JPH04358309A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04358309A JPH04358309A JP13157491A JP13157491A JPH04358309A JP H04358309 A JPH04358309 A JP H04358309A JP 13157491 A JP13157491 A JP 13157491A JP 13157491 A JP13157491 A JP 13157491A JP H04358309 A JPH04358309 A JP H04358309A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或い
は磁気テープ装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関するものである。
は磁気テープ装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関するものである。
【０００２】近年、コンピュータシステム等の外部記憶
装置として用いられている磁気ディスク装置では、高密
度記録化及び大容量化と共に、記録・再生特性が良好で
小型な記録・再生用の薄膜磁気ヘッドが要求されている
。
装置として用いられている磁気ディスク装置では、高密
度記録化及び大容量化と共に、記録・再生特性が良好で
小型な記録・再生用の薄膜磁気ヘッドが要求されている
。
【０００３】従って、その小型化に伴って励磁用コイル
導体の小型化が容易で、かつ精度の良い薄膜磁気ヘッド
を得ることができる製造方法が必要とされている。
導体の小型化が容易で、かつ精度の良い薄膜磁気ヘッド
を得ることができる製造方法が必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドは、図２（ａ）
に示すように、Ａｌ２Ｏ３ ・ＴｉＣ 等からなる非磁
性基板１１上に Ｎｉ−Ｆｅ膜等からなる第１磁極層１
２と、該第１磁極層１２上にＳｉＯ２等からなる ０．
４μｍの膜厚のギャップ層１３を介して熱硬化性樹脂等
からなる下部層間絶縁層１４を形成した後、該ギャップ
層１３及び下部層間絶縁層１４上に蒸着法、またはスパ
ッタリング法等により０．０１μｍ程度の膜厚のＴｉ密
着膜と０．１ μｍ程度の膜厚のＣｕ導電膜からなる二
層膜構成のめっき下地導体膜１５を被着形成する。
に示すように、Ａｌ２Ｏ３ ・ＴｉＣ 等からなる非磁
性基板１１上に Ｎｉ−Ｆｅ膜等からなる第１磁極層１
２と、該第１磁極層１２上にＳｉＯ２等からなる ０．
４μｍの膜厚のギャップ層１３を介して熱硬化性樹脂等
からなる下部層間絶縁層１４を形成した後、該ギャップ
層１３及び下部層間絶縁層１４上に蒸着法、またはスパ
ッタリング法等により０．０１μｍ程度の膜厚のＴｉ密
着膜と０．１ μｍ程度の膜厚のＣｕ導電膜からなる二
層膜構成のめっき下地導体膜１５を被着形成する。
【０００５】更に、そのめっき下地導体膜１５上に例え
ば４μｍ程度の膜厚のフォトレジスト膜を塗着形成した
後、該フォトレジスト膜を露光・現像して例えば渦巻状
のコイル形成用開口パターンを有するレジストマスク１
６を形成する。
ば４μｍ程度の膜厚のフォトレジスト膜を塗着形成した
後、該フォトレジスト膜を露光・現像して例えば渦巻状
のコイル形成用開口パターンを有するレジストマスク１
６を形成する。
【０００６】次に、図２（ｂ） に示すように、前記め
っき下地導体膜１５の図示しない一端とめっき電極間に
所定電圧を印加して電解めっき法により前記レジストマ
スク１６により覆われていないめっき下地導体膜１５の
露出面に３μｍ程度の膜厚のＣｕめっき膜１７を形成し
た後、図２（ｃ） に示すように該レジストマスク１６
を溶解除去する。
っき下地導体膜１５の図示しない一端とめっき電極間に
所定電圧を印加して電解めっき法により前記レジストマ
スク１６により覆われていないめっき下地導体膜１５の
露出面に３μｍ程度の膜厚のＣｕめっき膜１７を形成し
た後、図２（ｃ） に示すように該レジストマスク１６
を溶解除去する。
【０００７】引続き図２（ｄ） に示すようにそのレジ
ストマスク１６の除去によって露出しためっき下地導体
膜１５部分をイオンエッチング法によりエッチング除去
して、渦巻状のコイル導体層１８を形成する。
ストマスク１６の除去によって露出しためっき下地導体
膜１５部分をイオンエッチング法によりエッチング除去
して、渦巻状のコイル導体層１８を形成する。
【０００８】その後、図３（ａ） の平面図及びその図
のＡ−Ａ’切断線に沿った図３（ｂ） のＡ−Ａ’断面
図に示すように前記コイル導体層１８を含む下部層間絶
縁層１４上に上部層間絶縁層２０を塗着し、その上部層
間絶縁層２０上に Ｎｉ−Ｆｅ膜等からなる第２磁極層
