JP2571347B2 - 磁気抵抗変換器及び磁気記憶システム - Google Patents

磁気抵抗変換器及び磁気記憶システム

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JP2571347B2
JP2571347B2 JP6137032A JP13703294A JP2571347B2 JP 2571347 B2 JP2571347 B2 JP 2571347B2 JP 6137032 A JP6137032 A JP 6137032A JP 13703294 A JP13703294 A JP 13703294A JP 2571347 B2 JP2571347 B2 JP 2571347B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記憶システムに関す
るものであり、更に詳しく云えば、狭いトラック幅に適
応するように低電流でもって大きい信号出力を生じさせ
るためのバイアス磁界を有する磁気抵抗（ＭＲ）ヘッド
を具備した磁気記憶システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲ効果の感度及び線形度を改良しよう
とする試みでは、一定のバイアス磁界をＭＲヘッドに印
可することが知られている。この磁界は元の方位に関し
て角度Θの新しい方向にＭＲセンサ・フィルムの磁化を
回転する。磁化の回転は以下の方法で達成される。
【０００３】（１）ＭＲセンサ・フィルムに隣接して永
久磁石を置く。しかし、この方法はＭＲセンサ・フィル
ムの上端及び下端付近だけでしか線形性を与えず、ＭＲ
センサ・フィルムの高さ全体にわたって線形性を与える
ものではない。更に、永久磁石がＭＲセンサ・フィルム
のアクティブな領域のすぐ上に置かれる場合、その軟磁
性フィルムの保持力は、センサにとって望ましくないレ
ベルまで高められることがある。
【０００４】（２）分路導体をＭＲセンサ・フィルムと
接触して位置付ける。しかし、これはその導体フィルム
がＭＲフィルムを短絡し、それによって、信号の少なく
とも５０％を除去するので、感度を悪くする。
【０００５】（３）ＭＲフィルムに隣接して軟磁性磁気
フィルムを置く。これは良好な線形性を与えるが、その
軟磁性フィルムがＭＲセンサ・フィルムから電流を分路
し、それによって、信号の約３０％を除去するので、良
好な感度を与えるものではない。
【０００６】（４）米国特許第３,９４０,７９７号にお
いて教示されているように、ＭＲフィルムと接触した分
路層を持って又は持たないで、磁気シールド相互間のギ
ャップにＭＲフィルムを非対称的に位置付ける。これ
は、分路層がない場合、電力消費によりセンサが過熱し
て破壊するレベルまで電流密度が増大しないと、十分な
線形化を得るためのバイアス磁界を与えることができな
い。更に、２μｍ程度の狭いギャップに対しては、意味
ある大きさのバイアス磁界を作るに十分な非対称性を与
えるＭＲヘッドを作ることは不可能ではなくても、困難
である。これは、バイアス磁界の大きさが非対称の程度
と共に増大するためである。分路層を持たないＭＲヘッ
ドに対しては、前記米国特許に開示されているように３
対１を越える比の場合、電気的短絡が起こり易くなる程
度まで磁気シールドの１つに近接してＭＲフィルムが置
かれる。
【０００７】（５）米国特許第３,８４０,８９８号の図
４と関連して開示されているように、酸化されてない中
央部分が軟磁性であるまま、パーマロイ条片センサの各
側端部に隣接した部分が硬磁性の磁石になるように、そ
れら部分を酸化することによって磁気的にバイアスされ
