JP2651015B2 - 強磁性薄膜を有する磁場センサ - Google Patents

強磁性薄膜を有する磁場センサ

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、強磁性薄膜および磁気記憶データを読み
取るために付属している電流接触子とを有する磁場セン
サに関する。
〔従来の技術〕
電流Ｉが流れ、使用時に磁気抵抗効果を利用する磁性
薄膜の磁場センサは周知である。この磁場センサの応用
分野は、第一に（例えば、コンパクトディスク、フロッ
ピーディスク、磁気テープ）の磁気記憶されたデータの
読取にあるが、磁場を高い空間分解能で検出する全ての
応用にもある。
データ記憶部から出る磁場の影響により磁場センサの
磁化方向や磁区構造が変化する。これは、所謂非等方性
の磁気抵抗効果のため、電磁抵抗の変化、従って電圧降
下Ｕを与えることになる。こうして得られた電気信号
は、周知の手段で更に処理される。個々の（大抵パーマ
ロイ製の）の薄膜では、測定信号に基づく磁気抵抗の変
化は、最大で約３％になる。実際には、測定信号の良さ
は主にS/N比に依存する。それにもかかわらず、測定信
号を大きくすることも望ましい。
〔発明の課題〕
それ故、この発明の課題は、磁気抵抗の変化、従って
測定信号が従来より周知の磁場センサよりも大きい磁場
センサを提供することにある。
〔課題を解決する手段〕
上記の課題は、この発明により、強磁性薄膜および磁
気記憶されたデータを読み取るために付属している電流
接触子と電圧接触子を有する磁場センサにあって、中間
層Ｃで分離されている少なくとも二つの強磁性薄膜A,B
を使用し、これ等の強磁性薄膜が、外部磁場Hb1,Hb2の
作用なしの下で、またはこの作用の下で、両方の強磁性
薄膜の磁化方向を一定の方向に関して逆平行にする材料
で構成され、中間層Ｃが電子の平均自由行程より小さい
膜厚を有し、両方の強磁性薄膜との境界面でスピン向き
に依存する電子散乱を発生させる材料で構成されている
ことによって解決されている。
〔作用・効果〕
この発明による多層膜を用いれば、測定信号の強度の
増加は少なくとも３培になる。
この発明の発想は、測定信号を発生する磁気抵抗の変
化が伝導電子の磁気散乱に聞いしていることを利用して
いる。これは磁性薄膜を流れる電子の磁気モーメントが
揃うことに基づいている。ここで考慮するような磁性薄
膜構造では、電子の散乱、つまり電気抵抗が逆平行の磁
化方向により増大する。この効果は磁化方向に平行およ
び逆平行なスピンの向きの電子の散乱率に帰している。
スピンの向きに依存する上記の電子散乱は非磁性不純物
を含むバルク磁性材料にあたることはJ.W.F.Dorleign,P
hilips Reps.Repts.31,287,1976,またはI.A.Campbell a
nd A.Fest in“Ferromagnetic materials",Vol.3ed.by
E.P.Wohlaerth,North−Holland Publ.Comp.,1982により
周知である。これ等の文献では、不純物での電子の散乱
は、両方のスピンの向きで異なる。散乱率の比の数値は
上記文に記載されている。この発明により層状にした構
造では、比磁性中間層がバルク材料中の不純物と同じ役
割を演じている。散乱は今度は境界面で生じている。こ
の効果の類似性のため、合金から知られているデータを
層構造に対する材料の適当な組み合わせの選択に利用で
きる。
その外、層状にした構造では隣接する両方の磁性薄膜
の磁化方向の間の角度を可変できる可能性がある。両方
のスピン方向に対して境界面で著しく異なる散乱率を発
生させる材料を中間層に選んだと仮定しよう。両方の強
磁性薄膜がっ平行に向いていれば、或るスピンの向きの
電子のみが散乱する。磁化方向が逆方向であれば、両方
のスピンの向きの電子が強く散乱され、電気抵抗が増加
する。従って、センサで利用する両方の強磁性薄膜の磁
化方向の角度φに依存する抵抗効果が生じる。この場
合、信号磁場Hsが角度φと電気抵抗を変化させる。
隣接する二つの強磁性薄膜の変化方向が互いに回転し
ている薄膜構造は、既に周知の他の理由から磁場センサ
として特に注目されている。一部逆弊行に向けると、セ
ンサの縁部分の散乱磁場が減少するので、縁部ぶの磁区
をなくすることができる。これは検出器雑音を低減し、
S/N比に好ましい効果を与える。それ故、磁化方向を望
む向きにする処置は、周知であり従来技術に属する。こ
れ等の場合、中間層を通常充分厚く選ぶので、両方の磁
性薄膜の磁気結合しない。上記の場合、この発明は新し
い磁気抵抗の効果により信号の増大に導く使用材料に関
する。一般の場合に応用される規則は、中間層で電子の
散乱がスピンの向きに強く依存する材料の組み合わせを
使用することにある。散乱率の値は前記文献に記載され
ている。
この発明によれば、互いに回転している磁化の向きを
どのように実現するかの新しい可能性が提示される。こ
の可能性は反強磁性中間層の磁気結合の効果を利用しい
る。そして、同時にこの効果とスピンの向きに依存する
電子散乱により抵抗効果を示す材料を提示している。
磁化方向を逆平行（φ＝180）にし、しかもこれ等の
磁化が信号磁場Hsに垂直となるように調節すれば、セン
サを使用している間、信号磁場Hsに適当なバイアスHb2
を重ねる方法で最適角度φを達成できる。φ＝０の信号
Hsによる抵抗変化が充分大きければ、バイアス磁場Hb2
は不要である。しかし、センサを使用する前に逆平行の
