JP2549367B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度記録に優れ、特に、厚い磁気コアを
高精度に加工して得られる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。
高精度に加工して得られる薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。
従来の巻線型薄膜磁気ヘッドは、第３図に示すよう
に、薄膜磁気ヘッド基板11上に、下部磁気コア層12が積
層されている。この下部磁気コア層12の上には図示しな
い絶縁層により、巻線導体層16・16が被覆されて配設さ
れている。さらに、上記の絶縁層、巻線導体層16・16、
及び下部磁気コア層12の上には、Ni−Fe、Fe−Al−Si、
或いはCo−Zr等から成る上部磁気コア17・17が設けられ
ている。
に、薄膜磁気ヘッド基板11上に、下部磁気コア層12が積
層されている。この下部磁気コア層12の上には図示しな
い絶縁層により、巻線導体層16・16が被覆されて配設さ
れている。さらに、上記の絶縁層、巻線導体層16・16、
及び下部磁気コア層12の上には、Ni−Fe、Fe−Al−Si、
或いはCo−Zr等から成る上部磁気コア17・17が設けられ
ている。
上記の構造を成す巻線型薄膜磁気ヘッドの磁気コアに
は、近年の高記録密度化に伴い磁気記録媒体の高保磁力
化が促進されることにより、高保磁力媒体を十分に磁化
する能力が要求されている。そのため、上部磁気コア17
・17は、高飽和磁化特性の向上につれて、膜厚が厚くな
る傾向にあり、５μｍ〜30μｍ程度の磁性薄膜が使用さ
れている。
は、近年の高記録密度化に伴い磁気記録媒体の高保磁力
化が促進されることにより、高保磁力媒体を十分に磁化
する能力が要求されている。そのため、上部磁気コア17
・17は、高飽和磁化特性の向上につれて、膜厚が厚くな
る傾向にあり、５μｍ〜30μｍ程度の磁性薄膜が使用さ
れている。
このような膜厚の磁性薄膜を、所定の上部磁気コア17
の形状に追加する従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
先ず、第４図（ａ）に示すように、薄膜磁気ヘッド基板
11上に下部磁気コア層12を積層し、その上面に絶縁層1
3、巻線導体層16、絶縁層13、巻線導体層16、絶縁層13
を順次積層した後、この上に上部磁気コア形成層19を積
層する。次に、上部磁気コア形成層19上に所定形状のレ
ジスト層18をパターニングする。その後、レジスト層18
をマスクにして、スパッタエッチ法、イオンミリング
法、或いはリアクティブイオンエッチング法等により上
部磁気コア形成層19をエッチングし、上部磁気コア17を
得るものであった。
の形状に追加する従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
先ず、第４図（ａ）に示すように、薄膜磁気ヘッド基板
11上に下部磁気コア層12を積層し、その上面に絶縁層1
3、巻線導体層16、絶縁層13、巻線導体層16、絶縁層13
を順次積層した後、この上に上部磁気コア形成層19を積
層する。次に、上部磁気コア形成層19上に所定形状のレ
ジスト層18をパターニングする。その後、レジスト層18
をマスクにして、スパッタエッチ法、イオンミリング
法、或いはリアクティブイオンエッチング法等により上
部磁気コア形成層19をエッチングし、上部磁気コア17を
得るものであった。
ところが、上記従来の方法には、２つの問題点があ
る。第１の問題点は、トラック幅の精度の問題である。
高記録密度化が進むにつれて、トラック幅も狭くなり、
上部磁気コア17を最小10μｍ程度の幅に加工する必要が
あり、加工精度としては、±１〜２μｍ程度が要求され
る。しかしながら、従来の方法によれば、エッチングの
終結点における上部磁気コア17の幅がトラック幅になる
ため、上記磁気コア17の厚みが厚くなるほど、エッチン
グの形状精度は低下し、上記の精度を満たすことは困難
である。
る。第１の問題点は、トラック幅の精度の問題である。
高記録密度化が進むにつれて、トラック幅も狭くなり、
上部磁気コア17を最小10μｍ程度の幅に加工する必要が
あり、加工精度としては、±１〜２μｍ程度が要求され
る。しかしながら、従来の方法によれば、エッチングの
終結点における上部磁気コア17の幅がトラック幅になる
ため、上記磁気コア17の厚みが厚くなるほど、エッチン
グの形状精度は低下し、上記の精度を満たすことは困難
である。
第２の問題点は、上部磁気コア17を削設する際のエッ
チングによる巻線導体層16の損傷の問題である。これ
は、上部磁気コア形成層19とその下地層である絶縁層13
とのエッチングの選択比が充分にとれないために、エッ
