JPH0983039A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH0983039A JPH0983039A JP7236470A JP23647095A JPH0983039A JP H0983039 A JPH0983039 A JP H0983039A JP 7236470 A JP7236470 A JP 7236470A JP 23647095 A JP23647095 A JP 23647095A JP H0983039 A JPH0983039 A JP H0983039A
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- oxide
- ferromagnetic
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- G—PHYSICS
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- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
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- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好なクロスポイント、再生出力、および良
好な出力信号半値幅をもつ、磁気抵抗効果センサを実現
すること。 【構成】 反強磁性層／第１の強磁性層／非磁性層／第
２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、または反強磁
性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／Ｃｏ層／第
２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子において、反強
磁性層がＮｉ酸化物、Ｎｉ酸化物とＣｏ酸化物の混合
物、もしくはＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の積層物からな
り、かつ強磁性層膜厚が１〜１０nm以下、素子高さが
０．１〜１μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性
層膜厚が５〜３０nmとすることにより、良好なクロスポ
イント、再生出力、および良好な出力信号半値幅をも
つ、磁気抵抗効果センサを実現することができる。
好な出力信号半値幅をもつ、磁気抵抗効果センサを実現
すること。 【構成】 反強磁性層／第１の強磁性層／非磁性層／第
２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、または反強磁
性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／Ｃｏ層／第
２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子において、反強
磁性層がＮｉ酸化物、Ｎｉ酸化物とＣｏ酸化物の混合
物、もしくはＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の積層物からな
り、かつ強磁性層膜厚が１〜１０nm以下、素子高さが
０．１〜１μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性
層膜厚が５〜３０nmとすることにより、良好なクロスポ
イント、再生出力、および良好な出力信号半値幅をも
つ、磁気抵抗効果センサを実現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
および磁気抵抗効果センサに関する。
および磁気抵抗効果センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術では、磁気抵抗（ＭＲ）センサ
またはヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が開示され
ており、これは、大きな線密度で磁性表面からデータを
読み取れることがわかっている。ＭＲセンサは、読み取
り素子によって感知される磁束の強さと方向の関数とし
ての抵抗変化を介して磁界信号を検出する。こうした従
来技術のＭＲセンサは、読み取り素子の抵抗の１成分が
磁化方向と素子中を流れる感知電流の方向の間の角度の
余弦の２乗に比例して変化する、異方性磁気抵抗（ＡＭ
Ｒ）効果に基づいて動作する。ＡＭＲ効果のより詳しい
説明は、Ｄ．Ａ．トムソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）等の論
文“Ｍｅｍｏｒｙ，Ｓｔｏｒａｇｅ，ａｎｄ Ｒｅｌａ
ｔｅｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．ｏｎＭａｇ．ＭＡＧ−１１，ｐ．１０３９（１９
７５）に出ている。
またはヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が開示され
ており、これは、大きな線密度で磁性表面からデータを
読み取れることがわかっている。ＭＲセンサは、読み取
り素子によって感知される磁束の強さと方向の関数とし
ての抵抗変化を介して磁界信号を検出する。こうした従
来技術のＭＲセンサは、読み取り素子の抵抗の１成分が
磁化方向と素子中を流れる感知電流の方向の間の角度の
余弦の２乗に比例して変化する、異方性磁気抵抗（ＡＭ
Ｒ）効果に基づいて動作する。ＡＭＲ効果のより詳しい
説明は、Ｄ．Ａ．トムソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）等の論
文“Ｍｅｍｏｒｙ，Ｓｔｏｒａｇｅ，ａｎｄ Ｒｅｌａ
ｔｅｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．ｏｎＭａｇ．ＭＡＧ−１１，ｐ．１０３９（１９
７５）に出ている。
【０００３】さらに最近には、積層磁気センサの抵抗変
