JPS6149488A - 磁気抵抗変換器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は、永久磁石バイアスを有する磁気抵抗変換器に
関するものであシ、更に詳細に述べれば、磁気媒体の狭
いトラック上に記録された信号の再生に特に有用な磁気
抵抗変換器に関するものである。

（２）先行技術についての説明 先行技術における磁気抵抗変換器は、磁気テープ、磁気
ディスク、磁気カード、磁気シート、またはその他の磁
気媒体からの情報信号を再生するものとして周知である
。これらの変換器は、縦長の狭いストリップ形式から成
る磁気抵抗素子（以下ＭＲ素子と称す）によって構成さ
れている。前記ス）　ＩＪツブは、周知の磁気抵抗効果
に従い、そこに外部的に与えられる変化する磁界に応答
し、その磁化方向の変化によって生ずる抵抗の変化を示
す。応答曲線の周知の非線形により、該曲線の線形部分
内で動作を行なわせるには、ＭＲ素子にバイアス磁界を
かける必要がある。ＭＲ素子からの出力信号の大きさは
、その長さに比例し、次いでその長さは、記録している
トラック幅に対応する。よって、ＭＲ素子の応答を直線
化し、その感度を最大にすることは、記録するトラック
幅が最小限に狭められる筒記憶密度磁気媒体からの再生
に関して特に重要である。

ＭＲ素子をバイアスする種々の既知方法として、外部バ
イアス磁石を利用する方法と、前記ＭＲ素子の縦軸に対
し４５度で感知電流を搬送する導電ストリップを設ける
方法と、および高保持力磁気フィルムから成る内部バイ
アス永久磁石層を磁気抵抗変換器の構造内に一体に設け
る方法とがある。前記一体の磁気層の使用は、下記の如
く他のバイアス方法に対し明瞭なる利点を有している。

すなわち、前記一体の磁気層の使用により、構造が単純
化され、よってＭＲ変換器アセンブリの製造手順も単純
化される。

更に、磁気シールドを使用することのできない外部バイ
アス磁石の使用が改善される。そのようなシールドは、
前記磁石およびＭＲ素子間に挿入され、よって前記バイ
アス磁界を干渉することがあった。

内部バイアスされた先行技術による磁気抵抗変換器は、
高保持力永久磁石バイアス層を有しているが、核高保持
力永久礎石バイアス層は、その上に重畳されるＭ几素子
の形状と整合する細長いス）　ＩＪツブ形状の前記変換
器構造体内に配置されている。そこに変化する磁界を与
えてＭＲ素子の抵抗の線形変化を得るため、その長さに
対して約４５度で永久磁石層を磁化する必要があった。

その長さの方向は、ＭＲ素子の磁化容易軸に対応する。

しかしながら、これらの縦方向形成された永久磁石の周
知の特性（通常６：１から２０：１の縦横比を有す）に
より、比較的太き々バイアス磁界成分が磁石の奥行き方
向に与えられると共に比較的小さなバイアス磁界成分が
その長さ方向に与えられた。その結果、前記容易軸方向
で下層のＭ几素子に与えられるバイアス磁界成分は、そ
れに対し垂直に向けられた成分と比較してかなり小さい
。１例として、予測される磁化容易軸方向の磁界の大き
さは１５エルステツド（Ｏｅ）であるが、磁化困難軸方
向の対応する大きさは約１ｏ　ｏ　Ｏｅである。

このような状態では、内部バイアス磁石が十分強力、か
つ安定した磁化をｆ’ｖｆＲ素子に４５度で与えること
はできず、その結果、信号応答の直線性に劣化を生ずる
。更に、このようにバイアスされたＭ几素子は、外部漂
遊磁界に対して非常に敏感である。

細長いバイアス永久磁石ストリップを有する先行技術に
よる磁気抵抗変換器について検査したところ外的に与え
られるり、　Ｃ，漂遊磁界に対し強い感度を示した。１
例として、そのようか亜素子は４０ＨｚのＡ、Ｃ，信号
磁界によって励起され、±１００ｅの範囲のり、　Ｃ，
漂遊磁界がそこに与えられた。該Ｍ几素子は、通常、漂
遊磁界に応答して１０デシベル（ｄＢ）の感度低下を示
した。更に”、該ＭＲ素子は２０ｅ以下の比較的小さな
漂遊磁界に応答して前記信号レベルに匹敵する大きな二
次高調波ひずみを示した。

（３）発明の概要 本出願人は、はぼ正方形の薄い内部バイアス永久磁石層
を設けることによって、先行技術による磁気抵抗変換器
の上記欠点か除去されることを発見した。そのような薄
い層が４５度で磁化されると、工Ｖｉ几素子の磁化容易
軸方向および磁化困難軸方向のいずれにもほぼ同じ大き
さの十分強力なバイアス磁界を与える。このようにバイ
アスされた本発明によるＭＲ変換器は、十芥表線形応答
を有する。更に、その結果のＭＲ素子の磁化は、上記の
ある方向の磁石の磁界を離れた後も４５度で安定したま
まとなる。

正方形のバイアス永久磁石層を有する本発明によるＭＲ
変換器を試験段階でテストした結果、±３００ｅまでの
外的漂遊磁界がそこに与えられた場合、２ｄＢ以下の感
度偏差を示した。二次高調波ひずみも非常に低く、例え
ば上記漂遊磁界に応答して、有用な信号レベルを下回る
一２０ｄＢを示した。

（４）実施例 本発明のある好適な実施例について、以下第１図から第
４図を参照しながら説明する。前記好適な実施例のＭｆ
ｔ変換器は、先行技術で周知の写真平版技術および薄膜
技術を利用して製造される。

同図中、説明を平易にするため、前記変換器の種々の薄
膜層の方向を直交する座標系Ｘ、　Ｙ。

Ｚで示した。

第１図から第４図には、好適な実施例のＭＲ変換器２０
が示されている。該ＭＲ変換器は、そこに熱的に成長さ
れる二酸化ケイ素層２６を有すると共に非磁性非導電不
活性物質（例えばケイ氷ウェーハ）から成る基板２４に
よって構成されており、先行技術で周知の基板の絶縁特
性を改善する。例えばパーマロイのような透磁性物質か
ら成るシールド２８が前記層２６上に設けられるのが望
ましいが、該シールド２８は、Ｙ軸方向、すなわち、例
えば第３図に図示のテープ３０のような磁気媒体に面す
る変換器２０の面２２内に選択された奥行きＳで広がっ
ている。

更に、非＄性電気絶縁層３２（好ましくは酸化アルミニ
ウム）が磁気シールド２８および次の磁気抵抗層６４間
のスペーサーを形成すべく設けられている。前記絶縁層
３２上に設けられグ る薄膜層３４の一部分により、ＭＲ素子が形成されてい
る。該層は、約５００オングストローム（八〇）の厚さ
を有するパーマロイ層から成９、かつ導帯５６，５Ｂの
全表面下に渡シ広がっているのが望ましい。

ＭＲ素子４０に感知電流を供給する前記導帯５６．５Ｂ
は、前記薄膜層３４上に直接置かれており、該薄膜層と
電気的に接続されている。第１図および第２図に図示の
如く、ｔ　１ｗ、と表示されたＭＲ素子の長さは、前記
変換器２０の面２２における導帯３６，５Ｂの対向する
端部４８，５０間の距離によって定められる。前記長さ
ｔ、ｗ。

は、以下述べる如く、変換器のトラック幅に対応する。

好適な実施例では、前記変換器２０の面２２は、磁気テ
ープ３０と接触している。本発明によるトラック幅の狭
いＭＲ変換器の寿命を延ばすため、ＭＲ，素子４０の奥
行きＤは約０．００１インチ（但し、１インチは２．５
４ｍ１と選択されている。第４図に図示の如く、前記寸
法ｄは、Ｙ軸方向の導帯３６，５Ｂの奥行きによって定
められる。

前記導帯５６，３Ｂおよび前記層３４の一部には別の電
気絶縁非磁性Ｍ４２が設けられておシ、ＭＲ素子４０を
形成している。前記層は、バイアス永久磁石４４として
働く次の透磁性層からこれらの層を隔絶する。前記磁石
４４は、　ＭＲ素子４０に重畳されると共に、例えば厚
さ１６マイクロインチ（但し１マイクロインチ＝＝、１
０’インチ）のコバルトニッケルリン層が設けられると
よい。前記磁石４４の成分は、望ましくは８０チがコバ
ルト、１６チがニッケル、４％がリンとなっている。本
発明によシ、前記磁石４４は、はぼ等しい長さおよび奥
行きｌを有しているが、好適な実施例における前記長さ
および奥行きはＪ：０．００１　インチが選択されてい
る。

第４図では、ＭＲ素子４０およびバイアス永久磁石４４
夫々の相対的配置が示しである。同図から、ＭＲ素子４
０を形成する層３４の一部分は、矢印４６によって示し
た下層のＭａ磁化と電気的に接続される導帯５６，５Ｂ
の形状によって定められることが判る。Ｍ几素子４０の
長さは、変換器２０の変換トラック幅ｔ１ｗ、を定める
。好適な実施例におけるトラック幅ｔ０ｗ。

は、０．０００５インチが選択されている。

前記説明から、ＭＲ層３４は、ＭＲ素子４０を取シ囲む
と共にそれと接触していることが判る。前記ＭＲ紫子４
ｏとびりたシ接すると共に導帯５６，５Ｂと同一の広が
シを有する前記ＭＲ層の一部分は、これらの導帯によっ
て効果的に電気的に短絡される。しかしながら、層５４
の前記短絡部分は、磁気的に能動のままである。

よって永久磁化バイアス磁石４４と同一の広がりを有す
る層３４の一部分は、前記永久磁石４４によって定めら
れる所望の磁化方向に磁化されることになる。よって、
ＭＲ素子におけるバイアス磁化の均一性および安定性が
、その端部に沿って更に改善される。

完成された変換器２０は、通常数千エルステッドのり、
　Ｃ，電磁石（図示せず）によって与えられる大磁界に
置かれる。該変換器は、前記磁界内で、バイアス永久磁
石４４が永久に磁化され、磁化方向がＭＲ素子４０の磁
化容易軸４６に対し４５度に向けられるように向けられ
ている。結果の前記磁石４４の磁化方向は、第４図の矢
印５４によって表示されている。

先に述べた如く、内部バイアス永久磁石４４からの磁界
によって、それに重畳されるＭＲ素子４０も方向５４、
すなわち磁化容易軸方向４６に対し４５度の方向に磁化
され、よって、既述の如く、そこに所望のバイアス磁化
方向が与えられる。第１図に図示の如く、Ｄ、Ｃ，感知
電流工が、電源５６からＭ几素子４０へと導帯３６゜３
８を介して与えられる。磁気抵抗物質の周知の特性によ
って、隣接する磁気媒体、例えば第３図に図示のテープ
３０上に記録された信号から生じる磁界が、ＭＲ素子の
磁化を回転させ、それによってその抵抗に変化を生ずる
。前記ＭＲ変換器２０からの結果の出力信号は、先行技
術で周知の如く、例えば端子５８に高インピーダンスの
電圧計（図示せず）が接続されることによって、Ｍ几素
子４０にかかる電圧の変化として測定される。

上記本発明の好適な実施例では、一つの磁気シールドを
有するものとして説明されてきたが、本発明はその実施
例に制限されないことに注意されたい。磁気シールドが
一つもない、または磁気シールドが二つある別の実施例
も可能であシ、後者の場合、第２の磁気シールドは、前
記Ｍ几素子に面した面の反対側にある前記ノ（イアス永
久磁石の外側平面に接して設けることができる。そのよ
うなシールドは、先に設けられた導電磁気層から適当に
隔絶きれていなければならない。上記好適な実施例の更
に別の実施例では、Ｍ几素子に面する表面と反対側の前
記バイアス磁石の外側平面に接して単一のシールドを位
置決めすることもできる。

内部永久磁石バイアスを利用した先行技術によるＭＲ変
換器は、０．００１インチ以下程度の狭いトラック幅で
十分な大きさおよび直線性を有する出力信号を生じなか
ったことが判る。０．０００２インチのトラック幅を有
する本発明によるＭＲ変換器で行なわれた実際の検査結
果によると、約５００マイクロインチから約６４マイク
ロインチまでの選択された記録波長が先に記録された磁
気テープから再生された場合、安定した再生可能出力電
圧と一２０’ｄＢ以下の低い高調波ひずみとを示した。

１５マイクロポルト（但し１マイクロボルト＝１０　ボ
ルト）の通常の出力電圧が、１００マイクロインチの波
長で得られた。

次に、本発明に従ってＭＲヘッドを作る好適な方法を第
５図から第７図を参照しながら説明する。

例えばケイ素つエーノ・のような適当な非磁性非導電不
活性物質から成る基板２４が取り付けられているが、本
実施例では、例えば直径２インチの円形プレート形式と
なっていてもよい。

本発明による多数のＭＲヘッド（図示せず）は、単一の
基板上に同時に製造されるのが望ましい。

例えは、同じウエーノ・上での一つの製造バッチ手順の
間に約３５０個の変換器を製造することができる。その
ような薄膜製造バッチ技術は先行技術で周知であるので
、説明を簡略化するため単一の変換器製造に関して以下
その方法を説明する。

ケイ素基板２４およびその上に設けられることになって
いる次の導電層間の電気的絶縁を改良するため、約２５
０ＯＡ”の厚さを有する二酸化ケイ素の層２６が、前記
薄膜製造技術による周知の方法を用めて前記基板２４上
に熱的に成長される。

前記層２６の表面は、例えばフッ化水素酸の水溶液で洗
浄され、次いで窒素の雰囲気で乾燥される。この洗浄段
階は、前記二酸化ケイ素層の約１０ＯＡ’　を除去する
と共に記録および処理中ウェーハ上に形成されうる汚染
物も除去するのでどうしても必要である。その後、厚さ
約５マイクロインチの導電物質（望ましくは銅）の層２
７が、好ましくは前記のきれいな表面２６上に真空スパ
ッタさせることによって、設けられる。前記スパッタは
、周知のスパッタ装置、例えばパーキンエルマー社製２
４００−８ＳＡ型スパツタ装置で行なうことができる。

前記層の層２７は、先行技術で周知の如く、次の電気め
っき工程の開電流の導体として働く。薄い導電層２７は
、ＭＲ，変換器２０の変換動作に影響を及はさない。

前記導電層２７および後程説明する類似の導電層４３は
、図面を簡略化するため、第１図から第４図には図示さ
れていないことに注意されたい。

更に第５図では、次の段階として、厚さ４０マイクロイ
ンチの、例えばパーマロイのような磁気遮蔽物質２８が
、好ましくは周知の電気めっき技術を用いである方向の
磁界で電気めっきすることにより、設けられる。前記磁
界の方向は、ＭＲ素子４０の磁化容易軸の所望の方向４
６と平行に前記磁気シールドを磁化するようになってい
る。変換器アセンブリ面２２から内部へ広がる所望の奥
行きＳを有する矩形シールド２８グ　　　　　を得るた
め、前記層の層２７は、適当な光硬化性樹脂材、例えば
ハントケミカルズ社製正光硬化性樹脂ウェイコート（商
品名）ＨＰ几−２０６によってまず被覆される。第５図
に図示の所望の形状のシールド２８の矩形マスク（図示
せず）がその上に露出される。次いで露出されたウェー
ハ表面が写真平版技術で周知の如く現像される。その後
非マスク領域がイオン研削され、過剰パーマロイ層およ
び銅層が下の二酸化ケイ素層２６へと除去される。除去
された領域は、第５図にハツチングで描かれた領域２９
によって表示されている。

更に第６図では、例えば酸化アルミニウムのような厚さ
４０マイクロインチの非磁性電気絶縁層３２が、例えば
前記パーキンエルマー社のスパッタ装置を利用してシー
ルド２８の上部表面ならびに層２６の該シールド２８に
よって被覆されていない部分の表面上に真空スパッタさ
れる。

磁気抵抗層３４を形成する磁気物質の薄膜は、好ましく
は周知の態様によシある方向の磁界で真空蒸着すること
によって前記層３２上に設けられる。前記層３４の物質
は、高い磁気抵抗係数と低い磁気異方性とを有するよう
選択されていると共に、与えられる外部磁気信号磁界に
より所望の抵抗の大変化を得るよう十分薄くなっている
。選択された層３４の物質は、厚さ５００八〇の層を有
するパーマロイが望ましい。磁界の向きは方向４６にあ
って、その長さと平行に所望のＭＲ素子の磁化容易軸を
得る。

引き続き第６図を参照するに、導帯３６，５Ｂは下記の
如くパーマロイ層３４と直接接触して形成されている。

前記パーマロイ層３４は、先に層２８で説明したように
適当な光硬化性樹脂で被覆されている。次いで、同図に
図示の如く、所望の導帯５６，３８の形をした適当なマ
スク（図示せず）が、前記光硬化性樹脂上に露出される
。結果の写像を現像した後、導帯５６，５Ｂが形成され
ることになっている領域に厚さ１０マイクロインチまで
銅が電着される。次いで前記光硬化性樹脂が取シ除かれ
て、全表面が再び新規の光硬化性樹脂層で被覆される。

次に、新規のマスク（図示せず）が露出され、銅帯３６
゜３８および該銅線端部間の磁気抵抗層３４が、現像後
連続光硬化性樹脂層によって保循される。

次いで、非マスク領域の過剰パーマロイ層３４が、望ま
しくはイオン研削によって、除去される。同６図にはイ
オン研削手順に先立つ上記製造段階が示されている。

先に第４図に関して説明したように、磁化容易軸方向４
６のＭＲ感知素子４０の実効長さｔｏｗ、は、導帯３６
，３８の対向する端部４８，５０間の距離゛によって定
められる。ＭＲ素子４０の奥行きｄは、ｙ軸方向の導帯
３６，３８の奥行きによって定められる。好適な実施例
におけるｄの長さは、約０．００１インチである。

１例として、本実施例における所望の狭い変換トラック
幅ｔ、ｗ、は、０．０００３インチに選定されている。

好適なＭ８変換器製造方法における磁化容易軸方向４６
の磁気抵抗層３４の長さは、能動的ＭＲ素子４０の長さ
を大幅に超えることが判る。よって、所望の狭いトラッ
ク幅が、ＭＲ，層３４に置かれた導帯３６，３８の端部
４８゜５０間の所望のスペーシングを選択することによ
って容易に得られ、よって該スペーシングはそのトラッ
ク幅に対応する。

次の段階として第７図では、非磁性スペーサ電気絶縁層
４２）例えば厚さ２０マイクロインチの酸化アルミニウ
ム、が設けられているが、該層４２も、好ましくは層３
２丁既に説明したのと同じ方法を用いて既に設けられた
層３４．３６ならびに３８の上表部にスパッタさせるこ
とにより、設けられる。前記層４２によってバイアス永
久磁石として働くと共に下記の如く設けられた次の層４
４から、下層が隔絶される。

まず厚さ９マイクロインチの導電物質（望ましくは銅）
の層４３が、層２７で説明したのと同じ技術を用いて、
既に設けられた層４２の全表面上にスパッタされる。次
いで、スパッタされた層４３は、永久磁性物質から成る
層４４ｆ　　　　　（望ましくは、コバル）８０％、ニ
ッケル１６チ、リン４チの溶液によりめっきされたもの
）によって覆われ、周知の電着技術を用いて厚さ１６マ
イクロインチの層を得る。

次いで、そのように得られた層４４は、上記方法段階と
同様に適当な光硬化性樹脂により被覆される。第７図に
図示の所望のバイアス磁石４４の形をした正方形マスク
（図示せず）が前記光硬化性樹脂上に露出され、得られ
た写像は周知の態様で現像される。非マスク領域は、４
３゜４４双方の層が前記マスクによって覆われていない
領域から除去されるまで、周知のイオン研削技術を用い
てイオン研削される。好適な実施例における正方形バイ
アス磁石４４の長さおよび奥行きは、いずれも、選択さ
れたｚ＝＝ｏ、ｏｏ１インチとなっている。

結果のＭＲ変換器の構造が、同７図に図示されている。

これは既に説明した第１図のＭＲ変換器アセンブリの好
適な実施例に対応する。

このように得られた第７図のＭＲ変換器アセンブリ２０
は、平行線Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄに沿ってさいの目に切られ、
所望の全体として変換器サイズが得られる。既述の如く
同じ基板２４で多数の変換器をバッチ製造する際、必要
なさいの目切セの段階でそれらは互いに隔絶される。結
果のＭＲ変換器２０Ｖｉ、前記の面部分２２で重ね合わ
され、輪郭がとられて例えば第３図の５２に図示の如く
所望の輪郭を得る。

これらの先行技術から、変換器面２２における重ね合わ
せ、および輪郭数りに対して十分な材料を提供するため
には、基板２４およびその上に設けられる各層が、完成
した変換器の所望の最終美行きを超える奥行きを有する
ようにつくられていなければならないことが判る。

本発明は、好適な実施例について説明されてきたが添付
の特許請求の範囲に記載された本発明の精神および範囲
から逸脱せずに改変ならびに変更がなされうることと理
解されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気抵抗変換器の好適な実施例の
斜視図であり、第２図は第１図の線Ａ−Ａで示された本
発明による変換器前部の拡大された立面図であり、第３
図は第２図の線Ｂ−ＢＫ沿って描かれた本発明による変
換器の断面図であり、第４図は第１図の本発明による変
換器の一部分を拡大した断片的平面図であり、かつ第５
図から第７図は第１図の本発明による変換器を製造する
種々の好適な方法の段階を示した図である。 図中、２０は磁気抵抗変換器、２２は該変換器の面、２
４は基板、２６は二酸化ケイ素の層、２７は導電層、２
８は磁気シールド、３０（ｌ−ｊ：ＩＢ気テープ、３２
は非磁性絶縁層、３４は磁気抵抗薄膜層、３６および３
８は導帯、４０は磁気抵抗素子、４２（ｄ非磁性絶縁層
、４３は導電層、４４はバイアス永久磁石、４８および
５０は前記導帯３６および３８の対向する端部、５６は
電源、を夫々示す。 ％　許出願人　　アムペックス　コーポレーション７Ｉ
［Ｅ　　４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）磁気媒体上に記録された信号を検出する磁気抵抗
   変換器において、前記装置は磁化容易軸を有する磁気抵
   抗素子と、前記素子と接触すると共に前記磁化容易軸方
   向に前記素子の長さを定めるよう互いに間隔を置いて並
   べられた対向する端部を有する一対の導帯と、および前
   記磁気抵抗素子に重畳されると共に前記磁気抵抗素子の
   磁化容易軸に対して選択された角度でほぼ均一なバイア
   ス磁界を与えるほぼ正方形のバイアス永久磁石とによつ
   て構成されていることを特徴とする上記磁気抵抗変換器
   。 （２）特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記
   バイアス永久磁石は前記磁化容易軸に対してほぼ４５度
   に向けられた前記バイアス磁界を与えることを特徴とす
   る上記磁気抵抗変換器。（３）特許請求の範囲第１項記
   載の装置において、前記装置は前記磁気抵抗素子に重畳
   されると共に前記磁気抵抗素子および前記バイアス永久
   磁石の少なくとも一つの外側に夫々配置される少なくと
   も一つの磁気シールドによつて構成されていることを特
   徴とする上記磁気抵抗変換器。（４）特許請求の範囲第
   １項記載の装置において、前記磁気抵抗素子は基板上に
   設けられた磁気抵抗層の一部として形成されており、該
   磁気抵抗層上には前記磁気抵抗素子の奥行きを定めるよ
   う前記磁化容易軸に垂直な方向に選択された奥行きを有
   する前記導帯が直接設けられることを特徴とする上記磁
   気抵抗変換器。 （５）特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記
   のほぼ正方形のバイアス永久磁石はその奥行きにほぼ等
   しい長さを有し、かつその奥行きおよび長さは前記磁気
   抵抗素子の前記長さに少なくとも等しいことを特徴とす
   る上記磁気抵抗変換器。 （６）特許請求の範囲第４項記載の装置において、前記
   磁気抵抗素子の前記長さは０．００１インチ以下である
   ことを特徴とする上記磁気抵抗変換器。（７）磁気媒体
   上に記録された信号を検出する磁気抵抗変換器において
   、前記装置は磁化容易軸を有する磁気抵抗層と、前記磁
   気抵抗層と接触して該磁気抵抗層上に設けられると共に
   前記磁化容易軸と並列に磁気抵抗素子の長さを定めるよ
   う互いに選択された間隔を置いて並べられた対向する端
   部を有し、前記磁化容易軸に垂直な方向に前記磁気抵抗
   素子の奥行きを定める奥行きを有する一対の導帯と、お
   よび前記磁気抵抗素子に重畳されると共に少なくとも前
   記磁気抵抗素子の前記長さに等しく、かつ前記磁化容易
   軸方向の磁気抵抗層の長さよりも小さいほぼ同じ長さな
   らびに奥行きを有するバイアス永久磁石とによつて構成
   されていることを特徴とする上記磁気抵抗変換器。 （８）特許請求の範囲第７項記載の装置において、前記
   バイアス永久磁石は前記磁化容易軸に対してほぼ４５度
   に向けられたバイアス磁界を与えることを特徴とする上
   記磁気抵抗変換器。 （９）磁気媒体上に記録された信号を検出する磁気抵抗
   変換器において、前記装置は磁化容易軸を有する磁気抵
   抗素子と、前記素子と接触して設けられていると共に前
   記磁化容易軸方向に前記磁気抵抗素子の長さを定めるよ
   う互いに選択された間隔を置いて並べられた対向する端
   部を有する一対の導帯と、および前記磁気抵抗素子に重
   畳されると共に少なくとも前記磁気抵抗素子の前記長さ
   に等しいほぼ同じ長さならびに奥行きを有し、前記磁化
   容易軸に対してほぼ４５度に向けられたバイアス磁界を
   与えるバイアス永久磁石層とによつて構成されているこ
   とを特徴とする上記磁気抵抗変換器。 （１０）磁気媒体上に記録された信号を検出する磁気抵
   抗変換器において、前記装置は基板によつて支持されて
   いると共に既知の磁化容易軸方向を有する磁気抵抗素子
   と、前記磁気抵抗素子と直接接触して設けられていると
   共に互いに選択された間隔を置いて並べられた対向する
   端部を有し、前記磁化容易軸方向に前記磁気抵抗素子の
   長さを定める一対の導帯と、前記磁気抵抗素子に重畳さ
   れると共に少なくとも前記磁気抵抗素子の前記長さに等
   しいほぼ同じ長さならびに奥行きを有し、前記磁化容易
   軸に対してほぼ４５度に向けられたバイアス磁界を発生
   するほぼ正方形のバイアス永久磁石層と、および前記磁
   気抵抗素子に重畳されると共に前記磁気抵抗素子および
   前記バイアス永久磁石の少なくとも一つの外側に夫々配
   置される少なくとも一つの磁気シールドとによつて構成
   されていることを特徴とする上記磁気抵抗変換器。