JP2626234B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2626234B2 JP2626234B2 JP2291580A JP29158090A JP2626234B2 JP 2626234 B2 JP2626234 B2 JP 2626234B2 JP 2291580 A JP2291580 A JP 2291580A JP 29158090 A JP29158090 A JP 29158090A JP 2626234 B2 JP2626234 B2 JP 2626234B2
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- Japan
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に露光に用
いられるアライメントマークの形成方法に関する。
いられるアライメントマークの形成方法に関する。
〔従来の技術〕 従来、基板上の金属を含む材料よりなる被膜、例えば
アルミニウム被膜やシリサイド被膜（以下金属含有被膜
という）上の感光性有機材料膜に露光装置用いて露光す
る場合、既に前工程でアライメントマークを形成した基
板上に金属含有被膜を形成し次いで感光性有機材料を塗
布した後、金属含有被膜と感光性有機材料膜により被覆
されたアライメントマークからの回折光や反射光を検出
し位置合わせを行ない露光する方法が一般的であった。
アルミニウム被膜やシリサイド被膜（以下金属含有被膜
という）上の感光性有機材料膜に露光装置用いて露光す
る場合、既に前工程でアライメントマークを形成した基
板上に金属含有被膜を形成し次いで感光性有機材料を塗
布した後、金属含有被膜と感光性有機材料膜により被覆
されたアライメントマークからの回折光や反射光を検出
し位置合わせを行ない露光する方法が一般的であった。
この従来の方法により形成したアライメントマークを
用いて露光を行なった場合、以下のような問題点があっ
た。
用いて露光を行なった場合、以下のような問題点があっ
た。
第一に、金属含有被膜はグレインを有しその表面の凹
凸によるアライメント光の散乱の為に、アライメントマ
ークからの回折光や反射光からえられるアライメント信
号にノイズが加わり、アライメント精度がグレインの無
い場合に比較して大幅に低下する。
凸によるアライメント光の散乱の為に、アライメントマ
ークからの回折光や反射光からえられるアライメント信
号にノイズが加わり、アライメント精度がグレインの無
い場合に比較して大幅に低下する。
第二に、スパッタリングにより金属含有被膜を形成す
る場合、アライメントマーク上の金属含有材料の付着が
マークの中心に対して非対称になる場合がありアライメ
ント信号のマーク中心と実際のマーク中心との間に誤差
を生ずる場合がある。
る場合、アライメントマーク上の金属含有材料の付着が
マークの中心に対して非対称になる場合がありアライメ
ント信号のマーク中心と実際のマーク中心との間に誤差
を生ずる場合がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、アライメントマー
クを含む基板上に感光性有機材料膜を被着したのち選択
的に除去して前記アライメントマーク上に有機材料膜を
形成する工程と、金属を含む材料よりなる被膜を形成す
る工程と、前記有機材料膜を溶剤にて溶解し有機材料膜
とその直上の金属を含む材料よりなる被膜を除去する工
程と、他の感光性有機材料を塗布する工程と、露光装置
により前記アライメントマークを用いて位置合わせ及び
露光を行なう工程を備えている 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
クを含む基板上に感光性有機材料膜を被着したのち選択
的に除去して前記アライメントマーク上に有機材料膜を
形成する工程と、金属を含む材料よりなる被膜を形成す
る工程と、前記有機材料膜を溶剤にて溶解し有機材料膜
とその直上の金属を含む材料よりなる被膜を除去する工
程と、他の感光性有機材料を塗布する工程と、露光装置
により前記アライメントマークを用いて位置合わせ及び
露光を行なう工程を備えている 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例１を説
明する為に工程順に示した断面模式図である。
明する為に工程順に示した断面模式図である。
第１図（ａ）は、半導体基板又はその上に酸化シリコ
ン膜などを形成したものを基板１として、その上に絶縁
物、半導体あるいは導電体からなるアライメントマーク
２が形成された状態を示している。
ン膜などを形成したものを基板１として、その上に絶縁
物、半導体あるいは導電体からなるアライメントマーク
２が形成された状態を示している。
次に、第１図（ｂ）に示すように、基板１上に感光性
有機材料膜３を形成する。
有機材料膜３を形成する。
次いで第１図（ｃ）に示すように、アライメントマー
ク２を除いた領域が選択的に露光，現像され、所定パタ
ーンの有機材料膜3aによってアライメントマークを含む
領域のみが被覆される。このとき、有機材料膜3aはオー
バーハング形状を有する様にし、その為に感光性有機材
料としてノボラック樹脂とナフトキノンジアジドからな
るポジ型フォトレジストを用いてイメージリバーサル処
理あるいはアルカリ現像液による表面処理を施す。
ク２を除いた領域が選択的に露光，現像され、所定パタ
ーンの有機材料膜3aによってアライメントマークを含む
領域のみが被覆される。このとき、有機材料膜3aはオー
バーハング形状を有する様にし、その為に感光性有機材
料としてノボラック樹脂とナフトキノンジアジドからな
るポジ型フォトレジストを用いてイメージリバーサル処
理あるいはアルカリ現像液による表面処理を施す。
次いで第１図（ｄ）に示した如く金属含有被膜４、例
えば１％Siを含有したAl被膜をスパッタリングにより0.
