JPS6238519A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6238519A JPS6238519A JP17913485A JP17913485A JPS6238519A JP S6238519 A JPS6238519 A JP S6238519A JP 17913485 A JP17913485 A JP 17913485A JP 17913485 A JP17913485 A JP 17913485A JP S6238519 A JPS6238519 A JP S6238519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetoresistive
- sensing part
- bias
- width direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの改良に関する。
本発明は、センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部と
、この磁気抵抗効果感磁部に対しトラック幅方向と略直
交する方向にバイアス磁界を与えるバイアス手段とを有
する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果
感磁部にトラック幅方向と略直交する方向に段差を設け
ることにより、磁気抵抗効果感磁部の磁気異方性の熱的
安定性が高まり、磁気抵抗効果感磁部に対する磁気バイ
アスを最適に調整し得、感度が高く、バルクハウゼンノ
イズの発生し難く成るようにしたものである。
、この磁気抵抗効果感磁部に対しトラック幅方向と略直
交する方向にバイアス磁界を与えるバイアス手段とを有
する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果
感磁部にトラック幅方向と略直交する方向に段差を設け
ることにより、磁気抵抗効果感磁部の磁気異方性の熱的
安定性が高まり、磁気抵抗効果感磁部に対する磁気バイ
アスを最適に調整し得、感度が高く、バルクハウゼンノ
イズの発生し難く成るようにしたものである。
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、単層の磁気抵抗効
果感磁部を用い、これにセンス電流を流すと共に、バイ
アス手段によってこの磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁
界を与えて、センス電流の流れる方向に対する磁化の方
向の角度を所定値に選定し、磁気媒体よりの磁界によっ
て磁気抵抗効果感磁部の電気抵抗を変化させることによ
り、磁気媒体に記録された磁気信号をリニアな特性を以
って再生し得るようにしていた。
果感磁部を用い、これにセンス電流を流すと共に、バイ
アス手段によってこの磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁
界を与えて、センス電流の流れる方向に対する磁化の方
向の角度を所定値に選定し、磁気媒体よりの磁界によっ
て磁気抵抗効果感磁部の電気抵抗を変化させることによ
り、磁気媒体に記録された磁気信号をリニアな特性を以
って再生し得るようにしていた。
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、単層の磁気抵抗効
果感磁部を用いているため、これにトラック幅方向の磁
気異方性を持たせても、熱的に不安定で、信頼性に乏し
く、又、環流磁区の磁壁移動により、バルクハウゼンノ
イズが発生するという欠点があった。
果感磁部を用いているため、これにトラック幅方向の磁
気異方性を持たせても、熱的に不安定で、信頼性に乏し
く、又、環流磁区の磁壁移動により、バルクハウゼンノ
イズが発生するという欠点があった。
そこで、かかる欠点を改善するために、磁気抵抗効果感
磁部の面内に互いに平行な凹部又は凸部を設けて、最適
なバイアス状態を実現し得るようにした技術が、特開昭
６０−１３３１９号に開示されている。
磁部の面内に互いに平行な凹部又は凸部を設けて、最適
なバイアス状態を実現し得るようにした技術が、特開昭
６０−１３３１９号に開示されている。
〔発明が解決しようとする問題点］
しかし、かかる特開昭６０−１３３１９号に開示されて
いる技術では、磁気抵抗効果感磁部にそのトラック幅方
向に対し斜めに延在する凹部又は凸部が形成されている
ため、次のような問題があった。これを第７図を参照し
て説明しよう。第７図に於いて、（４）は磁気抵抗効果
感磁部を示す。
いる技術では、磁気抵抗効果感磁部にそのトラック幅方
向に対し斜めに延在する凹部又は凸部が形成されている
ため、次のような問題があった。これを第７図を参照し