チング終結時において、第４図（ｂ）に示すように、一
部のエッチングが絶縁層13を突破して、巻線導体層16に
到達し、このため、巻線導体層16がエッチングされ、甚
だしい場合には巻線導体層16の断線等を生じることにな
る。
チングによる巻線導体層16の損傷の問題である。これ
は、上部磁気コア形成層19とその下地層である絶縁層13
とのエッチングの選択比が充分にとれないために、エッ
チング終結時において、第４図（ｂ）に示すように、一
部のエッチングが絶縁層13を突破して、巻線導体層16に
到達し、このため、巻線導体層16がエッチングされ、甚
だしい場合には巻線導体層16の断線等を生じることにな
る。
これらの問題点について、以下、一般的に使用される
イオンミリング法を例にとって説明する。第１表に、イ
オンミリング法による薄膜磁気ヘッドのエッチング速度
の一例を示す。
イオンミリング法を例にとって説明する。第１表に、イ
オンミリング法による薄膜磁気ヘッドのエッチング速度
の一例を示す。
第１表より明らかなように、被エッチング層である上
部磁気コア形成層19を成すFe−Al−Si、Ni−Feと、マス
ク材であるフォト・レジスト、即ちレジスト層18、及び
下地層の絶縁層13を成すSiO2とは、エッチングレイトに
大きな差がない。
部磁気コア形成層19を成すFe−Al−Si、Ni−Feと、マス
ク材であるフォト・レジスト、即ちレジスト層18、及び
下地層の絶縁層13を成すSiO2とは、エッチングレイトに
大きな差がない。
例えば、巻線導体層16が厚さ２μｍのCu膜、下地層の
絶縁層13が厚さ１μｍのSiO2膜、上部磁気コア形成層19
が厚さ10μｍのFe−Al−Si膜、レジスト層18が厚さ10μ
ｍの場合では、理想的には、200分で上部磁気コア17の
エッチングが終了する。その場合、レジスト層18の残り
の厚さは、約２μｍとなり、レジスト層18の大部分は消
失してしまう。このため、安全を見込んでFe−Al−Si膜
の半分の厚みになる時点において、エッチングを中断
し、再度レジスト層18を形成する工程等が必要になる
が、このときには、１回目のレジストパターンと、２回
目のレジストパターンとの間に位置ずれが生じ易く、ト
ラック幅精度の低下の原因となるという問題がある。
絶縁層13が厚さ１μｍのSiO2膜、上部磁気コア形成層19
が厚さ10μｍのFe−Al−Si膜、レジスト層18が厚さ10μ
ｍの場合では、理想的には、200分で上部磁気コア17の
エッチングが終了する。その場合、レジスト層18の残り
の厚さは、約２μｍとなり、レジスト層18の大部分は消
失してしまう。このため、安全を見込んでFe−Al−Si膜
の半分の厚みになる時点において、エッチングを中断
し、再度レジスト層18を形成する工程等が必要になる
が、このときには、１回目のレジストパターンと、２回
目のレジストパターンとの間に位置ずれが生じ易く、ト
ラック幅精度の低下の原因となるという問題がある。
また、上記の如く、エッチングは200分で終了するの
が理想的であるが、実際には、以下の要因により、大幅
に200分を越えなければ、薄膜磁気ヘッドのエッチング
を終了することができない。即ち、Fe−Al−Si膜の基板
内の膜厚分布を10％とすると、最も厚い部分を加工する
ためには、20分のオーバーエッチングが必要である。更
に、イオン密度の分布等による基板内のエッチングレイ
トの分布をやはり10％とすると、20分のオーバーエッチ
ングが必要になる。また、イオンミリング法によるエッ
チングは、基板上の段差の影響及びパターンの感覚の影
響を受けて、被エッチング膜のパターンの狭い部分のエ
ッチングレイトが低くなるため、このエッチングレイト
の低下を20％とすると、更に、40分のオーバーエッチン
グをする必要がある。即ち、上記200分のエッチング後
に、基板上の一部でエッチングが終了して、更に80分後
に、基板上のすべての部分でエッチングが終結すること
になる。しかしながら、この80分のオーバーエッチング
の時間中にも、上部磁気コア17等のエッチングが最初に
終結した部分は、エッチングがより進行することにな
る。これによって、絶縁層13のSiO2は、オーバーエッチ
ングの最初の11分の間に消失し、続く20分の間には、第
４図（ｂ）に示すように、巻線導体層16の一部も上部磁
気コア17のエッチング過程において消失してしまう。従
って、基板上全面において、上部磁気コア17の加工が終
了する80分のオーバーエッチング後には、基板上のかな
りの部分にて巻線導体層16に損傷を生じることになる。
が理想的であるが、実際には、以下の要因により、大幅
に200分を越えなければ、薄膜磁気ヘッドのエッチング
を終了することができない。即ち、Fe−Al−Si膜の基板
内の膜厚分布を10％とすると、最も厚い部分を加工する
ためには、20分のオーバーエッチングが必要である。更
に、イオン密度の分布等による基板内のエッチングレイ
