KR20010113813A - 자유층 내의 스펙트럼 전자 산란을 가지는 스핀 밸브 센서 - Google Patents

자유층 내의 스펙트럼 전자 산란을 가지는 스핀 밸브 센서 Download PDF

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KR20010113813A
KR20010113813A KR1020017013282A KR20017013282A KR20010113813A KR 20010113813 A KR20010113813 A KR 20010113813A KR 1020017013282 A KR1020017013282 A KR 1020017013282A KR 20017013282 A KR20017013282 A KR 20017013282A KR 20010113813 A KR20010113813 A KR 20010113813A
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알렉산더 엠. 슈크
에드워드 에스. 머독
앤쏘니 엠. 맥
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추후
시게이트 테크놀로지 엘엘씨
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Abstract

강자성 자유층 76, 강자성 고정층 80, 자유층 76과 고정층 사이에 위치하는 비강자성 물질층 78, 및 고정층 80과 직접적으로 결합하도록 고정층 80에 인접하여 위치하는 반강자성 핀층 82를 포함하는 스핀 밸브 센서 70이 기술된다. 자유층 76은 제 1 및 제 2 강자성 하부층 94, 98 사이에 위치하는 비자성 절연 층 96을 가지는 다층 스택을 포함한다. 비자성 절연층 96은 스펙트럼 전자 산란 효과를 제공한다. 제 1 및 제 2 강자성 하부층 94, 98 각각은 중앙 활성 영역에 의해서 분리되는 수동 끝단 영역을 가진다. 스핀 밸브 센서 70은 추가적으로 수동 끝단 영역에서 제 1 및 제 2 강자성 하부층 94, 98 사이에 위치하는 바이어스 수단 86, 88을 포함한다. 바이어스 수단 86, 88은 하나의 영역 상태에서 강자성 하부층 94, 98의 활성 중앙 영역을 유지하기에 충분한 레벨의 수동 끝단 영역내에서 수평 바이어스를 제공한다.

Description

자유층 내의 스펙트럼 전자 산란을 가지는 스핀 밸브 센서{SPIN VALVE SENSOR WITH SPECULAR ELECTRON SCATTERING IN FREE LAYER}
자기 판독 헤드는 자기 매체 또는 디스크에 저장된 자기적으로 인코딩된 정보를 판독한다. 자기 판독 헤드는 일반적으로 상부 막(shield), 하부 막 및 상부막과 하부막 사이에 위치한 판독 센서를 포함하는 다수개의 층으로 형성된다. 판독 센서는 일반적으로 거대 자기 저항(GMR) 판독 센서와 같은 자기 저항 센서이다. GMR 판독 센서가 자기 판독 헤드에 사용되고 자기 매체 근처에 위치할 때, GMR 판독 센서의 저항은 자기 매체로부터 방사되는 자계에 대응하여 변화된다. GMR 판독 센서를 통해 센서 전류를 공급함으로써, GMR 판독 센서의 저항은 자기 매체에 저장된 정보를 판독하는 외부 회로에 의해 측정되고 사용될 수 있다.
일반적인 GMR 판독 센서의 구조는 GMR 판독 센서가 강자성 자유층, 강자성 고정층, 및 자유층과 고정층 사이에 위치한 비자성 스페이스층으로 이루어진 다층구조인 스핀밸브 구조이다. 자유층의 자화 방향이 외부 자계에 대응하여 자유로이 진동하는 데 반하여, 고정층의 자화 방향은 소정의 방향으로 고정되는 데 일반적으로 스핀 밸브 헤드의 에어 베어링 표면으로 향한다. 자유층의 축은 일반적으로 고정층의 자화 방향으로 설정된다. 스핀 밸브 판독 센서의 저항은 자유층의 자화 방향 및 고정층의 자화방향 사이의 각도에 대한 함수로서 변화된다. 이 다층의 스핀 밸브 형상은 이방성 자기 저항 판독 센서로 가능한 것보다 보다 명백하게 자기 저항 효과를 나타낸다.
일반적으로, 고정층의 자화는 고정층(pinned layer)에 반강자성 핀층(pinning layer)을 커플링시킴으로써 소정의 방향으로 설정된다. 반강자성 핀층은 고정층 및 자유층이 GMR 스핀 밸브의 말단 각을 형성하도록 강자성 고정층 상에 위치한다.
