JPS6180613A - 磁気抵抗効果形磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果形磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6180613A JPS6180613A JP20173384A JP20173384A JPS6180613A JP S6180613 A JPS6180613 A JP S6180613A JP 20173384 A JP20173384 A JP 20173384A JP 20173384 A JP20173384 A JP 20173384A JP S6180613 A JPS6180613 A JP S6180613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- films
- magnetic
- bias
- magnetization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3912—Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果形磁気ヘッドにより、特に読出波
形の対称性改善に好適な磁気ヘッドの構造に関する。
形の対称性改善に好適な磁気ヘッドの構造に関する。
）〔発明の背景〕
従来の磁気バイアス方式（たとえば永久磁石バイアス方
式）について、特開昭５０−１７１２号公報に記載の磁
気抵抗効果形磁気ヘッドの素子断面図を第２図に示す。
式）について、特開昭５０−１７１２号公報に記載の磁
気抵抗効果形磁気ヘッドの素子断面図を第２図に示す。
公知例では、磁気シールド薄膜１，１′内の磁界分布に
ついて、磁気バイアス薄膜５からの影響として、再生波
形の対称性の面から配慮されてＩＡなかった。以下にそ
れらの問題点について説明する。媒体７からの記録され
た磁界成分を対の磁気シールド薄膜（ＭＳ膜） １．１
’により分解能向上を計シ、磁気抵抗効果薄膜（ＭＰ、
膜）２によシ磁界（磁束）変化を抵抗変化として検出す
る構造を示す。ＭＲ膜２は磁気バイアス薄膜（たとえば
永久磁石バイアス薄膜）（ＰＭ膜）３４こ上り、適当な
既知方法によシバイアス磁化５がなされる。尚この時Ｐ
Ｍ膜の自己磁化４によ）対のＭＳ膜１．１′には反磁界
によるバイアス磁化６．６′が作用することになる。こ
のことはＭＳ膜に直流バイアスが印加されたことと同じ
である。前記バイアス磁化６，６′は後述するように同
一大きさ２分布を保つことは困難であり、この結果読出
波形は第４図ｄに示す曲線のごとく非対称波形となる。
ついて、磁気バイアス薄膜５からの影響として、再生波
形の対称性の面から配慮されてＩＡなかった。以下にそ
れらの問題点について説明する。媒体７からの記録され
た磁界成分を対の磁気シールド薄膜（ＭＳ膜） １．１
’により分解能向上を計シ、磁気抵抗効果薄膜（ＭＰ、
膜）２によシ磁界（磁束）変化を抵抗変化として検出す
る構造を示す。ＭＲ膜２は磁気バイアス薄膜（たとえば
永久磁石バイアス薄膜）（ＰＭ膜）３４こ上り、適当な
既知方法によシバイアス磁化５がなされる。尚この時Ｐ
Ｍ膜の自己磁化４によ）対のＭＳ膜１．１′には反磁界
によるバイアス磁化６．６′が作用することになる。こ
のことはＭＳ膜に直流バイアスが印加されたことと同じ
である。前記バイアス磁化６，６′は後述するように同
一大きさ２分布を保つことは困難であり、この結果読出
波形は第４図ｄに示す曲線のごとく非対称波形となる。
従来第２図に示すＭＲ膜２は対のＭＳ膜１．１′の中心
（α＝α′となるように）に配置され、ＭＳ膜１’、
１’に対し対称な磁界分布を有するようにしている。し
かしながらＰＭ膜５を配置すると、その対称性がなくな
る。すなわちＰＭ膜３による反磁界バイアス磁化６．６
′を等しくし、ＭＲＲ２ＯＭＳ膜１．１′に対する磁界
分布を等しくする方法は一致をみない。従来方式では、
前記いずれかを犠牲にせざるを得ない。結果として読出
波形の非対称が生じてぐる。
（α＝α′となるように）に配置され、ＭＳ膜１’、
１’に対し対称な磁界分布を有するようにしている。し
