JPS62252510A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS62252510A JPS62252510A JP9478686A JP9478686A JPS62252510A JP S62252510 A JPS62252510 A JP S62252510A JP 9478686 A JP9478686 A JP 9478686A JP 9478686 A JP9478686 A JP 9478686A JP S62252510 A JPS62252510 A JP S62252510A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 6
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的」
（産業上の利用分野）
本発明は、高密度記録が行なわれる固定ヘッド弐ＰＣＭ
テーププレーヤ装置の再生磁気ヘッド等として使用され
る薄ｎ＊ｍ気ヘッドの構造に係り、特に、−軸異方性を
有する強磁性薄膜の磁化困難方向に印加された信号磁界
の変化を、磁化容易軸方向の電気抵抗変化として検出す
る磁気抵抗素子（以下ＭＲ素子と略す）を備えた薄膜磁
気ヘッド（以下ＭＲヘッドと略す）に関する。
テーププレーヤ装置の再生磁気ヘッド等として使用され
る薄ｎ＊ｍ気ヘッドの構造に係り、特に、−軸異方性を
有する強磁性薄膜の磁化困難方向に印加された信号磁界
の変化を、磁化容易軸方向の電気抵抗変化として検出す
る磁気抵抗素子（以下ＭＲ素子と略す）を備えた薄膜磁
気ヘッド（以下ＭＲヘッドと略す）に関する。
（従来技術・発明が解決しようとする問題点）ＭＲヘッ
ドは、磁気テープ等の磁気記録媒体に書き込まれた信号
磁界を受けることによって。
ドは、磁気テープ等の磁気記録媒体に書き込まれた信号
磁界を受けることによって。
ＭＲ素子内部の磁化方向が変化し、内部抵抗がそれに応
じて変わり、この内部抵抗の変化を外部出力として取り
出すように構成されている。
じて変わり、この内部抵抗の変化を外部出力として取り
出すように構成されている。
第６図は従来のＭＲヘッドの一例を示す斜視図である。
このＭＲヘッドは、Ｊ：下に配置された磁気シールド用
の高透磁率磁性体（図示しない）の間に、ＭＲ素子１．
ＭＲ素子ｌのリードとなる導体部２．バイアス用永久磁
石３が設けられている・このＭＲヘッドは、そのギャッ
プの先端から流入した磁束（矢印Ａ）によって、ＭＲ素
子ｌが磁化される。
の高透磁率磁性体（図示しない）の間に、ＭＲ素子１．
ＭＲ素子ｌのリードとなる導体部２．バイアス用永久磁
石３が設けられている・このＭＲヘッドは、そのギャッ
プの先端から流入した磁束（矢印Ａ）によって、ＭＲ素
子ｌが磁化される。
上記のように構成されたＭＲヘー、ドにおけるＭＲ素子
ｌは、入力磁界の方向が磁化困難軸方向になるように配
置されている。そのため、ＭＲ素子ｌの磁化が回転モー
ドで動く理想的な場合には、第６図に示すｙ方向の磁化
は、ｙ方向の磁界の１次関数となり、ＭＲ素子１の出力
は、第７図に示す特性曲線◎のように、入力磁界に対し
て、２次関数的に変化する。そして、ＭＲ素子１の出力
は、高磁界では、ｙ方向の磁化の飽和に伴ない飽和する
。
ｌは、入力磁界の方向が磁化困難軸方向になるように配
置されている。そのため、ＭＲ素子ｌの磁化が回転モー
ドで動く理想的な場合には、第６図に示すｙ方向の磁化
は、ｙ方向の磁界の１次関数となり、ＭＲ素子１の出力
は、第７図に示す特性曲線◎のように、入力磁界に対し
て、２次関数的に変化する。そして、ＭＲ素子１の出力
は、高磁界では、ｙ方向の磁化の飽和に伴ない飽和する
。
理想的なＭＲ素子１の出力は、上述したとおりであるが
、実際は、ｙ方向の磁化の変化が回転モードのみで起る
ことはなく、ＭＲ素子ｌ内で磁区分裂を起し、磁区の移
動を伴なうことが多い。
、実際は、ｙ方向の磁化の変化が回転モードのみで起る
ことはなく、ＭＲ素子ｌ内で磁区分裂を起し、磁区の移
動を伴なうことが多い。
特に、ＭＲ素子ｌのトラック幅が小さくなると。
静磁エネルギーの関係から、磁区の移動によるｙ方向の
磁化の変化が顕著になる。この磁区の移動は、バルク龜
へウゼン・ジャンプといわれ、ｙ方向の磁化の不連続な
変化を伴なう。
磁化の変化が顕著になる。この磁区の移動は、バルク龜
へウゼン・ジャンプといわれ、ｙ方向の磁化の不連続な
変化を伴なう。
上記の様子を、第７図ののに示す、この第７図の■で示
すバルク・ハウゼン・ジャンプ・ヒステリスは、再生出
力のノイズとなり、ＭＲヘッドのＳ／Ｎ比を大幅に劣化
させる。したがって、良好なＭＲヘッドを得るためには
、ＭＲ素子ｌのバルク・ハウゼン・ジャンプを抑制する
必要がある。
すバルク・ハウゼン・ジャンプ・ヒステリスは、再生出
力のノイズとなり、ＭＲヘッドのＳ／Ｎ比を大幅に劣化
させる。したがって、良好なＭＲヘッドを得るためには
、ＭＲ素子ｌのバルク・ハウゼン・ジャンプを抑制する
必要がある。
このバルク・ハウゼン会ジャンプを抑制するための手段
としては、ＭＲ素子ｌの磁化容易軸方向（長手方向）に
弱い磁界を加えることによって、そのＭＲ素子ｌを単磁
区状態にすればよいことが知られている。
としては、ＭＲ素子ｌの磁化容易軸方向（長手方向）に
弱い磁界を加えることによって、そのＭＲ素子ｌを単磁
区状態にすればよいことが知られている。
上記の磁化容易軸方向に磁界を加える手段としては１例
えば、特開昭８０−５９５１８号がある。この提案は、
第８図に示すように、ＭＲ素子１のリード２の下の部分
に、保持力の大きな強磁性体４を形成し、この強磁性体
４と、ＭＲ素子１を強磁性結合することにより、ＭＲ素
子ｌの磁化容易軸方向に弱い磁界Ｈｚが印加されるよう
に構成されている。
えば、特開昭８０−５９５１８号がある。この提案は、
第８図に示すように、ＭＲ素子１のリード２の下の部分
に、保持力の大きな強磁性体４を形成し、この強磁性体
４と、ＭＲ素子１を強磁性結合することにより、ＭＲ素
子ｌの磁化容易軸方向に弱い磁界Ｈｚが印加されるよう
に構成されている。
したがって、この磁界ＨｚによりＭＲ素子１を飽和させ
、！壁の発生、移動を阻止し、そのＭＲ素子ｌを単磁区
状態とし、バルク・ハウゼン会ジャンプを抑制すること
を可能にしている。
、！壁の発生、移動を阻止し、そのＭＲ素子ｌを単磁区
状態とし、バルク・ハウゼン会ジャンプを抑制すること
を可能にしている。
しかし、上記の提案においては、強磁性体４が必要であ
り、マルチトラックを構成した場合、全トラックの強磁
性体４を、同一方向に均一に着磁させなければならず、
また着磁後に大きな磁場にさらされると、再生出力が劣
化する虞れがある。
り、マルチトラックを構成した場合、全トラックの強磁
性体４を、同一方向に均一に着磁させなければならず、
また着磁後に大きな磁場にさらされると、再生出力が劣
化する虞れがある。
上記以外のバルクＯハウゼン・ジャンプを抑制する手段
としては、例えば、特開昭５１１−１１５２２号がある
・、この提案は、第９図に示すように、ＭＲ素子ｌの強
磁性薄膜表面に、複数のピッチＰを有する深さＤの凹凸
を形成し、異方性磁界をコントロールすることにより、
バルク・ハウゼン・ジャンプを抑制するように構成され
ている。
としては、例えば、特開昭５１１−１１５２２号がある
・、この提案は、第９図に示すように、ＭＲ素子ｌの強
磁性薄膜表面に、複数のピッチＰを有する深さＤの凹凸
を形成し、異方性磁界をコントロールすることにより、
バルク・ハウゼン・ジャンプを抑制するように構成され
ている。
この凹凸は、強磁性材料よりなる基板とに、フォトレジ
ストを用いて、場所によりピッチＰの異なるストライブ
パターンを形成し、イオンミーリングにより、深さＤの
凹凸が形成される。
ストを用いて、場所によりピッチＰの異なるストライブ
パターンを形成し、イオンミーリングにより、深さＤの
凹凸が形成される。
したがって、上記の提案においては、ＭＲヘッド生産工
程に、新たに上記したような微細な加工工程が追加され
るので、生産工程が複雑となり、また量産時における再
現性という点からも不利となる。
程に、新たに上記したような微細な加工工程が追加され
るので、生産工程が複雑となり、また量産時における再
現性という点からも不利となる。
本発明の目的とするところは、上記した従来技術の問題
点を解消すると共に、ＭＲ素子のバルク・ハウゼン・ジ
ャンプを抑制することができるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
点を解消すると共に、ＭＲ素子のバルク・ハウゼン・ジ
ャンプを抑制することができるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
「発明の構成」
（問題点を解決するための手段）
本発明に係るＭＲヘッドは、ＭＲ素子の磁化容易軸方向
（ＭＲ素子の長手方向）に、単数または複数の段差を設
けることによって、問題の解決を図っている。
（ＭＲ素子の長手方向）に、単数または複数の段差を設
けることによって、問題の解決を図っている。
（作用）
ＭＲ素子の磁化容易軸方向に段差を設けることにより、
その段差は磁壁の発生を誘発し、この段差の部分にＦａ
壁が形成される。
その段差は磁壁の発生を誘発し、この段差の部分にＦａ
壁が形成される。
この磁壁は、磁気記録媒体からのランダムな磁束の流入
に対しても、常に段差の部分に止まり、移動しない、す
なわち、この段差は、磁壁の発生を誘発するが、磁壁の
移動を阻止し、結果として、磁壁の移動に伴うバルク・
ハウゼン会ジャンプを抑制し、再生出力のノイズを減少
させることができる。
に対しても、常に段差の部分に止まり、移動しない、す
なわち、この段差は、磁壁の発生を誘発するが、磁壁の
移動を阻止し、結果として、磁壁の移動に伴うバルク・
ハウゼン会ジャンプを抑制し、再生出力のノイズを減少
させることができる。
（実施例）
本発明に係るＭＲヘッドの実施例を第１図乃至第５図に
基づいて説明する。第１図乃至第３図は、本発明の第１
の実施例を示すもので、第１図はＭＲヘッドの構造の要
部を示す斜視図、第２図は平面図、第３図は側面図であ
る。第４図および第５図は第２の実施例を示すもので、
第４図は平面図、第５図は側面図である。
基づいて説明する。第１図乃至第３図は、本発明の第１
の実施例を示すもので、第１図はＭＲヘッドの構造の要
部を示す斜視図、第２図は平面図、第３図は側面図であ
る。第４図および第５図は第２の実施例を示すもので、
第４図は平面図、第５図は側面図である。
まず、第１図乃至第３図に示す第１の実施例につき説明
する。
する。
図中、ｌはＭＲ素子、２はＭＲ素子のリードとなる導体
、５はＭＲ素子ｌの本来磁壁の発生し易い、磁化容易軸
方向（ＭＲ素子ｌの長手方向）の中心に設けた段差であ
る。この段差５は、ＭＲ素子１の下部層（基板）を、イ
オンビーム等で、約５０Ａ〜数百Ａ程度エツチングして
段差を形成し、その上に、パーマロイ等のＭＲ素子膜を
蒸着、スパッタ等で形成し、イオンビーム等により、所
望の形状にエツチングして形成する。
、５はＭＲ素子ｌの本来磁壁の発生し易い、磁化容易軸
方向（ＭＲ素子ｌの長手方向）の中心に設けた段差であ
る。この段差５は、ＭＲ素子１の下部層（基板）を、イ
オンビーム等で、約５０Ａ〜数百Ａ程度エツチングして
段差を形成し、その上に、パーマロイ等のＭＲ素子膜を
蒸着、スパッタ等で形成し、イオンビーム等により、所
望の形状にエツチングして形成する。
なお、この第１図乃至第３図に示すＭＲへ一７ドの構造
は、磁気シールドおよびバイアス用薄膜等の部分を省略
している。
は、磁気シールドおよびバイアス用薄膜等の部分を省略
している。
上記のようにしてＭＲ素子１に形成された段差５は、磁
壁の発生を誘発し、この段差５の部分に磁壁が形成され
る。この磁壁は、磁気記録媒体からのランダムな磁束の
流入に対しても、常に段差５の部分に止まり、移動しな
い、つまり、この段差５は、磁壁の発生を誘発するが磁
壁の移動を阻止し、磁壁の移動に伴うバルク・ハウゼン
・ノイズを減少させることができる。したがって、ＭＲ
ヘッドのＳ／Ｎ比を改善することができる。
壁の発生を誘発し、この段差５の部分に磁壁が形成され
る。この磁壁は、磁気記録媒体からのランダムな磁束の
流入に対しても、常に段差５の部分に止まり、移動しな
い、つまり、この段差５は、磁壁の発生を誘発するが磁
壁の移動を阻止し、磁壁の移動に伴うバルク・ハウゼン
・ノイズを減少させることができる。したがって、ＭＲ
ヘッドのＳ／Ｎ比を改善することができる。
次に、第４図乃至第５図に示す、第２図の実施例につき
説明する。
説明する。
この第２の実施例は、ＭＲ素子１の磁化容易軸方向に、
２つの段差５ａ、５ｂを設けたものである。
２つの段差５ａ、５ｂを設けたものである。
なお、丘記第１および第２の実施例では、段差をＭＲ素
子の長手方向に設けた場合について述べたが、ＭＲ素子
を複数の磁区に分割する場合においては、その磁区と同
様な段差を設けてもよい。
子の長手方向に設けた場合について述べたが、ＭＲ素子
を複数の磁区に分割する場合においては、その磁区と同
様な段差を設けてもよい。
「発明の効果」
本発明に係るＭＲヘッドによれば１ＭＲ素子に単数また
は複数の段差を設けることにより、バルク・ハウゼン・
ジャンプを抑制したＳ／Ｎ比の良好な安定性のよいＭＲ
ヘッドを実現することができる。また、単数または複数
の段差をＭＲ素子に設けるだけでよいから、生部工程も
簡単であり再現性にも勝れたＭＲヘッドを提供すること
ができる。
は複数の段差を設けることにより、バルク・ハウゼン・
ジャンプを抑制したＳ／Ｎ比の良好な安定性のよいＭＲ
ヘッドを実現することができる。また、単数または複数
の段差をＭＲ素子に設けるだけでよいから、生部工程も
簡単であり再現性にも勝れたＭＲヘッドを提供すること
ができる。
第１図乃至第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施
例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は平面図、第
３図は第２図の側面図、第４図は平面図、ｗＩＪ５図は
第４図の側面図である。 第６図乃至第９図は従来例を示すもので、第６図は従来
の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第７図はバルク・ハウゼン
・ジャンプの発生した薄膜磁気ヘッドの応答特性図、第
８図および第９図は従来の薄膜磁気ヘッドの構成要部を
示す斜視図である。 １：磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子） ２：リードとなる導体 ５：段差 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第８図
例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は平面図、第
３図は第２図の側面図、第４図は平面図、ｗＩＪ５図は
第４図の側面図である。 第６図乃至第９図は従来例を示すもので、第６図は従来
の薄膜磁気ヘッドの斜視図、第７図はバルク・ハウゼン
・ジャンプの発生した薄膜磁気ヘッドの応答特性図、第
８図および第９図は従来の薄膜磁気ヘッドの構成要部を
示す斜視図である。 １：磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子） ２：リードとなる導体 ５：段差 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一軸異方性を有する強磁性薄膜の磁化困難軸方向に印加
される信号磁界の変化を、磁化容易軸方向の電気抵抗変
化として検出する磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸方向に、単数または
複数の段差を設け、バルク・ハウゼン・ジャンプを抑制
するように構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9478686A JPS62252510A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 薄膜磁気ヘツド |
| DE8686905935T DE3686715T2 (de) | 1985-10-09 | 1986-10-08 | Verfahren zur herstellung von kohlenstoffasern. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9478686A JPS62252510A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252510A true JPS62252510A (ja) | 1987-11-04 |
Family
ID=14119758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9478686A Pending JPS62252510A (ja) | 1985-10-09 | 1986-04-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252510A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580027A2 (en) * | 1992-07-20 | 1994-01-26 | Read-Rite Corporation | Thin film magnetic head |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6238519A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-19 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP9478686A patent/JPS62252510A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6238519A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-19 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580027A2 (en) * | 1992-07-20 | 1994-01-26 | Read-Rite Corporation | Thin film magnetic head |
| EP0580027A3 (ja) * | 1992-07-20 | 1994-08-03 | Read Rite Corp |
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