JP2576751B2 - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記憶媒体に書き込
まれた情報を強磁性磁気抵抗効果層（以下、ＭＲ層と記
す）の強磁性磁気抵抗効果を利用して読み出す強磁性磁
気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と記す）を備える磁気
抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）に関する。
まれた情報を強磁性磁気抵抗効果層（以下、ＭＲ層と記
す）の強磁性磁気抵抗効果を利用して読み出す強磁性磁
気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と記す）を備える磁気
抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知の通り、ＭＲ素子は高い出力が得ら
れ、出力が素子と記憶媒体との相対速度に依存しないた
め、小型高密度の磁気記録装置の再生ヘッドへの応用が
期待されている。しかしながら、このＭＲ素子を磁気記
録装置の再生ヘッドとして実用化するためには、２つの
基本的な要望を満足する必要がある。
れ、出力が素子と記憶媒体との相対速度に依存しないた
め、小型高密度の磁気記録装置の再生ヘッドへの応用が
期待されている。しかしながら、このＭＲ素子を磁気記
録装置の再生ヘッドとして実用化するためには、２つの
基本的な要望を満足する必要がある。
【０００３】その一つは、ＭＲ素子を磁気記憶媒体に書
き込まれた磁気的情報に対して線形応答させることであ
る。このため、ＭＲヘッドはＭＲ層に流すセンス電流Ｉ
とＭＲ層の磁化Ｍの成す角度θを所定の角度、望ましく
は４５度に設定するように、センス電流と直交する方向
にバイアス磁界を加える必要がある（以下、横方向バイ
アス磁界と呼ぶ）。このようなバイアス磁界印加手段は
種々の方法が提案されている。
き込まれた磁気的情報に対して線形応答させることであ
る。このため、ＭＲヘッドはＭＲ層に流すセンス電流Ｉ
とＭＲ層の磁化Ｍの成す角度θを所定の角度、望ましく
は４５度に設定するように、センス電流と直交する方向
にバイアス磁界を加える必要がある（以下、横方向バイ
アス磁界と呼ぶ）。このようなバイアス磁界印加手段は
種々の方法が提案されている。
【０００４】例えば、特開昭４９一７４５２３号報には
ＭＲ層と導電性で一定の抵抗をもつシャント層が積層さ
れた構造のものが記載されている。この引例では、シャ
ント層に分流される電流により横方向バイアス磁界を印
加する方法である。また、他のバイアス手段として、特
開昭５２一６２４１７号報には、軟磁性バイアス層とＭ
Ｒ層とが非磁性中間層を挟んで積層された構造が開示さ
れている。この引例では、ＭＲ層にセンス電流を供給し
て軟磁性バイアス層を磁化するとともに、この軟磁性バ
イアス層が発生する磁界でＭＲ層に横方向バイアス磁界
を印加する方法である。
ＭＲ層と導電性で一定の抵抗をもつシャント層が積層さ
れた構造のものが記載されている。この引例では、シャ
ント層に分流される電流により横方向バイアス磁界を印
加する方法である。また、他のバイアス手段として、特
開昭５２一６２４１７号報には、軟磁性バイアス層とＭ
Ｒ層とが非磁性中間層を挟んで積層された構造が開示さ
れている。この引例では、ＭＲ層にセンス電流を供給し
て軟磁性バイアス層を磁化するとともに、この軟磁性バ
イアス層が発生する磁界でＭＲ層に横方向バイアス磁界
を印加する方法である。
【０００５】一方、他の一つは、再生信号のノイズの主
因となり、再生信号の再現性を低下させるバルクハウゼ
ンノイズを抑制することである。このバルクハウゼンノ
