JPH05120638A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 感度の向上、再生特性の安定化、バルクハウ
ゼンノイズの低減化をはかる。 【構成】 ＭＲ感磁部５を挟んで上下に位置する下層薄
膜磁気コア４をトラック幅に対応する小なる幅とし、上
層薄膜磁気コア５の前方端の幅を下層薄膜磁気コア４の
前方端の幅より充分大とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドに係わる。

【０００２】

【従来の技術】各種の磁気ヘッド、例えばハードディス
ク・ドライブの磁気記録再生ヘッドの再生磁気ヘッドと
して、短波長感度に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド
（以下ＭＲ型磁気ヘッドという）が用いられる方向にあ
る。

【０００３】このＭＲ型薄膜磁気ヘッドは、シールド型
構成を採ることが分解能を向上する上で有利である。

【０００４】この種のシールド型構成によるＭＲ型再生
用薄膜磁気ヘッドは、記録用磁気ヘッドとしての誘導型
いわゆるインダクティブ型の磁気ヘッドと一体に形成さ
れた複合型薄膜磁気ヘッド構成とし得る。

【０００５】この種の複合型のＭＲ型薄膜磁気ヘッドと
しては、例えば図１０、図１１及び図１２にそれぞれそ
の略線的平面図と、図１０のＢ−Ｂ線上及びＣ−Ｃ線上
の各断面図を示すように、例えば浮上型の磁気ヘッドを
構成する場合においては、その磁気記録媒体例えばハー
ドディスクの回転に応じてその空気流によって浮上する
スライダ自体、あるいはこのスライダに取付けられる基
板よりなる基体１上に、下層薄膜磁気コア３と上層薄膜
磁気コア４とが積層され、これら両薄膜磁気コア３及び
４の前方端間において、磁気記録媒体との対接ないしは
対向面すなわち浮上型磁気ヘッドにおいてはＡＢＳ面
（エアー・ベアリング・サーフエス）２に臨む磁気ギャ
ップｇを形成するようになされている。そして、その下
層薄膜磁気コア３と上層薄膜磁気コア４との間に、磁気
ギャップｇ内に渡ってすなわち磁気ギャップｇから後方
に磁気抵抗効果薄膜（以下ＭＲ薄膜という）を有してな
る磁気抵抗効果感磁部（以下ＭＲ感磁部という）５が配
置形成される。１５ａ及び１５ｂはＭＲ感磁部５の両端
に被着形成された電極を示す。

【０００６】また、ＭＲ感磁部５上には、更に絶縁層６
を介してこのＭＲ感磁部５を横切って薄膜導電層よりな
るバイアス導体７が被着形成される。

【０００７】上層薄膜磁気コア４は、その後方端におい
て下層薄膜磁気コア３に例えば絶縁層６に形成した窓を
通じて磁気的に結合するようになされ下層及び上層薄膜
磁気コア３及び４によって磁気ギャップｇをその磁路内
に含む閉磁路が構成されるようにする。

【０００８】また、例えばバイアス導体７の形成と同時
に同様の薄膜導電層によって例えば下層の薄膜磁気コア
上に絶縁層６を介して上層薄膜磁気コア４と下層薄膜磁
気コア３との、互いに磁気的に結合する後方端部をめぐ
るように例えば渦巻パターン状をもってヘッド巻線８が
被着形成される。

【０００９】このような薄膜磁気ヘッドにおいては、そ
の磁気記録媒体との対接ないしは対向面すなわち例えば
ＡＢＳ面２に臨んで、下層及び上層薄膜磁気コア３及び
４の前方端間に形成された磁気ギャップｇ内にＭＲ感磁
部５が配置されて磁気コア３及び４が磁気シールド体と
して構成されたシールド型のＭＲ型磁気ヘッドが構成さ
れる。

【００１０】すなわち、磁気ギャップｇを通じて磁気記
録媒体に記録された信号磁界がＭＲ感磁部５に与えられ
るようにする。一方ＭＲ感磁部５に両電極１５ａ及び１
５ｂ間にセンス電流ｉ_S が通電されると共に、バイアス
導体７に所要の電流が通電され、これによって発生する
磁界がＭＲ感磁部５に与えられてＭＲ感磁部５において
所要の磁化状態とし、高感度を示し、かつ直線性を示す
磁気抵抗特性領域で動作するようになされ、磁気ギャッ
プｇを通じて上述したように、磁気記録媒体から与えら
れる信号磁界による磁気抵抗変化を電極１５ａ及び１５
ｂ間の電圧変化として検出するようになされる。

