JPH0728059B2 - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH0728059B2 JPH0728059B2 JP60105539A JP10553985A JPH0728059B2 JP H0728059 B2 JPH0728059 B2 JP H0728059B2 JP 60105539 A JP60105539 A JP 60105539A JP 10553985 A JP10553985 A JP 10553985A JP H0728059 B2 JPH0728059 B2 JP H0728059B2
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- alloy thin
- ferromagnetic alloy
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的情報を強磁性合金薄膜の磁気抵抗効果を
利用して電気的信号に変換する磁気抵抗効果素子（以
下、MR素子と称す）に関する。
利用して電気的信号に変換する磁気抵抗効果素子（以
下、MR素子と称す）に関する。
（従来技術とその問題点） MR素子は、高感度化、低消費電力が可能で、用途に応じ
た形状に形成し易い等の多くの利点があり、近年、磁気
センサー、高記録密度用磁気ヘッドとしての開発が活発
に進められている。
た形状に形成し易い等の多くの利点があり、近年、磁気
センサー、高記録密度用磁気ヘッドとしての開発が活発
に進められている。
この種のMR素子の、基本的構成を第４図に示す。第４図
（ａ）、（ｂ）はそれぞれMR素子の平面図及び正面図を
示す。図において、パーマロイ等の磁気抵抗効果を有す
る短冊状強磁性合金薄膜１はその長手方向両端に、強磁
性合金薄膜１にセンス電流を供給するための電極２が接
続されている。かかる構成のMR素子は、外部からの信号
磁界により強磁性合金薄膜１の磁化が回転し、その回転
角に応じて、抵抗が変化する。従って、電極２から一定
に調整されたセンス電流を供給すると、抵抗変化に応じ
た出力電圧が得られる。即ち、外部信号磁界に対応する
電気的信号が得られる。
（ａ）、（ｂ）はそれぞれMR素子の平面図及び正面図を
示す。図において、パーマロイ等の磁気抵抗効果を有す
る短冊状強磁性合金薄膜１はその長手方向両端に、強磁
性合金薄膜１にセンス電流を供給するための電極２が接
続されている。かかる構成のMR素子は、外部からの信号
磁界により強磁性合金薄膜１の磁化が回転し、その回転
角に応じて、抵抗が変化する。従って、電極２から一定
に調整されたセンス電流を供給すると、抵抗変化に応じ
た出力電圧が得られる。即ち、外部信号磁界に対応する
電気的信号が得られる。
しかし、かかる構成のMR素子は、信号磁界の影響によっ
て、強磁性合金薄膜１に磁壁３が形成されるために時間
と共に再生出力が変動したり該磁壁３が不規則な動きを
するためバルクハウゼンノイズが発生することがある。
て、強磁性合金薄膜１に磁壁３が形成されるために時間
と共に再生出力が変動したり該磁壁３が不規則な動きを
するためバルクハウゼンノイズが発生することがある。
これらは、磁壁３の存在によって、外部磁界により磁化
の回転が強磁性合金薄膜１の全域で様とならず、局所的
に不規則な変化を示すことに起因している。
の回転が強磁性合金薄膜１の全域で様とならず、局所的
に不規則な変化を示すことに起因している。
この様な問題をなくすには、強磁性合金薄膜１の手長
（Ｌ）方向永久磁石等の手段により数Oeのバイアス磁界
を印加し、磁壁３を消滅させる方法が知られている。し
かし、この方法は、磁界印加手段を具備する必要性か
ら、電磁変換器としての小型化が困難になる。特にMR素
子を磁気ヘッドとして使用する場合は、磁気シールド等
の他の磁性体とも併用するため、磁界印加手段を具備す
ることさえ困難となる。更に、強磁性合金薄膜１の長手
方向にバイアス磁界を印加すると、強磁性合金薄膜１の
磁化がバイアス磁界の方向に束縛されるため、信号磁界
に対する感度が劣化する。
（Ｌ）方向永久磁石等の手段により数Oeのバイアス磁界
を印加し、磁壁３を消滅させる方法が知られている。し
かし、この方法は、磁界印加手段を具備する必要性か
ら、電磁変換器としての小型化が困難になる。特にMR素
子を磁気ヘッドとして使用する場合は、磁気シールド等
の他の磁性体とも併用するため、磁界印加手段を具備す
ることさえ困難となる。更に、強磁性合金薄膜１の長手
