JPS62159317A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関し、特に再生
信号に重畳して読出される外来ノイズ等によるＳ／Ｎ比
の低下を軽減するのに好適な磁気ヘッドの構造に関する
ものである。

〔発明の背景〕

従来、磁気記録装置は、益々高密度化されてきているが
、それを実現するために磁気ヘッドは、薄膜技術による
薄膜ヘッドが用いられつつある。

その中で、強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した磁気抵
抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲへラドと称す）は、再
生出力が記録媒体と磁気ヘッドとの相対速度に依存せず
、記録媒体からの信号磁界の大きさによってのみ決まる
ため、高記録密度でも高出力が得られるという特徴を持
っており、再生用ヘッドとして様々な分野の磁気記録装
置に適用されつつある。

ＭＲヘッドの一般的構造は、特開昭５０−５９０２３号
公報で開示されているが、第３図に示すように、基板ｌ
上に、ＭＲ素子２の両側面に薄い絶ａ層４を介して一対
の磁気シールド層３が設けられている。ＭＲ素子２から
は、ＭＲ素子２に駆動電流を流し再生信号を取出すため
の導体層５が接続された構造となっている。磁気シール
ドＪ！７３は、ＭＲ素子２が感知するのに必要としない
記録媒体からの信号磁界の不要部分を遮蔽して再生信号
の周波数特性を改苦し、高分解能化を図るために設けら
れる。ところが、磁気シールド層３は、その周囲が絶縁
層４で覆われているため電気的に絶縁されている。この
ため、磁気シールド層３に吸収される外来雑音や記録媒
体との接触摺動による熱雑音等の摺動雑音は、ＭＲ素子
２との静電的。

磁気的結合により、ＭＲ素子２に漏洩し、雑音が再生信
号と一緒に読出されるため、Ｓ／Ｎ比が低下し、磁気記
録装置の信頼性上問題となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、このような従来の問題を解消し、外来
ノイズや摺動ノイズを低減してＳ／Ｎ比の向上を図る磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することにある。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するために１本発明の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは、磁気抵抗効果素子の両側に絶縁体を介して
、一対の磁気シールド部材を備えた磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、上記一対の磁気シールド部の両方ある
いは片方を上記磁気磁気ヘッドの一部に設けた接続端子
と電気的導通とすることに特徴がある。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を、図面により詳細に説明する
。

まず、本発明の詳細な説明をする。

ＭＲヘッドは、その動作特性を線形化し、再生波形の歪
を無くすためにＭＲ素子に適当なバイアス磁界を印加す
る必要があり、ＭＲ素子に隣接した導電材料の膜に電流
を流すことによって発生する磁界でバイアスをかける方
式のシャントバイアス法およびＭＲ素子の近傍に永久磁
石膜を配設して、その漏れ磁界によってバイアスをかけ
る方式の永久磁石バイアス法等が知られているが１本実
施例は、シャントバイアス法を用いたＭＲヘッドについ
て述べる。本発明は、このシャントバイアス法を用い、
ＭＲヘッドを構成する磁気シールド層内の雑音が、ＭＲ
素子側に洩れるのを防止するために、磁気シールド届を
再生回路側に接地し、雑音を効果的に除去できる構造と
したものである。

第１図は本発明の一実施例を示す磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの平面図であり、第２図は第１図のＡ−ＡＪＩ＠断
面図である。以下、第１図２第２図により本ＭＲヘッド
の構造と製造プロセスを説明する。

基板１上に、パーマロイ等の磁性材料の下部シールド層
６を形成した後、Ａ　ｌ　２０３　、　Ｓ　ｉ　０２等
の絶縁材の第１絶縁層８を形成する。次に、ＭＲ素子２
（パーマロイ等）を形成した後、Ｔｉ等の導電材料のバ
イアス膜１３を形成する。ここで。

第１絶縁磨８をエツチングして、スルーホール２０を設
けた後、Ａｕ、ＡＩ、Ｃｕ等の４体層５を形成して、下
部シールド層８と導体層５とを電気的導通とする。スル
ーホール２０は、第１絶縁層８を形成した直後に形成し
てもよい。次に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の第２絶縁層
９を形成した後、エツチングにてスルーホール２１を形
成する。さらに、パーマロイ等の磁性材料の上部シール
ド層７を形成して、上部シールド層７と導体層５とを電
気的導通とする。この後、第２絶縁Ｈ！Ｊ９をエツチン
グしてスルーホール２２を形成した後、Ａ　ｕ　。

