JPS58192391A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPS58192391A JPS58192391A JP57075254A JP7525482A JPS58192391A JP S58192391 A JPS58192391 A JP S58192391A JP 57075254 A JP57075254 A JP 57075254A JP 7525482 A JP7525482 A JP 7525482A JP S58192391 A JPS58192391 A JP S58192391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- permalloy
- bias
- permanent magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
磁気ディスク記録装置、各種磁気テープ記録装置におい
て、益々高密度が要求されている。当該記録装置に使用
する磁気ヘッドも高密度化に伴って、種々の改善が行な
われている。
て、益々高密度が要求されている。当該記録装置に使用
する磁気ヘッドも高密度化に伴って、種々の改善が行な
われている。
本発明は磁気ヘッドの中で再生用ヘッドとして使われる
磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス磁場印加の方向に関す
るものである。パーマロイ磁気抵抗素子の磁化困難方向
にバイアス磁場を印加する方法としては永久磁石バイア
ス、電流バイアスなどの方法があるが、永久磁石バイア
スｍ素子は電流−への通電が不安なため、通電に必要な
装置が不要のほか、当該素子の工程も短縮される利点が
ある。
磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス磁場印加の方向に関す
るものである。パーマロイ磁気抵抗素子の磁化困難方向
にバイアス磁場を印加する方法としては永久磁石バイア
ス、電流バイアスなどの方法があるが、永久磁石バイア
スｍ素子は電流−への通電が不安なため、通電に必要な
装置が不要のほか、当該素子の工程も短縮される利点が
ある。
磁気ディスク等で記録密度を増大するには、記録波長を
短かくしなければならないが、記録波長の短縮に伴い記
録および再生用のヘッドのギャップ長も短縮しなければ
ならない。磁気￥； ７７、 ）ｐド型磁気抵抗効果雛
素子の場合、磁気抵抗効果を示す例えばパーマロイセン
サ膜と磁気シールド膜の距離がギャップとなる。従来の
永久磁石バイアス型素子では第１図で示すように永久磁
石薄膜ｌとパーマロイ膜２とが重なり合った状態でバイ
アス磁場を印加するのが最適といわれていた。しかし、
この方法では、パーマロイセンサ膜とシールド膜の間に
永久磁石膜が存在するため、バイアス磁場を印加するた
め必要な最小限の厚さの永久磁石膜が必要であり、ギヤ
、プ長をこれ以下にすることは不可能である。
短かくしなければならないが、記録波長の短縮に伴い記
録および再生用のヘッドのギャップ長も短縮しなければ
ならない。磁気￥； ７７、 ）ｐド型磁気抵抗効果雛
素子の場合、磁気抵抗効果を示す例えばパーマロイセン
サ膜と磁気シールド膜の距離がギャップとなる。従来の
永久磁石バイアス型素子では第１図で示すように永久磁
石薄膜ｌとパーマロイ膜２とが重なり合った状態でバイ
アス磁場を印加するのが最適といわれていた。しかし、
この方法では、パーマロイセンサ膜とシールド膜の間に
永久磁石膜が存在するため、バイアス磁場を印加するた
め必要な最小限の厚さの永久磁石膜が必要であり、ギヤ
、プ長をこれ以下にすることは不可能である。
重なることなく隣接して永久磁石バイアス膜４を配置し
たことを特徴とするものである。これによって、ギャッ
プ長を短縮できると同時に、ギャップ長とは無関係に永
久磁石膜の厚さを調贅することも可能となる。したがっ
て、バイアス磁場の大きさもパーマロイ・センサ膜に重
ねて形成した素子に比較して、バイアス磁場強度を広く
選択できる。
たことを特徴とするものである。これによって、ギャッ
プ長を短縮できると同時に、ギャップ長とは無関係に永
久磁石膜の厚さを調贅することも可能となる。したがっ
て、バイアス磁場の大きさもパーマロイ・センサ膜に重
ねて形成した素子に比較して、バイアス磁場強度を広く
選択できる。
永久磁石膜とパーマロイ・センサ膜の距離はパーマロイ
膜にかかるバイアス磁場の大きさに直接関係しており、
永久磁石膜の平面形状と厚さによって変化する。したが
って、素子の形状、用いる永久磁石膜の磁気特性によっ
てパーマロイ・センサ膜との最適位置関係は異なるが、
一般に磁気ヘッドに使用される磁気抵抗効果素子では、
パーマロイ・センサ膜の両側に磁気シールド膜を形成す
るため、永久磁石膜からの磁束が磁気シールド膜中にも
入り込む。このため、パーマロイ・センサ膜に薄膜加工
容易寸法範囲内で近い距離にあることが必要である。実
験的にこのような条件を入れて一般的な条件を求めると
、第３図で示すようにパーマロイセンサ膜５の通・鴫方
向に直角な幅６に対して、パーマロイ・センサ膜５と永
久磁石膜７との距離８は、幅６をｄとすれば距離８は１
．５ｄ以下の範囲が望ましいが、永久磁石膜の特性を選
べば２．０ｄの範囲でもバイアス磁場印加可能である。
膜にかかるバイアス磁場の大きさに直接関係しており、
永久磁石膜の平面形状と厚さによって変化する。したが
って、素子の形状、用いる永久磁石膜の磁気特性によっ
てパーマロイ・センサ膜との最適位置関係は異なるが、
一般に磁気ヘッドに使用される磁気抵抗効果素子では、
パーマロイ・センサ膜の両側に磁気シールド膜を形成す
るため、永久磁石膜からの磁束が磁気シールド膜中にも
入り込む。このため、パーマロイ・センサ膜に薄膜加工
容易寸法範囲内で近い距離にあることが必要である。実
験的にこのような条件を入れて一般的な条件を求めると
、第３図で示すようにパーマロイセンサ膜５の通・鴫方
向に直角な幅６に対して、パーマロイ・センサ膜５と永
久磁石膜７との距離８は、幅６をｄとすれば距離８は１
．５ｄ以下の範囲が望ましいが、永久磁石膜の特性を選
べば２．０ｄの範囲でもバイアス磁場印加可能である。
距離８の最小値は薄膜加工限界に依存するが、通常のホ
トリソグラフィの技術では２〜３μｍである。
トリソグラフィの技術では２〜３μｍである。
以下に実施例によって本発明を詳細に述べる。
実施例
両側磁気シールド膜を形成していない磁気抵抗素子で、
厚さ４０図ｍ、２０Ｘ５０μｍのパーマロイ・センサ膜
に隣接して同形状のＣｏ−２０１Ｐ’に９に示す。この
実施例によれば、距離かも３〜４０μｍでは
バイアス磁場の減少が少なく、有効にバイアスが
印加されるが、４０μｍを越すとバイアス磁場が急激に
減少する。
厚さ４０図ｍ、２０Ｘ５０μｍのパーマロイ・センサ膜
に隣接して同形状のＣｏ−２０１Ｐ’に９に示す。この
実施例によれば、距離かも３〜４０μｍでは
バイアス磁場の減少が少なく、有効にバイアスが
