KR970018763A - 자기저항 소자 및 센서 - Google Patents

자기저항 소자 및 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR970018763A
KR970018763A KR1019960039944A KR19960039944A KR970018763A KR 970018763 A KR970018763 A KR 970018763A KR 1019960039944 A KR1019960039944 A KR 1019960039944A KR 19960039944 A KR19960039944 A KR 19960039944A KR 970018763 A KR970018763 A KR 970018763A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
ferromagnetic
cobalt
magnetoresistive element
nickel
Prior art date
Application number
KR1019960039944A
Other languages
English (en)
Inventor
카즈히꼬 하야시
쥬니찌 후지카타
히데후미 야마모또
구니히코 이시하라
마사후미 나카다
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛폰 덴키 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛폰 덴키 주식회사 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR970018763A publication Critical patent/KR970018763A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09Magnetoresistive devices
    • G01R33/093Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109Details
    • G11B5/3116Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3932Magnetic biasing films

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

본 발명의 자기저항 소자는 반강자성 층, 제1 강자성 층, 비자기 층 및, 제2 강자성 층을 연속적으로 포함한다. 비자기 층 대신에, 상기 자기저항 소자는 Co층과, 비자기 층 및, Co층의 결합을 포함할 수 있다. 상기 반강자성 층은 니켈 산화물, 니켈 산화물과 코발트 산화물의 혼합물, 또는 니켈 산화물과 코발트 산화물의 적층부로 제조된다. 상기 강자성 층은 1 내지 10㎚ 두께를 가지고, 상기 소자는 0.1 내지 1um의 높이를 가진다. 상기 비자성층은 2 내지 3㎚의 두께를 가지며, 상기 반강자성 층은 5 내지 30㎚의 두께를 가진다. 상기 자기저항 소자는 적절한 교차점을 가지고, 우수한 재생신호를 출력하며, 출력신호에 대하여 바람직한 반쪽폭을 가진다.

Description

자기저항 소자 및 센서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 3은 본 발명에 사용되는 통상적인 자기저항 소자의 단면도.

Claims (14)

  1. 반강자성 층과, 제1 강자성 층과, 비자기 층 및, 연성 자기재료의 제2 강자성 층을 연속적으로 포함하고, 상기 반강자성 층은 5 내지 30㎚의 두께를 가지고 니켈 산화물, 니켈 산화물과 코발트 산화물의 혼합물 및, 니켈 산화물막과 코발트 산화물막을 포함하는 적층부중의 하나로 제조되며, 상기 제1 및 제2 강자성 층은 1 내지 10㎚의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 자기저항 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 층은 0.45 내지 0.55의 교차점을 제공하는 것을 특징으로 하는 자기저항 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자기저항 소자는 0.1 내지 1㎜의 소자높이를 가지는 것을 특징으로 하는 자기저항 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 강자성 층과 비자기 층사이의 제1 코발트 층과, 상기 비자기 층과 제2 강자성 층사이의 제2 코발트 층을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반강자성 층에서 니켈과 코발트의 전체 원자에 대한 니켈 원자의 비는 0.25이상인 것을 특징으로 하는 자기저항 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 층중 하나 이상의 층은 주 구성품으로써, NiFe, NiFeCo, NiCo 및 Co 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비자기 층은 주 구성품으로써 Cu와, Cu에 부가된 Ag 및, Cu에 부가된 Re를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 소자.
  8. 기판과; 상기 기판위에 연속적으로 형성되고 패턴을 가지는 저부 실드층과 저부 갭층과; 강자성 소자에 바이어스 자기장을 제공하기 위하여 강자성 소자의 모서리위에 형성된 종방향 바이어스 층과 강자성 소자를 포함하며 저부 갭층위에 형성된 활성층 및; 상기 활성층위에 연속적으로 형성된 상부 갭층과 상부 실드층을 포함하며, 반강자성 층과, 제1 강자성 층과, 비자기 층 및, 연성 자기재료의 제2 강자성 층을 연속적으로 포함하고, 상기 반강자성층은 5 내지 30㎚의 두께를 가지고 니켈 산화물, 니켈 산화물과 코발트 산화물의 혼합물 및, 니켈 산화물막과 코발트 산화물막을 포함하는 적층부중의 하나로 제조되며, 상기 제1 및 제2 강자성 층은 1 내지 10㎚의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 자기저항 센서.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 층은 0.45 내지 0.55의 교차점을 제공하는 것을 특징으로 하는 자기저항 센서.
  10. 제8항에 있어서, 상기 자기저항 소자는 0.1 내지 1㎜의 소자높이를 가지는 것을 특징으로 하는 자기저항 센서.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 강자성 층과 비자성층 사이의 제1 코발트 층과, 상기 비자기 층과 제2 강자성 층사이의 제2코발트 층을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 센서.
  12. 제8항에 있어서, 상기 반강자성 층에서 니켈과 코발트의 전체 원자에 대한 니켈 원자의 비는 0.25 이상인 것을 특징으로 하는 자기저항 센서.
  13. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 층중 하나 이상의 층은 주로 구성품으로써, NiFe, NiFeCo, NiCo 및 Co 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 센서.
  14. 제8항에 있어서, 상기 비자성층은 주 구성품으로써 Cu, Cu에 부가된 Ag 및, Cu에 부가된 Re를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960039944A 1995-09-14 1996-09-14 자기저항 소자 및 센서 KR970018763A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-236470 1995-09-14
JP7236470A JPH0983039A (ja) 1995-09-14 1995-09-14 磁気抵抗効果素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970018763A true KR970018763A (ko) 1997-04-30