て説明しよう。第７図に於いて、（４）は磁気抵抗効果
感磁部を示す。
この磁気抵抗効果感磁部（４）には、トラック幅方向に
センス電流Ｉｓが流され、このトラック幅方向に対し斜
めに延在する一本の凹部（４α）が形成されているもの
とする。かくすると、磁気抵抗効果感磁部（４）の凹部
（４α）によって区切られた領域（４ａ）、（４ｂ）に
は、凹部（４α）と平行な方向に磁気異方性が形成され
、このため領域（４ａ）、（４ｂ）の磁化は、Ｍｌ 、
Ｍ２に示す如く凹部（４α）と同じ方向（トラ、り幅方
向に対し夫々θ１０、θ２ｏの角度を有する）で、互い
に逆向きとなる。この状態で、磁気抵抗効果感磁部（４
）にトラック幅方向と直交する方向に外部磁界ＨＯが与
えられると、磁化Ｍｌ 、Ｍ２はこの外部磁界Ｈ０との
ベクトル合成により、夫々Ｍｓ１、Ｍｕの如く、夫々反
時計方向及び時計方向にθ１□−θ１ｏ、θ２□−θ２
ｏだけ回転する。
センス電流Ｉｓが流され、このトラック幅方向に対し斜
めに延在する一本の凹部（４α）が形成されているもの
とする。かくすると、磁気抵抗効果感磁部（４）の凹部
（４α）によって区切られた領域（４ａ）、（４ｂ）に
は、凹部（４α）と平行な方向に磁気異方性が形成され
、このため領域（４ａ）、（４ｂ）の磁化は、Ｍｌ 、
Ｍ２に示す如く凹部（４α）と同じ方向（トラ、り幅方
向に対し夫々θ１０、θ２ｏの角度を有する）で、互い
に逆向きとなる。この状態で、磁気抵抗効果感磁部（４
）にトラック幅方向と直交する方向に外部磁界ＨＯが与
えられると、磁化Ｍｌ 、Ｍ２はこの外部磁界Ｈ０との
ベクトル合成により、夫々Ｍｓ１、Ｍｕの如く、夫々反
時計方向及び時計方向にθ１□−θ１ｏ、θ２□−θ２
ｏだけ回転する。
ところで、磁気抵抗効果感磁部（４）の比抵抗は磁化の
方向とバイアス電流Ｉｓの方向とのなす角度θのｃｏｓ
の二乗の一次結合で表される。従って、この場合は磁気
抵抗効果感磁部（４）の各領域（４ａ）、（４ｂ）に於
ける抵抗変化は逆向きで略相殺されてしまう。
方向とバイアス電流Ｉｓの方向とのなす角度θのｃｏｓ
の二乗の一次結合で表される。従って、この場合は磁気
抵抗効果感磁部（４）の各領域（４ａ）、（４ｂ）に於
ける抵抗変化は逆向きで略相殺されてしまう。
又、この従来の磁気抵抗効果感磁部（４）では、これに
与えるバイアス状態のばらつきを制御するのが困難であ
る。
与えるバイアス状態のばらつきを制御するのが困難であ
る。
更に、この従来の磁気抵抗効果感磁部（４）では、その
凹部又は凸部の方向と外部磁界の方向とのなす角度が略
４５°付近なので、バルクハウゼンノイズも頗る発生し
易い。
凹部又は凸部の方向と外部磁界の方向とのなす角度が略
４５°付近なので、バルクハウゼンノイズも頗る発生し
易い。
かかる点に鑑み本発明は、磁気抵抗効果感磁部の磁気異
方性の熱的安定性が高まり、磁気抵抗効果感磁部に対す
る磁気バイアスを最適に調整し得、感度が高く、バルク
ハウゼンノイズの発生し難い磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を提案しようとするものである。
方性の熱的安定性が高まり、磁気抵抗効果感磁部に対す
る磁気バイアスを最適に調整し得、感度が高く、バルク
ハウゼンノイズの発生し難い磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を提案しようとするものである。
本発明は、センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部（
４）と、この磁気抵抗効果感磁部（４）に対しトラック
幅方向と略直交する方向にバイアス磁界を与えるバイア
ス手段（バイアス導体）（５）とを有する磁気抵抗効果
型磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果感磁部（４）にト
ラック幅方向と略直交する方向に段差を設けるものであ
る。
４）と、この磁気抵抗効果感磁部（４）に対しトラック
幅方向と略直交する方向にバイアス磁界を与えるバイア
ス手段（バイアス導体）（５）とを有する磁気抵抗効果
型磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果感磁部（４）にト
ラック幅方向と略直交する方向に段差を設けるものであ
る。
かかる本発明によれば、磁気抵抗効果感磁部（４）にト
ラック幅方向と略直交する方向にバイアス磁界が与えら
れると共に、磁気抵抗効果感磁部（４）の凹部又は凸部
で区切られた領域の磁化の方向が同じで、互いに逆向き
となり、且つその磁化の方向がトラック幅方向と略一致
するので、磁気抵抗効果感磁部の磁気異方性の熱的安定
性が高まり、磁気抵抗効果感磁部に対する磁気バイアス
を最適に調整し得、感度が高（、バルクハウゼンノイズ
