JPH0936455A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH0936455A JPH0936455A JP7207906A JP20790695A JPH0936455A JP H0936455 A JPH0936455 A JP H0936455A JP 7207906 A JP7207906 A JP 7207906A JP 20790695 A JP20790695 A JP 20790695A JP H0936455 A JPH0936455 A JP H0936455A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
Abstract
(57)【要約】
【構成】 外部磁界21（又はHext）に対して磁化のスピ
ンが回転する動作層（フリー層）42と非磁性層（スペー
サ）43と磁化固定用の磁性層（ピン層又は硬磁性層）4
4、45又は47とがこの順に或いはこれとは逆の順に積層
された積層構造を有し、動作層42の厚みが 5.0nm以下で
ある磁気抵抗効果素子（特にスピンバルブ型巨大磁気抵
抗効果素子：ＳＶ素子）。 【効果】 動作層と非磁性層と磁化固定層との積層構造
を有する磁気抵抗効果素子において、動作層のＡＭＲ効
果（異方性磁気抵抗効果）を抑えて素子の動作線形性を
向上させ、磁界感度も向上させ、磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドとして用いるときのヘッド再生出力の波形歪を
低減し、十分な再生出力を得、その電磁変換効率及び記
録密度を向上させることができる。
ンが回転する動作層（フリー層）42と非磁性層（スペー
サ）43と磁化固定用の磁性層（ピン層又は硬磁性層）4
4、45又は47とがこの順に或いはこれとは逆の順に積層
された積層構造を有し、動作層42の厚みが 5.0nm以下で
ある磁気抵抗効果素子（特にスピンバルブ型巨大磁気抵
抗効果素子：ＳＶ素子）。 【効果】 動作層と非磁性層と磁化固定層との積層構造
を有する磁気抵抗効果素子において、動作層のＡＭＲ効
果（異方性磁気抵抗効果）を抑えて素子の動作線形性を
向上させ、磁界感度も向上させ、磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドとして用いるときのヘッド再生出力の波形歪を
低減し、十分な再生出力を得、その電磁変換効率及び記
録密度を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果素子に関
し、特に、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を示すスピンバ
ルブ型であって、磁気センサや磁気ディスク装置等の磁
気記録装置用の再生ヘッド等に適した磁気抵抗効果素子
に関するものである。
し、特に、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を示すスピンバ
ルブ型であって、磁気センサや磁気ディスク装置等の磁
気記録装置用の再生ヘッド等に適した磁気抵抗効果素子
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗膜（ＭＲ膜）は、磁気抵抗効果
を示す磁性体を膜にしたものであり、一般的には単層構
造となっている。
を示す磁性体を膜にしたものであり、一般的には単層構
造となっている。
【０００３】これに対してＧＭＲ膜は、複数の材料を組
み合わせた多層構造を有している。ＧＭＲ効果を生み出
す構造にはいくつかの種類があるが、そのなかで比較的
構造が単純であって弱い磁界で抵抗が変化するのがいわ
ゆるスピンバルブ膜である。
み合わせた多層構造を有している。ＧＭＲ効果を生み出
す構造にはいくつかの種類があるが、そのなかで比較的
構造が単純であって弱い磁界で抵抗が変化するのがいわ
ゆるスピンバルブ膜である。
【０００４】即ち、こうしたスピンバルブ膜は、磁性層
と非磁性導体層と磁性層とがこの順に積層されてなる３
層膜を主構成要素とし、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果を
示すことが報告されている（ジャーナル・オブ・マグネ
ティズム・アンド・マグネティク・マテリアルズ、93
巻、 101ページ、1991年）。
と非磁性導体層と磁性層とがこの順に積層されてなる３
層膜を主構成要素とし、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果を
示すことが報告されている（ジャーナル・オブ・マグネ
ティズム・アンド・マグネティク・マテリアルズ、93
巻、 101ページ、1991年）。
【０００５】例えば、磁性層をＣｏ層、導体層をＣｕ層
としたスピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜は、外部磁界
の作用下で反平行のスピン状態が発生してスピン依存散
乱が生じ、このために大きな磁気抵抗効果が得られるも
のと考えられている。
としたスピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜は、外部磁界
の作用下で反平行のスピン状態が発生してスピン依存散
乱が生じ、このために大きな磁気抵抗効果が得られるも
のと考えられている。
【０００６】図９には、スピンバルブ構造の磁気抵抗効
果素子16の一例を示す。即ち、フェライト基板11上に、
パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる磁性層12と、Ｃｕを主
成分とする非磁性導体層13と、パーマロイ（ＮｉＦｅ）
やＣｏからなる磁性層14と、ＦｅＭｎからなる反強磁性
層15とをこの順に、スパッタリング法によって積層して
スピンバルブ構造の磁気抵抗効果部10を構成する。
果素子16の一例を示す。即ち、フェライト基板11上に、
パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる磁性層12と、Ｃｕを主
成分とする非磁性導体層13と、パーマロイ（ＮｉＦｅ）
やＣｏからなる磁性層14と、ＦｅＭｎからなる反強磁性
層15とをこの順に、スパッタリング法によって積層して
スピンバルブ構造の磁気抵抗効果部10を構成する。
【０００７】このスピンバルブ構造の磁気抵抗効果素子
16は、２層の磁性層12及び14を薄い非磁性層13で分離
し、一方の磁性層14の上には反強磁性層15を設けるの
で、反強磁性層15と接した磁性層14（これを以下に、磁
化固定層又はピン層と称することがある。）はある一定
方向に磁化された状態になる。また、非磁性層13で分離
した他方の磁性層12（これを以下に、動作層又はフリー
層と称することがある。）は、決まった磁化方向をとら
ない。つまり、ピン層14は一度決まった磁化方向を保つ
力（保磁力）が大きく、フリー層12は保磁力が小さくな
る。
16は、２層の磁性層12及び14を薄い非磁性層13で分離
し、一方の磁性層14の上には反強磁性層15を設けるの
で、反強磁性層15と接した磁性層14（これを以下に、磁
化固定層又はピン層と称することがある。）はある一定
方向に磁化された状態になる。また、非磁性層13で分離
した他方の磁性層12（これを以下に、動作層又はフリー
層と称することがある。）は、決まった磁化方向をとら
ない。つまり、ピン層14は一度決まった磁化方向を保つ
力（保磁力）が大きく、フリー層12は保磁力が小さくな
る。
【０００８】この状態で磁界をかけると、フリー層12が
磁化され、磁化方向が決まる。フリー層12とピン層14の
磁化方向が図10（Ａ）のように 180度逆のときに、膜の
抵抗は最大になる。これは、フリー層12とピン層14のう
ち一方の層から他方へと移動しようとする電子が、非磁
性層13と磁性層14との界面で散乱するからである。
磁化され、磁化方向が決まる。フリー層12とピン層14の
磁化方向が図10（Ａ）のように 180度逆のときに、膜の
抵抗は最大になる。これは、フリー層12とピン層14のう
ち一方の層から他方へと移動しようとする電子が、非磁
性層13と磁性層14との界面で散乱するからである。
【０００９】しかし、図10（Ｂ）のように、フリー層12
とピン層14の磁化方向を同一にすると、非磁性層13と磁
性層14との界面で散乱が起き難くなり、抵抗が最小とな
る。
とピン層14の磁化方向を同一にすると、非磁性層13と磁
性層14との界面で散乱が起き難くなり、抵抗が最小とな
る。
【００１０】こうした外部磁界による抵抗変化を図11に
示すが、その抵抗変化率（（最大抵抗値−最小抵抗値）
／最小抵抗値）は、材料の選択や層厚等によって異なる
が、４％〜10％程度である。
示すが、その抵抗変化率（（最大抵抗値−最小抵抗値）
／最小抵抗値）は、材料の選択や層厚等によって異なる
が、４％〜10％程度である。
【００１１】ここで、上記スピンバルブ構造の動作原理
を更に詳細に説明する。
