JPS6161219A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6161219A JPS6161219A JP18355184A JP18355184A JPS6161219A JP S6161219 A JPS6161219 A JP S6161219A JP 18355184 A JP18355184 A JP 18355184A JP 18355184 A JP18355184 A JP 18355184A JP S6161219 A JPS6161219 A JP S6161219A
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- JP
- Japan
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- gap
- insulating film
- film
- gap material
- end point
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドのｆＪｉ造方法に関し、特にギ
ャップ深さを適正値に設定するのに好適な薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に関する６ 〔発明の背景〕 磁気記録密度を高めるためには、記録媒体、磁気ヘッド
−媒体間隔等を改善する他、磁気ヘッドを薄膜化する必
要がある。しかし、磁気ヘッドだけに関して見ると、従
来のフェライト・コアを用いた磁気ヘッドでは、高記録
密度化はそろそろ限界である。フェライトの透磁率がｌ
ＯＭ Ｈｚを超えると急激に低下し、狭くなるトラッ
ク幅に合わせて機械加工することが困蓮になる等のため
である。
ャップ深さを適正値に設定するのに好適な薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に関する６ 〔発明の背景〕 磁気記録密度を高めるためには、記録媒体、磁気ヘッド
−媒体間隔等を改善する他、磁気ヘッドを薄膜化する必
要がある。しかし、磁気ヘッドだけに関して見ると、従
来のフェライト・コアを用いた磁気ヘッドでは、高記録
密度化はそろそろ限界である。フェライトの透磁率がｌ
ＯＭ Ｈｚを超えると急激に低下し、狭くなるトラッ
ク幅に合わせて機械加工することが困蓮になる等のため
である。
これに対し、薄膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイは
、高周波透磁率が高く、飽和磁束密度もフェライトに比
べて格段に大きいため、薄膜磁気ヘッドは本質的に高密
度記録に適している。
、高周波透磁率が高く、飽和磁束密度もフェライトに比
べて格段に大きいため、薄膜磁気ヘッドは本質的に高密
度記録に適している。
薄膜磁気ヘッドを製造するには、基板上にパーマロイ薄
［（下部磁極）を形成しギャップ絶縁膜を形成した後、
無機絶縁膜を介して単層スパイラルコイルを形成し、そ
の上に有機絶縁膜を重ね、さらにその上にパーマロイ薄
膜（上部磁ｔカ）を形成し、上部保護膜を被覆した後、
上記各磁極を所定のギャップ深さにまで研磨する。
［（下部磁極）を形成しギャップ絶縁膜を形成した後、
無機絶縁膜を介して単層スパイラルコイルを形成し、そ
の上に有機絶縁膜を重ね、さらにその上にパーマロイ薄
膜（上部磁ｔカ）を形成し、上部保護膜を被覆した後、
上記各磁極を所定のギャップ深さにまで研磨する。
従来、１スライダー複数ヘツド素子構造とするために、
薄膜磁気ヘッドを１個ずつギャップ深さ加工すること、
はせず、複数ヘッドを含むブロックごとに加工している
。このため、゛ブロック内の複数ヘッド間にバラツキが
生じ、ギャップ深さゼロ位置点に差が生じてしまう。
薄膜磁気ヘッドを１個ずつギャップ深さ加工すること、
はせず、複数ヘッドを含むブロックごとに加工している
。このため、゛ブロック内の複数ヘッド間にバラツキが
生じ、ギャップ深さゼロ位置点に差が生じてしまう。