미국 특허 제 5,206,590호(이하 "'590특허"라 함)는 스핀 밸브 효과에 기초한 자기 저항 센서로서 알려진 스핀 밸브 센서를 기술한다. '590 특허에 기술된 스핀 밸브는 50-150Å 범위의 두께를 가지는 자유층을 포함한다. '590 특허는 자유층 영역의 구조를 안정화시키기 위한 두 개의 수평 바이어스 기술을 기술한다. 상기 기술 중 하나는 자유층의 끝단에 증착된 강한 강자성막의 응용에 기초한다. 이와 달리, '590 특허는 자유층의 끝단에 증착되는 막이 반강자성 물질일 수 있다는 것을 기술한다.
'590 특허에 기술된 스핀 밸브 센서 자유층의 상대적으로 두꺼운 두께는 출력 신호를 감소시키는 센서 전류를 분로시키기 때문에 감소된 거대 자기저항을 나타낸다. 종래의 스핀 밸브 센서는 또한 매체 내에 저장된 인접 트랙으로부터 크로스토크에 대한 민감도를 증가시킨다.
본 발명은 일반적으로 자계를 감지하기 위한 스핀 밸브 효과에 기초한 자기 저항 센서와 관련되는 데, 보다 구체적으로 스펙트럼 전자 산란을 갖는 강자성적으로 결합된 얇은 자유층 및 크로스토크 노이즈를 억제하기 위한 향상된 수평의 바이어스를 갖는 센서와 관련된다.
도 1은 종래의 스핀 밸브 센서의 제 1 실시예이다.
도 2는 종래 스핀 밸브 센서에서 스핀에 의존하는 산란에 대한 그림이다.
도 3은 (Co(t)/Cu(19Å))20 의 다층 스택에서 GMR 크기 대 Co 층의 두께의 그래프이다.
도 4는 본 발명과 관련된 스핀 밸브 센서의 바람직한 실시예이다.
도 5는 본 발명의 스핀 밸브 센서 부분에서 스핀에 의존하는 산란의 다이어 그램이다.
도 6은 자유층의 강자성 하부층의 말단층의 보자력(coercivity) 대 이러한 하부층의 두께에 대한 그래프이다.
도 7은 반자성 바이어스 층 및 자유층이 강자성 하부층의 말단 영역 사이의 변화 커플링 강도 대 하부기판의 두께에 관한 것이다.
자유층, 강자성 물질로 제조된 고정층, 자유층과 고정층 사이의 반강자성 물질층 및 고정층에 직접적으로 접촉하도록 고정층에 인접한 핀층으로 포함된 스핀 밸브 센서가 기술된다. 자유층은 제 1 및 제 2 강자성 하부층 사이에 위치하는 비-자기 절연 스페이서를 포함하는 다층의 스택을 포함한다. 비-자기 절연 스페이서는 스팩트럼 전자 산란 효과를 제공한다. 제 1 및 제 2 강자성 하부층 각각은 중앙 활성 영역에 의해 분리된 수동 말단 영역을 가진다. 스핀 밸브 센서는 또한 수동 말단 영역의 제 1 및 제 2 강자성 하부층 사이에 위치하는 바이어스 수단을 포함한다. 바이어스 수단은 하나의 영역 상태에서 중앙 활성 영역을 유지하기에 충분한 레벨의 수동 말단 영역 내에서 수평 바이어스를 생성한다.
본 발명의 스핀 밸브 센서는 종래의 스핀 밸브 센서보다 GMR 비율은 높고, 크로스토크 노이즈에는 둔감하다. 증가된 GMR 비율은 자유층에서 스팩트럼 전자 산란 효과를 초기화함으로써 제공되고, 이에 따라 스핀에 의존하는 산란 확률이 최대가 되는 자유층의 일부분에 전자를 집중시킨다. 크로스토크 노이즈에 대한 민감도의 감소는 자유층 스택의 얇은 강자성 하부층의 말단 층 사이에 수평 바이어스를 생산하는 수단을 위치시킴으로써 제공된다.
