JP2001176027A - 磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置 - Google Patents

磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置

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JP2001176027A
JP2001176027A JP35426199A JP35426199A JP2001176027A JP 2001176027 A JP2001176027 A JP 2001176027A JP 35426199 A JP35426199 A JP 35426199A JP 35426199 A JP35426199 A JP 35426199A JP 2001176027 A JP2001176027 A JP 2001176027A
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Kazuhiko Hayashi
一彦 林
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 漏れ磁界を自由磁性層に有効に導けるように
し、結果的に高い再生出力及び良好な再生波形対称性を
得る。 【解決手段】 ＭＲヘッド１０は、下電極兼磁気シール
ド層１２と、下電極兼磁気シールド層１２上に形成され
た磁気ギャップ調整層１４と、磁気ギャップ調整層１４
上に形成されたＭＲ素子３０と、ＭＲ素子３０上に形成
された上電極兼磁気シールド層２８とを備えている。下
電極兼磁気シールド層１２と自由磁性層１８との間に磁
気ギャップ調整層１４を設けることにより、自由磁性層
１８を下電極兼磁気シールド層１２から十分に離すこと
ができる。これにより、自由磁性層１８に十分な漏洩磁
界を流入できるので、ヘッド再生出力を向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に記
録された情報信号を読み取るための磁気抵抗効果ヘッ
ド、及びこれを用いた磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果ヘッド（以下「ＭＲヘッ
ド」という。）は、磁束の強さ及び磁束の方向の関数と
しての抵抗変化を磁気抵抗効果素子（以下「ＭＲ素子」
という。）によって感知することにより、磁界信号を検
出するものである。このＭＲヘッドは、異方性磁気抵抗
（ＡＭＲ）効果に基づいて動作するものであり、大きな
線形密度で磁性体表面からデータを読み取ることができ
る。ＡＭＲ効果とは、ＭＲ素子の抵抗の１成分が、磁化
方向とＭＲ素子中を流れる感知電流の方向との間の、角
度の余弦の２乗に比例して変化するものである。ＡＭＲ
効果については、Ｄ．Ａ．トムプソン（Thompson）等の
論文“Memory，Storage，and Related Applications”I
EEE Trans．on Mag．MAG-11，p．1039 （1975）に詳し
く説明されている。
【０００３】ＡＭＲ効果を用いたＭＲヘッドでは、バル
クハウゼンノイズを押えるために、縦バイアス磁界を印
加することが多い。この縦バイアス印加材料として、Ｆ
ｅＭｎ、ＮｉＭｎ、ニッケル酸化物などの反強磁性材料
を用いる場合がある。
【０００４】さらに最近には、ＭＲ素子の抵抗変化が、
非磁性層を介する磁性層間での電導電子のスピン依存性
伝送、及びそれに付随する層界面でのスピン依存性散乱
に帰される、より顕著な磁気抵抗効果が発見されてい
る。この磁気抵抗効果は、「巨大磁気抵抗効果」や「ス
ピン・バルブ効果」など様々な名称で呼ばれている。こ
のようなＭＲ素子は、ＡＭＲ効果を利用するＭＲ素子よ
りも、感度が改善されるので、抵抗変化が大きい。この
種のＭＲ素子では、非磁性層で分離された１対の強磁性
体層の間の平面内抵抗が、２つの強磁性体層の磁化方向
間の角度の余弦に比例して変化する。
【０００５】特開平２−６１５７２号公報には、磁性層
内の磁化の反平行整列によって生じる、高いＭＲ変化を
もたらす積層磁性構造が記載されている。積層構造で使
用可能な材料として、強磁性の遷移金属及び合金が上記
公報に挙げられている。また、中間層により分離してい
る少なくとも２層の強磁性層の一方に固定する層を付加
した構造、及び固定する層としてＦｅＭｎが適当である
ことが開示されている。
【０００６】特開平４−３５８３１０号公報には、非磁
性金属体の薄膜層によって仕切られた２層の強磁性薄膜
層を有し、印加磁界が零である場合に２つの強磁性薄膜
層の磁化方向が直交するＭＲ素子が開示されている。こ
れらの２つの強磁性体層間の抵抗は、２つの強磁性体層
の磁化方向間の角度の余弦に比例して変化し、ＭＲ素子
中を通る電流の方向と独立である。
【０００７】特開平１１−１７５９２０号公報には、強
磁性トンネル接合を用いたＭＲ複合ヘッドにおいて、下
磁気シールド及び下電極、上磁気シールド及び上電極を
それぞれ兼用にした構造について開示されている。下磁
気シールド及び下電極、上磁気シールド及び上電極をそ
れぞれ兼用したことにより、上下磁気ギャップを省略す
ることができる分だけ、上磁気シールドと下磁気シール
ドとの間隔を狭くすることができるので、原理的に高記
録ビット密度に対応することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平１１−１７５９２０号公報のＭＲヘッドでは、次の
ような問題があった。
【０００９】スピンバルブや強磁性トンネル接合といっ
た「固定する層／固定磁性層／非磁性層又は絶縁バリア
層／自由磁性層」を基本構成とするＭＲ素子の場合、自
由磁性層が基本構成の端部にあるため、磁気シールドに
直に自由磁性層が接することになる。そのため、検磁部
である自由磁性層に流入する磁気記録媒体からの漏洩磁
界は、磁気シールドに吸収されて小さくなるいう問題点
