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Diese
Erfindung betrifft ein aus einem mehrlagigen Gebilde ultrafeiner
Schichten oder eines sogen. künstlichen
Gitterfilms gebildetes Magnetoresistanzeffektelement.
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Der
Magnetoresistanzeffekt ist ein Effekt variierender Resistanz (elektrischer
Widerstand) eines Objekts, die durch Änderung in der Intensität des Magnetfeldes,
das auf das Objekt einwirken gelassen wird, hervorgerufen wird.
Diesen Effekt ausnutzende Magnetoresistanzeffektelemente gelangen
wegen der hohen Magnetfeldempfindlichkeit und der Fähigkeit
solcher Elemente, eine relativ große Leistung abzugeben, auf
den verschiedensten Anwendungsgebieten einschließlich solcher für Magnetfeldsensoren und
Magnetköpfe
zum Einsatz. Obwohl Dünnfilme aus
Permalloy-Legierungen in großem
Umfang für Magnetoresistanzeffektelemente
eingesetzt werden, beträgt
das Magnetoresistanzverhältnis
eines Permalloy-Films (ΔR/Rs
mit ΔR gleich
der elektrischen Resistanzänderung
zwischen einem Magnetfeld 0 und dem Sättigungsmagnetfeld und Rs gleich
dem Sättigungswiderstand)
nur 2-3 %. Folglich besitzt er nicht die für ein Magnetoresistanzeffektelement
erforderliche Empfindlichkeit gegenüber Änderungen im Magnetfeld.
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Andererseits
fanden in den letzten Jahren als neues Magnetoresistanzeffektelement
eine Mehrzahl von Lagen aus abwechselnd aufeinandergestapelten magnetischen
und nichtmagnetischen Schichten jeweils einer Dicke von einigen
Angström
bis einigen zehn Angström
bzw. ein sogen. künstlicher
Gitterfilm (zunehmend) Beachtung. Bekannte Typen des künstlichen
Gitterfilms sind (Fe/Cr)n ("Phys. Rev. Lett.", Band 61(21), (1988),
2472), (Permalloy/Cu/Co/Cu)n ("J. Phys. Soc. Jap.", Band 59(9), (1990),
3061) und (Co/Cu)n ("J. Mag. Nat." 94, (1991) L1; "Phys. Rev. Lett." 66, (1991), 2152).
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Ein
künstlicher
Gitterfilm vermag im Vergleich zu einem Permalloy-Dünnfilm zwar
einen dramatisch verbesserten Magnetoresistanzeffekt zu bieten,
künstliche
Gitterfilme mit deutlichem Magnetoresistanzeffekt lassen sich jedoch
derzeit lediglich mit einer zur Supervakuumverarbeitung fähigen Filmbildungsvorrichtung
herstellen. Eine solche Vorrichtung arbeitet mit Supervakuumtechnik,
z.B einer Verdampfung im ultrahohen Vakuum (UHV) oder mit Molekularstrahlepitaxie
(MBE). In einer üblichen
Filmbildungsvorrichtung hergestellte künstliche Gitterfilme zeigen
unglücklicherweise
keinen akzeptablen Magnetoresistanzeffekt.
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Im
Hinblick darauf besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung
in der Bereitstellung eines Magnetoresistanzeffektelements mit großem Magnetoresistanzverhältnis, das
auch bei Herstellung in einer üblichen
Dünnfilmbildungsvorrichtung
für den praktischen
Gebrauch geeignet ist.
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Die
Verwendung magnetischer Schichten aus mindestens zwei verschiedenen
magnetischen Werkstoffen, insbesondere Fe, Ni oder Co oder einer Legierung
derselben, ist aus der
EP-A-0 406 060 bekannt.
Darüber
hinaus beschreibt die
JP-A-2 023 681 eine
mehrlagige Struktur mit nichtmagnetischen Schichten, bei welcher
keine antiferromagnetische Kopplung ausgenutzt wird. Die vorliegende
Erfindung ist demgegenüber
durch Anspruch 1 definiert.
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Diese
Erfindung lässt
sich anhand der folgenden detaillierten Beschreibung im Zusammenhang
mit den beigefügten
Zeichnungen besser verstehen. In den Zeichnungen bedeuten:
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1 eine
schematische Querschnittsdarstellung eines Magnetoresistanzeffektelements
gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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2 eine
graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Dicke einer nichtmagnetischen Schicht
eines magnetischen mehrlagigen Gebildes und dem Magnetoresistanzverhältnis des
Elements;
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3 eine
graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Dicke einer nichtmagnetischen Schicht
eines magnetischen mehrlagigen Gebildes und dem Sättigungsfeld
des Elements;
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4 eine
graphische Darstellung des Magnetoresistanzverhältnisses von Beispiel 1;
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5 eine
graphische Darstellung der Magnetoresistanzkurve von Beispiel 2;
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6 eine
graphische Darstellung der Magnetoresistanzkurve von Beispiel 3;
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7 eine
graphische Darstellung der Magnetoresistanzkurve von Beispiel 4;
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8 eine
graphische Darstellung der Magnetoresistanzkurve von Beispiel 5;
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9 eine
graphische Darstellung der Magnetoresistanzkurve von Beispiel 6;
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10 eine
graphische Darstellung der Magnetoresistanzkurve von Vergleichsbeispiel
1;
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11 eine
graphische Darstellung der Magnetoresistanzkurve von Vergleichsbeispiel
2;
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12 eine
graphische Darstellung der Drehmomentkurve von Beispiel 12;
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13 eine
graphische Darstellung der Magnetoresistanzkurve von Beispiel 12.
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Als
Ergebnis umfangreicher Forschungen der Erfinder der vorliegenden
Erfindung zur Entwicklung künstlicher
Gitterfilme großen
Magnetoresistanzeffekts hat es sich gezeigt, dass sich der Magnetoresistanzeffekt
eines künstlichen
Gitterfilms vom (Co/Cu)n-Typ deutlich verbessern
lässt,
wenn das Co teilweise durch Fe substituiert wird. Die Erfinder haben
ferner gefunden, dass sich dieser Effekt auch einstellt, wenn die
magnetischen Schichten mindestens zwei der Elemente Fe, Co und Ni
enthalten, und dass der Effekt besonders groß ist, wenn irgendwelche zwei
benachbarten magnetischen Schichten auch ohne nennenswerte Einwirkung
eines Magnetfelds antiferromagnetisch gekoppelt sind. Die vorliegende
Erfindung beruht auf dieser Erkenntnis der Erfinder.
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Die
vorliegende Erfindung wird im folgenden detailliert erläutert.
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Ein
erfindungsgemäßes Magnetoresistanzeffektelement
besteht aus einem mehrlagigen Gebilde aus abwechselnd aufeinandergestapelten
magnetischen und nichtmagnetischen Schichten und besitzt in typischer
Weise die aus 1 ersichtliche Bauweise. Hierbei
sind insgesamt n identische Kombinationen einer nichtmagnetischen
Schicht 2 und einer magnetischen Schicht 3 senkrecht
auf einem Substrat 1 aufeinandergestapelt. Hierbei kann
die unterste Schicht aus einer nichtmagnetischen oder magnetischen
Schicht bestehen. Zwischen Substrat 1 und dem mehrlagigen
Gebilde kann eine Pufferschicht aus einem weichen magnetischen Werkstoff
eingefügt
sein.
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Die
magnetischen Schichten enthalten eine Fe-Co-Legierung zur Gewährleistung
einer großen Magnetoresistanzänderung.
Die Legierung kann ferner Ni enthalten. Die magnetischen Schichten
besitzen vorzugsweise eine in der Ebene liegende uniaxiale magnetische
Anisotropie.
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Vorzugsweise
sind beliebige benachbarte magnetische Schichten in einem Zustand,
in welchem auf sie praktisch kein Magnetfeld einwirken gelassen
wird, antiferromagnetisch gekoppelt. Der Ausdruck "antiferromagnetisch
gekoppelt" bedeutet
hier und im folgenden, dass die Schichten derart miteinander gekoppelt
sind, dass die magnetischen Momente irgendwelcher zwei benachbarter
magnetischer Schichten umgekehrt gerichtet sind. Eine solche Kopplungsanordnung
kann das Magnetoresistanzverhältnis
erhöhen.
Andererseits sollte die Kraft, mit der benachbarte Schichten antiferromagnetisch gekoppelt
sind, vorzugsweise so gering wie möglich sein, da mit kleiner
werdender antiferromagnetischer Kopplungskraft auch das Sättigungsfeld
(HS) kleiner wird. Dies ist für Anwendungen,
beispielsweise bei Magnetköpfen,
vorteilhafter. Es ist von Vorteil, dass das Sättigungsmagnetfeld HS eines erfindungsgemäßen Elements im Hinblick auf
eine Erhöhung
des Magnetoresistanzverhältnisses
(ΔR/R) bei
Benutzung eines kleinen Magnetfeldes gering ist.
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Erfindungsgemäß können für nichtmagnetische
Schichten als Werkstoffe Cu, Au, Ag und Ru als Einzelwerkstoff oder
in Form einer diese (Elemente) enthaltenden Legierung verwendet
werden. Bei Verwendung einer Cu-Au-Legierung für eine nicht magnetische Schicht
lässt sich
die antiferromagnetische Kopplungskraft zwischen zwei benachbarten
Schichten vermindern.
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Obwohl
magnetische Metallschichten und nichtmagnetische Schichten auf verschiedene
Arten miteinander kombiniert werden können, empfehlen sich die folgenden
Kombinationen aus Gründen
der Gewährleistung
eines großen
Magnetoresistanzeffekts:
Die magnetischen Schichten bestehen
aus einer Legierung der Formel Fe1-xCox (mit 0,5 ≤ x < 1, vorzugsweise
0,5 ≤ x ≤ 0,999), während die
nichtmagnetischen Schichten aus Cu bestehen.
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Zur
Gewährleistung
eines ausreichend großen
Magnetoresistanzverhältnisses
(ΔR/R) fällt die Dicke
tM (ausgedrückt als Angström oder Å) einer
magnetischen Schicht vorzugsweise in den Bereich von 2 Å ≤ tM ≤ 100 Å). Die
Dicke tN (ausgedrückt als Angström oder Å) einer
nichtmagnetischen Schicht fällt vorzugsweise
in den Bereich 2 Å ≤ tN ≤ 100 Å. Vorzugsweise
fallen sie in die Bereiche 7 Å ≤ tM ≤ 90 Å bzw. 9 Å ≤ tN ≤ 50 Å.
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Die
Beziehung zwischen der Dicke einer nichtmagnetischen Schicht und
dem Magnetoresistanzverhältnis
lässt sich
graphisch entsprechend 2 darstellen. Da sich das Magnetoresistanzverhältnis oszillatorisch
als Funktion der Dicke tN der nichtmagnetischen
Schicht ändert,
findet sich die Dicke tN vorzugsweise innerhalb
des zuvor angegebenen Bereichs, um ein großes Magnetoresistanzverhältnis sicherzustellen.
Andererseits ändert
sich – wie
aus 3 hervorgeht – das
Sättigungsmagnetfeld
ebenfalls zyklisch als Funktion der Dicke der nichtmagnetischen
Schicht, wobei die Peaks im wesentlichen mit denjenigen des Magnetoresistanzverhältnisses übereinstimmen.
Folglich sollte die Dicke der nichtmagnetischen Schicht danach festgelegt werden,
dass das Magnetoresistanzverhältnis und das
Sättigungsmagnetfeld
eine für
die spezielle Anwendung des Elements optimale Beziehung besitzen.
Die 2 und 3 veranschaulichen das Ergebnis
eines bei Raumtemperatur mit einem mehrlagigen Gebilde aus 16 magnetischen
Schichten aus Fe0,1Co0,9 einer
Dicke von 10 Å und
derselben Zahl an nichtmagnetischen Schichten aus Kupfer unterschiedlicher
Dickewerte innerhalb des angegebenen Bereichs durchgeführten Versuchs.
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Die
Anzahl an (miteinander) kombinierten Schichten liegt vorzugsweise
zwischen 5 und einigen 10. Während
eine große
Zahl im Hinblick auf das Magnetoresistanzverhältnis vorteilhaft sein kann,
erreicht der Effekt einen Sättigungswert
und wird durch weitere Erhöhung
der Anzahl (an Schichten) nicht mehr weiterverbessert. Folglich
sollte die Anzahl an kombinierten Schichten innerhalb eines Bereichs festgelegt
werden, in welchem der Magnetoresistanzeffekt keinen Sättigungswert
erreicht.
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Der
für das
Substrat eines erfindungsgemäßen mehrlagigen
Gebildes verwendete Werkstoff braucht nicht speziell definiert zu
werden. Für
das Substrat verwendbare Werkstoffe sind SiO, MgO-Spinell und Si.
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Das
zuvor beschriebene mehrlagige Gebilde lässt sich nach üblichen
Dünnfilmbildungstechniken mit
einem anfänglichen
Vakuum von 1,33 × 10–5 Nm–2 (10–7 Torr)
oder weniger (oder einem Druck gleich 1,33 × 10–5 Nm–2 (10–7 Torr)
oder mehr) z.B. nach dem RF-Magnetronzerstäubungsverfahren, dem Ionenstrahlzerstäubungsverfahren
(IBS) und dem Vakuumverdampfungsverfahren, sowie nach Techniken, die
im Supervakuum arbeiten, z.B. nach dem Molekularstrahlepitaxieverfahren
und dem Supervakuumzerstäubungs-
bzw. -sputterverfahren, herstellen.
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Ein
Magnetoresistanzeffektelement mit einem üblichen künstlichen Gitterfilm mit magnetischen
Schichten aus einem einzigen Element, wie (Co/Cu)n und
(Fe/Cr)n, zeigt ein Magnetoresistanzverhältnis zwischen
20 und 50 %, wenn es mit Hilfe einer mit einem Supervakuum arbeitenden
Filmbildungsvorrichtung, z.B. UHV, hergestellt wird. Das Magnetoresistanzverhältnis dieses
Elements fällt
jedoch auf einen inakzeptablen Wert von einigen %, wenn das Element
mit Hilfe einer Vorrichtung mit üblichem
anfänglichen
Vakuumgrad hergestellt wird. Im Gegensatz dazu kann man ein erfindungsgemäßes Magnetoresistanzeffektelement
mit einer üblichen Filmbildungsvorrichtung
herstellen und diesem dabei trotzdem ein für den praktischen Gebrauch
ausreichendes Magnetoresistanzverhältnis verleihen.
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Es
sei darauf hingewiesen, dass weder die magnetischen noch die nichtmagnetischen
Schichten des erfindungsgemäßen mehrlagigen
Gebildes eine identische chemische Zusammensetzung und eine identische
Dicke aufzuweisen brauchen.
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Die
vorliegende Erfindung wird im folgenden anhand von Beispielen näher erläutert.
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[Beispiel 1]
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In
diesem Beispiel wurden die magnetischen Schichten aus einer Fe0,1Co0,9-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cu hergestellt. Zur Herstellung
des mehrlagigen Gebildes bediente man sich des Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
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Ein
Quarzsubstrat wurde in eine Kammer gelegt, worauf das Kammerinnere
auf 6,65 × 10–5 Nm–2 (5 × 10–7 Torr)
evakuiert wurde. Danach wurde in die Kammer zur Erhöhung des
Drucks auf 1,33 × 10–2 Nm–2 (1 × 10–9 Torr)
Ar-Gas eingeleitet. Der Zerstäubungsvorgang
erfolgte unter Benutzung einer Beschleunigungsspannung von 500 Volt
und eines Strahlstroms von 30 mA. Es wurden drei unterschiedliche
Targets aus Eisen (Fe), einer Fe0,1Co0,9-Legierung und Cu verwendet. Zunächst wurde
zur Bildung einer 50 Å dicken
Pufferschicht auf dem Quarzsubstrat das Fe-Target zerstäubt. Danach
wurden abwechselnd 15mal zum Aufeinanderstapeln von 15 Schichteinheiten
jeweils aus einer nichtmagnetischen Cu-Schicht einer Dicke von 9 Å und einer
magnetischen Fe0,1Co0,9-Legierungsschicht
einer Dicke von 7 Å das
Cu-Target und das Fe0,1Co0,9-Legierungstarget zerstäubt (die
Anzahl von Schichteinheiten beträgt 15).
Hierbei wurde das in 1 dargestellte mehrlagige Gebilde
erhalten. Dieses wird als (Fe0,1Co0,97Å/Cu9Å)15 bezeichnet.
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Während bei
der beschriebenen Ausführungsform
eine Pufferschicht hergestellt wurde, bedarf es für den Erfindungszweck
dieser Pufferschicht nicht unbedingt.
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Danach
wurde der Magnetoresistanzeffekt des erhaltenen mehrlagigen Gebildes
nach einem auf dem erfindungsgemäßen Fachgebiet üblicherweise
benutzten Vierpunktverfahren bestimmt. Die 4 veranschaulicht
das Messergebnis. In 4 veranschaulichen die waagerechte
Achse bzw. die senkrechte Achse die Magnetfeldintensität und den normalisierten
elektrischen Widerstand (R/R (H=O)), wenn die Resistanz des Elements
bei einer Magnetfeldintensität
von 0 "1" beträgt, so dass
dann die Beziehung zwischen dem Magnetoresistanzeffekt und der elektrischen
Resistanz des Elements wiedergegeben wird. Zur Darstellung des Magnetoresistanzeffekts
des Elements wurde aus der graphischen Darstellung das Magnetoresistanzverhältnis ΔR/R bestimmt.
Es betrug 7,5 d.h. es zeigte einen akzeptabel hohen Wert. Es zeigte
sich, dass das mehrlagige Gebilde mit einer Fe0,1Co0,9-Legierung für die magnetischen Schichten
und Cu für
die nichtmagnetischen Schichten für ein Magnetoresistanzeffektelement
geeignet war.
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[Beispiel 2]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Fe0,25Co0,75-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cu. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
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Zunächst wurde
auf einem Quarzsubstrat eine Fe-Pufferschicht einer Dicke von 50 Å gebildet. Danach
wurden zum Aufeinanderstapeln von 15 Schichteinheiten jeweils aus
nichtmagnetischen Cu-Schichten einer Dicke von 9 Å und magnetischen Fe0,25Co0,75-Legierungsschichten
einer Dicke von 7 Å (die
Anzahl der Schichteinheiten beträgt
15) abwechselnd 15mal Cu- und Fe0,25Co0,75-Legierungstargets zerstäubt, wobei
ein in 1 dargestelltes mehrlagiges Gebilde erhalten wurde.
Die Bedingungen bei der Filmbildung entsprachen denjenigen des Beispiels
1. Das mehrlagige Gebilde wird als (Fe0,25Co0,757Å/Cu9Å) 15 bezeichnet.
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Danach
wurde nach dem üblichen
Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt des erhaltenen mehrlagigen
Gebildes bestimmt. 5, die der 4 ähnelt, veranschaulicht
das Messergebnis. Das Magnetoresistanzverhältnis ΔR/R wurde aus der graphischen
Darstellung bestimmt, um den Magnetoresistanzeffekt des Elements
zu zeigen. Es betrug 11,1 d.h. sein Wert war akzeptabel hoch. Es
zeigte sich, dass das mehrlagige Gebilde mit einer Fe0,25Co0,75-Legierung für die magnetischen Schichten
und Cu für
die nichtmagnetischen Schichten für ein Magnetoresistanzeffektelement
geeignet war.
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[Beispiel 3]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Fe0,1Co0,9-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cu. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich des Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens. Als Substrat
diente mit einem Oxidfilm einer Dicke von etwa 1000 Å beschichtetes
Silicium.
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Zum
Aufeinanderstapeln von 15 Schichteinheiten jeweils aus einer nichtmagnetischen Cu-Schicht
einer Dicke von 9 Å,
und einer magnetischen Fe0,1Co0,9-Legierungsschicht
einer Dicke von 15 Å (die
Anzahl der Schichteinheiten beträgt
15) wurden abwechselnd 15mal Cu- und Fe0,1Co0,9-Legierungstargets zerstäubt, wobei
ein in 1 dargestelltes mehrlagiges Gebilde erhalten wurde.
Die Filmbildungsbedingungen entsprachen denjenigen des Beispiels
1. Das mehrlagige Gebilde wird als (Fe0,1Co0,915Å/Cu9Å) 15 bezeichnet.
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Danach
wurde nach dem üblichen
Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt des erhaltenen mehrlagigen
Gebildes bestimmt. 6, die der 4 ähnelt, veranschaulicht
das Messergebnis. Das Magnetoresistanzverhältnis ΔR/R wurde aus der graphischen
Darstellung bestimmt, um den Magnetoresistanzeffekt des Elements
zu zeigen. Es betrug 8,15 d.h. sein Wert war akzeptabel hoch. Es
zeigte sich, dass das mehrlagige Gebilde mit einer Fe0,1Co0,9-Legierung für die magnetischen Schichten und
Cu für
die nichtmagnetischen Schichten für ein Magnetoresistanzeffektelement
geeignet war.