ところで、磁気ヘッドの性能（記録密度）を向上させる
ためには、ギャップ深さを極力小さくする必要があるが
、薄膜磁気ヘッドには眉間絶縁膜として有機樹脂が用い
られているため、これがトラック面に露出する危険性が
ある。すなわち、ギャップ深さ寸法を小さくするために
ヘッド先端からギャップ深さゼロ位置までの距離は出来
る限り短く加工され、かつ上記１スライダー複数ヘツド
素子構造の場合、製造バラツキによりギャップ深さゼロ
位置までの距離はゼロまたはマイナスになり、有機樹脂
の一部が表面に露出することがある。
ためには、ギャップ深さを極力小さくする必要があるが
、薄膜磁気ヘッドには眉間絶縁膜として有機樹脂が用い
られているため、これがトラック面に露出する危険性が
ある。すなわち、ギャップ深さ寸法を小さくするために
ヘッド先端からギャップ深さゼロ位置までの距離は出来
る限り短く加工され、かつ上記１スライダー複数ヘツド
素子構造の場合、製造バラツキによりギャップ深さゼロ
位置までの距離はゼロまたはマイナスになり、有機樹脂
の一部が表面に露出することがある。
ヘッドを構成する他の材料に比べ、有機樹脂の硬度は小
であり、また温湿度の変化による膨張率も大であるため
、有Ｍ＆樹脂が露出すると樹脂表面が周囲の温湿度変化
により突出し、そのため磁気ヘッドがディスク表面にク
ラッシュして信号破壊を起こすという欠点がある。
であり、また温湿度の変化による膨張率も大であるため
、有Ｍ＆樹脂が露出すると樹脂表面が周囲の温湿度変化
により突出し、そのため磁気ヘッドがディスク表面にク
ラッシュして信号破壊を起こすという欠点がある。
なお、公知例としては、特開昭５８−１１１１１６号、
特開昭５８−９８８２２号公報等がある。
特開昭５８−９８８２２号公報等がある。
本発明の目的は、上記従来技術の、欠点を改善し。
ギャップ深さを適正値に設定し得る薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することにある。
造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため１本発明は、基板、下部磁性体
、ギャップ材、導体コイル、有機層間絶縁膜、上部磁性
体、保護膜を順次積層する薄膜磁気ヘッドの製造過程に
おいて、前記ギャップ材をギャップ長膜厚より厚く形成
し、当該ギャップ材を前記有機層間絶縁膜をマスクとし
てエツチングし、当該有機層間絶縁膜を選択的に後退さ
せた後、さらに当該有機層間絶縁膜をマスクとして前記
ギャップ材をギャップ長分の膜厚だけ残してエツチング
することに特徴がある。
、ギャップ材、導体コイル、有機層間絶縁膜、上部磁性
体、保護膜を順次積層する薄膜磁気ヘッドの製造過程に
おいて、前記ギャップ材をギャップ長膜厚より厚く形成
し、当該ギャップ材を前記有機層間絶縁膜をマスクとし
てエツチングし、当該有機層間絶縁膜を選択的に後退さ
せた後、さらに当該有機層間絶縁膜をマスクとして前記
ギャップ材をギャップ長分の膜厚だけ残してエツチング
することに特徴がある。
以下１本発明の構成を一実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製造
過程を示す図である。
過程を示す図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、セラミック基板１上
にアルミナ等からなる下地絶縁膜２、パーマロイからな
る下部磁性体３を形成した後、アルミナ等からなるギャ
ップ材４を、スパッタリング等により所定のギャップ長
より厚く形成する０例えば、ギャップ長１．０μｍの時
は、３．０μｍ膜厚のアルミナ膜を形成する。
にアルミナ等からなる下地絶縁膜２、パーマロイからな
る下部磁性体３を形成した後、アルミナ等からなるギャ
ップ材４を、スパッタリング等により所定のギャップ長
より厚く形成する０例えば、ギャップ長１．０μｍの時
は、３．０μｍ膜厚のアルミナ膜を形成する。
さらに、ギャップ材４上に導体コイル５、有機層間絶縁
膜６を形成する。有機層間絶縁膜６は、通常、テーパ形