向きにするため、他のバイアス磁場Hb1を使用する必要
があるかもしれない。ここでは、上記バイアス磁場はセ
ンサ面に平行で、Hsの方向に垂直に作用すると仮定す
る。
磁場センサの第一の実施例では、異なる保磁力HCを有
する材料の二つの強磁性薄膜を使用する。その場合、両
方の強磁性薄膜は比磁性の中間層で磁気分離されてい
る。この場合、両方の薄膜の磁化の逆方向の向きは、例
えば永久磁石で生じる外部の磁場の一定値に対して薄膜
の束の磁化曲線が通過すると得られる。大きな保磁力Hc
を有する材料として、強磁性薄膜に対してFe,Co,Niの硬
磁性合金が、小さいHcを有する材料として、他の強磁性
薄膜に対して軟磁性遷移金属合金、例えばパーマロイを
用いると効果的である。中間層の非磁性金属としては、
例えばV,Ru,CrまたはAuを選ぶことができる。中間層の
膜厚は伝導電子の平均自由行程以下にすべきである。最
後に述べた磁場センサの実施例では、１〜10nmの膜厚の
中間層が有利である。何故なら、これにより両方の磁性
薄膜を磁気分離するからである。
この発明の磁場センサの他の実施例では、中間槽で分
離された二つの強磁性薄膜が使用され、一方の強磁性薄
膜に反強磁性の他の薄膜が接している。磁場センサのこ
の実施例では、強磁性体と反強磁性体の間の境界面に生
じ、反強磁性薄膜に接する強磁性薄膜のヒステリシス曲
線にずれを与える所謂「交換非等方性」を利用して、外
部磁場Hb1の使用の下で強磁性薄膜の磁化を逆平行にで
きる。
その場合、強磁性薄膜は軟磁性の遷移金属（例えばパ
ーマロイ）で構成されていると好ましい。例えば、Au,C
r,V,Ruから成る中間層の膜厚が１〜10nmであると有利で
ある。
中間層の反強磁性材料はMnFeであると好ましい。
この発明の磁場センサの次の実施例は、特許請求の範
囲の第８項の構成を有する。この場合には、強磁性薄膜
の磁化を逆弊行に向けることを反強磁性結合で行ってい
る。この場合、中間層は主としてCrまたはＹである。こ
の中間層の膜厚は0.3〜2nmの範囲にある。中間層は好ま
しくは単結晶で、通常、製造方法により中間層が成長す
る薄膜も単結晶である。
当然、種々の前記実施例の構成を磁場センサ中で組み
合せてもよい。
〔実施例〕
以下、この発明による磁場センサを図面に模式的に示
しより詳しく説明する。
第１図に示すこの発明の磁場センサは、薄膜の束1,電
流Ｉ用の電流接触子２および測定電圧Ｕ用の電圧接触子
３で構成されている。薄膜の束１は非磁性中間薄膜で分
離された二枚の強磁性薄膜で構成されている。これ等も
強磁性薄膜の二つの磁化方向７は白い矢印と黒い矢印で
示してある。両方の磁化方向は一定角度ほど互いに回転
している。信号を検出する場合、センサはデータ記憶部
４に対して相対移動する。この移動方向は参照符号５で
示してある。その場合、データ担体から出る磁場（湾曲
した矢印６）で両方の磁化方向の間の角度φが変化す
る。これはセンサの電気抵抗を変え、センサで検知され
た電圧により測定信号を発生させる。
第２図はセンサの正面図を示す。M1とM2は両方の強磁
性薄膜の磁化であり、Hsは測定信号で、φの正しい値を
調節するため、この測定方法に更にバイアス磁場Hb2が
重ねている。Hb1はセンサを使用する前にM1とM2の逆平
行の向きを与えるために使用するバイアス磁場である。
第３図に示す薄膜の束では、二つの強磁性薄膜A,Bの
逆平行の磁化方向を異なる二つの方法で発生させてい
る。中間層Ｃが充分厚く、薄膜ＡとＢを中間層Ｃで磁気
分離させているなら、適当なバイアス磁場Hb1で二つの
薄膜ＡとＢが異なる保磁力Hcを有することによりM1とM2
の逆平行の向きを実現できる。適当な中間層材料Ｃで
は、逆平行の整列を反強磁性中間層の磁気結合でも実現
できる。
第４図はこの発明の磁場センサの他の実施例の薄膜を
示す。この場合、薄膜A,Bと中間層Ｃ以外に、反強磁性
材料（例えばMnFe）の他の薄膜Ｄも使用されている。薄
膜ＡとＢの材料は、例えばパーマロイであり、中間層Ｃ
の材料は、例えば膜厚が約5nmのAuまたはRuである。こ
の場合、薄膜Ｂのピステリシスは、交換非等方性効果に
よりバイアス磁場Hb1を介して再び逆平行状態が生じる
ようにずれる。
【図面の簡単な説明】
第１図、磁気記憶体を伴うこの発明の磁場センサの模式
図、 第２図、バイアス磁場Hb1とHb2および信号磁場Hsを有す
るセンサの正面図、 第３図、中間層Ｃで磁気分離されている強磁性薄膜Ａと
Ｂの断面図、 第４図、更に反強磁性薄膜Ｄを有する薄膜の配置の断面
図、 図中参照符号： １……薄膜の束 ２……電流接触子 ３……電圧接触子 ４……データ記憶体 ５……運動方向 A,B……薄膜 Ｃ……中間層 Hs……測定磁場 Ｉ……電流 Ｕ……測定電圧

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】強磁性薄膜および磁気記憶されたデータを
    読み取るために付属している電流接触子と電圧接触子を
    有する磁場センサにおいて、 中間層（Ｃ）で分離されている少なくとも二つの強磁性
    薄膜（A,B）を使用し、これ等の強磁性薄膜が、外部磁
    場（Hb1,Hb2）の作用なしの下で、またはこの作用の下
    で、両方の強磁性薄膜の磁化方向を一定の方向に関して
    逆平行にする材料で構成され、中間層（Ｃ）が電子の平
    均自由行程より小さい膜厚を有し、両方の強磁性薄膜と
    の境界面でスピン向きに依存する電子散乱を発生させる