Ａｌ、Ｃｕ等の導電材料の端子１０を形成し、端子１０
と導体層５とを電気的導通となるようにする。最後に、
Ａｌ２Ｏ３や５ｉ０２等の保護Ｍ１１を形成した後、表
面を端子１０が露出するまでラッピング等にて加工する
。上記構造によれば、下部シールド層６と上部シールド
層７は、導体層５を介して端子ｌＯと電気的導通となる
。従って。

第１図に示す如く、中央の端子１０を接地し、他の２つ
の端子１０間に、ＭＲ素子２を駆動するための電流＠１
５とＭＲ素子２から読出された再生信号を増幅するため
の差動増幅器１３を接続することにより、ＭＲ素子２か
ら読出されるノイズを差動増幅することで打消すことは
、勿論、上部シールド層６と上部シールド層７のノイズ
を接地した端子１０を通して除去することができ、ＭＲ
ヘッド全体のノイズを低減することができるため、Ｓ／
Ｎ比を向上できる。

第４図は、ＭＲ素子２に導体層５を２本形成した２端子
構造のシャントバイアス型ＭＲヘッドにおける本発明の
実施例を示す図で、第５図は第４図のＢ−Ｂ４＠断面図
である。ＭＲ素子２に形成された導体層５のどちらか一
方に、下部シールド治６と上部シールド層７を接続する
。この場合、第１絶縁層８に形成するスルーホール２０
．第２絶縁ｍ９に形成するスルーホール２１．２２によ
って、導体層５と下部シールドＭ６と上部シールド層７
とを電気的導通とするための構造および製造工程は、第
１図、第２図で示した実施例と同一であり、平面形状だ
けが異なる。従って、上部シールド層７と下部シールド
層６とを接続した側の導体層５に設けられた端子ｌＯを
接地し、その端子１０と他の端子１０間に電流源１５お
よび差動増幅器Ｉ２を接続することにより、前述したと
同様にノイズを低減することができる。

第６図は本発明の他の実施例を示すＭＲへラドの平面図
であり、第７図は第６図のＣ−Ｃ線断面図である。

本構造のＭＲヘッドは、導体層５上に設ける端子１０と
は別の部分に下部シールド層６と上部シールド層７を外
部回路に接地するためのＡｕ、Ａ１、Ｃｕ等の導電材の
端子１３を設けることを特徴とする。その製造方法を以
下に述べる。

基板１上に、下部シールド層６．第１絶縁層８゜ＭＲ′
Ｊｉ４子２．バイアス膜１３．第２絶縁層９を順次形成
した後、第１絶縁層８および第２絶縁層９にスルーホー
ル２３を形成する。この後、上部シールド層７を形成し
て、上部シールド層７と下部シールド層６とを電気的導
通とする。次に、端子１３を形成した後、保護層１１を
形成し、端子１４が表面に露出するまでラッピング等に
より加工を行う。これにより、端子１３と下部シールド
店６、上部シールド層７は電気的導通となり、端子１３
を接地し、他の端子１０ｒ１ｒＩには、電流源１５と差
動増幅器１２を接続することにより、前述と同様にＭＲ
ヘッドのノイズを低減することができる。

さらに１本発明の他の実施例を以下に述べる。

第８図は、第６図、第７図で示したＭＲへラドの端子１
３部分のスルーホール２３の構造を変えた場合の実施例
を示す断面図である。

基板１上に、下部シールドＭ６．第１絶縁ＷＪ８゜ＭＲ
素子２．バイアス膜１３．第２絶縁層９．上部シールド
層７を形成した後、全ての層をエツチングして、スルー
ホール２４を形成する。その後、Ａｕ、Ｃｕ等の端子１
４を形成し、保護層１１を形成する。スルーホール２４
は、第１絶縁層８までエツチングして、下部シールド層
６はエツチングしない構造でもかまわない。この構造に
よっても端子１４と下部シールド層６および上部シール
ド層７とを電気的導通とすることができる。また。

本構造は、第２図、第５図で示した構造のＭＲヘッドに
も適用可能である。すなわち、上部シールド層７を形成
した後、スルーホール２０．２２をエツチングにて同時
に形成する方法である。

第９図は、第２図、第５図で示したＭＲヘッドのスルー
ホール２１の構造を変えた場合の実施例を示す断面図で
ある。

第２絶縁層９を形成した後、全ての層をエツチングした
スルーホール２５を形成する。このスルーホール２５は
、第１絶縁Ｍ８までエツチングした構造でもかまわない
。その後、上部シールド層７を形成することにより、導
体ｍ５と上部シールド層７および下部シールド層６とを
電気的導通とすることができる。