化が、非磁性層を介する磁性層間での電導電子のスピン
依存性伝送、およびそれに付随する層界面でのスピン依
存性散乱に帰される、より顕著な磁気抵抗効果が記載さ
れている。この磁気抵抗効果は、「巨大磁気抵抗効果」
や「スピン・バルブ（ＳＶ）効果」など様々な名称で呼
ばれている。このような磁気抵抗効果センサは適当な材
料でできており、ＡＭＲ効果を利用するセンサで観察さ
れるよりも、感度が改善され、抵抗変化が大きい。この
種のＭＲセンサでは、非磁性層で分離された１対の強磁
性体層の平面内抵抗が、２つの層の磁化方向間の角度の
余弦に比例して変化する。
化が、非磁性層を介する磁性層間での電導電子のスピン
依存性伝送、およびそれに付随する層界面でのスピン依
存性散乱に帰される、より顕著な磁気抵抗効果が記載さ
れている。この磁気抵抗効果は、「巨大磁気抵抗効果」
や「スピン・バルブ（ＳＶ）効果」など様々な名称で呼
ばれている。このような磁気抵抗効果センサは適当な材
料でできており、ＡＭＲ効果を利用するセンサで観察さ
れるよりも、感度が改善され、抵抗変化が大きい。この
種のＭＲセンサでは、非磁性層で分離された１対の強磁
性体層の平面内抵抗が、２つの層の磁化方向間の角度の
余弦に比例して変化する。
【０００４】１９８８年６月に優先権主張されている特
開平２−６１５７２号公報には、磁性層内の磁化の反平
行整列によって生じる高いＭＲ変化をもたらす積層磁性
構造が記載されている。積層構造で使用可能な材料とし
て、上記明細書には強磁性の遷移金属および合金が挙げ
られている。また、中間層により分離している少なくと
も２層の強磁性層の一方に反強磁性層を付加した構造お
よび反強磁性層としてＦｅＭｎが適当であることが開示
されている。
開平２−６１５７２号公報には、磁性層内の磁化の反平
行整列によって生じる高いＭＲ変化をもたらす積層磁性
構造が記載されている。積層構造で使用可能な材料とし
て、上記明細書には強磁性の遷移金属および合金が挙げ
られている。また、中間層により分離している少なくと
も２層の強磁性層の一方に反強磁性層を付加した構造お
よび反強磁性層としてＦｅＭｎが適当であることが開示
されている。
【０００５】１９９０年１２月１１に優先権主張されて
いる、特開平４−３５８３１０号公報には、非磁性金属
体の薄膜層によって仕切られた強磁性体の２層の薄膜層
を有し、印加磁界が零である場合に２つの強磁性薄膜層
の磁化方向が直交し、２つの非結合強磁性体層間の抵抗
が２つの層の磁化方向間の角度の余弦に比例して変化
し、センサ中を通る電流の方向とは独立な、ＭＲセンサ
が開示されている。
いる、特開平４−３５８３１０号公報には、非磁性金属
体の薄膜層によって仕切られた強磁性体の２層の薄膜層
を有し、印加磁界が零である場合に２つの強磁性薄膜層
の磁化方向が直交し、２つの非結合強磁性体層間の抵抗
が２つの層の磁化方向間の角度の余弦に比例して変化
し、センサ中を通る電流の方向とは独立な、ＭＲセンサ
が開示されている。
【０００６】１９９２年８月２８日に優先権主張されて
いる、特開平６−２０３３４０号公報には、非磁性金属
材料の薄膜層で分離された２つの強磁性体の薄膜層を含
み、外部印加磁界がゼロのとき、隣接する反強磁性体層
の磁化が他方の強磁性体層に対して垂直に保たれる、上
記の効果に基づくＭＲセンサが開示されている。
いる、特開平６−２０３３４０号公報には、非磁性金属
材料の薄膜層で分離された２つの強磁性体の薄膜層を含
み、外部印加磁界がゼロのとき、隣接する反強磁性体層
の磁化が他方の強磁性体層に対して垂直に保たれる、上
記の効果に基づくＭＲセンサが開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＳＶ効果を利用した磁
気抵抗効果素子を磁気抵抗効果センサとして利用する場
合に、従来のＡＭＲを用いた磁気抵抗センサの場合同
様、磁界零における動作ポイント（クロスポイント）を
最適化することが必要になる。また、ＳＶ効果を利用し
た磁気抵抗効果素子では素子形状がヘッド再生出力に影
響を及ぼす。さらに、非導電材料を反強磁性材料に用い
たＳＶ素子では反強磁性材料の膜厚がシールド型磁気抵
抗素子のギャップ長に影響し、シールド型磁気抵抗効果
ヘッドによる再生信号の波形に影響を及ぼす。
気抵抗効果素子を磁気抵抗効果センサとして利用する場
合に、従来のＡＭＲを用いた磁気抵抗センサの場合同
様、磁界零における動作ポイント（クロスポイント）を
最適化することが必要になる。また、ＳＶ効果を利用し
た磁気抵抗効果素子では素子形状がヘッド再生出力に影
響を及ぼす。さらに、非導電材料を反強磁性材料に用い
たＳＶ素子では反強磁性材料の膜厚がシールド型磁気抵
抗素子のギャップ長に影響し、シールド型磁気抵抗効果
ヘッドによる再生信号の波形に影響を及ぼす。
【０００８】本発明は、良好なクロスポイント、再生出
力、および良好な出力信号半値幅を与える、磁性層膜
厚、素子高さ、および反強磁性層膜厚の範囲を提示する
ことを目的とする。
力、および良好な出力信号半値幅を与える、磁性層膜
厚、素子高さ、および反強磁性層膜厚の範囲を提示する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】反強磁性層／第１の強磁
性層／非磁性層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果
素子、または反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非
磁性層／Ｃｏ層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果
素子において、反強磁性層がＮｉ酸化物からなり、かつ
強磁性層膜厚が１〜１０nm以下、素子高さが０．１〜１
μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性層膜厚が５
〜３０nmとする。
性層／非磁性層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果
素子、または反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非