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[Vergleichsbeispiel 3]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Fe0,75Co0,25-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cr. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
Als Substrat diente ein MgO (100)-Einkristall.
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Zum
Aufeinanderstapeln von 15 Schichteinheiten jeweils aus einer nichtmagnetischen Cr-Schicht
einer Dicke von 13 Å und
einer magnetischen Fe0,75Co0,25-Legierungsschicht
einer Dicke von 20 Å (die
Anzahl der Schichteinheiten beträgt
15) wurden abwechselnd 15mal Cr- und Fe0,75Co0,25-Legierungstargets zerstäubt, wobei
ein in 1 dargestelltes mehrlagiges Gebilde erhalten wurde.
Die Filmbildungsbedingungen entsprachen denjenigen des Beispiels
1. Das mehrlagige Gebilde wird als (Fe0,75Co0,2520Å/Cr13Å)15 bezeichnet.
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Danach
wurde nach dem üblichen
Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt des erhaltenen mehrlagigen
Gebildes bestimmt. 7, die der 4 ähnelt, veranschaulicht
das Messergebnis. Das Magnetoresistanzverhältnis ΔR/R wurde aus der graphischen
Darstellung bestimmt, um den Magnetoresistanzeffekt des Elements
zu zeigen. Es betrug 6,8 %, d.h. sein Wert war akzeptabel hoch.
Es zeigte sich, dass das mehrlagige Gebilde dieses Beispiels für ein Magnetoresistanzeffektelement
geeignet war.
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[Beispiel 4]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Ni0,4(Fe0,5Co0,5)0,6-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cu. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
Als Substrat wurde mit einem Oxidfilm einer Dicke von etwa 1000 Å beschichtetes
Silicium verwendet.
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Zum
Aufeinanderstapeln von 15 Schichteinheiten jeweils aus einer nichtmagnetischen Cu-Schicht
einer Dicke von 9 Å und
einer magnetischen Ni0,4(Fe0,5Co0,5)0,6-Legierungsschicht
einer Dicke von 15 Å (die
Anzahl der Schichteinheiten beträgt 15)
wurden abwechselnd 15mal Cu- und Ni0,4(Fe0,5Co0,5)0,6-Legierungstargets zerstäubt, wobei ein
in 1 dargestelltes mehrlagiges Gebilde erhalten wurde.
Die Filmbildungsbedingungen entsprachen denjenigen des Beispiels
1. Das mehrlagige Gebilde wird als (Ni0,4(Fe0,5Co0,5)0,615Å/Cu9Å)15 bezeichnet
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Danach
wurde nach dem üblichen
Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt des erhaltenen mehrlagigen
Gebildes bestimmt. 8, die 4 ähnelt, veranschaulicht
das Messergebnis. Das Magnetoresistanzverhältnis ΔR/R wurde aus der graphischen
Darstellung bestimmt, um den Magnetoresistanzeffekt des Elements
zu zeigen. Es betrug 7,8 %, d.h. sein Wert war akzeptabel groß. Es zeigte
sich, dass das mehrlagige Gebilde dieses Beispiels für ein Magnetoresistanzeffektelement
geeignet war.
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[Vergleichsbeispiel 4]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Ni0,25(Fe0,75Co0,25)0,75-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cr. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich des Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens. Als Substrat
wurde ein MgO (100)-Einkristall verwendet.
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Zum
Aufeinanderstapeln von 15 Schichteinheiten jeweils aus einer nichtmagnetischen Cr-Schicht
einer Dicke von 13 Å und
einer magnetischen Ni0,25(Fe0,75Co0,25)0,75-Legierungsschicht
einer Dicke von 20 Å (die
Anzahl der Schichteinheiten beträgt
15) wurden abwechselnd 15mal Cr- und Ni0,25(Fe0,75Co0,25)0,75-Legierungstargets
zerstäubt, wobei
ein in 1 dargestelltes mehrlagiges Gebilde erhalten wurde.
Die Filmbildungsbedingungen entsprachen denjenigen des Beispiels
1. Das mehrlagige Gebilde wird als (Ni0,25(Fe0,75Co0,25)0,7520Å/Cr13Å)15 bezeichnet.
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Danach
wurde nach dem üblichen
Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt des mehrlagigen Gebildes
bestimmt. 9, die 4 ähnelt, veranschaulicht
das Messergebnis. Das Magnetoresistanzverhältnis ΔR/R wurde aus der graphischen
Darstellung bestimmt, um den Magnetoresistanzeffekt des Elements
zu zeigen. Es betrug 5,7 d.h. sein Wert war akzeptabel groß. Es zeigte
sich, dass dieses mehrlagige Gebilde für ein Magnetoresistanzeffektelement
geeignet war.
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[Vergleichsbeispiel 1]
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In
diesem Vergleichsbeispiel bestanden die magnetischen Schichten aus
Co, die nichtmagnetischen Schichten aus Cu. Zur Herstellung des
mehrlagigen Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
Als Substrat diente Quarz.
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Zunächst wurde
auf dem Quarzsubstrat eine Fe-Pufferschicht einer Dicke von 50 Å gebildet.
Danach wurden zum Aufeinanderstapeln von 15 Schichteinheiten jeweils
aus einer nichtmagnetischen Cu-Schicht einer Dicke von 9 Å und einer Co-Schicht
einer Dicke von 7 Å (die
Anzahl der Schichteinheiten beträgt
15) abwechselnd 15mal Cu- und Co-Targets zerstäubt, wobei ein in 1 dargestelltes
mehrlagiges Gebilde erhalten wurde. Die Filmbildungsbedingungen
entsprachen denjenigen des Beispiels 1. Das mehrlagige Gebilde wird
als (Co7Å/Cu9Å)15 bezeichnet.
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Danach
wurde nach dem üblichen
Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt des erhaltenen mehrlagigen
Gebildes bestimmt. Die 10, die der 4 ähnelt, veranschaulicht
das Messergebnis. Das Magnetoresistanzverhältnis ΔR/R wurde aus der graphischen
Darstellung bestimmt, um den Magnetoresistanzeffekt des Elements
zu zeigen. Es betrug 4,4 d.h. sein Wert war im Vergleich zu den
vorhergehenden Beispielen recht niedrig.
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[Vergleichsbeispiel 2]
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In
diesem Vergleichsbeispiel bestanden die magnetischen Schichten aus
Fe, die nichtmagnetischen Schichten aus Cr. Zur Herstellung des
mehrlagigen Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
Als Substrat diente ein MgO(100)-Einkristall.
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Zum
Aufeinanderstapeln von 15 Schichteinheiten jeweils aus einer nichtmagnetischen Cr-Schicht
einer Dicke von 13 Å und
einer Fe-Schicht einer Dicke von 20 Å (die Anzahl der Schichteinheiten
beträgt
15) wurden abwechselnd 15mal Cr- und Fe-Targets
zerstäubt,
wobei ein in 1 dargestelltes mehrlagiges
Gebilde erhalten wurde. Die Filmbildungsbedingun gen entsprachen
denjenigen des Beispiels 1. Das mehrlagige Gebilde wird als (Fe20Å/Cr13Å)15 bezeichnet.
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Danach
wurde nach dem üblichen
Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt des erhaltenen mehrlagigen
Gebildes bestimmt. 11, die 4 ähnelt, veranschaulicht
das Meßergebnis.
Das Magnetoresistanzverhältnis ΔR/R wurde
aus der graphischen Darstellung bestimmt, um den Magnetoresistanzeffekt
des Elements zu zeigen. Es betrug 2,4 d.h. sein Wert war im Vergleich
zu denjenigen der vorhergehenden Beispiele recht niedrig.
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[Beispiel 5]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Fe0,1Co0,9-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cu. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
Die Bedingungen, unter denen das mehrlagige Gebilde hergestellt
wurde, unterschieden sich von denjenigen des Beispiels 1.
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Die
Erfinder der vorliegenden Erfindung haben gefunden, dass das Magnetoresistanzverhältnis des
mehrlagigen Gebildes sehr empfindlich auf die Beschleunigungsspannung
zum Zeitpunkt der Filmbildung reagiert. Folglich erfolgte die Filmbildung
in diesem Beispiel bei der erhöhten
Beschleunigungsspannung von 600 Volt und demselben Strahlstrom von
30 mA. Das erreichte Vakuum und der Ar-Partialdruck entsprachen
den betreffenden Werten in Beispiel 1.
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Zunächst wurde
auf einem Substrat aus einem MgO (110)-Einkristall eine magnetische Fe0,1Co0,9-Schicht
einer Dicke von 10 Å gebildet.
Auf dieser wurde zur Herstellung einer Schichteinheit eine 10 Å dicke
nichtmagnetische Cu-Schicht ausgebildet. Danach wurden nach und
nach auf der ersten Schichteinheit 15 weitere, mit der ersten Schichteinheit identische
Schichteinheiten gebildet, wobei ein mehrlagiges Gebilde mit insgesamt
16 Schichteinheiten erhalten wurde. Das mehrlagige Gebilde wird
als (Fe0,1Co0,910Å/Cu10Å)16 bezeichnet.
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Zu
Vergleichszwecken wurde ein ähnliches mehrlagiges
Gebilde aus 15 Schichteinheiten jeweils aus einer magnetischen Schicht
und einer nichtmagnetischen Schicht hergestellt, wobei jedoch die
magnetischen Schichten aus Co bestanden. Dieses mehrlagige Gebilde
wird als (Co10Å/Cu10Å)16 bezeichnet.
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Anschließend wurde
nach dem bekannten Vierpunktverfahren zur Bestimmung des Magnetoresistanzverhältnisses ΔR/R des (jeweiligen)
mehrlagigen Gebildes der Magnetoresistanzeffekt der einzelnen erhaltenen
mehrlagigen Gebilde bestimmt. Es betrug 39,4 % für (Fe0,1Co0,910Å/Cu10Å)16 bzw. 31,5 % für (Co10Å/Cu10Å)16.
Somit zeigte es sich, dass das magnetische Schichten aus einer Legierung
umfassende (Fe0,1Co0,910Å/Cu10Å)16 ein höheres
Magnetoresistanzverhältnis
aufwies.
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[Beispiel 6]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Fe0,1Co0,9-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus einer CuAu-Legierung. Zur Herstellung
des mehrlagigen Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
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Bei
der Herstellung des mehrlagigen Gebildes wurde unter den Bedingungen
des Beispiels 5 gearbeitet. Zunächst
wurde auf einem Quarzsubstrat eine 50 Å, dicke Fe-Pufferschicht gebildet.
Danach wurde auf dieser eine nichtmagnetische CuAu-Schicht einer Dicke
von 10 Å und
auf der nichtmagnetischen CuAu-Schicht eine magnetische Fe0,1Co0,9-Schicht
einer Dicke von 20 Å gebildet,
um eine Schichteinheit herzustellen. Auf die erste Schichteinheit
wurden nach und nach 15 weitere Schichteinheiten aufgetragen, um
ein mehrlagiges Gebilde mit insgesamt 16 Schichteinheiten herzustellen.
Das mehrlagige Gebilde wird als (Fe0,1Co0,920Å/CuAu10Å)16 bezeichnet.
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Zu
Vergleichszwecken wurde ein ähnliches mehrlagiges
Gebilde aus 16 Schichteinheiten mit jeweils einer magnetischen Schicht
und einer nichtmagnetischen Schicht hergestellt, wobei jedoch die
magnetischen Schichteinheiten aus Co bestanden. Dieses mehrlagige
Gebilde wird als (Co20Å/CuAu10Å)16 bezeichnet.
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Anschließend wurde
zur Bestimmung des Magnetoresistanzverhältnisses ΔR/R des (jeweiligen) mehrlagigen
Gebildes nach dem bekannten Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt
der verschiedenen erhaltenen mehrlagigen Gebilde bestimmt. Es betrug
20,2 % für (Fe0,1Co0,920Å/CuAu10Å)16 bzw. 17,8 % für (Co20Å/CuAu10Å)16.
Dadurch bestätigte
sich, dass das magnetische Schichten aus einer Legierung umfassende
(Fe0,1Co0,920Å/CuAu10Å)16 ein höheres Magnetoresistanzverhältnis aufwies.
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[Beispiel 7]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Fe0,1Co0,9-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Au. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
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Bei
der Herstellung des mehrlagigen Gebildes wurde unter den Bedingungen
des Beispiels 5 gearbeitet. Zunächst
wurde auf einem Quarzsubstrat eine 50 Å dicke Fe-Pufferschicht gebildet.
Danach wurden zur Bildung einer Schichteinheit auf dem Substrat
eine nichtmagnetische Au-Schicht einer Dicke von 10 Å und auf
der nichtmagnetischen Au-Schicht eine 20 Å dicke magnetische Fe0,1Co0,9-Schicht
gebildet. Auf der ersten Schichteinheit wurden dann nach und nach
15 weitere Schicht einheiten ausgebildet, um ein mehrlagiges Gebilde mit
insgesamt 16 Schichteinheiten herzustellen. Das mehrlagige Gebilde
wird als (Fe0,1Co0,920Å/Au10Å)16 bezeichnet.
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Zu
Vergleichszwecken wurde ein ähnliches mehrlagiges
Gebilde mit 16 Schichteinheiten aus jeweils einer magnetischen Schicht
und einer nichtmagnetischen Schicht hergestellt, wobei jedoch die
magnetischen Schichten aus Co bestanden. Dieses mehrlagige Gebilde
wird als (Co20Å/Au10Å)16 bezeichnet.
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Danach
wurde zur Bestimmung des Magnetoresistanzverhältnisses ΔR/R des (jeweiligen) mehrlagigen
Gebildes nach dem bekannten Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt
der verschiedenen erhaltenen mehrlagigen Gebilde bestimmt. Es betrug
15,3 für
(Fe0,1Co0,920Å/Au10Å)16 bzw. 10,8 für (Co20Å/Au10Å)16.
Somit bestätigte
sich, dass die (Fe0,1Co0,920Å/CuAu10Å)16 umfassenden magnetischen Schichten aus
einer Legierung ein höheres Magnetoresistanzverhältnis besaßen.
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[Vergleichsbeispiel 5]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Ni0,8Fe0,2-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cu. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
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Bei
der Herstellung des mehrlagigen Gebildes wurde unter den Bedingungen
des Beispiels 5 gearbeitet. Zunächst
wurde auf dem Quarzsubstrat eine 50 Å dicke Fe-Pufferschicht gebildet.
Danach wurden auf der Pufferschicht eine nichtmagnetische Cu-Schicht einer Dicke
von 10 Å und
auf der nichtmagnetischen Cu-Schicht eine magnetische Ni0,8Fe0,2-Schicht
einer Dicke von ebenfalls 10 Å gebildet,
wobei eine Schichteinheit erhalten wurde. Auf der ersten Schichteinheit
wurden nach und nach weitere 15 Schichteinheiten ausgebildet, um
ein mehrlagiges Gebilde mit insgesamt 16 Schichteinheiten herzustellen.
Das mehrlagige Gebilde wird als (Ni0,8Fe0,210Å/Cu10Å)16 bezeichnet.
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Zu
Vergleichszwecken wurde ein ähnliches mehrlagiges
Gebilde mit 16 Schichteinheiten aus jeweils einer magnetischen Schicht
und einer nichtmagnetischen Schicht hergestellt, wobei jedoch die
magnetischen Schichten aus Ni bestanden. Dieses mehrlagige Gebilde
wird als (Ni10Å/Cu10Å)16 bezeichnet.
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Danach
wurde zur Bestimmung des Magnetoresistanzverhältnisses ΔR/R des (jeweiligen) mehrlagigen
Gebildes nach dem bekannten Vierpunkterfahren der Magnetoresistanzeffekt
der verschiedenen erhaltenen mehrlagigen Gebilde bestimmt. Es betrug
18,3 % für
(Ni0,8Fe0,210Å/Cu10Å)16 bzw. 10,1 % für (Ni10Å/Cu10Å)16.
Somit zeigte es sich, dass das magnetische Schichten aus einer Legierung
umfassende (Ni0,8Fe0,210Å/Cu10Å)16 ein höheres
Magnetoresistanzverhältnis
aufwies.
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[Vergleichsbeispiel 6]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus einer Ni0,8Fe0,2-Legierung,
die nichtmagnetischen Schichten aus Au. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
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Bei
der Herstellung des mehrlagigen Gebildes wurde unter den Bedingungen
des Beispiels 5 gearbeitet. Zunächst
wurde auf dem Quarzsubstrat eine 50 Å dicke Fe-Pufferschicht gebildet.
Danach wurden auf der Pufferschicht eine nichtmagnetische Au-Schicht einer Dicke
von 10 Å und
auf der nichtmagnetischen Au-Schicht eine 20 Å dicke magnetische Ni0,8Fe0,2-Schicht
ausgebildet, um eine Schichteinheit herzustellen. Auf der ersten
Schichteinheit wurden zur Herstellung eines mehrlagigen Gebildes
mit insgesamt 16 Schichteinheiten nach und nach 15 weitere Schichteinheiten
ausgebildet. Das Verbundgebilde wird als (Ni0,8Fe0,220Å/Au10Å)16 bezeichnet.
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Zu
Vergleichszwecken wurde ein ähnliches mehrlagiges
Gebilde mit 16 Schichteinheiten aus jeweils einer magnetischen Schicht
und einer nichtmagnetischen Schicht hergestellt, wobei jedoch die
magnetischen Schichten aus Ni bestanden. Dieses mehrlagige Gebilde
wird als (Ni20Å/Au10Å)16 bezeichnet.
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Danach
wurde zur Bestimmung des Magnetoresistanzverhältnisses ΔR/R des (jeweiligen) mehrlagigen
Gebildes nach dem bekannten Vierpunktverfahren der Magnetoresistanzeffekt
der verschiedenen hergestellten mehrlagigen Gebilde bestimmt. Es betrug
13,4 für
(Ni0,8Fe0,220Å/Au10Å)16 bzw. 8,2 für (Ni20Å/Au10Å)16.
Somit bestätigt
sich, dass die (Ni0,8Fe0,220Å/Au10Å)16 umfassenden magnetischen Schichten aus
einer Legierung ein höheres
Magnetoresistanzverhältnis
besaßen.
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[Vergleichsbeispiel 7]
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In
diesem Beispiel bestanden die magnetischen Schichten aus Ni0,8Fe0,2-Permalloy,
die nichtmagnetischen Schichten aus Cu. Zur Herstellung des mehrlagigen
Gebildes bediente man sich eines Ionenstrahlzerstäubungsverfahrens.
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Ein
MgO (110)-Einkristallsubstrat wurde in eine Kammer gelegt, worauf
das Kammerinnere auf 6,65 × 10–5 Nm–2 (5 × 10–7 Torr)
evakuiert wurde. Dann wurde in die Kammer zur Druckerhöhung auf
1 × 10–9 Torr
gasförmiges
Argon eingeleitet. Die Zerstäubung
erfolgte bei einer Beschleunigungsspannung von 700 Volt und einem
Strahlstrom von 30 mA. Es wurden zwei unterschiedliche Arten von
Targets aus Ni0,8Fe0,2-Legierung
bzw. Cu verwendet. Zunächst
wurde auf dem MgO (110)-Substrat eine magnetische Ni0,8Fe0,2-Schicht gebildet. Auf letzterer wurde
zur Herstellung einer Schichteinheit eine nichtmagnetische Kupfer
(Cu)-Schicht ausgebildet. Anschließend wurden auf der ersten
Schichteinheit zur Herstellung eines mehrlagigen Gebildes mit insgesamt
16 Schichteinheiten nach und nach 15 weitere Schichteinheiten hergestellt.
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Die 12 zeigt
eine Drehmomentkurve des mehrlagigen Gebildes. Da die Drehmomentkuve – wie aus 12 hervorgeht – von zweifacher
Symmetrie ist, hat es sich gezeigt, dass die magnetischen Schichten
eine in der Ebene liegende uniaxiale magnetische Anisotropie aufweisen.
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13 ist
eine graphische Darstellung des Magnetoresistanzeffekts des Elements
längs der Achse
der leichten Magnetisierung der magnetischen Schichten. Es hat sich
gezeigt, dass das Sättigungsmagnetfeld
HS des Elements nur 1,2 kOe bei einem Magnetoresistanzverhältnis von
16,7 beträgt
(vgl. 13).
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Wird
das mehrlagige Gebilde desselben Aufbaus wie ihn das zuvor beschriebene
mehrlagige Gebilde aufweist, auf einem SiO2-Substrat hergestellt, zeigte
es sich, dass keine uniaxiale magnetische Anisotropie erreicht wurde
und dass sein Magnetoresistanzverhältnis (nur) 5,5 % betrug.
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Wie
aus 13 hervorgeht, begann sich die Resistanz des Elements
bei etwa 1,0 kOe zu ändern. Bei
einer (nur) geringen Änderung
von etwa 20 Oe im Magnetfeld, kam es zu einer raschen Sättigung.
Dies führt
dazu, dass der Anstieg und Abfall (der Kurve) sehr scharf verlaufen.
Unter Ausnutzung dieser scharf ansteigenden und abfallenden Bereiche
dürfte sich
ein hochempfindlicher Magnetfeldsensor herstellen lassen.