JPH05274627A - 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05274627A JPH05274627A JP4325266A JP32526692A JPH05274627A JP H05274627 A JPH05274627 A JP H05274627A JP 4325266 A JP4325266 A JP 4325266A JP 32526692 A JP32526692 A JP 32526692A JP H05274627 A JPH05274627 A JP H05274627A
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- magnetoresistive element
- magnetoresistive
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気記録媒体に情報を記録再生する
磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体上に書き込
まれた情報を読みだす磁気抵抗型磁気ヘッドに関するも
のであり、外乱磁場に対する安定性を飛躍的に向上させ
るとともに、磁気抵抗素子の単磁区状態を安定化する事
によってバルクハウゼンノイズの発生を抑制し良好で大
きな再生出力を得ようとするものである。 【構成】 このため、本発明の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドでは傾斜した電極１４を有する磁気抵抗素子１１部周
辺に硬質磁性薄膜１２を配置することを特徴としてい
る。
磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体上に書き込
まれた情報を読みだす磁気抵抗型磁気ヘッドに関するも
のであり、外乱磁場に対する安定性を飛躍的に向上させ
るとともに、磁気抵抗素子の単磁区状態を安定化する事
によってバルクハウゼンノイズの発生を抑制し良好で大
きな再生出力を得ようとするものである。 【構成】 このため、本発明の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドでは傾斜した電極１４を有する磁気抵抗素子１１部周
辺に硬質磁性薄膜１２を配置することを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に情報を記
録再生する磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体
上に書き込まれた情報を読みだす磁気ヘッドに関するも
のである。特に磁気抵抗効果を読みだし原理とした磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
録再生する磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体
上に書き込まれた情報を読みだす磁気ヘッドに関するも
のである。特に磁気抵抗効果を読みだし原理とした磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドとして
は（図４）に示したものが知られ、これは特開昭５０−
１３４６２４号公報に開示されている。（図４）におい
て磁性基板５１上に、ギャップ絶縁層５２、Ｎｉ−Ｆｅ
合金薄膜等で構成された矩形形状の磁気抵抗素子５３、
一対の電極５４ａ、５４ｂ、及び傾斜した電極５７ａ、
５７ｂ、５７ｃ、５７ｄ、５７ｅ、磁気テープ摺動面５
５から磁気テープ信号磁束を磁気抵抗素子に導くための
フロントヨーク５６およびバックヨーク５８等が絶縁層
（図示せず）を介して順次積層されている。磁気抵抗型
薄膜磁気ヘッドは端子５９ａ、５９ｂで外部回路と接続
される。この従来の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドを正常に
動作させるためには磁気抵抗素子を単磁区にし、かつそ
の磁化の向きを特定するする必要があった。すなわち
（図５）は（図４）の磁気抵抗素子周辺の要部拡大図で
あり、駆動電流の方向が６２の時磁気抵抗素子の初期磁
化を６１に示すような方向に揃える必要があった。
は（図４）に示したものが知られ、これは特開昭５０−
１３４６２４号公報に開示されている。（図４）におい
