JP4975335B2 - 磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
上記に鑑み,本発明の目的はセンス電流の通電によるMR変化率の経時変化の低減が図られた磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供することにある。
た磁化固着層と,磁化方向が外部磁界に対して変化する磁化自由層と,前記磁化固着層と
磁化自由層との間に設けられたAl、Si、Mg、Ta、およびZnからなる群より選択
される少なくとも1種の元素を含む酸化物,窒化物,または酸窒化物からなる第1の絶縁
層および前記第1の絶縁層を層方向に貫通する第1の電流パスを含み圧縮応力を有する非
磁性スペーサ層と,前記磁化自由層に対して前記非磁性スペーサ層が形成された側とは反
対側に配置され,Al、Si、Mg、Ta、およびZnからなる群 より選択される少な
くとも1種の元素を含む酸化物,窒化物,または酸窒化物から選択される1の材料のみか
らなり圧縮応力を有する薄膜挿入層と,を具備し、前記磁化自由層の内部応力は、前記非
磁性スペーサ層及び前記薄膜挿入層から受ける外部応力により圧縮応力となることを特徴
とする。
以下,図を参照しつつ,本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図1は本発明の第1の実施形態に係る磁気抵抗効果素子(CCP−CPP素子)の断面を表す断面図である。図1の磁気抵抗効果素子は,基板上に形成された,下電極11,下地層12,ピニング層13,ピン層14,金属層15,スペーサ層(CCP−NOL)16,金属層17,フリー層18,薄膜挿入層19,キャップ層20,および上電極21を有する。この内,ピン層14,スペーサ層16,およびフリー層18が,2つの強磁性層の間に非磁性のスペーサ層16を挟んでなるスピンバルブ膜(スピン依存散乱ユニット)に対応する。スペーサ層16は,絶縁層161と,絶縁層161を貫通する電流パス162を含む。
本実施形態では,フリー層18とキャップ層20の間に薄膜挿入層19を設け,長時間の電流通電を行っても磁気抵抗素子のMR変化率の低下が生じないようにしている。
下電極11は,スピンバルブ膜の垂直方向に通電するための電極である。下電極11と上電極21との間に電圧が印加されることで,スピンバルブ膜内部をその膜垂直方向に沿って電流が流れる。この電流によって,磁気抵抗効果に起因する抵抗の変化を検出することで,磁気の検知が可能となる。
上部ピン層143は,スピン依存散乱ユニットの一部をなし,MR効果に直接的に寄与する磁性層である。
絶縁層161は,酸化物,窒化物,酸窒化物等から構成される。絶縁層161として,Al2O3のようなアモルファス構造,MgOのような結晶構造の双方が有り得る。
しかし,製造上のマージンを考慮すると,スペーサ層16上に金属層17を形成することが好ましい。
キャップ層20は,スピンバルブ膜を保護する機能を有する。
上電極21は,スピンバルブ膜の垂直方向に通電するための電極である。下電極11と上電極21との間に電圧が印加されることで,スピンバルブ膜内部にその膜の垂直方向の電流が流れる。
以下,薄膜挿入層19の詳細を説明する。薄膜挿入層19は,スピンバルブ膜内の応力を調整し,スピンバルブ膜が内部応力によって劣化するのを防止するためのものである。
A.応力による磁気抵抗効果素子の劣化
スピンバルブ膜が応力によって劣化するメカニズムを説明する。
CCP−CPPスピンバルブ膜では,多数の金属薄膜の積層膜中にスペーサ層16が挿入される。スペーサ層16は,例えば,酸化物からなる絶縁層161を含む。一般に,酸化物等の絶縁体は金属よりも大きい応力を有することが多い。そのため,CCP−CPPスピンバルブ膜では,スペーサ層16と隣接する金属層17が自己の内部応力より大きな応力をスペーサ層16から受ける。即ち,スペーサ層16と隣接する金属層17の近傍は応力の分布が大きな不安定な状態となる。
薄膜挿入層19の有効性を説明するために,薄膜挿入層19の有無によるCCP−CPPスピンバルブ膜の内部応力の違いを示す。
(1)薄膜挿入層19を設けない場合
図2は,薄膜挿入層19を設けていないCCP−CPPスピンバルブ膜の内部応力を表す概念図である。図2の(a)はスペーサ層16〜キャップ層20の断面を表す。図2の(b)はスペーサ層16〜キャップ層20の各層での材料固有の内部応力(実線)と各層が隣接層から受ける応力(破線)を表す。図2の(c)はスペーサ層16〜キャップ層20の各層での実際の内部応力を表す。ここで,図2の(b)及び(c)の縦軸は(a)のCCP−CPP素子の断面図に対応させている。なお,図2では,圧縮応力を有するスペーサ層16を例にとっている。
