ディスク（21）に入射されその反射光が第２の光
導波路（40）を通じて光検出器（37）で検出されて之よ
り再生信号が取り出される。
かかる構成の磁気光学ピックアップ（25）によれば、
レンズ系に変えて半導体レーザ（36）からの記録光又は
再生光をガイドし、かつ光スポットの大きさを規定する
第１の光導波路（38）と、再生光が光磁気ディスク（2
1）で反射した反射光をガイドする第２の光導波路（4
0）とからなる光導波路（31）を用いることにより、光
学系を簡素に、小さくすることができ、しかも、この光
導波路（31）を磁気空隙ｇを通るように、巻線（29）の
施された磁気回路（28）と光回路（32）を一体化して構
成したことにより、小型、軽量の光磁気用の所謂記録、
再生ヘッドが得られる。この磁気光学ピックアップ（2
5）は、スライダー（24）上に形成されるので、高速ア
クセス、高速転送が達成できる。さらに、磁気回路（2
8）の磁気空隙ｇを通して設けられた同じ第１の光導波
路（38）を通じて記録光、再生光を光磁気ディスク（2
1）に入射せしめて記録及び再生を行うので、記録ヘッ
ドと、再生ヘッドのトラック位置合せが不要となる。記
録磁界と記録光の位置が一致するので、記録光のパワー
は必要最小限のパワーで済み、パワーの無駄がなく、ま
た確実に記録が行える。また、従来の光学レンズ系を用
いた磁気光学ピックアップに比べて安価に提供できる。
レンズ系に変えて半導体レーザ（36）からの記録光又は
再生光をガイドし、かつ光スポットの大きさを規定する
第１の光導波路（38）と、再生光が光磁気ディスク（2
1）で反射した反射光をガイドする第２の光導波路（4
0）とからなる光導波路（31）を用いることにより、光
学系を簡素に、小さくすることができ、しかも、この光
導波路（31）を磁気空隙ｇを通るように、巻線（29）の
施された磁気回路（28）と光回路（32）を一体化して構
成したことにより、小型、軽量の光磁気用の所謂記録、
再生ヘッドが得られる。この磁気光学ピックアップ（2
5）は、スライダー（24）上に形成されるので、高速ア
クセス、高速転送が達成できる。さらに、磁気回路（2
8）の磁気空隙ｇを通して設けられた同じ第１の光導波
路（38）を通じて記録光、再生光を光磁気ディスク（2
1）に入射せしめて記録及び再生を行うので、記録ヘッ
ドと、再生ヘッドのトラック位置合せが不要となる。記
録磁界と記録光の位置が一致するので、記録光のパワー
は必要最小限のパワーで済み、パワーの無駄がなく、ま
た確実に記録が行える。また、従来の光学レンズ系を用
いた磁気光学ピックアップに比べて安価に提供できる。
尚、上例では、記録、再生を行う磁気光学ピックアッ
プに適用したが、その他レーザダイオード（36）と記録
光のみを通す光導波路（38）より成る光回路（31）を構
成して記録のみを行う磁気光学ピックアップを構成する
ことができる。
プに適用したが、その他レーザダイオード（36）と記録
光のみを通す光導波路（38）より成る光回路（31）を構
成して記録のみを行う磁気光学ピックアップを構成する
ことができる。
上述の本発明によれば、記録光又は再生光をガイド
し、かつ光スポットの大きさを規定する第１の光導波路
と、再生光が磁気記録媒体で反射した反射光をガイドす
る第２の光導波路を有することにより、レンズ系を省略
して磁気光学ピックアップの光学系を簡素にし、小さく
することができる。そして、この第１及び第２の光導波
路、記録光又は再生光を出射する半導体レーザ及び再生
光を検出する光検出器を有してなる光回路をスライダー
側面に形成した磁気回路の磁気コアに囲まれた内部に配
することにより、記録、再生用の磁気光学ピックアップ
を小型、軽量に形成することができる。また、この磁気
光学ピックアップは、スライダー上に一体に形成されて
いるので、高速アクセス、高速転送を達成することがで
きる。
し、かつ光スポットの大きさを規定する第１の光導波路
と、再生光が磁気記録媒体で反射した反射光をガイドす
る第２の光導波路を有することにより、レンズ系を省略
して磁気光学ピックアップの光学系を簡素にし、小さく
することができる。そして、この第１及び第２の光導波
路、記録光又は再生光を出射する半導体レーザ及び再生
光を検出する光検出器を有してなる光回路をスライダー
側面に形成した磁気回路の磁気コアに囲まれた内部に配
することにより、記録、再生用の磁気光学ピックアップ
を小型、軽量に形成することができる。また、この磁気
光学ピックアップは、スライダー上に一体に形成されて
いるので、高速アクセス、高速転送を達成することがで
きる。
磁気回路の空隙を通して記録光をガイドする第１の光
導波路が設けられることにより、記録磁界と記録光の位
置が一致し、記録光のパワーは必要最小限のパワーで済
み、パワーの無駄かない。また、確実に記録が行える。
従って、信頼性の高い磁気光学ピックアップを提供する
ことができる。
導波路が設けられることにより、記録磁界と記録光の位
置が一致し、記録光のパワーは必要最小限のパワーで済
み、パワーの無駄かない。また、確実に記録が行える。
従って、信頼性の高い磁気光学ピックアップを提供する
ことができる。
さらに従来のような光学レンズ系を用いた磁気光学ピ
ックアップに比して安価に提供できる。
ックアップに比して安価に提供できる。
第１図は本発明による磁気光学ピックアップをスライダ
に配した例を示す構成図、第２図は本発明の磁気光学ピ
ックアップの一例を示す断面図、第３図は本発明に係る
光回路の一例を示す平面図、第４図乃至第６図は夫々そ
のＡ−Ａ線上の断面図、Ｂ−Ｂ線上の断面図、Ｃ−Ｃ線
上の断面図、第７図及び第８図は光回路の他の例を示す
平面図及びその先端の要部の斜視図、第９図は従来の磁
気光学ピックアップの例を示す構成図である。 （21）は光磁気ディスク、（25）は磁気光学ピックアッ