    材料で構成されていることを特徴とする磁場センサ。
  2. 【請求項２】強磁性薄膜（A,B）として保磁力Hcの異な
    る材料を用いることを特徴とする請求項１に記載の磁場
    センサ。
  3. 【請求項３】前記強磁性薄膜としてFe,Ni,Coおよび適当
    な方法で添加させた前記原子の合金のような遷移金属を
    用いることを特徴とする請求項２に記載の磁場センサ。
  4. 【請求項４】反強磁性材料の付加的な薄膜（Ｄ）を用
    い、この薄膜が両方の強磁性薄膜の一方に接しているこ
    とを特徴とする請求項１に記載の磁場センサ。
  5. 【請求項５】強磁性薄膜（A,B）としてFe,Ni,Coおよび
    これ等の原子の軟磁性合金のような材料を用いることを
    特徴とする請求項４記載の磁場センサ。
  6. 【請求項６】中間層（Ｃ）として膜厚が１〜10nmのAu,C
    r,V,Ruのような材料を用いることを特徴とする請求項２
    〜５の何れか１項に記載の磁場センサ。
  7. 【請求項７】付加的な反強磁性薄膜（Ｄ）としてMnFeを
    用いることを特徴とする請求項４に記載の磁場センサ。
  8. 【請求項８】強磁性薄膜（A,B）としてFe,Ni,Coおよび
    これ等の原子の合金のような材料を用い、中間層（Ｃ）
    は両方の強磁性薄膜の間に反強磁性結合をさせて、両方
    の薄膜が磁気的に逆平行になる材料で構成されているこ
    とを特徴とする請求項１に記載の磁場センサ。
  9. 【請求項９】中間層（Ｃ）としてCrまたはＹを用いるこ
    とを特徴とする請求項８に記載の磁場センサ。
  10. 【請求項１０】中間層（Ｃ）として0.3〜2nmの膜厚を用
    いることを特徴とする請求項８に記載の磁場センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6781800B2 (en) 1999-05-26 2004-08-24 Tdk Corporation Magnetoresistance effect film and device

Families Citing this family (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0664719B2 (ja) * 1989-11-29 1994-08-22 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 磁気抵抗性の読み出しトランスジユーサ・アセンブリ
DE4027226A1 (de) * 1990-02-13 1991-08-14 Forschungszentrum Juelich Gmbh Magnetfeldsensor mit ferromagnetischer, duenner schicht
US5287237A (en) * 1990-03-16 1994-02-15 Hitachi, Ltd. Antiferromagnetic film superior in corrosion resistance, magnetoresistance-effect element and magnetoresistance-effect head including such thin film
US5084794A (en) * 1990-03-29 1992-01-28 Eastman Kodak Company Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification
JP3088478B2 (ja) * 1990-05-21 2000-09-18 財団法人生産開発科学研究所 磁気抵抗効果素子
US5390061A (en) 1990-06-08 1995-02-14 Hitachi, Ltd. Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head
JP3483895B2 (ja) * 1990-11-01 2004-01-06 株式会社東芝 磁気抵抗効果膜
US5998040A (en) * 1990-12-10 1999-12-07 Hitachi, Ltd. Multilayer which shows magnetoresistive effect and magnetoresistive element using the same
US5206590A (en) * 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
MY108176A (en) * 1991-02-08 1996-08-30 Hitachi Global Storage Tech Netherlands B V Magnetoresistive sensor based on oscillations in the magnetoresistance
DE4104951A1 (de) * 1991-02-18 1992-08-20 Siemens Ag Mehrschichtensystem fuer magnetoresistive sensoren und verfahren zu dessen herstellung
US5159513A (en) * 1991-02-08 1992-10-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