Family

ID=17001225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960039944A KR970018763A (ko) 1995-09-14 1996-09-14 자기저항 소자 및 센서

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5889640A (ko)
JP (1) JPH0983039A (ko)
KR (1) KR970018763A (ko)
CN (1) CN1088917C (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010030439A (ko) * 1999-09-22 2001-04-16 아끼구사 나오유끼 자기 센서, 자기 헤드 및 자기 디스크 장치

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0910800B1 (en) * 1996-07-05 2004-02-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. A magnetic field sensor and method of manufacturing a magnetic field sensor
JP2950284B2 (ja) * 1997-05-14 1999-09-20 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子、並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
JP2970590B2 (ja) * 1997-05-14 1999-11-02 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
JPH11161921A (ja) 1997-12-01 1999-06-18 Nec Corp 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
US6277505B1 (en) * 1999-01-21 2001-08-21 Read-Rite Corporation Read sensor with improved thermal stability and manufacturing method therefor
WO2000063715A1 (en) * 1999-04-20 2000-10-26 Seagate Technology Llc Spin valve sensor with specular electron scattering in free layer
US6201672B1 (en) * 1999-04-26 2001-03-13 International Business Machines Corporation Spin valve sensor having improved interface between pinning layer and pinned layer structure
US6428657B1 (en) 1999-08-04 2002-08-06 International Business Machines Corporation Magnetic read head sensor with a reactively sputtered pinning layer structure
US6519117B1 (en) 1999-12-06 2003-02-11 International Business Machines Corporation Dual AP pinned GMR head with offset layer
US6430013B1 (en) 1999-12-06 2002-08-06 International Business Machines Corporation Magnetoresistive structure having improved thermal stability via magnetic barrier layer within a free layer
US6496334B1 (en) 2000-05-26 2002-12-17 Read-Rite Corportion Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having planarized extra gap and shield layers and method of fabrication thereof
US6560078B1 (en) 2000-07-13 2003-05-06 International Business Machines Corporation Bilayer seed layer for spin valves
US6801408B1 (en) 2000-11-02 2004-10-05 Western Digital (Fremont), Inc. Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having a planar sensor element and an extra gap and method of fabrication thereof
JP4487472B2 (ja) * 2002-07-05 2010-06-23 株式会社日立製作所 磁気抵抗効果素子、及びこれを備える磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリ
US6876525B2 (en) * 2002-08-27 2005-04-05 International Business Machines Corporation Giant magnetoresistance sensor with stitched longitudinal bias stacks and its fabrication process
CN100369117C (zh) * 2002-12-31 2008-02-13 有研稀土新材料股份有限公司 一种氧化物巨磁电阻自旋阀及包含其的设备
KR100648143B1 (ko) * 2004-11-03 2006-11-24 한국과학기술연구원 전류 인가 자기 저항 소자
JP4008478B2 (ja) * 2005-07-13 2007-11-14 Tdk株式会社 磁界検出素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および磁界検出素子の製造方法
TWI394179B (zh) * 2007-11-07 2013-04-21 Nat Univ Chung Cheng Structure and Method of Ultra - thin Ferromagnetic / Antiferromagnetic Coupling Thin Films
CN104425708A (zh) * 2013-09-06 2015-03-18 上海矽睿科技有限公司 两轴磁传感装置的制备工艺