かしながらＰＭ膜５を配置すると、その対称性がなくな
る。すなわちＰＭ膜３による反磁界バイアス磁化６．６
′を等しくし、ＭＲＲ２ＯＭＳ膜１．１′に対する磁界
分布を等しくする方法は一致をみない。従来方式では、
前記いずれかを犠牲にせざるを得ない。結果として読出
波形の非対称が生じてぐる。
本発明の目的は磁気バイアス方式の磁気抵抗効果の利点
を生かしつつ、かつ大幅な製造工程変更なしに、読出波
形の非対称を改善する構造を提供することにある。
を生かしつつ、かつ大幅な製造工程変更なしに、読出波
形の非対称を改善する構造を提供することにある。
〔発明の概要」
ＰＭ膜による対のＭＳ膜内の磁界分布１強さを同じにす
る方法として、片方のＭＳ膜とＭＲ膜。
る方法として、片方のＭＳ膜とＭＲ膜。
ＭＲ膜とＰＭ膜、ＰＭ膜ともう片方のＭＳ膜との距離及
び、各薄膜の厚さ等を適当な値に選ぶ方法があるが、本
発明は最も簡単でかつ、信頼性ある方法で、ＭＲＭの両
側にＰＭｌ［を設ける方法である。この方法によ、９
ＭＲ膜は対のＭＳ膜の中心に配置可能であり、さらにＰ
Ｍ膜／ＭＲ膜／ＰＭ膜の３層構造シ一括形成することに
よシ、２つのＰＭ膜の特性を同一に出来る。
び、各薄膜の厚さ等を適当な値に選ぶ方法があるが、本
発明は最も簡単でかつ、信頼性ある方法で、ＭＲＭの両
側にＰＭｌ［を設ける方法である。この方法によ、９
ＭＲ膜は対のＭＳ膜の中心に配置可能であり、さらにＰ
Ｍ膜／ＭＲ膜／ＰＭ膜の３層構造シ一括形成することに
よシ、２つのＰＭ膜の特性を同一に出来る。
〔発明の実施例Ｊ
以下、本発明の一実施例を第１図１こよシ説明する。磁
気抵抗効果薄膜（ＭＲ膜）２０両側（こ磁気バイアス薄
膜（たとえば永久磁石バイアス薄膜）（ＰＭ膜）３１．
３１’を設け、これらは対の磁気シールド薄膜１，１′
の内部に配置される。ＰＭ膜５１ 、５１’は自己磁化
４１ 、４１’をもち、ＭＲ膜２内にはＰＭ膜３１ 、
５１’の両者の合成反磁界によりバイアス磁化５が生じ
る。一方対Ｑ ＭＳ ［１，１’内１こは、ＰＭ膜３１
、３１’の反磁界によ）バイアス磁化６１．６１’が
生じる。このバイアス磁化６１ 、６１’は再生過程！
こおいて不必要な磁界であシ、零が望ましい。しかし、
後述の寸法では零に出来ない。したがって両者に大きさ
２分布の差がほとんどない方が望ましい。通常ＭＲ＠２
の厚さは５（ｌ Ｘ 〜５［１１０λ、ＰＭ膜３？ 、
３１’の厚さは３００１〜６．ｏｏｏｉ。
気抵抗効果薄膜（ＭＲ膜）２０両側（こ磁気バイアス薄
膜（たとえば永久磁石バイアス薄膜）（ＰＭ膜）３１．
３１’を設け、これらは対の磁気シールド薄膜１，１′
の内部に配置される。ＰＭ膜５１ 、５１’は自己磁化
４１ 、４１’をもち、ＭＲ膜２内にはＰＭ膜３１ 、
５１’の両者の合成反磁界によりバイアス磁化５が生じ
る。一方対Ｑ ＭＳ ［１，１’内１こは、ＰＭ膜３１
、３１’の反磁界によ）バイアス磁化６１．６１’が
生じる。このバイアス磁化６１ 、６１’は再生過程！
こおいて不必要な磁界であシ、零が望ましい。しかし、
後述の寸法では零に出来ない。したがって両者に大きさ
２分布の差がほとんどない方が望ましい。通常ＭＲ＠２
の厚さは５（ｌ Ｘ 〜５［１１０λ、ＰＭ膜３？ 、
３１’の厚さは３００１〜６．ｏｏｏｉ。
ＭＳ膜１，１′の厚さはｓ、ｏｏｏλ〜ｓｏ、ｏｏｏス
、ＭＲＲ２ＯＭＳ膜６１．６１’のスキマα、α′は等
しく、記鎌波長の％に選ばれる。
、ＭＲＲ２ＯＭＳ膜６１．６１’のスキマα、α′は等
しく、記鎌波長の％に選ばれる。
ＭＲＲ２ＯびＭＳ膜１，１′としては、紙面に垂直な方
向ｌこ磁気異方性をもつＮ１−Ｆｅ（Ｆｅ約１６チ）合
金が望ましく、ＰＭ膜５１ 、３１’としては硬磁性材
料たとえばＣｏ−Ｐｔ又はＦｅ＝０−等が選ばれる。こ
こで重要なことは、前述のとと（ＭＳ膜１．１′の中心
にＭＲＲ２Ｏ配置することと、ＰＭ膜３１゜３１′をＭ
ＲＲ２Ｏ対称に両側に配置することである。
向ｌこ磁気異方性をもつＮ１−Ｆｅ（Ｆｅ約１６チ）合
金が望ましく、ＰＭ膜５１ 、３１’としては硬磁性材
料たとえばＣｏ−Ｐｔ又はＦｅ＝０−等が選ばれる。こ
こで重要なことは、前述のとと（ＭＳ膜１．１′の中心
にＭＲＲ２Ｏ配置することと、ＰＭ膜３１゜３１′をＭ
ＲＲ２Ｏ対称に両側に配置することである。