DE69219936T3 (de) * 1991-03-29 2008-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetowiderstandseffekt-Element
JPH05183212A (ja) * 1991-07-30 1993-07-23 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子
US5341261A (en) * 1991-08-26 1994-08-23 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having multilayer thin film structure
JP3086731B2 (ja) * 1991-09-30 2000-09-11 株式会社東芝 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JP2501709B2 (ja) * 1992-03-12 1996-05-29 ミサワホーム株式会社 基礎構造
JP2812042B2 (ja) * 1992-03-13 1998-10-15 松下電器産業株式会社 磁気抵抗センサー
US5260652A (en) * 1992-03-25 1993-11-09 Seagate Technology, Inc. Magnetoresistive sensor with electrical contacts having variable resistive regions for enhanced sensor sensitivity
JP3022023B2 (ja) * 1992-04-13 2000-03-15 株式会社日立製作所 磁気記録再生装置
JPH06220609A (ja) * 1992-07-31 1994-08-09 Sony Corp 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びにそれを用いた磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JP3381957B2 (ja) * 1992-08-03 2003-03-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気センサ
US5500633A (en) * 1992-08-03 1996-03-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
JP2725977B2 (ja) * 1992-08-28 1998-03-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 磁気抵抗センサ及びその製造方法、磁気記憶システム
US5549978A (en) * 1992-10-30 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
US5287238A (en) * 1992-11-06 1994-02-15 International Business Machines Corporation Dual spin valve magnetoresistive sensor
US5569544A (en) * 1992-11-16 1996-10-29 Nonvolatile Electronics, Incorporated Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate layers of less than 30 angstroms formed of alloys having immiscible components
EP0678213B1 (en) * 1992-11-16 2003-02-19 NVE Corporation Magnetoresistive structure with alloy layer
US5617071A (en) * 1992-11-16 1997-04-01 Nonvolatile Electronics, Incorporated Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate alloy layer having magnetic concentrator and shielding permeable masses
US5301079A (en) * 1992-11-17 1994-04-05 International Business Machines Corporation Current biased magnetoresistive spin valve sensor
KR100225179B1 (ko) * 1992-11-30 1999-10-15 니시무로 타이죠 박막 자기 헤드 및 자기 저항 효과형 헤드
FR2698965B1 (fr) * 1992-12-03 1995-01-06 Commissariat Energie Atomique Structure et capteur magnétiques multicouches à forte magnétorésistance et procédé de fabrication de la structure.