イズの原因は、ＭＲ層の磁界検知部分端部での反磁界に
よって生ずる磁壁の移動であると考えられている。この
ため、磁界検知部分を単磁区化して磁壁をなくす方法が
数多く提案されている。
因となり、再生信号の再現性を低下させるバルクハウゼ
ンノイズを抑制することである。このバルクハウゼンノ
イズの原因は、ＭＲ層の磁界検知部分端部での反磁界に
よって生ずる磁壁の移動であると考えられている。この
ため、磁界検知部分を単磁区化して磁壁をなくす方法が
数多く提案されている。
【０００６】例えば、特開昭６２一４０６１０号報に
は、ＭＲ層の磁界検知部の両端にＦｅＭｎからなる反強
磁性材料を積層して、反強磁性材料の交換相互作用によ
ってセンス電流方向にバイアス磁界（以下、縦方向バイ
アス磁界と呼ぶ）を加える構造が開示されている。さら
に、この引例では、横方向バイアス磁界の印加手段とし
て軟磁性バイアス層を用いた前述の引例の構造が併用さ
れ、２つの機能を満足しているものであった。
は、ＭＲ層の磁界検知部の両端にＦｅＭｎからなる反強
磁性材料を積層して、反強磁性材料の交換相互作用によ
ってセンス電流方向にバイアス磁界（以下、縦方向バイ
アス磁界と呼ぶ）を加える構造が開示されている。さら
に、この引例では、横方向バイアス磁界の印加手段とし
て軟磁性バイアス層を用いた前述の引例の構造が併用さ
れ、２つの機能を満足しているものであった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た後者のＭＲヘッドでは、横方向バイアス磁界と縦方向
バイアス磁界を印加する機構をそれぞれ独立に設けるた
め、ＭＲ素子部分の構造が多層となり、それらの層を選
択的にエッチング除去したり、工程が複雑になりその分
歩留りが低下する問題があり、設計する際にも縦横バイ
アス層を独立に設計し、総合評価しなければならず設計
が煩雑になるという問題がある。さらに、横方向、縦方
向のそれぞれのバイアス磁界を発生するバイアス層を強
磁性磁気抵抗効果層に積層しなけばならいため、ＭＲ素
子が厚くなり、この厚いＭＲ素子を磁気シールドで挟持
した構造のシールド型ヘッドに適用したとき、ＭＲ素子
の磁界検出部に対向する磁気シールド間のギャップが小
さくできず、信号再生分解能の向上が図れないという問
題もある。
た後者のＭＲヘッドでは、横方向バイアス磁界と縦方向
バイアス磁界を印加する機構をそれぞれ独立に設けるた
め、ＭＲ素子部分の構造が多層となり、それらの層を選
択的にエッチング除去したり、工程が複雑になりその分
歩留りが低下する問題があり、設計する際にも縦横バイ
アス層を独立に設計し、総合評価しなければならず設計
が煩雑になるという問題がある。さらに、横方向、縦方
向のそれぞれのバイアス磁界を発生するバイアス層を強
磁性磁気抵抗効果層に積層しなけばならいため、ＭＲ素
子が厚くなり、この厚いＭＲ素子を磁気シールドで挟持
した構造のシールド型ヘッドに適用したとき、ＭＲ素子
の磁界検出部に対向する磁気シールド間のギャップが小
さくできず、信号再生分解能の向上が図れないという問
題もある。
【０００８】従って、本発明の目的は、バルクハウゼン
ノイズを発生せず高感度であるとともにより簡単な構造
をもつＭＲヘッドを提供することである。
ノイズを発生せず高感度であるとともにより簡単な構造
をもつＭＲヘッドを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、強磁性
磁気抵抗効果層と、この強磁性磁気抵抗効果層上を一方
向に所定の間隔を開けて配置されセンス電流を供給する
電極と、この電極間の前記強磁性磁気抵抗効果層を磁気
記録媒体からの信号磁界の取入れ口とする磁気抵抗効果
ヘッドにおいて、前記取入れ口を一辺として含み前記強