トの分布をやはり10％とすると、20分のオーバーエッチ
ングが必要になる。また、イオンミリング法によるエッ
チングは、基板上の段差の影響及びパターンの感覚の影
響を受けて、被エッチング膜のパターンの狭い部分のエ
ッチングレイトが低くなるため、このエッチングレイト
の低下を20％とすると、更に、40分のオーバーエッチン
グをする必要がある。即ち、上記200分のエッチング後
に、基板上の一部でエッチングが終了して、更に80分後
に、基板上のすべての部分でエッチングが終結すること
になる。しかしながら、この80分のオーバーエッチング
の時間中にも、上部磁気コア17等のエッチングが最初に
終結した部分は、エッチングがより進行することにな
る。これによって、絶縁層13のSiO2は、オーバーエッチ
ングの最初の11分の間に消失し、続く20分の間には、第
４図（ｂ）に示すように、巻線導体層16の一部も上部磁
気コア17のエッチング過程において消失してしまう。従
って、基板上全面において、上部磁気コア17の加工が終
了する80分のオーバーエッチング後には、基板上のかな
りの部分にて巻線導体層16に損傷を生じることになる。
更に、上部磁気コア17をエッチングするためのマスク
となるレジスト層18は、第４図（ａ）に示すように、上
部磁気コア形成層19が形成された基板上の凸部に形成さ
れるため、スピンコート法により形成する場合、基板上
の他の部分と比べて膜厚が薄くなりがちである。従っ
て、厚いコアを加工できるようにレジスト層18を厚く形
成することが困難であるという問題もあった。
となるレジスト層18は、第４図（ａ）に示すように、上
部磁気コア形成層19が形成された基板上の凸部に形成さ
れるため、スピンコート法により形成する場合、基板上
の他の部分と比べて膜厚が薄くなりがちである。従っ
て、厚いコアを加工できるようにレジスト層18を厚く形
成することが困難であるという問題もあった。
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記問題点を
解決するために、磁気記録媒体に対して、情報の記録及
び／または再生を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、下部磁気コア上に、巻線導体層を絶縁層にて被覆し
て設ける工程と、前記巻線導体層上に、前記磁気記録媒
体との摺動面部のトラック幅に相当する大きさ及び上部
磁気コアの形状に規定された上部磁気コア配設部を有す
る有機膜を設ける工程と、前記上部磁気コア配設部及び
前記有機膜上に上部磁気コア形成層を積層する工程と、
前記上部磁気コア形成層上に、前記上部磁気コア配設部
の大きさよりも大きい形状にパターニングしたレジスト
層を形成して、前記上部磁気コア形成層をエッチングす
る工程と、該エッチング工程の終了後に、前記有機膜及
び前記レジスト層を除去する工程とを含んでなることを
特徴とするものである。
解決するために、磁気記録媒体に対して、情報の記録及
び／または再生を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、下部磁気コア上に、巻線導体層を絶縁層にて被覆し
て設ける工程と、前記巻線導体層上に、前記磁気記録媒
体との摺動面部のトラック幅に相当する大きさ及び上部
磁気コアの形状に規定された上部磁気コア配設部を有す
る有機膜を設ける工程と、前記上部磁気コア配設部及び
前記有機膜上に上部磁気コア形成層を積層する工程と、
前記上部磁気コア形成層上に、前記上部磁気コア配設部
の大きさよりも大きい形状にパターニングしたレジスト
層を形成して、前記上部磁気コア形成層をエッチングす
る工程と、該エッチング工程の終了後に、前記有機膜及
び前記レジスト層を除去する工程とを含んでなることを
特徴とするものである。
上記の方法により、上部磁気コアの削設時において、
上記有機膜は、導体層及び絶縁層が削設されないように
保護し、且つ上部磁気コアの削設形状を正確なものにす
る。
上記有機膜は、導体層及び絶縁層が削設されないように
保護し、且つ上部磁気コアの削設形状を正確なものにす
る。
また、製造された薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体と
の摺動面部のトラック幅が、エッチングによって削設さ
れた上部磁気コアによらず、有機膜の加工された形状に
より規定される。また、有機膜を形成する加工法の加工
精度の方が、上部磁気コアの加工精度よりも大幅に優れ
ている。このことから、薄膜磁気ヘッドの上部磁気コア
のトラック幅は、高精度のものを得ることができる。
の摺動面部のトラック幅が、エッチングによって削設さ
れた上部磁気コアによらず、有機膜の加工された形状に
より規定される。また、有機膜を形成する加工法の加工
精度の方が、上部磁気コアの加工精度よりも大幅に優れ