本実施形態では,図1に示すようにフリー層18とキャップ層20の間に薄膜挿入層19を設ける。薄膜挿入層19としては,CCP−NOLスペーサ層16の材料固有の内部応力と同一極性の応力を有する材料を選択する。ここで,同一極性とは,引張応力(正極性)同士あるいは圧縮応力(負極性)同士の組み合わせを意味する。
図3は,薄膜挿入層19を挿入したCCP−CPPスピンバルブ膜の内部応力を表す概念図である。図3の(a),(b),(c)は,図2の(a),(b),(c)と同様に,(a)断面図,(b)各層の材料固有の応力(実線)と各層が隣接層から受ける応力,(c)各層の実際の応力である。
なお,ここでは絶縁物として酸化物を例に挙げて説明しているが,絶縁物として窒化物あるいは酸窒化物を用いることも可能である。スペーサ層16の応力と同一極性の応力を有する絶縁材料一般を薄膜挿入層19の構成材料として利用可能である。
薄膜挿入層19が隣接する層に与える応力の大きさは,酸化物材料の内部応力σADJと膜厚tADJの積σADJ・tADJに比例する。そのため,薄膜挿入層19の膜厚が薄すぎると,応力調整の機能を発揮することができず,薄膜挿入層19の膜厚が厚いほど応力調整を効果的に行うことができる。応力調整機能を発揮するためには,薄膜挿入層19の膜厚が0.5nm以上であることが望ましい。
一方,薄膜挿入層19の膜厚が厚すぎると,薄膜挿入層19の抵抗が上がってしまい,CCP−CPP素子のスピン依存散乱ユニット外の抵抗を上げてしまうことになり,MR変化率の現象を招く。そのため,いずれの酸化物材料を用いた場合でも,薄膜挿入層19の膜厚は1.5nm以下が望ましい。
その結果,長時間の電流通電を行ってもMR変化率の低下を生じない,信頼性を高めた磁気抵抗効果素子を提供できる。
図4に示すように,フリー層18と薄膜挿入層19の間に金属層22を設けてもよい。金属層22は,その下に成膜されるフリー層18が薄膜挿入層19の酸化物に接して酸化されないように保護するバリア層として機能する。
薄膜挿入層19の材料やフリー層18の材料によっては,図1に示す磁気抵抗効果素子のように,必ずしも金属層22を設けなくてもよい。アニール条件の最適化や,薄膜挿入層19の材料の選択,フリー層18の材料などによって,フリー層18の酸化を回避し,フリー層18と薄膜挿入層19の間の金属層22を不要とできる。しかし,製造上のマージンを考慮すると,スペーサ層16上に金属層17を形成することが好ましい。
本実施形態では磁気抵抗効果素子としてピン層14がフリー層18よりも下に位置するボトム型のCCP−CPP素子を例に挙げて説明している。これに対して,ピン層14がフリー層18よりも上に配置されるトップ型のCCP−CPP素子でも薄膜挿入層19による応力調整が可能である。
トップ型のCCP−CPP素子の場合でも,図6に示すように,薄膜挿入層19とフリー層18の間に金属層22を設けてもよい。
薄膜挿入層19の作製には,酸化物,窒化物,または酸窒化物のターゲットによるダイレクトスパッタ法を用いることができる。ダイレクトスパッタ法では,酸化物,窒化物,または酸窒化物そのものを成膜することができる。これらのターゲットの材料として,Al,Si,Mg,Ti,Ta,およびZnからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む酸化物,窒化物,または酸窒化物を用いることができる。
酸化の方法としては,母材の金属膜を酸素雰囲気に接触させて酸化させる自然酸化を用いることができる。または,酸素のRFプラズマあるいはイオンビームの照射によるエネルギーアシスト効果を用いた酸化でもよい。後者のほうが,安定な酸化物を得ることができるのでより好ましい。
なお,上記の方法は,窒化,及び酸窒化の場合も有効である。例えば,窒素ガスや窒素と酸素の混合ガスのプラズマやイオンを照射することで,金属を窒化または酸窒化して薄膜挿入層19を作成できる。
図7は本発明の第2の実施形態に係る磁気抵抗効果素子(CCP−CPP素子)の断面を表す断面図である。本実施形態では,第1の実施形態と比べて,金属層23が付加され,薄膜挿入層19Aの膜構造が異なる。
薄膜挿入層19Aの膜構造は,CCP−NOL構造であり,絶縁層191および電流パス192を有する。金属層23は,電流パス192の形成に用いられ,いわば電流パス192の供給源である。ただし,電流パス192の形成後にも明確な金属層として残存している必要はない。
ただし,薄膜挿入層19AにCCP−NOL構造を用いた場合でも,膜厚が2.0nm以上となると,電流パス192を形成することが作製プロセス上困難になる。そのため,薄膜挿入層19Aの膜厚は0.5nm〜2.0nmが望ましい。
σ0・S0=σ1・S1+σ2・S2 ……式(1)
式(1)から,次の式(2)が成立する。
σ0=σ1・(1−R)+σ2・R ……式(2)
上記の理由から,薄膜挿入層19Aの電流パス192の開口率は30%以上60%以下が望ましい。
図8は,薄膜挿入層19Aの作製手順の一例を表すフロー図である。
CCP−NOL構造の薄膜挿入層19Aは,以下のように作製できる。
(1)金属層23(第1の金属層)の形成(ステップS11)
フリー層18上に,金属層23を形成する。金属層23は,薄膜挿入層19Aの電流パス192の供給源となる層であり,Cu,Ag,またはAuから構成される。
金属層23上に被酸化金属層を形成する。被酸化金属層は,薄膜挿入層19Aの酸化物層(絶縁層191)に変換される層であり,Al,Si,Mg,Ti,TaおよびZnからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。
被酸化金属層にイオンまたはプラズマを照射する。被酸化金属層の表面に希ガス(例えばAr)のイオンビーム,あるいはRFプラズマを照射する。この前処理は,PIT(Pre-ion treatment)工程と呼ばれる。PIT工程の結果,被酸化金属層中に金属層23の一部が吸い上げられて侵入した状態になる。
被酸化金属層を酸化する。具体的には,希ガス(例えばAr)のイオンビーム,あるいはRFプラズマの照射を行いながら酸化ガス(例えばO2)を供給して,被酸化金属層を酸化物層に変換する。この酸化処理(イオンビームアシスト酸化(IAO:Ion beam-assisted Oxidation))により,酸化物材料(絶縁層191)中にCuなどの電流パス192が積層方向に貫通したCCP−NOL構造の薄膜挿入層19Aが作製される。
(実施例1)
本実施例においては,図1に示す積層構造を有する磁気抵抗効果素子を作製した。
・下電極11
・下地層12:Ta[5nm]/Ru[2nm]
・ピニング層13:Pt50Mn50[15nm]
・ピン層14:Co90Fe10[3.6nm]/Ru[0.9nm]/{(Fe50Co50[1nm]/Cu[0.25nm])×2/Fe50Co50[1nm]}
・金属層15:Cu[0.5nm]
・スペーサ層16:Al2O3絶縁層161およびCu電流パス162[1.5nm]
・金属層17:Cu[0.25nm]
・フリー層18:Co90Fe10[1nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
・薄膜挿入層19:表1に記載の圧縮応力を有する酸化物材料[0.2〜1.5nm]
・キャップ層20:Cu[1nm]/Ta[5nm]
・上電極21
この下電極11上に,下地層12としてTa[5nm]/Ru[2nm]を成膜する。Taは下電極の荒れを緩和するバッファ層12aである。Ruはその上に成膜されるスピンバルブ膜の結晶配向および結晶粒径を制御するシード層12bである。
Ruをシード層12bとして用いると,その上に成膜されるスピンバルブ膜の結晶配向をfcc(111)配向とすることができ,PtMnの結晶配向をfct(111)配向,bcc構造の結晶配向をbcc(110)配向とすることができる。
シード層12bの膜厚は2〜6nmが好ましい。シード層12bの厚さが薄すぎると結晶配向の制御効果が失われる。バッファ層12bが厚すぎると垂直方向にセンス電流を流した場合の直列抵抗増大を引き起こすので好ましくない。
下部ピン層141は,磁気膜厚すなわち飽和磁化Bs×膜厚t(Bs・t積)が,上部ピン層143とほぼ等しくなるように設計することが好ましい。本実施例では,上部ピン層143が(Fe50Co50[1nm]/Cu[2.5nm])×2/Fe50Co50[1nm]であり,FeCoの飽和磁化が約2.2Tであるため,磁気膜厚は2.2T×3nm=6.6Tnmとなる。下部ピン層141についてはCo90Fe10の飽和磁化が約1.8Tなので,上記と等しい磁気膜厚を与える下部ピン層141の膜厚tは6.6Tnm/1.8T=3.66nmとなる。本実施例では膜厚3.6nmのCo90Fe10を用いている。
被酸化金属層に希ガス(例えばAr)のイオンビームを照射して前処理を行う。この前処理をPIT(Pre-ion treatment)という。このPITの結果,被酸化金属層中に金属層15の一部が吸い上げられて侵入した状態になる。
その後,酸化ガス(例えばO2)を供給して被酸化金属層を酸化する。この酸化により,被酸化金属層をAl2O3からなる絶縁層161に変換される。このようにして,絶縁層161およびこれ貫通する電流パス162からなるスペーサ層16が形成される。
被酸化金属層としてAlCuを用いた場合,第1の酸化工程中において,第1の金属層からCuが吸い上げられるのみでなく,AlCu中のCuがAlから分離される。この場合,第1の金属層と被酸化金属層の双方のCuから電流パスが形成される。本実施例では被酸化金属層としてAl90Cu10を用いたが,被酸化金属層としてCuを含まない純Alを用いてもよい。純Alを用いた場合,Cuの吸いあがりによってのみ電流パスが形成される。
なお,フリー層18の酸化はアニール条件の最適化などによって回避できることもあるので,スペーサ層16上の金属層17は必ずしも設ける必要はない。このように,スペーサ層16の下の金属層15は電流パス162の供給源であるため必須であるが,スペーサ層16の上の金属層17は必須というわけではない。但し,製造上のマージンを考慮すると,スペーサ層16上の金属層17を形成することが好ましい。
他の組成(例えばピン層14に関連して説明した組成)のCoFe合金を用いる場合,膜厚を0.5〜2nmとすることが好ましい。例えば,スピン依存界面散乱効果を上昇させるために,フリー層18にもピン層14と同様にbcc構造を有するFe50Co50(もしくは,FexCo100-x(x=45〜85))を用いることが考えられる。この場合,フリー層18は,軟磁性を維持するために,あまり厚い膜厚は使用できず,0.5〜1nmが好ましい膜厚範囲となる。
Coを含まないFeを用いる場合には,軟磁気特性が比較的良好なため,膜厚を0.5〜4nm程度とすることができる。
NiFe合金の組成は,NixFe100-x(x=78〜85%程度)が好ましい。本実施例においては通常用いるNiFeの組成Ni81Fe19よりも,Niリッチな組成(Ni83Fe17)を用いている。これはCCP構造を有するスペーサ層16上にフリー層18を形成した場合には,ゼロ磁歪を実現するためのNi組成が多少ずれるためである。NiFe層の膜厚は2〜5nm程度が好ましい。
NiFe層を用いない場合には,1〜2nmのCoFe層またはFe層と0.1〜0.8nm程度の極薄Cu層とを,複数層交互に積層したフリー層18を用いてもよい。
薄膜挿入層19が隣接する層に与える応力の大きさは,酸化物材料の内部応力σADJと膜厚tADJの積σADJ・tADJに比例する。そのため,薄膜挿入層19の膜厚が薄すぎると,応力調整の機能を発揮することができず,薄膜挿入層19の膜厚が厚いほど効果的に応力調整を行うことができる。応力調整機能を発揮するためには,薄膜挿入層19の膜厚が0.5nm以上であることが望ましい。
本実施例では,薄膜挿入層19の抵抗を上げることなく,応力調整機能を発揮できる膜厚範囲である,0.5nm〜1.5nmの範囲で,各種酸化物材料で適宜調整して作製した。
なお,フリー層18の酸化はアニール条件の最適化などによって回避できることもあるので,フリー層18と薄膜挿入層19の間の金属層22は必ずしも設ける必要はない。但し,製造上のマージンを考慮すると,フリー層18と薄膜挿入層19の間の金属層22を形成することが好ましい。金属層22の材料としては,Cu,Au,Ag,Ruなどを用いることもできる。金属層22の膜厚は,0〜1nmが好ましく,0.1〜0.5nmがより好ましい。
本実施例においては,図1に示す積層構造を有する磁気抵抗効果素子を作製した。
・下電極11
・下地層12:Ta[5nm]/Ru[2nm]
・ピニング層13:Pt50Mn50[15nm]
・ピン層14:Co90Fe10[3.6nm]/Ru[0.9nm]/{(Fe50Co50[1nm]/Cu[0.25nm])×2/Fe50Co50[1nm]}
・金属層15:Cu[0.5nm]
・スペーサ層16:TiO2絶縁層161およびCu電流パス162
・金属層17:Cu[0.25nm]
・フリー層18:Co90Fe10[1nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
・薄膜挿入層19:表2に記載した酸化物材料
・キャップ層20:Cu[1nm]/Ta[5nm]
本実施例においては,図7に示す積層構造を有する磁気抵抗効果素子を作製した。
・下電極11
・下地層12:Ta[5nm]/Ru[2nm]
・ピニング層13:Pt50Mn50[15nm]
・ピン層14:Co90Fe10[3.6nm]/Ru[0.9nm]/{(Fe50Co50[1nm]/Cu[0.25nm])×2/Fe50Co50[1nm]}
・金属層15:Cu[0.5nm]
・スペーサ層16:Al2O3絶縁層161およびCu電流パス162[1.5nm]
・金属層17:Cu[0.25nm]
・フリー層18:Co90Fe10[1nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
・金属層23:Cu[1nm]
・薄膜挿入層19A:表1に記載の圧縮応力を有する酸化物材料からなる絶縁層191およびCu電流パス192 [0.5〜2.0nm]
・キャップ層20:Cu[1nm]/Ta[5nm]
フリー層18上に,金属層22を形成する。金属層22は,薄膜挿入層19Aの電流パス192の供給源となる層であり,Cu,Ag,またはAuから構成される。金属層23上に被酸化金属層を形成する。被酸化金属層は,薄膜挿入層19Aの酸化物層(絶縁層191)に変換される層であり,Al,Si,Mg,Ti,TaおよびZnからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む。被酸化金属層の表面に希ガス(例えばAr)のイオンビーム,あるいはRFプラズマを照射する。この前処理は,PIT(Pre-ion treatment)工程と呼ばれる。PIT工程の結果,被酸化金属層中に金属層23の一部が吸い上げられて侵入した状態になる。
本実施例のCCP−CPP素子特性を評価したところ,薄膜挿入層19Aの絶縁層191として,Al2O3,SiO2,MgO,ZnO,Ta2O5のいずれの酸化物材料を用いた場合においても,薄膜挿入層19Aを挿入しなかった場合に比べて,長時間の電流通電によるMR劣化の低減が確認された。
本実施例においては,図7に示す積層構造を有する磁気抵抗効果素子を作製した。
・下電極11
・下地層12:Ta[5nm]/Ru[2nm]
・ピニング層13:Pt50Mn50[15nm]
・ピン層14:Co90Fe10[3.6nm]/Ru[0.9nm]/{(Fe50Co50[1nm]/Cu[0.25nm])×2/Fe50Co50[1nm]}
・金属層15:Cu[0.5nm]
・スペーサ層16:TiO2絶縁層161およびCu電流パス162[1.5nm]
・金属層17:Cu[0.25nm]
・フリー層18:Co90Fe10[1nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
・金属層23:Cu[1nm]
・薄膜挿入層19A:表2に記載の圧縮応力を有する酸化物材料からなる絶縁層191およびCu電流パス192 [0.5〜2.0nm]
・キャップ層20:Cu[1nm]/Ta[5nm]
本実施例のCCP−CPP素子特性を評価したところ,薄膜挿入層19Aの絶縁層191としてTiO2を用いることにより,薄膜挿入層19Aを挿入しなかった場合に比べて,長時間の電流通電によるMR劣化の低減が確認された。
以下,本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子(CCP−CPP素子)の応用について説明する。
図9および図10は,本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子を磁気ヘッドに組み込んだ状態を示している。図9は,磁気記録媒体(図示せず)に対向する媒体対向面に対してほぼ平行な方向に磁気抵抗効果素子を切断した断面図である。図10は,この磁気抵抗効果素子を媒体対向面ABSに対して垂直な方向に切断した断面図である。
磁気抵抗効果膜10のS/N比が向上しているので,磁気ヘッドに応用した場合に高感度の磁気再生が可能となる。
図9および図10に示した磁気ヘッドは,記録再生一体型の磁気ヘッドアセンブリに組み込んで,磁気記録再生装置に搭載することができる。