の発生し難く成る。
ラック幅方向と略直交する方向にバイアス磁界が与えら
れると共に、磁気抵抗効果感磁部（４）の凹部又は凸部
で区切られた領域の磁化の方向が同じで、互いに逆向き
となり、且つその磁化の方向がトラック幅方向と略一致
するので、磁気抵抗効果感磁部の磁気異方性の熱的安定
性が高まり、磁気抵抗効果感磁部に対する磁気バイアス
を最適に調整し得、感度が高（、バルクハウゼンノイズ
の発生し難く成る。
以下に、第１図を参照して、本発明の一実施例を詳細に
説明する。第１図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎ １−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板であ
る。（２）は磁気媒体対接面側に配された、ＭＯパーマ
ロイ、センダスト等から成る一方の磁性コアである。（
３）は、その一端が磁性コア（２）の端部に所定間隔を
置いて対向し、他端が磁性基板（１）に磁気的に連結さ
れた、磁性コア（２）と同じ材料から成る他方の磁性コ
アである。（４）は磁気抵抗効果！’ｊ３ＶＡ部（ＭＲ
感磁部）で、その両端が磁性コア（２）、（３）の対向
した両端部に近接する如く配される。
説明する。第１図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎ １−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板であ
る。（２）は磁気媒体対接面側に配された、ＭＯパーマ
ロイ、センダスト等から成る一方の磁性コアである。（
３）は、その一端が磁性コア（２）の端部に所定間隔を
置いて対向し、他端が磁性基板（１）に磁気的に連結さ
れた、磁性コア（２）と同じ材料から成る他方の磁性コ
アである。（４）は磁気抵抗効果！’ｊ３ＶＡ部（ＭＲ
感磁部）で、その両端が磁性コア（２）、（３）の対向
した両端部に近接する如く配される。
（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁性コア（３）
及び磁性基板（１）間に配される。この場合、バイアス
導体（５）は磁気抵抗効果感磁部（４）からＭｉすれて
いるので、これより発生するジュール熱によって、磁気
抵抗効果感磁部（４）のＳ／Ｎが低下する虞はない。こ
のバイアス導体（５）には紙面に垂直な方向にバイアス
電流が流され、これによりその周囲にバイアス磁界が発
生する。このバイアス磁界は、磁性コア（２）、（３）
及び磁性基板（１）を介して、トラック幅方向と略直交
する方向に磁気抵抗効果感磁部（４）に与えられる。尚
、バイアス導体（５）を省略し、磁気抵抗効果感磁部（
４）に流されるセンス電流によって発生する磁界によっ
て、磁気抵抗効果感磁部（４）にセルフバイアス磁界を
与えるようにしても良い。
及び磁性基板（１）間に配される。この場合、バイアス
導体（５）は磁気抵抗効果感磁部（４）からＭｉすれて
いるので、これより発生するジュール熱によって、磁気
抵抗効果感磁部（４）のＳ／Ｎが低下する虞はない。こ
のバイアス導体（５）には紙面に垂直な方向にバイアス
電流が流され、これによりその周囲にバイアス磁界が発
生する。このバイアス磁界は、磁性コア（２）、（３）
及び磁性基板（１）を介して、トラック幅方向と略直交
する方向に磁気抵抗効果感磁部（４）に与えられる。尚
、バイアス導体（５）を省略し、磁気抵抗効果感磁部（
４）に流されるセンス電流によって発生する磁界によっ
て、磁気抵抗効果感磁部（４）にセルフバイアス磁界を
与えるようにしても良い。
（６）は上述の各部材間に充填された５ｉ０２等の非磁
性絶縁層である。磁性コア（２）、磁性基板（１）及び
その間の非磁性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に
対する対接面とされる。
性絶縁層である。磁性コア（２）、磁性基板（１）及び
その間の非磁性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に
対する対接面とされる。
次ぎに、第４図を参照して、磁気抵抗効果感磁部（４）
の構成を説明する。この磁気抵抗効果感磁部（４）は、
Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金等から成る。この磁気
抵抗効果感磁部（４）には、そのトラック幅方向にセン
ス電流Ｉｓが流される。
の構成を説明する。この磁気抵抗効果感磁部（４）は、
Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金等から成る。この磁気
抵抗効果感磁部（４）には、そのトラック幅方向にセン
ス電流Ｉｓが流される。
そして、磁気抵抗効果感磁部（４）のトラック幅方向と