8μｍの膜厚で形成する。
えば１％Siを含有したAl被膜をスパッタリングにより0.
8μｍの膜厚で形成する。
その後、基板１のメチルエチルケトン，エチルセルソ
ルブアセテート等の溶剤中に浸漬し有機材料膜3aを溶解
しその直上の金属含有被膜４を除去する。この様にして
第１図（ｅ）に示した如く、アライメントマーク２上の
金属含有被膜４を除去することができる。次に、通常の
通り、フォトリソグラフィー技術により金属含有被膜の
パターニングを行うが、そのとき本アライメントマーク
を用いて位置合わせを行なった場合アライメントマーク
上には金属含有被膜がないのでグレインに起因するアラ
イメント信号へのノイズの発生が無い。また、スパッタ
リングの際発生する金属含有材料のアライメントマーク
への非対称な付着が原因となるアライメント信号の非対
称に基づく位置ずれも起こらない。
ルブアセテート等の溶剤中に浸漬し有機材料膜3aを溶解
しその直上の金属含有被膜４を除去する。この様にして
第１図（ｅ）に示した如く、アライメントマーク２上の
金属含有被膜４を除去することができる。次に、通常の
通り、フォトリソグラフィー技術により金属含有被膜の
パターニングを行うが、そのとき本アライメントマーク
を用いて位置合わせを行なった場合アライメントマーク
上には金属含有被膜がないのでグレインに起因するアラ
イメント信号へのノイズの発生が無い。また、スパッタ
リングの際発生する金属含有材料のアライメントマーク
への非対称な付着が原因となるアライメント信号の非対
称に基づく位置ずれも起こらない。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施例を説明
する為に工程順に示した断面模式図、第３図は第２の実
施例で使用するレティクルの断面図である。
する為に工程順に示した断面模式図、第３図は第２の実
施例で使用するレティクルの断面図である。
第２図（ａ）に示すように、基板１上にアライメント
マーク２とチップ分離パターン６を形成し、その上を絶
縁物被膜５で被覆する。アライメントマーク２を絶縁物
被膜５で被覆することにより、アライメントマークが金
属含有被膜で被覆された時に生ずる様な問題を回避する
ことができる。なお、チップ分離パターン６によって基
板上に作成された複数の半導体チップがスクライブ領域
を介して分離されている。
マーク２とチップ分離パターン６を形成し、その上を絶
縁物被膜５で被覆する。アライメントマーク２を絶縁物
被膜５で被覆することにより、アライメントマークが金
属含有被膜で被覆された時に生ずる様な問題を回避する
ことができる。なお、チップ分離パターン６によって基
板上に作成された複数の半導体チップがスクライブ領域
を介して分離されている。
次に、基板１と絶縁物被膜５上に形成される金属含有
被膜４との電気的導通をとるためのリソグラフィー工程
が行なわれるが、このときチップ分離パターン６で挟ま
れたスクライブ領域上のみ選択的に厚く有機材料膜3aを
形成する。これは第３図に示したようなレティクルを用
いることによって可能となる。即ち従来のレティクルと
異なり、マスクブランクス７とクロムパターン９の間に
光学的半透明膜８を設けレティクルを透過する光強度を
従来のレティクルの様に２段階ではなく３段階に分けて
いる。
被膜４との電気的導通をとるためのリソグラフィー工程
が行なわれるが、このときチップ分離パターン６で挟ま
れたスクライブ領域上のみ選択的に厚く有機材料膜3aを
形成する。これは第３図に示したようなレティクルを用
いることによって可能となる。即ち従来のレティクルと
異なり、マスクブランクス７とクロムパターン９の間に
光学的半透明膜８を設けレティクルを透過する光強度を
従来のレティクルの様に２段階ではなく３段階に分けて
いる。
第３図に示したレティクルを用いポジ型フォトレジス
ト被膜を選択的に露光することによって半導体装置内に
ホールパターンを形成しかつチップ分離パターン６で挟
まれたスクライブ領域上のみ厚い膜厚を有するレジスト
パターンを形成する。この状態を第２図（ｂ）に示し
た。この後、平行平板電極を備えたリアクティブイオン
エッチング装置を用いて絶縁物被膜５にコンタクトホー
ルなどを形成する。続いてO2ガスプラズマを用いた有機
物灰化装置によりレジスト膜を除去するが、スクライブ
領域ではレジストの膜厚が他部分より厚いため除去しき
れず第２図（ｃ）に示すような構造となる。
ト被膜を選択的に露光することによって半導体装置内に
ホールパターンを形成しかつチップ分離パターン６で挟
まれたスクライブ領域上のみ厚い膜厚を有するレジスト
パターンを形成する。この状態を第２図（ｂ）に示し
た。この後、平行平板電極を備えたリアクティブイオン
エッチング装置を用いて絶縁物被膜５にコンタクトホー
ルなどを形成する。続いてO2ガスプラズマを用いた有機
物灰化装置によりレジスト膜を除去するが、スクライブ
領域ではレジストの膜厚が他部分より厚いため除去しき
れず第２図（ｃ）に示すような構造となる。