磁性磁気抵抗効果層上の閉鎖領域をもつ磁界検知部と、
前記取入れ口を除く前記磁界検出部の周囲にある前記強
磁性磁気抵抗効果層に直接披着する反強磁性層またはフ
ェリ磁性層である交換バイアス層を設け、この交換バイ
アス層の一軸磁気異方性軸を前記センス電流方向に対し
て傾けるＭＲヘッドである。
磁気抵抗効果層と、この強磁性磁気抵抗効果層上を一方
向に所定の間隔を開けて配置されセンス電流を供給する
電極と、この電極間の前記強磁性磁気抵抗効果層を磁気
記録媒体からの信号磁界の取入れ口とする磁気抵抗効果
ヘッドにおいて、前記取入れ口を一辺として含み前記強
磁性磁気抵抗効果層上の閉鎖領域をもつ磁界検知部と、
前記取入れ口を除く前記磁界検出部の周囲にある前記強
磁性磁気抵抗効果層に直接披着する反強磁性層またはフ
ェリ磁性層である交換バイアス層を設け、この交換バイ
アス層の一軸磁気異方性軸を前記センス電流方向に対し
て傾けるＭＲヘッドである。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明のＭＲヘッド
の一実施例を示す平面図（ａ）、Ａ一Ａ断面図（ｂ）及
びＢ一Ｂ断面図（ｃ）である。ここで、本発明の作用を
図面を参照して説明する。このＭＲヘッドにおいて、図
１に示すＭＲ層２の内で反強磁性層あるいはフェリ磁性
層であるバイアス層３が被着されている部分の磁化方向
は、バイアス層３の交換相互作用によってバイアス層３
の一軸磁気異方性軸方向に固定される。一方、バイアス
層３のない磁界検知部５の磁化は外部磁界によって容易
に回転できるが、外部磁界が０のときバイアス層３のバ
イアス磁界で固定される。
の一実施例を示す平面図（ａ）、Ａ一Ａ断面図（ｂ）及
びＢ一Ｂ断面図（ｃ）である。ここで、本発明の作用を
図面を参照して説明する。このＭＲヘッドにおいて、図
１に示すＭＲ層２の内で反強磁性層あるいはフェリ磁性
層であるバイアス層３が被着されている部分の磁化方向
は、バイアス層３の交換相互作用によってバイアス層３
の一軸磁気異方性軸方向に固定される。一方、バイアス
層３のない磁界検知部５の磁化は外部磁界によって容易
に回転できるが、外部磁界が０のときバイアス層３のバ
イアス磁界で固定される。
【００１２】すなわち、バイアス層３のある部分と同じ
でセンス電流方向（電極間の長手方向）に対して傾いて
いる。このことは、横方向のバイアス磁界が印加された
と同じ状態である。従って、仮に、この傾きを４５度に
すれば、磁界検知部５の取入れ口から取入れられる記憶
媒体からの磁界の変化によって、この傾きは、４５度を
０磁界である中心とし０度から９０度まで回転し、取入
れる信号磁界に対してのＭＲ素子の感度を線形応答範囲
に設定することが出来る。
でセンス電流方向（電極間の長手方向）に対して傾いて
いる。このことは、横方向のバイアス磁界が印加された
と同じ状態である。従って、仮に、この傾きを４５度に
すれば、磁界検知部５の取入れ口から取入れられる記憶
媒体からの磁界の変化によって、この傾きは、４５度を
０磁界である中心とし０度から９０度まで回転し、取入
れる信号磁界に対してのＭＲ素子の感度を線形応答範囲
に設定することが出来る。
【００１３】さらに、図１に示すように、バイアス層３
と接しているＭＲ層２の磁化方向は、バイアス層３の交
換相互作用によって一方向に揃っている。一方、磁界検
知部５のＭＲ層２はバイアス層３とは接していないもの
の、磁界検知窓以外のＭＲ層２の磁化方向がバイアス層
３により一方向に揃っているため、磁界検知部５の磁化
の方向も静磁エネルギーが最も小さくなるように磁界検
知窓以外のＭＲ層２の磁化と同一方向となり、その結
果、磁界検知部５はバルクハウゼンノイズを誘発する要
因となる移動する磁壁のない単磁区構造となる。
と接しているＭＲ層２の磁化方向は、バイアス層３の交