略直交する方向に段差が設けられる。即ら、本例では、
磁気抵抗効果感磁部（４）に所定間隔を置いて２本の凹
溝（４ｄ）、（４ｅ）を設ける。
略直交する方向に段差が設けられる。即ら、本例では、
磁気抵抗効果感磁部（４）に所定間隔を置いて２本の凹
溝（４ｄ）、（４ｅ）を設ける。
か（して、磁気抵抗効果感磁部（４）は凹溝（４ｄ）、
（４ｅ）にて分離された、中央の領域（４ａ）及びその
両側の領域（４ｂ）、（４Ｃ）に区切られる。そして、
これら中央の領域（４ａ）及びその両側の領域（４ｂ）
、（４Ｃ）にトラック幅方向Ｘの磁気異方性を付与する
。この磁気異方性の大きさは、凹溝（４ｄ）、（４ｅ）
の深さ、幅、密度によって選定する。尚、凹溝の数は一
本でも、三本以上でも良く、凹溝の代わりに凸条でも良
い。
（４ｅ）にて分離された、中央の領域（４ａ）及びその
両側の領域（４ｂ）、（４Ｃ）に区切られる。そして、
これら中央の領域（４ａ）及びその両側の領域（４ｂ）
、（４Ｃ）にトラック幅方向Ｘの磁気異方性を付与する
。この磁気異方性の大きさは、凹溝（４ｄ）、（４ｅ）
の深さ、幅、密度によって選定する。尚、凹溝の数は一
本でも、三本以上でも良く、凹溝の代わりに凸条でも良
い。
かくして、これら中央の領域（４ａ）及びその両側の領
域（４ｂ）、（４Ｃ）の各磁化は夫々Ｍｌ 、Ｍ２ 、
Ｍ３に示す如く、方向が同じで、向きが交互に逆と成る
。
域（４ｂ）、（４Ｃ）の各磁化は夫々Ｍｌ 、Ｍ２ 、
Ｍ３に示す如く、方向が同じで、向きが交互に逆と成る
。
第５図は、バイアス導体（５）を磁気抵抗効果感磁部（
４）に仮に近接させて、これに流れるバイアス電流１ｂ
によって発生し、磁気抵抗効果感磁部（４）にそのトラ
ック幅方向と直交する方向に与えられるバイアス磁界Ｈ
ｏと、磁気抵抗効果感磁部（４）の各領域の磁化の関係
を示す。例えば、磁気抵抗効果感磁部（４）の領域（４
ａ）の磁化Ｍ１は、バイアス磁界Ｈ０とのベクトル合成
により、ＭＨの如くθだけ反時計方向に回転する。そし
て、この角度θをバイアス導体（５）に流すバイアス電
流及び上述の磁気抵抗効果感磁部（４）の凹溝（４ｄ）
、（４ｅ）の幅、深さ及び密度によって選定する。
４）に仮に近接させて、これに流れるバイアス電流１ｂ
によって発生し、磁気抵抗効果感磁部（４）にそのトラ
ック幅方向と直交する方向に与えられるバイアス磁界Ｈ
ｏと、磁気抵抗効果感磁部（４）の各領域の磁化の関係
を示す。例えば、磁気抵抗効果感磁部（４）の領域（４
ａ）の磁化Ｍ１は、バイアス磁界Ｈ０とのベクトル合成
により、ＭＨの如くθだけ反時計方向に回転する。そし
て、この角度θをバイアス導体（５）に流すバイアス電
流及び上述の磁気抵抗効果感磁部（４）の凹溝（４ｄ）
、（４ｅ）の幅、深さ及び密度によって選定する。
尚、磁気抵抗効果感磁部（４）と磁性コア（２）、（３
）の対向位置関係は、第１図では磁性コア（２）、（３
）の端部が夫々磁気抵抗効果感磁部（４）の領域（４ｂ
）、（４Ｃ）に対向しているが、領域（４ｂ）、（４ｃ
）及び凹溝（４ｄ）、（４ｅ）に対向させるようにして
も良い。
）の対向位置関係は、第１図では磁性コア（２）、（３
）の端部が夫々磁気抵抗効果感磁部（４）の領域（４ｂ
）、（４Ｃ）に対向しているが、領域（４ｂ）、（４ｃ
）及び凹溝（４ｄ）、（４ｅ）に対向させるようにして
も良い。
次ぎに、第６図を参照して、上述の磁気抵抗効果感磁部
（４）の動作を説明する。上述したように、磁気抵抗効
果感磁部（４）に、トラック幅方向にセンス電流■が流
され、その磁気抵抗効果感磁部（４）の各領域（４ａ）
、（４ｂ）、（４Ｃ）にセンス電流Ｉと同じ方向の磁気
異方性が付与される。従って、磁気抵抗効果感磁部（４
）の各領域（４ａ）、（４ｂ）、（４Ｃ）の磁化Ｍ１
％ Ｍ２、Ｍ３は、磁気異方性の方向Ｘと同じ方向で、
向きが互いに逆で、絶対値が等しい。そこで、磁気抵抗
効果感磁部（４）に、例えばトラック幅方向と直交する
方向にバイアス磁界ＨＯを与えると、両磁気抵抗効果感
磁部（４Ａ）、（４Ｃ）の磁化Ｍ１、Ｍ２はベクトル合
成により、夫々Ｍ１ｔ、Ｍ２１、Ｍ３１の如くθ１１、
θ２１・θ３１だけ反時計方向に回転する。
（４）の動作を説明する。上述したように、磁気抵抗効
果感磁部（４）に、トラック幅方向にセンス電流■が流
され、その磁気抵抗効果感磁部（４）の各領域（４ａ）
、（４ｂ）、（４Ｃ）にセンス電流Ｉと同じ方向の磁気
異方性が付与される。従って、磁気抵抗効果感磁部（４
）の各領域（４ａ）、（４ｂ）、（４Ｃ）の磁化Ｍ１
％ Ｍ２、Ｍ３は、磁気異方性の方向Ｘと同じ方向で、
向きが互いに逆で、絶対値が等しい。そこで、磁気抵抗
効果感磁部（４）に、例えばトラック幅方向と直交する
方向にバイアス磁界ＨＯを与えると、両磁気抵抗効果感
磁部（４Ａ）、（４Ｃ）の磁化Ｍ１、Ｍ２はベクトル合
成により、夫々Ｍ１ｔ、Ｍ２１、Ｍ３１の如くθ１１、