方向にバイアス磁界を印加すると、強磁性合金薄膜１の
磁化がバイアス磁界の方向に束縛されるため、信号磁界
に対する感度が劣化する。
又、磁界３を消滅させる他の方法に強磁性合金薄膜１の
アスペクト比（MR素子の長さL/MR素子の幅Ｗ）を増大さ
せることが知られている（例えば、信学技報Vol84,No13
8（1984）15〜21ページ）。この方法によれば、アスペ
クト比を３以上に設定することにより、少なくとも、強
磁性合金薄膜１の中央部に存在する磁壁は消滅する。し
かし、強磁性合金薄膜１の長手方向の両端（電極２でお
おわれた領域）近傍には、依然として、磁壁が存在し、
この領域の磁壁の移動によって、MR素子の出力には、再
生出力の変動、バルクハウゼンノイズの発生が見られ
る。
アスペクト比（MR素子の長さL/MR素子の幅Ｗ）を増大さ
せることが知られている（例えば、信学技報Vol84,No13
8（1984）15〜21ページ）。この方法によれば、アスペ
クト比を３以上に設定することにより、少なくとも、強
磁性合金薄膜１の中央部に存在する磁壁は消滅する。し
かし、強磁性合金薄膜１の長手方向の両端（電極２でお
おわれた領域）近傍には、依然として、磁壁が存在し、
この領域の磁壁の移動によって、MR素子の出力には、再
生出力の変動、バルクハウゼンノイズの発生が見られ
る。
（発明の目的） 本発明は、このような欠点を招来することなく再生出力
を安定化し、バルクハウゼンノイズを低減させた磁気抵
抗効果素子を提供することにある。
を安定化し、バルクハウゼンノイズを低減させた磁気抵
抗効果素子を提供することにある。
（発明の構成） 上記目的を達成するため、本発明は、磁気抵抗効果を有
する短冊状の強磁性合金薄膜と、前記強磁性合金薄膜の
長手方向の両端部に少なくとも１対の電極部を備えた磁
気抵抗効果素子において、前記電極部は前記強磁性薄膜
上に、非磁性材料からなる導体膜と導電性の軟磁性膜が
順次積層された構成を有し、前記導体膜および前記軟磁
性膜に流れる電流が発生する磁界、および前記軟磁性膜
との静磁気的結合とにより、前記強磁性合金薄膜の電極
部の磁化を幅方向に飽和させている。
する短冊状の強磁性合金薄膜と、前記強磁性合金薄膜の
長手方向の両端部に少なくとも１対の電極部を備えた磁
気抵抗効果素子において、前記電極部は前記強磁性薄膜
上に、非磁性材料からなる導体膜と導電性の軟磁性膜が
順次積層された構成を有し、前記導体膜および前記軟磁
性膜に流れる電流が発生する磁界、および前記軟磁性膜
との静磁気的結合とにより、前記強磁性合金薄膜の電極
部の磁化を幅方向に飽和させている。
（構成の詳細の説明） 本発明は、上述の様なMR素子の電極構成をとることによ
り従来技術の問題点を解決しました。即ち、本発明で
は、軟磁性膜と強磁性合金薄膜とを静磁気的に結合さ
せ、電極部分における強磁性合金薄膜の幅方向の反磁界
を転減させるとともに、軟磁性膜及び導体膜にセンス電
流を分流させ、該分流センス電流によって強磁性合金薄
膜の幅方向に発生する磁界を利用して、強磁性合金薄膜
の長手方向両端の磁化を幅方向に飽和させている。従っ
て、強磁性合金薄膜の長手方向の両端に磁壁が発生する
ことがなくなる。即ち、磁壁の存在による再生出力の変
動、及び磁壁の移動によるバルクハウゼン雑音の発生が
抑制できる。
り従来技術の問題点を解決しました。即ち、本発明で
は、軟磁性膜と強磁性合金薄膜とを静磁気的に結合さ
せ、電極部分における強磁性合金薄膜の幅方向の反磁界
を転減させるとともに、軟磁性膜及び導体膜にセンス電
流を分流させ、該分流センス電流によって強磁性合金薄
膜の幅方向に発生する磁界を利用して、強磁性合金薄膜
の長手方向両端の磁化を幅方向に飽和させている。従っ
て、強磁性合金薄膜の長手方向の両端に磁壁が発生する
ことがなくなる。即ち、磁壁の存在による再生出力の変
動、及び磁壁の移動によるバルクハウゼン雑音の発生が
抑制できる。
以下、本発明を実施例を示す図面を用いて、更に詳細に
説明する。
説明する。
（実施例） 第１図は、本発明によるMR素子の第１の実施例を示す図
で、第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ平面図及び正面図
を示す。
で、第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ平面図及び正面図
を示す。
図において、NiFe、NiCo合金等の磁気抵抗効果を有する
材料から成る短冊状の強磁性合金薄膜１の長手方向の両