US5432373A (en) * 1992-12-15 1995-07-11 Bell Communications Research, Inc. Magnetic spin transistor
DE4243357A1 (de) * 1992-12-21 1994-06-23 Siemens Ag Magnetowiderstands-Sensor mit verkürzten Meßschichten
DE4243358A1 (de) * 1992-12-21 1994-06-23 Siemens Ag Magnetowiderstands-Sensor mit künstlichem Antiferromagneten und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4301704A1 (de) * 1993-01-22 1994-07-28 Siemens Ag Vorrichtung zum Erfassen einer Winkelposition eines Objektes
US5422571A (en) * 1993-02-08 1995-06-06 International Business Machines Corporation Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer
JP2576751B2 (ja) * 1993-02-22 1997-01-29 日本電気株式会社 磁気抵抗効果ヘッド
US5657190A (en) * 1993-03-02 1997-08-12 Tdk Corporation Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer
US5585198A (en) * 1993-10-20 1996-12-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Magnetorsistance effect element
US5736921A (en) * 1994-03-23 1998-04-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Magnetoresistive element
TW265440B (ja) * 1993-04-30 1995-12-11 Ibm
US5440233A (en) * 1993-04-30 1995-08-08 International Business Machines Corporation Atomic layered materials and temperature control for giant magnetoresistive sensor
SG49605A1 (en) * 1993-06-18 1998-06-15 Ibm Magnetoresistive film method of its fabrication and magnetoresistive sensor
US5966272A (en) * 1993-06-21 1999-10-12 Read-Rite Corporation Magnetoresistive read head having an exchange layer
JP2860233B2 (ja) * 1993-09-09 1999-02-24 株式会社日立製作所 巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生装置
FR2710753B1 (fr) * 1993-09-27 1995-10-27 Commissariat Energie Atomique Capteur de courant comprenant un ruban magnétorésistif et son procédé de réalisation.
EP0672303B1 (en) * 1993-10-06 1997-12-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magneto-resistance device, and magnetic head employing such a device
US5465185A (en) * 1993-10-15 1995-11-07 International Business Machines Corporation Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor
US5408377A (en) * 1993-10-15 1995-04-18 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic sensing layer and magnetic recording system using the sensor
EP0651374A3 (en) * 1993-11-01 1995-09-06 Hewlett Packard Co Planar magnetoresistive head.
US5452163A (en) * 1993-12-23 1995-09-19 International Business Machines Corporation Multilayer magnetoresistive sensor
FR2715507B1 (fr) * 1994-01-25 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Magnétorésistance multicouche polarisée.
US5695858A (en) * 1994-03-23 1997-12-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Magnetoresistive element
JP2785678B2 (ja) * 1994-03-24 1998-08-13 日本電気株式会社 スピンバルブ膜およびこれを用いた再生ヘッド
US5583725A (en) * 1994-06-15 1996-12-10 International Business Machines Corporation Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor
US5874886A (en) * 1994-07-06 1999-02-23 Tdk Corporation Magnetoresistance effect element and magnetoresistance device
US5528440A (en) * 1994-07-26 1996-06-18 International Business Machines Corporation Spin valve magnetoresistive element with longitudinal exchange biasing of end regions abutting the free layer, and magnetic recording system using the element
JPH0849062A (ja) * 1994-08-04 1996-02-20 Sanyo Electric Co Ltd 磁気抵抗効果膜
JP2901501B2 (ja) * 1994-08-29 1999-06-07 ティーディーケイ株式会社 磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気抵抗効果素子
US5898546A (en) * 1994-09-08 1999-04-27 Fujitsu Limited Magnetoresistive head and magnetic recording apparatus
JPH08130337A (ja) * 1994-09-09 1996-05-21 Sanyo Electric Co Ltd 磁気抵抗素子及びその製造方法
JP2933841B2 (ja) * 1994-12-22 1999-08-16 沖電気工業株式会社 情報記録媒体、情報記録・再生方法および情報記録・再生装置
FR2729790A1 (fr) * 1995-01-24 1996-07-26 Commissariat Energie Atomique Magnetoresistance geante, procede de fabrication et application a un capteur magnetique
DE19520172A1 (de) * 1995-06-01 1996-12-05 Siemens Ag Magnetisierungseinrichtung für ein magnetoresistives Dünnschicht-Sensorelement mit einem Biasschichtteil
DE19520178A1 (de) * 1995-06-01 1996-12-05 Siemens Ag Magnetisierungsvorrichtung für magnetoresistive Dünnschicht-Sensorelemente in einer Brückenschaltung
DE19520206C2 (de) * 1995-06-01 1997-03-27 Siemens Ag Magnetfeldsensor mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Brückenelementen
JP2778626B2 (ja) * 1995-06-02 1998-07-23 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子
JPH0983039A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Nec Corp 磁気抵抗効果素子
EP0794581A4 (en) * 1995-09-21 1999-10-06 Tdk Corp MAGNETIC CONVERTER
US5835003A (en) * 1995-09-29 1998-11-10 Hewlett-Packard Company Colossal magnetoresistance sensor
JP3397026B2 (ja) * 1995-12-06 2003-04-14 トヨタ自動車株式会社 磁気式回転検出装置