磁性層／Ｃｏ層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果
素子において、反強磁性層がＮｉ酸化物からなり、かつ
強磁性層膜厚が１〜１０nm以下、素子高さが０．１〜１
μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性層膜厚が５
〜３０nmとする。
【００１０】または反強磁性層／第１の強磁性層／非磁
性層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、また
は反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／Ｃ
ｏ層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子におい
て、反強磁性層がＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の混合物から
なり、かつ強磁性層膜厚が１〜１０nm以下、素子高さが
０．１〜１μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性
層膜厚が５〜３０nmとする。
性層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、また
は反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／Ｃ
ｏ層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子におい
て、反強磁性層がＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の混合物から
なり、かつ強磁性層膜厚が１〜１０nm以下、素子高さが
０．１〜１μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性
層膜厚が５〜３０nmとする。
【００１１】または反強磁性層／第１の強磁性層／非磁
性層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、また
は反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／Ｃ
ｏ層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子におい
て、反強磁性層がＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の積層膜から
なり、かつ強磁性層膜厚が１〜１０nm、素子高さが０．
１〜１μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性層膜
厚が５〜３０nmとする。
性層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、また
は反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／Ｃ
ｏ層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子におい
て、反強磁性層がＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の積層膜から
なり、かつ強磁性層膜厚が１〜１０nm、素子高さが０．
１〜１μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性層膜
厚が５〜３０nmとする。
【００１２】
【発明の実施の形態】反強磁性層／第１の強磁性層／非
磁性層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、ま
たは反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／
Ｃｏ層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子にお
いては、第１の磁性層と第２の磁性層が膜端部において
静磁的にカップリングしている。この際第１の強磁性層
の磁化は反強磁性層により固定されているので、静磁結
合はもっぱら第２の磁性層の磁化を第１の強磁性層の磁
化と逆向きに向けようとする力として働く。従って、静
磁結合が強いほど２つの強磁性層の磁化のなす角度は反
対方向により大きくなることになる。
磁性層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、ま
たは反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／
Ｃｏ層／第２の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子にお
いては、第１の磁性層と第２の磁性層が膜端部において
静磁的にカップリングしている。この際第１の強磁性層
の磁化は反強磁性層により固定されているので、静磁結
合はもっぱら第２の磁性層の磁化を第１の強磁性層の磁
化と逆向きに向けようとする力として働く。従って、静
磁結合が強いほど２つの強磁性層の磁化のなす角度は反
対方向により大きくなることになる。
【００１３】クロスポイントが最適の０．５になるため
には、第２の強磁性層の磁化方向は第１の強磁性層の磁
化方向と直交しなければならないので、静磁結合は適当
な値に設定する必要がある。ここで、２層間の静磁結合
は強磁性層膜厚により変えることができるので、結局強
磁性層膜厚を適当な値に設定することにより、クロスポ
イントを０．５付近に設定することができる。この際注
意しなければならないのは、２層間の静磁結合は、磁気
抵抗効果膜とシールド間の距離によっても変わるという
ことである。これは磁気抵抗効果膜−シールド間の距離
が変わることにより、強磁性層端部における磁束の流れ
が変わることに対応している。
には、第２の強磁性層の磁化方向は第１の強磁性層の磁
化方向と直交しなければならないので、静磁結合は適当
な値に設定する必要がある。ここで、２層間の静磁結合
は強磁性層膜厚により変えることができるので、結局強