以下第１の実施例と同様に、第２図（ｄ）に示すよう
に、金属含有被膜４もスパッタリングにより形成した
後、第２図（ｅ）に示すように、基板１を溶剤に浸漬し
有機材料膜3aを溶解するとともにその直上の金属含有被
膜４を除去する。
に、金属含有被膜４もスパッタリングにより形成した
後、第２図（ｅ）に示すように、基板１を溶剤に浸漬し
有機材料膜3aを溶解するとともにその直上の金属含有被
膜４を除去する。
この方法で形成したアライメントマークを用いること
によって、第１の実施例と同様にグレインによるアライ
メント信号へのノイズやスパッタリングの非対称性によ
るアライメント信号への悪影響をとり除くことができ
る。
によって、第１の実施例と同様にグレインによるアライ
メント信号へのノイズやスパッタリングの非対称性によ
るアライメント信号への悪影響をとり除くことができ
る。
以上説明したように本発明は、表面に金属含有被膜の
付着していないアライメントマークと、そのアライメン
トマークを中心としてその近傍で対称に配置された金属
含有被膜を形成して、フォトリソグラフィー工程を行な
うので、高精度な位置合わせを可能にするという効果を
有する。
付着していないアライメントマークと、そのアライメン
トマークを中心としてその近傍で対称に配置された金属
含有被膜を形成して、フォトリソグラフィー工程を行な
うので、高精度な位置合わせを可能にするという効果を
有する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明す
る為に工程順に示した断面模式図、第２図（ａ）〜
（ｅ）は本発明の第２の実施例を説明する為に工程順に
示した断面模式図、第３図は第２の実施例２において使
用するレティクルの断面図である。 １……基板、２……アライメントマーク、３……感光性
有機材料膜、3a……有機材料膜、４……金属含有被膜、
５……絶縁物被膜、６……チップ分離パターン、７……
マスクブランクス、８……光学的半透明膜、９……クロ
ムパターン、10……酸化クロムパターン、11……コンタ
クトホールパターン。
る為に工程順に示した断面模式図、第２図（ａ）〜
（ｅ）は本発明の第２の実施例を説明する為に工程順に
示した断面模式図、第３図は第２の実施例２において使
用するレティクルの断面図である。 １……基板、２……アライメントマーク、３……感光性
有機材料膜、3a……有機材料膜、４……金属含有被膜、
５……絶縁物被膜、６……チップ分離パターン、７……
マスクブランクス、８……光学的半透明膜、９……クロ
ムパターン、10……酸化クロムパターン、11……コンタ
クトホールパターン。
Claims (1)
- 【請求項１】アライメントマークを含む基板上に感光性
有機材料膜を被着したのち選択的に除去して前記アライ
メントマーク上に有機材料膜を形成する工程と、金属を
含む材料よりなる被膜を形成する工程と、前記有機材料
膜を溶剤にて溶解し有機材料膜とその直上の金属を含む
材料よりなる被膜を除去する工程と、他の感光性有機材
料を塗布する工程と、露光装置により前記アライメント
マークを用いて位置合わせ及び露光を行なう工程を備え
ていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291580A JP2626234B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291580A JP2626234B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164313A JPH04164313A (ja) | 1992-06-10 |
| JP2626234B2 true JP2626234B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=17770771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2291580A Expired - Lifetime JP2626234B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626234B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023117139A (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体素子、および光半導体素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2291580A patent/JP2626234B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04164313A (ja) | 1992-06-10 |
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