２１を、その先端部は第１磁極層１２の先端部とギャッ
プ層１３を介して配設し、後端部は該第１磁極層１２の
後端部と直接接着した状態に配設している。
のＡ−Ａ’切断線に沿った図３（ｂ） のＡ−Ａ’断面
図に示すように前記コイル導体層１８を含む下部層間絶
縁層１４上に上部層間絶縁層２０を塗着し、その上部層
間絶縁層２０上に Ｎｉ−Ｆｅ膜等からなる第２磁極層
２１を、その先端部は第１磁極層１２の先端部とギャッ
プ層１３を介して配設し、後端部は該第１磁極層１２の
後端部と直接接着した状態に配設している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、前記図２（ｃ）
に示すようにＣｕめっき膜１７の形成後、レジストマス
ク１６の溶解除去によりそのＣｕめっき膜１７のパター
ンより露出されためっき下地導体膜１５部分をイオンエ
ッチング法によりエッチング除去する際に、前記Ｃｕめ
っき膜１７のパターン間隔が狭いために、そのパターン
間隔の間に露出するめっき下地導体膜１５部分へ入射す
るイオン量（入射イオン密度） が必然的に減少し、エ
ッチング速度が低下する。
来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、前記図２（ｃ）
に示すようにＣｕめっき膜１７の形成後、レジストマス
ク１６の溶解除去によりそのＣｕめっき膜１７のパター
ンより露出されためっき下地導体膜１５部分をイオンエ
ッチング法によりエッチング除去する際に、前記Ｃｕめ
っき膜１７のパターン間隔が狭いために、そのパターン
間隔の間に露出するめっき下地導体膜１５部分へ入射す
るイオン量（入射イオン密度） が必然的に減少し、エ
ッチング速度が低下する。
【００１０】このため、Ｃｕめっき膜１７のパターン間
隔の間に露出するめっき下地導体膜１５部分を完全にエ
ッチング除去した時点で、前記第１磁極層１２の先端部
上の同時にエッチングされるめっき下地導体膜１５部分
がオーバーエッチングされ、その直下のギャップ層１３
をもエッチングされた状態となり、その結果、当該薄膜
磁気ヘッドのギャップ長の精度が悪くなるという問題が
あった。
隔の間に露出するめっき下地導体膜１５部分を完全にエ
ッチング除去した時点で、前記第１磁極層１２の先端部
上の同時にエッチングされるめっき下地導体膜１５部分
がオーバーエッチングされ、その直下のギャップ層１３
をもエッチングされた状態となり、その結果、当該薄膜
磁気ヘッドのギャップ長の精度が悪くなるという問題が
あった。
【００１１】このような問題は薄膜磁気ヘッドの小型化
によるコイル導体層の小型、微細パターン化に伴って益
々発生し易くなり、また高密度記録化に伴い薄膜磁気ヘ
ッドのギャップ長も狭められていくので、そのギャップ
長の精度も高めることが重要となってきている。
によるコイル導体層の小型、微細パターン化に伴って益
々発生し易くなり、また高密度記録化に伴い薄膜磁気ヘ
ッドのギャップ長も狭められていくので、そのギャップ
長の精度も高めることが重要となってきている。
【００１２】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、Ｃ
ｕめっき膜パターン形成後のレジストマスク除去跡に露
出するめっき下地導体膜部分をイオンエッチングにより
除去してコイル導体層を形成する際に、第１磁極層先端
部上のギャップ層がエッチングされることを防止して、
小型な微細パターンのコイル導体層の形成とギャップ長
を精度良く得るようにした新規な薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とするものである。
ｕめっき膜パターン形成後のレジストマスク除去跡に露
出するめっき下地導体膜部分をイオンエッチングにより
除去してコイル導体層を形成する際に、第１磁極層先端
部上のギャップ層がエッチングされることを防止して、
小型な微細パターンのコイル導体層の形成とギャップ長
を精度良く得るようにした新規な薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基板上に第１磁極層、ギャップ層と下部
層間絶縁層とコイル導体層と上部層間絶縁層とを順に形
成し、更に該ギャップ層とコイル導体層との所定領域上
に第２磁極層を積層形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前記コイル導体層の形成工程は、前記ギャッ
プ層と下部層間絶縁層を含む基板上にめっき下地導体膜
を形成し、その表面にポジ形フォトレジスト膜を塗着し
、該レジスト膜を露光・現像してコイル形成用開口パタ
ーンを有する第１マスクを形成する工程と、該未露光状
態の第１マスクより露出するめっき下地導体膜部分に、