US6087027A (en) * 1995-12-21 2000-07-11 Hitachi, Ltd. Magnetic layered material, and magnetic sensor and magnetic storage/read system based thereon
US5843589A (en) * 1995-12-21 1998-12-01 Hitachi, Ltd. Magnetic layered material, and magnetic sensor and magnetic storage/read system based thereon
JPH09205234A (ja) * 1996-01-26 1997-08-05 Nec Corp 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果センサ
EP0789250A3 (en) 1996-02-12 1997-10-01 Read Rite Corp Giant magnetoresistive thin film transducer with a flow guide structure
US5627704A (en) * 1996-02-12 1997-05-06 Read-Rite Corporation Thin film giant magnetoresistive CPP transducer with flux guide yoke structure
US5764056A (en) * 1996-05-16 1998-06-09 Seagate Technology, Inc. Nickel-manganese as a pinning layer in spin valve/GMR magnetic sensors
JP3137580B2 (ja) * 1996-06-14 2001-02-26 ティーディーケイ株式会社 磁性多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気変換素子
JP2856165B2 (ja) * 1996-08-12 1999-02-10 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
US5705973A (en) * 1996-08-26 1998-01-06 Read-Rite Corporation Bias-free symmetric dual spin valve giant magnetoresistance transducer
US5666248A (en) * 1996-09-13 1997-09-09 International Business Machines Corporation Magnetizations of pinned and free layers of a spin valve sensor set by sense current fields
JP2924819B2 (ja) 1996-10-09 1999-07-26 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜及びその製造方法
JP2924825B2 (ja) * 1996-10-31 1999-07-26 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果センサ
JPH10162320A (ja) * 1996-11-26 1998-06-19 Nec Corp 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその使用方法
JPH10188235A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Nec Corp 磁気抵抗効果膜及びその製造方法
JP2937237B2 (ja) * 1997-01-22 1999-08-23 日本電気株式会社 磁気抵抗効果ヘッドおよびその初期化方法
JP2914339B2 (ja) * 1997-03-18 1999-06-28 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気抵抗効果センサ及び磁気抵抗検出システム
US6184680B1 (en) 1997-03-28 2001-02-06 Tdk Corporation Magnetic field sensor with components formed on a flexible substrate
JP2933056B2 (ja) * 1997-04-30 1999-08-09 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
JP2950284B2 (ja) 1997-05-14 1999-09-20 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子、並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
JP2970590B2 (ja) 1997-05-14 1999-11-02 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
JPH11161921A (ja) 1997-12-01 1999-06-18 Nec Corp 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
FR2773395B1 (fr) 1998-01-05 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Capteur angulaire lineaire a magnetoresistances
FR2774774B1 (fr) 1998-02-11 2000-03-03 Commissariat Energie Atomique Magnetoresistance a effet tunnel et capteur magnetique utilisant une telle magnetoresistance
US6300617B1 (en) * 1998-03-04 2001-10-09 Nonvolatile Electronics, Incorporated Magnetic digital signal coupler having selected/reversal directions of magnetization
EP1754979B1 (en) 1998-03-04 2010-12-22 Nonvolatile Electronics, Incorporated Magnetic digital signal coupler
US6134090A (en) * 1998-03-20 2000-10-17 Seagate Technology Llc Enhanced spin-valve/GMR magnetic sensor with an insulating boundary layer
JPH11296823A (ja) 1998-04-09 1999-10-29 Nec Corp 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果センサ，磁気記録システム
US6356420B1 (en) 1998-05-07 2002-03-12 Seagate Technology Llc Storage system having read head utilizing GMR and AMr effects
US6738236B1 (en) 1998-05-07 2004-05-18 Seagate Technology Llc Spin valve/GMR sensor using synthetic antiferromagnetic layer pinned by Mn-alloy having a high blocking temperature
US6191926B1 (en) 1998-05-07 2001-02-20 Seagate Technology Llc Spin valve magnetoresistive sensor using permanent magnet biased artificial antiferromagnet layer
US6169647B1 (en) 1998-06-11 2001-01-02 Seagate Technology Llc Giant magnetoresistive sensor having weakly pinned ferromagnetic layer
JP3799168B2 (ja) * 1998-08-20 2006-07-19 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気記録再生装置
US6552882B1 (en) 1998-09-01 2003-04-22 Nec Corporation Information reproduction head apparatus and information recording/reproduction system
JP3235572B2 (ja) 1998-09-18 2001-12-04 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用したシステム
US6278594B1 (en) * 1998-10-13 2001-08-21 Storage Technology Corporation Dual element magnetoresistive read head with integral element stabilization
DE19852368A1 (de) 1998-11-13 2000-05-25 Forschungszentrum Juelich Gmbh Markierungseinrichtung
US6664784B1 (en) 1998-11-26 2003-12-16 Nec Corporation Magneto-resistive sensor with ZR base layer and method of fabricating the same
US6542342B1 (en) 1998-11-30 2003-04-01 Nec Corporation Magnetoresistive effect transducer having longitudinal bias layer directly connected to free layer