プ、（26）はフェライト基板、（27）はフェライトコ
ア、（28）は磁気回路、（29）は巻線、（30）は絶縁
層、（31）は光導波路、（32）は光回路、（36）はレー
ザダイオードである。
に配した例を示す構成図、第２図は本発明の磁気光学ピ
ックアップの一例を示す断面図、第３図は本発明に係る
光回路の一例を示す平面図、第４図乃至第６図は夫々そ
のＡ−Ａ線上の断面図、Ｂ−Ｂ線上の断面図、Ｃ−Ｃ線
上の断面図、第７図及び第８図は光回路の他の例を示す
平面図及びその先端の要部の斜視図、第９図は従来の磁
気光学ピックアップの例を示す構成図である。 （21）は光磁気ディスク、（25）は磁気光学ピックアッ
プ、（26）はフェライト基板、（27）はフェライトコ
ア、（28）は磁気回路、（29）は巻線、（30）は絶縁
層、（31）は光導波路、（32）は光回路、（36）はレー
ザダイオードである。
Claims (1)
- 【請求項１】スライダーの側面に磁気記録媒体に対して
空隙を有する磁気コアからなる磁気回路が形成され、 前記磁気回路に励磁巻線が巻装され、 前記磁気コアに囲まれた内部に、半導体レーザと、該半
導体レーザからの記録光又は再生光を前記磁気記録媒体
にガイドし且つ光スポットの大きさを規定する第１の光
導波路と、前記再生光が前記磁気記録媒体で反射した反
射光をガイドする第２の光導波路と、該第２の光導波路
の端部に設けた光検出器を有する光回路が配されて成る
磁気光学ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63102301A JP2707588B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 磁気光学ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63102301A JP2707588B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 磁気光学ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273252A JPH01273252A (ja) | 1989-11-01 |
| JP2707588B2 true JP2707588B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=14323788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63102301A Expired - Fee Related JP2707588B2 (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 磁気光学ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2707588B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02260205A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Sharp Corp | 光磁気複合ヘッド |
| US5808973A (en) * | 1995-09-06 | 1998-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Near field recording and reproducing apparatus |
| JP4354075B2 (ja) | 2000-03-09 | 2009-10-28 | シャープ株式会社 | 複合磁気ヘッド装置、それを用いた情報記録再生装置および記録媒体 |
| WO2001067443A1 (fr) * | 2000-03-10 | 2001-09-13 | Hitachi, Ltd. | Tête magnétique à couche mince de type à induction lumineuse |
| JP5182242B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2013-04-17 | 株式会社ダイフク | 洗車機 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434326B2 (ja) * | 1972-03-01 | 1979-10-26 | ||
| JPH0516655Y2 (ja) * | 1985-03-01 | 1993-05-06 | ||
| JPS62223841A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Hitachi Ltd | 磁気記録再生変換器 |
| JP2577726B2 (ja) * | 1986-10-20 | 1997-02-05 | 日本電信電話株式会社 | 光磁気ヘツド |
| JPS63220433A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Ricoh Co Ltd | 光磁気情報記録再生装置 |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP63102301A patent/JP2707588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01273252A (ja) | 1989-11-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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