端に、Ti、Ta、Mo等の非磁性材料からなる導体膜４が積
層してある。更に、該導体膜４の上に、軟磁性アモルフ
ァス合金（例えば、CoZr、CoTa等のCo−メタル系アモル
ファス）、パーマロイ等の導電性を有する軟磁性膜５が
積層してある。導体膜４の厚みは、強磁性合金薄膜１と
軟磁性膜５が静磁気的な結合が行える範囲に選定され
る。例えば、100Å及至2000Å程度の厚みが良い。又、
軟磁性膜５の厚みは、強磁性合金薄膜１の厚み及び飽和
磁化に応じて決定される。強磁性合金薄膜１の厚み、飽
和磁化をそれぞれ、T1、M1とおき、軟磁性膜５の厚み、
飽和磁化をそれぞれ、t2、M2とおくと、t1M1＜t2M2の条
件を満せば良い。例えば強磁性合金薄膜１としてt1＝40
0Å、M1＝800emu/ccのパーマロイ合金を用い、軟磁性膜
５として、M2＝1100emu/ccのCoZrアモルファス軟磁性体
を用いると、その厚みt2は300Å以上に設定すれば良
い。続いて、図において、軟磁性膜５の上にはAu、Cu、
Al等の良導電性の電極２が接続してある。電極２は軟磁
性膜５より小さい面積で、しかも、軟磁性膜５のMR素子
１の中央部寄り側が露出される様に被着されている。
材料から成る短冊状の強磁性合金薄膜１の長手方向の両
端に、Ti、Ta、Mo等の非磁性材料からなる導体膜４が積
層してある。更に、該導体膜４の上に、軟磁性アモルフ
ァス合金（例えば、CoZr、CoTa等のCo−メタル系アモル
ファス）、パーマロイ等の導電性を有する軟磁性膜５が
積層してある。導体膜４の厚みは、強磁性合金薄膜１と
軟磁性膜５が静磁気的な結合が行える範囲に選定され
る。例えば、100Å及至2000Å程度の厚みが良い。又、
軟磁性膜５の厚みは、強磁性合金薄膜１の厚み及び飽和
磁化に応じて決定される。強磁性合金薄膜１の厚み、飽
和磁化をそれぞれ、T1、M1とおき、軟磁性膜５の厚み、
飽和磁化をそれぞれ、t2、M2とおくと、t1M1＜t2M2の条
件を満せば良い。例えば強磁性合金薄膜１としてt1＝40
0Å、M1＝800emu/ccのパーマロイ合金を用い、軟磁性膜
５として、M2＝1100emu/ccのCoZrアモルファス軟磁性体
を用いると、その厚みt2は300Å以上に設定すれば良
い。続いて、図において、軟磁性膜５の上にはAu、Cu、
Al等の良導電性の電極２が接続してある。電極２は軟磁
性膜５より小さい面積で、しかも、軟磁性膜５のMR素子
１の中央部寄り側が露出される様に被着されている。
かかる構成のMR素子において、電極２からセンス電流Is
が供給されると、電極２と軟磁性膜５の接続面から、セ
ンス電流Isは強磁性合金薄膜１、導体膜４、軟磁性膜５
を、それぞれの固有抵抗及び厚みに応じて強磁性合金薄
膜１の長手方向に平行に分流し、軟磁性膜５、導体膜４
の強磁性合金薄膜１の中央部側の端部から再び、強磁性
合金薄膜１に集中して流れる様になる。軟磁性膜５、導
体膜４に分流したセンス電流は、その回りに強磁性合金
薄膜１の膜面内を通る磁界HBを発生する。該磁界HBは、
軟磁性膜５が積層された強磁性合金薄膜１の長手方向両
端部の磁化を強磁性合金薄膜へ幅方向に励磁する。しか
も、この領域は、軟磁性膜５の静磁気的結合によって、
幅方向の反磁界が大きく軽減されているため、弱い磁界
HBであっても、強磁性合金薄膜１の磁化をその幅方向に
飽和させることができる。
が供給されると、電極２と軟磁性膜５の接続面から、セ
ンス電流Isは強磁性合金薄膜１、導体膜４、軟磁性膜５
を、それぞれの固有抵抗及び厚みに応じて強磁性合金薄
膜１の長手方向に平行に分流し、軟磁性膜５、導体膜４
の強磁性合金薄膜１の中央部側の端部から再び、強磁性
合金薄膜１に集中して流れる様になる。軟磁性膜５、導
体膜４に分流したセンス電流は、その回りに強磁性合金
薄膜１の膜面内を通る磁界HBを発生する。該磁界HBは、
軟磁性膜５が積層された強磁性合金薄膜１の長手方向両
端部の磁化を強磁性合金薄膜へ幅方向に励磁する。しか
も、この領域は、軟磁性膜５の静磁気的結合によって、
幅方向の反磁界が大きく軽減されているため、弱い磁界
HBであっても、強磁性合金薄膜１の磁化をその幅方向に
飽和させることができる。
尚、軟磁性膜５は、それ自体の磁気抵抗効果がによる抵
抗変化が小さくなる様な材料、膜厚が選ばれる。例え
ば、Co−メタル系アモルファス軟磁性体は、極めて磁気
抵抗効果が小さく、零となる組成も選択できる。又パー
マロイ合金は、強磁性合金薄膜１と同等の磁気抵抗効果
を有するが、強磁性合金薄膜１と同等膜厚よりも充分大
きな膜厚に設定することにより、抵抗変化は極めて小さ
くできる。この様に軟磁性膜５の膜厚を大きく設定する
ことは、前述した様に、強磁性合金薄膜１との静磁気的
結合を強固にし、強磁性合金薄膜１の反磁界を軽減する
のに有効であるし、しかも軟磁性膜５の電気抵抗が低下
する分だけ、センス電流Isが多く分流し、磁界HBが増加
する効果もある。従って、強磁性合金薄膜１の磁化をそ
の幅方向に更に、飽和させやすくする。
抗変化が小さくなる様な材料、膜厚が選ばれる。例え
ば、Co−メタル系アモルファス軟磁性体は、極めて磁気
抵抗効果が小さく、零となる組成も選択できる。又パー
マロイ合金は、強磁性合金薄膜１と同等の磁気抵抗効果
を有するが、強磁性合金薄膜１と同等膜厚よりも充分大
きな膜厚に設定することにより、抵抗変化は極めて小さ
くできる。この様に軟磁性膜５の膜厚を大きく設定する
ことは、前述した様に、強磁性合金薄膜１との静磁気的
結合を強固にし、強磁性合金薄膜１の反磁界を軽減する
のに有効であるし、しかも軟磁性膜５の電気抵抗が低下
する分だけ、センス電流Isが多く分流し、磁界HBが増加
する効果もある。従って、強磁性合金薄膜１の磁化をそ
の幅方向に更に、飽和させやすくする。
第１図は、軟磁性膜５の上部に電極２を積層した構成を
有するMR素子を示すが、上述した様に、軟磁性膜５の膜
厚を充分大きく設定し、電気抵抗を低下させれば、電極
２は実質的に不要になる。この様な電極構成を有する本
発明によるMR素子の実施例を第２図に示す。第２図にお
いて、電極２は、軟磁性膜５と同じ材料で構成されてい
る。軟磁性膜５の膜厚は、強磁性合金薄膜１より大きく
設定されその電気抵抗は強磁性合金薄膜１の抵抗値より
も充分小さく、例えば1/10程度の大きさになる様に設定
される。これによって、軟磁性膜５（電極２）の磁気抵
抗効果による抵抗変化を極めて小さくできる。無論軟磁
性膜５（電極２）としてCo−メタル系アモルファス膜等
のように、磁気抵抗効果が極めて小さい材料を選択すれ
ば、更に、軟磁性膜５（電極２）の抵抗変化は無視でき
る。
有するMR素子を示すが、上述した様に、軟磁性膜５の膜
厚を充分大きく設定し、電気抵抗を低下させれば、電極
２は実質的に不要になる。この様な電極構成を有する本
発明によるMR素子の実施例を第２図に示す。第２図にお
いて、電極２は、軟磁性膜５と同じ材料で構成されてい
る。軟磁性膜５の膜厚は、強磁性合金薄膜１より大きく
設定されその電気抵抗は強磁性合金薄膜１の抵抗値より
も充分小さく、例えば1/10程度の大きさになる様に設定
される。これによって、軟磁性膜５（電極２）の磁気抵
抗効果による抵抗変化を極めて小さくできる。無論軟磁
性膜５（電極２）としてCo−メタル系アモルファス膜等
のように、磁気抵抗効果が極めて小さい材料を選択すれ
ば、更に、軟磁性膜５（電極２）の抵抗変化は無視でき
る。
第２図（ａ）、（ｂ）の様な構成では、第１図に示す電
極２が不要となるため、MR素子の製造プロセスが簡便に
なる。
極２が不要となるため、MR素子の製造プロセスが簡便に
なる。
第３図（ａ）、（ｂ）に本発明の更に、他の実施例を示
す。第３図は、米国特許3813692号に開示されたいわゆ
るシャントバイアス型MR素子に本発明を適用した実施例
である。第３図では、第１図と違って強磁性合金薄膜１
の全面に導体膜４が積層されている。電極２から供給さ
れるセンス電流Isは、軟磁性膜５が積層された強磁性合
金薄膜１の長手方向両端では、該軟磁性膜５、導体膜４
及び強磁性合金薄膜１に分流するが、強磁性合金薄膜１
の中央部（軟磁性膜５が積層されていない領域）では導
体膜４及び強磁性合金薄膜１に分流する。軟磁性膜５及
び導体膜４中の分流センス電流は、第１図の実施例と同
様、強磁性合金薄膜１の幅方向に磁界HBを発生し、軟磁
性膜５が積層されたMR素子１の長手方向両端の磁化を幅
方向に飽和させる。一方、強磁性合金薄膜１の中央部に
おける導体膜４に分流するセンス電流は、強磁性合金薄
膜１の幅方向に磁界Ｈを発生する。この磁界Ｈは、強磁
性合金薄膜１の中央部（軟磁性膜５が積層されていない
領域）の磁化を所定の方向にバイアスするのに用いられ
る。この様に強磁性合金薄膜１の磁化をバイアスするこ
とにより、外部信号磁界に対する強磁性合金薄膜１の応
答が線形化することができる。第３図の実施例では、MR
素子を線形応答するためのバイアス手段が、強磁性合金
薄膜１と軟磁性膜５とを静磁気結合さるための導体膜４
としても機能するため、MR素子の製造プロセスが簡便に
なる。
す。第３図は、米国特許3813692号に開示されたいわゆ
るシャントバイアス型MR素子に本発明を適用した実施例
である。第３図では、第１図と違って強磁性合金薄膜１
の全面に導体膜４が積層されている。電極２から供給さ
れるセンス電流Isは、軟磁性膜５が積層された強磁性合
金薄膜１の長手方向両端では、該軟磁性膜５、導体膜４
及び強磁性合金薄膜１に分流するが、強磁性合金薄膜１
の中央部（軟磁性膜５が積層されていない領域）では導
体膜４及び強磁性合金薄膜１に分流する。軟磁性膜５及
び導体膜４中の分流センス電流は、第１図の実施例と同
様、強磁性合金薄膜１の幅方向に磁界HBを発生し、軟磁
性膜５が積層されたMR素子１の長手方向両端の磁化を幅
方向に飽和させる。一方、強磁性合金薄膜１の中央部に
おける導体膜４に分流するセンス電流は、強磁性合金薄
膜１の幅方向に磁界Ｈを発生する。この磁界Ｈは、強磁
性合金薄膜１の中央部（軟磁性膜５が積層されていない
領域）の磁化を所定の方向にバイアスするのに用いられ
る。この様に強磁性合金薄膜１の磁化をバイアスするこ
とにより、外部信号磁界に対する強磁性合金薄膜１の応
答が線形化することができる。第３図の実施例では、MR
素子を線形応答するためのバイアス手段が、強磁性合金
薄膜１と軟磁性膜５とを静磁気結合さるための導体膜４
としても機能するため、MR素子の製造プロセスが簡便に
なる。
（発明の効果） 以上、述べたように、本発明のMR素子では、軟磁性膜５
の膜厚を強磁性合金薄膜１の膜厚よりも大きく設定して
いるので、軟磁性膜５と強磁性合金薄膜１との静磁気的
結合を強固にし、強磁性合金薄膜１の反磁界を軽減する
のに有効であるし、しかも、軟磁性膜５の電気抵抗が低
下する分だけ、センス電流Isが多く分流し、磁界Hsが増
加する効果もある。したがって、強磁性合金薄膜１の磁
化をその幅方向に飽和させやすくするので、バルクハウ
ゼン雑音の発生が抑制できる。
の膜厚を強磁性合金薄膜１の膜厚よりも大きく設定して
いるので、軟磁性膜５と強磁性合金薄膜１との静磁気的
結合を強固にし、強磁性合金薄膜１の反磁界を軽減する
のに有効であるし、しかも、軟磁性膜５の電気抵抗が低
下する分だけ、センス電流Isが多く分流し、磁界Hsが増
加する効果もある。したがって、強磁性合金薄膜１の磁
化をその幅方向に飽和させやすくするので、バルクハウ
ゼン雑音の発生が抑制できる。
更に、軟磁性膜５は、電極２としての機能、導体膜４
は、MR素子を線形応答させるバイアス手段としての機能
も併用させることができるため、MR素子の構造が極め
て、簡単になり、従って製造プロセスが簡便になるとい
う利点が生じる。
は、MR素子を線形応答させるバイアス手段としての機能
も併用させることができるため、MR素子の構造が極め
て、簡単になり、従って製造プロセスが簡便になるとい
う利点が生じる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気抵抗効果素子
の第１の実施例を示す図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発
明による磁気抵抗効果素子の第２の実施例を示す図、第
３図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気抵抗効果素子の
第３の実施例を示す図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来技
術による磁気抵抗効果素子を示す図である。 図において １……強磁性合金薄膜、２……電極、３……磁壁、４…
…導体膜、５……軟磁性膜
の第１の実施例を示す図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発
明による磁気抵抗効果素子の第２の実施例を示す図、第
３図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気抵抗効果素子の
第３の実施例を示す図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来技
術による磁気抵抗効果素子を示す図である。 図において １……強磁性合金薄膜、２……電極、３……磁壁、４…
…導体膜、５……軟磁性膜
Claims (3)
- 【請求項１】磁気抵抗効果を有する短冊状の強磁性合金
薄膜と、前記強磁性合金薄膜の長手方向の両端部に少な
くとも１対の電極部を備えた磁気抵抗効果素子におい
て、前記電極部は前記強磁性薄膜上に、非磁性材料から
なる導体膜と導電性の軟磁性膜が順次積層された構成を
有し、前記導体膜および前記軟磁性膜に流れる電流が発
生する磁界、および前記軟磁性膜との静磁気的結合とに
より、前記強磁性合金薄膜の電極部の磁化を幅方向に飽
和させたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】電極部には、軟磁性膜上に電極が形成され
ている特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項３】電極部を構成する導体膜が強磁性合金薄膜
上の全面に形成されている範囲第１項又は第２項記載の
磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105539A JPH0728059B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105539A JPH0728059B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264772A JPS61264772A (ja) | 1986-11-22 |
| JPH0728059B2 true JPH0728059B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=14410391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60105539A Expired - Fee Related JPH0728059B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728059B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9128220B2 (en) | 2010-11-29 | 2015-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light guide body with continuously variable refractive index, and devices using such body |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214077A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| JPH08186019A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-07-16 | Unitika Ltd | 磁気マーカ |
| EP0794581A4 (en) * | 1995-09-21 | 1999-10-06 | Tdk Corp | MAGNETIC CONVERTER |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5640406A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-16 | Kubota Ltd | Detector for loosening of chain of sludge raker |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP60105539A patent/JPH0728059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9128220B2 (en) | 2010-11-29 | 2015-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light guide body with continuously variable refractive index, and devices using such body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61264772A (ja) | 1986-11-22 |
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