があった。また、ＭＲ素子を構成する磁性層から発生す
る静磁界やセンス電流磁界も磁気シールドに吸収される
ために、ＭＲ素子のバイアス点が設計からずれやすいと
いう問題点があった。
【００１０】また、自由磁性層に接している下磁気シー
ルド層又は上磁気シールド層を十分に厚くすれば、上記
問題点がある程度解決される場合もある。しかし、この
ような場合は、厚い下磁気シールド層又は厚い上磁気シ
ールド層が「固定する層／固定磁性層／非磁性層又は絶
縁層／自由磁性層」の基本構成部分と一緒にパターン化
されることになる。そのため、上磁気シールド層を厚く
したときには、パターン化の際のミリング深さが増大す
るので、そのコントロールが難しくなる。下磁気シール
ド層を厚くしたときは、下磁気シールド層をミリングす
る際に発生する再付着物が多くなるので、固定磁性層と
自由磁性層とが短絡しやすくなる。上磁気シールド層の
パターン化と上記基本構成部分のパターン化とを別の工
程で行い、上磁気シールドパターンを基本構成部分パタ
ーンより小さくした場合には、上磁気シールド層のみを
パターン化することの難しさから却って素子特性が劣化
する。
【００１１】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、二枚の電極兼
磁気シールド層を有するＭＲヘッドにおいて、電極兼磁
気シールド層の膜厚を増やすことなく再生特性を向上さ
せることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＭＲヘッド
は、自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及びこの固定磁
性層の磁化方向を固定する層を基本構成とするＭＲ素子
が、ＭＲ素子の電極及び磁気シールドとして機能する二
枚の電極兼磁気シールド層間に設けられ、ＭＲ素子を構
成する各層と二枚の電極兼磁気シールド層とが一方向に
積層され、一方の電極兼磁気シールド層と自由磁性層と
が、非磁性導電体からなる磁気ギャップ調整層を介して
接し、他方の電極兼磁気シールド層と固定する層とが直
に又は保護層を介して接したものである。
【００１３】電極兼磁気シールド層と自由磁性層とを接
触させずに、これらの間に磁気ギャップ調整層を設ける
ことにより、漏洩磁界の検磁部である自由磁性層を空間
的に電極兼磁気シールド層から離すことができる。これ
により、自由磁性層に十分な漏洩磁界が流入することに
なるので、再生感度が上昇して再生出力が向上する。ま
た、自由磁性層と固定磁性層との静磁カップリングやセ
ンス電流へのシールド近接効果を取り除くことができる
ので、最適動作点を与えるバイアス構造の設計が容易に
なる。
【００１４】また、自由磁性層と磁気ギャップ調整層と
の間に保護層を介挿してもよい。保護層とは、下地層又
は上部層とも呼ばれ、例えば密着性を改善する等の目的
で用いられるものである。更に、非磁性層として絶縁バ
リア層を用いて、トンネル接合膜としてもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るＭＲヘッド
の第一実施形態を示す、ＡＢＳ（エア・ベアリング・サ
ーフェイス）面に平行な断面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
【００１６】本実施形態のＭＲヘッド１０は、下電極兼
磁気シールド層１２と、下電極兼磁気シールド層１２上
に形成されるとともに非磁性導電体からなる磁気ギャッ
プ調整層１４と、磁気ギャップ調整層１４上に間隔を開
けて形成された一対の縦バイアス層１６１，１６２と、
縦バイアス層１６１，１６２間の磁気ギャップ調整層１
４上に縦バイアス層１６１，１６２に接した状態で形成
された自由磁性層１８と、自由磁性層１８上に形成され
た非磁性層２０と、非磁性層２０上に形成された固定磁
性層２２と、固定磁性層２２上に形成されるとともに固
定磁性層２２の磁化方向を固定する層２４と、固定磁性
層２２及び固定する層２４の周囲を埋め込むように形成
された絶縁層２６と、絶縁層２６上及び固定する層２４
上に形成された上電極兼磁気シールド層２８とを備えて
いる。
【００１７】図示しない基体上に、下電極兼磁気シール
ド層１２が形成される。下電極兼磁気シールド層１２は
適当な形状にパターン化されている。下電極兼磁気シー
ルド層１２上には磁気ギャップ調整層１４が形成され
る。磁気ギャップ調整層１４は適当な形状にパターン化
されている。その上にパターン化された一対の縦バイア
ス層１６１，１６２が形成される。磁気ギャップ調整層
１４と縦バイアス層１６１，１６２との間に縦バイアス
下地層１５を設けることもある。縦バイアス層１６１，
１６２上に少なくとも一部が乗り上げるように、下地層
１７、自由磁性層１８及び非磁性層２０が積層される。
下地層１７はない場合もあり得る。ここでは下地層１７
及び自由磁性層１８が縦バイアス層１６１，１６２に少
し乗り上げて無くなっている場合を示したが、これらが
縦バイアス層１６１，１６２上にどこまで乗り上げるか
は適宜選択できる。
【００１８】非磁性層２０上の左右の縦バイアス層１６
１，１６２の間の部分には、固定磁性層２２／固定する
層２４／上部層２５が積層されるとともに図のようにパ
ターン化される。固定磁性層２２／固定する層２４／上
部層２５が積層されていない部分の非磁性層２０は無く
てもよい。この部分の自由磁性層１８は、固定磁性層２
２／固定する層２４／上部層２５が積層されている部分
の自由磁性層１８よりも、膜厚が薄くなっていてもよ
い。上部層２５は省略することも可能である。パターン
化された固定磁性層２２／固定する層２４／上部層２５
の左右には絶縁層２６が配置される。絶縁層２６の上に
上電極兼磁気シールド層２８が形成され、更にその上に
記録ヘッド部（図示せず）が形成される。
【００１９】自由磁性層１８／非磁性層２０／固定磁性
層２２／固定する層２４の部分がＭＲ素子３０である。