磁性層膜厚を適当な値に設定することにより、クロスポ
イントを０．５付近に設定することができる。この際注
意しなければならないのは、２層間の静磁結合は、磁気
抵抗効果膜とシールド間の距離によっても変わるという
ことである。これは磁気抵抗効果膜−シールド間の距離
が変わることにより、強磁性層端部における磁束の流れ
が変わることに対応している。
【００１４】また、上記タイプの磁気抵抗効果素子では
抵抗変化量が素子高さが小さいほど大きくなる。これは
素子高さが小さいほど素子抵抗値が増大すると同時に、
素子内部で外部磁界の変化に対して、きちんと磁化が追
従して反転する領域の割合が拡大することに対応してい
る。
抵抗変化量が素子高さが小さいほど大きくなる。これは
素子高さが小さいほど素子抵抗値が増大すると同時に、
素子内部で外部磁界の変化に対して、きちんと磁化が追
従して反転する領域の割合が拡大することに対応してい
る。
【００１５】また、上記タイプの磁気抵抗効果素子では
反強磁性層が絶縁材料であるため、反強磁性層膜厚がそ
のままヘッドにした際のシールド間ギャップ増大につな
がる。このため反強磁性層膜厚が大きいほど磁束を広く
ひろうことになり、出力信号半値幅が大きくなる。出力
信号半値幅は反強磁性層膜厚を減少させることにより改
善される。
反強磁性層が絶縁材料であるため、反強磁性層膜厚がそ
のままヘッドにした際のシールド間ギャップ増大につな
がる。このため反強磁性層膜厚が大きいほど磁束を広く
ひろうことになり、出力信号半値幅が大きくなる。出力
信号半値幅は反強磁性層膜厚を減少させることにより改
善される。
【００１６】本発明を適用したシールド型素子として
は、図１および図２のような形のものを用いることがで
きる。
は、図１および図２のような形のものを用いることがで
きる。
【００１７】図１のタイプでは基板１上に下シールド層
２、磁気抵抗効果素子６を積層させる。その上にギャッ
プ規定絶縁層７を積層させることもある。シールド層２
は適当な大きさにＰＲ工程によりパターン化されること
が多い。磁気抵抗効果素子６はＰＲ工程により適当な大
きさ形状にパターン化されており、その端部に接するよ
うに縦バイアス層４および下電極層５が順次積層されて
いる。その上に上ギャップ層８、上シールド層９が順次
積層されている。
２、磁気抵抗効果素子６を積層させる。その上にギャッ
プ規定絶縁層７を積層させることもある。シールド層２
は適当な大きさにＰＲ工程によりパターン化されること
が多い。磁気抵抗効果素子６はＰＲ工程により適当な大
きさ形状にパターン化されており、その端部に接するよ
うに縦バイアス層４および下電極層５が順次積層されて
いる。その上に上ギャップ層８、上シールド層９が順次
積層されている。
【００１８】図２のタイプでは基板１上に下シールド層
２、磁気抵抗効果素子６を積層させる。シールド層２は
適当な大きさにＰＲ工程によりパターン化されることが
多い。磁気抵抗効果素子６はＰＲ工程により適当な大き
さ形状にパターン化されており、その上部に１部重なる
ように縦バイアス層４および下電極層５が順次積層され
ている。その上に上ギャップ層８、上シールド層９が順
次積層されている。
２、磁気抵抗効果素子６を積層させる。シールド層２は
適当な大きさにＰＲ工程によりパターン化されることが
多い。磁気抵抗効果素子６はＰＲ工程により適当な大き
さ形状にパターン化されており、その上部に１部重なる
ように縦バイアス層４および下電極層５が順次積層され
ている。その上に上ギャップ層８、上シールド層９が順
次積層されている。
【００１９】図１および図２のタイプの、下シールド層
２としては、ＮｉＦｅ，ＣｏＺｒ系合金、ＦｅＡｌＳ
ｉ、窒化鉄系材料等を用いることができ、膜厚は０．５
〜１０μm の範囲で適用可能である。下ギャップ層３
は、アルミニウム酸化物、シリコン酸化物、窒化アルミ
ニウム、窒化シリコン等が適用可能である。０．０３〜
０．２０μm 範囲での使用が望ましい。下電極４として
は、Ｚｒ，Ｔａ，Ｍｏからなる単体もしくは合金もしく
は混合物が望ましい。膜厚範囲は０．０１〜０．１０μ
m がよい。縦バイアス層としては、ＣｏＣｒＰｔ，Ｃｏ
Ｃｒ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＦｅＭｎ，ＮｉＭｎ，
ＮｉＯ，ＮｉＣｏＯ等を用いることができる。ギャップ
規定絶縁層としては、アルミニウム酸化物、シリコン酸
化物、窒化アルミニウム、窒化シリコン等が適用可能で
ある。０．００５〜０．０５μm 範囲での使用が望まし
い。上ギャップ層８は、アルミニウム酸化物、シリコン
酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリコン等が適用可能
である。０．０３〜０．２０μm 範囲での使用が望まし
い。
２としては、ＮｉＦｅ，ＣｏＺｒ系合金、ＦｅＡｌＳ
ｉ、窒化鉄系材料等を用いることができ、膜厚は０．５
〜１０μm の範囲で適用可能である。下ギャップ層３
は、アルミニウム酸化物、シリコン酸化物、窒化アルミ
ニウム、窒化シリコン等が適用可能である。０．０３〜
０．２０μm 範囲での使用が望ましい。下電極４として
は、Ｚｒ，Ｔａ，Ｍｏからなる単体もしくは合金もしく
は混合物が望ましい。膜厚範囲は０．０１〜０．１０μ
m がよい。縦バイアス層としては、ＣｏＣｒＰｔ，Ｃｏ
Ｃｒ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＦｅＭｎ，ＮｉＭｎ，
ＮｉＯ，ＮｉＣｏＯ等を用いることができる。ギャップ
規定絶縁層としては、アルミニウム酸化物、シリコン酸
化物、窒化アルミニウム、窒化シリコン等が適用可能で
ある。０．００５〜０．０５μm 範囲での使用が望まし
い。上ギャップ層８は、アルミニウム酸化物、シリコン
酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリコン等が適用可能
である。０．０３〜０．２０μm 範囲での使用が望まし
い。
【００２０】図３および図４は本発明に用いた磁気抵抗
効果素子の膜構成の概念図である。図３の例は下地層１
８上にＮｉ酸化物からなる第１反強磁性層１０、Ｃｏ酸
化物からなる第２反強磁性層１１、第１の強磁性層１