換相互作用によって一方向に揃っている。一方、磁界検
知部５のＭＲ層２はバイアス層３とは接していないもの
の、磁界検知窓以外のＭＲ層２の磁化方向がバイアス層
３により一方向に揃っているため、磁界検知部５の磁化
の方向も静磁エネルギーが最も小さくなるように磁界検
知窓以外のＭＲ層２の磁化と同一方向となり、その結
果、磁界検知部５はバルクハウゼンノイズを誘発する要
因となる移動する磁壁のない単磁区構造となる。
【００１４】このように本発明のＭＲヘッドにおいて
は、記憶媒体からの磁界を取入れる取入れ口を一辺とす
るＭＲ層上の閉鎖領域の周囲を単一のバイアス層で囲む
だけで、横方向バイアスと縦方向バイアスの両方の効果
を同時に取込むことが出来る。
は、記憶媒体からの磁界を取入れる取入れ口を一辺とす
るＭＲ層上の閉鎖領域の周囲を単一のバイアス層で囲む
だけで、横方向バイアスと縦方向バイアスの両方の効果
を同時に取込むことが出来る。
【００１５】図２（ａ）〜（ｃ）は図１のＭＲヘッドの
工程順に示す斜視図である。次に、本発明のＭＲヘッド
について理解し易いように製造手順に従って説明する。
まず、非磁性基板を準備する。この非磁性基板として
は、ガラス、Ｓｉ、酸化アルミナ、チタンカーバイト、
シリコンカーバイト、酸化アルミナとチタンカーバイト
との燒結体あるはフェライト等を用いる。
工程順に示す斜視図である。次に、本発明のＭＲヘッド
について理解し易いように製造手順に従って説明する。
まず、非磁性基板を準備する。この非磁性基板として
は、ガラス、Ｓｉ、酸化アルミナ、チタンカーバイト、
シリコンカーバイト、酸化アルミナとチタンカーバイト
との燒結体あるはフェライト等を用いる。
【００１６】次に、図２（ａ）に示すように、この非磁
性基板１にスパッタリング装置を用いて厚さ４０ｎｍの
パーマロイ（Ｎｉ８２％一Ｆｅ１８％の重量比）層を形
成しＭＲ層２とする。このとき、基板面内に一方向の直
流磁界を印加し、ＭＲ層２に一軸磁気異方性を誘記し
た。この後、チャンバの真空を維持した状態で直流磁界
方向を４５度傾けた後、厚さ２０ｎｍのＦｅＭｎ（Ｆｅ
５０％一Ｍｎ５０％、重量比）層である反強磁性層のバ
イアス層３を連続成膜した。次に、この積層された面に
所定のレジストパターンを形成し、Ａｒガス雰囲気中で
イオンエッチングを行ない、長さ１００μｍ、幅１０μ
ｍの矩形状のパターンを形成した。この時、矩形パター
ンの長尺方向とＭＲ層の磁化容易軸と一致させた。
性基板１にスパッタリング装置を用いて厚さ４０ｎｍの
パーマロイ（Ｎｉ８２％一Ｆｅ１８％の重量比）層を形
成しＭＲ層２とする。このとき、基板面内に一方向の直
流磁界を印加し、ＭＲ層２に一軸磁気異方性を誘記し
た。この後、チャンバの真空を維持した状態で直流磁界
方向を４５度傾けた後、厚さ２０ｎｍのＦｅＭｎ（Ｆｅ
５０％一Ｍｎ５０％、重量比）層である反強磁性層のバ
イアス層３を連続成膜した。次に、この積層された面に
所定のレジストパターンを形成し、Ａｒガス雰囲気中で
イオンエッチングを行ない、長さ１００μｍ、幅１０μ
ｍの矩形状のパターンを形成した。この時、矩形パター
ンの長尺方向とＭＲ層の磁化容易軸と一致させた。
【００１７】ここで、ＭＲ層２はＮｉ一Ｆｅ以外に、例
えば、Ｎｉ一Ｃｏ、Ｎｉ一Ｆｅ一Ｃｏ等の強磁性合金あ
るいはこれらに添加物を加えたものでも良い。また、バ
イアス層は、ＦｅーＭｎ一Ｃｏ等の反強磁性合金、また
は、これらに添加物を加えたもの、もしくはＴｂ一Ｆ
ｅ、Ｔｂ一Ｃｏ等のフェリ磁性合金、及びこれらに添加
物を加えたものが望ましい。
えば、Ｎｉ一Ｃｏ、Ｎｉ一Ｆｅ一Ｃｏ等の強磁性合金あ
るいはこれらに添加物を加えたものでも良い。また、バ
イアス層は、ＦｅーＭｎ一Ｃｏ等の反強磁性合金、また