ている。このことから、薄膜磁気ヘッドの上部磁気コア
のトラック幅は、高精度のものを得ることができる。
本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
すれば、以下の通りである。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第１図
（ａ）に示すように、先ず、耐摩耗性に優れた結晶化ガ
ラス、或いはフェライト等からなる薄膜磁気ヘッド基板
１上に、Ni−Fe、Fe−Al−Si、或いはCo−Zr等よりなる
下部磁気コア層２を形成し、この下部磁気コア２の上面
に、SiO2、Si3N4（四窒化三珪素）、或いはAl2O3等から
成る絶縁層４、Cu、Al、Au（金）、或いはAg（銀）等か
ら成る巻線導体層７、絶縁層４、巻線導体層７、及び絶
縁層４を順次積層し、巻線導体層７を絶縁層４にて被覆
して設ける。次に、絶縁層４上に、後述の上記磁気コア
20の厚みに対応した１〜20μｍ程度の厚みを有するフォ
トレジスト、PIQ（ポリイミド樹脂）等から成るから成
る有機膜８を、スピンコート、或いはデッピング等の手
法により積層する。次いで、有機膜８における上部磁気
コア20の形成部位に、上部磁気コア20の形状と対応する
穴、即ち上部磁気コア配設部8aを形成する。この加工
は、有機膜８が、フォト・レジストであればフォトリソ
グラフィー工程にて、またPIQであれば酸素のプラズマ
・エッチを施すことにより、容易かつ高精度に行うこと
ができる。次に、上記有機膜８を有する基板上に、Ni−
Fe、Fe−Al−Si、或いはCo−Zr等から成る上記磁気コア
形成層９を積層した後、この上部磁気コア形成層９上
に、磁気コア配設部8aの大きさに等しいか、或いは若干
大きい形状のレジスト層10を形成する。
（ａ）に示すように、先ず、耐摩耗性に優れた結晶化ガ
ラス、或いはフェライト等からなる薄膜磁気ヘッド基板
１上に、Ni−Fe、Fe−Al−Si、或いはCo−Zr等よりなる
下部磁気コア層２を形成し、この下部磁気コア２の上面
に、SiO2、Si3N4（四窒化三珪素）、或いはAl2O3等から
成る絶縁層４、Cu、Al、Au（金）、或いはAg（銀）等か
ら成る巻線導体層７、絶縁層４、巻線導体層７、及び絶
縁層４を順次積層し、巻線導体層７を絶縁層４にて被覆
して設ける。次に、絶縁層４上に、後述の上記磁気コア
20の厚みに対応した１〜20μｍ程度の厚みを有するフォ
トレジスト、PIQ（ポリイミド樹脂）等から成るから成
る有機膜８を、スピンコート、或いはデッピング等の手
法により積層する。次いで、有機膜８における上部磁気
コア20の形成部位に、上部磁気コア20の形状と対応する
穴、即ち上部磁気コア配設部8aを形成する。この加工
は、有機膜８が、フォト・レジストであればフォトリソ
グラフィー工程にて、またPIQであれば酸素のプラズマ
・エッチを施すことにより、容易かつ高精度に行うこと
ができる。次に、上記有機膜８を有する基板上に、Ni−
Fe、Fe−Al−Si、或いはCo−Zr等から成る上記磁気コア
形成層９を積層した後、この上部磁気コア形成層９上
に、磁気コア配設部8aの大きさに等しいか、或いは若干
大きい形状のレジスト層10を形成する。
その後、第１図（ｂ）に示すように、イオンミリング
法等により、上部磁気コア形成層９をエッチングする。
ここで、有機膜８の表面の一部は、エッチングにより削
除される。しかしながら、有機膜８は、エッチング液が
有機膜８を突破して下地層に達するまで削除されること
はなく、従って、下地層である絶縁層４及び巻線導体層
７は保護される。即ち、有機膜８にフォト・レジストを
使用した場合には、例えば、80分のオーバーエッチング
に対して、3.2μｍの厚み分だけ有機膜８が消失する。
従って、有機膜の膜厚を3.2μｍ以上に設定すれば、下
地層の損傷は回避される。また、上部磁気コア形成層９
の膜厚が10μｍ以上の場合は、コア厚に応じて有機膜８
の厚みを増加することによりオーバーエッチングに対応
することができる。上記のようにして、上部磁気コア20
を削設した後、第１図（ｃ）に示すように、有機膜８、
及びマスク材のレジスト層10を酸素プラズマ、或いはレ
ジストリムーバー等により除去して製造を完了する。
法等により、上部磁気コア形成層９をエッチングする。
ここで、有機膜８の表面の一部は、エッチングにより削
除される。しかしながら、有機膜８は、エッチング液が
有機膜８を突破して下地層に達するまで削除されること
はなく、従って、下地層である絶縁層４及び巻線導体層
７は保護される。即ち、有機膜８にフォト・レジストを
使用した場合には、例えば、80分のオーバーエッチング
に対して、3.2μｍの厚み分だけ有機膜８が消失する。
従って、有機膜の膜厚を3.2μｍ以上に設定すれば、下
地層の損傷は回避される。また、上部磁気コア形成層９