FR2787197B1 (fr) * 1998-12-11 2001-02-23 Thomson Csf Capteur de champ magnetique a magnetoresistance geante
JP2000215414A (ja) 1999-01-25 2000-08-04 Hitachi Ltd 磁気センサ―
JP2000215415A (ja) 1999-01-26 2000-08-04 Nec Corp 磁気抵抗効果素子
US6469878B1 (en) 1999-02-11 2002-10-22 Seagate Technology Llc Data head and method using a single antiferromagnetic material to pin multiple magnetic layers with differing orientation
DE69932701T2 (de) * 1999-03-19 2007-09-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Pinning-Lage für magnetische Anordnungen
JP2000293823A (ja) 1999-04-08 2000-10-20 Nec Corp 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、磁気抵抗効果ヘッド並びに磁気記録再生装置
JP2001028108A (ja) 1999-05-11 2001-01-30 Nec Corp 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
JP2000331316A (ja) * 1999-05-20 2000-11-30 Tdk Corp 磁気抵抗効果型ヘッド
DE10017374B4 (de) * 1999-05-25 2007-05-10 Siemens Ag Magnetische Koppeleinrichtung und deren Verwendung
KR100378414B1 (ko) 1999-05-31 2003-03-29 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 자기저항효과소자, 그 제조방법, 및 그것을 사용한 자기기억장치
JP3367477B2 (ja) 1999-07-28 2003-01-14 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド及び磁気抵抗検出システム並びに磁気記憶システム
JP2001176027A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Nec Corp 磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置
US20010045826A1 (en) * 2000-03-16 2001-11-29 Schneider Mark R. Distortion immune magnetic field generator for magnetic tracking systems and method of generating magnetic fields
JP2002050011A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Nec Corp 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム
US6714374B1 (en) 2000-08-31 2004-03-30 Nec Corporation Magnetoresistive sensor, magnetoresistive head, and magnetic recording/reproducing apparatus
AU2001255695A1 (en) * 2000-09-19 2002-04-02 Seagate Technology Llc Giant magnetoresistive sensor having self-consistent demagnetization fields
US6714389B1 (en) * 2000-11-01 2004-03-30 Seagate Technology Llc Digital magnetoresistive sensor with bias
DE10128135A1 (de) * 2001-06-09 2002-12-19 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistive Schichtanordnung und Gradiometer mit einer derartigen Schichtanordnung
US6667682B2 (en) 2001-12-26 2003-12-23 Honeywell International Inc. System and method for using magneto-resistive sensors as dual purpose sensors
DE10222467A1 (de) * 2002-05-22 2003-12-11 A B Elektronik Gmbh GMR-Drehwinkelsensor
DE10222468A1 (de) * 2002-05-22 2003-12-11 A B Elektronik Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Ausgangsspannungen
US6927566B2 (en) 2002-05-22 2005-08-09 Ab Eletronik Gmbh Device for generating output voltages
US7005958B2 (en) 2002-06-14 2006-02-28 Honeywell International Inc. Dual axis magnetic sensor
JP3965358B2 (ja) 2002-12-20 2007-08-29 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気ヘッド
US7016163B2 (en) * 2003-02-20 2006-03-21 Honeywell International Inc. Magnetic field sensor
JP2004271323A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Delta Tooling Co Ltd 漏洩磁場検出装置
US7207098B2 (en) * 2003-06-27 2007-04-24 Seagate Technology Llc Hard mask method of forming a reader of a magnetic head
US7190560B2 (en) 2004-02-18 2007-03-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Self-pinned CPP sensor using Fe/Cr/Fe structure
US7221545B2 (en) * 2004-02-18 2007-05-22 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. High HC reference layer structure for self-pinned GMR heads
FR2866750B1 (fr) * 2004-02-23 2006-04-21 Centre Nat Rech Scient Memoire magnetique a jonction tunnel magnetique et procede pour son ecriture
WO2005088655A1 (en) * 2004-03-12 2005-09-22 The Provost Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabeth Near Dublin A magnetoresistive medium
JP4202958B2 (ja) * 2004-03-30 2008-12-24 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子
US7477490B2 (en) * 2004-06-30 2009-01-13 Seagate Technology Llc Single sensor element that is naturally differentiated
JP4573736B2 (ja) * 2005-08-31 2010-11-04 三菱電機株式会社 磁界検出装置
DE602007010852D1 (de) 2006-03-03 2011-01-13 Ricoh Co Ltd Element mit magnetoresistivem Effekt und Herstellungsverfahren dafür
DE102007026503B4 (de) 2007-06-05 2009-08-27 Bourns, Inc., Riverside Verfahren zur Herstellung einer Magnetschicht auf einem Substrat und druckbarer magnetisierbarer Lack
DE102007040183A1 (de) 2007-08-25 2009-03-05 Sensitec Naomi Gmbh Magnetfeldsensor zur Erfassung eines äußeren magnetischen Felds, insbesondere des Erdmagnetfelds, sowie mit solchen Magnetfeldsensoren gebildetes Magnetfeldsensorsystem
FR2924851B1 (fr) * 2007-12-05 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Element magnetique a ecriture assistee thermiquement.
