JPS6037522B2

JPS6037522B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法

Info

Publication number: JPS6037522B2
Application number: JP10180A
Authority: JP
Inventors: 律今中; 寛児川上
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1980-01-07
Filing date: 1980-01-07
Publication date: 1985-08-27
Also published as: JPS5698712A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、薄膜磁気ヘッドのギャップ部を研摩する方法
に係り、特に、正確なギャップ奥行き（ギャップ深さ）
を得る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

〔発明の背景〕

薄膜磁気ヘッドは、半導体製造プロセスに使用される薄
膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで、半導体プロ
セスレベルのパターン精度で製造されるので記録密度を
極めて高くできる特徴をもっている。

反面、磁気ヘッドの電気的特性に大きな影響を及ぼすと
言われている磁気ギャップ深さは、この種薄膜磁気ヘッ
ドでは最終的に研摩による加工で決定されるため、要求
されている十２〜土３仏ｍまたはそれ以下の精度で磁気
ギャップ深さを実現することは難しいという欠点がある
。従来、薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップ部の研摩加工に
は、基板に予め研摩量検知マーク体を形成しておき、研
摩加工に伴うマーク体寸法の変化、あるいは磁気ギャッ
プ深さそのものを顕微鏡で測定し、所定の磁気ギャップ
深さに仕上げる方法が探られているが、加工精度が低く
歩留りが悪いという欠点がある。また、歩留りを向上さ
せる研摩方法として、薄膜磁気ヘッドの導体或いは磁性
体パターンに研摩完了位置に達する回路が開放となる部
分を設けておき、電気的に研摩完了位置を検出する方法
も知られている。この方法においても以下のような欠点
がある。第１図は１ターンヘッドのような構造を持つ薄
膜磁気ヘッドの断面図である。

コイル導体膜４により、ギャップの最奥部がほぼ規定さ
れるため、コイル導体膜４を形成すると同時にコイル導
体膜４と同一層で従来例のパターンを形成すれば、写真
蝕刻工程のマスク合わせ誤差等によるギャップ最奥部と
の位置ずれが生ぜず、この方法は非常に有効である。し
かし、薄膜磁気ヘッドにおいては感度を高めるために、
第２図のようなマルチターンコイル構造を採用する必要
がある。かかる場合は、各々の巻線間を電気的に絶縁す
るための絶縁物層３，５が必要となり、同時に磁性膜２
，６で構成される磁路が巻線と交差する部分と磁気ギャ
ップの部分とに明瞭に分離され、第２図から明らかなよ
うに、磁気ギャップ深さＬｄは、研摩によって仕上げら
れた先端部と絶縁物層５の磁気ギャップ側の先端部とに
よって規定される。従って、マルチターンコイル構造を
採用した薄膜磁気へッド‘こ、導体膜または磁性膜と同
一層で研摩量を検知するためのパターンを形成する場合
には、導体膜または磁性膜と絶縁物層５を形成する時の
ホトマスク合わせ誤差および各層の形成精度の偏差によ
り、該パターンと該絶縁物層５の先端との相対位置を±
２仏ｍ以内の精度で合わせるのは、極めて難しい。また
、ＩＢＭＴｅｃｈｉｃａＩＤｉｓｃｌｏｓｍｅＢｕ
ｌｌｅｔｉｎ，Ｖｏｌ，Ｉ８，ＮＯ．１，Ｊｕ肥１９
７５，ＰＰ，２２７，“Ｔｈｒｏａｔｈｅｉ蝕ｔ
ｃｏｎｔｒｏｌｄｕｒｉｎｇｈｅａｄｍａｎ
Ｍａｃｔｍｅ”に、導体膜と上部磁性膜との間の絶縁物
層を用いて、導体膜を使った研摩制御方法が記載されて
いるが、具体例は明らかでない。〔発明の目的〕本発明
の目的は、磁気ギャップ深さを高精度かつ迅速に研摩加
工し得るようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
るにある。