본 발명의 스핀 밸브 센서를 설명하기 이전에 종래의 스핀 밸브 센서의 몇몇의 특정 실시예에 대해서 기술할 것이다. 도 1은 미국 특허 제 5,0206,590호에 기술되어 있는 스핀 밸브 센서를 도시한다. 스핀 밸브는 비자성 금속 스페이서 14에 의해서 분리된 두개의 강자성 층 12, 16으로 이루어진 다층을 포함한다. 강자성 층 12는 자계에 대해 자유로이 진동하나, 강자성층 16은 반강자성 층 18에 의해서 고정된다. '590 특허는 자유층 12 영역의 구조를 안정화시킬 수 있는 두 가지의 수평 바이어스 기술을 나타내고 있다. 이 기술 중의 하나는 자유층 12의 끝단에 위치한 강한 강자성 막 26의 적용하는 것에 기초한다. 이와 달리, '590 특허는 막 26이 반강자성 물질일 수 있다는 것을 기술한다. 자유층 12의 두께는 50-150Å의범위에 걸쳐있다.
도 2는 종래의 스핀 밸브 센서 40내에 스핀에 의존하는 산란에 대한 다이어그램이다. 스핀 밸브 40은 강자성 고정층 42, 비자성 스페이스층 44, 및 강자성 자유층 46을 포함한다. 스핀 밸브 40의 민감도 및 열 안정도를 증가시키기 위해서, 자유층 46은 Co/NiFe와 같은 두 개의 강자성 층 48 및 50으로 제조되고 서로 직접적으로 접촉된다. 도 2의 화살표에서 보여지는 바와 같이, 어떤 조건하에서, 강자성 층 42 및 46의 자화 방향은 서로 반대이다. 이것들의 두께가 두껍기 때문에, 강자성 층 42 및 46은 낮은 GMR 비율을 나타내는 전자 52에 대해서 높은 평균 자유도를 제공한다. 평균 자유도는 주로 강자성 층 42의 상부 및 강자성 층 50의 하부에서 주변의 산란이 존재함으로써 제한된다.
거대 자기 저항은 반강자성적으로 결합된 강자성층에서 스핀에 의존하는 전자의 산란에 따른 결과물이다. 업-스핀(up-spin) 전자는 다운-스핀 전자와는 다르게 산란하기 때문에, 산란은 스핀에 의존한다. 만약 업-스핀 전자가 하부 방향의 자화방향을 가지는 강자성층을 만난다면, 전자는 산란될 것이고, 이에 따라 평균자유도는 감소하고 저항은 증가한다. 한편, 업 스핀 전자가 상부 방향의 자화방향을 가지는 강자성 층을 만난다면, 산란 확률은 감소하고 저항도 보다 작아진다. 이와 같이, 다운-스핀 전자는 상부의 자화방향을 가지는 강자성층에 의해서 보다 자주 산란되며, 하부의 자화방향을 가지는 강자성층에 의해서는 보다 덜 자주 산란된다.
스핀에 의존하는 산란은 비자성 층 44를 가지는 강자성/반강자성의 인터페이스에 인접하는 강자성층 42 및 46의 일부의 단일층에 주로 집중된다. 스핀에 의존하는 산란이 보다 클수록, GMR 비율도 보다 커진다. 스핀에 의존하는 산란의 확률 및 GMR은 고정층 또는 자유층의 두께가 증가함에 따라 감소한다.
도 3은 (Co(t)/Cu(19Å))20다층 스택내의 △R 또는 GMR(수직축) 대 Co층의 두께(수평축)의 그래프를 도시한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 거대 자기 저항의 최대값은 약 10-15Å의 두께에서 발생한다. GMR은 강자성층의 두께가 증가함에 따라 감소한다.
낮은 GMR을 생성하는 것 이외에, 두꺼운 강자성 자유층은 또한 '590특허의 층 26과 같이 수평 바이어스 수단을 가지는 교환 커플링 필드를 감소시키게 된다. 교환 커플링 필드의 감소는 자유층의 크로스토크 노이즈에 민감도를 증가시키게 된다.