は、これらに添加物を加えたもの、もしくはＴｂ一Ｆ
ｅ、Ｔｂ一Ｃｏ等のフェリ磁性合金、及びこれらに添加
物を加えたものが望ましい。
【００１８】次に、このバイアス層３に所定のレジスト
パターンを形成し、図２（ｂ）に示すように、Ａｒガス
雰囲気中でＦｅ一Ｍｎ層であるバイアス層３をイオンエ
ッチングし、バイアス層３を部分的に取除き、ＭＲ層２
が露呈する窓５ａを形成する。この窓５ａの大きさは、
長さ１０μｍ、幅５μｍである。次に、金等の蒸着とそ
の蒸着膜を選択的にエッチングすることにより、図２
（ｃ）に示すように、窓５ａより露呈する領域すなわち
磁界検知部５にセンス電流を供給する電極４を形成す
る。
パターンを形成し、図２（ｂ）に示すように、Ａｒガス
雰囲気中でＦｅ一Ｍｎ層であるバイアス層３をイオンエ
ッチングし、バイアス層３を部分的に取除き、ＭＲ層２
が露呈する窓５ａを形成する。この窓５ａの大きさは、
長さ１０μｍ、幅５μｍである。次に、金等の蒸着とそ
の蒸着膜を選択的にエッチングすることにより、図２
（ｃ）に示すように、窓５ａより露呈する領域すなわち
磁界検知部５にセンス電流を供給する電極４を形成す
る。
【００１９】この実施例によるＭＲヘッドの性能を把握
する意味で、従来例に即したＭＲヘッドを試作しこれら
の性能と比較してみた。まず、比較するために数種の試
料を準備した。その内、比較例１のＭＲヘッドは、磁界
検知部のパターン加工をしないで矩形状パターン全面に
バイアス層で覆われているもの、比較例２のＭＲヘッド
は、矩形状の積層パターンにおけるバイアス層を幅方向
に横切って取除き、磁界検知部の大きさを幅１０μｍ、
長さ１０μｍにしたものである。比較例３は、バイアス
層が無いものである。
する意味で、従来例に即したＭＲヘッドを試作しこれら
の性能と比較してみた。まず、比較するために数種の試
料を準備した。その内、比較例１のＭＲヘッドは、磁界
検知部のパターン加工をしないで矩形状パターン全面に
バイアス層で覆われているもの、比較例２のＭＲヘッド
は、矩形状の積層パターンにおけるバイアス層を幅方向
に横切って取除き、磁界検知部の大きさを幅１０μｍ、
長さ１０μｍにしたものである。比較例３は、バイアス
層が無いものである。
【００２０】これら準備されたＭＲヘッドにセンス電流
１０ｍＡを流して外部磁界を印加し、電気抵抗と磁界と
の関係を示す曲線（ＲーＨ曲線）を示すデータを収集し
たところ、その結果、表１に示す各ＭＲヘッドの性能が
得られた。
１０ｍＡを流して外部磁界を印加し、電気抵抗と磁界と
の関係を示す曲線（ＲーＨ曲線）を示すデータを収集し
たところ、その結果、表１に示す各ＭＲヘッドの性能が
得られた。
【００２１】
【表１】
【００２２】ここで、表１を参照すると、本実施例のＭ
Ｒヘッドは、ヘッド再生感度の目安となるＲ一Ｈ曲線の
半幅値（小さい程、感度が高いことを示す）が小さく、
また、線形応答性の目安となるバイアスレベル（０．５
が適正値、大きくなる程横方向バイアスが小さくなって
いることを示す）も満足し、さらにバルクハウゼンノイ
ズが殆ど皆無に近かった。
Ｒヘッドは、ヘッド再生感度の目安となるＲ一Ｈ曲線の
半幅値（小さい程、感度が高いことを示す）が小さく、
また、線形応答性の目安となるバイアスレベル（０．５
が適正値、大きくなる程横方向バイアスが小さくなって
いることを示す）も満足し、さらにバルクハウゼンノイ
ズが殆ど皆無に近かった。
【００２３】なお、この図面では、被磁性基板上にＭＲ
層、バイアス層、電極の順に積み上げた構造で示してい
るが、本発明の効果はこれらの層の積層順序には依ら
ず、非磁性基板上に電極、ＭＲ層、バイアス層の順序、
あるいはバイアス層、ＭＲ層、電極の順序で積層した場
合にも同様の効果が得られる。
層、バイアス層、電極の順に積み上げた構造で示してい