たＭＲ条片を作成する。しかし、この方法はパーマロイ
材料の保持力を約５０乃至１００ Ｏｅしか上げること
ができない。これは、それらの端部付近における酸化領
域の消磁を防ぐには不十分である。この消磁が生じる
と、酸化領域における磁化は傾いたままにならず、従っ
て、所望のバイアスを与えることができない。結局、こ
の酸化の結果、酸化した側端部の磁化は中央部分の磁化
よりも小さく、望ましくないものとなろう。
【０００８】最適な横方向のバイアス及び高い読み取り
効率を持ち、特に、狭いトラック幅への適用に適したＭ
Ｒヘッドを有する磁気記憶システムに対する要求があ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、２μ
ｍ以下のトラック幅に適応するよう低電流でもって大き
い信号出力を生じさせるために、高保持力磁性材によっ
てバイアス磁界を生成する磁気抵抗（ＭＲ）変換器を持
った磁気記憶システムを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】高保持力磁性材の条片は
ＭＲ層のトラック幅方向両端と隣接接触する。該条片の
各々の磁化の水平方向成分とその厚さとの積は該ＭＲ層
が該条片によってバイアスされる前における該ＭＲ層の
磁化の水平方向成分とその厚さとの積に少なくとも等し
い。そして、各条片はその水平方向成分から角度φだけ
傾けられた磁化方向を有する。
【００１１】ＭＲ層は、間隔をあけて設けられた１対の
磁気シールドの間に非対称的に位置付けられ、導電性の
非磁性スペーサ層によって分路層から隔てられている。
代替方法としては、分路層が薄い軟磁性フィルム層によ
って置換され、ＭＲ層がシールド相互間の中心に置か
れ、そして条片が軟磁性フィルム層のトラック幅方向両
端と隣接接触する。
【００１２】各構成において、条片は少なくとも５００
Ｏｅの保持力を有し、角度φは６０゜±１５゜であ
り、そしてそれら構成要素は変換器の感知効率を最適に
するためにその水平方向成分から４０゜±７゜の角度Θ
でＭＲ層をバイアスするように協同する。
【００１３】
【実施例】図１に示されるように、本発明を具体化する
磁気ディスク記憶システム１０は、スピンドル１２上に
支持され且つディスク・ドライブ・モータ１３によって
回転される回転可能な磁気ディスク１１よりなる。磁気
誘導書込み・磁気抵抗（ＭＲ）読取り複合ヘッド１４
は、ディスク上のトラック（図示されてない）において
磁化データを書き込み及び読み取るために、アクチュエ
ータ装置によりそのトラックに関して移動可能である。
図示のように、アクチュエータ装置は、ディスクの半径
方向にヘッド１４を移動させるために、アクチュエータ
・アーム１６、サスペンション１７、及びスライダ１８
を通して作用するボイスコイル・モータ１５より成る。
【００１４】本発明の一実施例によれば、図２に示され
るように、読取り・書込み複合ヘッド１４はＭＲ読取り
ヘッド２０を有する。そのヘッド２０は、ＭＲセンサ・
フィルム層２２と薄い導電性分路層２３とを分けるスペ
ーサ層２１を有する。分路層２３はＭＲ層と同空間にあ
り、電流が電流搬送リード２４ａ及び２４ｂを介してそ
れら層２２及び２３に供給される時、そのＭＲ層２２を
横切るバイアス磁界を発生する。なお、リード２４ａ及
び２４ｂはＭＲ層２２の両端部分と重畳接触している。
リード２４ａ及び２４ｂの対面する縁部は、ディスク１
１上のデータ・トラックの幅Ｗに対応する距離だけ間隔
を設けられている。ＭＲ層２２及び分路層２３は、絶縁
材の層２６及び２８によって、それぞれ、磁気シールド