ここで、上電極兼磁気シールド層２８から下電極兼磁気
シールド層１２へ電流を流したとすると、上電極兼磁気
シールド層２８→上部層２５→固定する層２４→固定磁
性層２２→非磁性層２０→自由磁性層１８→下地層１７
→磁気ギャップ調整層１４→下電極兼磁気シールド層１
２へと電流が流れる。このとき、縦バイアス層１６１，
１６２は電流の流れ方に関与することはない。
【００２０】自由磁性層１８は、両端部が縦バイアス層
１６１，１６２上に直接又は薄い下地層１７を介して積
層されているので、その縦バイアス磁界が十分印加され
ることになる。したがって、この構造を用いることによ
り、ＭＲ素子３０をセンス電流が確実に流れるととも
に、自由磁性層１８に縦バイアス磁界が確実に印加され
る。また、検磁部である自由磁性層１８が下電極兼磁気
シールド層１２に近づきすぎるのを磁気ギャップ調整層
１４によって防ぐことができるので、磁気記録媒体（図
示せず）からの漏洩磁界を十分に自由磁性層１８に導く
ことができる。
【００２１】図２は、本発明に係るＭＲヘッドの第二実
施形態を示す、ＡＢＳ面に平行な断面図である。以下、
この図面に基づき説明する。
【００２２】本実施形態のＭＲヘッド４０は、下電極兼
磁気シールド層４２と、下電極兼磁気シールド層４２上
に形成されるとともに固定磁性層４４の磁化方向を固定
する固定する層４６と、固定する層４６上に形成された
固定磁性層４４と、固定磁性層４４上に形成された非磁
性層４７と、非磁性層４７上の一部に形成された自由磁
性層４８と、自由磁性層４８の周囲を埋め込むように形
成された絶縁層５０と、絶縁層５０上に自由磁性層４８
の両端部に接した状態で形成された一対の縦バイアス層
５２１，５２２と、縦バイアス層５２１，５２２上及び
自由磁性層４８上に形成されるとともに非磁性導電体か
らなる磁気ギャップ調整層５４と、磁気ギャップ調整層
５４上に形成された上電極兼磁気シールド層５６とを備
えている。
【００２３】この構成では、基体（図示せず）上に下電
極兼磁気シールド層４２が形成されるとともに適当な形
状にパターン化される。その上に下地層４３、固定する
層４６、固定磁性層４４及び非磁性層４７が順次積層さ
れる。下地層４３は省略される場合もある。その上に、
図のようにパターン化された自由磁性層４８及び上部層
４９を積層する。図中では示されていないが、固定する
層４６、固定磁性層４４及び非磁性層４７は適当な形状
にパターン化される。絶縁層５０及び縦バイアス層５２
１，５２２は、自由磁性層４８の左右端に接するように
配置されている。絶縁層５０と縦バイアス５２１，５２
２との間に縦バイアス下地層５１を設けることもある。
更にその上には、磁気ギャップ調整層５４が形成される
とともに適当な形状にパターン化される。磁気ギャップ
調整層５４の上に上電極兼磁気シールド層５６が積層さ
れる。
【００２４】固定する層４６／固定磁性層４４／非磁性
層４７／自由磁性層４８の部分がＭＲ素子５８である。
ここで、上電極兼磁気シールド層５６から下電極兼磁気
シールド層４２へ電流を流したとすると、上電極兼磁気
シールド層５６→磁気ギャップ調整層５４→上部層４９
→自由磁性層４８→非磁性層４７→固定磁性層４４→固
定する層４６→下地層４３→下電極兼磁気シールド層４
２へと電流が流れる。このとき、縦バイアス層５２１，
５２２は、絶縁層５０及び非磁性層４７により固定磁性
層４４以下の層と電気的に絶縁されているので、電流の
流れ方に関与することはない。
【００２５】縦バイアス層５２１，５２２は自由磁性層
４８に接しているので、その縦バイアス磁界は自由磁性
層４８に十分印加されることになる。したがって、この
構造を用いることにより、ＭＲ素子５８をセンス電流が
確実に流れるとともに、自由磁性層４８に縦バイアス磁
界が確実に印加される。また、検磁部である自由磁性層
４８が上電極兼磁気シールド層５６に近づきすぎるのを
磁気ギャップ調整層５４によって防ぐことができるの
で、磁気記録媒体（図示せず）からの漏洩磁界を十分に
自由磁性層４８に導くことができる。
【００２６】ここではＭＲ素子５８のうち自由磁性層４
８のみをパターン化した場合について示したが、少なく
とも自由磁性層４８がパターン化されていればよく、そ
れ以下の部分をどこまでパターン化するかは適宜選択す
ることができる。縦バイアス層５２１，５２２に酸化物
材料を用いた場合は、それ自体が絶縁材料なので図中で
縦バイアス層５２１，５２２の下に位置している絶縁層
５０を省略することもできる。
【００２７】次に、上記第一及び第二実施形態のＭＲヘ
ッドにおける、各構成要素の材料、構造等について詳述
する。
【００２８】基体の材料は、アルチック、ＳｉＣ、アル
ミナ、アルチック／アルミナ２層、ＳｉＣ／アルミナ２
層等である。
【００２９】下電極兼磁気シールド層は、ＮｉＦｅ，Ｃ
ｏＺｒ,又はＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＺｒＮ
ｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ,ＣｏＨｆ，ＣｏＴａ，Ｃ
ｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＨｆＰ
ｄ，ＣｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏＮｉ合金，ＦｅＡ
ｌＳｉ，窒化鉄系材料，ＭｎＺｎフェライト，ＮｉＺｎ
フェライト，ＭｇＺｎフェライトから選択される、単
体、多層膜又は混合物等である。磁気ギャップ調整層
は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａから選択される、単体、多層
膜、又は混合物等である。
【００３０】上電極兼磁気シールド層は、ＮｉＦｅ，Ｃ
ｏＺｒ,ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＺｒＮｂ，Ｃ
ｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＨｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＴａ
Ｈｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＨｆＰｄ，Ｃ
ｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏＮｉ合金，ＦｅＡｌＳ
ｉ，窒化鉄系材料，ＭｎＺｎフェライト，ＮｉＺｎフェ
ライト，ＭｇＺｎフェライトから選択される、単体、多
層膜、又は混合物等である。
【００３１】絶縁層は、Ａｌ酸化物，Ｓｉ酸化物，窒化
アルミニウム，窒化シリコン，ダイヤモンドライクカー
ボンから選択される、単体、多層膜、又は混合物等であ
る。
【００３２】上部層は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｙ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａから選択
される、単体、多層膜、又は混合物等である。
【００３３】縦バイアス層は、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣ
ｒ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＦｅＭｎ，ＮｉＭｎ，Ｎ
ｉ酸化物，ＮｉＣｏ酸化物，Ｆｅ酸化物，ＮｉＦｅ酸化
物、ＩｒＭｎ，ＰｔＭｎ，ＰｔＰｄＭｎ，ＲｅＭｎ，Ｃ
ｏフェライト，Ｂａフェライトから選択される、単体、
多層膜、又は混合物等である。
【００３４】ＭＲ素子としては以下の構成のものを用い
ることができる。・基体／下地層／自由磁性層／第１Ｍ
Ｒエンハンス層／非磁性層／第２ＭＲエンハンス層／固
定磁性層／固定する層／保護層。・基体／下地層／固定
する層／固定磁性層／第１ＭＲエンハンス層／非磁性層
／第２ＭＲエンハンス層／自由磁性層／保護層。・基体
／下地層／第１固定する層／第１固定磁性層／第１ＭＲ
エンハンス層／非磁性層／第２ＭＲエンハンス層／自由
磁性層／第３ＭＲエンハンス層／非磁性層／第４ＭＲエ
ンハンス層／第２固定磁性層／第２固定する層／保護
層。・基体／下地層／固定磁性層／第１ＭＲエンハンス
層／非磁性層／第２ＭＲエンハンス層／自由磁性層／保
護層。・基体／下地層／自由磁性層／第１ＭＲエンハン
ス層／非磁性層／第２ＭＲエンハンス層／固定磁性層／
保護層。
【００３５】下地層としては，金属、酸化物、窒化物か
ら選択される、単層膜、混合物膜、又は多層膜を用い
る。具体的には、Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔｉ，
Ｍｏ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｎｂ，Ｖ並びにこ
れらの材料の酸化物及び窒化物から選択される、単層
膜，混合物膜，又は多層膜を用いる。添加元素として、
Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｎ
ｉ，Ｉｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒ
ｅ，Ａｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｎｂ，Ｖ等を用いることもでき
る。下地層は用いない場合もある。
【００３６】自由磁性層としては、ＮｉＦｅ，ＣｏＦ
ｅ，ＮｉＦｅＣｏ，ＦｅＣｏ，ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭ
ｏ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＨ
ｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒ
Ｎｂ，ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏ
Ｎｉから選択された、合金又はアモルファス磁性材料を
用いることができる。
【００３７】非磁性層としては、酸化物、窒化物、酸化
物と窒化物の混合物、金属／酸化物２層膜、金属／窒化
物２層膜、金属／（酸化物と窒化物との混合物）２層膜
等を用いる。具体的には、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｔ，Ａｕ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｒｅ，Ｖの酸化物及び窒化物から選択された単体、
多層膜、若しくは混合物、又はこれらとＴｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，
Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏ
ｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐ
ｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｅ，Ｖの酸化物及び窒化物から選択
された単体、多層膜、若しくは混合物との積層膜が有力
な候補となる。
【００３８】第１及び第２ＭＲエンハンス層としてはＣ
ｏ，ＮｉＦｅＣｏ，ＦｅＣｏ，ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭ
ｏ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＨ
ｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒ
Ｎｂ，ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏ
Ｎｉから選択される、金属、合金又はアモルファス磁性
材料を用いる。ＭＲエンハンス層を用いない場合は、用
いた場合に比べて若干ＭＲ比が低下するが、用いない分
だけ作製に要する工程数が低減する。
【００３９】固定磁性層としては、ＮｉＦｅ，ＣｏＦ
ｅ，ＮｉＦｅＣｏ，ＦｅＣｏ，ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＭ
ｏ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＨ
ｆ，ＣｏＴａ，ＣｏＴａＨｆ，ＣｏＮｂＨｆ，ＣｏＺｒ
Ｎｂ，ＣｏＨｆＰｄ，ＣｏＴａＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＭｏ
Ｎｉ合金又はアモルファス磁性材料を用いることができ
る。又は、これらと、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａ
ｕ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒ
ｅ，Ｖをベースとするグループからなる単体、合金、又
は積層膜とを、組み合わせた積層膜を用いることも可能
である。 Ｃｏ／Ｒｕ／Ｃｏ，ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦ
ｅ，ＣｏＦｅＮｉ／Ｒｕ／ＣｏＦｅＮｉ，Ｃｏ／Ｃｒ／
Ｃｏ，ＣｏＦｅ／Ｃｒ／ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＮｉ／Ｃｒ
／ＣｏＦｅＮｉは有力な候補である。
【００４０】固定する層としては、ＦｅＭｎ，ＮｉＭ
ｎ,ＩｒＭｎ，ＲｈＭｎ，ＰｔＰｄＭｎ，ＲｅＭｎ，Ｐ
ｔＭｎ，ＰｔＣｒＭｎ，ＣｒＭｎ,ＣｒＡｌ，ＴｂＣ
ｏ，Ｎｉ酸化物，Ｆｅ酸化物，Ｎｉ酸化物とＣｏ酸化物
の混合物，Ｎｉ酸化物とＦｅ酸化物の混合物，Ｎｉ酸化
物／Ｃｏ酸化物２層膜，Ｎｉ酸化物／Ｆｅ酸化物２層
膜，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＰｔＣｏ
などを用いることができる。ＰｔＭｎ又はＰｔＭｎにＴ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，
Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔ
ａ等を添加した材料は有力な候補である。
【００４１】保護層としては、酸化物，窒化物，酸化物
と窒化物の混合物もしくは金属／酸化物２層膜，金属／
窒化物２層膜，金属／（酸化物と窒化物との混合物）２
層膜，を用いる。Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚｎ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａ
ｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，
Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｅ，Ｖ
の酸化物及び窒化物から選択される単体、多層膜若しく
は混合物、又はこれらとＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，
Ａｕ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒ
ｅ，Ｖの酸化物及び窒化物から選択される単体、多層膜
若しくは混合物との積層膜が有力な候補となる。保護層
は用いない場合もある。
【００４２】図３乃至図６は、図１のＭＲヘッドの製造
方法を示す概略平面図である。以下、図１及び図３乃至
図６に基づき説明する。
【００４３】工程１（図３［１］） 下電極兼磁気シールド層１２を成膜し、ＰＲ（フォトレ
ジスト）形成及びミリング又はリフトオフにより図示す
る形状にパターン化する。図中斜線で示す範囲が、この
工程でパターン化された範囲である（以下においても同
じ）。
【００４４】工程２（図３［２］） 縦バイアス下地層１５及び縦バイアス層１６１，１６２
を成膜した後に、これらの層をパターン化するためのＰ
Ｒを形成し、図示する形状にミリングし、その後ＰＲを
除去する。
【００４５】工程３（図４［３］） ＭＲ素子３０（下地層１７／自由磁性層１８／非磁性層
２０／固定磁性層２２／固定する層２４／上部層２５）
を成膜し、その上に図示する形状のＰＲを形成し、ミリ
ングによりＭＲ素子３０をパターン化する。続いて、絶
縁層２６を成膜し、パターン化されたＭＲ素子３０上の
絶縁層２６をリフトオフにより取り除く。
【００４６】工程４（図４［４］） 上電極兼磁気シールド層２８を成膜し、ＰＲを形成し、
パターン化する。
【００４７】工程５（図５［５］） 下電極端子３２１（図中左側端子）形成…ＰＲを形成
し、下電極兼磁気シールド層１２と電気的に接触できる
ようになるまでミリングする。続いて端子材料を成膜
し、リフトオフする。上電極端子３２２（図中右側端
子）…端子材料を成膜し、ＰＲを形成し、ミリングによ
りパターン化した後に、ＰＲを除去する。
【００４８】工程６（図５［６］） 記録ヘッド部３４を作成する。記録ヘッド部３４は、ど
のような構成でもよいので、図中では詳しい表示を省略
してある。
【００４９】工程７（図６［７］） 基体を適当な大きさに切断加工する。その後に、図示す
るようにＡＢＳ面３６が露出するまで、基体ごとに研磨
をする。
【００５０】図示しないが、この後ヘッド動作時に最適
な飛行姿勢をとるようにＡＢＳ面を適当な形状に加工
し、サスペンションに組み込み、配線をした後に出荷す
る。ＡＢＳ面には堅くて丈夫で潤滑性に優れる保護材
料、例えばダイアモンドライクカーボン膜のようなもの
が形成されることもある。ここでは図１のＭＲヘッドの
場合のみについて記述したが、図２のＭＲヘッドの場合
もほぼ同様の工程で製造することができる.