て磁性基板５１上に、ギャップ絶縁層５２、Ｎｉ−Ｆｅ
合金薄膜等で構成された矩形形状の磁気抵抗素子５３、
一対の電極５４ａ、５４ｂ、及び傾斜した電極５７ａ、
５７ｂ、５７ｃ、５７ｄ、５７ｅ、磁気テープ摺動面５
５から磁気テープ信号磁束を磁気抵抗素子に導くための
フロントヨーク５６およびバックヨーク５８等が絶縁層
（図示せず）を介して順次積層されている。磁気抵抗型
薄膜磁気ヘッドは端子５９ａ、５９ｂで外部回路と接続
される。この従来の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドを正常に
動作させるためには磁気抵抗素子を単磁区にし、かつそ
の磁化の向きを特定するする必要があった。すなわち
（図５）は（図４）の磁気抵抗素子周辺の要部拡大図で
あり、駆動電流の方向が６２の時磁気抵抗素子の初期磁
化を６１に示すような方向に揃える必要があった。
【０００３】以下その理由についてのべる。すなわち
（図５）において磁気抵抗素子の磁化方向が６１、６６
のように互いに反対方向のものが混在していると、外部
から信号磁界６４が磁気抵抗素子に流入したとき、各部
分の抵抗変化は正負逆となりこれらが重畳してその出力
は極めて減少することになる。また、磁気抵抗素子内に
は逆向きの磁化が存在するため磁壁の不規則変化に起因
するバルクハウゼンノイズが発生することもあった。
（図５）において磁気抵抗素子の磁化方向が６１、６６
のように互いに反対方向のものが混在していると、外部
から信号磁界６４が磁気抵抗素子に流入したとき、各部
分の抵抗変化は正負逆となりこれらが重畳してその出力
は極めて減少することになる。また、磁気抵抗素子内に
は逆向きの磁化が存在するため磁壁の不規則変化に起因
するバルクハウゼンノイズが発生することもあった。
【０００４】従って、従来の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド
では磁気抵抗素子内の磁化方向は特定の向き６１で示さ
れる方向に設定する必要があった。
では磁気抵抗素子内の磁化方向は特定の向き６１で示さ
れる方向に設定する必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の磁気抵抗
型薄膜磁気ヘッドでは一度設定された磁気抵抗素子の磁
化の方向を保持する機構がないため、外部から１６００
Ａ／ｍ程度の外乱磁場流入するとその磁化方向が変化
し、再生出力が不安定となりかつノイズを発生する課題
があった。
型薄膜磁気ヘッドでは一度設定された磁気抵抗素子の磁
化の方向を保持する機構がないため、外部から１６００
Ａ／ｍ程度の外乱磁場流入するとその磁化方向が変化
し、再生出力が不安定となりかつノイズを発生する課題
があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために傾斜電極を有する磁気抵抗素子周辺部に特定
の方向に着磁した硬質磁性膜を形成することを特徴とし
ている。
するために傾斜電極を有する磁気抵抗素子周辺部に特定
の方向に着磁した硬質磁性膜を形成することを特徴とし
ている。
【０００７】
【作用】一方向に着磁された硬質磁性膜によって磁気抵
抗素子の磁区は安定に単磁区構造となり安定した再生出
力が得られる。
抗素子の磁区は安定に単磁区構造となり安定した再生出
力が得られる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例について述べる。
【０００９】（図１）は本発明の好適な第１の実施例で
ある。特に磁気抵抗素子部の構成について図示してい
る。第１の実施例ではＮｉ−Ｚｎフェライト等の磁性基
板（図示せず）上に矩形形状の磁気抵抗素子１１を形成
し、この磁気抵抗素子１１上にＣｏ−Ｐ合金薄膜、ある
いはＣｏ−Ｐｔ合金薄膜等の硬質磁性層１２ａ、１２
ｂ、１２ｃが形成されている。この上部にほぼ同様な形
状で電極１３ａ、１３ｂおよび前記磁気抵抗素子の長手
方向に対して傾斜した電極１４ｃが形成され、その他の
傾斜した電極１４ａ、１４ｂ、１４ｄ、１４ｅは直接磁
気抵抗素子上に形成される。そして第１の実施例の磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドは完成後、図示するような磁気抵
抗素子の長手方向１５に着磁される。駆動電流は矢印１
６の方向に流される。硬質磁性膜の配置は磁気抵抗素子
の再生感度と外乱磁場に対する安定性を鑑みて決定され