３０及び３２から分離されている。ＭＲ層２２は、ギャ
ップ部分Ｇ１が残りのギャップ部分Ｇ２よりも小さくな
るように、シールド３０及び３２の間に形成されたギャ
ップＧ内に非対称的に配置される。図示のように、高保
持力磁性材の条片３４ａ及び３４ｂの形をした硬磁性バ
イアス層が、製造を容易にするためにＭＲ層２２、スペ
ーサ層２１、及び分路層２３の両端におけるトラック幅
方向両端と隣接接触している。しかし、それら条片がＭ
Ｒ層２２と隣接接触していることがこの実施例では重要
なことである。
【００１５】ＭＲセンサ層２２はパーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）のような１００乃至３００Åの透磁性材料より成る
ものでよく、スペーサ層２１は５０乃至２００Åの高抵
抗率の非磁性材、好ましくは、Ｔａより成るものでよ
い。分路層２３は５０乃至２００ÅのＴｉ、Ｎｂ、Ｔｉ
Ｚｒ、又はＭｏより成るものでよく、リード２４ａ及び
２４ｂは抵抗率を減少させるためにＴｉＷ又はＴａＷの
下層シード層を持った５００乃至２０００ÅのＴａより
成るものでよい。シールド３０及び３２はパーマロイの
ような透磁性材料より成るものでよく、絶縁層２６及び
２８はＡｌ2Ｏ3より成るものでよい。硬磁性バイアス・
条片３４ａ及び３４ｂは層２１、２２、２３の結合した
厚さにほぼ等しい厚さを持ったＣｏＰｔＣｒのようなも
のより成るものでよい。
【００１６】スペーサ層２１は、分路層がＭＲ層と直接
接触している時に起こり得る望ましくない化学的反応を
防ぎ、特にＴａの場合、層２２に対して優れたＭＲ材を
与える。
【００１７】電流源３６はＭＲヘッド２０を流れる電流
を発生して適当なバイアスを与え、出力電圧信号を発生
する。感知手段３８は、感知される磁界の関数としてＭ
Ｒ層２２における磁化の回転の差によるＭＲヘッド２０
の抵抗率の変化を感知する。
【００１８】本発明の特徴によれば、条片３４ａ及び３
４ｂは少なくとも５００ Ｏｅの保持力を持たなければ
ならない。高保持力の条片３４ａ及び３４ｂの傾き角φ
は約６０゜±１５゜の範囲になければならない。又、図
３に示されるように、各条片の磁化Ｍ'の水平方向成分
４０に厚さｔhbを乗じたものは、ＭＲ層がそれら条片に
よりバイアスされる前のＭＲ層２２の磁化Ｍの水平方向
成分４２にその厚さｔMRを乗じたものに少なくとも等し
くなければならない。これら水平方向成分４０、４２は
トラック幅Ｗに平行な方向の成分である。
【００１９】Ｍ'の値は次の式から計算可能である。即
ち、 ｔhb（Ｍ'ｃｏｓφ）＝ｔMR（Ｍ） これらの基準に合った条片３４ａ及び３４ｂは、少なく
とも２：１のＧ１：Ｇ２非対称比を持ったＭＲ層と結合
される時、４０゜±７゜の範囲で最適なバイアス角Θを
持つＭＲ層を与えることがわかった。その非対称比は、
ギャップＧのサイズによって及びＭＲ層がシールドから
少なくとも０.０５μｍの所になければならないという
事実によって制限される。これらの基準が満足される
と、分路導体バイアス又は軟磁性フィルム・バイアスを
使用するという前に提案された構成において得られた読
取り効率よりも高い読取り効率を持った最適なバイアス
が得られる。
【００２０】図４は、ＭＲヘッド２０が図２及び図３に
示された構成を持つ時に得られる実際のテスト結果のプ
ロットを示す。図４は、ＭＲフィルム層２２の中間のフ
ィルム高で測定されたバイアス角Θの正弦が、ＭＲ層の
トラック幅重畳部分にわたって、シールド３０及び３２
の間のギャップの非対称性、即ち、そのギャップの中心
からの種々のオフセット量に対して、どのように変化す
るかを示すものである。曲線（ａ）は、２μｍのトラッ