を更に詳細に説明する。
【００１２】スピンバルブ構造を形成する各層の機能を
まとめると、次の通りである。 動作層（フリー層）12：信号磁界（外部磁界：Hext）に
対してスピンが回転する。 磁化固定層（ピン層）14：反強磁性層15との交換結合に
よって、磁性元素のスピン方向が信号磁界方向と平行方
向に固定される。 非磁性層13：ＧＭＲ効果を発現させるスペーサであり、
動作層12とピン層14のスピンの相対角度に応じて抵抗変
化する。
まとめると、次の通りである。 動作層（フリー層）12：信号磁界（外部磁界：Hext）に
対してスピンが回転する。 磁化固定層（ピン層）14：反強磁性層15との交換結合に
よって、磁性元素のスピン方向が信号磁界方向と平行方
向に固定される。 非磁性層13：ＧＭＲ効果を発現させるスペーサであり、
動作層12とピン層14のスピンの相対角度に応じて抵抗変
化する。
【００１３】図12は、スピンバルブ膜を素子形状に微細
加工した際に発生する磁界Ｈｍを示す。即ち、磁化固定
層14側の素子端部に発生した磁極＋と−がフリー層12側
に磁界Ｈｍを与える。これは、いわゆるＳＡＬバイアス
に基本的に対応しており、ＳＡＬ膜がピン層14に、ＭＲ
（又はＧＭＲ）膜がフリー層12にそれぞれ対応する。こ
のＨｍの調整は、ピン層14の飽和磁化Ｍｓ及び膜厚ｔと
素子高さＷによって行う。図12では、フリー層12のスピ
ンを下向きにしようとする方向にＨｍが作用する。な
お、ＡＢＳ面23は、Air Bearing Surface の略で、磁気
記録媒体の摺動面である（以下、同様）。
加工した際に発生する磁界Ｈｍを示す。即ち、磁化固定
層14側の素子端部に発生した磁極＋と−がフリー層12側
に磁界Ｈｍを与える。これは、いわゆるＳＡＬバイアス
に基本的に対応しており、ＳＡＬ膜がピン層14に、ＭＲ
（又はＧＭＲ）膜がフリー層12にそれぞれ対応する。こ
のＨｍの調整は、ピン層14の飽和磁化Ｍｓ及び膜厚ｔと
素子高さＷによって行う。図12では、フリー層12のスピ
ンを下向きにしようとする方向にＨｍが作用する。な
お、ＡＢＳ面23は、Air Bearing Surface の略で、磁気
記録媒体の摺動面である（以下、同様）。
【００１４】図13は、２つの磁性層12と14が薄いスペー
サ13を介して相互作用し、磁界Ｈｆが発生する状態を示
す。スペーサ13の膜厚が 1.5〜5.0nm では、スピンの向
きが平行かつ同一方向に向いているときが安定であり、
スペーサ13の膜厚が小さくなる（即ち、磁性層間の距離
が近くなる）程、Ｈｆが大きくなる。このＨｆが働く向
きは必ず図12のＨｍとは反対方向となる。つまり、図13
では、フリー層12のスピンを上向きにしようとするよう
にＨｆが作用する。
サ13を介して相互作用し、磁界Ｈｆが発生する状態を示
す。スペーサ13の膜厚が 1.5〜5.0nm では、スピンの向
きが平行かつ同一方向に向いているときが安定であり、
スペーサ13の膜厚が小さくなる（即ち、磁性層間の距離
が近くなる）程、Ｈｆが大きくなる。このＨｆが働く向
きは必ず図12のＨｍとは反対方向となる。つまり、図13
では、フリー層12のスピンを上向きにしようとするよう
にＨｆが作用する。
【００１５】図14は、電流によって生じる磁界Ｈｉを示
す。これは電磁誘導の法則（右ねじの法則）に従う。電
流は素子動作に用いるセンス電流であり、その流す向き
を選択できるため、Ｈｉの方向を選べる。即ち、Ｈｍ＞
Ｈｆの時は＋ｉ方向（フリー層厚10nm）、Ｈｍ＜Ｈｆの
時は−ｉ方向（フリー層厚10nm以下）である。
す。これは電磁誘導の法則（右ねじの法則）に従う。電
流は素子動作に用いるセンス電流であり、その流す向き
を選択できるため、Ｈｉの方向を選べる。即ち、Ｈｍ＞
Ｈｆの時は＋ｉ方向（フリー層厚10nm）、Ｈｍ＜Ｈｆの
時は−ｉ方向（フリー層厚10nm以下）である。
【００１６】そして、以上の３つの磁界Ｈｍ、Ｈｆ、Ｈ
ｉをバランスさせて素子動作させる。つまり、素子を動
作させるには、図15に示すように、素子抵抗が変化する
磁界領域において、あるマージンを取って、線形動作す
る磁界領域をダイナミックレンジ（Ｄレンジ）として設
定する。そのＤレンジの中心が素子に対する外部磁界He
xt＝０のポイントとなるように、Ｈｍ、Ｈｆ、Ｈｉをバ
ランスさせる。
ｉをバランスさせて素子動作させる。つまり、素子を動
作させるには、図15に示すように、素子抵抗が変化する
磁界領域において、あるマージンを取って、線形動作す
る磁界領域をダイナミックレンジ（Ｄレンジ）として設
定する。そのＤレンジの中心が素子に対する外部磁界He
xt＝０のポイントとなるように、Ｈｍ、Ｈｆ、Ｈｉをバ
ランスさせる。
【００１７】図16及び図17には、上記のスピンバルブ構
造の磁気抵抗効果素子（ＳＶ素子）16をハードディスク
ドライブ用の記録／再生一体型薄膜ヘッドにおける再生
ヘッドに用いた例を示している。この再生ヘッドは素子
16に電極17及び18を接続して、その上下を磁性シールド
19で挟み込んだ構造からなっている。そして、その再生
ヘッドは磁気記録媒体20からの信号磁界21を再生する機
能を有するものである。なお、図中の＋、−は各磁化領
域での磁極、矢印22は磁化スピンの方向である。
造の磁気抵抗効果素子（ＳＶ素子）16をハードディスク
ドライブ用の記録／再生一体型薄膜ヘッドにおける再生
ヘッドに用いた例を示している。この再生ヘッドは素子
16に電極17及び18を接続して、その上下を磁性シールド
19で挟み込んだ構造からなっている。そして、その再生
ヘッドは磁気記録媒体20からの信号磁界21を再生する機
能を有するものである。なお、図中の＋、−は各磁化領
域での磁極、矢印22は磁化スピンの方向である。
【００１８】本発明者は、上記した如きスピンバルブ構
造の磁気抵抗効果素子（ＳＶ素子）について検討を加え
た結果、以下に述べるような問題点があることが判明し
た。
造の磁気抵抗効果素子（ＳＶ素子）について検討を加え
た結果、以下に述べるような問題点があることが判明し
た。
【００１９】まず、図18と図19について従来のＳＶ素子
16の抵抗変化に関して説明する。動作層12の磁気異方性
は、その磁化容易軸24をヘッドＡＢＳ面23と平行方向と
し、磁性層14とその直上の反強磁性層（ここでは図示省
略）との交換結合方向25（又は硬磁性膜の着磁方向25）
はヘッドＡＢＳ面23に垂直方向とする。従来のＳＶ素子
16は、その動作層12のＮｉＦｅ層厚が約10.0nmであり、
ＮｉＦｅ層そのものが持っている異方性磁気抵抗ＡＭＲ
（Anisotropic magnetoresistive）横効果及びＡＭＲ縦
効果が存在している。
16の抵抗変化に関して説明する。動作層12の磁気異方性
は、その磁化容易軸24をヘッドＡＢＳ面23と平行方向と
し、磁性層14とその直上の反強磁性層（ここでは図示省
略）との交換結合方向25（又は硬磁性膜の着磁方向25）
はヘッドＡＢＳ面23に垂直方向とする。従来のＳＶ素子
16は、その動作層12のＮｉＦｅ層厚が約10.0nmであり、
ＮｉＦｅ層そのものが持っている異方性磁気抵抗ＡＭＲ
（Anisotropic magnetoresistive）横効果及びＡＭＲ縦
効果が存在している。
【００２０】即ち、図18に示すように、ＮｉＦｅの磁化
回転に伴って生じる、電流26（センス電流）とスピン27
とのなす角度θに依存した抵抗変化Δρ（図20に示すＡ
ＭＲ横効果とＡＭＲ縦効果）である。このＡＭＲ横効果
の場合、θ＝０で最大抵抗値を示す上に凸な抵抗変化を
示し、ＡＭＲ縦効果の場合は逆に下に凸な抵抗変化を示
す。
回転に伴って生じる、電流26（センス電流）とスピン27
とのなす角度θに依存した抵抗変化Δρ（図20に示すＡ
ＭＲ横効果とＡＭＲ縦効果）である。このＡＭＲ横効果
の場合、θ＝０で最大抵抗値を示す上に凸な抵抗変化を
示し、ＡＭＲ縦効果の場合は逆に下に凸な抵抗変化を示
す。
【００２１】なお、図22に示すように、ＮｉＦｅの如き
軟磁性膜においてはそのＢ−Ｈ曲線の磁化困難軸の磁化
回転が飽和する磁界量は、異方性磁界Ｈｋと称されてい
る。
軟磁性膜においてはそのＢ−Ｈ曲線の磁化困難軸の磁化
回転が飽和する磁界量は、異方性磁界Ｈｋと称されてい
る。
【００２２】一方、スピンバルブ構造のＳＶ素子が本来
持つＧＭＲ効果は、図19に示すように、動作層（ＮｉＦ
ｅ）12のスピン27と磁性層（又は硬磁性層）14のスピン
25との相対角度βに依存した抵抗変化によるものであ
る。ここで、磁性層（又は硬磁性層）14のスピン25は電
流26に対して垂直方向に固定又は着磁されている。この
ＳＶ素子のＧＭＲ効果のβ依存性をＨ依存性に変換した
場合の抵抗変化を図20に示すが、素子が本来持つＧＭＲ
効果はＨ＝０（又はβ＝90度、θ＝０度）を点対称に直
線的に抵抗変化する。
持つＧＭＲ効果は、図19に示すように、動作層（ＮｉＦ
ｅ）12のスピン27と磁性層（又は硬磁性層）14のスピン
25との相対角度βに依存した抵抗変化によるものであ
る。ここで、磁性層（又は硬磁性層）14のスピン25は電
流26に対して垂直方向に固定又は着磁されている。この