【００１１】また、磁気記録媒体への記録時には、バイ
アス導体５への通電が断たれると共に、ＭＲ感磁部５へ
のセンス電流ｉ_S の通電が断たれた状態で、ヘッド巻線
８に記録情報に応じた所要の通電がなされて、これによ
って下層及び上層薄膜磁気コア３及び４による閉磁路に
発生した磁界が磁気ギャップｇから取出されて磁気記録
媒体への磁気記録が行われるようになされる。つまり、
ＭＲ型再生磁気ヘッドと誘導型記録磁気ヘッドとの複合
型磁気ヘッドが構成される。

【００１２】このようなＭＲ型薄膜磁気ヘッドを含む誘
導型記録磁気ヘッドによる複合型磁気ヘッドを構成する
に当たっては、図１３〜図１５に、その一製造工程にお
ける平面図、図１３のＢ−Ｂ線上及びＣ−Ｃ線上の各断
面図を示すように、基体１上に例えば周知のフレームメ
ッキによって磁界印加のもとで例えばＦｅＮｉ等の磁性
合金をメッキし、その後フォトレジスト等より成るフレ
ームの除去と、更にこのフレームより外側の不要部分の
磁性合金をエッチング除去して下層薄膜磁気コア３が形
成される。

【００１３】この下層薄膜３は、一般に最終的に得る磁
気ギャップｇのトラック幅Ｗ_T に比して充分大に、すな
わち最終的に上層薄膜磁気コア４のパターンの全域を含
む広面積をもって形成する。そして、このように所要の
広面積のパターンに形成された下層薄膜磁気コア３上を
覆って全面的にＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の非磁性絶縁層
６をスパッタその他の周知の方法によって被着形成し、
その表面を平坦化する。そして、この平坦面上に前述し
たＭＲ感磁部５、電極１５ａ及び１５ｂ等を被着形成
し、さらにこれの上に絶縁層６を介してバイアス導体７
とヘッド巻線８等を被着形成し、さらにこれの上に絶縁
層６を介して上層薄膜磁気コア４を例えば絶縁層６に穿
設した窓を通じてその後方部において下層薄膜磁気コア
３と直接的にあるいは非磁性層を介して磁気的に結合す
るように形成する。

【００１４】そして、図１３及び図１５に鎖線ａをもっ
て示す位置までその前方側から研磨して図１０及び図１
２で示したＡＢＳ面２を形成する。

【００１５】この場合、上層薄膜磁気コア４の形成は、
同様に所定方向に外部磁界を印加した状態でＦｅＮｉ等
の磁性合金を例えば全面メッキし、所要のパターンにエ
ッチングすることによって形成するものであるが、この
上層薄膜磁気コア４の形成は、その磁気ギャップｇの形
成部において図１３に示されるように所要のトラック幅
Ｗ_T に対応する幅をもって幅狭のくびれ部４ａが形成さ
れたパターンに形成する。

【００１６】ところが、このようにして得たＭＲ型薄膜
磁気ヘッドにおいてそのトラック幅Ｗ_T を１０μｍ以下
とする場合、バルクハウゼンノイズが大となってくると
いう問題が生じている。

【００１７】また、このような構成によるＭＲ型薄膜磁
気ヘッドはその特性にばらつきが生じ易いという問題点
が生じている。

【００１８】本発明者等は種々の実験考察を行った結
果、上述したように下層薄膜磁気コア３を広面積に磁気
コアパターンとするとき、これの上に形成するＭＲ感磁
部５および上層薄膜磁気コア４の磁区構造が乱れること
に因ることを究明した。

【００１９】すなわち、上述の構成によるＭＲ型薄膜ヘ
ッドにおけるＭＲ感磁部５は、その磁化容易軸がトラッ
ク幅方向に向けられることが感度向上から必要となる。

【００２０】このようにＭＲ感磁部５ａ磁化容易軸をト
ラック幅方向に向けるために、ＭＲ感磁部５、すなわち
ＭＲ薄膜の蒸着、或いはスパッタ等の成膜時には、その
トラック幅方向に外部磁界を印加するという方法が採ら
れる。