ク幅の場合に、ＭＲ層２２が、傾斜した隣接の硬いバイ
アス条片３４ａ及び３４ｂと、シールド間の０.５５μ
ｍのギャップにおける０.１μｍのオフセットと、５７
μΩ−ｃｍの抵抗率を持つ分路導体層２３とを使用する
ことによって、ほぼ３７゜の角度Θで十分にバイアス可
能であることを示している。２.１４の非対称比の場
合、ギャップＧ１及びＧ２は０.３７５μｍ及び０.１７
５μｍであった。１０ｍＡの電流でもって良好な出力信
号がＭＲヘッドから得られた。
【００２１】他のパラメータは以下の通りである。即
ち、 ｔMR＝２５０Å ｔSH＝１７０Å ｔSP＝１２５Å Ｈk（ＭＲ）＝４ Ｏｅ Ｈk（ＳＨ）＝４ Ｏｅ ４πＭS（ＭＲ／ＳＨ）＝１０4／８.２＊１０3ｅｍｕ／
ｃｃ Ｈ＊Ｗ＝２.０＊２.０μｍ 硬磁性材料によるバイアス： ＭS＝７００ｅｍｕ／ｃｃ ｔHB＝５９４Å φHB＝６７゜ ρ（ＭＲ／ＳＰ／ＳＨ）＝２７／１９０／５７μΩｃｍ Ω／□＝０.９２５（リード） 但し、ｔSHは分路層２３の厚さであり、Ｈ及びＷはＭＲ
層２２の高さ及び幅である。
【００２２】曲線（ｂ）は０.０５μｍのオフセット、
従って、１.４４の非対称比の時のバイアス角Θを示
し、曲線（ｃ）はオフセットがない時のバイアス角Θを
示す。これらの曲線は、バイアス角が減少したために、
同じ振幅の出力電流及び最小の信号波形非対称性を得る
には大きい電流が必要であることを示している。又、硬
磁性バイアス材の傾斜のない非対称的なオフセットを使
用して行われたテストは，適正な出力信号を与えるため
には２０ｍＡ程度の高い電流が必要であることを示し
た。
【００２３】図５は、本発明の修正された実施例による
ＭＲ読取りヘッド５０を示す。図５では、図２に示され
たものと同じでよいコンポーネントを表わすために、プ
ライム付きの同じ参照番号が使用されている。図５に示
されるように、ＭＲヘッド５０は、ＭＲ層２２'が各シ
ールド３０'及び３２'から等距離Ｇ／２で（ギャップＧ
内ではむしろ非対称的に）中心合わせされていること、
及び分路がＭＲ層２２'の厚さのほぼ１／４の厚さを持
ったＮｉＦｅＲｈ又はＮｉＦｅＣｒの軟磁性磁気フィル
ム層５２によって置換されていることで、図２に示され
たＭＲヘッド２０とは異なっている。高保持力の条片３
４ａ'及び３４ｂ'は、ＭＲ層２２'、スペーサ層２１'、
及び軟磁性フィルム層５２の対向したトラック幅方向両
端と隣接接触する。図３に示されたのと同様に、高保持
力の条片３４ａ'及び３４ｂ'の各々はその磁化方向を角
度φだけ傾けられており、各条片の磁化Ｍ'の水平方向
成分４０をその厚さのｔhb倍したものは、ＭＲ層が条片
３４ａ'及び３４ｂ'によってバイアスされる前にＭＲ層
２２'の磁化Ｍの水平方向成分をその厚さ（ｔMR）倍し
たものとフィルム層５２の磁化の水平方向成分をその厚
さ（ｔSF）倍したものとの和に少なくとも等しくなけれ
ばならない。後述のようなことを除けば、厚さ、構成、
傾き角φ、及び最適なバイアス角Θは、図２の実施例に
おける同じ番号のコンポーネントに対して指定した範囲
と同じ範囲内になければならない。
【００２４】傾いた隣接の硬磁性材料のバイアス条片３
４ａ及び３４ｂを使用することは、ＭＲ層２２'の厚さ
の３０％を越えない厚さを持った軟磁性フィルム・バイ
アス層５２によって最適のバイアスが達成されることを
可能にする。これは、本願の傾いた隣接の硬磁性材料バ
イアス構成でない場合の必要な厚さのほぼ１／３の厚さ
を持った軟磁性フィルム層５２を与える。この軟磁性フ
ィルム層の厚さの減少は、読取り信号において３０％乃
至５０％の利得を与えることが実際のテストによってわ