ＳＶ素子のＧＭＲ効果のβ依存性をＨ依存性に変換した
場合の抵抗変化を図20に示すが、素子が本来持つＧＭＲ
効果はＨ＝０（又はβ＝90度、θ＝０度）を点対称に直
線的に抵抗変化する。
【００２３】更に、上記のＡＭＲ効果がＧＭＲ効果に重
畳した場合の抵抗変化を図21に各々示す。ＡＭＲ効果が
ＧＭＲ効果に重畳する場合、これらが単純に足し合わさ
れるため、ＡＭＲ横効果が重畳されると上に凸、ＡＭＲ
縦効果が重畳されると下に凸の抵抗変化曲線となる。即
ち、ＡＭＲ効果が重畳される分だけ、ＳＶ素子が本来持
つＧＭＲ効果の良好な直線性（線形性）が劣化すること
になる。
畳した場合の抵抗変化を図21に各々示す。ＡＭＲ効果が
ＧＭＲ効果に重畳する場合、これらが単純に足し合わさ
れるため、ＡＭＲ横効果が重畳されると上に凸、ＡＭＲ
縦効果が重畳されると下に凸の抵抗変化曲線となる。即
ち、ＡＭＲ効果が重畳される分だけ、ＳＶ素子が本来持
つＧＭＲ効果の良好な直線性（線形性）が劣化すること
になる。
【００２４】そこで、上述した図９の構造においてその
べた膜（ヘッドに加工する前の状態）のＡＭＲ効果を実
際に測定した。ＡＭＲ横効果は、ＡＭＲ膜（動作層）12
の磁化容易軸24に対して平行に通電しながら、磁化困難
軸方向に外部磁界を印加したときの膜抵抗の磁界強度依
存性である。一方、ＡＭＲ縦効果は、通電方向を磁化困
難軸方向にすることによって測定できる。
べた膜（ヘッドに加工する前の状態）のＡＭＲ効果を実
際に測定した。ＡＭＲ横効果は、ＡＭＲ膜（動作層）12
の磁化容易軸24に対して平行に通電しながら、磁化困難
軸方向に外部磁界を印加したときの膜抵抗の磁界強度依
存性である。一方、ＡＭＲ縦効果は、通電方向を磁化困
難軸方向にすることによって測定できる。
【００２５】図23が従来のべた膜における抵抗変化の通
電方向依存性である。ここで作製した試料は、下地層／
動作層12／非磁性層13／ピン層14／反強磁性層15／保護
層＝Ｔａ 6.7nm／ＮｉＦｅ10.0nm／Ｃｕ 2.4nm／Ｃｏ
2.2nm／ＦｅＭｎ10.0nm／Ｔａ8.0nmの層構造を有するＳ
Ｖ膜である。横効果測定28と縦効果測定29で抵抗変化が
各々上に凸、下に凸となっていて、ＡＭＲ効果が重畳し
ていることが明らかである。
電方向依存性である。ここで作製した試料は、下地層／
動作層12／非磁性層13／ピン層14／反強磁性層15／保護
層＝Ｔａ 6.7nm／ＮｉＦｅ10.0nm／Ｃｕ 2.4nm／Ｃｏ
2.2nm／ＦｅＭｎ10.0nm／Ｔａ8.0nmの層構造を有するＳ
Ｖ膜である。横効果測定28と縦効果測定29で抵抗変化が
各々上に凸、下に凸となっていて、ＡＭＲ効果が重畳し
ていることが明らかである。
【００２６】次に、ＧＭＲ効果とＡＭＲ横効果の動作膜
厚依存性を示したのが図24である。ここで作製した試料
は、Ｔａ 6.7nm／ＮｉＦｅ18.3nm以下／Ｃｕ 2.4nm／Ｃ
ｏ 2.2nm／ＦｅＭｎ10.0nm／Ｔａ 8.0nmの層構造を有す
るＳＶ膜30、及びＴａ 6.7nm／ＮｉＦｅ18.3nm以下／Ｃ
ｕ 2.4nm／Ｔａ 8.0nmの層構造を有するＡＭＲ膜31をそ
れぞれＤＣマグネトロンスパッタにより成膜したもので
ある。抵抗測定については４端子法により横効果測定を
行い、各々のΔρ／ρを計測した。ＡＭＲ効果は極薄膜
化に伴って急激に減少することが知られているが、図24
の結果から、10nm位でもまだＡＭＲ効果のΔρ／ρがＧ
ＭＲ効果のΔρ／ρの１割程度依存し、ＧＭＲ効果に比
べて無視することができない。
厚依存性を示したのが図24である。ここで作製した試料
は、Ｔａ 6.7nm／ＮｉＦｅ18.3nm以下／Ｃｕ 2.4nm／Ｃ
ｏ 2.2nm／ＦｅＭｎ10.0nm／Ｔａ 8.0nmの層構造を有す
るＳＶ膜30、及びＴａ 6.7nm／ＮｉＦｅ18.3nm以下／Ｃ
ｕ 2.4nm／Ｔａ 8.0nmの層構造を有するＡＭＲ膜31をそ
れぞれＤＣマグネトロンスパッタにより成膜したもので
ある。抵抗測定については４端子法により横効果測定を
行い、各々のΔρ／ρを計測した。ＡＭＲ効果は極薄膜
化に伴って急激に減少することが知られているが、図24
の結果から、10nm位でもまだＡＭＲ効果のΔρ／ρがＧ
ＭＲ効果のΔρ／ρの１割程度依存し、ＧＭＲ効果に比
べて無視することができない。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、動作
層と非磁性層と磁化固定層との積層構造を有する磁気抵
抗効果素子において、動作層のＡＭＲ効果（異方性磁気
抵抗効果）を抑えて素子の動作線形性を向上させ、磁界
感度も向上させ、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとして
用いるときのヘッド再生出力の波形歪を低減し、十分な
再生出力を得、その電磁変換効率及び記録密度を向上さ
せることにある。
層と非磁性層と磁化固定層との積層構造を有する磁気抵
抗効果素子において、動作層のＡＭＲ効果（異方性磁気
抵抗効果）を抑えて素子の動作線形性を向上させ、磁界
感度も向上させ、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとして
用いるときのヘッド再生出力の波形歪を低減し、十分な
再生出力を得、その電磁変換効率及び記録密度を向上さ
せることにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した従
来の技術の問題点について鋭意検討を重ねた結果、意外
にも、上記の動作層（フリー層）の厚みを特定範囲に極
薄化すれば、そのＡＭＲ効果がＧＭＲ効果に比べて十分
に無視できることを見出し、本発明に到達したものであ
る。
来の技術の問題点について鋭意検討を重ねた結果、意外
にも、上記の動作層（フリー層）の厚みを特定範囲に極
薄化すれば、そのＡＭＲ効果がＧＭＲ効果に比べて十分
に無視できることを見出し、本発明に到達したものであ
る。
【００２９】即ち、本発明は、外部磁界に対して磁化の
スピンが回転する動作層（フリー層）と非磁性層（スペ
ーサ）と磁化固定用の磁性層（ピン層又は硬磁性層）と
がこの順に或いはこれとは逆の順に積層された積層構造
を有し、前記動作層の厚みが５nm以下である磁気抵抗効
果素子（特にスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子：Ｓ
Ｖ素子）に係るものである。
スピンが回転する動作層（フリー層）と非磁性層（スペ
ーサ）と磁化固定用の磁性層（ピン層又は硬磁性層）と
がこの順に或いはこれとは逆の順に積層された積層構造
を有し、前記動作層の厚みが５nm以下である磁気抵抗効
果素子（特にスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子：Ｓ
Ｖ素子）に係るものである。
【００３０】本発明の磁気抵抗効果素子によれば、動作
層の厚みを従来の素子における厚み（10nm程度）に比べ
てかなり小さくしたことによって、既述した如き動作層
のＡＭＲ横効果及び縦効果をキャンセルしてその重畳に
よる線形性の劣化が生じず、素子の動作線形性が著しく
向上する。しかも、動作層の極薄化によって反磁界が減
少し、素子の磁界感度も向上する。これは、動作層が５
nm以下と極薄なために、そこを通る磁束（フラックス）
が大幅に減少し、べた膜と同等の磁気特性を示すからで
あると考えられる。
層の厚みを従来の素子における厚み（10nm程度）に比べ
てかなり小さくしたことによって、既述した如き動作層
のＡＭＲ横効果及び縦効果をキャンセルしてその重畳に
よる線形性の劣化が生じず、素子の動作線形性が著しく
向上する。しかも、動作層の極薄化によって反磁界が減
少し、素子の磁界感度も向上する。これは、動作層が５
nm以下と極薄なために、そこを通る磁束（フラックス）
が大幅に減少し、べた膜と同等の磁気特性を示すからで
あると考えられる。
【００３１】従って、 (1)素子の動作線形性が改善され、ヘッド再生出力の波
形歪を低減できるため、ヘッド電磁変換効率が向上し、
記録密度が向上する。 (2)素子の磁界感度が向上し、狭ギャップヘッドでも再
生出力が十分取れるようになるため、記録密度が向上す
る。という効果が得られる。
形歪を低減できるため、ヘッド電磁変換効率が向上し、
記録密度が向上する。 (2)素子の磁界感度が向上し、狭ギャップヘッドでも再
生出力が十分取れるようになるため、記録密度が向上す
る。という効果が得られる。
【００３２】本発明の磁気抵抗効果素子において、上記
の動作層としてＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏや、ＣｏＦｅ、
ＣｏＮｉ、通常のＳＡＬ材に用いるパーマロイ合金：Ｎ
ｉＦｅ−Ｘ（Ｘ＝Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｍ
ｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ等、Ｘとしてこれら
