JPS5919221A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPS5919221A JPS5919221A JP57125696A JP12569682A JPS5919221A JP S5919221 A JPS5919221 A JP S5919221A JP 57125696 A JP57125696 A JP 57125696A JP 12569682 A JP12569682 A JP 12569682A JP S5919221 A JPS5919221 A JP S5919221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- permalloy
- bias
- current bias
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
磁気ディスク記録装置、各種磁気テープ記録装置におい
ては、情報処理量の増大のため益々高密度化が要求され
ている。当該記録装置に使用する磁気ヘッドも高密度化
に伴って、種々の改善が行なわれている。
ては、情報処理量の増大のため益々高密度化が要求され
ている。当該記録装置に使用する磁気ヘッドも高密度化
に伴って、種々の改善が行なわれている。
本発明は磁気ヘッドの中で再生用ヘッドとして使われる
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドのバイアス磁場印加の方法に
関するものである。磁気抵抗効果膜、たとえばパーマロ
イの磁化困難軸方向にバイアス磁場を印加する方法とし
ては永久磁石バイアス、電流バイアスなどの方法がある
が、電流バイアスは通電量の調節によりバイアス磁場を
容易に変えられる利点がある。
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドのバイアス磁場印加の方法に
関するものである。磁気抵抗効果膜、たとえばパーマロ
イの磁化困難軸方向にバイアス磁場を印加する方法とし
ては永久磁石バイアス、電流バイアスなどの方法がある
が、電流バイアスは通電量の調節によりバイアス磁場を
容易に変えられる利点がある。
磁気ディスク等で記録密度を増大するには、記録波長を
短縮しなければならないが、記録波長の短縮に伴い記録
および再生ヘッドのギャップ長も短縮する必要がある。
短縮しなければならないが、記録波長の短縮に伴い記録
および再生ヘッドのギャップ長も短縮する必要がある。
磁気シールド型磁気抵抗効果型ヘッドの場合、磁気抵抗
効果を示す例えばパーマロイセンサ膜と磁気シールド膜
の距離がギャップ長となる。従来の電流線バイアス型素
子では、第１図で示すように電流バイアス線１とパーマ
ロイセンサ膜２とが絶縁膜３を介して重なシ合りた状態
でバイアス磁場を印加するのが最適な素子構造と考えら
れていた。しかし、この方法では、パーマロイセンサ膜
とシールド膜の間に電流線用の導体薄膜が存在するため
、バイアス磁場を印加するために必要な最小限の厚さの
電流線用導体膜が必要であり、ギャップ長をこれ以下に
することができない。
効果を示す例えばパーマロイセンサ膜と磁気シールド膜
の距離がギャップ長となる。従来の電流線バイアス型素
子では、第１図で示すように電流バイアス線１とパーマ
ロイセンサ膜２とが絶縁膜３を介して重なシ合りた状態
でバイアス磁場を印加するのが最適な素子構造と考えら
れていた。しかし、この方法では、パーマロイセンサ膜
とシールド膜の間に電流線用の導体薄膜が存在するため
、バイアス磁場を印加するために必要な最小限の厚さの
電流線用導体膜が必要であり、ギャップ長をこれ以下に
することができない。
本発明に於ては１、第２図で示すようにパーマロイセン
サ膜４と同じ基板上にパーマロイ膜と重なることなく隣
接して電流バイアス膜５を配置したことを特徴とするも
のである。これによってギャップ長を短縮できると同時
に、ギャップ長とは無関係に電流バイアス用導体膜の厚
さを変えることもできる。したがって、従来の電流バイ
アス型素子で電流バイアス線が薄いためにエレクトロマ
イグレーシ☆ンでバイアス導体膜が断線する心配もない
。また、バイアス線がヘッド先端から離れることによっ
て、記録媒体の減磁などの悪影響もなくなる。
サ膜４と同じ基板上にパーマロイ膜と重なることなく隣
接して電流バイアス膜５を配置したことを特徴とするも
のである。これによってギャップ長を短縮できると同時
に、ギャップ長とは無関係に電流バイアス用導体膜の厚
さを変えることもできる。したがって、従来の電流バイ
アス型素子で電流バイアス線が薄いためにエレクトロマ
イグレーシ☆ンでバイアス導体膜が断線する心配もない
。また、バイアス線がヘッド先端から離れることによっ
て、記録媒体の減磁などの悪影響もなくなる。
電流バイアス用導体膜とパーマロイセンサ膜の距離はパ
ーマロイ膜にかかるバイアス磁場の大きさに直接関係し
ておシ、電流バイアス膜の平面形状と厚さによっても若
干変化する。したがって、素子の形状によってパーマロ
イセンサ膜との最適位置関係は異なるが、一般に磁気ヘ
ッドに使用される磁気抵抗効果素子では、パーマロイセ
ンサ膜の両側に磁気シールド膜を形成するため、電流バ
サ膜に、薄膜加工が容易な寸法範囲内で、近い距離にあ
ることが必要である。通常のホトリソグラフィ技術では
、この距離は２〜３μｍである。また、通電量を増やす
ことによって、発生磁場を増大できるので２〜３μｍ以
上でもバイアス磁場は十分に印加されるが、電流バイア
ス膜のエレクトロマイグレーシ阜ンによる断線等を考慮
すると、第３図で示すように電流バイアス膜６の幅７と
パーマロイ膜８の幅９の比が１から２の間にある場合、
電流バイアス膜６とパーマロイ膜８の間の距離１０はパ
ーマロイ膜の幅９よシ小さいことが望ましい。幅がパー
マロイ膜の幅９よシ小さければ、有効な磁場が印加され
、これ以上になると急激にバイアス磁場の強さが減少す
る。以下実施例で詳細を述べる。
ーマロイ膜にかかるバイアス磁場の大きさに直接関係し
ておシ、電流バイアス膜の平面形状と厚さによっても若
干変化する。したがって、素子の形状によってパーマロ
イセンサ膜との最適位置関係は異なるが、一般に磁気ヘ
ッドに使用される磁気抵抗効果素子では、パーマロイセ
ンサ膜の両側に磁気シールド膜を形成するため、電流バ
サ膜に、薄膜加工が容易な寸法範囲内で、近い距離にあ
ることが必要である。通常のホトリソグラフィ技術では
、この距離は２〜３μｍである。また、通電量を増やす
ことによって、発生磁場を増大できるので２〜３μｍ以
上でもバイアス磁場は十分に印加されるが、電流バイア
ス膜のエレクトロマイグレーシ阜ンによる断線等を考慮
すると、第３図で示すように電流バイアス膜６の幅７と
パーマロイ膜８の幅９の比が１から２の間にある場合、
電流バイアス膜６とパーマロイ膜８の間の距離１０はパ
ーマロイ膜の幅９よシ小さいことが望ましい。幅がパー
マロイ膜の幅９よシ小さければ、有効な磁場が印加され
、これ以上になると急激にバイアス磁場の強さが減少す
る。以下実施例で詳細を述べる。
実施例１
パーマロイセンサが２０μｍ×５０μｍで厚さ４Ｑｎｍ
、このパーマロイ膜に平行して同基板上に幅２０μｍ１
厚さ４００１ｍのＡｔ電流バイアス導体を形成した場合
に、Ａ４に１０’Ａ／７７Ｆ＋２ の通電をしたときの
パーマロイ膜とＡｔ膜の距離とバイアス磁場の強さを第
４図に示す。この実施例によれば、パーマロイとＡｔ膜
の距離が３〜３０μｍの間ではバイアス磁場の減少が少
ないが、３０μｍ以上になると急激に減少する。バイア
ス磁場の強さは用いるパーマロイ膜等の磁気抵抗効果膜
の形状２組成によって異なるが、通常使用される・く−
マロイ膜では１０〜３００ｅで充分である。したがって
、上記実施例のように、パーマロイ膜と電流バイアス線
間の最長の距離はパーマロイ膜の幅の１〜２倍までであ
る。パーマロイ膜の幅を５〜５０μｍに変えた場合にも
同様の効果があった。
、このパーマロイ膜に平行して同基板上に幅２０μｍ１
厚さ４００１ｍのＡｔ電流バイアス導体を形成した場合
に、Ａ４に１０’Ａ／７７Ｆ＋２ の通電をしたときの
パーマロイ膜とＡｔ膜の距離とバイアス磁場の強さを第
４図に示す。この実施例によれば、パーマロイとＡｔ膜
の距離が３〜３０μｍの間ではバイアス磁場の減少が少
ないが、３０μｍ以上になると急激に減少する。バイア
ス磁場の強さは用いるパーマロイ膜等の磁気抵抗効果膜
の形状２組成によって異なるが、通常使用される・く−
マロイ膜では１０〜３００ｅで充分である。したがって
、上記実施例のように、パーマロイ膜と電流バイアス線
間の最長の距離はパーマロイ膜の幅の１〜２倍までであ
る。パーマロイ膜の幅を５〜５０μｍに変えた場合にも
同様の効果があった。
以上の実施例から明らかなように、パーマロイセンサ膜
と電流バイアス用導体膜を重ねなくても、両者間の距離
を最適な値に選ぶならば十分なバイアス磁場の印加され
ることがわかる。このため、ギャップ長は電流バイアス
用導体の形状には関係なく、磁気シールド膜とパーマロ
イ膜間の電気絶縁膜だけとなり、ギャップ長の低減が可
能となる。
と電流バイアス用導体膜を重ねなくても、両者間の距離
を最適な値に選ぶならば十分なバイアス磁場の印加され
ることがわかる。このため、ギャップ長は電流バイアス
用導体の形状には関係なく、磁気シールド膜とパーマロ
イ膜間の電気絶縁膜だけとなり、ギャップ長の低減が可
能となる。
なお、周知のように、電流バイアス線の方向は磁気抵抗
膜の通電方向あるいはその容易磁化方向と平行にする。
膜の通電方向あるいはその容易磁化方向と平行にする。
第１図は従来の電流バイアス型薄膜磁気抵抗効果素子の
部分断面を示す斜視図、第２図は本発明のパーマロイセ
ンサ膜と電流バイアス用導体を同一基板上に平行に並べ
た素子を示す斜視図、第３［パーマロイセンサ膜と電流
バイアス用導体膜の位置関係を示す平面図、第４図は本
発明における磁気バイアス効果を示すグラフでちる。
部分断面を示す斜視図、第２図は本発明のパーマロイセ
ンサ膜と電流バイアス用導体を同一基板上に平行に並べ
た素子を示す斜視図、第３［パーマロイセンサ膜と電流
バイアス用導体膜の位置関係を示す平面図、第４図は本
発明における磁気バイアス効果を示すグラフでちる。
Claims (1)
- １１．磁気抵抗膜にバイアス磁場を印加するために磁気
抵抗膜に隣接して電流バイアス線を設置する磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドに於て、磁気抵抗膜と重なることなく隣
接し、かつ磁気抵抗膜の通電方向あるいは容易磁化方向
と平行に電流バイアス線を形成したことを特徴とする磁
気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125696A JPS5919221A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125696A JPS5919221A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919221A true JPS5919221A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14916441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57125696A Pending JPS5919221A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0441847A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-12 | Kawasaki Steel Corp | 断熱二重折板屋根 |
| EP0685839A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-06 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head with asymmetric leads |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125696A patent/JPS5919221A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0441847A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-12 | Kawasaki Steel Corp | 断熱二重折板屋根 |
| EP0685839A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-06 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head with asymmetric leads |
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