かった。
【００２５】図６は、図５に示された構成を有するＭＲ
ヘッドにより得られた実際のテスト結果のプロットを示
す。このテストは、わずか０.７５μｍのトラック幅の
時、ＭＲ層２２'が、軟磁性フィルム層５２と組み合わ
せてその傾いた隣接の硬磁性バイアス条片３４ａ'及び
３４ｂ'を使用すること及びシールド３０'及び３２'の
間にＭＲ層を中心合わせすることによってほぼ４１゜の
角度Θで十分にバイアス可能であることを示した。１０
ｍＡの電流でもって良好な出力信号がＭＲヘッド５０か
ら得られた。
【００２６】他のパラメータは以下の通りである。即
ち、 ｔMR＝２００Å ｔSP＝５０Å ｔSF＝５０Å Ｇtotal＝０.４０μｍ ＭＲ層の高さＨ＝１.０μｍ トラック幅Ｗ＝０.７５μｍ ４πＭS（ＭＲ／ＳＦ）＝１０4／８.２＊１０3ｅｍｕ／
ｃｃ ρ（ＭＲ／ＳＰ／ＳＦ）＝２７／１９０／５７μΩ−ｃ
ｍ 条片３４ａ'及び３４ｂ'の両方に対して、 ｔHB＝５００Å ＢHB＝１.００＊１０4Ｇ φHB＝７２゜ である。
【００２７】軟磁性フィルム・バイアス層５２は、出願
人が知っている従来技術の軟磁性フィルム・バイアスの
ＭＲヘッドにおいて必要な通常の１５０Å厚の１／３で
あるわずか５０Å厚であることに注意すべきである。フ
ィルム・バイアス層５２の厚さを１／３に減少させると
いうことは、ギャップＧにおける必要なスペースの量を
減少させ、抵抗率を３倍に増加させるという結果を生じ
るので、より強い出力電圧信号を与えることができる。
この実施例は、１μｍ以下のトラック幅に対しても好適
である。更に、この実施例に対して、単一ドメイン状態
に留まるようにその軟磁性フィルムの磁気的安定性を保
証するためには、条片３４ａ'及び３４ｂ'は、ＭＲ層２
２'（及び製作を簡単にするためにスペース・バー層２
３'に付随して）及び軟磁性フィルム・バイアス層５２
と隣接接触しなければならない。
【００２８】条片３４ａ及び３４ｂにおける高保持力磁
性材の磁化方向は、製造後に行われる初期設定時に傾け
可能である。
【００２９】本発明は磁気テープ記憶システム及び光磁
気記憶システムにも効果的に適用可能であることに留意
すべきである。本発明は磁気ディスク記憶システムにお
いて実施される好ましい実施例に関して示され且つ説明
されたけれども、発明の範囲及び教示するところから離
れることなく、その形式及び詳細部分の変更を行うこと
が可能であることは当業者には明らかであろう。
【００３０】
【発明の効果】本発明の磁気抵抗（ＭＲ）変換器は、狭
いトラック幅の磁化データの読取りに適用しても、小さ
な電流でもって大きな出力信号を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施する磁気ディスク記憶システムの
概略図である。
【図２】本発明の一実施例に従って構成されたＭＲヘッ
ドの平面図である。
【図３】図２の線３−３に沿って切り取られた断面図で
ある。
【図４】バイアス角Θの正弦が、図２に示されたＭＲフ
ィルム層のトラック幅にわたって、磁気シールド相互間
のＭＲ層のオフセット量を変えた時にどのように変化す
るかを示すプロットである。
【図５】本発明の修正された実施例によるＭＲヘッドの
平面図である。
【図６】ＭＲヘッドが磁気シールドの間に中心付けられ
た時の図５に示されたＭＲ層のトラック幅にわたるバイ
アス角Θの正弦のプロットである。
【符号の説明】