【００５１】図７は、図１のＭＲヘッドを用いた磁気記
録再生ヘッド（以下、単に「磁気ヘッド」という。）を
示す概略斜視図である。以下、この図面に基づき説明す
る。
【００５２】磁気ヘッド６０は、基体６２上に再生用の
ＭＲヘッド１０と、下磁極６４、コイル６６及び上磁極
６８を基本構成とする記録ヘッド（インダクティブヘッ
ド）７０とから構成されている。ＭＲヘッド１０の上電
極兼磁気シールド層（図示せず）と下磁極６４とを共通
にしても、それぞれ別に設けてもよい。この磁気ヘッド
６０により、磁気記録媒体（図示せず）上に信号を書き
込むとともに、磁気記録媒体から信号を読み取る。ＭＲ
ヘッド１０の感知部分と、記録ヘッド７０の磁気ギャッ
プ７２はこのように同一スライダ上に重ねた位置に形成
することで、同一トラックに同時に位置決めができる。
この磁気ヘッド６０をスライダに加工し、磁気記憶装置
（図８）に搭載する。
【００５３】図８は、本発明に係る磁気記憶装置の一実
施形態を示すブロック図である。以下、この図面に基づ
き説明する。
【００５４】本実施形態の磁気記憶装置８０は、磁気記
録媒体８２と、磁気記録媒体８２に対して情報を記録及
び再生する図７の磁気ヘッド６０と、磁気ヘッド６０を
磁気記録媒体８２上に位置決めするアクチュエータとし
てのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）８４及びスピンドル
モータ８６と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）８４、ス
ピンドルモータ８６及び磁気ヘッド６０を制御する制御
部としての記録再生チャネル８８及び制御ユニット９０
とを備えている。
【００５５】スピンドルモータ８６は、磁気記録媒体８
２を回転させる。磁気ヘッド６０は、磁気記録媒体８２
の記録面に対向するように、サスペンション９２及びア
ーム９４を介してボイスコイルモータ８４に取り付けら
れている。ボイスコイルモータ８４により、磁気記録媒
体８２上を磁気ヘッド６０がトラッキングする。磁気記
録再生動作は、磁気ヘッド６０への記録再生チャネル８
８からの信号により行われる。記録再生チャネル８８、
ボイスコイルモータ８４及びスピンドルモータ８６は、
それぞれ制御ユニット９０によって制御される。
【００５６】
【実施例】図１のＭＲヘッドを用いて磁気ヘッドを作成
した。このとき、ＭＲ素子としては、／Ｔａ（３［ｎ
ｍ］）／Ｎｉ８２Ｆｅ１８（４［ｎｍ］）／Ｃｏ９０Ｆ
ｅ１ ０（０．５［ｎｍ］）／絶縁バリア層としてのＡｌ
酸化物（０．７［ｎｍ］）／Ｃｏ４０Ｆｅ６０（２［ｎ
ｍ］）／Ｒｕ（０．６［ｎｍ］）／Ｃｏ４０Ｆｅ
６０（１．５［ｎｍ］）／Ｉｒ２０Ｍｎ８０（２０［ｎ
ｍ］）／Ｔａ（３［ｎｍ］）を用いた。ＭＲ素子形成後
には、２３０［℃］かつ５時間の熱処理を、成膜時の磁
界とは直交する方向に７９０［ｋＡ／ｍ］の磁界を印加
しつつ行った。ＭＲ素子のパターニングでは、絶縁バリ
ア層の途中でミリングを止め、絶縁バリア層の一部（下
部）及び自由磁性層をパーターン化しなかった。このと
きのパターンニングは、通常のミリング装置を用い、
０．３［Ｐａ］の純Ａｒガス雰囲気中で行った。ミリン
グは膜面に対し垂直な方向から行った。
【００５７】次に、本実施例の磁気ヘッドの各構成要素
について説明する。
【００５８】１．基体 厚さ１．２［ｍｍ］のアルチック上にアルミナを３［μ
ｍ］積層したもの
【００５９】２．再生ヘッド部 下電極兼磁気シールド層…Ｃｏ８９Ｚｒ４Ｔａ４Ｃｒ３
（１［μｍ］）組成はａｔ％、以下同じ。 磁気ギャップ調整層…Ｔａ（２４［ｎｍ］）比較のため
磁気ギャップ調整層を設けない構成（従来例）も作成し
た。 絶縁層…アルミナ（４０［ｎｍ］） 縦バイアス下地層／縦バイアス層…Ｃｒ（１０ｎｍ）／
Ｃｏ７４．５Ｃｒ１０ ．５Ｐｔ１５（２４［ｎｍ］） 上電極兼磁気シールド層…記録ヘッド下ポールと共通
（共通ポール） 電極端子…Ｔａ（３［ｎｍ］）／Ａｕ（３［μｍ］）
【００６０】３．記録ヘッド部 共通ポール下地…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（９０［ｎｍ］） 共通ポール…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（２．５［μｍ］）／Ｃ
ｏ６５Ｎｉ１２Ｆｅ２ ３（０．５［μｍ］） 記録磁気ギャップ…アルミナ（０．２［μｍ］） 磁気ギャップ厚付け…アルミナ（０．７［μｍ］） コイル下地…Ｃｒ（３０［ｎｍ］）／Ｃｕ（１５０［ｎ
ｍ］） コイル…Ｃｕ（４．５［μｍ］） 上ポール下地…Ｔｉ（１０［ｎｍ］）／Ｃｏ６５Ｎｉ
１２Ｆｅ２３（０．１［μｍ］） 上ポール…Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（０．５［μ
ｍ］）／Ｎｉ８２Ｆｅ１８（３．５［μｍ］） 端子下地…Ｃｒ（３０［ｎｍ］）／Ｃｕ（１５０［ｎ
ｍ］） 端子…Ｃｕ（５０［μｍ］） オーバーコート…アルミナ（５２［μｍ］） 金端子下地…Ｔｉ（１０［ｎｍ］）／Ｎｉ８２Ｆｅ１８
（０．１［μｍ］） 金端子…Ａｕ（３［μｍ］）
【００６１】次に、本実施例の磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。
【００６２】１．再生ヘッド部作成 基板洗浄→下電極兼磁気シールド層成膜及びアニール→
アライメントマーク形成（ＰＲ形成→パターンニング→
レジスト除去）→下シールドパターニング（ＰＲ形成→
テーパー加工→レジスト除去）→磁気ギャップ調整層
（成膜→ＰＲ形成→ミリング→ＰＲ除去）→縦バイアス
層形成（ＰＲ形成→成膜→リフトオフ）→ＭＲ素子形成
（ＭＲ素子各層成膜→ＰＲ形成→絶縁バリア層までミリ
ング）→絶縁層形成（成膜→リフトオフ）→上電極兼磁
気シールド層形成（ＰＲ形成→成膜→リフトオフ）→ポ
ールハイトモニター形成（ＰＲ形成→成膜→リフトオ
フ）→下電極端子形成（ＰＲ形成→ミリング→端子材料
成膜→ＰＲ除去）→上電極端子形成（ＰＲ形成→端子材
料成膜→ＰＲ除去）
【００６３】２．記録ヘッド部作成 共通ポール形成（第２下地成膜→フレームＰＲ形成→共
通ポールめっき→カバーＰＲ形成→ケミカルエッチング
→下地除去）→ポールハイト穴埋めレジスト→磁気ギャ
ップ成膜→磁気ギャップ厚付け形成（ＰＲ形成→成膜→
リフトオフ）→ＰＷ（上ポールと共通ポールとを磁気的
に接続するためのポール）形成（ＰＲ形成→ミリング→
ＰＲ除去）→コイル形成ＳＣ１レジスト（コイルの絶縁
性を確保するためのレジストその１）形成→コイル形成
（下地成膜→ＰＲ形成→コイルメッキ→ケミカルエッチ
ング→下地除去）→ＳＣ２レジスト（コイルの絶縁性を
確保するためのレジストその２）形成→磁気ギャップ調
整ミリング→上ポール形成（下地成膜→フレームレジス
ト形成→上ポールメッキ→メッキアニール→下地除去→
カバーＰＲ形成→ケミカルエッチング→下地除去）→端
子形成（下地成膜→ＰＲ形成→端子メッキ→ケミカルエ
ッチング→下地除去）→オーバーコート成膜→端子ラッ
プ→金端子メッキ（下地成膜→ＰＲ形成→金端子メッキ
→下地除去）
【００６４】３．後工程 ｒｏｗ切断→ＡＢＳ面加工ラップ→ＡＢＳ面へのＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）成膜→スライダ加工→
サスペンションへの取り付け
【００６５】次に、本実施例の磁気ヘッドの再生特性に
ついて説明する。
【００６６】磁気ヘッドは、磁気ギャップ調整層を用い
たものと用いなかったものとの２種類を、それぞれ３０
個ずつ用意した。これらの磁気ヘッドを用いてＣｏＣｒ
Ｔａ系磁気記録媒体上にデータを記録再生した。このと
き、書き込みトラック幅は３［μｍ］、読み込みトラッ
ク幅は２［μｍ］とした。記録ヘッド部のコイル作成時
のフォトレジスト硬化工程は、２２０［℃］かつ２時間
とした。磁気記録媒体の保磁力は３９５［ｋＡ／ｍ］、
Ｍｒｔ（残留磁化と膜厚との積）は０．３５［ｍｅｍｕ
／ｃｍ２］とした。磁気ギャップ調整層を用いたものと
用いなかったものとのそれぞれの再生出力及び波形対称
性は、３０個の平均値で以下の通りであった。
【００６７】磁気ギャップ調整層あり…再生出力２．４
［ｍＶ］，波形対称性４８［％］ 磁気ギャップ調整層なし…再生出力１．６［ｍＶ］，波
形対称性４２［％］
【００６８】磁気ギャップ調整層ありのものは、磁気ギ
ャップ調整層なしのものと比較して、再生出力が高く、
波形対称性が良好であることがわかる。自由磁性層が電
極兼磁気シールド層に近づきすぎるのを磁気ギャップ調
整層が防いだ結果、磁気記録媒体からの漏れ磁界が自由
磁性層に効率よく流れ込むようになったため、このよう
な良好な再生特性が得られた。
【００６９】次に、本発明に係る磁気記憶装置の一実施
例としての磁気ディスク装置について説明する。
【００７０】本実施例の磁気ディスク装置は、ベース上
に磁気記録媒体として３枚の磁気ディスクを備え、ベー
ス裏面にヘッド駆動回路及び信号処理回路と入出力イン
ターフェイスとを収め、３２ビットのバスラインで外部
と接続される。一枚の磁気ディスクの両面に一個づつ、
合計６個の上記実施例の磁気ヘッドが配置されている。
また、磁気ディスク装置には、磁気ヘッドを駆動するた
めのロータリーアクチュエータ、その駆動回路及び制御
回路、ディスク回転用スピンドル直結モータ等が搭載さ
れている。
【００７１】磁気ディスクは、直径が４６［ｍｍ］であ
り、データ面として直径１０［ｍｍ］から４０［ｍｍ］
までの範囲を使用する。また、磁気ディスクは、埋め込
みサーボ方式を用いることにより、サーボ面を有しない
ため高密度化が可能である。
【００７２】この磁気ディスク装置は、小型コンピュー
タの外部記憶装置として、小型コンピュータとの直接接
続が可能になっている。また、入出力インターフェイス
にキャッシュメモリを搭載しているので、転送速度が毎
秒５から２０メガバイトの範囲のバスラインに対応す
る。更に、外部コントローラを用いてこの磁気ディスク
装置を複数台接続することにより、大容量の磁気ディス
ク装置を構成することも可能である。
【００７３】
【発明の効果】本発明に係るＭＲヘッドによれば、電極
兼磁気シールド層と自由磁性層とを接触させずに、これ
らの間に磁気ギャップ調整層を設けることにより、自由
磁性層を電極兼磁気シールド層から十分に離すことがで
きる。これにより、自由磁性層に十分な漏洩磁界を流入
できるので、ヘッド再生出力を向上できる。また、自由
磁性層と固定磁性層との静磁カップリングやセンス電流
へのシールド近接効果を取り除くことができるので、最
適動作点を与えるバイアス設計が容易になり、結果とし
て良好な波形対称性をもつ歪みのない出力波形を得るこ
とができる。
【００７４】また、本発明に係るＭＲヘッドによれば、
二枚の電極兼磁気シールド層を有することにより高記録
密度化が可能であり、電極兼磁気シールド層の膜厚を増
やすことがないので製造歩留まりも高く、しかも再生特
性も良好である。したがって、本発明に係る磁気記憶装
置によれば、本発明に係るＭＲヘッドを用いたことによ
