JPS6138525B2 - - Google Patents

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JPS6138525B2
JPS6138525B2 JP56140974A JP14097481A JPS6138525B2 JP S6138525 B2 JPS6138525 B2 JP S6138525B2 JP 56140974 A JP56140974 A JP 56140974A JP 14097481 A JP14097481 A JP 14097481A JP S6138525 B2 JPS6138525 B2 JP S6138525B2
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JP
Japan
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magnetoresistive
magnetic head
thin film
magnetic field
film magnetic
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JP56140974A
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JPS5845619A (ja
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Masahide Suenaga
Kosaku Senda
Masaki Oora
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/398—Specially shaped layers
    • G—PHYSICS
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    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドに係
り、特に長手方向に磁化容易軸をもち、かつ、先
端が突出している磁気抵抗を有する、高安定出
力、低雑音の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドに関
する。
一般に、パーマロイなどの強磁性体薄膜の磁気
抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツ
ドは、高感度であり、出力が媒体速度に依存しな
いなど、優れた特性を有するため高密度記録分野
で注目されている。この磁気ヘツドを第１図を用
いて説明する。図中、磁気ヘツド１０は、導電接
点４０及び５０を介して外部の読取り回路６０に
接続された磁気抵抗素子３０を具えている。これ
らの構成素子３０，４０及び５０は、ガラス等に
より構成される基板７０上に設けられている。ま
た、磁気抵抗素子３０上にはシートバー８が所定
間隔に設けられている。かかる磁気ヘツドは、磁
気記録媒体２０の磁気的記録再生を行なうもので
あり、特公昭54―7564号公報及び米国特許第
3493694号公報に示されている。
本ヘツドの心臓部ともいうべき磁気抵抗素子の
従来知られている代表的な形状は、第２図ａに示
すように長方形であり、その長軸が磁気抵抗素子
１の磁化容易軸と一致するように形成されてい
た。そのため、磁化困難軸方向に信号磁界が印加
されると、磁気抵抗膜面内に第２図ｂに示すよう
な磁壁２が形成されやすく、これが原因となつ
て、出力電圧が変動し、バルクハウゼン雑音が発
生しやすかつた。
このような問題は磁化容易軸方向に所定値以上
の直流バイアス磁界を印加することにより解決で
きることが知られている。しかしながら高密度記
録用シールド付き磁気抵抗ヘツドの場合には構造
上あるいは信頼性上の制約から十分なバイアス磁
界を印加できないことが多く、他の有効な方法を
併用することが望まれていた。
本発明の目的は上記の如き問題点を除去するこ
とであり、磁気抵抗膜内に磁壁を発生しにくくす
ることにより、出力電圧の変動およびバルクハウ
ゼン雑音を低減させた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ツドを提供することにある。
この目的を達成するため、本発明においては磁
気抵抗膜の長手方向（容易軸方向）の先端を突出
させ、二つの長辺の端を結んだ線より外側に位置
させるようにすることを特徴とする。
以下本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説
明する。第３図ａ乃至ｃは本発明による磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘツドの磁気抵抗素子の形状をそ
れぞれ示すものである。
これらの磁気抵抗素子１は、基板７０上に薄膜
技術によつて、材質81Ni―19Feパーマロイが、
膜厚300Åで設けられている。また、長軸及び短
軸の長さはそれぞれ50μｍ及び10μｍであり、長
軸と磁化容易軸の方向がいずれも一致する様にパ
ターンニングされている。
第４図はこれらの磁気抵抗膜の短軸磁化困難軸
方向に100Oeの交流磁界を印加した後の磁区構造
をビツター法により観察した結果を示す。同図に
より、磁気抵抗素子１の先端が円あるいは三角形
状に突出しているもの（ａ，ｂ，ｃ）において
は、従来できやすかつた還流磁区と異なる磁区構
造が実現していることがわかる。
これに対し、第７図ｄ及びｅに示す如く、先端
が半円径状あるいは三角状に窪んだ形状の磁気抵
抗素子１は、第８図ｄ及びｅに示す如く、端部と
２分して結合する磁壁２が形成され、バルクハウ
ゼン雑音が発生しやすい。
前記第３図及び第７図に示した各形状の磁気抵
抗素子の長軸方向に直流のバイアス磁界を印加し