【００２１】ところがこの外部磁界は、基体１の幅が数
インチにも及ぶことから、ＭＲ感磁部５の形成部での上
述の外部磁界は、それほど強力にならないことから、上
述したように、その下層に幅広の下層薄膜磁気コア３が
存在すると、この磁気コア３が通常数μｍという比較的
厚い磁性層であることから、この下層薄膜磁気コア３へ
の磁界の吸収によるＭＲ薄膜形成部への磁界の乱れの影
響が生じて来て、これによってＭＲ薄膜の磁区構造は、
図１６に示すように、そのトラック幅方向に対して傾い
た不安定で乱れた形状となる。

【００２２】更に、上述したように、下層薄膜磁気コア
３が幅広であると、これの上に同様に上層薄膜磁気コア
４を形成する場合においても、外部磁界を印加した状態
で磁性材のメッキを行っても前述したと同様に下層薄膜
磁気コア３の影響を大きく受けて図１７にその磁区構造
を示すように、特に磁気ギャップｇを形成するくびれ部
４ａにおける磁区がそのトラック幅方向に沿わず、ギャ
ップの深さ方向の磁化状態が支配的に生じることによっ
てバルクハウゼンノイズが大となることを究明した。

【００２３】さらに、また上層の薄膜磁気コア４によっ
てそのトラック幅Ｗ_T の規定を行うようにする場合、こ
のパターンは下層に形成したＭＲ薄膜３の形成位置を基
準にして行うことが必要となるものであるが、実際上バ
イアス導体あるいはヘッド巻線が形成されて実質的にＭ
Ｒ薄膜との距離が大となされた状態をもって上層の薄膜
磁気コアをＭＲ感磁部と所定の位置関係をもって正確に
設定することは精度の低下を招来するものであって、こ
れが特性のばらつきを招来するものであることを究明し
た。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したＭ
Ｒ型薄膜磁気ヘッドにおいて、そのトラック幅を例えば
１０μｍ以下に狭小とする場合においても充分にバルク
ハウゼンノイズの低減化をはかることができ、また安定
した特性を有するＭＲ型薄膜磁気ヘッドが得られるよう
にするものである。

【００２５】すなわち、本発明は、上述した、研究考察
の結果による新しい知見に基づいて上述したバルクハウ
ゼンノイズの低減化、さらに特性の均一、安定化をはか
ることができるようにしたＭＲ型薄膜磁気ヘッドを提供
するものであるが、加えて本発明においては、その再生
ヘッドはＭＲ型ヘッドであって、この再生時の上下両コ
ア３及び４は、ＭＲ感磁部５への、磁気記録媒体からの
読み出すべき磁界以外の不要磁界をシールドするための
機能を持たすものであることの特徴を巧みに捉えてなさ
れた発明である。

【００２６】すなわち、例えば特開昭６２−９２２１８
号公報には、ギャップＧを形成する対の磁極の幅を変え
たものの構造が開示されているが、この場合は、磁気記
録媒体上の記録の読み出し、すなわち再生を行うにＭＲ
型ヘッドによるものではなくインダクティブ型のヘッド
構成、すなわちギャップＧを構成する対の磁極自体で磁
気記録媒体からの信号磁界を拾う構成であるので、再生
時の両磁極の端縁間の磁界によるいわゆるフリンジング
が問題となること、これへの対処から対の磁極相互の幅
の差に制約が生ずる。

【００２７】本発明は、これとは全くその目的、発想を
異にしているものであって、またこのフリンジングにつ
いての考慮を必要としないＭＲ型再生ヘッド構成である
が故に、充分に安定性の向上とノイズの低減化をはかり
得るものである。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明は、図１１に本発
明によるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの平面図を示し、図２及
び図３にそれぞれ図１のＢ−Ｂ線上及びＣ−Ｃ線上の各
断面図を示すように、基体１上に下層薄膜磁気コア３と
上層薄膜磁気コア４とが各前方端間において磁気記録媒
体（図示せず）との対接ないしは対向面、例えば浮上型
磁気ヘッドにおいてそのスライダのＡＢＳ面２に望んで
磁気ギャップｇを形成するように積層し、その下層及び
上層薄膜磁気コア３及び４間に磁気ギャップｇ内にわた
ってＭＲ感磁部５を配置する。