元素を複数用いてもよい。）、更にはＣｏＺｒ系アモル
ファス等が使用可能であり、上記の非磁性層としてＣ
ｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＡｇ等のＣｕ合金が使用可能であ
り、更に上記の磁性層としてはＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ
やＣｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉ等の磁性層（ピン層）と、
ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎやＮｉＯ、ＮｉＣｏＯ等の反強磁性
層との組み合わせが使用可能である。この組み合わせに
代えて、例えばＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ等の硬磁性層を
使用することもできる。
の動作層としてＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏや、ＣｏＦｅ、
ＣｏＮｉ、通常のＳＡＬ材に用いるパーマロイ合金：Ｎ
ｉＦｅ−Ｘ（Ｘ＝Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｍ
ｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ等、Ｘとしてこれら
元素を複数用いてもよい。）、更にはＣｏＺｒ系アモル
ファス等が使用可能であり、上記の非磁性層としてＣ
ｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＡｇ等のＣｕ合金が使用可能であ
り、更に上記の磁性層としてはＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ
やＣｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉ等の磁性層（ピン層）と、
ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎやＮｉＯ、ＮｉＣｏＯ等の反強磁性
層との組み合わせが使用可能である。この組み合わせに
代えて、例えばＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ等の硬磁性層を
使用することもできる。
【００３３】この磁気抵抗効果素子において、上記の非
磁性層は実際には、動作層と磁性層との磁化スピンの相
対角度に応じて抵抗変化するスペーサとして機能する。
また、上記の磁化固定用の磁性層が磁性層と反強磁性層
とからなる場合、これらの間の交換結合によって磁性層
の磁化のスピン方向が外部磁界と平行に固定されてよ
い。また、上記の磁化固定用の磁性層が硬磁性層からな
る場合、この硬磁性層の磁化のスピン方向が外部磁界と
平行に固定されてよい。
磁性層は実際には、動作層と磁性層との磁化スピンの相
対角度に応じて抵抗変化するスペーサとして機能する。
また、上記の磁化固定用の磁性層が磁性層と反強磁性層
とからなる場合、これらの間の交換結合によって磁性層
の磁化のスピン方向が外部磁界と平行に固定されてよ
い。また、上記の磁化固定用の磁性層が硬磁性層からな
る場合、この硬磁性層の磁化のスピン方向が外部磁界と
平行に固定されてよい。
【００３４】上記したように動作層のＡＭＲ効果をキャ
ンセルして同様の効果を得るには、上記と同様に動作層
と非磁性層と磁化固定用の磁性層とがこの順に或いはこ
れとは逆の順に積層された積層構造において、後述する
ように、前記動作層にその異方性磁気抵抗を減少させる
Ｔａ等の元素が添加されてよい。或いは、動作層を本来
ＡＭＲ効果の非常に小さいＮｉＦｅＴａ等の軟磁性材料
で形成することによって、上記と同様の効果を得ること
ができる（特に、軟磁気特性の良好な材料を用いると、
動作層の磁界感度が向上する）。
ンセルして同様の効果を得るには、上記と同様に動作層
と非磁性層と磁化固定用の磁性層とがこの順に或いはこ
れとは逆の順に積層された積層構造において、後述する
ように、前記動作層にその異方性磁気抵抗を減少させる
Ｔａ等の元素が添加されてよい。或いは、動作層を本来
ＡＭＲ効果の非常に小さいＮｉＦｅＴａ等の軟磁性材料
で形成することによって、上記と同様の効果を得ること
ができる（特に、軟磁気特性の良好な材料を用いると、
動作層の磁界感度が向上する）。
【００３５】そして、本発明の磁気抵抗効果素子におい
て、動作層のＡＭＲ効果をキャンセルする３通りの手段
のうち、動作層の厚みを 5.0nm以下とすることと、動作
層にＡＭＲ効果を減少させる元素を添加することと、動
作層をＡＭＲ効果の非常に小さい軟磁性材料で形成する
こととの少なくとも２つの手段を組み合わせることもで
きる。
て、動作層のＡＭＲ効果をキャンセルする３通りの手段
のうち、動作層の厚みを 5.0nm以下とすることと、動作
層にＡＭＲ効果を減少させる元素を添加することと、動
作層をＡＭＲ効果の非常に小さい軟磁性材料で形成する
こととの少なくとも２つの手段を組み合わせることもで
きる。
【００３６】本発明の磁気抵抗効果素子は、ＡＭＲ効果
をキャンセルした動作層を用いることが特徴であるが、
それによってＧＭＲ効果が低減する傾向にある場合、こ
れを補う目的で、動作層と非磁性層との間にＮｉＦｅ、
ＮｉＦｅＣｏ又はＣｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉ等の磁性層
を薄く挟むことが望ましい。
をキャンセルした動作層を用いることが特徴であるが、
それによってＧＭＲ効果が低減する傾向にある場合、こ
れを補う目的で、動作層と非磁性層との間にＮｉＦｅ、
ＮｉＦｅＣｏ又はＣｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉ等の磁性層
を薄く挟むことが望ましい。
【００３７】本発明の磁気抵抗効果素子においては、実
際には、上記の反強磁性層を反強磁性となるように結晶
配向させるＴａ等の下地層が積層構造下に設けられてい
る。
際には、上記の反強磁性層を反強磁性となるように結晶
配向させるＴａ等の下地層が積層構造下に設けられてい
る。
【００３８】また、Ｔａ等の保護層が積層構造上に設け
られているのがよい。そして、この積層構造の上、下に
それぞれ、軟磁性体からなる上部磁性磁極と下部磁性磁
極とが設けられたヘッドとしてよい。
られているのがよい。そして、この積層構造の上、下に
それぞれ、軟磁性体からなる上部磁性磁極と下部磁性磁
極とが設けられたヘッドとしてよい。
【００３９】なお、本発明の磁気抵抗効果素子は、ＳＶ
素子の如き素子自体のみならず、薄膜磁気ヘッドの如き
完成品をも包含する概念のものである。
素子の如き素子自体のみならず、薄膜磁気ヘッドの如き
完成品をも包含する概念のものである。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を実施例について更に詳細に説
明する。
明する。
【００４１】まず、本実施例によるスピンバルブ構造の
磁気抵抗効果素子（ＳＶ素子）の構成を図５及び図６に
ついて説明する。本実施例によるＳＶ素子には、大別し
て２種のタイプがあり、これらをタイプ１（図５のも
の）とタイプ２（図６のもの）と称することにする。
磁気抵抗効果素子（ＳＶ素子）の構成を図５及び図６に
ついて説明する。本実施例によるＳＶ素子には、大別し
て２種のタイプがあり、これらをタイプ１（図５のも
の）とタイプ２（図６のもの）と称することにする。
【００４２】タイプ１のＳＶ素子46は、図５（Ａ）に示
すように、下地層41、動作層（フリー層）42、非磁性層
（スペーサ）43、磁性層（ピン層）44、反強磁性層45、
保護層40がこの順に積層されて磁気抵抗部50を構成して
いる。また、図５（Ｂ）に示すように、下地層41と保護
層40との間の積層順を逆にし、下地層41、反強磁性層4
5、磁性層（ピン層）44、非磁性層（スペーサ）43、動
作層（フリー層）42、保護層40の順に積層してもよい。
すように、下地層41、動作層（フリー層）42、非磁性層
（スペーサ）43、磁性層（ピン層）44、反強磁性層45、
保護層40がこの順に積層されて磁気抵抗部50を構成して
いる。また、図５（Ｂ）に示すように、下地層41と保護
層40との間の積層順を逆にし、下地層41、反強磁性層4
5、磁性層（ピン層）44、非磁性層（スペーサ）43、動
作層（フリー層）42、保護層40の順に積層してもよい。
【００４３】タイプ２のＳＶ素子56は、図６（Ａ）に示
すように、下地層41、動作層（フリー層）42、非磁性層
（スペーサ）43、硬磁性層47、保護層40がこの順に積層
されて磁気抵抗部50を構成している。また、図６（Ｂ）
に示すように、下地層41と保護層40との間の積層順を逆
にし、下地層41、硬磁性層47、非磁性層（スペーサ）4
3、動作層（フリー層）42、保護層40の順に積層しても
よい。