るが、本発明の効果はこれらの層の積層順序には依ら
ず、非磁性基板上に電極、ＭＲ層、バイアス層の順序、
あるいはバイアス層、ＭＲ層、電極の順序で積層した場
合にも同様の効果が得られる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、記憶媒体
からの信号磁界を取入れる取入れ口を一辺として含むＭ
Ｒ層上の閉鎖領域を囲むように前記ＭＲ層に被着する反
強磁性層もしくはフェリ磁性層によるバイアス層を設
け、このバイアス層の一軸磁気異方性軸をセンス電流の
方向に対して傾けることによって、高感度でバルクハウ
ゼンノイズの無いより簡単な構造のＭＲヘッドが得られ
るという効果がある。
からの信号磁界を取入れる取入れ口を一辺として含むＭ
Ｒ層上の閉鎖領域を囲むように前記ＭＲ層に被着する反
強磁性層もしくはフェリ磁性層によるバイアス層を設
け、このバイアス層の一軸磁気異方性軸をセンス電流の
方向に対して傾けることによって、高感度でバルクハウ
ゼンノイズの無いより簡単な構造のＭＲヘッドが得られ
るという効果がある。
【図１】本発明のＭＲヘッドの一実施例を示す平面図
（ａ）、Ａ一Ａ断面図（ｂ）及びＢ一Ｂ断面図（ｃ）で
ある。
（ａ）、Ａ一Ａ断面図（ｂ）及びＢ一Ｂ断面図（ｃ）で
ある。
【図２】図１のＭＲヘッドの工程順に示す斜視図であ
る。
る。
１ 非磁性基板 ２ ＭＲ層 ３ バイアス層 ４ 電極 ５ 磁界検知部 ５ａ 窓
Claims (1)
- 【請求項１】 強磁性磁気抵抗効果層と、この強磁性磁
気抵抗効果層上を一方向に所定の間隔を開けて配置され
センス電流を供給する電極と、この電極間の前記強磁性
磁気抵抗効果層を磁気記録媒体からの信号磁界の取入れ
口とする磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記取入れ口を
一辺として含み前記強磁性磁気抵抗効果層上の閉鎖領域
をもつ磁界検知部と、前記取入れ口を除く前記磁界検出
部の周囲にある前記強磁性磁気抵抗効果層に直接被着す
る反強磁性層またはフェリ磁性層である交換バイアス層
を設け、この交換バイアス層の一軸磁気異方性軸を前記
センス電流方向に対して傾けることを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031039A JP2576751B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
| DE1994612304 DE69412304T2 (de) | 1993-02-22 | 1994-02-22 | Magnetoresistiver Sensor und Herstellungsverfahren |
| EP19940102654 EP0613119B1 (en) | 1993-02-22 | 1994-02-22 | Magnetoresistive sensor and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5031039A JP2576751B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243433A JPH06243433A (ja) | 1994-09-02 |
| JP2576751B2 true JP2576751B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=12320352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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