該第１マスクを光に曝さない状態でめっき法によりめっ
き膜を形成する工程と、前記第１磁極層先端部上のめっ
き下地導体膜部分のみを覆う第１マスク部分が残るよう
に該第１マスクを再露光・現像して第２マスクを形成し
た後、該第２マスク形成後に露出するめっき下地導体膜
部分をイオンエッチング法により除去してコイル導体層
を形成する工程と、前記第２マスクを除去した後、露出
する第１磁極層先端部上のめっき下地導体膜部分をイオ
ンエッチング法により除去する工程とを含み構成する。
達成するため、基板上に第１磁極層、ギャップ層と下部
層間絶縁層とコイル導体層と上部層間絶縁層とを順に形
成し、更に該ギャップ層とコイル導体層との所定領域上
に第２磁極層を積層形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前記コイル導体層の形成工程は、前記ギャッ
プ層と下部層間絶縁層を含む基板上にめっき下地導体膜
を形成し、その表面にポジ形フォトレジスト膜を塗着し
、該レジスト膜を露光・現像してコイル形成用開口パタ
ーンを有する第１マスクを形成する工程と、該未露光状
態の第１マスクより露出するめっき下地導体膜部分に、
該第１マスクを光に曝さない状態でめっき法によりめっ
き膜を形成する工程と、前記第１磁極層先端部上のめっ
き下地導体膜部分のみを覆う第１マスク部分が残るよう
に該第１マスクを再露光・現像して第２マスクを形成し
た後、該第２マスク形成後に露出するめっき下地導体膜
部分をイオンエッチング法により除去してコイル導体層
を形成する工程と、前記第２マスクを除去した後、露出
する第１磁極層先端部上のめっき下地導体膜部分をイオ
ンエッチング法により除去する工程とを含み構成する。
【００１４】
【作用】本発明では、コイル導体層を形成するためのＣ
ｕめっき膜を形成した際の未露光状態のポジ形フォトレ
ジストからなる第１マスクの感光性を利用して、該第１
マスクを再露光・現像して第１磁極層先端部上のめっき
下地導体膜部分のみが覆われた第２マスクを形成した後
、その第２マスク形成後に露出するめっき下地導体膜部
分をイオンエッチング法により除去してＣｕめっき膜か
らなるコイル導体層を形成し、次に該第２マスクの除去
後の第１磁極層先端部上のめっき下地導体膜をイオンエ
ッチング法により除去する方法、即ち、Ｃｕめっき膜の
パターン内に露出するめっき下地導体膜部分と第１磁極
層先端部上のめっき下地導体膜部分とを別々にイオンエ
ッチング法により除去することにより、該第１磁極層先
端部上のめっき下地導体膜部分の直下に有するギャップ
層へのエッチングが防止され、その結果、小型な微細パ
ターンのコイル導体層の形成とギャップ長を精度良く得
ることが可能となる。
ｕめっき膜を形成した際の未露光状態のポジ形フォトレ
ジストからなる第１マスクの感光性を利用して、該第１
マスクを再露光・現像して第１磁極層先端部上のめっき
下地導体膜部分のみが覆われた第２マスクを形成した後
、その第２マスク形成後に露出するめっき下地導体膜部
分をイオンエッチング法により除去してＣｕめっき膜か
らなるコイル導体層を形成し、次に該第２マスクの除去
後の第１磁極層先端部上のめっき下地導体膜をイオンエ
ッチング法により除去する方法、即ち、Ｃｕめっき膜の
パターン内に露出するめっき下地導体膜部分と第１磁極
層先端部上のめっき下地導体膜部分とを別々にイオンエ
ッチング法により除去することにより、該第１磁極層先
端部上のめっき下地導体膜部分の直下に有するギャップ
層へのエッチングが防止され、その結果、小型な微細パ
ターンのコイル導体層の形成とギャップ長を精度良く得
ることが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１（ａ） 〜（ｅ） は本発明に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を順に示す要部断
面図である。
細に説明する。図１（ａ） 〜（ｅ） は本発明に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例を順に示す要部断
面図である。
【００１６】先ず、図１（ａ） に示すように従来と同
様なＡｌ２Ｏ３ ・ＴｉＣ 等からなる非磁性基板１１
上に Ｎｉ−Ｆｅ膜等からなる第１磁極層１２と、該第
１磁極層１２上にＳｉＯ２等からなる０．４μｍの膜厚
のギャップ層１３を介して熱硬化性樹脂等からなる下部
層間絶縁層１４をパターン形成した後、該ギャップ層１
３及び下部層間絶縁層１４上に蒸着法、またはスパッタ
リング法等により０．０１μｍ程度の膜厚のＴｉ密着膜
と ０．１μｍ程度の膜厚のＣｕ導電膜からなる二層膜
構成のめっき下地導体膜１５を被着形成する。
様なＡｌ２Ｏ３ ・ＴｉＣ 等からなる非磁性基板１１
上に Ｎｉ−Ｆｅ膜等からなる第１磁極層１２と、該第
