JP3242279B2 - 巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法 - Google Patents
巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法Info
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- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド、位置セン
サ、回転センサ等に用いられる磁気抵抗効果素子用の巨
大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方
法に関する。
サ、回転センサ等に用いられる磁気抵抗効果素子用の巨
大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の用途に用いられている磁
気抵抗（ＭＲ）効果材料として、Ｎｉ-Ｆｅ合金薄膜
（パーマロイ薄膜）が知られているが、パーマロイ薄膜
の抵抗変化率は２〜３％が一般的である。従って、今
後、磁気記録における線記録密度およびトラック密度の
向上あるいは磁気センサにおける高分解能化に対応する
ためには、より抵抗変化率（ＭＲ比）の大きい磁気抵抗
効果材料が望まれている。
気抵抗（ＭＲ）効果材料として、Ｎｉ-Ｆｅ合金薄膜
（パーマロイ薄膜）が知られているが、パーマロイ薄膜
の抵抗変化率は２〜３％が一般的である。従って、今
後、磁気記録における線記録密度およびトラック密度の
向上あるいは磁気センサにおける高分解能化に対応する
ためには、より抵抗変化率（ＭＲ比）の大きい磁気抵抗
効果材料が望まれている。
【０００３】ところで近年、巨大磁気抵抗効果と呼ばれ
る現象が、Ｆｅ／Ｃｒ交互積層膜、あるいは、Ｃｏ／Ｃ
ｕ交互積層膜などの多層薄膜で発見されている。これら
の多層薄膜においては、ＦｅやＣｏなどからなる各強磁
性金属層の磁化がＣｒやＣｕなどからなる非磁性金属層
を介して磁気的な相互作用を起こし、積層された上下の
強磁性金属層の磁化が、外部磁場のないときは反平行状
態を保つように結合している。即ち、これらの構造にお
いては、非磁性金属層を介して交互に積層された強磁性
金属層が、一層毎に磁化の向きを反対方向に向けて積層
されている。そして、これらの構造においては、適当な
外部磁界が印加されると、各強磁性金属層の磁化の向き
が同じ方向に揃うように変化する。
る現象が、Ｆｅ／Ｃｒ交互積層膜、あるいは、Ｃｏ／Ｃ
ｕ交互積層膜などの多層薄膜で発見されている。これら
の多層薄膜においては、ＦｅやＣｏなどからなる各強磁
性金属層の磁化がＣｒやＣｕなどからなる非磁性金属層
を介して磁気的な相互作用を起こし、積層された上下の
強磁性金属層の磁化が、外部磁場のないときは反平行状
態を保つように結合している。即ち、これらの構造にお
いては、非磁性金属層を介して交互に積層された強磁性
金属層が、一層毎に磁化の向きを反対方向に向けて積層
されている。そして、これらの構造においては、適当な
外部磁界が印加されると、各強磁性金属層の磁化の向き
が同じ方向に揃うように変化する。
【０００４】前記の構造において、各強磁性金属層の磁
化が反平行状態の場合と平行状態の場合では、Ｆｅ強磁
性金属層とＣｒ非磁性金属層の界面、あるいは、Ｃｏ強
磁性金属層とＣｕ非磁性金属層の界面における伝導電子
の散乱のされ方が、伝導電子のスピンに依存して異なる
といわれている。従ってこの機構に基づくと、各強磁性
金属層の磁化の向きが反平行状態の時は電気抵抗が高
く、平行状態の時は電気抵抗が低くなり、抵抗変化率と
して従来のパーマロイ薄膜を上回る、いわゆる、巨大磁
気抵抗効果を発生する。このように、これらの多層薄膜
は、従来のＮｉ-Ｆｅの単層薄膜とは根本的に異なるＭ
Ｒ発生機構を有している。
化が反平行状態の場合と平行状態の場合では、Ｆｅ強磁
性金属層とＣｒ非磁性金属層の界面、あるいは、Ｃｏ強
磁性金属層とＣｕ非磁性金属層の界面における伝導電子
の散乱のされ方が、伝導電子のスピンに依存して異なる
といわれている。従ってこの機構に基づくと、各強磁性
金属層の磁化の向きが反平行状態の時は電気抵抗が高
く、平行状態の時は電気抵抗が低くなり、抵抗変化率と
して従来のパーマロイ薄膜を上回る、いわゆる、巨大磁
気抵抗効果を発生する。このように、これらの多層薄膜
は、従来のＮｉ-Ｆｅの単層薄膜とは根本的に異なるＭ
Ｒ発生機構を有している。
【０００５】しかしながら、これらの多層膜において
は、各強磁性金属層の磁化の向きを反平行とするように
作用する強磁性金属層間の磁気的相互作用が強すぎるた
めに、各強磁性金属層の磁化の向きを平行に揃えるため
には、非常に大きな外部磁界を作用させなくてはならな
い問題がある。従って、強い磁界をかけないと大きな抵
抗変化が起こらないことになり、磁気ヘッドなどのよう
に磁気記録媒体からの微小な磁界を検出する装置に適用
した場合に満足な高い感度が得られないという問題があ
った。
は、各強磁性金属層の磁化の向きを反平行とするように
作用する強磁性金属層間の磁気的相互作用が強すぎるた
めに、各強磁性金属層の磁化の向きを平行に揃えるため
には、非常に大きな外部磁界を作用させなくてはならな
い問題がある。従って、強い磁界をかけないと大きな抵
抗変化が起こらないことになり、磁気ヘッドなどのよう
に磁気記録媒体からの微小な磁界を検出する装置に適用
した場合に満足な高い感度が得られないという問題があ
った。
【０００６】この問題を解決するためには、強磁性金属
層間に働く磁気的な相互作用を過度に強くしないよう
に、ＣｒやＣｕなどからなる非磁性金属層の厚さを調整
し、各強磁性金属層の磁化の向きの相対的な方向を磁気
的相互作用とは別の方法により制御することが有効と思
われる。従来、このような磁化の相対的な方向制御技術
として、ＦｅＭｎなどの反強磁性層を設けることによ
り、一方の強磁性金属層の磁化の向きを固定し、この強
磁性金属層の磁化の向きが外部磁界に対して動き難いよ
うに構成し、他方の強磁性金属層の磁化の向きを自由に
動けるように構成することにより、微小な磁界による動
作を可能にした技術が提案されている。
層間に働く磁気的な相互作用を過度に強くしないよう
に、ＣｒやＣｕなどからなる非磁性金属層の厚さを調整
し、各強磁性金属層の磁化の向きの相対的な方向を磁気
的相互作用とは別の方法により制御することが有効と思
われる。従来、このような磁化の相対的な方向制御技術
として、ＦｅＭｎなどの反強磁性層を設けることによ
り、一方の強磁性金属層の磁化の向きを固定し、この強
磁性金属層の磁化の向きが外部磁界に対して動き難いよ
うに構成し、他方の強磁性金属層の磁化の向きを自由に
動けるように構成することにより、微小な磁界による動
作を可能にした技術が提案されている。
【０００７】図１５は、特開平６ー６０３３６号公報に
開示されているこの種の技術を応用した構造の磁気抵抗
センサの一例を示すものである。図１５に示す磁気抵抗
センサＡは、非磁性の基板１に、第１の磁性層２と非磁
性スペーサ３と第２の磁性層４と反強磁性層５を積層し
て構成されるものであり、第２の磁性層４の磁化の向き
Ｂが反強磁性層５による磁気的交換結合により固定され
るとともに、第１の磁性層２の磁化の向きＣが、印加磁
界がない時に第２の磁性層４の磁化の向きＢに対して直
角に向けられている。ただし、この第１の磁性層２の磁
化の向きＣは固定されないので外部磁界により回転でき
るようになっている。
開示されているこの種の技術を応用した構造の磁気抵抗
センサの一例を示すものである。図１５に示す磁気抵抗
センサＡは、非磁性の基板１に、第１の磁性層２と非磁
性スペーサ３と第２の磁性層４と反強磁性層５を積層し
て構成されるものであり、第２の磁性層４の磁化の向き
Ｂが反強磁性層５による磁気的交換結合により固定され
るとともに、第１の磁性層２の磁化の向きＣが、印加磁
界がない時に第２の磁性層４の磁化の向きＢに対して直
角に向けられている。ただし、この第１の磁性層２の磁
化の向きＣは固定されないので外部磁界により回転でき
るようになっている。
【０００８】図１５に示す構造に対して印加磁界ｈを付
加すると、印加磁界ｈの方向に応じて第１の磁性層２の
磁化の向きＣが点線矢印の如く回転するので、第１の磁
性層２と第２の磁性層４との間で磁化に角度差が生じる
ことになるために、抵抗変化が起こり、これにより磁場
検出ができるようになる。
加すると、印加磁界ｈの方向に応じて第１の磁性層２の
磁化の向きＣが点線矢印の如く回転するので、第１の磁
性層２と第２の磁性層４との間で磁化に角度差が生じる
ことになるために、抵抗変化が起こり、これにより磁場
検出ができるようになる。
【０００９】次に、一方の磁性層の磁化の向きを固定
し、他方の磁性層の磁化の向きを自由とした構成の磁気
抵抗センサの他の例として、図１６に示すように、基板
６上にＮｉＯの反強磁性層７と、Ｎｉ-Ｆｅの磁性層８
と、Ｃｕの非磁性金属層９と、Ｎｉ-Ｆｅの磁性層１０
と、Ｃｕの非磁性金属層１１と、Ｎｉ-Ｆｅの磁性層１
２と、ＦｅＭｎの反強磁性層１３を順次積層した構造の
磁気抵抗センサＢが知られている。この例の構造におい
ては、反強磁性層７、１３によりそれらに隣接する強磁
性金属層８、１２の磁化がそれぞれ固定され、強磁性金
属層８、１２の間に非磁性金属層９、１１を介して挟ま
れた強磁性金属層１０の磁化が外部磁界に応じて回転可
能に構成されている。
し、他方の磁性層の磁化の向きを自由とした構成の磁気
抵抗センサの他の例として、図１６に示すように、基板
６上にＮｉＯの反強磁性層７と、Ｎｉ-Ｆｅの磁性層８
と、Ｃｕの非磁性金属層９と、Ｎｉ-Ｆｅの磁性層１０
と、Ｃｕの非磁性金属層１１と、Ｎｉ-Ｆｅの磁性層１
２と、ＦｅＭｎの反強磁性層１３を順次積層した構造の
磁気抵抗センサＢが知られている。この例の構造におい
ては、反強磁性層７、１３によりそれらに隣接する強磁
性金属層８、１２の磁化がそれぞれ固定され、強磁性金
属層８、１２の間に非磁性金属層９、１１を介して挟ま
れた強磁性金属層１０の磁化が外部磁界に応じて回転可
能に構成されている。
【００１０】図１５あるいは図１６に示す構造の磁気抵
抗センサであると、微小な印加磁界の変化に対して磁気
抵抗センサＡと磁気抵抗センサＢの電気抵抗が直線的に
感度良く変化する。また、第１の磁性層２としてＮｉ-
Ｆｅなどの軟磁性材料を用いると、その軟磁気特性を利
用でき、ヒステリシスが少ないなどの利点を有する。
抗センサであると、微小な印加磁界の変化に対して磁気
抵抗センサＡと磁気抵抗センサＢの電気抵抗が直線的に
感度良く変化する。また、第１の磁性層２としてＮｉ-
Ｆｅなどの軟磁性材料を用いると、その軟磁気特性を利
用でき、ヒステリシスが少ないなどの利点を有する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１５
あるいは図１６に示す構造の磁気抵抗センサはＦｅＭｎ
の反強磁性層５で隣接する第２の磁性層４の磁化を固定
するか、上下のＦｅＭｎとＮｉＯの反強磁性層７、１３
でそれらの間の強磁性金属層８、１２の磁化を固定し、
それらの間の磁性層１０の磁化を自由にする構造である
ので、巨大磁気抵抗効果に寄与するＮｉ-Ｆｅ（磁性
層）／Ｃｕ（非磁性金属層）の界面の数を多くできない
制約があり、ＭＲ比の大きさに制約を生じる問題があっ
た。また、反強磁性層５、７の構成材料として用いられ
るＦｅＭｎは、耐食性および耐環境性の面から見て不利
な問題がある。
あるいは図１６に示す構造の磁気抵抗センサはＦｅＭｎ
の反強磁性層５で隣接する第２の磁性層４の磁化を固定
するか、上下のＦｅＭｎとＮｉＯの反強磁性層７、１３
でそれらの間の強磁性金属層８、１２の磁化を固定し、
それらの間の磁性層１０の磁化を自由にする構造である
ので、巨大磁気抵抗効果に寄与するＮｉ-Ｆｅ（磁性
層）／Ｃｕ（非磁性金属層）の界面の数を多くできない
制約があり、ＭＲ比の大きさに制約を生じる問題があっ
た。また、反強磁性層５、７の構成材料として用いられ
るＦｅＭｎは、耐食性および耐環境性の面から見て不利
な問題がある。
【００１２】次に、図１５と図１６に示す構造の磁気抵
抗センサの変形的な構造例として、図１７に示すよう
に、ガラス基板１５上に、Ｃｕの非磁性層１６とＣｏの
硬質磁性材料層１７とＣｕの非磁性層１８とＮｉ-Ｆｅ
の軟質磁性材料膜１９を複数回繰り返し積層した構造が
知られている。図１７に示す構造の磁気抵抗センサは、
硬質磁性材料膜１７と軟質磁性材料膜１９の保磁力差を
利用し、非磁性層１８の厚さを所定の厚さに調整するこ
とで、両磁性層１７、１９の磁化の向きを平行にあるい
は反平行にすることができ、これにより巨大磁気抵抗効
果を得ることができる。そしてこの構造の磁気抵抗セン
サは、積層数を自由に変更できるので、図１５と図１６
に示す構造の磁気抵抗センサよりも大きなＭＲ比を得る
ことができる特徴がある。
抗センサの変形的な構造例として、図１７に示すよう
に、ガラス基板１５上に、Ｃｕの非磁性層１６とＣｏの
硬質磁性材料層１７とＣｕの非磁性層１８とＮｉ-Ｆｅ
の軟質磁性材料膜１９を複数回繰り返し積層した構造が
知られている。図１７に示す構造の磁気抵抗センサは、
硬質磁性材料膜１７と軟質磁性材料膜１９の保磁力差を
利用し、非磁性層１８の厚さを所定の厚さに調整するこ
とで、両磁性層１７、１９の磁化の向きを平行にあるい
は反平行にすることができ、これにより巨大磁気抵抗効
果を得ることができる。そしてこの構造の磁気抵抗セン
サは、積層数を自由に変更できるので、図１５と図１６
に示す構造の磁気抵抗センサよりも大きなＭＲ比を得る
ことができる特徴がある。
【００１３】ところが、図１７に示す構造の磁気抵抗セ
ンサは、硬質磁性材料膜１７の保磁力が大きい場合はＭ
Ｒ比は大きく出るが、一方で漏れ磁束が多くなり、この
影響によって軟質磁性材料膜１９の保磁力も大きくな
り、その結果としてＭＲセンサとしての感度（単位磁界
あたりの抵抗変化率）が劣化してしまう問題があった。
そこでこの問題を解決するために本発明者らが研究を重
ねた結果、硬質磁性材料膜１７の高い保磁力が軟質磁性
材料膜に影響するのは、硬質磁性材料膜１９からの漏洩
磁界により軟質磁性材料膜１９の異方性分散が大きくな
るためであるとの結論に至った。また、硬質磁性材料膜
１７と軟質磁性材料膜１９との間で静磁気的な結合が生
じ、軟質磁性材料膜１９の磁化反転が硬質磁性材料膜１
７により抑制されるためであるとの結論に至った。
ンサは、硬質磁性材料膜１７の保磁力が大きい場合はＭ
Ｒ比は大きく出るが、一方で漏れ磁束が多くなり、この
影響によって軟質磁性材料膜１９の保磁力も大きくな
り、その結果としてＭＲセンサとしての感度（単位磁界
あたりの抵抗変化率）が劣化してしまう問題があった。
そこでこの問題を解決するために本発明者らが研究を重
ねた結果、硬質磁性材料膜１７の高い保磁力が軟質磁性
材料膜に影響するのは、硬質磁性材料膜１９からの漏洩
磁界により軟質磁性材料膜１９の異方性分散が大きくな
るためであるとの結論に至った。また、硬質磁性材料膜
１７と軟質磁性材料膜１９との間で静磁気的な結合が生
じ、軟質磁性材料膜１９の磁化反転が硬質磁性材料膜１
７により抑制されるためであるとの結論に至った。
【００１４】本発明は前記事情に鑑みてなされたもので
あり、図１５あるいは図１６に示す従来構造ではできな
かった磁性層の多層膜構造を実現できる積層構造にする
ことにより、高いＭＲ比を得ることができると同時に、
図１７に示す従来構造では避けられなかった硬質磁性材
料層の漏洩磁界の問題を解消してＭＲセンサとしての感
度低下を防止した巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材
料膜の磁化の調整方法を提供することを目的とする。
あり、図１５あるいは図１６に示す従来構造ではできな
かった磁性層の多層膜構造を実現できる積層構造にする
ことにより、高いＭＲ比を得ることができると同時に、
図１７に示す従来構造では避けられなかった硬質磁性材
料層の漏洩磁界の問題を解消してＭＲセンサとしての感
度低下を防止した巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材
料膜の磁化の調整方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は前
記課題を解決するために、磁性材料膜と非磁性材料膜を
複数積層した巨大磁気抵抗材料膜であって非磁性膜を介
してその両側に設けられる磁性材料膜のうち、一方の磁
性材料膜を硬質磁性材料膜から構成し、他方の磁性材料
膜を軟質磁性材料膜から構成するとともに、前記非磁性
膜と硬質磁性材料膜との間に高飽和磁束密度を有する第
３の強磁性材料膜を設けてなるものである。
記課題を解決するために、磁性材料膜と非磁性材料膜を
複数積層した巨大磁気抵抗材料膜であって非磁性膜を介
してその両側に設けられる磁性材料膜のうち、一方の磁
性材料膜を硬質磁性材料膜から構成し、他方の磁性材料
膜を軟質磁性材料膜から構成するとともに、前記非磁性
膜と硬質磁性材料膜との間に高飽和磁束密度を有する第
３の強磁性材料膜を設けてなるものである。
【００１６】請求項２記載の発明は前記課題を解決する
ために、基板上に、硬質磁性材料膜と第３の強磁性材料
膜と非磁性膜と軟質磁性材料膜とを積層したユニット積
層膜を、複数、非磁性膜あるいは非磁性膜と軟質磁性材
料膜を介して繰り返し積層してなるものである。
ために、基板上に、硬質磁性材料膜と第３の強磁性材料
膜と非磁性膜と軟質磁性材料膜とを積層したユニット積
層膜を、複数、非磁性膜あるいは非磁性膜と軟質磁性材
料膜を介して繰り返し積層してなるものである。
【００１７】請求項３記載の発明においては、前記発明
における第３の強磁性材料膜としてＣｏ、Ｃｏ-Ｆｅ合
金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎｉ-Ｆｅ合金のうちから選
択されるいずれかからなるものを用いることが好まし
く、請求項４記載の発明においては、硬質磁性材料膜の
構成材料として、Ｃｏ-Ｐｔ合金、Ｃｏ-Ｃｒ合金のいず
れかを主成分とし、微量の添加元素を含む合金を用いる
ことが好ましく、請求項５記載の発明においては、軟質
磁性材料膜の構成材料として、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｆ
ｅ-Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモルファス合金のいずれかから
なるものを用いることが好ましい。更に請求項６記載の
発明においては、前記の発明の硬質磁性材料膜の厚さに
対し、第３の強磁性材料膜の厚さを比率で０.５〜２の
範囲とすることが好ましい。
における第３の強磁性材料膜としてＣｏ、Ｃｏ-Ｆｅ合
金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎｉ-Ｆｅ合金のうちから選
択されるいずれかからなるものを用いることが好まし
く、請求項４記載の発明においては、硬質磁性材料膜の
構成材料として、Ｃｏ-Ｐｔ合金、Ｃｏ-Ｃｒ合金のいず
れかを主成分とし、微量の添加元素を含む合金を用いる
ことが好ましく、請求項５記載の発明においては、軟質
磁性材料膜の構成材料として、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｆ
ｅ-Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモルファス合金のいずれかから
なるものを用いることが好ましい。更に請求項６記載の
発明においては、前記の発明の硬質磁性材料膜の厚さに
対し、第３の強磁性材料膜の厚さを比率で０.５〜２の
範囲とすることが好ましい。
【００１８】次に請求項７記載の発明は、請求項１〜６
のいずれかに記載の軟質磁性材料膜と非磁性膜との間
に、第４の強磁性材料膜を介在させたものである。更に
請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載
の第３の強磁性材料膜と硬質磁性材料膜との間に、厚さ
３０オングストローム以下の非磁性薄膜を介在させたも
のである。
のいずれかに記載の軟質磁性材料膜と非磁性膜との間
に、第４の強磁性材料膜を介在させたものである。更に
請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載
の第３の強磁性材料膜と硬質磁性材料膜との間に、厚さ
３０オングストローム以下の非磁性薄膜を介在させたも
のである。
【００１９】また、前記第４の強磁性材料膜を有するも
の、あるいは、厚さ３０オングストローム以下の非磁性
膜を有するものを、非磁性膜または非磁性膜と第３の強
磁性材料膜を介して繰り返し積層してなる構成とするこ
ともできる。
の、あるいは、厚さ３０オングストローム以下の非磁性
膜を有するものを、非磁性膜または非磁性膜と第３の強
磁性材料膜を介して繰り返し積層してなる構成とするこ
ともできる。
【００２０】次に本発明方法は、磁性材料膜と非磁性膜
を複数積層し、非磁性膜を介してその両側に設けられる
磁性材料膜のうち、一方の磁性材料膜を硬質磁性材料膜
から構成し、他方の磁性材料膜を軟質磁性材料膜から構
成するとともに非磁性膜の厚さを調整して硬質磁性材料
膜と軟質磁性材料膜の磁化の向きを相対的に自由にする
一方、前記非磁性膜と硬質磁性材料膜との間に高飽和磁
束密度の第３の強磁性材料膜を設けて硬質磁性材料膜か
らの漏洩磁界を遮り、積層膜全体の保磁力を低くするも
のである。
を複数積層し、非磁性膜を介してその両側に設けられる
磁性材料膜のうち、一方の磁性材料膜を硬質磁性材料膜
から構成し、他方の磁性材料膜を軟質磁性材料膜から構
成するとともに非磁性膜の厚さを調整して硬質磁性材料
膜と軟質磁性材料膜の磁化の向きを相対的に自由にする
一方、前記非磁性膜と硬質磁性材料膜との間に高飽和磁
束密度の第３の強磁性材料膜を設けて硬質磁性材料膜か
らの漏洩磁界を遮り、積層膜全体の保磁力を低くするも
のである。
【００２１】
【作用】本発明においては、硬質磁性材料膜と非磁性膜
との間に第３の強磁性層が設けられているので、硬質磁
性材料膜からの漏洩磁界が低減される。よって第３の強
磁性材料膜と非磁性膜を介して設けられた軟質磁性材料
膜は、漏洩磁界の影響を受け難くなる。よって軟質磁性
材料膜の磁化反転が硬質磁性材料膜により抑制されるこ
とがなくなり、軟質磁性材料膜の磁化反転が容易になさ
れるようになる。
との間に第３の強磁性層が設けられているので、硬質磁
性材料膜からの漏洩磁界が低減される。よって第３の強
磁性材料膜と非磁性膜を介して設けられた軟質磁性材料
膜は、漏洩磁界の影響を受け難くなる。よって軟質磁性
材料膜の磁化反転が硬質磁性材料膜により抑制されるこ
とがなくなり、軟質磁性材料膜の磁化反転が容易になさ
れるようになる。
【００２２】前記の構造において、より好ましいＭＲ特
性を発揮させるためには、第３の強磁性材料膜として、
Ｃｏ、Ｃｏ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎｉ-Ｆｅ
合金のうちから選択されるいずれかからなるものを用い
ることが好ましい。また、同様な理由から、硬質磁性材
料膜の構成材料として、Ｃｏ-Ｐｔ合金、Ｃｏ-Ｃｒ合金
のいずれかを主成分とし、微量の添加元素を含む合金を
用いることが好ましい。更に同様な理由から、軟質磁性
材料膜の構成材料として、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｆｅ-
Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモルファス合金のいずれかからなる
ものを用いることが好ましい。
性を発揮させるためには、第３の強磁性材料膜として、
Ｃｏ、Ｃｏ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎｉ-Ｆｅ
合金のうちから選択されるいずれかからなるものを用い
ることが好ましい。また、同様な理由から、硬質磁性材
料膜の構成材料として、Ｃｏ-Ｐｔ合金、Ｃｏ-Ｃｒ合金
のいずれかを主成分とし、微量の添加元素を含む合金を
用いることが好ましい。更に同様な理由から、軟質磁性
材料膜の構成材料として、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｆｅ-
Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモルファス合金のいずれかからなる
ものを用いることが好ましい。
【００２３】次に、硬質磁性材料膜に接触させて第３の
強磁性材料膜を設けると、第３の強磁性層も硬質磁性材
料膜からの影響により硬質磁性材料膜としての性質を若
干帯びてくるおそれがあるので、この問題を解決するた
めに、硬質磁性材料膜と第３の強磁性材料膜との間に３
０オングストローム以下の厚さの非磁性薄膜を更に設け
ることで、硬質磁性材料膜の影響を抑える。ここで非磁
性薄膜を厚さ３０オングストローム以下とするのは、硬
質磁性材料膜と第３の強磁性材料膜との間に、両者の磁
化を平行に揃えようとする静磁気、あるいは間接交換相
互作用を生じさせるためである。
強磁性材料膜を設けると、第３の強磁性層も硬質磁性材
料膜からの影響により硬質磁性材料膜としての性質を若
干帯びてくるおそれがあるので、この問題を解決するた
めに、硬質磁性材料膜と第３の強磁性材料膜との間に３
０オングストローム以下の厚さの非磁性薄膜を更に設け
ることで、硬質磁性材料膜の影響を抑える。ここで非磁
性薄膜を厚さ３０オングストローム以下とするのは、硬
質磁性材料膜と第３の強磁性材料膜との間に、両者の磁
化を平行に揃えようとする静磁気、あるいは間接交換相
互作用を生じさせるためである。
【００２４】以下に本発明について更に詳細に説明す
る。図１は本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の第１の構
造例を示すもので、この例の巨大磁気抵抗効材料膜Ｄ
は、非磁性体の基板２０上に、硬質磁性材料膜２１と第
３の強磁性材料膜２２と非磁性膜２３と軟質磁性材料膜
２４とが順次積層された構造にされている。
る。図１は本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の第１の構
造例を示すもので、この例の巨大磁気抵抗効材料膜Ｄ
は、非磁性体の基板２０上に、硬質磁性材料膜２１と第
３の強磁性材料膜２２と非磁性膜２３と軟質磁性材料膜
２４とが順次積層された構造にされている。
【００２５】前記基板２０は、ガラス、Ｓｉ、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＣ、ＳｉＣ、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＣとの燒結体、
Ｚｎフェライトなどに代表される非磁性材料から構成さ
れる。なお、基板２０の上面には、基板上面の凹凸やう
ねりを除去する目的であるいはその上に積層される膜の
結晶整合性を良好にするなどの目的で被覆層やバッファ
層を適宜設けても良い。
2Ｏ3、ＴｉＣ、ＳｉＣ、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＣとの燒結体、
Ｚｎフェライトなどに代表される非磁性材料から構成さ
れる。なお、基板２０の上面には、基板上面の凹凸やう
ねりを除去する目的であるいはその上に積層される膜の
結晶整合性を良好にするなどの目的で被覆層やバッファ
層を適宜設けても良い。
【００２６】前記硬質磁性材料膜２１は、Ｃｏ-Ｐｔ合
金、Ｃｏ-Ｃｒ合金のいずれかを主成分とし、微量の添
加元素を含む合金からなり、数１０オングストローム程
度の厚さに形成されている。前記第３の強磁性材料膜２
２は、Ｃｏ、Ｃｏ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎ
ｉ-Ｆｅ合金のうちから選択されるいずれかからなり、
前記硬質磁性材料膜２１の厚さの０.５〜２倍の範囲の
厚さ、具体的には１０〜２００オングストロームの厚さ
に形成されている。
金、Ｃｏ-Ｃｒ合金のいずれかを主成分とし、微量の添
加元素を含む合金からなり、数１０オングストローム程
度の厚さに形成されている。前記第３の強磁性材料膜２
２は、Ｃｏ、Ｃｏ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎ
ｉ-Ｆｅ合金のうちから選択されるいずれかからなり、
前記硬質磁性材料膜２１の厚さの０.５〜２倍の範囲の
厚さ、具体的には１０〜２００オングストロームの厚さ
に形成されている。
【００２７】前記非磁性膜２３は、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕなどに代表される非磁性体からなり、２０〜４０オ
ングストロームの厚さに形成されている。ここで非磁性
膜２３の厚さが２０オングストロームより薄いと、硬質
磁性材料膜２１と軟質磁性材料膜２４との間で磁気的結
合が起こりやすくなる。また、非磁性材料膜２３が４０
オングストロームより厚いと磁気抵抗効果を生じる要因
である非磁性材料膜と磁性材料膜の界面を通過する伝導
電子の効率が低下し、即ち、電流の分流効果により磁気
抵抗効果が低減されてしまうので好ましくない。
Ｃｕなどに代表される非磁性体からなり、２０〜４０オ
ングストロームの厚さに形成されている。ここで非磁性
膜２３の厚さが２０オングストロームより薄いと、硬質
磁性材料膜２１と軟質磁性材料膜２４との間で磁気的結
合が起こりやすくなる。また、非磁性材料膜２３が４０
オングストロームより厚いと磁気抵抗効果を生じる要因
である非磁性材料膜と磁性材料膜の界面を通過する伝導
電子の効率が低下し、即ち、電流の分流効果により磁気
抵抗効果が低減されてしまうので好ましくない。
【００２８】前記軟質磁性材料膜２４は、Ｎｉ-Ｆｅ合
金、Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモルファス合金のい
ずれかからなり、数１０オングストローム程度の厚さに
形成されている。ここで用いられるＣｏ系アモルファス
合金としてより具体的には、Ｃｏ-（Ｚｒ,Ｈｆ）-（Ｎ
ｂ,Ｔａ）系などに代表される軟磁気特性に優れたもの
である。
金、Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモルファス合金のい
ずれかからなり、数１０オングストローム程度の厚さに
形成されている。ここで用いられるＣｏ系アモルファス
合金としてより具体的には、Ｃｏ-（Ｚｒ,Ｈｆ）-（Ｎ
ｂ,Ｔａ）系などに代表される軟磁気特性に優れたもの
である。
【００２９】図１に示す構造の巨大磁気抵抗材料膜Ｄに
あっては、非磁性膜２３を前述の厚さに形成することで
その周囲の各磁性材料膜の磁化が各々独立して挙動でき
るようにされている。従って、軟質磁性材料膜２４の磁
化と硬質磁性材料膜２１の磁化が外部磁界に応じて各々
独立に挙動し、相互の磁化の向きが平行状態と反平行状
態との間で容易に変化するので、巨大磁気抵抗効果によ
り大きな抵抗変化率（ＭＲ比）が得られる。そして更に
前記の構造においては、硬質磁性材料膜２１の上に第３
の強磁性材料膜２２を設けているので、硬質磁性材料膜
２１からの漏洩磁界を遮ることができ、これにより巨大
磁気抵抗材料膜Ｄの全体における漏洩磁界を少なくする
ことができる。従って、軟質磁性材料膜２４の磁化が小
さな外部磁界に応じて硬質磁性材料膜２１の磁化とは各
々独立に挙動し、微小磁界でも相互の磁化の向きが平行
状態と反平行状態との間で容易に変化する。
あっては、非磁性膜２３を前述の厚さに形成することで
その周囲の各磁性材料膜の磁化が各々独立して挙動でき
るようにされている。従って、軟質磁性材料膜２４の磁
化と硬質磁性材料膜２１の磁化が外部磁界に応じて各々
独立に挙動し、相互の磁化の向きが平行状態と反平行状
態との間で容易に変化するので、巨大磁気抵抗効果によ
り大きな抵抗変化率（ＭＲ比）が得られる。そして更に
前記の構造においては、硬質磁性材料膜２１の上に第３
の強磁性材料膜２２を設けているので、硬質磁性材料膜
２１からの漏洩磁界を遮ることができ、これにより巨大
磁気抵抗材料膜Ｄの全体における漏洩磁界を少なくする
ことができる。従って、軟質磁性材料膜２４の磁化が小
さな外部磁界に応じて硬質磁性材料膜２１の磁化とは各
々独立に挙動し、微小磁界でも相互の磁化の向きが平行
状態と反平行状態との間で容易に変化する。
【００３０】図２は本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の
第２の構造例を示すもので、この例の巨大磁気抵抗効材
料膜Ｅは、非磁性体の基板２０上に、硬質磁性材料膜２
１と第３の強磁性材料膜２２と非磁性膜２３と第４の強
磁性材料膜２５と軟質磁性材料膜２４とが順次積層され
た構造にされている。この例の構造において、非磁性体
の基板２０と硬質磁性材料膜２１と第３の強磁性材料膜
２２と非磁性膜２３と軟質磁性材料膜２４は、先の例で
用いられいているものと同等のものである。この例で
は、第４の強磁性材料膜２５を設けた点に特徴を有する
が、この第４の強磁性材料膜２５は、前記第３の強磁性
材料膜２２よりも薄く形成されており、この第４の強磁
性材料膜２５を設けることで抵抗変化率が先の構造のも
のより良好になる。即ち、軟質磁性材料には保磁力の小
さなＮｉＦｅ合金を使用し、非磁性材料膜と界面にの
み、抵抗変化率の大きな（ただし、保磁力はやや大き
い）Ｃｏを用いることで、軟磁気特性（ソフト性）と大
きな抵抗変化率の両面で優れた特性を得ることができ
る。
第２の構造例を示すもので、この例の巨大磁気抵抗効材
料膜Ｅは、非磁性体の基板２０上に、硬質磁性材料膜２
１と第３の強磁性材料膜２２と非磁性膜２３と第４の強
磁性材料膜２５と軟質磁性材料膜２４とが順次積層され
た構造にされている。この例の構造において、非磁性体
の基板２０と硬質磁性材料膜２１と第３の強磁性材料膜
２２と非磁性膜２３と軟質磁性材料膜２４は、先の例で
用いられいているものと同等のものである。この例で
は、第４の強磁性材料膜２５を設けた点に特徴を有する
が、この第４の強磁性材料膜２５は、前記第３の強磁性
材料膜２２よりも薄く形成されており、この第４の強磁
性材料膜２５を設けることで抵抗変化率が先の構造のも
のより良好になる。即ち、軟質磁性材料には保磁力の小
さなＮｉＦｅ合金を使用し、非磁性材料膜と界面にの
み、抵抗変化率の大きな（ただし、保磁力はやや大き
い）Ｃｏを用いることで、軟磁気特性（ソフト性）と大
きな抵抗変化率の両面で優れた特性を得ることができ
る。
【００３１】図３は本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の
第３の構造例を示すもので、この例の巨大磁気抵抗効材
料膜Ｆは、非磁性体の基板２０上に、硬質磁性材料膜２
１と第３の強磁性材料膜２２と非磁性膜２３と軟質磁性
材料膜２４とからなる積層ユニットＵ1が形成され、こ
の積層ユニットＵ1が、複数、非磁性膜２６と第３の強
磁性材料膜２２を介して繰り返し積層されてなる構造に
されている。
第３の構造例を示すもので、この例の巨大磁気抵抗効材
料膜Ｆは、非磁性体の基板２０上に、硬質磁性材料膜２
１と第３の強磁性材料膜２２と非磁性膜２３と軟質磁性
材料膜２４とからなる積層ユニットＵ1が形成され、こ
の積層ユニットＵ1が、複数、非磁性膜２６と第３の強
磁性材料膜２２を介して繰り返し積層されてなる構造に
されている。
【００３２】図３に示す構造においても先に説明した構
造と同等の巨大磁気抵抗効果を得ることができる。その
上、この図３に示す構造であると、巨大磁気抵抗効果を
示す積層ユニットＵ1が複数積層されているので、先の
例の構造よりも大きな磁気抵抗効果を得ることができ
る。
造と同等の巨大磁気抵抗効果を得ることができる。その
上、この図３に示す構造であると、巨大磁気抵抗効果を
示す積層ユニットＵ1が複数積層されているので、先の
例の構造よりも大きな磁気抵抗効果を得ることができ
る。
【００３３】なお、この例の構造において、積層ユニッ
トＵ1を非磁性膜２６と第３の強磁性膜２２を介して積
層するのは、上の積層ユニットＵ1の最下層に位置する
硬質磁性材料膜２１が、その下の積層ユニットＵ1の最
上層の軟質磁性材料膜２４に磁気的な悪影響を与えない
ようにするためである。従って積層ユニットＵ1の境界
部分に設ける非磁性層２６の厚さは、２０〜４０オング
ストローム、第３の強磁性層２２の厚さは前記硬質磁性
材料膜２１の厚さの０.５〜２倍の範囲とすることが好
ましい。
トＵ1を非磁性膜２６と第３の強磁性膜２２を介して積
層するのは、上の積層ユニットＵ1の最下層に位置する
硬質磁性材料膜２１が、その下の積層ユニットＵ1の最
上層の軟質磁性材料膜２４に磁気的な悪影響を与えない
ようにするためである。従って積層ユニットＵ1の境界
部分に設ける非磁性層２６の厚さは、２０〜４０オング
ストローム、第３の強磁性層２２の厚さは前記硬質磁性
材料膜２１の厚さの０.５〜２倍の範囲とすることが好
ましい。
【００３４】図４は本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の
第４の構造例を示すもので、この例の巨大磁気抵抗効材
料膜Ｇは、非磁性体の基板２０上に、硬質磁性材料膜２
１と非磁性膜２９と第３の強磁性材料膜２２と非磁性膜
２３と軟質磁性材料膜２４とが順次積層された構造にさ
れている。
第４の構造例を示すもので、この例の巨大磁気抵抗効材
料膜Ｇは、非磁性体の基板２０上に、硬質磁性材料膜２
１と非磁性膜２９と第３の強磁性材料膜２２と非磁性膜
２３と軟質磁性材料膜２４とが順次積層された構造にさ
れている。
【００３５】この例の構造において、非磁性体の基板２
０と硬質磁性材料膜２１と第３の強磁性材料膜２２と非
磁性膜２３と軟質磁性材料膜２４は、先の例で用いられ
いているものと同等のものである。この例では、非磁性
膜２９を設けた点に特徴を有するが、この非磁性膜２９
は、先の非磁性層２３よりも薄く形成されており、その
厚さを５〜２０オングストローム程度とすることが好ま
しい。
０と硬質磁性材料膜２１と第３の強磁性材料膜２２と非
磁性膜２３と軟質磁性材料膜２４は、先の例で用いられ
いているものと同等のものである。この例では、非磁性
膜２９を設けた点に特徴を有するが、この非磁性膜２９
は、先の非磁性層２３よりも薄く形成されており、その
厚さを５〜２０オングストローム程度とすることが好ま
しい。
【００３６】この非磁性膜２９を設けることで硬質磁性
材料膜２１の影響が第３の強磁性材料膜２２のみに与え
られ、より完全に軟質磁性材料膜２４への影響をなくす
る効果がある。
材料膜２１の影響が第３の強磁性材料膜２２のみに与え
られ、より完全に軟質磁性材料膜２４への影響をなくす
る効果がある。
【００３７】図５は本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の
第５の構造例を示すもので、この例の構造は、図２に示
す構造の積層膜を積層ユニットＵ2としてこれを第４の
強磁性材料膜２５と非磁性膜２３と第３の強磁性材料膜
２２を介して複数繰り返し積層した構造である。このよ
うに繰り返し積層構造とすることでＭＲ比をより大きく
することができる効果がある。
第５の構造例を示すもので、この例の構造は、図２に示
す構造の積層膜を積層ユニットＵ2としてこれを第４の
強磁性材料膜２５と非磁性膜２３と第３の強磁性材料膜
２２を介して複数繰り返し積層した構造である。このよ
うに繰り返し積層構造とすることでＭＲ比をより大きく
することができる効果がある。
【００３８】図６は本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の
第５の構造例を示すもので、この例の構造は、図４に示
す構造の積層膜を積層ユニットＵ3としてこれを非磁性
膜２３と第３の強磁性材料膜２２と非磁性膜２９を介し
て複数繰り返し積層した構造である。このように繰り返
し積層構造とすることでＭＲ比をより大きくすることが
できる効果がある。
第５の構造例を示すもので、この例の構造は、図４に示
す構造の積層膜を積層ユニットＵ3としてこれを非磁性
膜２３と第３の強磁性材料膜２２と非磁性膜２９を介し
て複数繰り返し積層した構造である。このように繰り返
し積層構造とすることでＭＲ比をより大きくすることが
できる効果がある。
【００３９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。高周波マグネトロンスパッタ装置を用い
て、シリコンウエハ基板の（１００）面上に、あるいは
ガラスからなる基板上に、厚さ５０オングストロームの
Ｃｏ-Ｐｔ膜（硬質磁性材料膜）と、厚さ２５〜１００
オングストロームのＮｉ-Ｆｅ合金膜（第３の強磁性材
料膜）と、厚さ２５オングストロームのＣｕ膜（非磁性
膜）と、厚さ５０オングストロームのＮｉ-Ｆｅ合金膜
（軟質磁性材料膜）を順次積層し、図１に示すものと同
等の構造の第１の試料を得た。スパッタ条件は、Ｃｏ-
Ｐｔ膜とＮｉ-Ｆｅ合金膜については２００Ｗ、Ｃｕ膜
については３０Ｗであって、いずれも、Ａｒガス圧力を
１ｍＴｏｒｒとした。
て説明する。高周波マグネトロンスパッタ装置を用い
て、シリコンウエハ基板の（１００）面上に、あるいは
ガラスからなる基板上に、厚さ５０オングストロームの
Ｃｏ-Ｐｔ膜（硬質磁性材料膜）と、厚さ２５〜１００
オングストロームのＮｉ-Ｆｅ合金膜（第３の強磁性材
料膜）と、厚さ２５オングストロームのＣｕ膜（非磁性
膜）と、厚さ５０オングストロームのＮｉ-Ｆｅ合金膜
（軟質磁性材料膜）を順次積層し、図１に示すものと同
等の構造の第１の試料を得た。スパッタ条件は、Ｃｏ-
Ｐｔ膜とＮｉ-Ｆｅ合金膜については２００Ｗ、Ｃｕ膜
については３０Ｗであって、いずれも、Ａｒガス圧力を
１ｍＴｏｒｒとした。
【００４０】また、比較のために、前記第１の試料から
Ｎｉ-Ｆｅ合金膜を省略した構造の第２の試料を作成し
た。更に、前記第１の試料に用いたＮｉ-Ｆｅ合金膜の
代わりに、厚さ５０オングストロームのＣｏ膜を積層し
た第３の試料と、前記第１の試料のＮｉ-Ｆｅ合金膜と
Ｃｕ膜との間に厚さ５オングストロームのＣｏ膜を付加
した第４の試料を作成した。
Ｎｉ-Ｆｅ合金膜を省略した構造の第２の試料を作成し
た。更に、前記第１の試料に用いたＮｉ-Ｆｅ合金膜の
代わりに、厚さ５０オングストロームのＣｏ膜を積層し
た第３の試料と、前記第１の試料のＮｉ-Ｆｅ合金膜と
Ｃｕ膜との間に厚さ５オングストロームのＣｏ膜を付加
した第４の試料を作成した。
【００４１】次に、前記第１の試料の上に厚さ２５オン
グストロームのＣｕ層と厚さ５０オングストロームのＮ
ｉ-Ｆｅ合金膜を積層し、その上に更に前記第１の試料
の積層膜と同等の積層膜を前記Ｃｕ層とＮｉ-Ｆｅ層を
介して２回繰り返し積層した構造の第５の試料と、３回
繰り返し積層した第６の試料を作成した。次に、前記第
１の試料のＣｏ-Ｐｔ膜とＮｉ-Ｆｅ膜との間に、厚さ１
０オングストロームのＴａ膜を付加した第７の試料と、
前記第３の試料のＣｏ-Ｐｔ膜とＣｏ膜との間に厚さ１
０オングストロームのＴａ膜を付加した第８の試料を作
成した。以上の試料を成膜後、５ｋＯｅ以上の磁界によ
り着磁し、その後に各特性を測定して評価した。
グストロームのＣｕ層と厚さ５０オングストロームのＮ
ｉ-Ｆｅ合金膜を積層し、その上に更に前記第１の試料
の積層膜と同等の積層膜を前記Ｃｕ層とＮｉ-Ｆｅ層を
介して２回繰り返し積層した構造の第５の試料と、３回
繰り返し積層した第６の試料を作成した。次に、前記第
１の試料のＣｏ-Ｐｔ膜とＮｉ-Ｆｅ膜との間に、厚さ１
０オングストロームのＴａ膜を付加した第７の試料と、
前記第３の試料のＣｏ-Ｐｔ膜とＣｏ膜との間に厚さ１
０オングストロームのＴａ膜を付加した第８の試料を作
成した。以上の試料を成膜後、５ｋＯｅ以上の磁界によ
り着磁し、その後に各特性を測定して評価した。
【００４２】図７に前記第１の試料の磁化曲線（ＭＨカ
ーブ）を図８に同試料のＭＲ曲線を示す。また、図９に
前記第２の試料の磁化曲線を示し、図１０に前記第２の
試料のＭＲ曲線を示す。更に、以下の表１に前記第１の
試料〜第８の試料のΔＲ／ＲとΔＨと（ΔＲ／Ｒ）／Δ
Ｈの各々の特性の測定値を示す。なおここで、ΔＨは、
巨大磁気抵抗材料膜において、図８に示すような磁気抵
抗効果曲線を測定した場合に、一方の曲線がほぼリニア
に立ち上がる部分の磁界の範囲を示す。
ーブ）を図８に同試料のＭＲ曲線を示す。また、図９に
前記第２の試料の磁化曲線を示し、図１０に前記第２の
試料のＭＲ曲線を示す。更に、以下の表１に前記第１の
試料〜第８の試料のΔＲ／ＲとΔＨと（ΔＲ／Ｒ）／Δ
Ｈの各々の特性の測定値を示す。なおここで、ΔＨは、
巨大磁気抵抗材料膜において、図８に示すような磁気抵
抗効果曲線を測定した場合に、一方の曲線がほぼリニア
に立ち上がる部分の磁界の範囲を示す。
【００４３】図７および図８に示す特性と、図９および
図１０に示す特性の比較から明らかなように、第１の試
料は第２の試料に比べてＣｏ-Ｐｔ合金膜（硬質磁性材
料膜）の漏洩磁界を抑えることができているために、図
８に示すΔＨの値が図１０に示すΔＨの値よりも小さく
なっている。また、表１に示す数値を比較すると、第１
の試料のΔＨは５ Ｏｅであるのに対し、第２の試料の
ΔＨは８５ Ｏｅを示し、大きな差異がある。従って第
１の試料における構造は、従来構造よりも遥かに小さな
磁界で磁気抵抗が変化するので、微小磁界を検出するた
めの磁気ヘッド用として好適である。また、図７に示す
ように磁化曲線中に段差が見られることから、第１の試
料は硬質磁性材料膜のＣｏ-Ｐｔ合金膜と軟質磁性材料
膜のＮｉ-Ｆｅ合金膜でそれぞれ磁化の向きが独立に挙
動していることが明らかになった。
図１０に示す特性の比較から明らかなように、第１の試
料は第２の試料に比べてＣｏ-Ｐｔ合金膜（硬質磁性材
料膜）の漏洩磁界を抑えることができているために、図
８に示すΔＨの値が図１０に示すΔＨの値よりも小さく
なっている。また、表１に示す数値を比較すると、第１
の試料のΔＨは５ Ｏｅであるのに対し、第２の試料の
ΔＨは８５ Ｏｅを示し、大きな差異がある。従って第
１の試料における構造は、従来構造よりも遥かに小さな
磁界で磁気抵抗が変化するので、微小磁界を検出するた
めの磁気ヘッド用として好適である。また、図７に示す
ように磁化曲線中に段差が見られることから、第１の試
料は硬質磁性材料膜のＣｏ-Ｐｔ合金膜と軟質磁性材料
膜のＮｉ-Ｆｅ合金膜でそれぞれ磁化の向きが独立に挙
動していることが明らかになった。
【００４４】
【表１】
【００４５】更に、表１に示す結果から明らかなよう
に、比較例の試料である第２の試料のΔＨが８５ Ｏｅ
であるのに対し、本発明に係る第１、第３〜第８の試料
のΔＨがいずれも低く、優れた値を示している。従って
本発明に係るいずれの構造を用いても従来例の構造より
も低い磁界で抵抗変化を起こすので、微小磁界で動作が
可能な磁気ヘッド、位置センサ、回転センサ等に適用で
きることが明らかである。また、第３の例と第４の例の
如くＣｏ層を設けることで、ΔＨの値を大きくすること
なくΔＲ／Ｒの値を大きくすることができた。また、第
５の例と第６の例の如く繰り返し積層構造とすることで
ΔＨを小さく維持しながらΔＲ／Ｒの値を向上できるこ
とが明らかになった。
に、比較例の試料である第２の試料のΔＨが８５ Ｏｅ
であるのに対し、本発明に係る第１、第３〜第８の試料
のΔＨがいずれも低く、優れた値を示している。従って
本発明に係るいずれの構造を用いても従来例の構造より
も低い磁界で抵抗変化を起こすので、微小磁界で動作が
可能な磁気ヘッド、位置センサ、回転センサ等に適用で
きることが明らかである。また、第３の例と第４の例の
如くＣｏ層を設けることで、ΔＨの値を大きくすること
なくΔＲ／Ｒの値を大きくすることができた。また、第
５の例と第６の例の如く繰り返し積層構造とすることで
ΔＨを小さく維持しながらΔＲ／Ｒの値を向上できるこ
とが明らかになった。
【００４６】次に、前記第１の試料の構造において、第
３の強磁性材料膜として設けるＮｉ-Ｆｅ合金膜の厚さ
とΔＨの関係を調べた結果を図１１に示す。図１１に示
す結果から明らかなように、Ｎｉ-Ｆｅ合金からなる第
３の強磁性材料膜の厚さｔが増加するほどΔＨは減少す
る傾向を示すが、この厚さｔの値が５０オングストロー
ムまでは急激にΔＨが減少し、それ以上の厚さではΔＨ
の減少は飽和傾向になる。
３の強磁性材料膜として設けるＮｉ-Ｆｅ合金膜の厚さ
とΔＨの関係を調べた結果を図１１に示す。図１１に示
す結果から明らかなように、Ｎｉ-Ｆｅ合金からなる第
３の強磁性材料膜の厚さｔが増加するほどΔＨは減少す
る傾向を示すが、この厚さｔの値が５０オングストロー
ムまでは急激にΔＨが減少し、それ以上の厚さではΔＨ
の減少は飽和傾向になる。
【００４７】この実験結果から、第３の強磁性材料膜の
厚さを５０オングストローム以上とすることが最も好ま
しいことがわかるが、前記表１に示す従来構造のΔＨが
８５Ｏｅであることと、第３の強磁性材料膜の厚さが１
０〜５０オングストロームの範囲におけるΔＨ量の減少
割合を考慮すると、第３の強磁性材料膜の厚さを、Ｃｏ
-Ｐｔの硬質磁性材料膜の厚さの０.５以上とすることが
好ましいと判断できる。
厚さを５０オングストローム以上とすることが最も好ま
しいことがわかるが、前記表１に示す従来構造のΔＨが
８５Ｏｅであることと、第３の強磁性材料膜の厚さが１
０〜５０オングストロームの範囲におけるΔＨ量の減少
割合を考慮すると、第３の強磁性材料膜の厚さを、Ｃｏ
-Ｐｔの硬質磁性材料膜の厚さの０.５以上とすることが
好ましいと判断できる。
【００４８】次に、先の場合と同様な条件においてＮｉ
-Ｆｅ合金膜の厚さとΔＭＲの関係を図１２に示す。こ
の図から大きなΔＭＲを得るためには第３の強磁性材料
膜が薄い方が有利であることが明らかである。従って図
１１に示す結果も加味し、第３の強磁性材料膜は硬質磁
性材料膜の厚さの０.５〜２倍程度が好ましいことが明
らかになった。
-Ｆｅ合金膜の厚さとΔＭＲの関係を図１２に示す。こ
の図から大きなΔＭＲを得るためには第３の強磁性材料
膜が薄い方が有利であることが明らかである。従って図
１１に示す結果も加味し、第３の強磁性材料膜は硬質磁
性材料膜の厚さの０.５〜２倍程度が好ましいことが明
らかになった。
【００４９】次に、先の場合と同様な条件においてＮｉ
-Ｆｅ合金膜の膜厚とΔＭＲ／ΔＨの値の関係を図１３
に示す。この図からＮｉ-Ｆｅ合金膜の厚さが５０オン
グストロームの近傍でΔＭＲ／ΔＨの値がピークを示す
ことがわかる。
-Ｆｅ合金膜の膜厚とΔＭＲ／ΔＨの値の関係を図１３
に示す。この図からＮｉ-Ｆｅ合金膜の厚さが５０オン
グストロームの近傍でΔＭＲ／ΔＨの値がピークを示す
ことがわかる。
【００５０】次に図１４は巨大磁気抵抗材料膜について
図７に示すような磁化曲線（ＭＨカーブ）を得た際に、
第４象限における曲線の段部の左端の変極点部分の磁場
の強さをＨCSと定義し、ＭＨカーブと横軸との交点部分
の磁界の強さをＨCHと定義した場合に、これらＨCSの
値、およびＨCHの値のＮｉ-Ｆｅ合金膜に対する膜厚依
存性を測定した結果を示す。この図からも明らかなよう
に、Ｎｉ-Ｆｅ合金膜の膜厚が大きくなるにつれて、Ｈ
CSの値、およびＨCHの値のいずれも減少する傾向が明ら
かである。従って先に説明したように、第３の強磁性材
料膜の厚さを、Ｃｏ-Ｐｔの硬質磁性材料膜の厚さの０.
５〜２倍の範囲とすることが好ましいと判断できる。
図７に示すような磁化曲線（ＭＨカーブ）を得た際に、
第４象限における曲線の段部の左端の変極点部分の磁場
の強さをＨCSと定義し、ＭＨカーブと横軸との交点部分
の磁界の強さをＨCHと定義した場合に、これらＨCSの
値、およびＨCHの値のＮｉ-Ｆｅ合金膜に対する膜厚依
存性を測定した結果を示す。この図からも明らかなよう
に、Ｎｉ-Ｆｅ合金膜の膜厚が大きくなるにつれて、Ｈ
CSの値、およびＨCHの値のいずれも減少する傾向が明ら
かである。従って先に説明したように、第３の強磁性材
料膜の厚さを、Ｃｏ-Ｐｔの硬質磁性材料膜の厚さの０.
５〜２倍の範囲とすることが好ましいと判断できる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、硬
質磁性材料膜と非磁性膜との間に第３の強磁性層を設け
ているので、硬質磁性材料膜の漏洩磁界を低減できる。
よって第３の強磁性材料膜と非磁性膜を介して設けられ
た軟質磁性材料膜は、漏洩磁界の影響を受け難くなるた
めに、軟質磁性材料膜の磁化反転が硬質磁性材料膜によ
り抑制され難くなり、軟質磁性材料膜の磁化反転が容易
になされるようになる。従って第３の強磁性材料膜を設
けていない従来構造よりも小さな磁界で抵抗変化を生じ
るようになる。このため本発明の構造は、微小磁界を検
出するための磁気ヘッド、磁気センサ、回転センサ用と
して有用な特徴がある。
質磁性材料膜と非磁性膜との間に第３の強磁性層を設け
ているので、硬質磁性材料膜の漏洩磁界を低減できる。
よって第３の強磁性材料膜と非磁性膜を介して設けられ
た軟質磁性材料膜は、漏洩磁界の影響を受け難くなるた
めに、軟質磁性材料膜の磁化反転が硬質磁性材料膜によ
り抑制され難くなり、軟質磁性材料膜の磁化反転が容易
になされるようになる。従って第３の強磁性材料膜を設
けていない従来構造よりも小さな磁界で抵抗変化を生じ
るようになる。このため本発明の構造は、微小磁界を検
出するための磁気ヘッド、磁気センサ、回転センサ用と
して有用な特徴がある。
【００５２】前記の構造において、より好ましいＭＲ特
性を発揮させるためには、第３の強磁性材料膜として、
Ｃｏ、Ｃｏ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎｉ-Ｆｅ
合金のうちから選択されるいずれかからなるものを用い
ることが好ましい。また、同様な理由から、硬質磁性材
料膜の構成材料として、Ｃｏ-Ｐｔ合金、Ｃｏ-Ｃｒ合金
のいずれかを主成分とし、微量の添加元素を含む合金を
用いることが好ましい。更に同様な理由から、軟質磁性
材料膜の構成材料として、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｆｅ-
Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモルファス合金のいずれかからなる
ものを用いることが好ましい。
性を発揮させるためには、第３の強磁性材料膜として、
Ｃｏ、Ｃｏ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎｉ-Ｆｅ
合金のうちから選択されるいずれかからなるものを用い
ることが好ましい。また、同様な理由から、硬質磁性材
料膜の構成材料として、Ｃｏ-Ｐｔ合金、Ｃｏ-Ｃｒ合金
のいずれかを主成分とし、微量の添加元素を含む合金を
用いることが好ましい。更に同様な理由から、軟質磁性
材料膜の構成材料として、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｆｅ-
Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモルファス合金のいずれかからなる
ものを用いることが好ましい。
【００５３】また、硬質磁性材料膜の厚さに対し、第３
の強磁性材料膜の厚さを０.５〜２倍の厚さにすること
で低い磁界域でも感度良く抵抗が変化する優れた巨大磁
気抵抗材料膜を得ることができる。
の強磁性材料膜の厚さを０.５〜２倍の厚さにすること
で低い磁界域でも感度良く抵抗が変化する優れた巨大磁
気抵抗材料膜を得ることができる。
【００５４】次に、本発明においては、硬質磁性材料膜
に接触させて第３の強磁性材料膜を設けるが、第３の強
磁性層も硬質磁性材料膜からの影響により硬質磁性材料
膜としての性質を帯びてくるおそれがあるので、硬質磁
性材料膜と第３の強磁性材料膜との間に３０オングスト
ローム以下の厚さの非磁性薄膜を更に設ける構造とす
る。この構造により、第３の強磁性材料膜への硬質磁性
材料膜の磁気的影響を抑えることができる。ここで非磁
性薄膜を厚さ３０オングストローム以下とすることで、
硬質磁性材料膜と第３の強磁性材料膜との間に、両者の
磁化を平行に揃えようとする静磁気あるいは交換結合相
互作用を生じさせることができる。
に接触させて第３の強磁性材料膜を設けるが、第３の強
磁性層も硬質磁性材料膜からの影響により硬質磁性材料
膜としての性質を帯びてくるおそれがあるので、硬質磁
性材料膜と第３の強磁性材料膜との間に３０オングスト
ローム以下の厚さの非磁性薄膜を更に設ける構造とす
る。この構造により、第３の強磁性材料膜への硬質磁性
材料膜の磁気的影響を抑えることができる。ここで非磁
性薄膜を厚さ３０オングストローム以下とすることで、
硬質磁性材料膜と第３の強磁性材料膜との間に、両者の
磁化を平行に揃えようとする静磁気あるいは交換結合相
互作用を生じさせることができる。
【００５５】次に、本発明において、軟質磁性材料膜と
非磁性膜との間に、第４の強磁性材料膜を介在させる構
造とすることができ、第３の強磁性材料膜と硬質磁性材
料膜との間に、厚さ３０オングストローム以下の非磁性
薄膜を介在させた構造にすることもできる。これらの構
造により、抵抗変化率を向上でき、また、硬質磁性材料
層の漏洩磁界の影響をより確実に除去できる。
非磁性膜との間に、第４の強磁性材料膜を介在させる構
造とすることができ、第３の強磁性材料膜と硬質磁性材
料膜との間に、厚さ３０オングストローム以下の非磁性
薄膜を介在させた構造にすることもできる。これらの構
造により、抵抗変化率を向上でき、また、硬質磁性材料
層の漏洩磁界の影響をより確実に除去できる。
【００５６】次に、前記の軟質磁性材料膜と非磁性膜と
第３の強磁性材料膜と硬質磁性材料膜を積層したものを
積層ユニットとして、あるいは、前記積層ユニットの軟
質磁性材料膜と非磁性膜との間に第４の強磁性材料膜を
設けた構造を積層ユニットとして、さらには、前記積層
ユニットの硬質磁性材料膜と第３の強磁性材料膜との間
に非磁性膜を設けた構造を積層ユニットとして、非磁性
層または非磁性層と第３の強磁性材料膜とを介して繰り
返し積層することで多層構造の巨大磁気抵抗材料膜を得
ることができる。そしてこのような多層構造の巨大磁気
抵抗材料膜は、巨大磁気抵抗を発生させる機構を奏する
部分が複数含まれているので、単層構造のものよりもよ
り大きな抵抗変化を得ることができ、微小磁界を検出す
る磁気ヘッド用、あるいは、微小磁界センサ用として優
れた巨大磁気抵抗材料膜を得ることができる。
第３の強磁性材料膜と硬質磁性材料膜を積層したものを
積層ユニットとして、あるいは、前記積層ユニットの軟
質磁性材料膜と非磁性膜との間に第４の強磁性材料膜を
設けた構造を積層ユニットとして、さらには、前記積層
ユニットの硬質磁性材料膜と第３の強磁性材料膜との間
に非磁性膜を設けた構造を積層ユニットとして、非磁性
層または非磁性層と第３の強磁性材料膜とを介して繰り
返し積層することで多層構造の巨大磁気抵抗材料膜を得
ることができる。そしてこのような多層構造の巨大磁気
抵抗材料膜は、巨大磁気抵抗を発生させる機構を奏する
部分が複数含まれているので、単層構造のものよりもよ
り大きな抵抗変化を得ることができ、微小磁界を検出す
る磁気ヘッド用、あるいは、微小磁界センサ用として優
れた巨大磁気抵抗材料膜を得ることができる。
【００５７】次に、本発明の方法は、非磁性膜を介して
その両側に設けられる磁性材料膜のうち、一方の磁性材
料膜を硬質磁性材料膜から構成し、他方の磁性材料膜を
軟質磁性材料膜から構成するとともに非磁性材料膜の厚
さを調整するので、硬質磁性材料膜の磁化の向きに対す
る軟質磁性材料膜の磁化の向きを相対的に自由にするこ
とができる。また、前記非磁性膜と硬質磁性材料膜との
間に高飽和磁束密度の第３の強磁性材料膜を設けること
で硬質磁性材料膜からの漏洩磁界を遮ることができ、積
層膜全体の保磁力を低くすることができ、低い磁界でも
大きな抵抗変化を生じさせることができる。
その両側に設けられる磁性材料膜のうち、一方の磁性材
料膜を硬質磁性材料膜から構成し、他方の磁性材料膜を
軟質磁性材料膜から構成するとともに非磁性材料膜の厚
さを調整するので、硬質磁性材料膜の磁化の向きに対す
る軟質磁性材料膜の磁化の向きを相対的に自由にするこ
とができる。また、前記非磁性膜と硬質磁性材料膜との
間に高飽和磁束密度の第３の強磁性材料膜を設けること
で硬質磁性材料膜からの漏洩磁界を遮ることができ、積
層膜全体の保磁力を低くすることができ、低い磁界でも
大きな抵抗変化を生じさせることができる。
【図１】本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の第１の構造
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の第２の構造
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の第３の構造
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の第４の構造
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図５】本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の第５の構造
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図６】本発明に係る巨大磁気抵抗材料膜の第６の構造
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図７】実施例で製造された第１の試料の磁化曲線を示
す図である。
す図である。
【図８】同第１の試料のＭＲ曲線を示す図である。
【図９】比較例として製造された第２の試料の磁化曲線
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】同第２の試料のＭＲ曲線を示す図である。
【図１１】第３の強磁性材料膜の膜厚とΔＨの関係を示
す図である。
す図である。
【図１２】第３の強磁性材料膜の膜厚とΔＭＲの関係を
示す図である。
示す図である。
【図１３】第３の強磁性材料膜の膜厚とΔＭＲ／ΔＨの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図１４】第３の強磁性材料膜の膜厚とＨCSとＨCHの関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図１５】従来の磁気抵抗効果素子用多層膜の第１の例
を示す分解図である。
を示す分解図である。
【図１６】従来の磁気抵抗効果素子用多層膜の第２の例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１７】従来の磁気抵抗効果素子用多層膜の第３の例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
２０ 基板 ２１ 硬質磁性材料膜 ２２ 第３の強磁性材料膜 ２３ 非磁性膜 ２４ 軟質磁性材料膜 ２５ 第４の強磁性材料膜 ２６ 非磁性膜 ２９ 非磁性層 Ｕ1、Ｕ2、Ｕ3 積層ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−78756（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−65329（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−97532（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−280483（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39 H01F 10/28 H01L 43/08 H01L 43/10
Claims (10)
- 【請求項１】 磁性材料膜と非磁性膜を複数積層した巨
大磁気抵抗材料膜であって非磁性膜を介してその両側に
設けられる磁性材料膜のうち、一方の磁性材料膜を硬質
磁性材料膜から構成し、他方の磁性材料膜を軟質磁性材
料膜から構成するとともに、前記非磁性膜と硬質磁性材
料膜との間に高飽和磁束密度を有する第３の強磁性材料
膜を設けてなることを特徴とする巨大磁気抵抗材料膜。 - 【請求項２】 基板上に、硬質磁性材料膜と第３の強磁
性材料膜と非磁性膜と軟質磁性材料膜とが積層されたユ
ニット積層膜が、複数、非磁性膜あるいは非磁性膜と軟
質磁性材料膜を介して繰り返し積層されてなることを特
徴とする巨大磁気抵抗材料膜。 - 【請求項３】 前記第３の強磁性材料膜として、Ｃｏ、
Ｃｏ-Ｆｅ合金、Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｎｉ-Ｆｅ合金の
うちから選択されるいずれかからなるものを用いたこと
を特徴とする請求項１または２記載の巨大磁気抵抗材料
膜。 - 【請求項４】 前記の硬質磁性材料膜の構成材料とし
て、Ｃｏ-Ｐｔ合金、Ｃｏ-Ｃｒ合金のいずれかを主成分
とし、微量の添加元素を含む合金を用いたことを特徴と
する請求項１、２または３記載の巨大磁気抵抗材料膜。 - 【請求項５】 前記の軟質磁性材料膜の構成材料とし
て、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｏ合金、Ｃｏ系アモ
ルファス合金のいずれかからなるものを用いたことを特
徴とする請求項１、２、３または４記載の巨大磁気抵抗
材料膜。 - 【請求項６】 硬質磁性材料膜の厚さに対し、第３の強
磁性材料膜の厚さを比率で０.５〜２の範囲としたこと
を特徴とする請求項１、２、３、４または５記載の巨大
磁気抵抗材料膜。 - 【請求項７】 軟質磁性材料膜と非磁性膜との間に、第
４の強磁性材料膜を介在させたことを特徴とする請求項
１、２、３、４、５または６記載の巨大磁気抵抗材料
膜。 - 【請求項８】 第３の強磁性材料膜と硬質磁性材料膜と
の間に、厚さ３０オングストローム以下の非磁性薄膜が
介在されたことを特徴とする請求項１、２、３、４、
５、６または７記載の巨大磁気抵抗材料膜。 - 【請求項９】 請求項７または８に記載の巨大磁気抵抗
材料膜を、非磁性膜または非磁性膜と第３の強磁性材料
膜を介して繰り返し積層してなることを特徴とする巨大
磁気抵抗材料膜。 - 【請求項１０】 磁性材料膜と非磁性膜を複数積層し、
非磁性膜を介してその両側に設けられる磁性材料膜のう
ち、一方の磁性膜を硬質磁性材料膜から構成し、他方の
磁性膜を軟質磁性材料膜から構成するとともに非磁性膜
の厚さを調節して硬質磁性材料膜と軟質磁性材料膜の磁
化の向きを相対的に自由にする一方、前記非磁性膜と硬
質磁性材料膜との間に高飽和磁束密度の第３の強磁性材
料膜を設けて硬質磁性材料膜からの漏洩磁界を遮り、積
層膜全体の保磁力を低くすることを特徴とする磁気抵抗
材料膜の磁化の調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07686395A JP3242279B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07686395A JP3242279B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279116A JPH08279116A (ja) | 1996-10-22 |
| JP3242279B2 true JP3242279B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=13617498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07686395A Expired - Fee Related JP3242279B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3242279B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG47214A1 (en) * | 1996-03-14 | 1998-03-20 | Sony Corp | Thin-film magnetic head |
| DE10128135A1 (de) * | 2001-06-09 | 2002-12-19 | Bosch Gmbh Robert | Magnetoresistive Schichtanordnung und Gradiometer mit einer derartigen Schichtanordnung |
| JP2003318460A (ja) | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子及びその製造方法 |
| JP6470353B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2019-02-13 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP07686395A patent/JP3242279B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH08279116A (ja) | 1996-10-22 |
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