２、第１ＭＲエンハンス層１３、非磁性層１４、第２Ｍ
Ｒエンハンス層１５、第２強磁性層１６および保護層１
７，１８を順次積層した構造であり、図４の例は下地層
１８上に第２の強磁性層１６、第２ＭＲエンハンス層１
５、非磁性層１４、第１ＭＲエンハンス層１３、第１強
磁性層１２、Ｃｏ酸化物層１１、Ｎｉ酸化物層１０、お
よび保護層１７を順次積層させた構造である。
効果素子の膜構成の概念図である。図３の例は下地層１
８上にＮｉ酸化物からなる第１反強磁性層１０、Ｃｏ酸
化物からなる第２反強磁性層１１、第１の強磁性層１
２、第１ＭＲエンハンス層１３、非磁性層１４、第２Ｍ
Ｒエンハンス層１５、第２強磁性層１６および保護層１
７，１８を順次積層した構造であり、図４の例は下地層
１８上に第２の強磁性層１６、第２ＭＲエンハンス層１
５、非磁性層１４、第１ＭＲエンハンス層１３、第１強
磁性層１２、Ｃｏ酸化物層１１、Ｎｉ酸化物層１０、お
よび保護層１７を順次積層させた構造である。
【００２１】この際、第１強磁性層としてはＮｉＦｅ，
ＮｉＦｅＣｏ，ＣｏＺｒ系材料、ＦｅＣｏＢ、センダス
ト、窒化鉄系材料、ＦｅＣｏ等を用いることができる。
膜厚は１〜１０nmが望ましい。第１ＭＲエンハンス層と
してはＣｏ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ等を用いることが
できる。膜厚は０．５〜２nm程度が望ましい。第１ＭＲ
エンハンス層を用いない場合は、用いた場合に比べて若
干ＭＲ比が低下するが、用いない分だけ作製に要する行
程数は低減する。非磁性層としてはＣｕ，Ｃｕに１〜２
０ａｔ％程度のＡｇを添加した材料、Ｃｕに１〜２０ａ
ｔ％程度のＲｅを添加した材料を用いることができる。
膜厚は２〜３nmが望ましい。第２ＭＲエンハンス層とし
てはＣｏ，ＮｉＦｅＣｏ，ＦｅＣｏ等を用いることがで
きる。膜厚は０．５〜２nm程度が望ましい。第２ＭＲエ
ンハンス層を用いない場合は、用いた場合に比べて若干
ＭＲ比が低下するが、用いない分だけ作製に要する行程
数は低減する。第２強磁性層としてはＮｉＦｅ，ＮｉＦ
ｅＣｏ，ＣｏＺｒ系材料、ＦｅＣｏＢ、センダスト、窒
化鉄系材料、ＦｅＣｏ等を用いることができる。膜厚は
１〜１０nm程度が望ましい。第１または第２磁性層がＮ
ｉＦｅもしくはＮｉＦｅＣｏをベースにした材料の場合
には、下地層をＴａ，Ｈｆ，Ｚｒ等ｆｃｃ構造を有する
材料にすることにより、第１または第２強磁性層および
非磁性層の結晶性を良好にし、ＭＲ比を向上させること
ができる。保護層としてはＡｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉから
なるグループの酸化物または窒化物、Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ａｌ，Ｃからなるグループ、もしくはそれらの混合
物を用いることができる。用いることにより耐食性は向
上するが、用いない場合は逆に製造行程数が低減し生産
性が向上する。
ＮｉＦｅＣｏ，ＣｏＺｒ系材料、ＦｅＣｏＢ、センダス
ト、窒化鉄系材料、ＦｅＣｏ等を用いることができる。
膜厚は１〜１０nmが望ましい。第１ＭＲエンハンス層と
してはＣｏ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ等を用いることが
できる。膜厚は０．５〜２nm程度が望ましい。第１ＭＲ
エンハンス層を用いない場合は、用いた場合に比べて若
干ＭＲ比が低下するが、用いない分だけ作製に要する行
程数は低減する。非磁性層としてはＣｕ，Ｃｕに１〜２
０ａｔ％程度のＡｇを添加した材料、Ｃｕに１〜２０ａ
ｔ％程度のＲｅを添加した材料を用いることができる。
膜厚は２〜３nmが望ましい。第２ＭＲエンハンス層とし
てはＣｏ，ＮｉＦｅＣｏ，ＦｅＣｏ等を用いることがで
きる。膜厚は０．５〜２nm程度が望ましい。第２ＭＲエ
ンハンス層を用いない場合は、用いた場合に比べて若干
ＭＲ比が低下するが、用いない分だけ作製に要する行程
数は低減する。第２強磁性層としてはＮｉＦｅ，ＮｉＦ
ｅＣｏ，ＣｏＺｒ系材料、ＦｅＣｏＢ、センダスト、窒
化鉄系材料、ＦｅＣｏ等を用いることができる。膜厚は
１〜１０nm程度が望ましい。第１または第２磁性層がＮ
ｉＦｅもしくはＮｉＦｅＣｏをベースにした材料の場合
には、下地層をＴａ，Ｈｆ，Ｚｒ等ｆｃｃ構造を有する
材料にすることにより、第１または第２強磁性層および
非磁性層の結晶性を良好にし、ＭＲ比を向上させること
ができる。保護層としてはＡｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉから
なるグループの酸化物または窒化物、Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ａｌ，Ｃからなるグループ、もしくはそれらの混合
物を用いることができる。用いることにより耐食性は向
上するが、用いない場合は逆に製造行程数が低減し生産
性が向上する。
【００２２】
（実施例１〜１２）アルミナ下地層／Ｎｉ酸化物（３０
nm）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／第１の強磁性層（４n
m）／Ｃｕ層（２．５nm）／第２の強磁性層（６nm）／
Ｔａ保護層（１．５nm）をこの順に積層した構成で、第
１および第２の強磁性層に種々の材料を用いて磁気抵抗
効果素子を試作した。それぞれの素子のＭＲ比を表１に
示す。
nm）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／第１の強磁性層（４n
m）／Ｃｕ層（２．５nm）／第２の強磁性層（６nm）／
Ｔａ保護層（１．５nm）をこの順に積層した構成で、第
１および第２の強磁性層に種々の材料を用いて磁気抵抗
効果素子を試作した。それぞれの素子のＭＲ比を表１に
示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】（実施例１３）アルミナ下地層／Ｎｉ酸化
物（３０nm）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／ＮｉＦｅ層
（４nm）／Ｃｏ層（１nm）／Ｃｕ層（２．５nm）／Ｃｏ