〔発明の概要〕本発明薄膜磁気ヘッドの製造方法の特徴とするところは
、薄膜磁気ヘッド素子を形成する基板上に薄膜磁気ヘッ
ド素子から離れて研摩位置検出素子を形成しておき、研
摩時に研摩位置検出素子を用いて電気的に研摩完了位置
を検出し研摩加工を終了するようにした点にある。

研摩位置検出素子は、第１の磁性膜と、第１の磁性膜上
に積屈した第２の磁性膜と、両磁性膜間の研摩完了位鷹
じ汎降の個所に介在した絶縁物層とを備え、研摩位贋が
研摩完了位置以前にあるときには両磁性膜間は電気的に
逸らなった状態にあり、研摩完了位置を過ると両磁性膜
間は電気的に絶縁された状態となるように構成される。
研摩位置検出素子の第１及び第２の磁性膜はそれぞれ薄
膜磁気ヘッド素子の下部及び都磁性膜と同時に形成する
のが、精度向上及び工程削減の点から好ましい。〔発明
の実施例〕以下本発明を実施例として示した図面により詳細に説明
する。

第３図において、日は基板１上に薄膜技術によって形成
された薄膜磁気ヘッド素子、Ｐは基板１上に薄膜磁気ヘ
ッド素子日から離れて形成された研摩位置検出素子で、
実際の製造では基板上に多数個の薄膜磁気ヘッド素子を
並設し、その両端に或いは所定数毎に研摩位置検出素子
が配置される。

薄膜磁気ヘッド素子日は、基板１上に設けられた下部磁
性膜２と、下部磁性膜２上に設けられ一端が下部磁性膜
２の一端に接し池端が下部磁性膜２の他端に磁気ギャッ
プＧを介して対向し、これによって下部磁性膜２と共に
一部に磁気ギャップＧを有する磁気回路を形成する上部
磁性膜６と、下部磁性膜２と上部磁性膜６との間を通り
磁気回路と交差する所定の巻回数のコイル導体膜４と、
下部磁性膜２とコイル導体膜４との間に介在し磁気ギャ
ップＧまで延びる下部絶縁層３と、コイル導体膜４相互
間及びコイル導体膜４と上部磁性膜６との間に介在した
上部絶縁層５とから構成されている。

Ｘ・は磁気ギャップＧの先端即ち研摩完了位置、ａ，は
ギャップ奥行を規定する位置を示す。研摩位置検出素子
Ｐは、基板１上に下部磁性膜２と同時に形成され矩形状
パターンを有する第１の磁性膜２１と、第１の磁性膜２
１上に下部絶縁層３及び上部絶縁層５と同時に形成され
、複数の貫通孔ｑ，Ｌ及びＱ，ｂ３を有する第１の絶縁
層３１及び第２の絶縁層５１と、第１及び第２の絶縁層
上に上部磁性膜６と同時に形成され一部が絶縁層の貫通
孔０，Ｑを通して第１の磁性膜２１に電気的に蓮らなる
第２の磁性膜６１と、第１の磁性膜２１に第１の絶縁層
３１の貫通孔Ｌを通して亀気的に蓮らなるコイル導体膜
４と同時に形成された第１のリード端子４１と、第２の
磁性膜６１に第２の絶縁層５１の貫通孔広を通して電気
的に蓮らなるコイル導体４と同時に形成された第２のリ
ード端子４２とから構成されている。

この研摩位置検出素子Ｐは、第１のリード端子４１、第
１の磁性膜２１、第２の磁性膜６１、第２のリード端子
４２のそれぞれ相互間が貫通孔Ｐ４，ｂ，，Ｑ，ｂ３を
介して電気的に蓮らなった直列回路となっている。そし
て第２の絶縁層５１の貫通孔Ｑの基板１の一端１１か
ら遠い側端割る２が、研摩完了位置Ｘ．を基板１の一端
１１と略平行に研摩位置検出素子Ｐ側に延長した線に一
致するように形成されている。従って、基板１の一端１
１側から研摩するとき、第１及び第２のリード端子４１
，４２間に通電した状態にしておけば、研摩完了位置Ｘ
．まで研摩することにより、研摩面を観察することなく
、第１及び第２のリード端子４１と４２間の電気的導通
がなくなったことで研摩完了を判断でき、正確なギャッ
プ深さを迅速に得ることができる。また、上記説明から
明らかなように、研摩位置検出素子Ｐは、薄膜磁気ヘッ
ド素子日と同一材料、工程で製造でき、該ヘッド製造の
障害とはならない。第４図は、本発明に使用する研摩位
置検出素子の他の実施例を示すもので、第３図の実施例
とは研摩途中位置を更に検出できるようにした点で異な
っている。