多素子ＭＲヘッドで各素子間でシールド層が一体化され
ている構造において、上部シールド層７と下部シールド
層６を接地することは、上述した構造で容易に実現可能
である。

第１０図は、その実施例を示すＭＲヘッドの平面図で、
第１１図は第１０図のＤ−ＤＨ断面図である。

ＭＲ素子２を駆動するための電流源（図示せず）および
再生信号を読出すための端子１０とは別の部分に下部シ
ールド層６と上部シールド后７を接地するための端子１
３を設ける。この端子Ｉ３は片側であってもかまわない
が、両側に設ける方がノイズ低減効果がある。この製造
方法は、第６図。

第７図で示した方法と同一方法である。また、第４図、
第５図で示した構造および製造方法でも、各素子間で′
シールド層が一体化された構造の多素子ＭＲヘッドへの
適用が可能である。すなわち、複数素子の内の１つある
いは２つの導体層５上に第４図、第５図で示した構造お
よび製造方法で導体層５と下部シールドＭ６．上部シー
ルド層７とを電気的道通させ、さらに導体ｆｆ５を外部
回路に接続するための端子１０を設けることである。従
って、これらにより、シールド層が一体化された！Ｒ造
の多素子ＭＲヘッドのノイズを低減することができる。

以上述べた実施例は、上部シールドＲ７および下部シー
ルドＭ６の両方を接地できる構造について示したが、上
部シールド層７、あるいは、下部シールド層６のどちら
か一方を接地する構造については、前記実施例から容易
に類推される。例えば、第２図、第５図において、上部
シールドＭ７のみ導体層５と接続する場合は、第２図、
第５図で示した第１絶縁Ｊ’！５８のスルーホール２０
を、形成しないようにすることにより可能である。また
、第７図においても、第１絶縁層８および第２絶縁ＷＪ
９にスルーホール２３を形成しなければ可能である。ま
た、本実施例は、シャントバイアス型ＭＲへラドについ
て述べてきたが、上部シールド層。

下部シー次ド層を接地する構造および製造方法は。

ＭＲ素子にバイアス磁界を印加する方式とは、何ら関係
しないため、他のバイアス方式（例えば、永久磁石バイ
アス法等）でも、同様に実現することが可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように１本発明によれば、ＭＲ素子の両側
に一対の磁気シールド層を設ける構造のＭＲヘッドにお
いて、外来ノイズ（例えば、記録ヘッドと再生ヘッドか
らなる磁気ヘッドの記録時の記録ヘッドから再生ヘッド
に回り込むノイズ）や磁気ヘッド表面と記録媒体との接
触摺動による熱雑音等の摺動ノイズが磁気シールド層と
ＭＲ素子との静電的・磁気的結合によりＭＲ素子側に回
り込み、そのノイズが再生信号に重畳されてＳＺＮ比の
低下を招くということを防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド（ＭＲヘッド）の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ
線断面図、第３図は従来のＭＲヘッドの斜視図、第４図
は本発明の実施例を示すＭＲヘッドの平面図、第５図は
第４図のＢ−Ｂ線断面図、第６図は本発明の他の実施例
を示すＦＪＲヘッドの平面図、第７図は第６図のＣ−Ｃ
＠断面図、第８図、第９図は本発明の他の実施例を示す
ＭＲヘッドの断面図、第１０図は本発明の他の実施例を
示すＭＲヘッドの平面図、第１１図は第１０図のＤ−Ｄ
断面図である。 に基板、２：ＭＲｆｉｉ子、３：磁気シールド層、４：
絶縁属、５：導体層、６：下部シールド層。 ７：上部シールド層、８：第１絶縁層、９：第２絶縁層
、１０，１３，１４：端子、１１：保護層、１２：差動
増幅器、１３：バイアス膜、２０，２１．２２，２３，
２４．２５ニスルーホール。 代理人　弁理士小川勝男′−ゝ・ 第　　　１　　　図　　　　　　　　　　第　　　２　
　　図第　　　　　３　　　　　図 十　　　　　　〇 第　　　４　　　図　　　　　　　　　　　　　第　　
　５　　　図第　　　６　　　図　　　　　　　　　　
　　　第　　　７　　　図第　　　　　８　　　　　（
ン１ 第　　　　　９　　　　　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気抵抗効果素子の両側に絶縁体を介して、一対
   の磁気シールド部材を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッド
   において、上記一対の磁気シールド部の両方あるいは片
   方を上記磁気ヘッドの一部に設けた接続端子と電気的導
   通とすることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。