本構造によυＭＳＭＳ膜１′内のバイアス磁化６１゜６
１′を分布、大きさ共、等しくすることが可能となる。
１′を分布、大きさ共、等しくすることが可能となる。
尚ＰＭ膜３１ 、３１’ ＭＲＲ２Ｏ同一チャンバー内
で形成することにより、ＰＭ膜５１ 、３１’の磁気特
性すなわち自己磁化４１ 、４１’を同じに出き、結果
としてＭＳ膜１，１′内のバイアス磁化６１ 、６１’
をよシ等しく出来る。以上の結果よシＭＳ膜１゜１′内
のバイアス磁化６１ 、６１’は等しくなシ、第４図ｄ
′に示すように読出波形の前部、後部がほぼ等しい形状
となり、改善前の波形ｄに比べΔｔの波形非対称が改善
される。本実施例のもう一つの利点はＰＭ膜３１ 、３
１’を設けることによ）ＭＲＲ２Ｏは厚さ方向に均一な
バイアス磁化５′が印加されることは容易に推定される
。結果としてＭＲ膜の感度ΔＲ／Ｒ（抵抗変化）の向上
に役立つと推定される。第３図は第１図のＭＲＲ２Ｏび
ＰＭ膜３１ 、 ！＋１’をＭＳ膜１．１′の媒体７０
対向面１０゜１０′よりｂだけ後退させた構造を示す。
で形成することにより、ＰＭ膜５１ 、３１’の磁気特
性すなわち自己磁化４１ 、４１’を同じに出き、結果
としてＭＳ膜１，１′内のバイアス磁化６１ 、６１’
をよシ等しく出来る。以上の結果よシＭＳ膜１゜１′内
のバイアス磁化６１ 、６１’は等しくなシ、第４図ｄ
′に示すように読出波形の前部、後部がほぼ等しい形状
となり、改善前の波形ｄに比べΔｔの波形非対称が改善
される。本実施例のもう一つの利点はＰＭ膜３１ 、３
１’を設けることによ）ＭＲＲ２Ｏは厚さ方向に均一な
バイアス磁化５′が印加されることは容易に推定される
。結果としてＭＲ膜の感度ΔＲ／Ｒ（抵抗変化）の向上
に役立つと推定される。第３図は第１図のＭＲＲ２Ｏび
ＰＭ膜３１ 、 ！＋１’をＭＳ膜１．１′の媒体７０
対向面１０゜１０′よりｂだけ後退させた構造を示す。
これは磁気ヘッドの長寿命化を計るための一実施例であ
る。
る。
〔発明の効果〕
本発明によれば大幅な製造工程変更なしに、磁気バイア
ス方式の磁気抵抗効果の利点を生かし読出し波形の非対
称を改善する効果がある。
ス方式の磁気抵抗効果の利点を生かし読出し波形の非対
称を改善する効果がある。
第１図は本発明の一実施例の磁気ヘッド素子部断面図、
第２図は従来の磁気バイアス（永久磁石バイアス）方式
の磁気抵抗効果薄膜気ヘッドの素子部断面図、第３図は
第１図の素子部長符節化の応用例を示す断面図、第４図
は第１図。 第２図の磁気ヘッドによる続出孤立波形図である。 １．１′・・・磁気シールド薄膜（ＭＳ膜）、２・・磁
気抵抗効果薄膜（ＭＲ膜）、 ３ 、５１ 、３１′−磁気バイアス薄膜、７・・・媒
体、 ｔｏ 、 ｉｏ’・・媒体対向面。 第１０ 第、。
第２図は従来の磁気バイアス（永久磁石バイアス）方式
の磁気抵抗効果薄膜気ヘッドの素子部断面図、第３図は
第１図の素子部長符節化の応用例を示す断面図、第４図
は第１図。 第２図の磁気ヘッドによる続出孤立波形図である。 １．１′・・・磁気シールド薄膜（ＭＳ膜）、２・・磁
気抵抗効果薄膜（ＭＲ膜）、 ３ 、５１ 、３１′−磁気バイアス薄膜、７・・・媒
体、 ｔｏ 、 ｉｏ’・・媒体対向面。 第１０ 第、。
Claims (1)
- １、媒体対向端及び他端が開放された対の磁気シールド
薄膜内に少くとも１つの磁気抵抗効果薄膜と磁気バイア
ス薄膜を有する磁気抵抗効果形磁気ヘッドにおいて磁気
バイアス薄膜を、磁気抵抗効果薄膜の両側に配置し、さ
らに対の磁気シールド薄膜内部に配置したことを特徴と
する磁気抵抗効果形磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20173384A JPS6180613A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20173384A JPS6180613A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180613A true JPS6180613A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16446032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20173384A Pending JPS6180613A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180613A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63317914A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20173384A patent/JPS6180613A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63317914A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4896235A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US5014147A (en) | Magnetoresistive sensor with improved antiferromagnetic film | |
| US5936810A (en) | Magnetoresistive effect head | |
| US3867368A (en) | Read-write magnetic transducer having a composite structure comprising a stack of thin films | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPS6180613A (ja) | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド | |
| JPH0845030A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH0473210B2 (ja) | ||
| JPS60157712A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH08203032A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPS5987612A (ja) | 垂直磁気記録方式 | |
| JPS61196418A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS59165228A (ja) | 垂直磁気再生ヘツド | |
| JPH026490Y2 (ja) | ||
| JPS5936330B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS5954020A (ja) | 垂直磁気ヘツド | |
| JPS60209906A (ja) | 垂直磁化記録用リングヘツド | |
| JP2003208706A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP3008910B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JP2658868B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JP2642923B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS6015806A (ja) | 磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH08147633A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPS60133517A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS58143403A (ja) | 磁化パタ−ン読出し方式 |