具体的には、第１の磁性膜２１を少し大きく形成し、そ
の上に第１の磁性膜２１と貫通孔広を介して蓮らなる第
３の磁性膜６２を上部磁性膜６と同時に形成し、この貫
通孔広の基板Ｉの一端１１から遠い側端部ａ３が研摩完
了位置Ｘ．より一端１１側に寄った研摩途中位置Ｘ，に
一致するようになっている。４３は第３の磁性膜６２に
電気的に蓬らなる第３のリード端子である。

研摩加工時には、例えば第１のリード端子４１と第２の
リード端子４２間及び第１のリード端子４１と第３のリ
ード端子４３間に通電しておき、第１のリード端子４１
と第３のリード端子４３間の鰭気的導通がなくなったこ
とで研摩途中位鷹Ｘ，を検知し、第１のリード端子４１
と第２のリード端子４２間の電気的導通がなくなったこ
とで研摩完了位置Ｘ．を検知する。研摩位置検出素子Ｐ
をこのようにすることにより、位置Ｘ，までは荒研摩、
Ｘ，からＸ．までは仕上げ研摩加工に分けることができ
る。〔発明の効果〕本発明によれば、ギャップ奥行き位置を規定する絶縁物
層と同一層で研摩完了または途中位置を規定するので、
ギャップ奥行きを規定する位置との相対的ずれは生じる
ことがなく、上記位置を電気的に検出できるので、研摩
工程時間が短縮される。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は薄膜磁気ヘッドを説明するギャップ
部の断面図、第３図は本発明の−実施例を説明する図、
第４図は本発明の他の実施例を説明する図である。１・・・・・・基板、２…・・・下部磁性膜、４・・・
・・・コイル導体膜、６・・・・・・上部磁性膜、Ｐ…
・・・研摩位置検出素子、２１・・…・第１の磁性膜、
４１・・・・・・第１のリード端子、４２…・・・第２
のリード端子、６１・・・・・・第２の磁性膜。努′図第２図多３図多４図

Claims

【特許請求の範囲】１下部磁性膜と、下部磁性膜上に一端は下部磁性膜の
一端に接し他端は下部磁性膜の他端と磁気ギヤツプを介
して対向し、これによつて下部磁性膜と共に一部に磁気
ギヤツプを有する磁気回路を形成する上部磁性膜と、下
部及び上部磁性膜間を通り磁気回路と交差する所定の巻
回数のコイル導体膜と、コイル導体膜と下部及び上部磁
性膜間を電気的に絶縁する絶縁層とを具備し、これらが
薄膜技術により基板上に所定数並設して積層形成されか
つ磁気ギヤツプ側が基板端より磁気ギヤツプ深さが所定
値となるように研磨されるものにおいて、上記基板上に
、研摩完了位置の両側に延びる第１の磁性膜と、その上
に設けられた第２の磁性膜と、両磁性膜間の研摩完了位
置の少なくとも直前を除く個所に介在した絶縁層とから
なる研摩位置検出素子を形成し、研摩時にこの素子の両
磁性膜間に通電し、導通がなくなつたことを検知して研
摩を終了することを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方
法。２特許請求の範囲第１項において、上記下部磁性膜と
上記第１の磁性膜及び上記上部磁性膜と上記第２の磁性
膜を同時に形成することを特徴とする薄膜磁気ヘツドの
製造方法。