層（１nm）／ＮｉＦｅ層（６nm）／Ｔａ保護層（１．５
nm）をこの順に積層した構成で、磁気抵抗効果素子を試
作した。得られたＭＲ比は９％であった。
物（３０nm）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／ＮｉＦｅ層
（４nm）／Ｃｏ層（１nm）／Ｃｕ層（２．５nm）／Ｃｏ
層（１nm）／ＮｉＦｅ層（６nm）／Ｔａ保護層（１．５
nm）をこの順に積層した構成で、磁気抵抗効果素子を試
作した。得られたＭＲ比は９％であった。
【００２５】図５はアルミナ下地層／Ｎｉ酸化物（３０
nm）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／ＮｉＦｅ層（４nm）／
Ｃｏ層（１nm）／Ｃｕ／Ｃｏ層（１nm）／ＮｉＦｅ層
（６nm）／Ｔａ保護層（１．５nm）という構成で素子を
作成した場合の、Ｃｕ非磁性層膜厚を変えた場合の磁気
抵抗効果素子のＭＲ比である。非磁性層膜厚が２〜３nm
でＭＲ比が５％を越えており、この範囲が適当な膜厚で
あることがわかる。
nm）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／ＮｉＦｅ層（４nm）／
Ｃｏ層（１nm）／Ｃｕ／Ｃｏ層（１nm）／ＮｉＦｅ層
（６nm）／Ｔａ保護層（１．５nm）という構成で素子を
作成した場合の、Ｃｕ非磁性層膜厚を変えた場合の磁気
抵抗効果素子のＭＲ比である。非磁性層膜厚が２〜３nm
でＭＲ比が５％を越えており、この範囲が適当な膜厚で
あることがわかる。
【００２６】次にアルミナ下地層／Ｎｉ酸化物（３０n
m）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／ＮｉＦｅ層（４nm）／
Ｃｏ層（１nm）／Ｃｕ層（２．５nm）／Ｃｏ層（１nm）
／ＮｉＦｅ層（６nm）／Ｔａ保護層（１．５nm）という
構成で磁気抵抗効果素子を作製し、ＣｕへのＡｇ添加量
を種々に変えて、１時間の熱処理によりＭＲ比が熱処理
前の５０％に低下した熱処理温度Ｔを求めた。ＴはＡｇ
添加量の増大にともない単調に増大した（表２）。
m）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／ＮｉＦｅ層（４nm）／
Ｃｏ層（１nm）／Ｃｕ層（２．５nm）／Ｃｏ層（１nm）
／ＮｉＦｅ層（６nm）／Ｔａ保護層（１．５nm）という
構成で磁気抵抗効果素子を作製し、ＣｕへのＡｇ添加量
を種々に変えて、１時間の熱処理によりＭＲ比が熱処理
前の５０％に低下した熱処理温度Ｔを求めた。ＴはＡｇ
添加量の増大にともない単調に増大した（表２）。
【００２７】
【表２】
【００２８】次にアルミナ下地層／Ｎｉ酸化物（３０n
m）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／ＮｉＦｅ層（４nm）／
Ｃｏ層（１nm）／Ｃｕ層（２．５nm）／Ｃｏ層（１nm）
／ＮｉＦｅ層（６nm）／Ｔａ保護層（１．５nm）という
構成で磁気抵抗効果素子を作製し、ＣｕへのＲｅ添加量
を種々に変えて、１時間の熱処理によりＭＲ比が熱処理
前の５０％に低下した熱処理温度Ｔを求めた。ＴはＲｅ
添加量の増大にともない単調に増大した（表２）。
m）／Ｃｏ酸化物（０．９nm）／ＮｉＦｅ層（４nm）／
Ｃｏ層（１nm）／Ｃｕ層（２．５nm）／Ｃｏ層（１nm）
／ＮｉＦｅ層（６nm）／Ｔａ保護層（１．５nm）という
構成で磁気抵抗効果素子を作製し、ＣｕへのＲｅ添加量
を種々に変えて、１時間の熱処理によりＭＲ比が熱処理
前の５０％に低下した熱処理温度Ｔを求めた。ＴはＲｅ
添加量の増大にともない単調に増大した（表２）。
【００２９】
【表３】
【００３０】次に、アルミナ下地層／（ＮｉＣｏ酸化物
（３０nm）またはＮｉ酸化物／Ｃｏ酸化物超格子（３０
nm））／第１の強磁性層（４nm）／Ｃｕ層（２．５nm）
／第２の強磁性層（６nm）／Ｔａ保護層（１．５nm）と
いう構成で、ＮｉＣｏＯ層もしくはＮｉＯ／ＣｏＯ超格
子中の、Ｎｉ原子数／（Ｎｉ原子数＋Ｃｏ原子数）が異
なる磁気抵抗効果素子を作製し、素子を加熱して抵抗変
化が零になる点から反強磁性層のネール点を測定する
（図６）。ネール点は、Ｎｉ原子数／（Ｎｉ原子数＋Ｃ
ｏ原子数）の値が大きくなるに従い直線的に増大する。
磁気抵抗効果センサの動作温度は一般的に最大８０℃程
度になるので、Ｎｉ原子数／（Ｎｉ原子数＋Ｃｏ原子
数）は０．２５以上である必要がある。
（３０nm）またはＮｉ酸化物／Ｃｏ酸化物超格子（３０
nm））／第１の強磁性層（４nm）／Ｃｕ層（２．５nm）
／第２の強磁性層（６nm）／Ｔａ保護層（１．５nm）と
いう構成で、ＮｉＣｏＯ層もしくはＮｉＯ／ＣｏＯ超格
子中の、Ｎｉ原子数／（Ｎｉ原子数＋Ｃｏ原子数）が異
なる磁気抵抗効果素子を作製し、素子を加熱して抵抗変
化が零になる点から反強磁性層のネール点を測定する
（図６）。ネール点は、Ｎｉ原子数／（Ｎｉ原子数＋Ｃ
ｏ原子数）の値が大きくなるに従い直線的に増大する。
磁気抵抗効果センサの動作温度は一般的に最大８０℃程
度になるので、Ｎｉ原子数／（Ｎｉ原子数＋Ｃｏ原子
数）は０．２５以上である必要がある。
【００３１】（実施例１４）基板１上に下シールド層２
として所望の形状にＮｉＦｅが２nm形成され、下ギャッ
プ層３としてアルミナが０．０７〜０．１５nm積層され
ている。磁気抵抗効果素子６としては、図３の構成のも
のを用い、下から順にＮｉ酸化物（２３nm）／Ｃｏ酸化
物（１nm）／ＮｉＦｅ（２〜２０nm）Ｃｏ（１nm）／Ｃ
ｕ（１〜４nm）／Ｃｏ（１nm）／ＮｉＦｅ（２〜２０n
m）を積層し、適当な形状にパターン化した。磁気抵抗
効果素子６の端部に接するように、ＣｏＣｒＰｔからな
る縦バイアス層が０．０２５nm形成され、その上にＭｏ
からなる下電極が０．０５nm形成されている。ギャップ
規定絶縁層７はアルミナ０．０１nm、上ギャップ層８は
アルミナ０．０７〜０．１５nm、上シールド層９はＮｉ
Ｆｅ２nmである。
として所望の形状にＮｉＦｅが２nm形成され、下ギャッ
プ層３としてアルミナが０．０７〜０．１５nm積層され
ている。磁気抵抗効果素子６としては、図３の構成のも
のを用い、下から順にＮｉ酸化物（２３nm）／Ｃｏ酸化
