JPS6337812A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6337812A JPS6337812A JP17915686A JP17915686A JPS6337812A JP S6337812 A JPS6337812 A JP S6337812A JP 17915686 A JP17915686 A JP 17915686A JP 17915686 A JP17915686 A JP 17915686A JP S6337812 A JPS6337812 A JP S6337812A
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- Japan
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- shape
- thin film
- magnetic head
- film magnetic
- forming
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 5
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
- G11B5/3987—Specially shaped layers with provision for closing the magnetic flux during operation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業の利用分野）
この発明は磁気抵抗効果型１模磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと記す）に関する。
ヘッドと記す）に関する。
（従来の技術）
近年、ディジタルオーディオチーブレコーダ等の磁気記
録再生装買においては、記録密度が高密度化されるに伴
い、磁気ヘッドとして、ａＷＡ技術によって製造される
ＭＲヘッドが注目されるようになってきた。このＭＲヘ
ッドは、パーマロイ等によって形成される強磁性膜の電
気抵抗が外部磁界により変化すること（磁気抵抗効果）
を利用して信号磁界の変化を電気抵抗の変化として検出
するものである。なお、上記パーマロイ等によって構成
される強磁性膜は磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と
記す）といわれている。
録再生装買においては、記録密度が高密度化されるに伴
い、磁気ヘッドとして、ａＷＡ技術によって製造される
ＭＲヘッドが注目されるようになってきた。このＭＲヘ
ッドは、パーマロイ等によって形成される強磁性膜の電
気抵抗が外部磁界により変化すること（磁気抵抗効果）
を利用して信号磁界の変化を電気抵抗の変化として検出
するものである。なお、上記パーマロイ等によって構成
される強磁性膜は磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と
記す）といわれている。
第５図は従来のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子の形状を示
す図である。図に示す如く、従来のＭＲ素子１１は、長
手方向が磁化容易軸と一致するストライブ状にパターン
化されている。そして、その厚さは３００Ａ程度に設定
されている。
す図である。図に示す如く、従来のＭＲ素子１１は、長
手方向が磁化容易軸と一致するストライブ状にパターン
化されている。そして、その厚さは３００Ａ程度に設定
されている。
上記構成のＭＲ素子１１は、記録媒体からの信号磁界が
、幅方向、つまり磁化困難軸方向に印加されるように配
置される。
、幅方向、つまり磁化困難軸方向に印加されるように配
置される。
しかし、上記構成では、磁化困難軸方向に信号磁界を印
加した場合、磁区構造が単磁区構造とはならず、膜の磁
気エネルギーを最小とするような構造となる。例えば、
第６図に示すような環流構造となる。その結果、ＭＲ素
子１１の膜面内に磁壁１２が形成されることがある。こ
の磁壁１２が生じると、外部磁界に対して不連続的な磁
壁移動が生じる。これにより、ＭＲ素子１１の出力レベ
ルが変動しｆす、バルクハウゼンノイズが生じる。
加した場合、磁区構造が単磁区構造とはならず、膜の磁
気エネルギーを最小とするような構造となる。例えば、
第６図に示すような環流構造となる。その結果、ＭＲ素
子１１の膜面内に磁壁１２が形成されることがある。こ
の磁壁１２が生じると、外部磁界に対して不連続的な磁
壁移動が生じる。これにより、ＭＲ素子１１の出力レベ
ルが変動しｆす、バルクハウゼンノイズが生じる。
以上の点については、例えば、特公昭５８−４５６１９
号公報に記載されている。
号公報に記載されている。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように従来のＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素
子に磁壁が生じてヘッド出力電圧の変動やバルクハウゼ
ンノイズが発生し易いという問題があった。
子に磁壁が生じてヘッド出力電圧の変動やバルクハウゼ
ンノイズが発生し易いという問題があった。
そこでこの発明は、ＭＲ素子の膜内に磁壁が発生し難く
、バルクハウゼンノイズを低減させることができるよう
に構成されたＭＲヘッドを提供することを目的とする。
、バルクハウゼンノイズを低減させることができるよう
に構成されたＭＲヘッドを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するためにこの発明は、ＭＲ素子を磁気
ギャップを有したリング状に形成するとともに、その信
号検出部を直線状に形成し、かつ該信号検出部とそれ以
外の部分との接合部を円弧上に形成したものである。
ギャップを有したリング状に形成するとともに、その信
号検出部を直線状に形成し、かつ該信号検出部とそれ以
外の部分との接合部を円弧上に形成したものである。
（作用）
上記構成によれば、磁壁が発生し難く、出力電圧の変動
およびバルクハウゼンノイズを低減することができる。
およびバルクハウゼンノイズを低減することができる。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例のＭＲヘッドにおけるＭＲ
素子の構成を示す図である。図において、ＭＲ素子２１
は、例えば、はぼ長方形のリング状に形成されている。
素子の構成を示す図である。図において、ＭＲ素子２１
は、例えば、はぼ長方形のリング状に形成されている。
この場合、長方形の１つの長辺２３のほぼ中央部には、
磁気ギャップ２６が形成されている。また、他方の長辺