【００２９】下層薄膜磁気コア３の磁気ギャップｇを形
成する前方端の幅は、上記磁気ギャップｇのトラック幅
Ｗ_T を規定する幅とし、上層薄膜磁気コア４の磁気ギャ
ップｇを形成する前方端の幅は、下層薄膜磁気コア３の
同様の前方端の幅より充分大に選定する。

【００３０】

【作用】上述の本発明構成によれば、下層の薄膜磁気コ
ア３によってトラック幅の規定を行う、すなわちトラッ
ク幅Ｗ_T に対応する狭小な幅にその磁気ギャップ形成部
の幅を選定した構成とするものであり、この下層薄膜磁
気コア３の形成に当たって、更にＭＲ感磁部５、すなわ
ちＭＲ薄膜の形成に当たっては、所定の外部磁界を与え
て例えばメッキ、蒸着、スパッタ等を行うことにより、
下層に幅広の磁気コアが存在していないことから良好な
磁区構造を形成することができる。

【００３１】図４及び図５はそのＭＲ感磁部５及び磁区
構造を模式的に示したもので、これによれば下層薄膜磁
気コア３の磁気ギャップｇを形成するくびれ部３Ｃの狭
小幅の部分においても良好にすなわちトラック幅方向に
磁区を形成することができ、また、ＭＲ感磁部５におい
てもその磁区をトラック幅方向に揃えることができてそ
の磁化容易軸をトラック幅に設定できることからバルク
ハウゼンノイズの低減化、感度の向上と安定化がはから
れる。

【００３２】そして、この場合、本発明構成ではＭＲ型
再生ヘッド構成であるが故に、フリンジングのおそれが
全くないので上層薄膜磁気コア４は、その前方端の幅を
下層薄膜磁気コア３の前方端の幅との差に制約されるこ
となく充分大とすることができる。また、本発明によれ
ば、この下層薄膜磁気コア３上にＭＲ感磁部５、すなわ
ちＭＲ型薄膜を形成するものであって、このＭＲ感磁部
５は、下層薄膜磁気コア３上に対しては接近して形成さ
れることから両者の位置関係を正確に設定することがで
き、これによって特性にばらつきのない再現性に優れた
ＭＲ型薄膜磁気ヘッドを構成することができる。

【００３３】

【実施例】図１〜図３及び図６〜図８を参照して本発明
をＭＲ型再生薄膜磁気ヘッドと誘電型記録薄膜磁気ヘッ
ドとの複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合の一実施例
を詳細に説明する。

【００３４】図６は本発明装置の製造過程の一工程にお
ける略線的拡大平面図を示し、図７及び図８は図６のＢ
−Ｂ線上及びＣ−Ｃ線上の断面図を示す。この場合、基
体１、例えば浮上型磁気ヘッドに適用する場合において
は、その浮上スライダ自体あるいはこれに被着される基
板等よりなる基体１上に、所要のパターンにＦｅＮｉ等
の磁性体よりなる下層薄膜磁気コア３を周知のいわゆる
フレームメッキによって所要の例えばトラック幅方向に
外部磁界を印加した状態でメッキを行って、その後その
フレームを形成するフォトレジスト等のパターンを除去
し、さらにその周囲の不要メッキ層をエッチング除去す
る。

【００３５】この下層薄膜磁気コア３は、図６に示すよ
うに、所要のトラック幅Ｗ_T 例えばＷ_T≦１０μｍの、
Ｗ_T ＝４〜６μｍを有するくびれ部３Ｃとこれより前方
側において幅広の幅広前方部３Ａと、更にこれより充分
幅広の幅広後方部３Ｂとを有するパターンに形成し得
る。

【００３６】そして、このように形成した下層薄膜磁気
コア３上を全面的に覆ってＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の絶
縁層６をスパッタ層によって被着し、その表面を平面研
磨して平坦面化する。