物（１nm）／ＮｉＦｅ（２〜２０nm）Ｃｏ（１nm）／Ｃ
ｕ（１〜４nm）／Ｃｏ（１nm）／ＮｉＦｅ（２〜２０n
m）を積層し、適当な形状にパターン化した。磁気抵抗
効果素子６の端部に接するように、ＣｏＣｒＰｔからな
る縦バイアス層が０．０２５nm形成され、その上にＭｏ
からなる下電極が０．０５nm形成されている。ギャップ
規定絶縁層７はアルミナ０．０１nm、上ギャップ層８は
アルミナ０．０７〜０．１５nm、上シールド層９はＮｉ
Ｆｅ２nmである。
【００３２】図７にギャップ長を変えた場合の、クロス
ポイントと第１強磁性層膜厚との関係を、図８にクロス
ポイントが０．５になる第１強磁性層膜厚とギャップ長
との関係を示す。第２磁性層膜厚は６nmに固定してい
る。クロスポイントの定義は図９に示す。
ポイントと第１強磁性層膜厚との関係を、図８にクロス
ポイントが０．５になる第１強磁性層膜厚とギャップ長
との関係を示す。第２磁性層膜厚は６nmに固定してい
る。クロスポイントの定義は図９に示す。
【００３３】クロスポイントは第１磁性層膜厚の増加に
伴い、減少した。また、クロスポイント０．４５〜０．
５５を与える第１磁性層の膜厚は上ギャップ層および下
ギャップ層膜厚の増加に伴い直線的に減少するが、この
ギャップ層範囲ではいずれも１〜１０nmになっている。
伴い、減少した。また、クロスポイント０．４５〜０．
５５を与える第１磁性層の膜厚は上ギャップ層および下
ギャップ層膜厚の増加に伴い直線的に減少するが、この
ギャップ層範囲ではいずれも１〜１０nmになっている。
【００３４】図１０にギャップ長を変えた場合の、クロ
スポイントと第２磁性層膜厚との関係を、図１１にクロ
スポイントが０．４５〜０．５５になる第２強磁性層膜
厚と上ギャップ層および下ギャップ層膜厚との関係を示
す。
スポイントと第２磁性層膜厚との関係を、図１１にクロ
スポイントが０．４５〜０．５５になる第２強磁性層膜
厚と上ギャップ層および下ギャップ層膜厚との関係を示
す。
【００３５】この際、上ギャップ層と下ギャップ層の膜
厚は等しくなるように設定している。第１磁性層膜厚は
６nmである。クロスポイントの定義は図９に示す。
厚は等しくなるように設定している。第１磁性層膜厚は
６nmである。クロスポイントの定義は図９に示す。
【００３６】クロスポイントは第２磁性層膜厚の増加に
ともない、減少した。また、クロスポイント０．４５〜
０．５５を与える第２磁性層の膜厚は上ギャップ層およ
び下ギャップ層膜厚の増加に伴い直線的に減少するが、
このギャップ範囲ではいずれも１〜１０nmになってい
る。
ともない、減少した。また、クロスポイント０．４５〜
０．５５を与える第２磁性層の膜厚は上ギャップ層およ
び下ギャップ層膜厚の増加に伴い直線的に減少するが、
このギャップ範囲ではいずれも１〜１０nmになってい
る。
【００３７】表４は第１強磁性層膜厚を１０〜１００nm
で変えた場合の、出力信号半値幅である。記録再生時の
媒体の線速は１０ｍ／ｓである。２Ｇｂ／ｉｎ2 程度以
上の高記録密度実現のためには出力信号半値幅は２５ｎ
ｓ以下であることが必要であるが、この条件は反強磁性
層膜厚が５〜３０nmで実現された。
で変えた場合の、出力信号半値幅である。記録再生時の
媒体の線速は１０ｍ／ｓである。２Ｇｂ／ｉｎ2 程度以
上の高記録密度実現のためには出力信号半値幅は２５ｎ
ｓ以下であることが必要であるが、この条件は反強磁性
層膜厚が５〜３０nmで実現された。
【００３８】
【表４】
【００３９】図１２は素子高さと出力電圧との関係であ
る。センス電流は２×１０7 Ａ／cm2 ，トラック幅は１
μm とした。素子高さが小さくなると出力電圧は大きく
なる。一般に出力電圧としては４００μＶ程度が必要と
されているが、この条件を満たす素子高さの範囲は０．
１〜１μm であることがわかる。
る。センス電流は２×１０7 Ａ／cm2 ，トラック幅は１
μm とした。素子高さが小さくなると出力電圧は大きく
なる。一般に出力電圧としては４００μＶ程度が必要と
されているが、この条件を満たす素子高さの範囲は０．
１〜１μm であることがわかる。
【００４０】
【発明の効果】本発明を適用することにより、良好なク
ロスポイント、再生出力、および良好な出力信号半値幅
をもつ、磁気抵抗効果センサを実現することができる。
ロスポイント、再生出力、および良好な出力信号半値幅
をもつ、磁気抵抗効果センサを実現することができる。
【図１】ＭＲセンサの代表的な構成を示す図。
【図２】ＭＲセンサの代表的な構成を示す図。
【図３】磁気抵抗効果素子の代表的な構成を示す図。
【図４】非磁性層膜厚とＭＲ比の関係を示す図。
【図５】磁気抵抗効果素子の代表的な構成を示す図。
【図６】Ｎｉ原子数／（Ｎｉ原子数＋Ｃｏ原子数）とネ
ール温度の関係図。
ール温度の関係図。
【図７】ギャップ長を変えた場合の、クロスポイントと
第１強磁性層膜厚との関係図。
第１強磁性層膜厚との関係図。
【図８】クロスポイントが０．５になる第１強磁性層膜
厚と上ギャップ層および下ギャップ層膜厚との関係図。
厚と上ギャップ層および下ギャップ層膜厚との関係図。
【図９】クロスポイントの定義を示す図。
【図１０】上ギャップ層および下ギャップ層膜厚を変え
た場合の、クロスポイントと第２強磁性層膜厚との関係
図。
た場合の、クロスポイントと第２強磁性層膜厚との関係
図。
【図１１】クロスポイントが０．５になる第１強磁性層
膜厚と上ギャップ層および下ギャップ層膜厚との関係
図。
膜厚と上ギャップ層および下ギャップ層膜厚との関係
図。
【図１２】Ｃｕ非磁性層膜厚を変えた場合の磁気抵抗効
果素子のＭＲ比を示す図。
果素子のＭＲ比を示す図。
１ 基板 ２ 下シールド層 ３ 下ギャップ層 ４ 縦バイアス層 ５ 下電極 ６ 磁気抵抗効果素子 ７ ギャップ規定絶縁層 ８ 上ギャップ層 ９ 上シールド層 １０ 第１反強磁性層 １１ 第２反強磁性層 １２ 第１強磁性層 １３ 第１エンハンス層 １４ 非磁性層 １５ 第２エンハンス層 １６ 第２強磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 邦彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 中田 正文 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】反強磁性層／第１の強磁性層／非磁性層／