る。即ち、硬質磁性膜の数を増加させると、磁気抵抗素
子部分により大きな磁界が印加されるため外乱磁場に対
する安定性は増加する。一方、硬質磁性膜の数を増加さ
せると磁気抵抗素子の磁化は信号磁界に従って回転する
事が困難となり感度の低下をもたらす。実際の磁気抵抗
型薄膜磁気ヘッドではこれらの点を鑑みて硬質磁性層の
数は決定される。
ある。特に磁気抵抗素子部の構成について図示してい
る。第１の実施例ではＮｉ−Ｚｎフェライト等の磁性基
板（図示せず）上に矩形形状の磁気抵抗素子１１を形成
し、この磁気抵抗素子１１上にＣｏ−Ｐ合金薄膜、ある
いはＣｏ−Ｐｔ合金薄膜等の硬質磁性層１２ａ、１２
ｂ、１２ｃが形成されている。この上部にほぼ同様な形
状で電極１３ａ、１３ｂおよび前記磁気抵抗素子の長手
方向に対して傾斜した電極１４ｃが形成され、その他の
傾斜した電極１４ａ、１４ｂ、１４ｄ、１４ｅは直接磁
気抵抗素子上に形成される。そして第１の実施例の磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドは完成後、図示するような磁気抵
抗素子の長手方向１５に着磁される。駆動電流は矢印１
６の方向に流される。硬質磁性膜の配置は磁気抵抗素子
の再生感度と外乱磁場に対する安定性を鑑みて決定され
る。即ち、硬質磁性膜の数を増加させると、磁気抵抗素
子部分により大きな磁界が印加されるため外乱磁場に対
する安定性は増加する。一方、硬質磁性膜の数を増加さ
せると磁気抵抗素子の磁化は信号磁界に従って回転する
事が困難となり感度の低下をもたらす。実際の磁気抵抗
型薄膜磁気ヘッドではこれらの点を鑑みて硬質磁性層の
数は決定される。
【００１０】本発明の第１の実施例はトラック幅が約７
０μｍであり、硬質磁性膜として膜厚０．１５μｍのＣ
ｏ−Ｐｔ磁性薄膜を約４０μｍ間隔で磁気抵抗素子両端
部と中央に３個配置したものである。この時の磁気抵抗
型薄膜磁気ヘッドは約１６０００Ａ／ｍの外乱磁場に対
して安定であった。一方、中央部のＣｏ−Ｐｔ薄膜を省
略して約９０μｍ間隔で磁気抵抗両端部だけに２個配置
する構成も可能である。この場合再生感度は約２ｄＢ向
上し外乱磁場に対する安定性は８０００Ａ／ｍと約１／
２に低下した。またバルクハウゼンノイズも１％以下で
そのノイズ発生は抑制されていた。
０μｍであり、硬質磁性膜として膜厚０．１５μｍのＣ
ｏ−Ｐｔ磁性薄膜を約４０μｍ間隔で磁気抵抗素子両端
部と中央に３個配置したものである。この時の磁気抵抗
型薄膜磁気ヘッドは約１６０００Ａ／ｍの外乱磁場に対
して安定であった。一方、中央部のＣｏ−Ｐｔ薄膜を省
略して約９０μｍ間隔で磁気抵抗両端部だけに２個配置
する構成も可能である。この場合再生感度は約２ｄＢ向
上し外乱磁場に対する安定性は８０００Ａ／ｍと約１／
２に低下した。またバルクハウゼンノイズも１％以下で
そのノイズ発生は抑制されていた。
【００１１】さらに、Ｃｏ−Ｐｔ薄膜を第１の好適な実
施例と比べてより狭いピッチで配置することも可能であ
る。しかしＣｏーＰｔ薄膜の配置される間隔が１０μｍ
以下になるとＣｏ−Ｐｔ薄膜から発生する磁界が強くな
りすぎ、再生出力は第１の実施例に比べて約１／３以下
に低下し、十分な再生感度が得られなかった。
施例と比べてより狭いピッチで配置することも可能であ
る。しかしＣｏーＰｔ薄膜の配置される間隔が１０μｍ
以下になるとＣｏ−Ｐｔ薄膜から発生する磁界が強くな
りすぎ、再生出力は第１の実施例に比べて約１／３以下
に低下し、十分な再生感度が得られなかった。
【００１２】本発明の好適な第１の実施例においては硬
質磁性膜は電極部分と同じ位置に配置しているため、こ
れにより磁気抵抗素子の感度有効部分を削減する事はな
く大きな再生感度を有するものである。
質磁性膜は電極部分と同じ位置に配置しているため、こ
れにより磁気抵抗素子の感度有効部分を削減する事はな
く大きな再生感度を有するものである。
【００１３】（図２）は本発明の第２の実施例について
示している。（図１）と同様な磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドの磁気抵抗素子部の平面図である。（図１）と同様に
磁気抵抗素子２１上に電極２３ａ、２３ｂと前記磁気抵
抗素子の長手方向に対して傾斜した電極２４ａ、２４
ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅが形成されている。