すように、下地層41、動作層（フリー層）42、非磁性層
（スペーサ）43、硬磁性層47、保護層40がこの順に積層
されて磁気抵抗部50を構成している。また、図６（Ｂ）
に示すように、下地層41と保護層40との間の積層順を逆
にし、下地層41、硬磁性層47、非磁性層（スペーサ）4
3、動作層（フリー層）42、保護層40の順に積層しても
よい。
【００４４】なお、タイプ１、タイプ２とも、積層体の
上、下に軟磁性体の上部磁極及び下部磁極が設けられ、
また、両側に一対の引出し電極（図16参照）が設けられ
るが、ここでは図示省略した。
上、下に軟磁性体の上部磁極及び下部磁極が設けられ、
また、両側に一対の引出し電極（図16参照）が設けられ
るが、ここでは図示省略した。
【００４５】具体的な層構成としては、タイプ１の場
合、下地層41としてＴａ、ＴｉやＨｆ等を例えば約 5.0
nm、動作層42としてＮｉＦｅやＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦ
ｅ、ＣｏＮｉ、ＮｉＦｅ−Ｘ（Ｘ＝Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｒｈ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ等を
30atomic％以下含有）、ＣｏＺｒ系アモルファス等を例
えば約15.0nm以下（特には 5.0nm以下）、非磁性層43と
して純Ｃｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＡｇ等を例えば 1.5〜5.0n
m(望ましくは 2.0〜3.0nm)、更に磁性層44としてＮｉＦ
ｅ、ＮｉＦｅＣｏ、純Ｃｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉ等を例
えば 1.0〜5.0nm 、反強磁性層45としてＦｅＭｎ、Ｎｉ
ＭｎやＮｉＯ、ＮｉＣｏＯ等を例えば 5.0〜100.0nm
（望ましくは、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎの場合は５〜15nm、
ＮｉＯ、ＮｉＣｏＯの場合は30〜60nm）それぞれ成膜し
ている。保護層40は下地層41と同様の非磁性層であって
よい。
合、下地層41としてＴａ、ＴｉやＨｆ等を例えば約 5.0
nm、動作層42としてＮｉＦｅやＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦ
ｅ、ＣｏＮｉ、ＮｉＦｅ−Ｘ（Ｘ＝Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｂ、
Ｒｈ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ等を
30atomic％以下含有）、ＣｏＺｒ系アモルファス等を例
えば約15.0nm以下（特には 5.0nm以下）、非磁性層43と
して純Ｃｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＡｇ等を例えば 1.5〜5.0n
m(望ましくは 2.0〜3.0nm)、更に磁性層44としてＮｉＦ
ｅ、ＮｉＦｅＣｏ、純Ｃｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉ等を例
えば 1.0〜5.0nm 、反強磁性層45としてＦｅＭｎ、Ｎｉ
ＭｎやＮｉＯ、ＮｉＣｏＯ等を例えば 5.0〜100.0nm
（望ましくは、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎの場合は５〜15nm、
ＮｉＯ、ＮｉＣｏＯの場合は30〜60nm）それぞれ成膜し
ている。保護層40は下地層41と同様の非磁性層であって
よい。
【００４６】なお、これらの層構造を上記したように上
下逆転させても構わないが、反強磁性層45の反強磁性特
性を誘発する下地層を必要とするＦｅＭｎ等を反強磁性
層45に用いる場合は、その下地層として例えば上記下地
層41とＮｉＦｅ層との積層体や上記下地層41とＣｕ層と
の積層体等がよい。
下逆転させても構わないが、反強磁性層45の反強磁性特
性を誘発する下地層を必要とするＦｅＭｎ等を反強磁性
層45に用いる場合は、その下地層として例えば上記下地
層41とＮｉＦｅ層との積層体や上記下地層41とＣｕ層と
の積層体等がよい。
【００４７】タイプ２の場合、タイプ１の（磁性層44／
反強磁性層45）の構造部を硬磁性層47に置き換えた構造
である。その硬磁性層47はＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａ等、通常の薄膜記録媒体に用いられるような
硬磁性材料であれば何でも構わない。更に、上記したよ
うに層構造を上下逆転させても構わない。また、このタ
イプ２では、場合によっては、下地層41、保護層40は必
要ではない。
反強磁性層45）の構造部を硬磁性層47に置き換えた構造
である。その硬磁性層47はＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａ等、通常の薄膜記録媒体に用いられるような
硬磁性材料であれば何でも構わない。更に、上記したよ
うに層構造を上下逆転させても構わない。また、このタ
イプ２では、場合によっては、下地層41、保護層40は必
要ではない。
【００４８】このＳＶ素子、例えばタイプ１を作製する
ために図８に示すＤＣマグネトロンスパッタ装置が使用
可能である。図中、57は下地層又は保護層用のターゲッ
ト、58は動作層用のターゲット、59は磁性層用のターゲ
ット、60は非磁性層用のターゲット、61は磁性層用のタ
ーゲット、62は反強磁性層用のターゲット、63はシャッ
タ、64は基板51を下面にセットする回転式基板ホルダ、
65は真空容器である。
ために図８に示すＤＣマグネトロンスパッタ装置が使用
可能である。図中、57は下地層又は保護層用のターゲッ
ト、58は動作層用のターゲット、59は磁性層用のターゲ
ット、60は非磁性層用のターゲット、61は磁性層用のタ
ーゲット、62は反強磁性層用のターゲット、63はシャッ
タ、64は基板51を下面にセットする回転式基板ホルダ、
65は真空容器である。
【００４９】真空容器65は、実際には、シールド板（図
示せず）によって例えば個々の独立したチャンバに分け
られており、各チャンバに亘るように基板ホルダ64が回
転軸66を中心に順次所定角度だけ回転する。各チャンバ
では、シャッタ63を開状態にし、それぞれターゲットを
スパッタし、シールド板に設けた開口を通して基板51上
に上記の各層を順次積層できるようになっている。
示せず）によって例えば個々の独立したチャンバに分け
られており、各チャンバに亘るように基板ホルダ64が回
転軸66を中心に順次所定角度だけ回転する。各チャンバ
では、シャッタ63を開状態にし、それぞれターゲットを
スパッタし、シールド板に設けた開口を通して基板51上
に上記の各層を順次積層できるようになっている。
【００５０】このＤＣマグネトロンスパッタ装置は、図
示省略したマグネットによってターゲットのスパッタ効
率を高めるように設計されている。スパッタ条件として
は、スパッタガスにはＡｒを使用し、ガス圧は 0.5Pa、
成膜速度は 0.1〜0.5nm/secとした。
示省略したマグネットによってターゲットのスパッタ効
率を高めるように設計されている。スパッタ条件として
は、スパッタガスにはＡｒを使用し、ガス圧は 0.5Pa、
成膜速度は 0.1〜0.5nm/secとした。
【００５１】本実施例によるＳＶ素子46又は56は、ＧＭ
Ｒ効果素子として図16及び図17で述べたと同様の例えば
ハードディスクドライブ用の記録／再生一体型の薄膜ヘ
ッドとして使用可能である。
Ｒ効果素子として図16及び図17で述べたと同様の例えば
ハードディスクドライブ用の記録／再生一体型の薄膜ヘ
ッドとして使用可能である。
【００５２】図７には、例えばタイプ１のＳＶ素子につ
いて示している。その動作原理は図10〜図19で示したも
のと同様であるが、各層の機能を以下にまとめておく。 下地層41：反強磁性層45を反強磁性となる結晶配向させ
るために必要。 動作層（フリー層）42：信号磁界（外部磁界：Hext）に
対してスピンが回転する。 界面磁性層（フリー層）52：動作層42と同様であるが、
ＧＭＲ効果の低減を補うために設けてもよい。 非磁性層（ピン層）44：反強磁性層45との交換結合によ
ってＣｏ等のスピン方向が信号磁界方向と平行方向に固
定される。 非磁性層（スペーサ）43：ＧＭＲ効果を発現させるスペ
ーサ膜である。動作層42とピン層44のスピンの相対角度
に応じて抵抗変化する。 保護層40：素子作製プロセス時のスピンバルブ膜の劣化
を防止する。
いて示している。その動作原理は図10〜図19で示したも
のと同様であるが、各層の機能を以下にまとめておく。 下地層41：反強磁性層45を反強磁性となる結晶配向させ