状になるよう形成され有機層間絶縁膜６のテーバ部下端
点Ａが決定する。
膜６を形成する。有機層間絶縁膜６は、通常、テーパ形
状になるよう形成され有機層間絶縁膜６のテーバ部下端
点Ａが決定する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、テーパ形状の有機層
間絶縁膜６をマスクとしてギャップ材４をエツチングす
る。エツチングする膜厚は、ギャップ長に相当する膜厚
とする０例えば上記のようにギャップ長１．０μｍ、３
．０μｍ膜厚のアルミナ［（ギャリブ材）の場合は、ア
ルゴンイオンミリングを用いて１μｍだけエツチングす
る。この際。
間絶縁膜６をマスクとしてギャップ材４をエツチングす
る。エツチングする膜厚は、ギャップ長に相当する膜厚
とする０例えば上記のようにギャップ長１．０μｍ、３
．０μｍ膜厚のアルミナ［（ギャリブ材）の場合は、ア
ルゴンイオンミリングを用いて１μｍだけエツチングす
る。この際。
有機層間絶縁膜６とギャップ材４は、はぼ同じエツチン
グ速度となるため、ギャップ材４にも有機層間絶縁膜６
のテーパ形状が転写され、有機層間絶縁［６のテーバ部
下端点Ａよりヘッド先端側へギャップ材４のテーバ部下
端点Ｂが決定する。
グ速度となるため、ギャップ材４にも有機層間絶縁膜６
のテーパ形状が転写され、有機層間絶縁［６のテーバ部
下端点Ａよりヘッド先端側へギャップ材４のテーバ部下
端点Ｂが決定する。
さらに、第１図（ｃ）に示すように、有機層間絶縁膜６
を選択的にエツチングし、上記有機層間絶縁ｒＩＡ６の
テーバ部下端点Ａを０点まで後退させる。
を選択的にエツチングし、上記有機層間絶縁ｒＩＡ６の
テーバ部下端点Ａを０点まで後退させる。
有機層間絶縁膜６を後退させることにより、有機層間絶
縁膜６の媒体対向面への露出を回避することができ、ク
ラッシュの防止が可能となる。
縁膜６の媒体対向面への露出を回避することができ、ク
ラッシュの防止が可能となる。
有機層間絶縁膜６を選択的にエツチングさせることは、
例えば０２ガスを用いたプラズマエツチングにより容易
に可能である。
例えば０２ガスを用いたプラズマエツチングにより容易
に可能である。
その後、第１図（ｄ）に示すように、再度、有機層間絶
縁膜６をマスクとしてギャップ材４をエツチングする。
縁膜６をマスクとしてギャップ材４をエツチングする。
このエツチングは、ギャップ材４のテーバ部下端点Ｂが
下部磁性体３上に達するまで行う、エツチング方法は１
例えばアルゴンガスを用いたイオンミリングによる。
下部磁性体３上に達するまで行う、エツチング方法は１
例えばアルゴンガスを用いたイオンミリングによる。
このエツチングにより、Ａ点から６点までの間では、ギ
ャップ材４が、ギャップ長（上記例では１μｍ）分だけ
残ることとなる。この結果、最終的なギャップ材４のテ
ーバ部下端点Ｂ、ギャップ材４のテーパ部上端点Ａ、ギ
ャップ深さゼロ位置Ｃ１有機層間絶縁膜６のテーバ部下
端点りが決定される。
ャップ材４が、ギャップ長（上記例では１μｍ）分だけ
残ることとなる。この結果、最終的なギャップ材４のテ
ーバ部下端点Ｂ、ギャップ材４のテーパ部上端点Ａ、ギ
ャップ深さゼロ位置Ｃ１有機層間絶縁膜６のテーバ部下
端点りが決定される。
最後に、第１図（、）に示すように、パーマロイによる
上部磁性体７、保護膜８を形成する。
上部磁性体７、保護膜８を形成する。
第２図は、本発明の他の実施例による薄膜磁気ヘッドの
製造過程を示す図である。
製造過程を示す図である。
第２図（ａ）の過程は、前述の実施例による第１図（＋
）の過程と同様である。すなわち、セラミック基板１上
にアルミナ等からなる下地絶縁＠２゜パーマロイ等から
なる下部磁性体３を形成した後。
）の過程と同様である。すなわち、セラミック基板１上
にアルミナ等からなる下地絶縁＠２゜パーマロイ等から
なる下部磁性体３を形成した後。
アルミナ等からなるギャップ材４をスパッタリング等に
より所定のギャップ長より厚く形成する。
より所定のギャップ長より厚く形成する。
例えば、ギャップ長１．０μｍの時は、３．０μｍ膜厚