본 발명에 따른 스핀 밸브 센서 70의 바람직한 실시예가 도 4에 도시된다. 스핀 밸브 센서 70은 기판 72, 시드 층 74, 강자성 자유층 76, 비자성 스페이스 78, 강자성 고정층 80, 반강자성 핀층 82, 덮개층 84, 반강자성 탭 86, 88 및 전도선 90, 92를 포함한다. 자유층 76은 바람직하게는 비자성 절연 스페이서 96에 의해서 분리되는 강자성 하부층 94 및 98을 포함하는 다층 구조물이다. 강자성 하부층 94 및 98은 NiFe, Co, CoFe, NiFeCo, 또는 다른 유사한 연자성 물질로 이루어질 것이다. 바람직한 실시예에서, 강자성 하부층 94는 NiFe이고, 강자성 하부층 98은 CoFe이다. 강자성 하부층 98은 Co/NiFe, CoFe/NiFe, Co/NiFeCo 또는 CoFe/NiFeCo와 같은 두 강자성 층을 포함하는 다층 구조물을 또한 포함할 것이다. 이러한 경우에, 강자성 하부층 94의 Co 또는 CoFe 층은 바람직하게는 스페이서 78에 인접하여 위치한다. 비자성 금속 스페이서 78은 바람직하게는 Cu, Ag 또는 Au이다.
ABS에 수직인 고정층 80내의 자화방향을 유지하기 위해서, 고정층 80은 반강자성 핀층 82와 커플링 교환된다. 바람직하게 Ta로 제조된 덮개층 84는 핀층 82 상에 증착되고, 산화로부터 센서 70의 다층 구조물을 보호한다. 전도선 90 및 92는 센서 70, 전류 소스 및 감지 수단(도시되지 않음)과의 회선을 형성하도록 제공된다.
시드층 74는 자유층 76의 증착 전에 증착된다. 시드층 74는 바람직하게는 Ta, NiFeCr, Ru 또는 CrV로 제조된다. 시드층 74는 바람직하게는 분로 효과(shunting effect)를 최소화하도록 높은 저항을 가진다. 시드층 74의 목적은 하부층의 조직, 구성요소 크기 및 형태를 최적화하기 위한 것이다. 예를 들어, 강자성 층 80과 스페이스층 78과의 사이, 및 강자성 층 76과 스페이스 78과의 사이에서 어느 정도의 굳기를 가지는 것이 바람직하다. 굳기는 스페이스 78에서 스핀에 의존하는 산란이 일어나는 강자성층 76 및 78으로의 전자의 전달을 용이하게 한다. 그러나, 그 사이는 너무 강하게 만들어져서는 않되는 데, 그렇지 않으면 GMR 효과는 사라진다. 형태는 큰 GMR 효과를 얻는 것이 어려운 데, 이는 매우 얇은 자유층 76 및 비자성 스페이스 78을 사용하기 때문이다.
본 발명의 스핀 밸브 센서 70에서, 자유층의 종래의 단층 또는 Co/NiFe의 두층 구조는 강자성 하부층 94 및 98 사이의 강자성 커플링을 제공하는 얇은 절연막 96에 의해서 분리되는 적어도 두개의 강자성 하부층 94 및 98을 포함한다. 본 발명에 따른 얇은 자유층 76은 바람직하게는 Co/MOX/NiFe인 일반적인 구조를 가지는 데, MOX는 절연체이다. 절연막 96은 두개의 강자성 막 94, 98이 강자성적으로 다른 것과 커플링되도록 적절한 형태 및 두께를 가진다. 바람직한 일실시예에서, 절연 막 96은 대략적으로 2-10Å 두께의 Al2O3막이다. 절연 스페이스 96은 이와 달리 Fe2O3, Fe3O4, NiO, Ta2O5, SiO2, Si3N4, CoO, TiO2또는 다른 절연 물질로 제조된다. 박막 구조를 가지는 자유층 76은 강자성 막 94 및 98 사이의 강자성 커플링 때문에 두 층 또는 단층 구조보다 낮은 보자력 및 보다 안정한 영역 구조를 가진다.
더구나, 절연 스페이스 96을 가지는 자유층 76의 얇은 구조는 스핀 밸브 센서 70내 GMR 효과를 향상시킨다. 절연 스페이서 96은 강자성층 98의 사이에서 스팩트럼 전자 산란 효과를 초기화한다. 스핀 밸브내의 스팩트럼 전자 산란은 참고문헌에 기술되어 있다[참고문헌: H.J.M. Swagten, G.J. Strijkers, R.H.J.N. Bitter, W.J.M. de Jonge, J.C.S.Kools, Specular Reflection in Spin Valves Bounded by NiO Layers, IEEE transaction on Magnetics, v.34, No.4, pp.948-953(1998)]. 강자성 하부층 94, 98에 절연 스페이스 96을 위치시킴으로써, 자유층 76 내의 전자 평균 자유도는 도 5에 도시된 바와 같이 상당히 감소한다.