るために必要。 動作層（フリー層）42：信号磁界（外部磁界：Hext）に
対してスピンが回転する。 界面磁性層（フリー層）52：動作層42と同様であるが、
ＧＭＲ効果の低減を補うために設けてもよい。 非磁性層（ピン層）44：反強磁性層45との交換結合によ
ってＣｏ等のスピン方向が信号磁界方向と平行方向に固
定される。 非磁性層（スペーサ）43：ＧＭＲ効果を発現させるスペ
ーサ膜である。動作層42とピン層44のスピンの相対角度
に応じて抵抗変化する。 保護層40：素子作製プロセス時のスピンバルブ膜の劣化
を防止する。
【００５３】本実施例によるＳＶ素子において注目すべ
きことは、上記の動作層（例えばＮｉＦｅ）42を 5.0nm
以下と極く薄くすることによってそのＡＭＲ効果をキャ
ンセルしたことである。これについて、以下に詳述す
る。
きことは、上記の動作層（例えばＮｉＦｅ）42を 5.0nm
以下と極く薄くすることによってそのＡＭＲ効果をキャ
ンセルしたことである。これについて、以下に詳述す
る。
【００５４】図３には、本実施例によるＳＶ素子特性71
を示す。ここで用いたＳＶべた膜の層構造は、Ｔａ 6.7
nm／ＮｉＦｅ 5.0nm／Ｃｕ 2.4nm／Ｃｏ 2.2nm／ＦｅＭ
ｎ10.0nm／Ｔａ 8.0nmである。比較のために、従来のＳ
Ｖ素子（動作層のＮｉＦｅ厚は10.0nm）の抵抗変化曲線
72も同時に示す。素子形状はいずれも、素子長 100μ
ｍ、ＭＲ素子高さＷ２μｍ、電極間距離19μｍである。
また、センス電流は６mAである。
を示す。ここで用いたＳＶべた膜の層構造は、Ｔａ 6.7
nm／ＮｉＦｅ 5.0nm／Ｃｕ 2.4nm／Ｃｏ 2.2nm／ＦｅＭ
ｎ10.0nm／Ｔａ 8.0nmである。比較のために、従来のＳ
Ｖ素子（動作層のＮｉＦｅ厚は10.0nm）の抵抗変化曲線
72も同時に示す。素子形状はいずれも、素子長 100μ
ｍ、ＭＲ素子高さＷ２μｍ、電極間距離19μｍである。
また、センス電流は６mAである。
【００５５】図３の結果から、本発明に基づく素子特性
は、従来の素子特性に比べてその動作線形性が極めて良
好である上に、動作層の薄膜化により反磁界が減少して
素子磁界感度が向上している。
は、従来の素子特性に比べてその動作線形性が極めて良
好である上に、動作層の薄膜化により反磁界が減少して
素子磁界感度が向上している。
【００５６】磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒは、ある外部磁場
Ｈでの抵抗値をＲ、外部磁場１ＫＯｅでの抵抗値をＲ0
として計算式（ΔＲ／Ｒ）＝（Ｒ−Ｒ0 ）／Ｒ0 に従っ
て計算した。また、磁場感度は、磁気抵抗変化率の外部
磁場微分として定義し、計算式：ｄ（ΔＲ／Ｒ）／ｄＨ
より計算した（これは他の例でも同様）。
Ｈでの抵抗値をＲ、外部磁場１ＫＯｅでの抵抗値をＲ0
として計算式（ΔＲ／Ｒ）＝（Ｒ−Ｒ0 ）／Ｒ0 に従っ
て計算した。また、磁場感度は、磁気抵抗変化率の外部
磁場微分として定義し、計算式：ｄ（ΔＲ／Ｒ）／ｄＨ
より計算した（これは他の例でも同様）。
【００５７】図１及び図２には、動作層の厚みを種々に
変えた場合に得られたＳＶ素子特性を示す。これによれ
ば、動作層の厚みが11.6nm〜8.3nm の範囲では、抵抗変
化領域が上に凸の丸みを帯びて線形性が不良となるが、
厚みが 5.0nmのときは著しく線形性が良好となる。そし
て、厚みが 5.0nmと 1.7nm、或いはこれらの間のとき
は、比較的直線的に抵抗変化しており、本発明の優位性
が明らかである。
変えた場合に得られたＳＶ素子特性を示す。これによれ
ば、動作層の厚みが11.6nm〜8.3nm の範囲では、抵抗変
化領域が上に凸の丸みを帯びて線形性が不良となるが、
厚みが 5.0nmのときは著しく線形性が良好となる。そし
て、厚みが 5.0nmと 1.7nm、或いはこれらの間のとき
は、比較的直線的に抵抗変化しており、本発明の優位性
が明らかである。
【００５８】従って、動作層の厚みは 5.0nm以下とすべ
きであるが、特に 5.0nmのときは既述した（図12〜図15
に示した）Ｈｍ、Ｈｆ、Ｈｉのバランスが良好であり、
線形性、感度のすべてに十分となる。厚みが 1.7nmや
3.3nmのときは上記バランスが不十分となり易い。但
し、図２は、Ｔａ 6.5nm／ＮｉＦｅ 4.0nm／Ｃｕ 2.4nm
／Ｃｏ 2.9nm／ＦｅＭｎ10.0nm／Ｔａ 7.4nmの素子構造
であって、素子長 100μｍ、高さ２μｍ、電極間距離19
μｍ、センス電流４mAのときのデータであるが、上記バ
ランスが良く、バイアスポイントが良好であることが分
かる。
きであるが、特に 5.0nmのときは既述した（図12〜図15
に示した）Ｈｍ、Ｈｆ、Ｈｉのバランスが良好であり、
線形性、感度のすべてに十分となる。厚みが 1.7nmや
3.3nmのときは上記バランスが不十分となり易い。但
し、図２は、Ｔａ 6.5nm／ＮｉＦｅ 4.0nm／Ｃｕ 2.4nm
／Ｃｏ 2.9nm／ＦｅＭｎ10.0nm／Ｔａ 7.4nmの素子構造
であって、素子長 100μｍ、高さ２μｍ、電極間距離19
μｍ、センス電流４mAのときのデータであるが、上記バ
ランスが良く、バイアスポイントが良好であることが分
かる。
【００５９】このことから、本発明に基づいて動作層の
厚みを決める際、その厚みは 5.0nm以下とすべきである
が、 2.0nm以上、更には 3.0nm以上が望ましく、 4.0〜
5.0nmとするのが特に望ましいことが予想される。
厚みを決める際、その厚みは 5.0nm以下とすべきである
が、 2.0nm以上、更には 3.0nm以上が望ましく、 4.0〜
5.0nmとするのが特に望ましいことが予想される。
【００６０】更に、動作層としてＮｉＦｅではなく、Ｎ
ｉＦｅＴａ等の如く本来ＡＭＲ効果が非常に小さく、か
つＮｉＦｅよりも軟磁気特性に優れた材料を用いて得ら
れたデータを図４に示す。ここで用いたＳＶ素子81の層
構造は、Ｔａ 6.7nm／ＮｉＦｅＴａ 8.3nm／ＮｉＦｅ
1.7nm／Ｃｕ 2.4nm／Ｃｏ 2.2nm／ＦｅＭｎ10.0nm／Ｔ
ａ 8.0nmである。
ｉＦｅＴａ等の如く本来ＡＭＲ効果が非常に小さく、か
つＮｉＦｅよりも軟磁気特性に優れた材料を用いて得ら
れたデータを図４に示す。ここで用いたＳＶ素子81の層
構造は、Ｔａ 6.7nm／ＮｉＦｅＴａ 8.3nm／ＮｉＦｅ
1.7nm／Ｃｕ 2.4nm／Ｃｏ 2.2nm／ＦｅＭｎ10.0nm／Ｔ
ａ 8.0nmである。
【００６１】ＮｉＦｅやＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、Ｃｏ
Ｎｉ以外の材料を動作層に用いる場合、動作層とＣｕ合
金層との界面で発現するＧＭＲ効果が低下する。これを
補うために動作層とＣｕ合金層との間にＮｉＦｅ、Ｎｉ
ＦｅＣｏ又はＣｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉ等を薄く挟む
（この例ではＮｉＦｅを用いた）。比較のために、従来
のＳＶ素子特性82も図４中に記した。素子形状、センス
電流は上記と同様である。図４から、本発明に基づく素
子81は、ＧＭＲ効果を損なうことなく、良好な線形性が
得られていることが分かる。
Ｎｉ以外の材料を動作層に用いる場合、動作層とＣｕ合
金層との界面で発現するＧＭＲ効果が低下する。これを
補うために動作層とＣｕ合金層との間にＮｉＦｅ、Ｎｉ
ＦｅＣｏ又はＣｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉ等を薄く挟む
（この例ではＮｉＦｅを用いた）。比較のために、従来
のＳＶ素子特性82も図４中に記した。素子形状、センス
電流は上記と同様である。図４から、本発明に基づく素
子81は、ＧＭＲ効果を損なうことなく、良好な線形性が
得られていることが分かる。
【００６２】上記の動作層の主材料として、ＮｉＦｅＴ
ａの他にも、ＡＭＲ効果を低減させる元素Ｘを含有する
いわゆるパーマロイ合金系ＮｉＦｅ−Ｘ（Ｘ＝Ａｇ、
Ｂ、Ｂｉ、Ｃ、Ｃｒ、Ｈｇ、Ｉｒ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｎａ、
Ｎｂ、Ｐｂ、Ｖ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｒ
ｈ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｃｕ等を30atomic％以下含有し
たもの。又は、これらのＸのうち２つ又はそれ以上含有
させてもよい。）やアモルファス軟磁性材（例えばＣｏ
Ｚｒ−Ｘ合金等、Ｘは上記と同じでよい。）の如き材料
でも同様の効果が得られる。特に、軟磁気特性に優れた
ＮｉＦｅＴａ、ＮｉＦｅＭｏ（スーパーパーマロイ）等
が良い。
ａの他にも、ＡＭＲ効果を低減させる元素Ｘを含有する
いわゆるパーマロイ合金系ＮｉＦｅ−Ｘ（Ｘ＝Ａｇ、
Ｂ、Ｂｉ、Ｃ、Ｃｒ、Ｈｇ、Ｉｒ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｎａ、