のアルミナ膜を形成する。
のアルミナ膜を形成する。
さらに、ギャップ材４上に導体コイル５、有機層間絶縁
［６を形成する。有機層間絶縁膜６は、通常、テーバ形
状になるよう形成され、有機層間絶縁膜６のテーバ部下
端点Ａが決定される。
［６を形成する。有機層間絶縁膜６は、通常、テーバ形
状になるよう形成され、有機層間絶縁膜６のテーバ部下
端点Ａが決定される。
第２図（ｂ）に示す過程は、前述の実施例における第１
図（ｂ）の過程と異なる。すなわち、同様にテーバ形状
の有機層間絶縁膜６をマスクとしてギャップ材４をエツ
チングするが、この際、下部磁性体３が露出するまでエ
ツチングする。エツチング方法は、例えばアルゴンイオ
ンミリングを用いれば良い、有機層間絶縁１１６とギャ
ップ材４のエツチング速度は、はぼ同じ速度であるため
、ギャップ材４にも有機層間絶縁ｒｍ６のテーバ形状が
転写され、有機層間絶縁１１ｉ６のテーバ部下端点Ａよ
りヘッド先端側へギャップ材４のテーバ部下端点Ｂが決
定される。
図（ｂ）の過程と異なる。すなわち、同様にテーバ形状
の有機層間絶縁膜６をマスクとしてギャップ材４をエツ
チングするが、この際、下部磁性体３が露出するまでエ
ツチングする。エツチング方法は、例えばアルゴンイオ
ンミリングを用いれば良い、有機層間絶縁１１６とギャ
ップ材４のエツチング速度は、はぼ同じ速度であるため
、ギャップ材４にも有機層間絶縁ｒｍ６のテーバ形状が
転写され、有機層間絶縁１１ｉ６のテーバ部下端点Ａよ
りヘッド先端側へギャップ材４のテーバ部下端点Ｂが決
定される。
次に、第２図（ｃ）に示すように、有機層間絶縁膜６を
、例えばｏ２ガスを用いたプラズマエツチングにより選
択的にエツチングし、有機層間絶縁膜６のテーバ部下端
点Ａｔ−６点まで後退させる。
、例えばｏ２ガスを用いたプラズマエツチングにより選
択的にエツチングし、有機層間絶縁膜６のテーバ部下端
点Ａｔ−６点まで後退させる。
その後、第２図（ｄ）に示すように：再度有機層間絶縁
膜６をマスクとしてギャップ材（無機絶縁ＩＩＡ） ４
をエツチングする。このエツチングは、第２図（ｄ）の
Ａ−Ｃ間のギャップ材４がギャップ長として必要な膜厚
となった時点で停止する１例えば、ギャップ材４として
のアルミナ膜が３．０μ頂でありギャップ長が１．０μ
ｍであれば、２．０μｍだけギャップ材４をエツチング
する。エツチング方法としては、例えばアルゴンガスを
用いたイオンミリングがある。
膜６をマスクとしてギャップ材（無機絶縁ＩＩＡ） ４
をエツチングする。このエツチングは、第２図（ｄ）の
Ａ−Ｃ間のギャップ材４がギャップ長として必要な膜厚
となった時点で停止する１例えば、ギャップ材４として
のアルミナ膜が３．０μ頂でありギャップ長が１．０μ
ｍであれば、２．０μｍだけギャップ材４をエツチング
する。エツチング方法としては、例えばアルゴンガスを
用いたイオンミリングがある。
この結果、最終的にギャップ材４のテーバ部下端点Ｂ、
ギャップ材４のテーパ部上端点Ａ、ギャップ深さゼロ位
置Ｃ１有機層間絶縁膜６のテーバ部下端点りが決定され
る。
ギャップ材４のテーパ部上端点Ａ、ギャップ深さゼロ位
置Ｃ１有機層間絶縁膜６のテーバ部下端点りが決定され
る。
最後に、第２図（ｅ）に示すように、パーマロイによる
上部磁性体７、保護膜８を形成する。
上部磁性体７、保護膜８を形成する。
上記、２つの実施例において、Ｂ点〜Ａ点間、Ａ点〜Ｃ
点間、Ｃ点〜Ｄ点間の各距離は、膜厚、エツチング等に
より任意の距離に設定することができる。。
点間、Ｃ点〜Ｄ点間の各距離は、膜厚、エツチング等に
より任意の距離に設定することができる。。
積層終了後、ヘッド先端側である媒体対向面からギャッ
プ深さ加工を行うと、Ｂ点でギャップ材４が媒体対向面
に露出し、Ａ点〜Ｃ点間においては適正ギャップ長とな
る。また、ギャップ深さゼロ位置である６点より更に加
工を行ってもＤ点に達するまでは有機層間絶縁膜６が露
出することはない。
プ深さ加工を行うと、Ｂ点でギャップ材４が媒体対向面
に露出し、Ａ点〜Ｃ点間においては適正ギャップ長とな