１磁極層１２上にＳｉＯ２等からなる０．４μｍの膜厚
のギャップ層１３を介して熱硬化性樹脂等からなる下部
層間絶縁層１４をパターン形成した後、該ギャップ層１
３及び下部層間絶縁層１４上に蒸着法、またはスパッタ
リング法等により０．０１μｍ程度の膜厚のＴｉ密着膜
と ０．１μｍ程度の膜厚のＣｕ導電膜からなる二層膜
構成のめっき下地導体膜１５を被着形成する。
【００１７】更に、そのめっき下地導体膜１５上に例え
ば５μｍ程度の膜厚のポジ形フォトレジスト膜を塗着し
た後、該フォトレジスト膜を露光・現像して例えば渦巻
状のコイル形成用開口パターンを有する第１マスク３１
を形成する。
ば５μｍ程度の膜厚のポジ形フォトレジスト膜を塗着し
た後、該フォトレジスト膜を露光・現像して例えば渦巻
状のコイル形成用開口パターンを有する第１マスク３１
を形成する。
【００１８】そして前記めっき下地導体膜１５における
図示しない一端とめっき装置側のめっき電極間に所定電
圧を印加して電解めっき法により該未露光状態の該第１
マスク３１により覆われていないめっき下地導体膜１５
の露出面に、該第１マスク３１を光に曝さない状態で４
μｍ程度の膜厚のＣｕめっき膜３２を形成する。
図示しない一端とめっき装置側のめっき電極間に所定電
圧を印加して電解めっき法により該未露光状態の該第１
マスク３１により覆われていないめっき下地導体膜１５
の露出面に、該第１マスク３１を光に曝さない状態で４
μｍ程度の膜厚のＣｕめっき膜３２を形成する。
【００１９】次に、図１（ｂ） に示すように、前記第
１磁極層１２の先端部上におけるギャップ層１３部分及
びめっき下地導体膜１５部分のみを覆う第１マスク３１
部分が残留するように該第１マスク３１を再露光・現像
して第２マスク３３を形成した後、該第２マスク３３の
形成後に露出するめっき下地導体膜１５部分を図１（ｃ
） に示すようにイオンエッチング法により除去するこ
とによって例えば渦巻状のコイル導体層３４を形成する
。
１磁極層１２の先端部上におけるギャップ層１３部分及
びめっき下地導体膜１５部分のみを覆う第１マスク３１
部分が残留するように該第１マスク３１を再露光・現像
して第２マスク３３を形成した後、該第２マスク３３の
形成後に露出するめっき下地導体膜１５部分を図１（ｃ
） に示すようにイオンエッチング法により除去するこ
とによって例えば渦巻状のコイル導体層３４を形成する
。
【００２０】次に、図１（ｄ） に示すように該第２マ
スク３３を溶解除去した後、図１（ｅ） に示すように
その除去跡に露出しためっき下地導体膜１５部分をイオ
ンエッチング法によりエッチング除去することにより、
前記第１磁極層１２の先端部上におけるギャップ層１３
部分がエッチングされずにその膜厚が所定厚さに確保さ
れる。
スク３３を溶解除去した後、図１（ｅ） に示すように
その除去跡に露出しためっき下地導体膜１５部分をイオ
ンエッチング法によりエッチング除去することにより、
前記第１磁極層１２の先端部上におけるギャップ層１３
部分がエッチングされずにその膜厚が所定厚さに確保さ
れる。
【００２１】なお、この工程では前記コイル導体層３４
も同時にイオンエッチングされるので、該コイル導体層
３４の膜厚を予めそのエッチングされる膜厚分だけ余分
に厚く形成しておくか、或いは該コイル導体層３４をレ
ジスト膜等により覆った状態で前記除去跡に露出しため
っき下地導体膜１５部分をイオンエッチングするように
してもよい。
も同時にイオンエッチングされるので、該コイル導体層
３４の膜厚を予めそのエッチングされる膜厚分だけ余分
に厚く形成しておくか、或いは該コイル導体層３４をレ
ジスト膜等により覆った状態で前記除去跡に露出しため
っき下地導体膜１５部分をイオンエッチングするように
してもよい。
【００２２】その後、前記ギャップ層１３及びコイル導
体層３４を含む下部層間絶縁層１４上に従来と同様に熱
硬化性樹脂等からなる上部層間絶縁層、 Ｎｉ−Ｆｅ膜
等からなる第１磁極層を順に積層上にパターン形成する
ことにより、前記第１磁極層１２先端部上のめっき下地
導体膜１５部分の直下に有するギャップ層１３がエッチ
ングされる問題が防止され、小型な微細パターンのコイ
ル導体層と所定のギャップ長を精度良く確保された薄膜
磁気ヘッドを得ることが可能となる。
体層３４を含む下部層間絶縁層１４上に従来と同様に熱
硬化性樹脂等からなる上部層間絶縁層、 Ｎｉ−Ｆｅ膜
等からなる第１磁極層を順に積層上にパターン形成する
ことにより、前記第１磁極層１２先端部上のめっき下地
導体膜１５部分の直下に有するギャップ層１３がエッチ
ングされる問題が防止され、小型な微細パターンのコイ
ル導体層と所定のギャップ長を精度良く確保された薄膜
磁気ヘッドを得ることが可能となる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、コイル導体