ながら、短軸方向に100Oeの交流磁界を印加した
後の各種磁気抵抗素子における磁壁発生率とバイ
アス磁界の大きさとの関係を第５図に示す。図か
らも明らかな様に、第３図に示すａ，ｂ，ｃ型の
磁気抵抗膜においては、従来の１／３程度のバイアス 磁界で単磁区化が実現されており、磁気抵抗膜の
先端を円あるいは三角形状に突出させることによ
り磁壁発生抑制効果が生じていることがわかる。
つぎに、上記ａ，ｂ，ｃ型の磁気抵抗膜上に第
６図に示すような線幅1.5μｍのシヨートバー３
を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドを形成
し、10mAの検出電流を流しながら、デイスク上
に記録された情報の再生を行つた。その結果、従
来型のヘツドにおいてみられた繰返し再生を行つ
た場合の出力電圧の変動が１／５以下となり、磁壁の 移動によつて生じると推定される雑音（バルクハ
ウゼンノイズ）がほとんどみられなくなつた。
なお、従来型のヘツドにおいても検出電流を
30mA以上に増大させ、検出電流が作るセルフバ
イアス磁界を増せば同様な効果が認められるが、
この場合には磁気抵抗膜中の電流密度が許容値
（５×106A／cm2）を越えるため、磁気抵抗素子の
発熱あるいはエレクトロマイグレーシヨンが原因
となつて膜が破断しやすくなるなど信頼性上の問
題が生じ、実用的でない。また、永久磁石等によ
り、磁気抵抗素子に4Oe以上の均一バイアス磁界
を印加することも考えられるが、高密度記録用シ
ールド付き磁気抵抗ヘツドの場合には、シールド
がほとんどの磁束を吸収するため、磁気抵抗素子
が有効に励磁されず実用的でない。
また、前記実施例においては、磁気抵抗素子１
上にそのままシヨートバー３を設けた場合につい
て述べたが、同様な効果は、磁気抵抗膜の媒体対
向面（第６図Ａ―A′で示す面）側を、いくぶん
（たとえば第６図Ｂ―B′で示す面まで）削除した
ものについても認められた。この様な加工は、例
えばｂ型の磁気抵抗素子をヘツドの媒体対向面側
に露出させたヘツドを作成するときに必要とな
る。
更らに本発明は、前述したバーバーポール型磁
気ヘツドに限られるものではなく、他のバイアス
磁界印加方式を採用した磁気抵抗ヘツド、例えば
電流バイアス型磁気抵抗ヘツドにおいても同様の
効果を得ることができる。
以上述べた如く本発明によれば、磁気抵抗効果
型磁気ヘツドの磁気抵抗素子の長手方向（磁化容
易軸方向）の先端を突出させることにより、磁気
抵抗素子内の磁壁の発生を抑制し、ヘツド出力電
圧の変動及び雑音を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は磁気抵抗効果型磁気ヘツドを説明する
ための図である。第２図ａ及びｂは従来技術によ
る磁気抵抗素子を説明するための図、第３図及び
第４図は本発明の実施例である磁気抵抗素子を説
明するための図である。第７図及び第８図は、磁
気抵抗素子の各種形状を説明するための図であ
る。第５図は第３図及び第７図に示した磁気抵抗
素子の磁気特性を示す図である。第６図は、本発
明の一実施例である磁気抵抗効果型磁気ヘツドの
部分拡大図である。 符号の説明 １０…磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド、２０…磁気記録媒体、１及び３０…磁気抵抗
素子、４０及び５０…接点、６０…外部読取回
路、７０…基板、３及び８…シヨートバー、２…
磁壁。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録媒体上に記録された情報を再生する
    磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドにおいて、基板
    と、該基板上に搭載された磁気的異方性材料から
    なり長方形状の長手方向両端部に長辺の端を結ん
    だ線より外側に位置する突出部を有する磁気抵抗
    素子と、該磁気抵抗素子に所定方向のバイアス磁
    界を印加するバイアス磁界印加手段と、前記磁気
    抵抗素子の長手方向両端部に接続された電極とを
    具備することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁
    気ヘツド。 ２ 前記突出部が円弧状外形を有することを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果
    型薄膜磁気ヘツド。 ３ 前記突出部が１つの角を有することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型
    薄膜磁気ヘツド。
JP56140974A 1981-09-09 1981-09-09 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド Granted JPS5845619A (ja)

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JP56140974A JPS5845619A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
US06/402,419 US4556925A (en) 1981-09-09 1982-07-28 Magnetoresistive head

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JPS5845619A JPS5845619A (ja) 1983-03-16
JPS6138525B2 true JPS6138525B2 (ja) 1986-08-29

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