第２の強磁性層がこの順または逆順に形成された磁気抵
抗効果素子、または反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ
層／非磁性層／Ｃｏ層／第２の強磁性層がこの順または
逆順に形成された磁気抵抗効果素子において、反強磁性
層がＮｉ酸化物またはＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の混合物
またはＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の積層膜のいずれかから
なり、かつ強磁性層膜厚が１〜１０nmでクロスポイント
０．４５〜０．５５を与える膜厚であり、素子高さが
０．１〜１μm 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性
層膜厚が５〜３０nmであることを特徴とする磁気抵抗効
果素子。 - 【請求項２】Ｎｉ酸化物またはＮｉ酸化物とＣｏ酸化物
の混合物またはＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の積層膜からな
る反強磁性層中のＮｉ原子数／（Ｎｉ原子数＋Ｃｏ原子
数）が０．２５以上であることを特徴とする請求項１記
載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項３】第１および／または第２の強磁性層がＮｉ
Ｆｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＮｉＣｏ、Ｃｏのいずれか一を主
成分とする材料からなることを特徴とする請求項１また
は２記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項４】非磁性層がＣｕ、またはＡｇ添加Ｃｕ、ま
たはＲｅ添加Ｃｕのいずれか一を主成分とする材料から
なることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載
の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項５】基板上に所望の形状にパターン化された下
シールド層、下ギャップ層、および所望の形状にパター
ン化された磁気抵抗効果素子が積層されており、前記磁
気抵抗効果素子端部に接するように縦バイアス層および
下電極層が順次積層されており、その上に上ギャップ
層、上シールド層が順次積層されている、シールド型磁
気抵抗効果センサにおいて、前記磁気抵抗効果素子が、
反強磁性層／第１の強磁性層／非磁性層／第２の強磁性
層がこの順または逆順に形成された磁気抵抗効果素子、
または反強磁性層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層
／Ｃｏ層／第２の強磁性層がこの順または逆順に形成さ
れた磁気抵抗効果素子であって、反強磁性層がＮｉ酸化
物またはＮｉ酸化物とＣｏ酸化物の混合物またはＮｉ酸
化物とＣｏ酸化物の積層膜のいずれかからなり、かつ強
磁性層膜厚が１〜１０nmでクロスポイント０．４５〜
０．５５を与える膜厚であり、素子高さが０．１〜１μ
m 、非磁性層膜厚が２nm〜３nm、反強磁性層膜厚が５〜
３０nmであることを特徴とするシールド型磁気抵抗効果
センサ。 - 【請求項６】基板上に所望の形状にパターン化された下
シールド層、下ギャップ層、および所望の形状にパター
ン化された磁気抵抗効果素子が積層されており、その上
部に一部重なるように縦バイアス層および下電極層が順
次積層されており、その上に上ギャップ層、上シールド
層が順次積層されている、シールド型磁気抵抗効果セン
サにおいて、前記磁気抵抗効果素子が、反強磁性層／第
１の強磁性層／非磁性層／第２の強磁性層がこの順また
は逆順に形成された磁気抵抗効果素子、または反強磁性
層／第１の強磁性層／Ｃｏ層／非磁性層／Ｃｏ層／第２
の強磁性層がこの順または逆順に形成された磁気抵抗効
果素子であって、反強磁性層がＮｉ酸化物またはＮｉ酸
化物とＣｏ酸化物の混合物またはＮｉ酸化物とＣｏ酸化
物の積層膜のいずれかからなり、かつ強磁性層膜厚が１
〜１０nmでクロスポイント０．４５〜０．５５を与える
膜厚であり、素子高さが０．１〜１μm 、非磁性層膜厚
が２nm〜３nm、反強磁性層膜厚が５〜３０nmであること
を特徴とするシールド型磁気抵抗効果センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236470A JPH0983039A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 磁気抵抗効果素子 |
| US08/711,909 US5889640A (en) | 1995-09-14 | 1996-09-12 | Magnetoresistive element and sensor having optimal cross point |
| KR1019960039944A KR970018763A (ko) | 1995-09-14 | 1996-09-14 | 자기저항 소자 및 센서 |
| CN96109802A CN1088917C (zh) | 1995-09-14 | 1996-09-16 | 磁致电阻元件和传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7236470A JPH0983039A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983039A true JPH0983039A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17001225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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