WO2009074411A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Crocus Technology Magnetic memory with a thermally assisted writing procedure
FR2925747B1 (fr) 2007-12-21 2010-04-09 Commissariat Energie Atomique Memoire magnetique a ecriture assistee thermiquement
FR2929041B1 (fr) * 2008-03-18 2012-11-30 Crocus Technology Element magnetique a ecriture assistee thermiquement
US9517511B1 (en) 2008-05-09 2016-12-13 The Boeing Company Internal chamfering device and method
US8388277B2 (en) * 2008-05-09 2013-03-05 The Boeing Company Internal chamfering device and method
EP2124228B1 (en) * 2008-05-20 2014-03-05 Crocus Technology Magnetic random access memory with an elliptical junction
DE102008026241B4 (de) 2008-05-30 2016-12-01 Johannes-Gutenberg-Universität Mainz Inhomogene Verbindungen mit hohem Magnetwiderstand und Verwendung
US8031519B2 (en) * 2008-06-18 2011-10-04 Crocus Technology S.A. Shared line magnetic random access memory cells
GB2465370A (en) * 2008-11-13 2010-05-19 Ingenia Holdings Magnetic data storage comprising a synthetic anti-ferromagnetic stack arranged to maintain solitons
EP2249349B1 (en) 2009-05-08 2012-02-08 Crocus Technology Magnetic memory with a thermally assisted writing procedure and reduced writng field
ATE544153T1 (de) * 2009-05-08 2012-02-15 Crocus Technology Magnetischer speicher mit wärmeunterstütztem schreibverfahren und niedrigem schreibstrom
GB201015497D0 (en) 2010-09-16 2010-10-27 Cambridge Entpr Ltd Magnetic data storage
US9157879B2 (en) 2011-04-15 2015-10-13 Indiana University of Pennsylvania Thermally activated magnetic and resistive aging
CA2832840C (en) 2011-04-15 2020-04-07 Indiana University of Pennsylvania Thermally activated magnetic and resistive aging
RU2447527C1 (ru) * 2011-04-27 2012-04-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН Способ и устройство для создания магнитного поля, локализованного в нанометровой области пространства
DE102012005134B4 (de) 2012-03-05 2015-10-08 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Spin-Ventil und Verwendung einer Vielzahl von Spin-Ventilen
GB2508375A (en) 2012-11-29 2014-06-04 Ibm A position sensor comprising a magnetoresistive element
US9097677B1 (en) 2014-06-19 2015-08-04 University Of South Florida Magnetic gas sensors

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3860965A (en) * 1973-10-04 1975-01-14 Ibm Magnetoresistive read head assembly having matched elements for common mode rejection
US4103315A (en) * 1977-06-24 1978-07-25 International Business Machines Corporation Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films
US4356523A (en) * 1980-06-09 1982-10-26 Ampex Corporation Narrow track magnetoresistive transducer assembly
NL8101962A (nl) * 1981-04-22 1982-11-16 Philips Nv Magnetische sensor.
JPS59112421A (ja) * 1982-12-16 1984-06-28 Nec Corp 磁気ヘツド
US4639806A (en) * 1983-09-09 1987-01-27 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film magnetic head having a magnetized ferromagnetic film on the MR element
JPH07105006B2 (ja) * 1985-11-05 1995-11-13 ソニー株式会社 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
US4755897A (en) * 1987-04-28 1988-07-05 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with improved antiferromagnetic film
US4809109A (en) * 1988-03-25 1989-02-28 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read transducer and method for making the improved transducer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6781800B2 (en) 1999-05-26 2004-08-24 Tdk Corporation Magnetoresistance effect film and device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0346817B1 (de) 1994-10-26
US4949039A (en) 1990-08-14
EP0346817A3 (de) 1992-03-11
DE3820475C1 (ja) 1989-12-21
EP0346817A2 (de) 1989-12-20
JPH0261572A (ja) 1990-03-01
DE58908553D1 (de) 1994-12-01
ATE113386T1 (de) 1994-11-15

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