図11は,このような磁気記録再生装置の概略構成を例示する要部斜視図である。すなわち,本発明の磁気記録再生装置150は,ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。同図において,磁気ディスク200は,スピンドル152に装着され,図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Aの方向に回転する。本発明の磁気記録再生装置150は,複数の磁気ディスク200を備えてもよい。
磁気ディスク200が回転すると,ヘッドスライダ153の媒体対向面(ABS)は磁気ディスク200の表面から所定の浮上量をもって保持される。あるいはスライダが磁気ディスク200と接触するいわゆる「接触走行型」でもよい。
アクチュエータアーム155は,ピボット157の上下2箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され,ボイスコイルモータ156により回転摺動が自在にできるようになっている。
本実施形態によれば,上述の磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドを具備することにより,高い記録密度で磁気ディスク200に磁気的に記録された情報を確実に読み取ることが可能となる。
次に,本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子を搭載した磁気メモリについて説明する。すなわち,本発明の実施形態に係るランダムアクセス磁気メモリ(MRAM:magnetic random access memory)などの磁気メモリを実現できる。
図13は,本発明の実施形態に係る磁気メモリのマトリクス構成の一例を示す図である。この図は,メモリセルをアレイ状に配置した場合の回路構成を示す。アレイ中の1ビットを選択するために,列デコーダ350,行デコーダ351が備えられており,ビット線334とワード線332によりスイッチングトランジスタ330がオンになり,一意に選択され,センスアンプ352で検出することにより磁気抵抗効果膜10中の磁気記録層(フリー層)に記録されたビット情報を読み出すことができる。ビット情報を書き込むときは,特定の書き込みワード線323とビット線322に書き込み電流を流して発生する磁場を印加する。
一方,アドレス選択用トランジスタ部分312には,ビア326および埋め込み配線328を介して接続されたトランジスタ330が設けられている。このトランジスタ330は,ゲート332に印加される電圧に応じてスイッチング動作をし,磁気抵抗効果素子10と配線334との電流経路の開閉を制御する。
また,ビット情報を読み出すときは,配線322と,磁気記録層を含む磁気抵抗効果素子10と,下電極324とを通してセンス電流を流し,磁気抵抗効果素子10の抵抗値または抵抗値の変化を測定する。
・下地層12:Ta[5nm]/Ru[2nm]
・ピニング層13:Pt50Mn50[15nm]
・ピン層14:Co90Fe10[3.4nm]/Ru[0.9nm]/(Co80Fe20)B10[3.5nm]
・トンネル絶縁層25:MgO[1.5nm]
・下部フリー層18A:Co90Fe10[1nm]/Ni83Fe17[1nm]
・電流狭窄層25:Al2O3絶縁層およびNiFe電流パスのCCP−NOL[1.0nm]
・上部フリー層18B:NiFe[2.5nm]
・金属層23:Cu[0.5nm]
・薄膜挿入層19A:表1に記載の圧縮応力を有する酸化物材料からなる絶縁層およびCu電流パスのCCP−NOL [0.5〜2.0nm]
・キャップ層20:Cu[1nm]/Ta[5nm]
この場合には,フリー層内部に電流狭窄層25としてCCP−NOLを設ける必要がある。このとき,電流通電によるCCP−NOL近傍の発熱とCCP−NOL近傍の内部応力を駆動力とした原子の移動が起きる。ここで,CCP−NOLの近傍では,応力の分布が大きいため,原子の移動距離にも分布が生ずる。その結果,結晶性酸化物であるMgOと隣接する金属層との界面,あるいは金属層の内部において,格子のミスマッチ,及び原子のミキシング,ラフネスの増加が生じる可能性がある。これらの現象は,TMR効果の低下の原因となる。
また,フリー層に挿入されたCCP−NOLを実現するための形成プロセスとして,前述のPIT/IAO処理を行うことが望ましい。この場合には電流パスを形成する材料として,フリー層の構成材料をそのまま使用することが可能となる。
しかし,このような場合においても,上述したようなTMR効果する現象は少なからず発生しうる。本実施例のトンネル磁気抵抗効果素子においても,薄膜挿入層19Aの挿入によって,上述したTMR効果低下を招く現象の防止を期待できる。