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3820475C1 (ko) * 1988-06-16 1989-12-21 Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De
US5206590A (en) * 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5591532A (en) * 1992-06-16 1997-01-07 The Regents Of The University Of California Giant magnetoresistance single film alloys
US5549978A (en) * 1992-10-30 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
US5287238A (en) * 1992-11-06 1994-02-15 International Business Machines Corporation Dual spin valve magnetoresistive sensor
US5301079A (en) * 1992-11-17 1994-04-05 International Business Machines Corporation Current biased magnetoresistive spin valve sensor
US5576915A (en) * 1993-03-15 1996-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof
JPH0766033A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Mitsubishi Electric Corp 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
JP2860233B2 (ja) * 1993-09-09 1999-02-24 株式会社日立製作所 巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生装置
US5585199A (en) * 1993-09-09 1996-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect head
JP2854513B2 (ja) * 1993-10-21 1999-02-03 アルプス電気株式会社 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2743806B2 (ja) * 1993-12-28 1998-04-22 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜およびその製造方法
JPH07220246A (ja) * 1994-02-04 1995-08-18 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置
JP2785678B2 (ja) * 1994-03-24 1998-08-13 日本電気株式会社 スピンバルブ膜およびこれを用いた再生ヘッド
US5583725A (en) * 1994-06-15 1996-12-10 International Business Machines Corporation Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor
JP2748876B2 (ja) * 1995-01-27 1998-05-13 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜
JPH08235542A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Sumitomo Metal Ind Ltd 磁気抵抗効果素子
JP2778626B2 (ja) * 1995-06-02 1998-07-23 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子
US5654854A (en) * 1995-11-30 1997-08-05 Quantum Corporation Longitudinally biased magnetoresistive sensor having a concave shaped active region to reduce Barkhausen noise by achieving a substantially single magnetic domain state

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010030439A (ko) * 1999-09-22 2001-04-16 아끼구사 나오유끼 자기 센서, 자기 헤드 및 자기 디스크 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1088917C (zh) 2002-08-07
JPH0983039A (ja) 1997-03-28
US5889640A (en) 1999-03-30
CN1161577A (zh) 1997-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970018763A (ko) 자기저항 소자 및 센서
KR970063044A (ko) 박막 자기헤드
KR960011854A (ko) 자기저항효과 박막 및 그 제조방법
KR950704820A (ko) 자기 저항 장치 및, 이 장치를 이용한 자기헤드(Magneto-resistance device, and magnetic head employing such a device)
SG42849A1 (en) Multilayer magnetoresistive sensor
KR920013258A (ko) 자기성 전기저항 센서
KR930006645A (ko) 자기 저항 효과형 자기 헤드
EP0483373A4 (en) Magnetoresistance effect element
KR920017027A (ko) 자기성 전기 저항 감지 시스템
KR870002551A (ko) 자기 저항성 판독 변환기
KR970063045A (ko) 자기 저항 효과 소자 및 자기 저항 효과형 헤드
TW330285B (en) Spin valve magnetoresistive sensor with antiparallel pinned layer and improved exchange bias layer, and magnetic recording system using the sensor
KR970067965A (ko) 박막 자기 저항성 디바이스
EP1061592A3 (en) Magneto-resistance effect element, and its use as memory element
KR950704694A (ko) 합성 반강자성 자석을 갖춘 자기저항 센서 및 그 제조방법(magneto-resistive sensor with a synthetic anti-ferromagnet, and a method of producing the sensor)
ATE113386T1 (de) Magnetfeldsensor mit ferromagnetischer, dünner schicht.
MY120928A (en) Magnetoresistance effect element
MY121197A (en) Magnetoresistive read transducer having a contiguous longitudinal bias layer
KR910005236A (ko) 박막 자기헤드
DE60139682D1 (de) Magnetische mehrschichtstruktur mit verbessertem magnetfeldbereich
CA2038469A1 (en) Opposed field magnetoresistive memory sensing
KR100284779B1 (ko) 스핀밸브 자기저항효과형 자기헤드 및 자기 디스크 장치
KR870001546A (ko) 자기 저항 효과형 자기 호출 장치
KR960002146A (ko) 자기저항효과형 박막자기헤드
KR970060078A (ko) 자기저항층 및 하부 금속층을 갖는 자기저항 효과 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19990916

Effective date: 20001130