Ｎｂ、Ｐｂ、Ｖ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｒ
ｈ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｃｕ等を30atomic％以下含有し
たもの。又は、これらのＸのうち２つ又はそれ以上含有
させてもよい。）やアモルファス軟磁性材（例えばＣｏ
Ｚｒ−Ｘ合金等、Ｘは上記と同じでよい。）の如き材料
でも同様の効果が得られる。特に、軟磁気特性に優れた
ＮｉＦｅＴａ、ＮｉＦｅＭｏ（スーパーパーマロイ）等
が良い。
【００６３】或いは動作層に特定の元素を添加すること
によっても、そのＡＭＲ効果を低減することができる。
こうした添加元素としては、Ａｇ、Ｂ、Ｂｉ、Ｃ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｈｇ、Ｉｒ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎ
ｂ、Ｐｂ、Ｖ、Ｐｔ、Ｚｒがあり、動作層への添加量は
0.1〜30原子％とするのがよい。
によっても、そのＡＭＲ効果を低減することができる。
こうした添加元素としては、Ａｇ、Ｂ、Ｂｉ、Ｃ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｈｇ、Ｉｒ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎ
ｂ、Ｐｂ、Ｖ、Ｐｔ、Ｚｒがあり、動作層への添加量は
0.1〜30原子％とするのがよい。
【００６４】以上のことから、動作層のＡＭＲ効果をキ
ャンセルすることによって、ＳＶ素子の動作線形性を従
来に比べて改善できる。また、動作層の軟磁気特性を改
善することによって、素子磁界感度を向上することが可
能となる。これらにより、ヘッドの再生出力波形の歪み
を抑え、ダイナミックレンジを広く保持できる上に、ヘ
ッドの電磁変換効率が向上する。それ故、ヘッドの再生
特性が向上することに加えて、高密度記録化に伴って信
号磁界強度が減少しても磁場感度が良く、狭ギャップの
再生ヘッドでも電磁変換効率が低下しないので、一層の
高記録密度化が可能となる。
ャンセルすることによって、ＳＶ素子の動作線形性を従
来に比べて改善できる。また、動作層の軟磁気特性を改
善することによって、素子磁界感度を向上することが可
能となる。これらにより、ヘッドの再生出力波形の歪み
を抑え、ダイナミックレンジを広く保持できる上に、ヘ
ッドの電磁変換効率が向上する。それ故、ヘッドの再生
特性が向上することに加えて、高密度記録化に伴って信
号磁界強度が減少しても磁場感度が良く、狭ギャップの
再生ヘッドでも電磁変換効率が低下しないので、一層の
高記録密度化が可能となる。
【００６５】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可
能である。
の実施例は本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可
能である。
【００６６】例えば、上述のＳＶ素子又はヘッドにおい
て、その層構成の積層数や各層の厚さ、材質等は種々変
更してよい。
て、その層構成の積層数や各層の厚さ、材質等は種々変
更してよい。
【００６７】また、上述のヘッドの構造は磁界検出ヘッ
ドとして種々の用途に適用できるように変形することが
できる。
ドとして種々の用途に適用できるように変形することが
できる。
【００６８】なお、上述の実施例ではＤＣマグネトロン
スパッタ法を使用したが、他のスパッタ法で成膜しても
よい。また、スパッタ法に限らず、蒸着法等で成膜して
もよい。
スパッタ法を使用したが、他のスパッタ法で成膜しても
よい。また、スパッタ法に限らず、蒸着法等で成膜して
もよい。
【００６９】
【発明の作用効果】本発明は上述した如く、外部磁界に
対して磁化のスピンが回転する動作層（フリー層）と非
磁性層（スペーサ）と磁化固定用の磁性層（ピン層又は
硬磁性層）とがこの順に或いはこれとは逆の順に積層さ
れた積層構造を有し、前記動作層の厚みを 5.0nm以下と
しているので、動作層の厚みを従来の素子における厚み
に比べて 5.0nm以下とかなり小さくしたことによって、
動作層のＡＭＲ横効果及び縦効果をキャンセルしてその
重畳による線形性の劣化が生じず、素子の動作線形性が
著しく向上する。しかも、動作層の極薄化によって反磁
界が減少し、素子の磁界感度も向上する。これは、動作
層が 5.0nm以下と極薄なために、そこを通る磁束（フラ
ックス）が大幅に減少し、べた膜と同等の磁気特性を示
すからであると考えられる。
対して磁化のスピンが回転する動作層（フリー層）と非
磁性層（スペーサ）と磁化固定用の磁性層（ピン層又は
硬磁性層）とがこの順に或いはこれとは逆の順に積層さ
れた積層構造を有し、前記動作層の厚みを 5.0nm以下と
しているので、動作層の厚みを従来の素子における厚み
に比べて 5.0nm以下とかなり小さくしたことによって、
動作層のＡＭＲ横効果及び縦効果をキャンセルしてその
重畳による線形性の劣化が生じず、素子の動作線形性が
著しく向上する。しかも、動作層の極薄化によって反磁
界が減少し、素子の磁界感度も向上する。これは、動作
層が 5.0nm以下と極薄なために、そこを通る磁束（フラ
ックス）が大幅に減少し、べた膜と同等の磁気特性を示
すからであると考えられる。
【図１】ＳＶ素子特性のＮｉＦｅ（動作層）厚依存性を
比較して示すグラフである。
比較して示すグラフである。
【図２】他のＮｉＦｅ（動作層）厚でのＳＶ素子特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】ＳＶ素子特性を比較して示すグラフである。
【図４】ＳＶ素子特性を比較して示すグラフである。
【図５】本発明に基づくタイプ１のＳＶ素子の二例の概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図６】本発明に基づくタイプ２のＳＶ素子の二例の概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図７】本発明に基づくタイプ１のＳＶ素子の一例の一
部破断概略斜視図である。
部破断概略斜視図である。
【図８】本発明に基づくＳＶ素子の作製に使用するスパ
ッタ装置の概略斜視図である。
ッタ装置の概略斜視図である。
【図９】従来のＳＶ素子の概略断面図である。
【図10】同ＳＶ素子の動作原理を説明するための概略図
である。
である。
【図11】同ＳＶ素子の抵抗変化を示すグラフである。
【図12】同ＳＶ素子の静磁結合磁界Ｈｍを示す動作原理
図である。
図である。
【図13】同ＳＶ素子の強磁性交換相互作用Ｈｆを示す動
作原理図である。
作原理図である。
【図14】同ＳＶ素子の電流誘導磁界Ｈｉを示す動作原理
図である。
図である。
【図15】同ＳＶ素子の線形動作のダイナミックレンジを
示すグラフである。
示すグラフである。
【図16】同ＳＶ素子を用いた再生薄膜ＭＲヘッドの要部
斜視図である。
斜視図である。
【図17】磁気記録媒体による信号磁界の作用を示す概略
斜視図である。
斜視図である。
【図18】ＡＭＲ素子の動作原理図である。
【図19】ＳＶ素子の動作原理図である。
【図20】ＡＭＲ横効果、ＡＭＲ縦効果、ＧＭＲ効果によ
る抵抗変化曲線図である。
る抵抗変化曲線図である。
【図21】ＡＭＲ横効果＋ＧＭＲ効果及びＡＭＲ縦効果＋
ＧＭＲ効果による抵抗変化曲線図である。
ＧＭＲ効果による抵抗変化曲線図である。
【図22】軟磁性膜のＢ−Ｈヒステリシス曲線図である。
【図23】従来のＳＶ膜の抵抗変化曲線の通電方向依存性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図24】ＧＭＲ効果とＡＭＲ効果の動作層厚依存性を示
すグラフである。
すグラフである。
10、50・・・磁気抵抗効果部 11、51・・・基板 12、42・・・動作層（フリー層） 13、43・・・非磁性層（スペーサ） 14、44・・・磁化固定層（ピン層） 15、45・・・反強磁性層 16、46、56・・・スピンバルブ構造の磁気抵抗効果素子
（ＳＶ素子） 17、18・・・電極 21・・・信号磁界（外部磁界） 22・・・磁化スピン方向 23・・・ＡＢＳ面（媒体摺動面） 24・・・磁化容易軸 25・・・交換結合方向 26・・・センス電流方向 27・・・スピン方向 40・・・保護層 41・・・下地層 Ｈｍ・・・静磁結合磁界 Ｈｆ・・・強磁性交換相互作用 Ｈｉ・・・電流誘導磁界 Hext・・・外部磁界 Δρ・・・比抵抗変化量 ＭＲ・・・抵抗変化率 Ｈｋ・・・異方性磁界 ＡＭＲ・・・異方性磁気抵抗 ＧＭＲ・・・巨大磁気抵抗
（ＳＶ素子） 17、18・・・電極 21・・・信号磁界（外部磁界） 22・・・磁化スピン方向 23・・・ＡＢＳ面（媒体摺動面） 24・・・磁化容易軸 25・・・交換結合方向 26・・・センス電流方向 27・・・スピン方向 40・・・保護層 41・・・下地層 Ｈｍ・・・静磁結合磁界 Ｈｆ・・・強磁性交換相互作用 Ｈｉ・・・電流誘導磁界 Hext・・・外部磁界 Δρ・・・比抵抗変化量 ＭＲ・・・抵抗変化率 Ｈｋ・・・異方性磁界 ＡＭＲ・・・異方性磁気抵抗 ＧＭＲ・・・巨大磁気抵抗