示している。（図１）と同様な磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドの磁気抵抗素子部の平面図である。（図１）と同様に
磁気抵抗素子２１上に電極２３ａ、２３ｂと前記磁気抵
抗素子の長手方向に対して傾斜した電極２４ａ、２４
ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅが形成されている。
【００１４】（図２）の第２の実施例は（図１）の好適
な第１の実施例と硬質磁性膜の配置場所が異なる。即ち
硬質磁性膜２０は磁気抵抗素子２１から端子側に数μｍ
離れてた位置に形成される。硬質磁性膜は第１の実施例
と同じＣｏ−Ｐｔ薄膜で構成され、幅１０μｍ、膜厚
０．１５μｍ、長さは磁気抵抗素子とほぼ同じ約１００
μｍである。硬質磁性膜は方向２５に着磁され、これか
らの漏れ磁界によって磁気抵抗素子の磁化は方向２７の
向きに揃えられる。この時の駆動電流は２６ａ、２６ｂ
で表わされている。
な第１の実施例と硬質磁性膜の配置場所が異なる。即ち
硬質磁性膜２０は磁気抵抗素子２１から端子側に数μｍ
離れてた位置に形成される。硬質磁性膜は第１の実施例
と同じＣｏ−Ｐｔ薄膜で構成され、幅１０μｍ、膜厚
０．１５μｍ、長さは磁気抵抗素子とほぼ同じ約１００
μｍである。硬質磁性膜は方向２５に着磁され、これか
らの漏れ磁界によって磁気抵抗素子の磁化は方向２７の
向きに揃えられる。この時の駆動電流は２６ａ、２６ｂ
で表わされている。
【００１５】第２の実施例の磁気抵抗型ヘッドは好適な
実施例と同様に約１６０００Ａ／ｍの外乱磁場に対して
安定であった。
実施例と同様に約１６０００Ａ／ｍの外乱磁場に対して
安定であった。
【００１６】また、本実施例の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドはバルクハウゼンノイズが少なかった。一般にバルク
ハウゼンノイズは（図６）で示されるようなノイズであ
る。すなわち、（図６）は本実施例の再生波形７１を示
しているが、再生波形中に不連続なジャンプ部分７２を
発生することがある。そしてこのバルクハウゼンノイズ
の強度（大きさ）は再生波形高さＨとバルクハウゼンノ
イズによるジャンプ高さＢの比Ｂ／Ｈで表すことができ
る。本実施例の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドのＢ／Ｈは１
％以下であった。これに対し硬質磁性膜を配置しない磁
気抵抗型薄膜磁気ヘッドは８００Ａ／ｍ以下の外乱磁場
で再生出力が１／２〜１／５に低下し、その再生出力強
度も時間的に変化し不安定であった。またバルクハウゼ
ンノイズも５％以上と大きかった。
ドはバルクハウゼンノイズが少なかった。一般にバルク
ハウゼンノイズは（図６）で示されるようなノイズであ
る。すなわち、（図６）は本実施例の再生波形７１を示
しているが、再生波形中に不連続なジャンプ部分７２を
発生することがある。そしてこのバルクハウゼンノイズ
の強度（大きさ）は再生波形高さＨとバルクハウゼンノ
イズによるジャンプ高さＢの比Ｂ／Ｈで表すことができ
る。本実施例の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドのＢ／Ｈは１
％以下であった。これに対し硬質磁性膜を配置しない磁
気抵抗型薄膜磁気ヘッドは８００Ａ／ｍ以下の外乱磁場
で再生出力が１／２〜１／５に低下し、その再生出力強
度も時間的に変化し不安定であった。またバルクハウゼ
ンノイズも５％以上と大きかった。
【００１７】（図３）は本発明の第３の実施例について
示している。（図１）と同様な磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドの磁気抵抗素子部の平面図である。（図１）と同様に
磁気抵抗素子３１上に電極３３ａ、３３ｂと傾斜電極３
４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅが形成されてい
る。
示している。（図１）と同様な磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドの磁気抵抗素子部の平面図である。（図１）と同様に
磁気抵抗素子３１上に電極３３ａ、３３ｂと傾斜電極３
４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅが形成されてい
る。
【００１８】（図３）の第３の実施例は（図１）の好適
な第１の実施例および（図２）の第２の実施例と硬質磁
性膜の配置場所が異なる。即ち硬質磁性膜３０は磁気抵
抗素子３１の直下に形成される。この時ＳｉＯ２等の絶
縁層（図示せず）が膜厚１μｍで磁気抵抗素子３１と硬
質磁性膜３０の間に中間層として形成される。硬質磁性
膜は第１、第２の実施例と同じＣｏ−Ｐｔ薄膜で構成さ
れ、形状は磁気抵抗素子形状とほぼ同じで膜厚は０．１
５μｍである。硬質磁性膜は方向３５に着磁され、これ
からの漏れ磁界によって磁気抵抗素子の磁化は方向３７
の向きに揃えられる。この時の駆動電流は３６ａ、３６
ｂで表わされている。第３の実施例の磁気抵抗型ヘッド
は第１、第２の実施例と同様に約１６０００Ａ／ｍの外
乱磁場に対して安定であった。
な第１の実施例および（図２）の第２の実施例と硬質磁
性膜の配置場所が異なる。即ち硬質磁性膜３０は磁気抵
抗素子３１の直下に形成される。この時ＳｉＯ２等の絶
縁層（図示せず）が膜厚１μｍで磁気抵抗素子３１と硬
質磁性膜３０の間に中間層として形成される。硬質磁性
膜は第１、第２の実施例と同じＣｏ−Ｐｔ薄膜で構成さ
れ、形状は磁気抵抗素子形状とほぼ同じで膜厚は０．１
５μｍである。硬質磁性膜は方向３５に着磁され、これ
からの漏れ磁界によって磁気抵抗素子の磁化は方向３７
の向きに揃えられる。この時の駆動電流は３６ａ、３６
ｂで表わされている。第３の実施例の磁気抵抗型ヘッド
は第１、第２の実施例と同様に約１６０００Ａ／ｍの外
乱磁場に対して安定であった。
【００１９】なお、上記第１、第２、第３の実施例にお
いては基板としてＮｉ−Ｚｎフェライトなどの磁性基板
を使用しているが、基板として非磁性のセラミック基板
上に磁性薄膜を形成したものを使用しても良い。
いては基板としてＮｉ−Ｚｎフェライトなどの磁性基板
を使用しているが、基板として非磁性のセラミック基板
上に磁性薄膜を形成したものを使用しても良い。
【００２０】
【発明の効果】上記したように本発明の磁気抵抗型薄膜
磁気ヘッドではその長手方向に対して傾斜した電極を有
する磁気抵抗素子周辺に硬質磁性薄膜を配置することに
より、外乱磁場に対する安定性を飛躍的に向上させると
ともに、磁気抵抗素子の単磁区状態を安定化する事によ
ってバルクハウゼンノイズの発生を抑制し良好な再生出
力を得ることが出来るなどその効果絶大なものである。
特に、第１の好適な実施例においては硬質磁性膜を電極
部分と同じ位置に配置しているため、これにより磁気抵
抗素子の感度有効部分を削減する事はなく大きな再生感
度を有する効果を奏するものである。
磁気ヘッドではその長手方向に対して傾斜した電極を有
する磁気抵抗素子周辺に硬質磁性薄膜を配置することに
より、外乱磁場に対する安定性を飛躍的に向上させると
ともに、磁気抵抗素子の単磁区状態を安定化する事によ
ってバルクハウゼンノイズの発生を抑制し良好な再生出
力を得ることが出来るなどその効果絶大なものである。
特に、第１の好適な実施例においては硬質磁性膜を電極
部分と同じ位置に配置しているため、これにより磁気抵
抗素子の感度有効部分を削減する事はなく大きな再生感
度を有する効果を奏するものである。
【００２１】なお、上記第１、第２、第３の実施例にお
いては基板としてＮｉ−Ｚｎフェライトなどの磁性基板
を使用しているが、基板として非磁性のセラミック基板
上に磁性薄膜を形成したものを使用しても同様な効果を
得る事ができる。
いては基板としてＮｉ−Ｚｎフェライトなどの磁性基板
を使用しているが、基板として非磁性のセラミック基板
上に磁性薄膜を形成したものを使用しても同様な効果を
得る事ができる。
【図１】本発明の好適な第１の実施例である磁気抵抗型
薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子部の平面図
薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子部の平面図
【図２】本発明の第２の実施例である磁気抵抗型薄膜磁
気ヘッドの磁気抵抗素子部の平面図
気ヘッドの磁気抵抗素子部の平面図
【図３】本発明の第３の実施例である磁気抵抗型薄膜磁
気ヘッドの磁気抵抗素子部の平面図
気ヘッドの磁気抵抗素子部の平面図
【図４】従来の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドの外観図
【図５】従来の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素