１１・・・磁気ディスク ２０・・・ＭＲ読取りヘッド ２１・・・スペーサ層 ２２・・・ＭＲセンサ・フィルム層 ２３・・・分路層 ２４ａ、２４ｂ・・・リード ２６、２８・・・絶縁層 ３０、３２・・・磁気シールド ３６・・・電流源 ３８・・・感知装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デービッド・ユージーン・ハイム アメリカ合衆国カリフォルニア州、レッ ドウッド・シティ、グランド・ストリー ト 502番地

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁気記憶媒体上のトラックから磁化データ
    を感知するための磁気抵抗（ＭＲ）変換器にして、 ＭＲ層と、 該ＭＲ層を横切るバイアス磁界を発生するための該ＭＲ
    層と同延に並置された分路層と、 該ＭＲ層及び分路層の間に設けられた高い抵抗率の磁性
    金属材料のスペーサ層と、 透磁性材料の１対のシールドであって、該１対のシール
    ド間に少なくとも２：１の非対称比でもって該シールド
    の一方に近く該ＭＲ層が位置付けられて成るシールド
    と、 該ＭＲ層のトラック幅方向両端と隣接接触した高保持力
    磁性材の条片と、 より成り、 該条片の各々の磁化の水平方向成分とその厚さとの積は
    該ＭＲ層が該条片によってバイアスされる前における該
    ＭＲ層の磁化の水平方向成分とその厚さとの積に少なく
    とも等しいこと、該条片の各々はその水平方向成分から
    角度φだけ傾いた磁化方向を有すること、及び該条片は
    該分路層及びＭＲ層と協同して、該変換器の感知効率を
    最適にするよう水平方向成分から予め選択された角度Θ
    で該ＭＲ層をバイアスすることを特徴とする変換器。
  2. 【請求項２】前記角度Θは４０゜±７゜であることを特
    徴とする請求項１に記載の変換器。
  3. 【請求項３】前記条片は少なくとも５００ Ｏｅの保持
    力を有すること、前記角度φは６０゜±１５゜であるこ
    と、及び前記角度Θは４０゜±７゜であることを特徴と
    する請求項１に記載の変換器。
  4. 【請求項４】各々がＭＲ層の各トラック幅方向両端と重
    畳接触した１対の導体リードと、 バイアス及び出力信号を供給するために該ＭＲ層及び分
    路層を通る電流を発生するための電流源と、 該ＭＲ層の磁化方向の回転の差異によるＭＲ変換器の抵
    抗率の変動を感知するための感知手段と、 を更に含む請求項１に記載の磁気抵抗変換器。
  5. 【請求項５】磁気記憶媒体上のトラックから磁化データ
    を感知するための磁気抵抗（ＭＲ）変換器にして、 ＭＲ層と、 バイアス磁界を発生するための該ＭＲ層と同延に並置さ
    れた軟磁性磁気バイアス・フィルム層と、 該ＭＲ層及び磁気バイアス・フィルム層の間に設けら
    れ、高い抵抗率の非磁性金属材料のスペーサ層と、 該ＭＲ層及び磁気バイアス・フィルムの両端のトラック
    幅方向両端と隣接接触した高保持力磁性材の条片と、 より成り、 該条片の各々の磁化の水平方向成分とその厚さとの積
    は、該ＭＲ層が該条片によってバイアスされる前におけ
    る該ＭＲ層の磁化の水平方向成分とその厚さとの積と該
    磁気バイアス・フィルム層の磁化の水平方向成分とその
    厚さとの積との和に少なくとも等しいこと、該条片の各
    々はその水平方向成分から角度φだけ傾いた磁化方向を
    有すること、該条片は該磁気バイアス・フィルム層と協
    同して、該変換器の感知効率を最適にするよう水平方向
    成分から予め選択された角度Θで該ＭＲ層をバイアスす
    ることを特徴とする変換器。
  6. 【請求項６】前記磁気バイアス・フィルム層は前記ＭＲ