の膜厚が10μｍ以上の場合は、コア厚に応じて有機膜８
の厚みを増加することによりオーバーエッチングに対応
することができる。上記のようにして、上部磁気コア20
を削設した後、第１図（ｃ）に示すように、有機膜８、
及びマスク材のレジスト層10を酸素プラズマ、或いはレ
ジストリムーバー等により除去して製造を完了する。
上記の方法によって製造された薄膜磁気ヘッドは、第
２図に示すように、磁気記録媒体との摺動面部のトラッ
ク幅Twが、エッチングによって削設された上部磁気コア
20によらず、有機膜８の加工された形状により規定され
る。また、有機膜８を形成する加工法の加工精度の方
が、上部磁気コア20の加工精度よりも大幅に優れてい
る。このようにして、上部磁気コア20のトラック幅は、
高精度のものを得ることができる。
２図に示すように、磁気記録媒体との摺動面部のトラッ
ク幅Twが、エッチングによって削設された上部磁気コア
20によらず、有機膜８の加工された形状により規定され
る。また、有機膜８を形成する加工法の加工精度の方
が、上部磁気コア20の加工精度よりも大幅に優れてい
る。このようにして、上部磁気コア20のトラック幅は、
高精度のものを得ることができる。
また、本発明の方法によれば、第１図（ａ）に示すよ
うに、有機膜８の厚み分だけ凹んだ上部コア形成層９の
上にレジスト層10が形成されることになって、厚いレジ
スト層10の形成が容易になる。
うに、有機膜８の厚み分だけ凹んだ上部コア形成層９の
上にレジスト層10が形成されることになって、厚いレジ
スト層10の形成が容易になる。
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以上のよう
に、磁気記録媒体に対して、情報の記録及び／または再
生を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、下部磁気
コア上に、巻線導体層を絶縁層にて被覆して設ける工程
と、前記巻線導体層上に、前記磁気記録媒体との摺動面
部のトラック幅に相当する大きさ及び上部磁気コアの形
状に規定された上部磁気コア配設部を有する有機膜を設
ける工程と、前記上部磁気コア配設部及び前記有機膜上
に上部磁気コア形成層を積層する工程と、前記上部磁気
コア形成層上に、前記上部磁気コア配設部の大きさより
も大きい形状にパターニングしたレジスト層を形成し
て、前記上部磁気コア形成層をエッチングする工程と、
該エッチング工程の終了後に、前記有機膜及び前記レジ
スト層を除去する工程とを含んでなる構成である。
に、磁気記録媒体に対して、情報の記録及び／または再
生を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、下部磁気
コア上に、巻線導体層を絶縁層にて被覆して設ける工程
と、前記巻線導体層上に、前記磁気記録媒体との摺動面
部のトラック幅に相当する大きさ及び上部磁気コアの形
状に規定された上部磁気コア配設部を有する有機膜を設
ける工程と、前記上部磁気コア配設部及び前記有機膜上
に上部磁気コア形成層を積層する工程と、前記上部磁気
コア形成層上に、前記上部磁気コア配設部の大きさより
も大きい形状にパターニングしたレジスト層を形成し
て、前記上部磁気コア形成層をエッチングする工程と、
該エッチング工程の終了後に、前記有機膜及び前記レジ
スト層を除去する工程とを含んでなる構成である。
これにより、上部磁気コアの形成時においては、導体
層及び絶縁層に損傷を与えることなく、厚い上部磁気コ
アを、高精度に加工することができる。即ち、製造され
た薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体との摺動面部のトラ
ック幅が、エッチングによって削設した上部磁気コアの
上部形状によらず、有機膜の加工された形状により規定
される。また、有機膜を形成する加工法の加工精度の方
が、上部磁気コアの加工精度よりも大幅に優れているの
で、薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアのトラック幅を高精
度に設計することができる。
層及び絶縁層に損傷を与えることなく、厚い上部磁気コ
アを、高精度に加工することができる。即ち、製造され
た薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体との摺動面部のトラ
ック幅が、エッチングによって削設した上部磁気コアの
上部形状によらず、有機膜の加工された形状により規定
される。また、有機膜を形成する加工法の加工精度の方
が、上部磁気コアの加工精度よりも大幅に優れているの
で、薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアのトラック幅を高精
度に設計することができる。