子部要部拡大図
子部要部拡大図
【図６】バルクハウゼンノイズを有する磁気抵抗型薄膜
磁気ヘッドの再生波形の一例を示す図
磁気ヘッドの再生波形の一例を示す図
１１、２１、３１、５３ 磁気抵抗素子 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ、２０、３０ 硬質磁性膜 １３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、５
４ａ、５４ｂ 電極 １４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、２４ａ、２
４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、３４ａ、３４ｂ、３４
ｃ、３４ｄ、３４ｅ、５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、５７
ｄ、５７ｅ 傾斜した電極 １５、２５、３５ 着磁の方向 １６、１６’、２６、２６’、３６、３６’、６２ 駆
動電流の方向 ２７、３７ 磁気抵抗素子の磁化方向 ５６、５８ ヨーク ５９ａ、５９ｂ 端子 ６４ 信号磁界
４ａ、５４ｂ 電極 １４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、２４ａ、２
４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、３４ａ、３４ｂ、３４
ｃ、３４ｄ、３４ｅ、５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、５７
ｄ、５７ｅ 傾斜した電極 １５、２５、３５ 着磁の方向 １６、１６’、２６、２６’、３６、３６’、６２ 駆
動電流の方向 ２７、３７ 磁気抵抗素子の磁化方向 ５６、５８ ヨーク ５９ａ、５９ｂ 端子 ６４ 信号磁界
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に少なくとも実質的に矩形形状を有
する磁気抵抗素子と前記磁気抵抗素子上で前記磁気抵抗
素子の長手方向に対して傾斜して形成された複数の電極
と前記磁気抵抗素子の長手方向に磁界を印加するための
磁界印加手段を有することを特徴とする磁気抵抗型薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項２】磁界印加手段として、磁気抵抗素子と傾斜
して形成されたいずれかの電極間に前記電極とほぼ同形
状の硬質磁性膜を形成したことを特徴とする請求項１記
載の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】磁界印加手段として、磁気抵抗素子から端
子側に離れた位置に前記磁気抵抗素子とほぼ同じ長さの
硬質磁性膜を形成したことを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】磁界印加手段として、磁気抵抗素子の下層
に絶縁層を中間層に介して硬質磁性膜を形成して積層構
造にしたことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗型薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】硬質磁性膜から誘起される磁界が電極を流
れる電流によって誘起される磁気抵抗素子中の磁界とほ
ぼ同方向であることを特徴とする請求項１、２、３もし
くは４のいずれかに記載の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-321640 | 1991-12-05 | ||
| JP32164091 | 1991-12-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05274627A true JPH05274627A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3052625B2 JP3052625B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=18134757
Family Applications (1)
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