JP4690675B2 - 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
す。したがって、ブリッジ部3bの大きさおよび個数(密度)を適宜調整することによって、図5(c)に示すようなスピンのねじれを生じさせることができる。
図8に、上記(1)のように磁性スペーサ層に反強磁性スピン配列を持つ磁性材料を用いた垂直通電型の磁気抵抗効果素子の一例を示す。図8の磁気抵抗効果素子は、下電極11、バッファ層B、ピニング層1、ピン層2(第1磁性層2a、Ru層2b、第2磁性層2cを含む)、磁性スペーサ層3、フリー層4、キャップ層C、上電極12を順次積層した構造を有する。
Ta[3〜5nm]/Ru[2nm]、
NiFeCr[3〜5nm]、
Ta[3nm]/NiFeCr[3〜5nm]、
Ta[3nm]/NiFe[3〜5nm]。
CoPt,CoPrCr,FePtなどのハード層。
(FeCo/Cu)×n周期、
(CoNi/Cu)×n周期、
(NiFe/Cu)×n周期、
(FeCoNi/Cu)×n周期。
α−Fe2O3を含む酸化物、
NiOを含む酸化物、
Co3O4を含む酸化物。
MFe2O4(M=Fe,Co,Ni,Cu,Mn,Cr,V,Znなど)、
γ−Fe3O4。
反強磁性的スピン配列を有する金属材料:
Mn,Cr,Vの単体金属、または、Mn,Cr,V(少なくとも10atomic%以上)を含む合金。IrMn,PrMn,PdPtMn,CrMn,NiMn,RuRhMn,RuMnなど(これらの材料の場合、Mnの組成は30atomic%以上)。
磁性スペーサ層中において反強磁性結合と強磁性結合の競合を生じさせるためには、磁性スペーサ層のラフネスの存在が必要である。そのためには、図3に示したように、磁性スペーサ層に、偶数の原子層数を有する領域および奇数の原子層数を有する領域という2つの領域が存在することが必要となる。なお、磁性スペーサ層の膜厚は、0.5nm以上5nm以下が好ましい。
(FeCo/Cu)×n周期、
(CoNi/Cu)×n周期、
(NiFe/Cu)×n周期、
(FeCoNi/Cu)×n周期。
Cu[0〜10nm]/Ru[0〜10nm]。
バッファ層:Ta[5nm]/NiFeCr[5nm]
ピニング層:PtMn[15nm]
ピン層:CoFe[3nm]/Ru[1nm]/CoFe[3nm]
磁性スペーサ層:IrMn[2nm]
フリー層:CoFe[1nm]/NiFe[3nm]
キャップ層:Cu[1nm]/Ru[5nm]
上電極:Cu。
上記(2)のように、反強磁性スピン配列を持つ磁性酸化物とこの磁性酸化物を貫通する金属強磁性材料で形成されたブリッジ部を有する磁性スペーサ層を用いた垂直通電型の磁気抵抗効果素子の例について説明する。この例では、磁性スペーサ層以外は図8の磁気抵抗効果素子と同様である。
上記(3)のように、ピニング層、ピン層、磁性スペーサ層、フリー層、バイアス層の積層膜を用いたることが挙げられる。垂直通電型の磁気抵抗効果素子の例について説明する。
Claims (3)
- 実質的に磁化方向が固着された第1の磁性層と、
外部磁界に応じて磁化方向が変化する第2の磁性層と、
前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた、XMny(XはIr,Pt,Pd,Ru,Cr,Rh,Re、y≧30atomic%)で表される反強磁性スピン配列を持つ金属材料で形成され、偶数の原子層数を有する領域と奇数の原子層数を有する領域を含む磁性スペーサ層と、
前記第1の磁性層、磁性スペーサ層および第2の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
外部磁界がゼロのときに、前記第1の磁性層の磁化方向と前記第2の磁性層の磁化方向がほぼ直交していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 請求項1に記載の磁気抵抗効果素子を具備したことを特徴とする磁気ヘッド。
- 磁気記録媒体と、請求項2に記載の磁気ヘッドとを具備したことを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004224124A JP4690675B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
US11/190,886 US7307819B2 (en) | 2004-07-30 | 2005-07-28 | Magnetoresistive element magnetic head, magnetic recording apparatus, and magnetic memory |
CNB2005100879039A CN100350457C (zh) | 2004-07-30 | 2005-07-29 | 磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器 |
CNB2007101012947A CN100573670C (zh) | 2004-07-30 | 2005-07-29 | 磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器 |
US11/848,374 US7742262B2 (en) | 2004-07-30 | 2007-08-31 | Magnetoresistive element, magnetic head, magnetic recording apparatus, and magnetic memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004224124A JP4690675B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006049358A JP2006049358A (ja) | 2006-02-16 |
JP4690675B2 true JP4690675B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=35731883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004224124A Expired - Fee Related JP4690675B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7307819B2 (ja) |
JP (1) | JP4690675B2 (ja) |
CN (2) | CN100350457C (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005109243A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド |
JP4690675B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
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JP2007299880A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子,および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
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-
2004
- 2004-07-30 JP JP2004224124A patent/JP4690675B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-28 US US11/190,886 patent/US7307819B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-29 CN CNB2005100879039A patent/CN100350457C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-29 CN CNB2007101012947A patent/CN100573670C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-31 US US11/848,374 patent/US7742262B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1741134A (zh) | 2006-03-01 |
CN100573670C (zh) | 2009-12-23 |
US7307819B2 (en) | 2007-12-11 |
US7742262B2 (en) | 2010-06-22 |
CN101042874A (zh) | 2007-09-26 |
JP2006049358A (ja) | 2006-02-16 |
CN100350457C (zh) | 2007-11-21 |
US20060023372A1 (en) | 2006-02-02 |
US20070297098A1 (en) | 2007-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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