【００３７】そして、この平坦化された絶縁層６上にＮ
ｉＦｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＦｅＣｏ等のＭＲ薄膜よりなる
ＭＲ型感磁部５を前述の下層薄膜磁気コア３の前方端の
幅より小さい例えば３〜５μｍの幅に形成する。このＭ
Ｒ型感磁部５は例えば図９にその略線的断面図を示すよ
うに、ＳｉＯ₂ 等よりなる非絶縁性薄膜２６を介して交
換結合がほとんど生じることなく、静磁的結合する複数
の例えば２層のＭＲ薄膜２５Ａ及び２５Ｂの積層構造と
して両ＭＲ薄膜２５Ａ及び２５Ｂの磁気的結合によって
磁壁の発生を回避してバルクハウゼンノイズの縮小化を
はかった構成とすることができる。

【００３８】そして、このＭＲ感磁部５の両端にそれぞ
れ電極１５ａ及び１５ｂをオーミックに両ＭＲ薄膜２５
Ａ及び２５Ｂの両端に電気的に結合するように被着し、
両電極１５ａ及び１５ｂ間に所定のセンス電流を流して
ＭＲ感磁部５の両ＭＲ薄膜２５Ａ及び２５Ｂに同一方向
のセンス電流ｉ_S ／２が通電されるようになす。

【００３９】さらに、このＭＲ感磁部５を覆ってＳｉＯ
₂ 等の絶縁層６を形成しＭＲ感磁部５のセンス電流ｉ_S
の通電方向と交わる方向例えばトラック幅方向に薄膜導
電層よりなるバイアス導体７を形成すると共に所要の例
えば渦巻状パターンを有するヘッド巻線８を同時に形成
し得る。すなわち、Ｃｕ等の導電層をメッキ、スパッタ
等によって形成し、これをフォトリソグラフィによるエ
ッチング等によって所要のパターンに形成してバイアス
導体７とヘッド巻線８を形成する。

【００４０】そして、下層薄膜磁気コア３の後方部上の
絶縁層６に窓開けを行って、この窓を通じて上層の薄膜
磁気コア４を、磁気的に直接的にあるいは所要の厚さの
非磁性層を介して磁気的に結合する様に所要のパターン
に形成する。

【００４１】この上層薄膜磁気コア４の形成は、ＦｅＮ
ｉ等の磁性層をフレームメッキ等によって或いは全面的
に所要の外部磁界印加のもとでメッキして、その後フォ
トリソグラフィを適用したエッチングによって所要のパ
ターンに形成する。この場合、この上層の薄膜磁気コア
４は、その幅狭の前方端においても、その幅を下層の薄
膜磁気コア３の前方端の幅より少くとも２μｍ以上の充
分大なる幅に選定されて、この下層の薄膜磁気コア３が
上層の薄膜磁気コア４と確実に対向できて両者間に下層
の薄膜磁気コア３の前方幅によって規制される所要のト
ラック幅Ｗ_T の磁気ギャップｇを構成でき、安定な磁気
特性が得られるようにする。

【００４２】３５ａ及び３５ｂは各電極１５ａ及び１５
ｂより延長して形成した端子導出部、３７ａ及び３７ｂ
はバイアス導体７の両端から導出した端子導出部、３８
ａ及び３８ｂはヘッド巻線８の両端から延在したあるい
は両端に連結した端子導出部をそれぞれ示すもので、こ
れら端子はそれぞれ電極１５ａ及び１５ｂ、バイアス導
体７、ヘッド巻線８の同一工程でこれより延在してある
いは他の工程によって形成した導電パターンによって形
成し得る。

【００４３】そして、このように構成した下層及び上層
薄膜磁気コア３及び４を含んで基体１を、その前方端か
ら図６中鎖線ａで示す位置まですなわち下層薄膜磁気コ
ア３のくびれ部３Ｃに至る位置まで研磨してＡＢＳ面２
を形成すると共に、このＡＢＳ面２に臨んで所要のトラ
ック幅Ｗ_T を有する磁気ギャップｇが形成された図１〜
図３で示す複合型薄膜磁気ヘッドを得る。