層を形成するためのＣｕめっき膜のパターン内に露出す
るめっき下地導体膜部分と第１磁極層先端部上のめっき
下地導体膜部分とを別々にイオンエッチング法により除
去することによって、該第１磁極層先端部上のめっき下
地導体膜部分の直下に有するギャップ層へのエッチング
障害が防止されるので小型な微細パターンのコイル導体
層の形成とギャップ長を精度良く確保することが可能と
なる等、高密度記録化に有利で小型な薄膜磁気ヘッドを
容易に得ることができ、実用上優れた効果を奏する。
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、コイル導体
層を形成するためのＣｕめっき膜のパターン内に露出す
るめっき下地導体膜部分と第１磁極層先端部上のめっき
下地導体膜部分とを別々にイオンエッチング法により除
去することによって、該第１磁極層先端部上のめっき下
地導体膜部分の直下に有するギャップ層へのエッチング
障害が防止されるので小型な微細パターンのコイル導体
層の形成とギャップ長を精度良く確保することが可能と
なる等、高密度記録化に有利で小型な薄膜磁気ヘッドを
容易に得ることができ、実用上優れた効果を奏する。
【図１】 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の
一実施例を順に示す要部断面図である。
一実施例を順に示す要部断面図である。
【図２】 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を順に説
明するための要部断面図である。
明するための要部断面図である。
【図３】 従来の薄膜磁気ヘッドを説明するための図
である。
である。
１１ 非磁性基板
１２ 第１磁極層
１３ ギャップ層
１４ 下部層間絶縁層
１５ めっき下地導体膜
３１ 第１マスク
３２ Ｃｕめっき膜
３３ 第２マスク
３４ コイル導体層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板（１１）上に第１磁極層（１２）
、ギャップ層（１３）と下部層間絶縁層（１４）とコイ
ル導体層（３４）と上部層間絶縁層とを順に形成し、更
に該ギャップ層（１３）とコイル導体層（３４）との所
定領域上に第２磁極層を積層形成する薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記コイル導体層（３４）の形成工
程は、該ギャップ層（１３）と下部層間絶縁層（１４）
を含む基板（１１）上にめっき下地導体膜（１５）を形
成し、その表面にポジ形フォトレジスト膜を塗着し、該
レジスト膜を露光・現像してコイル形成用開口パターン
を有する第１マスク（３１） を形成する工程と、該未
露光状態の第１マスク（３１）より露出するめっき下地
導体膜（１５）部分に、該第１マスク（３１）を光に曝
さない状態でめっき法によりめっき膜（３２）を形成す
る工程と、前記第１磁極層（１２）先端部上のめっき下
地導体膜（１５）部分のみを覆う第１マスク（３１）部
分が残るように該第１マスク（３１）を露光・現像して
第２マスク（３３）を形成した後、該第２マスク（３３
）の形成後に露出するめっき下地導体膜（１５）部分を
イオンエッチング法により除去してコイル導体層（３４
）を形成する工程と、前記第２マスク（３３）を除去し
た後、露出する第１磁極層（１２）先端部上のめっき下
地導体膜（１５）をイオンエッチング法により除去する
工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13157491A JPH04358309A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13157491A JPH04358309A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04358309A true JPH04358309A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15061239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13157491A Withdrawn JPH04358309A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04358309A (ja) |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13157491A patent/JPH04358309A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |