JP2008243327A - 垂直通電型gmr再生素子、並びにこのgmr再生素子を具えることを特徴とする磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁化固着層、磁化自由層、及び前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、再生分解能を確保するためのシールド機構と、前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具える垂直通電型再生素子において、面積抵抗(RA:単位 Ω×μm2)が前記磁気抵抗効果素子のトラック幅(TW:単位nm)とギャップ長さ(GAP:単位nm)に対して0.00062×√(GAP)×TW+0.06以下、又は面積抵抗(RA:単位Ω×μm2)が、使用する線記録密度(kBPI:単位 kBPI)と前記磁気抵抗効果素子のトラック幅(TW:単位nm)に対して0.14×TW(nm)/√(kBPI)+0.06 以下となるようにする。
【選択図】図9
Description
IEEE Trans. Magn., vol 38, pp. 2277-, 2002
磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、
再生分解能を確保するためのシールド機構と、
前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具え、
面積抵抗(RA:単位 Ω×μm2)が前記磁気抵抗効果素子のトラック幅(TW:単位nm)とギャップ長さ(GAP:単位nm)に対して0.00062×√(GAP)×TW+0.06以下であることを特徴とする、垂直通電型GMR再生素子(第1の再生素子)に関する。
磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、
再生分解能を確保するためのシールド機構と、
前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具え、
面積抵抗(Resistance-Area Product ;RA:単位Ω×μm2)が、使用する線記録密度(kBPI:単位 kBPI)と前記磁気抵抗効果素子のトラック幅(TW:単位nm)に対して0.14×TW(nm)/√(kBPI)+0.06 以下であることを特徴とする、垂直通電型GMR再生素子(第2の再生素子)に関する。
下電極11は、スピンバルブ膜の垂直方向に通電するための電極である。下電極11と上電極20との間に電圧が印加されることで、スピンバルブ膜内部をその膜垂直方向に沿って電流が流れる。この電流によって、磁気抵抗効果に起因する抵抗の変化を検出し、磁気の検知が可能となる。下電極11には、電流を磁気抵抗効果素子に通電するために、電気抵抗が比較的小さい金属層が用いられる。
CCP−CPP素子においては、CCP−NOL層16の近傍で電流が狭窄されるため、CCP−NOL層16の界面近傍での抵抗の寄与が非常に大きい。つまり、CCP−NOL層16と磁性層(ピン層14、フリー層18)の界面での抵抗が、磁気抵抗効果素子全体の抵抗に占める割合が大きい。このことは、スピン依存界面散乱効果の寄与がCCP−CPP素子では非常に大きく、重要であることを示している。つまり、CCP−NOL層16の界面に位置する磁性材料の選択が従来のCPP素子の場合と比較して、重要な意味をもつ。これが、ピン層143として、スピン依存界面散乱効果が大きいbcc構造をもつFeCo合金層を用いた理由であり、前述したとおりである。
図8は、磁気抵抗効果素子の製造に用いられる成膜装置の概略を示す模式図である。図8に示すように、搬送チャンバー(TC)50を中心として、ロードロックチャンバー51、プレクリーニングチャンバー52、第1の金属成膜チャンバー(MC1)53、第2の金属成膜チャンバー(MC2)54、酸化物層・窒化物層形成チャンバー(OC)60がそれぞれゲートバルブを介して設けられている。この成膜装置では、ゲートバルブを介して接続された各チャンバーの間で、真空中において基板を搬送することができるので、基板の表面は清浄に保たれる。
以下、磁気抵抗効果素子の製造方法の全体について詳細に説明する。
基板(図示せず)上に、下電極11、下地層12、ピニング層13、ピン層14、下部金属層15、スペーサ層16、上部金属層17、フリー層18、キャップ層19、上電極20を順に形成する。
基板(図示せず)上に、下電極11を微細加工プロセスによって前もって形成しておく。
下電極11上に、下地層12として、例えば、Ta/Ruを成膜する。既述のように、Taは下電極の荒れを緩和したりするためのバッファ層12aである。Ruはその上に成膜されるスピンバルブ膜の結晶配向および結晶粒径を制御するシード層12bである。
下地層12上にピニング層13を成膜する。ピニング層13の材料としては、PtMn、PdPtMn、IrMn、RuRhMnなどの反強磁性材料を用いることができる。
ピニング層13上にピン層14を形成する。ピン層14は、例えば、下部ピン層141(Co90Fe10)、磁気結合層142(Ru)、および上部ピン層143(Co90Fe10)からなるシンセティックピン層とすることができる。
次に、電流狭窄構造(CCP構造)を有するCCP−NOL16を形成する。CCP−NOL16を形成するには、酸化物層・窒化物層形成チャンバー60を用いる。CCP−NOL16の形成方法は、以下に示す通りである。