【００４４】上述した例においては、ＭＲ型薄膜磁気ヘ
ッドと誘導型磁気ヘッドとの複合型磁気ヘッドを得る場
合に本発明を適用した場合であるが、ＭＲ型薄膜ヘッド
を誘導型磁気ヘッドを単独に構成するようにしたＭＲ型
薄膜磁気ヘッド等に本発明を適用することができる。

【００４５】

【発明の効果】上述したように本発明によれば、下層の
薄膜磁気コア３によってトラック幅Ｗ _T の規定を行う狭
小の前方端を有するパターンとしたことによってＭＲ感
磁部５及び上層の薄膜磁気コア４の形成に当たってその
下層に広面積の薄膜磁気コアが存在することがないの
で、外部磁界の印加のもとでＭＲ感磁部５及び上層薄膜
磁気コア４を形成することによってトラック幅方向に磁
化容易軸が設けられた感磁部及び良好な磁区構造を有す
る薄膜磁気コア４を形成することができ、したがって感
度の向上特性の安定化、バルクハウゼンノイズの低減化
をはかることができる。

【００４６】また、上述したように本発明構成ではＭＲ
型再生ヘッド構成であるが故に、フリンジングのおそれ
が全くないので上層薄膜磁気コア４は、その前方幅の幅
を下層薄膜磁気コア３の前方端の幅との差に制約される
ことなく充分大とすることができる。

【００４７】また、ＭＲ感磁部５のＭＲ型薄膜は近接し
て配置される下層の薄膜磁気コア３に対して、この下層
薄膜磁気コア３によって規定される磁気ギャップｇとの
位置合せを行うので、両者の関係、したがってＭＲ型磁
気ヘッドと誘導型磁気ヘッドの複合型磁気ヘッドにおい
ては両者の位置関係を高精度をもって設定することがで
きる。

【００４８】また、この磁気ギャップｇの規定を平坦な
状態での基体１上に形成する下層薄膜磁気コア３によっ
て形成するので薄膜磁気コア３のパターンは高精度に形
成し得ることから特性が均一で安定したＭＲ型磁気ヘッ
ドを得ることができるなど実用上大きな利益をもたらす
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるＭＲ型磁気ヘッドの一例の平面図
である。

【図２】図１のＢ−Ｂ線上の断面図である。

【図３】図１のＣ−Ｃ線上の断面図である。

【図４】ＭＲ感磁部の磁区構造を示す図である。

【図５】上層薄膜磁気コアの磁区構造を示す図である。

【図６】本発明によるＭＲ型薄膜磁気ヘッドの一例の一
製造工程における略線的平面図である。

【図７】図６のＢ−Ｂ線上の断面図である。

【図８】図６のＣ−Ｃ線上の略線的断面図である。

【図９】ＭＲ感磁部の一例の略線的断面図である。

【図１０】従来のＭＲ型薄膜磁気ヘッドの略線的平面図
である。

【図１１】図１０のＢ−Ｂ線上の断面図である。

【図１２】図１０のＣ−Ｃ線上の断面図である。

【図１３】従来のＭＲ型薄膜磁気ヘッドの一製造工程に
おける平面図である。

【図１４】図１３のＢ−Ｂ線上の断面図である。

【図１５】図１３のＣ−Ｃ線上の断面図である。

【図１６】従来ヘッドのＭＲ感磁部の磁区構造を示す図
である。

【図１７】従来ヘッドの薄膜磁気コアの磁区構造を示す
図である。

【符号の説明】

１ 基体 ２ ＡＢＳ面 ３ 下層薄膜磁気コア ４ 上層薄膜磁気コア ５ ＭＲ感磁部 ６ 絶縁層 ｇ 磁気ギャップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 常脇 謙一郎 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体上に、下層薄膜磁気コアと上層薄膜
   磁気コアとが各前方端間において磁気記録媒体との対接
   ないしは対向面に臨む磁気ギャップを形成するように積
   層され、 上記下層及び上層薄膜磁気コア間に上記磁気ギャップ内
   に渡って磁気抵抗感磁部が配置され、 上記下層薄膜磁気コアの上記磁気ギャップを形成する前
   方端の幅は上記磁気ギャップのトラック幅を規定する幅
   に選定され、 上記上層薄膜磁気コアの前方端の幅は、上記下層薄膜磁
   気コアの前方端の幅より大に選定したことを特徴とする
   磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。