この結果、高保磁力媒体を充分に磁化する能力のある
薄膜磁気ヘッドを実現することができ、この薄膜磁気ヘ
ッドでは、高記録密度の磁気記録を行うことができる等
の効果を奏する。
薄膜磁気ヘッドを実現することができ、この薄膜磁気ヘ
ッドでは、高記録密度の磁気記録を行うことができる等
の効果を奏する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示すものであっ
て、第１図（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ薄膜磁気ヘッド
の製造過程を示す縦断面図、第２図は薄膜磁気ヘッドの
磁気記録媒体との摺動面を示す正面図、第３図及び第４
図は従来例を示すものであって、第３図は薄膜磁気ヘッ
ドを示す斜視図、第４図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ薄
膜磁気ヘッドの製造過程を示す縦断面図である。 １は薄膜磁気ヘッド基板、２は下部磁気コア層、４は絶
縁層、７は巻線導体層、８は有機膜、8aは上部磁気コア
配設部、９は上部磁気コア形成層、20は上部磁気コアで
ある。
て、第１図（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ薄膜磁気ヘッド
の製造過程を示す縦断面図、第２図は薄膜磁気ヘッドの
磁気記録媒体との摺動面を示す正面図、第３図及び第４
図は従来例を示すものであって、第３図は薄膜磁気ヘッ
ドを示す斜視図、第４図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ薄
膜磁気ヘッドの製造過程を示す縦断面図である。 １は薄膜磁気ヘッド基板、２は下部磁気コア層、４は絶
縁層、７は巻線導体層、８は有機膜、8aは上部磁気コア
配設部、９は上部磁気コア形成層、20は上部磁気コアで
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】磁気記録媒体に対して、情報の記録及び／
または再生を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 下部磁気コア上に、巻線導体層を絶縁層にて被覆して設
ける工程と、 前記巻線導体層上に、前記磁気記録媒体との摺動面部の
トラック幅に相当する大きさ及び上部磁気コアの形状に
規定された上部磁気コア配設部を有する有機膜を設ける
工程と、 前記上部磁気コア配設部及び前記有機膜上に上部磁気コ
ア形成層を積層する工程と、 前記上部磁気コア形成層上に、前記上部磁気コア配設部
の大きさよりも大きい形状にパターニングしたレジスト
層を形成して、前記上部磁気コア形成層をエッチングす
る工程と、 該エッチング工程の終了後に、前記有機膜及び前記レジ
スト層を除去する工程とを含んでなることを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253957A JP2549367B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253957A JP2549367B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108514A JPS63108514A (ja) | 1988-05-13 |
| JP2549367B2 true JP2549367B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=17258314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61253957A Expired - Lifetime JP2549367B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2549367B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960015409A (ko) * | 1994-10-27 | 1996-05-22 | 김광호 | 기록/재생 복합형 박막 자기헤드의 제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229513A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61253957A patent/JP2549367B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63108514A (ja) | 1988-05-13 |
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