る。また、ギャップ深さゼロ位置である６点より更に加
工を行ってもＤ点に達するまでは有機層間絶縁膜６が露
出することはない。
したがって、ギャップ深さ寸法を３μｍにする時は、Ａ
点〜Ｃ点間の距離を３μｍに設定し、ギャップ深さ加工
の際、適正ギャップ長となり始める点Ａで加工を停止す
れば良い。
点〜Ｃ点間の距離を３μｍに設定し、ギャップ深さ加工
の際、適正ギャップ長となり始める点Ａで加工を停止す
れば良い。
また、複数ヘッドを含むブロック状でギャップ深さ加工
を行う際、各素子間でギャップ深さにバラツキが生じて
いたとしても、各素子ごとにギャップ深さ検知用のギャ
ップ材４があるため問題が生ずることはなく、このバラ
ツキがＣ点〜Ｄ点間の距離より小さければ、有機層間絶
縁膜６が媒体対向面に露出することはない。
を行う際、各素子間でギャップ深さにバラツキが生じて
いたとしても、各素子ごとにギャップ深さ検知用のギャ
ップ材４があるため問題が生ずることはなく、このバラ
ツキがＣ点〜Ｄ点間の距離より小さければ、有機層間絶
縁膜６が媒体対向面に露出することはない。
以上説明したように１本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、眉間絶縁膜である有機樹脂膜によるクラッ
シュを防止し、がっギャップ深さを適正値に設定するこ
とが可能となる。
法によれば、眉間絶縁膜である有機樹脂膜によるクラッ
シュを防止し、がっギャップ深さを適正値に設定するこ
とが可能となる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は本発
明の第２の実施例を示す図である。 ｌ：セラミック基板、２：下地絶縁膜、３：下部磁性体
、４：ギャップ材、５：導体コイル、６：有機層間絶縁
膜、７：上部磁性体、８：保護膜。
明の第２の実施例を示す図である。 ｌ：セラミック基板、２：下地絶縁膜、３：下部磁性体
、４：ギャップ材、５：導体コイル、６：有機層間絶縁
膜、７：上部磁性体、８：保護膜。
Claims (1)
- （１）基板、下部磁性体、ギャップ材、導体コイル、有
機層間絶縁膜、上部磁性体、保護膜を順次積層する薄膜
磁気ヘッドの製造過程において、前記ギャップ材をギャ
ップ長膜厚より厚く形成し、当該ギャップ材を前記有機
層間絶縁膜をマスクとしてエッチングし、当該有機層間
絶縁膜を選択的に後退させた後、さらに当該有機層間絶
縁膜をマスクとして前記ギャップ材をギャップ長分の膜
厚だけ残してエッチングすることを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18355184A JPS6161219A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18355184A JPS6161219A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161219A true JPS6161219A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16137781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18355184A Pending JPS6161219A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214410A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP18355184A patent/JPS6161219A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214410A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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