    層の厚さの３０％より小さい厚さを有することを特徴と
    する請求項５に記載の変換器。
  7. 【請求項７】磁化データが記録された複数のトラックを
    有する磁気記憶媒体と、 該データを感知するための磁気抵抗（ＭＲ）変換器と、
    より成り、 該変換器はＭＲ層のトラック幅方向両端と隣接接触した
    高保持力磁性材のバイアス条片より成り、該ＭＲ層は間
    隔をあけて置かれた磁気シールド相互間のギャップ内に
    非対称的に位置付けられ且つ高抵抗率の非磁性金属スペ
    ーサ層によって分路層から分離されており、該条片の各
    々の磁化の水平方向成分とその厚さとの積は該ＭＲ層が
    該条片によってバイアスされる前における該ＭＲ層の磁
    化の水平方向成分とその厚さとの積に少なくとも等し
    く、該条片の各々はその水平方向成分から角度φだけ傾
    いた磁化方向を有し、該条片は該分路層及びＭＲ層と協
    同して、該変換器の感知効率を最適にするよう水平方向
    成分から予め選択された角度Θで該ＭＲ層をバイアスす
    ることを特徴とする磁気記憶装置。
  8. 【請求項８】前記記憶媒体のトラックはほぼ２μｍの幅
    を有することを特徴とする請求項７に記載の磁気記憶装
    置。
  9. 【請求項９】前記角度Θは４０゜±７゜であることを特
    徴とする請求項７に記載の磁気記憶装置。
  10. 【請求項１０】前記条片は少なくとも５００ Ｏｅの保
    持力を有すること、前記角度φは６０゜±１５゜である
    こと、及び前記角度Θは４０゜±７゜であることを特徴
    とする請求項７に記載の磁気記憶装置。
  11. 【請求項１１】磁化データが記録された複数のトラック
    を有する磁気記憶媒体と、 該データを感知するための磁気抵抗（ＭＲ）変換器と、
    より成り、 該変換器は非磁性スペーサ層によって分離されたＭＲ層
    及び軟磁性磁気フィルム・バイアス層のトラック幅方向
    両端と隣接接触した高保持力磁性材のバイアス条片より
    成り、該条片の各々の磁化の水平方向成分とその厚さと
    の積は、該ＭＲ層が該条片によってバイアスされる前に
    おける該ＭＲ層の磁化の水平方向成分とその厚さとの積
    と該磁気バイアス・フィルム層の磁化の水平方向成分と
    その厚さとの積との和に少なくとも等しく、該条片の各
    々はその水平方向成分から角度φだけ傾いた磁化方向を
    有し、該条片は該ソフト磁気フィルム・バイアス層と協
    同して、該変換器の感知効率を最適にするよう水平方向
    成分から予め選択された角度Θで該ＭＲ層をバイアスす
    ることを特徴とする磁気記憶装置。
  12. 【請求項１２】前記記憶媒体のトラックは１μｍを越え
    ない幅を有することを特徴とする請求項１１に記載の磁
    気記憶装置。
  13. 【請求項１３】前記角度Θは４０゜±７゜であることを
    特徴とする請求項１１に記載の磁気記憶装置。
  14. 【請求項１４】前記条片は少なくとも５００ Ｏｅの保
    持力を有すること、前記角度φは６０゜±１５゜である
    こと、及び前記角度Θは４０゜±７゜であることを特徴
    とする請求項１１に記載の磁気記憶装置。
  15. 【請求項１５】前記ソフト磁気バイアス・フィルム層は
    前記ＭＲ層の厚さの３０％より小さい厚さを有すること
    を特徴とする請求項１１に記載の磁気記憶装置。
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