り、再生特性を落とすことなく高記録密度化を容易に実
現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＭＲヘッドの第一実施形態を示
す、ＡＢＳ面に平行な断面図である。
【図２】本発明に係るＭＲヘッドの第二実施形態を示
す、ＡＢＳ面に平行な断面図である。
【図３】図１のＭＲヘッドの製造方法を示す概略平面図
であり、図３［１］、図３［２］の順に工程が進行す
る。
【図４】図１のＭＲヘッドの製造方法を示す概略平面図
であり、図４［３］、図４［４］の順に工程が進行す
る。
【図５】図１のＭＲヘッドの製造方法を示す概略平面図
であり、図５［５］、図５［６］の順に工程が進行す
る。
【図６】図１のＭＲヘッドの製造方法を示す概略平面図
である。
【図７】図１のＭＲヘッドを用いた磁気ヘッドを示す概
略斜視図である。
【図８】本発明に係る磁気記憶装置の一実施形態を示す
ブロック図である。
【符号の説明】
１０，４０ ＭＲヘッド １２，４２ 下電極兼磁気シールド層 １４，５４ 磁気ギャップ調整層 １６１，１６２，５２１，５２２ 縦バイアス層 １８，４８ 自由磁性層 ２０，４７ 非磁性層 ２２，４４ 固定磁性層 ２４，４６ 固定する層 ２６，５０ 絶縁層 ２８，５６ 上電極兼磁気シールド層 ３０，５８ ＭＲ素子

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及び
    この固定磁性層の磁化方向を固定する層を基本構成とす
    る磁気抵抗効果素子が、この磁気抵抗効果素子の電極及
    び磁気シールドとして機能する二枚の電極兼磁気シール
    ド層間に設けられ、 前記磁気抵抗効果素子を構成する各層と前記二枚の電極
    兼磁気シールド層とが一方向に積層され、 一方の前記電極兼磁気シールド層と前記自由磁性層と
    が、非磁性導電体からなる磁気ギャップ調整層を介して
    接し、 他方の前記電極兼磁気シールド層と前記固定する層とが
    直に又は保護層を介して接した、 磁気抵抗効果ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記自由磁性層と前記磁気ギャップ調整
    層との間に保護層が介挿された、 請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
  3. 【請求項３】 下電極兼磁気シールド層と、この下電極
    兼磁気シールド層上に形成されるとともに非磁性導電体
    からなる磁気ギャップ調整層と、この磁気ギャップ調整
    層上に間隔を開けて形成された一対の縦バイアス層と、
    これらの一対の縦バイアス層間の前記磁気ギャップ調整
    層上に当該一対の縦バイアス層に接した状態で形成され
    た自由磁性層と、この自由磁性層上に形成された非磁性
    層と、この非磁性層上に形成された固定磁性層と、この
    固定磁性層上に形成されるとともに当該固定磁性層の磁
    化方向を固定する層と、これらの固定磁性層及び固定す
    る層の周囲を埋め込むように形成された絶縁層と、この
    絶縁層上及び前記固定する層上に形成された上電極兼磁
    気シールド層と、 を備えた磁気抵抗効果ヘッド。
  4. 【請求項４】 下電極兼磁気シールド層と、この下電極
    兼磁気シールド層上に形成されるとともに固定磁性層の
    磁化方向を固定する固定する層と、この固定する層上に
    形成された前記固定磁性層と、この固定磁性層上に形成
    された非磁性層と、この非磁性層上の一部に形成された
    自由磁性層と、この自由磁性層の周囲を埋め込むように
    形成された絶縁層と、この絶縁層上に前記自由磁性層の
    両端部に接した状態で形成された一対の縦バイアス層
    と、これらの一対の縦バイアス層上及び前記自由磁性層
    上に形成されるとともに非磁性導電体からなる磁気ギャ
    ップ調整層と、この磁気ギャップ調整層上に形成された
    上電極兼磁気シールド層と、 を備えた磁気抵抗効果ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記非磁性層として絶縁バリア層を用い
    た、 請求項１、２、３又は４記載の磁気抵抗効果ヘッド。
  6. 【請求項６】 磁気記録媒体と、この磁気記録媒体に対
    して情報を記録及び再生するとともに請求項１，２，
    ３，４又は５記載の磁気抵抗効果ヘッドとインダクティ
    ブヘッドとからなる磁気ヘッドと、この磁気ヘッドを前
    記磁気記録媒体上に位置決めするアクチュエータと、こ
    のアクチュエータ及び前記磁気ヘッドを制御する制御部
    と、 を備えた磁気記憶装置。
JP35426199A 1999-12-14 1999-12-14 磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置 Pending JP2001176027A (ja)

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JP35426199A JP2001176027A (ja) 1999-12-14 1999-12-14 磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置
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