θ２１・θ３１だけ反時計方向に回転する。
更に、このバイアス磁界Ｈｏに信号磁界Ｈ７が加算され
れば、各磁化Ｍ１、Ｍ２ 、Ｍ３はベクトル合成により
、夫々Ｍ１２、Ｍ２２、Ｍ３２の如くθ、２、θ２２、
θ３２だけ反時計方向に回転する。尚、磁気抵抗効果感
磁部（４）の比抵抗は、センス電流Ｉの方向に対する磁
化の方向の角度θのｃｏｓの２乗の一次結合で表される
から、領域（４ａ）、（４ｂ）（４ｃ）の外部磁界によ
る電気抵抗の変化は同じ向きと成る。
れば、各磁化Ｍ１、Ｍ２ 、Ｍ３はベクトル合成により
、夫々Ｍ１２、Ｍ２２、Ｍ３２の如くθ、２、θ２２、
θ３２だけ反時計方向に回転する。尚、磁気抵抗効果感
磁部（４）の比抵抗は、センス電流Ｉの方向に対する磁
化の方向の角度θのｃｏｓの２乗の一次結合で表される
から、領域（４ａ）、（４ｂ）（４ｃ）の外部磁界によ
る電気抵抗の変化は同じ向きと成る。
次ぎに、第２図を参照して、本発明の他の実施例を説明
する。第２図に於いて、（１）はＭ ｎ −Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭｏパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（８）は磁性体で、その一端が磁気ヨーク
（７）に磁気的に連結され、その他端が磁気抵抗効果感
磁部（４）に近接配置される。
する。第２図に於いて、（１）はＭ ｎ −Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭｏパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（８）は磁性体で、その一端が磁気ヨーク
（７）に磁気的に連結され、その他端が磁気抵抗効果感
磁部（４）に近接配置される。
（５Ａ）、（５Ｂ）は夫々、磁性体（８）の上下に配さ
れた、銅等から成る一対のバイアス導体で、紙面に垂直
な方向において、互いに逆向きにバイアス電流がながさ
れ、これによりその周囲に発生したバイアス磁界が、磁
気ヨーク（７）、磁性体（８）及び磁性基板（１）を介
して磁気抵抗効果感磁部（４）に加算的に与えられる。
れた、銅等から成る一対のバイアス導体で、紙面に垂直
な方向において、互いに逆向きにバイアス電流がながさ
れ、これによりその周囲に発生したバイアス磁界が、磁
気ヨーク（７）、磁性体（８）及び磁性基板（１）を介
して磁気抵抗効果感磁部（４）に加算的に与えられる。
この場合、バイアス導体（５Ａ）、（５Ｂ）に流される
バイアス電流によって、磁気ヨーク（７）及び磁性基板
（１）に流れる磁束は略相殺され、これにより磁気ヨー
ク（７）及び磁性基板（１）に流れる磁束によって発生
するバルクハウゼンノイズは減少せしめられる。
バイアス電流によって、磁気ヨーク（７）及び磁性基板
（１）に流れる磁束は略相殺され、これにより磁気ヨー
ク（７）及び磁性基板（１）に流れる磁束によって発生
するバルクハウゼンノイズは減少せしめられる。
（６）は上述の各部材間に充填された５ｉ０２等の非磁
性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（１）、
磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁層（
６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされる。
性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（１）、
磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁層（
６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされる。
尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例と同様で
ある。
ある。
次ぎに、第３図を参照して、本発明の更に他の実施例を
説明する。第２図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭｏパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部ＣＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁
気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に於いて磁気抵抗
効果感磁部（４）の後方に配されている。