도 5는 강자성 고정층 80, 비자성 스페이스 층 78 및 자유층 76을 포함하는 스핀 밸브 센서 70의 일부를 도시하는 데, 자유층 76은 강자성 하부층 98, 절연 스페이스 96 및 강자성 하부층 94를 포함한다. 도 5의 화살표는 다양한 강자성 층의 자화 방향을 나타낸다. 스핀에 의존하는 산란 확률이 최대가 되는 금속 비자성 스페이서 78에 인접하는 강자성 막 98에 의해서 형성된 얇은 자유층 76 부분에 전자 100이 집중된다. 강자성 막 98 내에 집중된 전자 100은 스핀에 의존하는 산란 및 거대 자기 저항을 증가시킨다. 바람직하게는 스핀에 의존하는 높은 산란 영역을 통해 지나가는 전자의 수를 증가시키기 위해서, 절연 스페이스 96은 비자성 스페이스 78 및 강자성 층 98 사이에 인접하여 위치한다. 강자성 막 98은 바람직하게는 10-20Å의 두께를 가지는 데, 이 두께는 도 3에 도시된 최대 GMR을 만드는 두께이다. 강자성 막 94는 바람직하게 20-60Å 두께이다.
다시 도 4와 관련하여, 수평 바이어스를 생성하는 수단은 자유층 76의 화살표로 표시된 바와 같이 한 영역 상태에서 자유층 76을 유지하도록 제공된다. 특정 실시예에 도시된 바와 같이, 수평 바이어스를 생성하는 수단 86, 88은 높은 블락킹 온도를 가지고, 강자성 막 94, 98과 높은 교환 커플링을 나타내는 반강자성 물질 층을 포함한다. 반강자성 탭 86 및 88은 강자성 물질 94 및 98의 끝단 사이에 위치하고 직접적으로 끝단과 접촉한다. 각 강자성 막 94 및 98의 두께는 이러한 막 및 절연 스페이스 96을 포함하는 자유층 76의 전체 두께보다 작다.
도 6은 강자성 층 94 및 98 끝단의 보자력(HCE) 대 이러한 층의 두께에 대한 그래프이다. 도 7은 반강자성 탭 86, 88 및 강자성 하부층 94, 98 사이의 교환 커플링 강도(HEX) 대 강자성 하부층 94, 98의 두께에 대한 그래프이다. 도 6, 7의 점선은 두께가 변화는 NiFe 강자성 막 98 및 30nm 두께의 NiMn 반강자성 탭 86에 대한 데이타를 나타낸다. 도 6, 7의 실선은 두께가 변화는 NiFe 강자성 막 94 및30nm 두께의 NiMn 반강자성 탭 86에 대한 데이타를 나타낸다. 따라서, 점선에서는 강자성 막이 반강자성 탭 위에 존재하나, 실선에서는 강자성 막이 반강자성 탭 아래에 존재한다.
도 6, 7에 도시된 바와 같이, 교환 커플링 필드(HEX) 및 보자력 (HCE)은 강자성 하부층 94 및 98의 두께가 감소함에 따라 증가한다. 본 발명에 있어서, 반강자성 탭 86, 88은 자유층 76을 형성하는 강자성막 94, 98 사이에 위치한다. 각 강자성 하부층 94 및 98의 두께는 자유층 76의 전체 두께보다 작고, 종래 자유층의 두께보다도 작다. 따라서, 얇은 강자성 하부층 94 및 98의 끝단 영역의 교환 커플링 HEX및 보자력 HCE은 종래의 기술에서 보다 높다. 결과적으로, 본 발명에서의 자유층 76의 끝단 영역의 자계 민감도는 종래의 기술보다 상당히 낮아서, 크로스토크 노이즈가 보다 잘 억제된다.
본 발명은 바람직한 실시예와 관련되어 기술되어졌으나, 당업자는 본 발명의 범위 및 기술로부터 벗어나지 않은 범위 내에서 변화가 이루어질 수 있다는 것을 알고 있다.

Claims (18)

  1. 스핀 밸브 센서로서,
    자유층을 포함하는 스핀 밸브 스택; 및
    자유층 내에 스팩트럼 전자 산란 효과를 제공하는 수단을 포함하는 스핀 밸브 센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 자유층은 제 1 및 제 2 강자성 하부층 사이에 위치한 비자성 절연 스페이서를 포함하는 데, 상기 비자성 절연 스페이서는 스펙트럼 전자 산란 효과를 제공하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 스핀 밸브 스택은
    고정층;
    자유층 및 고정층의 사이에 위치하며, 자유층의 제 1 강자성 하부층과 직접적으로 접촉하는 비-강자성 물질층; 및
    고정층과 직접적으로 접촉하도록 고정층에 인접하여 위치하는 핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  4. 제 2항에 있어서,
    제 1 및 제 2 강자성 하부층 각각은 중앙 활성 영역에 의해서 분리되는 수동 끝단 영역을 가지고, 스핀 밸브 센서는 제 1 및 제 2 강자성 하부층의 수동 끝단 영역에서 제 1 및 제 2 강자성 하부층 사이에 위치하는 바이어스 수단을 추가적으로 포함하고, 바이어스 수단은 하나의 영역 상태로 중앙 활성 영역을 유지하기에 충분한 레벨의 수동 끝단 영역에서 수평 바이어스를 생성하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  5. 제 2항에 있어서,
    제 1 및 제 2 강자성 하부층은 NiFe, Co, CoFe, NiFeCo 및 CoZr 중의 하나인 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  6. 제 3항에 있어서,
    제 1 강자성 하부층은 제 1 및 제 2 강자성층을 포함하는 다층 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  7. 제 6항에 있어서,
    제 1 강자성 하부층 중의 제 1 강자성 층은 Co 또는 CoFe이고, 제 1 강자성 하부층 중의 제 2 강자성 층은 NiFe 또는 NiFeCo이고, 제 1 강자성 하부층 중의 제 1 강자성 층은 비강자성 물질층에 인접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 비자성 절연 스페이서는 SiO2, Fe2O3, Fe3O4, NiO, Ta2O5, Al2O3, Si3N4, CoO 및 TiO2중의 하나인 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 비자성 절연 스페이서는 제 1 및 제 2 강자성 하부층 사이에 강자성 커플링이 일어나는 적절한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 비자성 절연 스페이서는 약 2-10Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  11. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 강자성 하부층은 약 10-20Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제 2 강자성 하부층은 약 20-60Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  13. 제 3항에 있어서,
    상기 비강자성 물질층은 Cu, Ag 및 Au 중의 하나인 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  14. 스핀 밸브 센서는
    자유층을 포함하는 스핀 밸브 스택; 및
    제 1 및 제 2 강자성 하부층의 수동 끝단 영역내에서 제 1 및 제 2 강자성 하부층 사이에 위치하는 바이어스 수단을 포함하며,
    상기 자유층은 제 1 및 제 2 강자성 하부층을 포함하는 다층 스택을 포함하고, 제 1 및 제 2 강자성 하부층 각각은 중앙 활성 영역에 의해서 분리되는 수동 끝단 영역을 가지며,
    상기 바이어스 수단은 하나의 영역 상태에서 중앙 활성 영역을 유지하기에 충분한 레벨의 수동 끝단 영역에 수평 바이어스를 생성하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 자유층은 제 1 및 제 2 강자성 하부층의 중앙 활성 영역에서 제 1 및제 2 강자성 하부층 사이에 위치하는 스페이서 하부층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 스페이서 하부층은 스펙트럼 전자 산란 효과를 제공하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 스핀 밸브 스택은
    고정층;
    자유층 및 고정층 사이에 위치하는 비-강자성 물질층; 및
    고정층에 접촉하도록 고정층에 인접하여 위치하는 핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 밸브 센서.
  18. 스핀 밸브 센서로서,
    자유층을 포함하는 스핀 밸브 스택 ; 및
    스핀에 의존하는 산란 확률이 최대가 되는 자유층 부분 내의 전자 집중 수단을 포함하는 스핀 밸브 센서.
KR1020017013282A 1999-04-20 1999-09-02 자유층 내의 스펙트럼 전자 산란을 가지는 스핀 밸브 센서 KR20010113813A (ko)

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