Claims (11)
- 【請求項１】 外部磁界に対して磁化のスピンが回転す
る動作層と非磁性層と磁化固定用の磁性層とがこの順に
或いはこれとは逆の順に積層された積層構造を有し、前
記動作層の厚みが 5.0nm以下である磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 外部磁界に対して磁化のスピンが回転す
る動作層と非磁性層と磁化固定用の磁性層とがこの順に
或いはこれとは逆の順に積層された積層構造を有し、前
記動作層にその異方性磁気抵抗を減少させる元素が添加
されている磁気抵抗効果素子。 - 【請求項３】 外部磁界に対して磁化のスピンが回転す
る動作層と非磁性層と磁化固定用の磁性層とがこの順に
或いはこれとは逆の順に積層された積層構造を有し、前
記動作層が軟磁性材料で形成されている磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項４】 動作層と非磁性層との間に磁性層が設け
られている、請求項２又は３に記載した磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項５】 非磁性層が、動作層と磁性層との磁化の
スピンの相対角度に応じて抵抗変化するスペーサであ
る、請求項１〜３のいずれか１項に記載した磁気抵抗効
果素子。 - 【請求項６】 磁化固定用の磁性層が、磁性層と反強磁
性層とからなり、これらの間の交換結合によって磁性層
の磁化のスピン方向が外部磁界と平行に固定される、請
求項１〜３のいずれか１項に記載した磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項７】 磁化固定用の磁性層が硬磁性層からな
り、この硬磁性層の磁化のスピン方向が外部磁界と平行
に固定される、請求項１〜３のいずれか１項に記載した
磁気抵抗効果素子。 - 【請求項８】 反強磁性層を反強磁性となるように結晶
配向させる下地層が積層構造下に設けられている、請求
項１〜３のいずれか１項に記載した磁気抵抗効果素子。 - 【請求項９】 保護層が積層構造上に設けられている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載した磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項10】 積層構造の上、下にそれぞれ、軟磁性体
からなる上部磁性磁極と下部磁性磁極とが設けられてい
る、請求項１〜３のいずれか１項に記載した磁気抵抗効
果素子。 - 【請求項11】 スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子で
ある、請求項１〜３のいずれか１項に記載した磁気抵抗
効果素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7207906A JPH0936455A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 磁気抵抗効果素子 |
| EP96111636A EP0755086A3 (en) | 1995-07-21 | 1996-07-18 | Magnetoresistive device |
| KR1019960029457A KR970008676A (ko) | 1995-07-21 | 1996-07-20 | 자기저항 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7207906A JPH0936455A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936455A true JPH0936455A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16547536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7207906A Abandoned JPH0936455A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0755086A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0936455A (ja) |
| KR (1) | KR970008676A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616816B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-09-09 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
| JP2007227916A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | マグネチックドメイン移動を利用した磁気メモリ |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3528511B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2004-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| FR2772965B1 (fr) * | 1997-12-22 | 2000-04-14 | Silmag Sa | Senseur de champ magnetique et tete magnetique de lecture utilisant un tel senseur |
| DE10128154A1 (de) | 2001-06-11 | 2002-12-12 | Infineon Technologies Ag | Digitale magnetische Speicherzelleneinrichtung |
| DE10128264A1 (de) * | 2001-06-11 | 2002-12-12 | Infineon Technologies Ag | Digitale magnetische Speicherzelleneinrichtung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2637360B2 (ja) * | 1992-10-30 | 1997-08-06 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子 |
| US5549978A (en) * | 1992-10-30 | 1996-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| US5422571A (en) * | 1993-02-08 | 1995-06-06 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP7207906A patent/JPH0936455A/ja not_active Abandoned
-
1996
- 1996-07-18 EP EP96111636A patent/EP0755086A3/en not_active Withdrawn
- 1996-07-20 KR KR1019960029457A patent/KR970008676A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616816B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-09-09 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
| JP2007227916A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | マグネチックドメイン移動を利用した磁気メモリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970008676A (ko) | 1997-02-24 |
| EP0755086A2 (en) | 1997-01-22 |
| EP0755086A3 (en) | 1999-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041213 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050210 |