説明する。第２図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭｏパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部ＣＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁
気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に於いて磁気抵抗
効果感磁部（４）の後方に配されている。
（６）は上述の各部材間に充填されたＳ ｉ ｏ２等か
らなる非磁性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基
板（１）、磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間のひ磁
性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面
とされる尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例
と同様である。
らなる非磁性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基
板（１）、磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間のひ磁
性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面
とされる尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例
と同様である。
上述せる本発明によれば、磁気抵抗効果感磁部の磁気異
方性の熱的安定性が高まり、磁気抵抗効果感磁部に対す
る磁気バイアスを最適に調整し得、感度が高く、バルク
ハウゼンノイズの発生し難くい磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを得ることができる。
方性の熱的安定性が高まり、磁気抵抗効果感磁部に対す
る磁気バイアスを最適に調整し得、感度が高く、バルク
ハウゼンノイズの発生し難くい磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを得ることができる。
第１図、第２図及び第３図は夫々本発明の各実隋例を示
す断面図、第４図は各実施例における磁気抵抗効果感磁
部を示す斜視図、第５図は各実旌列における磁気抵抗効
果感磁部とバイアス導体との関連を示す斜視図、第６図
はその磁気抵抗効果ざ磁部の動作説明に供する線図、第
７図は従来の硅気抵抗効果型磁気ヘッドに於ける磁気抵
抗効果感磁部の平面図である。 （１）は磁性基板、（２）、（３）は磁性コア、（４）
は磁気抵抗効果感磁部、（４ｄ）、（４ｅ）は凹溝、（
５）、（５Ａ）、（５Ｂ）は夫々バイアス導体、（６）
は非磁性絶縁層、（７）は磁気ヨーク、（８）は磁性体
である。 第３図 各其ｆ；ｆ！４Ｆｌ＋＝おけるＭＲ瀝礒邪の斜視因業４
図 第５図 臘泉ケ１ＦＮＩｊるＭＲ悉戚邦の阜面回第１図
す断面図、第４図は各実施例における磁気抵抗効果感磁
部を示す斜視図、第５図は各実旌列における磁気抵抗効
果感磁部とバイアス導体との関連を示す斜視図、第６図
はその磁気抵抗効果ざ磁部の動作説明に供する線図、第
７図は従来の硅気抵抗効果型磁気ヘッドに於ける磁気抵
抗効果感磁部の平面図である。 （１）は磁性基板、（２）、（３）は磁性コア、（４）
は磁気抵抗効果感磁部、（４ｄ）、（４ｅ）は凹溝、（
５）、（５Ａ）、（５Ｂ）は夫々バイアス導体、（６）
は非磁性絶縁層、（７）は磁気ヨーク、（８）は磁性体
である。 第３図 各其ｆ；ｆ！４Ｆｌ＋＝おけるＭＲ瀝礒邪の斜視因業４
図 第５図 臘泉ケ１ＦＮＩｊるＭＲ悉戚邦の阜面回第１図
Claims (1)
- センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部と、該磁気抵
抗効果感磁部に対しトラック幅方向と略直交する方向に
バイアス磁界を与えるバイアス手段とを有する磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに於いて、上記磁気抵抗効果感磁部に
トラック幅方向と略直交する方向に段差を設けたことを
特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17913485A JPS6238519A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17913485A JPS6238519A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6238519A true JPS6238519A (ja) | 1987-02-19 |
Family
ID=16060577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17913485A Pending JPS6238519A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6238519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252510A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Kenwood Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP17913485A patent/JPS6238519A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252510A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Kenwood Corp | 薄膜磁気ヘツド |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4698711A (en) | Simplified, shielded twin-track read/write head structure | |
| US4896235A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US4816947A (en) | Single track vertical and horizontal recording read/write head design | |
| US5461527A (en) | Magneto-resistive head | |
| JPH0259522B2 (ja) | ||
| JPH11102508A (ja) | 薄膜磁気変換器 | |
| JPH07192229A (ja) | 複式磁気抵抗ヘッド | |
| US4860138A (en) | Differentially sensitive single track read/write head design with improved biasing | |
| JP2924875B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPS6238519A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP2003077107A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2000311317A (ja) | スピンバルブ磁気抵抗センサ及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド | |
| JP2508475B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0440776B2 (ja) | ||
| JP2661560B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JP2658868B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JP2564262B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
| JP2596010B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH08147631A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JPS60157712A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH08203032A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPS6238520A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS61196417A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2642923B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS63108519A (ja) | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |