JP3293437B2 - 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子 - Google Patents

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセンサ−等の磁気抵
抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッドに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年Cr,Ru等の金属非磁性薄膜を介して
反強磁性的結合をしている[Fe/Cr],[Co/Ru]人工格子膜
が強磁場（1〜10 kOe）で巨大磁気抵抗効果を示す発見
された（フィシ゛カル レウ゛ュー レター 61 第2472項 (1988年);
同 64 第2304項 (1990) (PhysicalReview Letter Vol.
61, p2472, 1988; 同 Vol.64, p2304,1990)）。これら
の膜は大きな磁気抵抗（ＭＲ）変化を示すものの、磁性
膜間が反強磁性的に結合しているためＭＲ効果を生じる
のに必要な磁界が数kOeと大きく実用上問題があった。
【０００３】又金属非磁性薄膜Cuで分離され磁気的結合
の弱い２種類の磁性薄膜Ni-FeとCoを用いた[Ni-Fe/Cu/C
o]人工格子膜でも巨大磁気抵抗効果が発見され、室温印
加磁界0.5kOeでＭＲ比が約8％のものが得られている（シ
゛ャーナル オフ゛ フィシ゛カル ソサイアティーオフ゛ シ゛ャハ゜ン 59 第3061頁 (19
90年) (Journal of Physical Society of Japan Vol.5
9, p3061, 1990)）。しかしこの場合でも完全に磁性膜
間の磁気的結合を断つことが困難で更に小さな印加磁界
でより大きなＭＲ変化を示す磁気抵抗効果素子の開発が
課題であった。
【０００４】なお人工格子膜の膜面に垂直方向に電流を
流すと大きなＭＲ変化が得られるが、膜が極めて薄いた
め膜面垂直方向の抵抗は極めて低く、この様な構成は実
用上問題がある。
【０００５】微小印加磁界で動作するものとしては反強
磁性材料のFe-MnをNi-Fe/Cu/Ni-Feにつけたスピンバル
ブ型のものが提案され（シ゛ャーナル オフ゛ マク゛ネティス゛ム アント゛ マク
゛ネティック マテリアルス゛ 93 第101頁 (1991年) (Journal of Mag
netism and Magnetic Materials 93,p101,1991)）、磁
気抵抗効果型ヘッドへの応用が検討されている。しかし
ながらこの場合はＭＲ変化が２〜４％と小さい問題点が
ある。
【０００６】更に二つの磁性膜間に絶縁膜を用いたトン
ネル型磁気抵抗効果素子が開発されているが（日本応用
磁気学会誌Vol.19,No.2 p369(1995)）、絶縁膜の膜質の
コントロ−ルが困難で特性の再現性の良好なものを得る
のが困難である。
【０００７】メモリ−素子としてはワ−ド線と従来のＭ
Ｒ材料をセンス線に用いたものが提案されているが（IE
EE Trans. Magn. Vol.27, No.6, (1991) p5520）、ＭＲ
変化率が小さいため情報読み出し時の出力が小さいのが
課題である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
課題を解決し、より小さな磁界でより大きなＭＲ変化を
示す磁気抵抗効果素子を可能とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は微小磁界でも容
易に磁化反転する軟磁性膜と容易には磁化反転しない磁
性膜とを特殊な非磁性膜で分離し、両磁性膜の磁気的結
合を極めて弱くして軟磁性膜の磁化回転を良好にして素
子の磁界感度を向上し、かつ磁性膜の構成を最適化して
より大きなＭＲ変化率を示す磁気抵抗効果素子及び磁気
抵抗効果型ヘッドを可能とするものである。
【００１０】本発明においては上記非磁性膜として導電
体と絶縁体の混合物より成る非磁性膜を用いる。これに
より従来の絶縁膜のみを用いたトンネル型大磁気抵抗効
果膜の特性の再現性が改善される。又に非磁性膜部の電
気抵抗の値が制御可能となり素子設計が容易となる。更
に柱状の導電体を絶縁体が取り巻く構造とすればその効
果は更に改善される。
【００１１】又磁気ヘッドとして用いる場合は磁気媒体
に記録されている箇所は小さくかつ媒体からの信号磁界
は弱いため、これを効率良く軟磁性膜に導くための軟磁
性体より成るヨ−クを備えることが実用上有効である。
【００１２】上記の磁気抵抗素子においては膜面に垂直
に電流を流した方が、膜面内に電流を流すよりも大きな
ＭＲ変化率が得られる。本発明のこれら磁気抵抗効果素
子・ヘッド・メモリ−素子においては膜面垂直方向も抵
抗が高く、素子の膜面垂直方向に電流を流すことが可能
でより大きなＭＲ変化率を得ることが可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１〜７を
用いて説明を行う。図１(a)は[磁性膜３／非磁性膜２／
磁性膜１]なる構造の素子で、微小な磁界Ｈが印加され
た場合保磁力の小さい磁性膜、即ち軟磁性膜（図では磁
性膜１とする）は印加磁界方向に磁化反転するが、保磁
力の大きい磁性膜、即ち硬質磁性膜は磁化反転せず、両
磁性膜の磁化方向は反平行となって素子の抵抗は増加す
る。印加磁界を更に強くすると両磁性膜の磁化方向は平
行となり素子の抵抗は減少する。以上が素子の動作原理
であるが、非磁性膜に金属を用いると磁性膜間の磁気的
結合を遮断するのが困難であり、その膜厚を増加させる
と磁気的結合の分離は出来るがＭＲ変化率が低下する。
又非磁性膜に絶縁体を用い、膜面垂直方向のトンネル効
果により電流を流そうとすれば、特性の再現性が悪くな
る。本発明では非磁性膜２として絶縁体と導電体との混
合物より成る非磁性膜を用いることにより、特性の再現
性を劣化することなく両磁性膜間の磁気的結合を低減す
ることが可能である。更に同図(b)のように非磁性膜を
柱状の導電体Ｃを絶縁体Ｉが取り巻く構造とすればその
効果は更に改善される。又図２に示したように図１の構
成のものを非磁性膜２を介して積層した構造でも良い。
積層することによりＭＲ変化率は増加する。ただし膜面
方向に電流を流す場合は素子のシ−ト抵抗は減少する。
【００１４】図３は[磁化反転抑制膜４／磁性膜３’／
非磁性膜２／磁性膜１]なる構造のものである。この場
合磁化反転抑制膜４により磁性膜３’は容易に磁化回転
せず、磁化反転抑制膜４／磁性膜３’が図１及び２の磁
性膜３と同等の役割をする。従って磁性膜３’と磁性膜
１は異なる膜でも良いし、同じ膜でも良い。又同様に図
３の構成のものを非磁性膜２を介して積層した図４に示
す構造のものでも良い。
【００１５】更に図５(a),(b)に示したように磁性膜と
非磁性膜の界面に主構成元素の一つとしてCoを含有する
厚さ1nm以下の界面磁性膜５を設けることによりより大
きなＭＲ変化率を得ることが可能である。
【００１６】図６はこれら磁気抵抗効果素子を用いた磁
気抵抗効果型ヘッドの一例で、磁気媒体からの信号磁界
はヨ−ク６により磁気抵抗効果素子部に導かれる。ヨ−
クは微小信号領域の形状に対応した幅や厚さを有し、信
号磁界Ｈを磁気抵抗素子部の軟磁性膜に導く構成が有効
で、効率良く磁束を軟磁性膜１に導くにはヨ−クは透磁
率の高い軟磁性材料より構成する必要がある。又軟磁性
膜以外のもう一方の磁性膜３は信号磁界で磁化反転が起
きないような保磁力が大きくかつ磁化曲線の角型性が良
好なものが望ましい。
【００１７】図７はメモリ−素子の一例で磁気抵抗効果
素子部Ｍは導体線Ｓ、Ｓ’に接続されてセンス線を構成
しており、磁気抵抗効果素子部Ｍ近傍には絶縁膜を介し
て情報記録用のワ−ド線Ｗ、Ｗ’が設けられている。情
報の記録はワ−ド線に電流を流し、[磁性膜３／非磁性
膜２／磁性膜１]タイプの磁気抵抗効果素子部の場合は
保磁力の大きい方の磁性膜３を磁化反転して情報を記録
し、読み出しはワ−ド線に弱い電流を流し、軟磁性膜１
のみを磁化反転し、その時磁気抵抗効果素子部に生じる
磁気抵抗変化をセンス線より検出して情報の読み出しが
なされる。このメモリ−素子の場合、保磁力の大きい方
の磁性膜３はワ−ド線により発生する磁界で磁化反転す
る必要があり、あまり保磁力が大きいとこれが困難とな
るので適当な大きさの保磁力の半硬質磁性膜であること
が望ましい。又情報の記録状態を明確にするためにはこ
の半硬質磁性膜の磁化曲線の角型性が良好なことが望ま
しい。
【００１８】磁気抵抗効果素子部が[磁化反転抑制膜４
／磁性膜３’／非磁性膜２／磁性膜１]なる構成で特に
磁化反転抑制膜４が反強磁性体の場合、ワ−ド線電流発
生磁界で磁性膜３’の磁化反転を起こすのは困難な場合
が多く、この場合は情報の記録はワ−ド線に電流を流
し、磁性膜１を磁化反転して情報を記録し、読み出しも
ワ−ド線に電流を流し磁性膜１を磁化反転して行う。従
って前者が非破壊読み出しとなるがこの場合は破壊読み
出しとなる。
【００１９】本発明の磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果
型磁気ヘッド、メモリ−素子を構成する軟磁性膜、
（半）硬質磁性膜、ヨ−ク等には以下のものを用いるこ
とが望ましい。
【００２０】保磁力の小さい軟磁性膜１としては磁気抵
抗変化を生じやすく低磁界で磁化反転しやすい、 NiXCoYFeZ --- (1) を主成分とし、原子組成比が X=0.6〜0.9、Y=0〜0.4、Z=0〜0.3 --- (1') のNi-richの磁性膜が望ましく、その代表的なものは Ni
0.8Co0.15Fe0.05, Ni0.6 8Co0.2Fe0.12等である。これら
よりやや動作磁界は大きくなるものの、より大きな磁気
抵抗変化が得られるものとして NiX'CoY'FeZ' --- (2) を主成分し、原子組成比が X'=0〜0.4、Y'=0.2〜0.95、Z=0〜0.5 --- (2') のCo-richの磁性膜があり、その代表的なものはCo0.9Fe
0.1, Co0.7Ni0.1Fe0.2等である。これらのものは磁歪が
小さく実用上素子に使用する場合有効である。
【００２１】又Fe膜は磁歪は零ではないものの大きなＭ
Ｒ変化率が得られれ、作製条件により比較的保磁力の小
さいものや大きいものが出来き、軟磁性膜としても後述
する半硬質磁性膜としても使用できる。
【００２２】（半）硬質磁性膜３としては検知すべき磁
界で磁化反転しないように保磁力がある程度大きく角型
の磁化曲線を有するものが望ましい。又素子が大きな磁
気抵抗効果を示すには主要構成元素の一つとしてCoを含
有することが望ましい。その代表的なものはCo,Co0.5Fe
0.5, Co0.75Pt0.25等である。
【００２３】磁化反転制御膜４としては磁性膜３’に付
けることにより磁性膜３’の磁化反転を抑制する効果が
あれば何でも良いが、例えばFe-Mn,NiO,CoO等の反強磁
性体や、TbCo,SmCoが上げられる。
【００２４】界面磁性膜５としてはCo薄膜等がＭＲ変化
率を向上させるのに有効であるが、磁性膜１と非磁性膜
２の界面に設ける場合は磁性膜１の軟磁性を損なわない
ように膜厚を1nm以下にすることが望ましい。
【００２５】ヨ−ク６に用いる磁性膜は高透磁率の軟磁
性膜である必要があり、この条件を満足するものとして
はCo0.82Nb0.12Zr0.06等のCo系の非晶質合金膜やNi0.8F
e0.2がある。
【００２６】ワ−ド線やセンス線の導体線部は抵抗の低
い金属が望ましく、例えばAu,Cu等が上げられる。
【００２７】以下具体的な実施例により本発明の効果の
説明を行う。 （実施例１）スパッタ法により磁性膜１としてCo0.7Ni
0.1Fe0.2を12nm蒸着した後、Al2O3とCuの複合タ−ゲッ
トを用いてこの上に非磁性膜を2nm蒸着し、更にスパッ
タ法で磁性膜３としてCo0.5Fe0.5を3nm蒸着して磁気抵
抗効果素子を作製した。膜面垂直方向のＭＲ特性を印加
磁界50Oeで測定したところ18％のＭＲ変化率が得られ
た。
【００２８】同様に[磁性膜１／非磁性膜／磁性膜３／
非磁性膜]なる構成のものを６周期積層して同様にＭＲ
特性を測定したところ24％のＭＲ変化率が得られた。
【００２９】（実施例２）スパッタ法により磁性膜１と
してNi0.68Co0.2Fe0.12を12nm蒸着した後、Al2O3とCuの
複合タ−ゲットを用いてこの上に非磁性膜を2nm蒸着
し、更にスパッタ法で磁性膜３としてCo0.5Fe0.5を3nm
蒸着して磁気抵抗効果素子を作製した。膜面垂直方向の
ＭＲ特性を印加磁界20Oeで測定したところ12％のＭＲ変
化率が得られた。更にSiO2をスパッタして絶縁膜をつけ
た後、Co0.82Nb0.12Zr0.06膜をスパッタ法で成膜しパタ
−ニングしてヨ−ク部を形成した。それぞれの磁性膜部
に電極とリ−ド部を設けて磁気抵抗効果型ヘッドとし
た。このヘッドにヘルムホルツコイルで 500Oeの磁界を
印加してCo0.5Fe0.5を一方向に磁化した後、10 Oeの磁
界を反対方向に発生して出力を測定したところ、同一形
状で従来ＭＲ材であるNi-Fe膜を用いたヘッドに比べて
６倍の出力があることがわかった。
【００３０】（実施例３）スパッタ法により磁性膜１と
してNi0.8Fe0.2を10nm蒸着した後、Al2O3とCuの複合タ
−ゲットを用いてこの上に非磁性膜を5nm蒸着し、更に
スパッタ法で磁性膜３としてCoを5nm蒸着して磁気抵抗
効果素子を作製した。膜面垂直方向のＭＲ特性を印加磁
界20Oeで測定したところ10％のＭＲ変化率が得られた。
【００３１】同様に[磁性膜１／非磁性膜／磁性膜３／
非磁性膜]なる構成のものを６周期積層して同様にＭＲ
特性を測定したところ16％のＭＲ変化率が得られた。こ
れをパタ−ニングしてストライプ状にして電極を付けセ
ンス線を形成した後、SiO2をスパッタして絶縁膜をつ
け、更にAuを蒸着してパタ−ニングしてワ−ド線を作製
しメモリ−素子を作製した。ワ−ド線に電流を流して磁
性膜３を一方向に磁化した後、磁性膜１のみを磁化反転
すべく磁性膜３の磁化方向と反対方向の磁界を発生する
弱電流をワ−ド線に流してセンス線の抵抗変化を測定し
たところ出力変化があり、磁性膜３の磁化方向に磁界を
発生する弱電流をワ−ド線に流したところセンス線には
出力変化が生じず、メモリ−素子として動作することが
わかった。又何度弱電流をワ−ド線に流して情報の読み
出しをしても同様の出力変化があり、非破壊読み出しが
可能なことがわかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明は微小な磁界で大きな磁気抵抗変
化が得られる磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果型ヘッド,
メモリ−素子を可能とするものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】(a)は本発明の磁気抵抗効果素子を示す図 (b)は非磁性膜部の構成図
【図２】本発明の磁気抵抗効果素子の構成図
【図３】本発明の磁気抵抗効果素子の構成図
【図４】本発明の磁気抵抗効果素子の構成図
【図５】本発明の磁気抵抗効果素子の構成図
【図６】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの構成図
【図７】本発明のメモリ−素子の構成図の一例
【符号の説明】
１ 磁性膜 ２ 非磁性膜 ３ 磁性膜 ４ 磁化反転抑制膜 ５ 界面磁性膜 ６ ヨ−ク Ｃ 導電体 Ｈ 信号磁界 Ｉ 絶縁体 Ｍ 磁気抵抗効果素子部 Ｓ,Ｓ’ 導体線 Ｗ,Ｗ’ ワ−ド線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−253620（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−79034（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−295420（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−122963（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−217609（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−248213（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−50277（ＪＰ，Ａ) Ｊｏｕｒａｎａｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅ ｔｉｓｍ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．126，Ｎ ｏ．１−03（1993），ｐｐ．524−526 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 43/08 G01R 33/09 G11B 5/39 G11C 11/14 H01F 10/32 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (25)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁界を印可することにより抵抗変化を示す
    ［磁性膜／非磁性膜／磁性膜］なる構造を有し、膜面に
    垂直な方向に電流を流す磁気抵抗効果素子において、非
    磁性膜が絶縁体と導電体との混合物より成り、前記非磁
    性膜の膜厚が２ｎｍまたは５ｎｍ近傍であることを特徴
    とする磁気抵抗効果素子。
  2. 【請求項２】磁界を印可することにより抵抗変化を示す
    ［磁性膜／非磁性膜］を複数回積層した構造を有し、膜
    面に垂直な方向に電流を流す磁気抵抗効果素子におい
    て、非磁性膜が絶縁体と導電体との混合物より成り、前
    記非磁性膜の膜厚が２ｎｍまたは５ｎｍ近傍であること
    を特徴とする磁気抵抗効果素子。
  3. 【請求項３】特に非磁性膜を介して隣り合う磁性膜の一
    方に軟磁性膜、もう一方にそれより保持力が大きい磁性
    膜を用いることを特徴とする請求項１または２記載の磁
    気抵抗効果素子。
  4. 【請求項４】非磁性膜を介して隣り合う一方の磁性膜の
    磁化反転を抑制すべく、一方の磁性膜にのみ接して設け
    られた磁化反転抑制膜を有し、磁界を印可することによ
    り抵抗変化を示す［磁化反転抑制膜／磁性膜／非磁性膜
    ／磁性膜］なる構造の、膜面に垂直な方向に電流を流す
    磁気抵抗効果素子において、非磁性膜が絶縁体と導電体
    との混合物より成り、前記非磁性膜の膜厚が２ｎｍまた
    は５ｎｍ近傍であることを特徴とする磁気抵抗効果素
    子。
  5. 【請求項５】非磁性膜を介して隣り合う一方の磁性膜の
    磁化反転を抑制すべく、一方の磁性膜にのみ接して設け
    られた磁化反転抑制膜を有し、磁界を印可することによ
    り抵抗変化を示す［磁化反転抑制膜／磁性膜／非磁性膜
    ／磁性膜／非磁性膜］なる構造を複数回積層した構造
    の、膜面に垂直な方向に電流を流す磁気抵抗効果素子に
    おいて、非磁性膜が絶縁体と導電体との混合物より成
    り、前記非磁性膜の膜厚が２ｎｍまたは５ｎｍ近傍であ
    ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  6. 【請求項６】特に磁化反転抑制膜と接する磁性膜にＣｏ
    −ｒｉｃｈの磁性膜を用い、磁化反転抑制膜と接しない
    磁性膜にＮｉ−ｒｉｃｈの軟磁性膜を用いることを特徴
    とする請求項４または５記載の磁気抵抗効果素子。
  7. 【請求項７】特に磁化反転抑制膜が反強磁性体より成る
    ことを特徴とする請求項４、５または６記載の磁気抵抗
    効果素子。
  8. 【請求項８】特に磁性膜と非磁性膜の界面に主構成元素
    の一つとしてＣｏを含有する厚さ１ｎｍ以下の界面磁性
    膜を設けたことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記
    載の磁気抵抗効果素子。
  9. 【請求項９】特に非磁性膜が柱状の導電体とこれを取り
    巻く絶縁体より成ることを特徴とする請求項１〜８のい
    ずれかに記載に磁気抵抗効果素子。
  10. 【請求項１０】特に磁性膜に、ＮｉXＣｏYＦｅZを主成
    分とし原子組成比でＸは０．６〜０．９、Ｙは０〜０．
    ４、Ｚは０〜０．３である軟磁性膜を用いることを特徴
    とする請求項１、２、４、５、７、８、９の何れかに記
    載の磁気抵抗効果素子。
  11. 【請求項１１】特に磁性膜に、ＮｉX'ＣｏY'ＦｅZ'を主
    成分とし原子組成比でＸ’は０〜０．４、Ｙ’は０．２
    〜０．９５、Ｚ’は０〜０．５である磁性膜を用いるこ
    とを特徴とする請求項１、２、４、５、７、８、９の何
    れかに記載の磁気抵抗効果素子。
  12. 【請求項１２】特に磁性膜にＣｏを主成分とする非晶質
    合金膜を用いることを特徴とする請求項１、２、４、
    ５、７、８、９の何れかに記載の磁気抵抗効果素子。
  13. 【請求項１３】特に磁性膜に、ＮｉXＣｏYＦｅZを主成
    分とし原子組成比でＸは０．６〜０．９、Ｙは０〜０．
    ４、Ｚは０〜０．３である磁性膜を用い、これより保持
    力の大きな膜としてＣｏを主構成元素の一つとして含有
    する磁性膜を用いることを特徴とする請求項３、６、
    ７、８、９の何れかに記載の磁気抵抗効果素子。
  14. 【請求項１４】特に磁性膜に、ＮｉX'ＣｏY'ＦｅZ'を主
    成分とし原子組成比でＸ’は０〜０．４、Ｙ’は０．２
    〜０．９５、Ｚ’は０〜０．５である磁性膜を用い、こ
    れより保持力の大きな膜としてＣｏを主構成元素の一つ
    として含有する磁性膜を用いることを特徴とする請求項
    ３、６、７、８、９の何れかに記載の磁気抵抗効果素
    子。
  15. 【請求項１５】特に磁性膜にＣｏを主成分とする非晶質
    合金膜を用い、これより保持力の大きな膜としてＣｏを
    主構成元素の一つとして含有する磁性膜を用いることを
    特徴とする請求項３、６、７、８、９の何れかに記載の
    磁気抵抗効果素子。
  16. 【請求項１６】特に非磁性膜の導電体がＣｕ、Ａｇ、Ａ
    ｕの群から選ばれる１種もしくは１種以上の元素より構
    成されることを特徴とする請求項１〜１５の何れかに記
    載の磁気抵抗効果素子。
  17. 【請求項１７】特に非磁性膜の絶縁体がＡｌの酸化物よ
    り構成されることを特徴とする請求項１〜１６の何れか
    に記載の磁気抵抗効果素子。
  18. 【請求項１８】磁界を印可することにより抵抗変化を示
    す［磁性膜／非磁性膜／磁性膜］なる構造の磁気抵抗効
    果素子において、非磁性膜が絶縁体と導電体との混合物
    より成り、前記非磁性膜が柱状の導電体とこれを取り巻
    く絶縁体より成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  19. 【請求項１９】磁界を印可することにより抵抗変化を示
    す［磁性膜／非磁性膜］を複数回積層した構造の磁気抵
    抗効果素子において、非磁性膜が絶縁体と導電体との混
    合物より成り、前記非磁性膜が柱状の導電体とこれを取
    り巻く絶縁体より成ることを特徴とする磁気抵抗効果素
    子。
  20. 【請求項２０】非磁性膜を介して隣り合う一方の磁性膜
    の磁化反転を抑制すべく、一方の磁性膜にのみ接して設
    けられた磁化反転抑制膜を有し、磁界を印可することに
    より抵抗変化を示す［磁化反転抑制膜／磁性膜／非磁性
    膜／磁性膜］なる構造の磁気抵抗効果素子において、非
    磁性膜が絶縁体と導電体との混合物より成り、前記非磁
    性膜が柱状の導電体とこれを取り巻く絶縁体より成るこ
    とを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  21. 【請求項２１】非磁性膜を介して隣り合う一方の磁性膜
    の磁化反転を抑制すべく、一方の磁性膜にのみ接して設
    けられた磁化反転抑制膜を有し、磁界を印可することに
    より抵抗変化を示す［磁化反転抑制膜／磁性膜／非磁性
    膜／磁性膜／非磁性膜］なる構造を複数回積層した構造
    の磁気抵抗効果素子において、非磁性膜が絶縁体と導電
    体との混合物より成り、前記非磁性膜が柱状の導電体と
    これを取り巻く絶縁体より成ることを特徴とする磁気抵
    抗効果素子。
  22. 【請求項２２】請求項１〜２１の何れかに記載の磁気抵
    抗効果素子に、磁気媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果
    素子部に導くためのヨークを備えた磁気抵抗効果型ヘッ
    ド。
  23. 【請求項２３】特に情報を記録用の磁界を発生するため
    の導体線（ワード線）が絶縁膜を介して請求項１〜２１
    の何れかに記載の磁気抵抗効果素子の近傍に設けられ、
    前記磁気抵抗効果素子を導体線で接続した情報読み出し
    用のセンス線としていることを特徴とするメモリー素
    子。
  24. 【請求項２４】互いに絶縁された直交する２本の導体線
    （ワード線）が絶縁膜を介してマトリックス状に配置さ
    れた複数の磁気抵抗効果素子部近傍に設けられているこ
    とを特徴とする請求項２３記載のメモリー素子。
  25. 【請求項２５】磁界を検知すべく磁気抵抗素子部に流す
    電流の方向がほぼ磁気抵抗効果素子の膜面に垂直方向で
    あることを特徴とする請求項２４記載のメモリー素子。
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