まず、高いMR変化率を得るためには、スペーサ層16との界面に位置するフリー層18の磁性材料の選択が重要である。この場合、スペーサ層16との界面には、NiFe合金よりもCoFe合金を設けることが好ましい。CoFe合金のなかでも特に軟磁気特性が安定なCo90Fe10を用いることができる。他の組成でも、CoFe合金は用いることができる。
フリー層18の上に、キャップ層19として例えば、Cu/Ruを積層する。キャップ層19の上にスピンバルブ膜へ垂直通電するための上電極20を形成する。
GAPが55nm、TW=120nmのヘッドに適用したデータを示す。CCP-CPP-GMRの絶縁層の構成はAlOxに添加物としてCuを加えたものとした。線記録密度で920kBPI、トラック密度で125kTPIに相当するので、おおよそ115Gbpsiの記録密度に相当するヘッドである。ヘッド出力は実際に記録信号を読み取ることはせず、垂直記録方式媒体からの低周波数信号読み取り時の磁界に相当する+/-400 Oeを一様静磁界としてGAPから侵入させて抵抗差を読み取ることでヘッド出力を算出した。
GAPが40nm、TW=50nmのヘッドに適用したデータを示す。線記録密度で1300kBPI、トラック密度で300kTPIに相当するので、おおよそ400Gbpsiの記録密度に相当するヘッドである。テスト方法は実施例1と同様とした。RAは式2にGAP=40(nm)・TW=50nmを代入することにより、0.26Ωμm2以内にする必要があることが分かる。サンプルではRA=0.20Ωμm2とした。サンプル数は13で出力ばらつきの平均は4.08%で標準偏差は0.72%となった。1σの範囲内で5%に収まっている(図10参照)。
GAPが40nm、TW=50nmと実施例2と同じ形状のヘッドであるが別ウェハのデータを示す。実施例2と同様、おおよそ400Gbpsiの記録密度に相当するヘッドである。テスト方法は実施例1と同様とした。RAは上記同様に0.26Ωμm2以内とし、サンプルではRA=0.22Ωμm2を作製した。サンプル数は9で出力ばらつきの平均は4.18%で標準偏差は0.59%となった。1σの範囲内で5%に収まっている(図11参照)。
本特許の適用外のサンプルを示す。GAPが40nm、TW=60nmのヘッドにおいて、線記録密度で1300kBPI、トラック密度で250kTPIに相当するので、おおよそ320Gbpsiの記録密度に相当するヘッドである。テスト方法は実施例1と同様とした。RAは本特許から0.30Ωμm2以内にする必要があるがサンプルではRA=0.40Ωμm2とした。サンプル数は11で出力ばらつきの平均は5.07%で標準偏差は1.36%となって平均値で5%を超えている(図12参照)。
記録密度を130-1900Gbpsiまで変えたときのRA上限値例を表1に示す。以上のように記録密度の広い範囲でCCP−CPP−GMR素子をハードディスクに使用する際、式2、式3を満たすように面積抵抗をコントロールすれば出力の変動をハードディスク使用上問題の無い5%以下にすることが可能となる。
上述した磁気抵抗効果素子は、記録再生一体型の磁気ヘッドアセンブリに組み込んで、磁気記録再生装置に搭載することができる。
本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張、変更可能であり、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
ード層、13…ピニング層、14…ピン層、141…下部ピン層、142…磁気結合層、
143…上部ピン層、15…下部金属層、16…CCP−NOL層、161…絶縁層、162…電流パス、17…上部金属層、18…フリー層、19…キャップ層、20…上電極、
Claims (6)
- 磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、
再生分解能を確保するためのシールド機構と、
前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具え、
面積抵抗(RA:単位 Ω×μm2)が前記磁気抵抗効果素子のトラック幅(TW:単位nm)とギャップ長さ(GAP:単位nm)に対して0.00062×√(GAP)×TW+0.06以下であることを特徴とする、垂直通電型GMR再生素子。 - 請求項1に記載の垂直通電型GMR再生素子を具えることを特徴とする、磁気ヘッド。
- 磁気記録媒体と、請求項2に記載の磁気ヘッドとを具えることを特徴とする、磁気記録再生装置。
- 磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、
再生分解能を確保するためのシールド機構と、
前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具え、
面積抵抗(RA:単位Ω×μm2)が、使用する線記録密度(kBPI:単位 kBPI)と前記磁気抵抗効果素子のトラック幅(TW:単位nm)に対して0.14×TW(nm)/√(kBPI)+0.06 以下であることを特徴とする、垂直通電型GMR再生素子。 - 請求項4に記載の垂直通電型GMR再生素子を具えることを特徴とする、磁気ヘッド。
- 磁気記録媒体と、請求項2に記載の磁気ヘッドとを具えることを特徴とする、磁気記録再生装置。
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