印加されるが、４０μｍを越すとバイアス磁場が急激に
減少する。
７Ｍ４図の１０はパーマロイ・センサ膜の両側に磁
−１ 気シールド膜を形成した磁気抵抗素子に上述の実施例と
同じ条件で永久磁石バイアス膜を形成した場合のバイア
ス効果である。この場合には上記距離が２０μｍ程度で
バイアス効果が急激に低下する。これは、磁気シールド
膜の影響と考えられる。
−１ 気シールド膜を形成した磁気抵抗素子に上述の実施例と
同じ条件で永久磁石バイアス膜を形成した場合のバイア
ス効果である。この場合には上記距離が２０μｍ程度で
バイアス効果が急激に低下する。これは、磁気シールド
膜の影響と考えられる。
以上の実施例から明らかなように、バーマロイセ／す膜
と永久磁石膜を重ねなくても十分な磁気バイアス効果を
持たせることができる。このため、ギヤ、プ長は永久磁
石膜に関係なく、パーマロイセンサ膜と磁気シールド膜
間の電気絶縁膜に必要な膜だけとなり、ギャップ長の低
減が可能となる。
と永久磁石膜を重ねなくても十分な磁気バイアス効果を
持たせることができる。このため、ギヤ、プ長は永久磁
石膜に関係なく、パーマロイセンサ膜と磁気シールド膜
間の電気絶縁膜に必要な膜だけとなり、ギャップ長の低
減が可能となる。
第１図は従来の永久磁石バイアス型薄膜磁気抵抗効果素
子の部分断面を示す断面図、第２図は本発明の一実施例
における永久磁石膜とパーマロイセンサ膜を平行に並べ
た素子を示す斜視図、第３図はパーマロイセンサ膜と永
久磁石膜の位置関係を示す平面図、第４図は本発明の一
実施例における素子の磁気バイアス効果を示すグラフで
ある。 ３・・・パーマロイセンサ膜、４・・・永久磁石膜、６
７図 第２閃
子の部分断面を示す断面図、第２図は本発明の一実施例
における永久磁石膜とパーマロイセンサ膜を平行に並べ
た素子を示す斜視図、第３図はパーマロイセンサ膜と永
久磁石膜の位置関係を示す平面図、第４図は本発明の一
実施例における素子の磁気バイアス効果を示すグラフで
ある。 ３・・・パーマロイセンサ膜、４・・・永久磁石膜、６
７図 第２閃
Claims (1)
- 永久磁石膜でバイアス磁場を印加された磁気抵抗効果型
薄膜素子において、パーマロイ膜と重なることなく隣接
し、かつパーマロイ膜の通電方向あるいは容易磁化方向
と平行に永久磁石膜を形成したことを特徴とする磁気抵
抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075254A JPS58192391A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075254A JPS58192391A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192391A true JPS58192391A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13570894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075254A Pending JPS58192391A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192391A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6149488A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-11 | アムペックス コーポレーシヨン | 磁気抵抗変換器 |
| EP0585008A2 (en) * | 1992-08-25 | 1994-03-02 | Seagate Technology International | A magnetoresistive sensor and method of making the same |
| US5412524A (en) * | 1991-12-05 | 1995-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-resistive head |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP57075254A patent/JPS58192391A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6149488A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-11 | アムペックス コーポレーシヨン | 磁気抵抗変換器 |
| US5412524A (en) * | 1991-12-05 | 1995-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-resistive head |
| US5585985A (en) * | 1991-12-05 | 1996-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-resistive head including a film of hard magnetic material |
| EP0585008A2 (en) * | 1992-08-25 | 1994-03-02 | Seagate Technology International | A magnetoresistive sensor and method of making the same |
| EP0585008A3 (en) * | 1992-08-25 | 1995-11-08 | Seagate Technology | A magnetoresistive sensor and method of making the same |
| US5736060A (en) * | 1992-08-25 | 1998-04-07 | Seagate Technology, Inc. | Read sensitivity MR head using permanent magnet longitudinal stabilization |
| US5737155A (en) * | 1992-08-25 | 1998-04-07 | Seagate Technology, Inc. | Read sensitivity MR head using permanent magnet longitudinal stabilization |
| EP0896324A1 (en) * | 1992-08-25 | 1999-02-10 | Seagate Technology International | A magnetoresistive sensor & method of making the same |
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