２２は信号検出部とされている。さらに、各辺２２乃至
２５の接合部２７〜３０は円弧状に形成されている。
磁気ギャップ２６が形成されている。また、他方の長辺
２２は信号検出部とされている。さらに、各辺２２乃至
２５の接合部２７〜３０は円弧状に形成されている。
さらにまた、ＭＲ素子２１は長辺２２．２３の長さと磁
化容易軸の方向が一致するように基板上にパターン化さ
れている。
化容易軸の方向が一致するように基板上にパターン化さ
れている。
なお、ＭＲ素子２１の材料は例えばパーマロイであり、
その膜厚は例えば３００Ａ程度に設定されている。また
、長辺２２．２３の長さおよび幅はそれぞれ６０μｍお
よび８μｍ程度に設定されている。短辺２４，２５の幅
も８μｍに設定されている。
その膜厚は例えば３００Ａ程度に設定されている。また
、長辺２２．２３の長さおよび幅はそれぞれ６０μｍお
よび８μｍ程度に設定されている。短辺２４，２５の幅
も８μｍに設定されている。
上記構成によれば、先の第６図に示すような磁ｖ１２が
生じ難く、出力電圧の変動およびバルクハウゼンノイズ
の低減を図ることができる。
生じ難く、出力電圧の変動およびバルクハウゼンノイズ
の低減を図ることができる。
第２図は、先の実施例において、磁気ギャップ２６が形
成される側の長辺２３の幅を他の３辺２１．２４．２５
よりも大きくした例を示すものである。
成される側の長辺２３の幅を他の３辺２１．２４．２５
よりも大きくした例を示すものである。
このような構成においても、先の実施例と同様な効果を
得ることができる。
得ることができる。
第３図は、ＭＲ素子３１のリング状を長方形ではなく、
コの字状にしたものである。この場合、コの字状の開口
部３２が磁気ギャップに設定される。そして、この磁気
ギャップと対向する辺３３が信号検出部とされている。
コの字状にしたものである。この場合、コの字状の開口
部３２が磁気ギャップに設定される。そして、この磁気
ギャップと対向する辺３３が信号検出部とされている。
さらに、辺３３とその両端の辺３４．３５との接合部３
６．３７は円弧上に形成されている。
６．３７は円弧上に形成されている。
第４図に示す例は、先の第３図に示す実施例において、
辺３４．３５の幅を大きくして、磁気ギャップ３２の幅
を小さくしたものである。この場合、リング状を確保す
るために、辺３４．３５の幅を全体的に拡大するのでは
なく、辺３４．３５において、辺３３に近い部分を辺３
３から離れに従って、幅が徐々に拡大するテーパ状に設
定している。
辺３４．３５の幅を大きくして、磁気ギャップ３２の幅
を小さくしたものである。この場合、リング状を確保す
るために、辺３４．３５の幅を全体的に拡大するのでは
なく、辺３４．３５において、辺３３に近い部分を辺３
３から離れに従って、幅が徐々に拡大するテーパ状に設
定している。
第３図や第４図に示す実施例においても、先の第１図の
実施例と同様の効果を得ることができる。
実施例と同様の効果を得ることができる。
なお、この発明では、リング状は、長方形やコの字状以
外の形状であっても良いことは勿論である。
外の形状であっても良いことは勿論である。
［発明の効果〕
以上述べたようにこの発明によれば、ＭＲ素子内のＥ！
１壁の発生を抑制し、ヘッド出力電圧の変動およびバル
クハウゼンノイズを低減することができるＭＲヘッドを
提供することができる。
１壁の発生を抑制し、ヘッド出力電圧の変動およびバル
クハウゼンノイズを低減することができるＭＲヘッドを
提供することができる。
第１図乃至第４図はそれぞれこの発明の異なる実論例の
構成を示す図、第５図は従来のＭＲヘッドにおける１〜
１Ｆ）素子の構成を示す図、第６図は第５図の問題を説
明するために示す図である。 ２１−３ｊ・・・〜１Ｒ素了、２２．２３・・・長辺。 ２４．２５・・・短辺、２６．３２・・磁気ギャップ。 ２７乃至３ｏ、３６．３７・・・接合部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 磁化容易軸 第１図 磁化容易軸 第 ２ 図 磁化芯％軸 第 ４ 図 第５図 第６図
構成を示す図、第５図は従来のＭＲヘッドにおける１〜
１Ｆ）素子の構成を示す図、第６図は第５図の問題を説
明するために示す図である。 ２１−３ｊ・・・〜１Ｒ素了、２２．２３・・・長辺。 ２４．２５・・・短辺、２６．３２・・磁気ギャップ。 ２７乃至３ｏ、３６．３７・・・接合部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 磁化容易軸 第１図 磁化容易軸 第 ２ 図 磁化芯％軸 第 ４ 図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁界の変化を磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化として検
出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子は、磁気ギャップを有したリング
状に形成されるとともに、信号検出部が直線上に形成さ
れ、かつこの信号検出部とそれ以外の部分との接合部が
円弧状に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17915686A JPS6337812A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17915686A JPS6337812A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337812A true JPS6337812A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16060925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17915686A Pending JPS6337812A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337812A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08297814A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP17915686A patent/JPS6337812A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08297814A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
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