・下地層12:Ta[5nm]/Ru[2nm]
・ピニング層13:Pt50Mn50[15nm]
・ピン層14:Co90Fe10[3.4nm]/Ru[0.9nm]/(Co80Fe20)B10[3.5nm]
・トンネル絶縁層25:MgO[1.5nm]
・フリー層18:Co90Fe10[1nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
・金属層23:Cu[0.5nm]
・薄膜挿入層19A:表1に記載の圧縮応力を有する酸化物材料からなる絶縁層およびCu電流パスのCCP−NOL [0.5〜2.0nm]
・キャップ層20:Cu[1nm]/Ta[5nm]
しかし,このような場合においても,上述したようなTMR効果を低減する現象は少なからず発生しうる。本実施例のトンネル磁気抵抗効果素子においても,薄膜挿入層19Aの挿入によって,TMR効果低下を招く現象の防止を期待できる。
本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張,変更可能であり,拡張,変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
磁気抵抗効果膜の具体的な構造や,その他,電極,バイアス印加膜,絶縁膜などの形状や材質に関しては,当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し,同様の効果を得ることができる。
例えば,磁気抵抗効果素子を再生用磁気ヘッドに適用する際に,素子の上下に磁気シールドを付与することにより,磁気ヘッドの検出分解能を規定することができる。
さらに,本発明の磁気記録再生装置は,特定の記録媒体を定常的に備えたいわゆる固定式のものでも良く,一方,記録媒体が差し替え可能ないわゆる「リムーバブル」方式のものでも良い。
その他,本発明の実施形態として上述した磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置を基にして,当業者が適宜設計変更して実施しうるすべての磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,磁気記録再生装置も同様に本発明の範囲に属する。
Claims (5)
- 磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と,
磁化方向が外部磁界に対して変化する磁化自由層と,
前記磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたAl、Si、Mg、Ta、およびZn
からなる群より選択される少なくとも1種の元素を含む酸化物,窒化物,または酸窒化物
からなる第1の絶縁層および前記第1の絶縁層を層方向に貫通する第1の電流パスを含み
圧縮応力を有する非磁性スペーサ層と,
前記磁化自由層に対して前記非磁性スペーサ層が形成された側とは反対側に配置され,
Al、Si、Mg、Ta、およびZnからなる群 より選択される少なくとも1種の元素
を含む酸化物,窒化物,または酸窒化物から選択される1の材料のみからなり圧縮応力を
有する薄膜挿入層と,
を具備し、前記磁化自由層の内部応力は、前記非磁性スペーサ層及び前記薄膜挿入層から
受ける外部応力により圧縮応力となることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記薄膜挿入層の膜厚が,0.5nm以上,2.0nm以下であることを特徴とする請
求項1に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記薄膜挿入層と前記磁化自由層との間に,Ru,Cu,Au,およびAgからなる群
より選択される少なくとも1種の元素を含む金属層を有することを特徴とする請求項1又
は2に記載の磁気抵抗効果素子。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を具備することを特徴とする
磁気ヘッド。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を具備することを特徴とする
磁気記録再生装置。
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