JPS5924427A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS5924427A JPS5924427A JP13388182A JP13388182A JPS5924427A JP S5924427 A JPS5924427 A JP S5924427A JP 13388182 A JP13388182 A JP 13388182A JP 13388182 A JP13388182 A JP 13388182A JP S5924427 A JPS5924427 A JP S5924427A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果を使用した磁気抵抗効果−型磁気
ヘッドに関する。
ヘッドに関する。
背景技術とその問題点
一般に磁気抵抗効果を使用した再生磁気ヘッドとしての
磁気抵抗効果゛型磁気ヘッドが提案されている。この磁
気抵抗効果型磁気ヘッドは電磁誘導型再生磁気ヘッドに
比し、狭トラツク再生、短波長再生、超低速再、生が可
能である利益がある。この磁気抵抗効果型磁気ヘッドと
して第１図及び第２図に示す如き基板の磁気記録媒体摺
接面とは離れた位置に磁気抵抗効果素子を設けた所謂リ
アタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドが提案されている
。即ち第１図及び第２図に於いて、（１）は一方のコア
を構成するＮ１−Ｚｎフェライト１、Ｍｎ−２ｎフエラ
イト等のフェライト基板を示し、この７エライト基板（
１）上の後述する磁気抵抗効果膜（４）の対応部に相当
する所定位置に５ｉｎ２又はＡｔ２０３の絶縁層（２−
）を設け、この絶縁層（２ａ）上の磁気デーゾ（３）の
摺接面（３ａ）よシ所定距離例えば１０μｍ以」二離れ
た位置にコ字状に所定幅例えば５〜１０μｍ幅のＮ１−
Ｆｅ系合金、、、、 Ｎ１−Ｃｏ系合金等の磁気抵抗効
果を有する磁気抵抗効果膜（４）をス・ぞツタリングに
より＄、着する。この磁気抵抗効果膜（４）の信号検出
部（４Ａ）の両端部よシＡｕ膜（５）をこの磁気抵抗効
果膜（４）−１＝に積層してこの磁気テープ（３）の摺
接面（３ａ）とは反対側に導出し、これにより磁気抵抗
効果膜（４）に電流を流すと共に再生信号を取シ出す様
にする。又との磁気抵抗効果膜（４）の信号検出部（４
ａ）上にこの磁気抵抗効果膜（４）と抵抗値の略等しい
例えばチタン、タンタル、クロム等の膜（５ａ）を積層
し、これに電流を流して所定のバイアス磁界を生ずる如
くする。
磁気抵抗効果゛型磁気ヘッドが提案されている。この磁
気抵抗効果型磁気ヘッドは電磁誘導型再生磁気ヘッドに
比し、狭トラツク再生、短波長再生、超低速再、生が可
能である利益がある。この磁気抵抗効果型磁気ヘッドと
して第１図及び第２図に示す如き基板の磁気記録媒体摺
接面とは離れた位置に磁気抵抗効果素子を設けた所謂リ
アタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドが提案されている
。即ち第１図及び第２図に於いて、（１）は一方のコア
を構成するＮ１−Ｚｎフェライト１、Ｍｎ−２ｎフエラ
イト等のフェライト基板を示し、この７エライト基板（
１）上の後述する磁気抵抗効果膜（４）の対応部に相当
する所定位置に５ｉｎ２又はＡｔ２０３の絶縁層（２−
）を設け、この絶縁層（２ａ）上の磁気デーゾ（３）の
摺接面（３ａ）よシ所定距離例えば１０μｍ以」二離れ
た位置にコ字状に所定幅例えば５〜１０μｍ幅のＮ１−
Ｆｅ系合金、、、、 Ｎ１−Ｃｏ系合金等の磁気抵抗効
果を有する磁気抵抗効果膜（４）をス・ぞツタリングに
より＄、着する。この磁気抵抗効果膜（４）の信号検出
部（４Ａ）の両端部よシＡｕ膜（５）をこの磁気抵抗効
果膜（４）−１＝に積層してこの磁気テープ（３）の摺
接面（３ａ）とは反対側に導出し、これにより磁気抵抗
効果膜（４）に電流を流すと共に再生信号を取シ出す様
にする。又との磁気抵抗効果膜（４）の信号検出部（４
ａ）上にこの磁気抵抗効果膜（４）と抵抗値の略等しい
例えばチタン、タンタル、クロム等の膜（５ａ）を積層
し、これに電流を流して所定のバイアス磁界を生ずる如
くする。
又この場合この代シにこ′の磁気抵抗効果膜（４）の信
号検出部（４ａ）上にＡｕの縞状の膜所ＦＪＩ！パーパ
ー７３？−ルを設けて所定のバイアス磁界を生ずる様に
しても良い。次に磁気回路を構成する後述する他方のコ
アとフェライト基板（１）との接合部（１ａ）を除いて
、フェライト基板（１）、磁気抵抗効果膜（４）上全面
にヘッド磁気ギャップに相当する例えば０．２〜０．５
μｍの厚さの５Ｉ０２又はＡｔ２０３の絶縁層（２ｂ）
を被着する。
号検出部（４ａ）上にＡｕの縞状の膜所ＦＪＩ！パーパ
ー７３？−ルを設けて所定のバイアス磁界を生ずる様に
しても良い。次に磁気回路を構成する後述する他方のコ
アとフェライト基板（１）との接合部（１ａ）を除いて
、フェライト基板（１）、磁気抵抗効果膜（４）上全面
にヘッド磁気ギャップに相当する例えば０．２〜０．５
μｍの厚さの５Ｉ０２又はＡｔ２０３の絶縁層（２ｂ）
を被着する。
この絶縁層（２ｂ）上に磁気抵抗効果膜（４）の信号検
出部（４ａ）を跨ぐ如く、そのトラック幅ｔに相当する
例えば数１０μｍ〜数１００μｍの幅の他方のコアを構
成する透磁率μが大で抗磁力Ｈａの小さい例えばノクー
マロイ、モリブデンパーマロイ、センダスト、アモルフ
ァス等を厚さ例えば２〜３μｍで磁気テープ（３）の摺
接面（３ａ）よシ所定長スノｊツタ−又は蒸着によシコ
ア磁性体層（６）を被着する。この場合とのコア磁性体
層（６）の磁気抵抗効果膜（４）の信号；検出部（４ａ
）上に対応する部分に２〜５ｐｍのギャップ（６ａ）を
形成し、このギャップ（６ａ）により磁気テ＝ ７’
（３）よりの再生磁束が良好に磁気抵抗効果膜（４）に
供給される如くなす。又この場合磁気テープ（３）の摺
接面（３ａ）に於いてフェライト基板（１）の端部とコ
ア磁性体層（６）の端部とでヘッド磁気ギャップ（７）
を構成する如くする゛と共にこのコア磁性体層（６）の
後部をフェライト基板（１）に接続し、このコア磁性体
層（６）とフェライト基板（１）とで磁気回路を構成す
る如くする。
出部（４ａ）を跨ぐ如く、そのトラック幅ｔに相当する
例えば数１０μｍ〜数１００μｍの幅の他方のコアを構
成する透磁率μが大で抗磁力Ｈａの小さい例えばノクー
マロイ、モリブデンパーマロイ、センダスト、アモルフ
ァス等を厚さ例えば２〜３μｍで磁気テープ（３）の摺
接面（３ａ）よシ所定長スノｊツタ−又は蒸着によシコ
ア磁性体層（６）を被着する。この場合とのコア磁性体
層（６）の磁気抵抗効果膜（４）の信号；検出部（４ａ
）上に対応する部分に２〜５ｐｍのギャップ（６ａ）を
形成し、このギャップ（６ａ）により磁気テ＝ ７’
（３）よりの再生磁束が良好に磁気抵抗効果膜（４）に
供給される如くなす。又この場合磁気テープ（３）の摺
接面（３ａ）に於いてフェライト基板（１）の端部とコ
ア磁性体層（６）の端部とでヘッド磁気ギャップ（７）
を構成する如くする゛と共にこのコア磁性体層（６）の
後部をフェライト基板（１）に接続し、このコア磁性体
層（６）とフェライト基板（１）とで磁気回路を構成す
る如くする。
その後全面に亘って５１０２の絶縁３層（２ｃ）を被着
すると共にこの絶縁層（２ｃ ）、、ｉ上に接着剤（８
）等によりフェライト基板（１）と硬度の略々等しいガ
ラス板、セラミック板等の保護板（９）を被着する。
すると共にこの絶縁層（２ｃ ）、、ｉ上に接着剤（８
）等によりフェライト基板（１）と硬度の略々等しいガ
ラス板、セラミック板等の保護板（９）を被着する。
斯る従来のりアタイグの磁気抵抗効果型磁気ヘッドは磁
気抵抗効果膜（４）が直接磁気チー７０に接触。
気抵抗効果膜（４）が直接磁気チー７０に接触。
しないので、この磁気抵抗効果膜が摩耗することがない
。
。
然しなから斯る従来のリアタイプ磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにあっては、フェライト基板（１）を一方のコアと
して使用しているので磁気抵抗効果膜（４）を軸縁層（
２ａ）上に形成せざるを得す、この絶縁層（２ａ）上に
この磁気抵抗効果膜（４）を形成するときは絶縁７Ｍ
（２ａ）の表面の粗度が太きく、この影響によシ抗磁力
Ｈａの小さい磁気抵抗効果膜を安定に作ることが困難で
あシ、又耐摩耗の点からして、フェライト基板（１）は
比較的硬度が小さいので磁気テープ摺接面（３ａ）よシ
磁気抵抗効果膜（４）！、での距離を比較的大きく１０
μｍ以上とる必要があシ、この為角生磁気効率の非常に
悪い磁気回路をなし良好な再生信号が得られない欠点が
あった。
ッドにあっては、フェライト基板（１）を一方のコアと
して使用しているので磁気抵抗効果膜（４）を軸縁層（
２ａ）上に形成せざるを得す、この絶縁層（２ａ）上に
この磁気抵抗効果膜（４）を形成するときは絶縁７Ｍ
（２ａ）の表面の粗度が太きく、この影響によシ抗磁力
Ｈａの小さい磁気抵抗効果膜を安定に作ることが困難で
あシ、又耐摩耗の点からして、フェライト基板（１）は
比較的硬度が小さいので磁気テープ摺接面（３ａ）よシ
磁気抵抗効果膜（４）！、での距離を比較的大きく１０
μｍ以上とる必要があシ、この為角生磁気効率の非常に
悪い磁気回路をなし良好な再生信号が得られない欠点が
あった。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑み再生効率を改善した良好な再生信
号の得られるリアタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
提案せんとするものである。
号の得られるリアタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
提案せんとするものである。
発明の概要
本発明は非磁性基板例えばザファイア基板上にこの非磁
性基板の磁気記録媒体摺接面とは離れた位置に磁気抵抗
効果素子を形成し、この磁気抵抗効果素子と磁気的に結
合される第１のコアと、この磁気記録媒体摺接面に臨む
磁気ギャップを有する磁気回路を形成する如く第２のコ
アを設けると共にこの磁気回路を非磁性基板と挾む如く
この非磁性基板に対向する保護板を設ける様にし、再生
磁気効率の良い磁気回路を構成し、良好な再生信号が得
られる様処したものである。
性基板の磁気記録媒体摺接面とは離れた位置に磁気抵抗
効果素子を形成し、この磁気抵抗効果素子と磁気的に結
合される第１のコアと、この磁気記録媒体摺接面に臨む
磁気ギャップを有する磁気回路を形成する如く第２のコ
アを設けると共にこの磁気回路を非磁性基板と挾む如く
この非磁性基板に対向する保護板を設ける様にし、再生
磁気効率の良い磁気回路を構成し、良好な再生信号が得
られる様処したものである。
実施例
以下第３図を参照しながら本発明磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの一実施例につき説明しよう。この第３図に於いて
第１図及び第２図に対応する部分には同一符号を伺し、
その詳細ｎ５）、明は省略する。
ッドの一実施例につき説明しよう。この第３図に於いて
第１図及び第２図に対応する部分には同一符号を伺し、
その詳細ｎ５）、明は省略する。
第３図に於いて、θ０）は非磁性基板例えばザファイア
基板を示し、このザファイア基板（１（ｌｌ上の磁気テ
ープ（３）の摺接面（３ａ）よシ所定距離例えば２〜５
／ｊｒ１１離れた位置に第１図、第２図同様のコ字状の
所定幅例えば５〜１０μｍ幅のＮｉ−Ｆｅ系合金、Ｎ１
−Ｃ。
基板を示し、このザファイア基板（１（ｌｌ上の磁気テ
ープ（３）の摺接面（３ａ）よシ所定距離例えば２〜５
／ｊｒ１１離れた位置に第１図、第２図同様のコ字状の
所定幅例えば５〜１０μｍ幅のＮｉ−Ｆｅ系合金、Ｎ１
−Ｃ。
系合金等の磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果膜（４）
をスパッタリングによシ被着する。
をスパッタリングによシ被着する。
この場合−リ゛ファイア基板０Ｑの表面は滑らかなので
抗磁力ｌｅａの小さい磁気抵抗効果膜（４）を安定に作
ることができる。この磁気抵抗効果膜（４）の信号検出
部の両端部よ、！ｌｌｌ第１図、第２図と同様ＫＡｕ膜
をこの磁気抵抗効果膜（４）上に積層してこの磁気テー
プ（３）の摺接面（３ａ）とは反対側に導出し、これに
よシ磁気抵抗効果膜（４）に％流を流す様にすると共に
杓生信号を取υ出す様にする。
抗磁力ｌｅａの小さい磁気抵抗効果膜（４）を安定に作
ることができる。この磁気抵抗効果膜（４）の信号検出
部の両端部よ、！ｌｌｌ第１図、第２図と同様ＫＡｕ膜
をこの磁気抵抗効果膜（４）上に積層してこの磁気テー
プ（３）の摺接面（３ａ）とは反対側に導出し、これに
よシ磁気抵抗効果膜（４）に％流を流す様にすると共に
杓生信号を取υ出す様にする。
又との磁気抵抗効果膜（４）の信号検出部（４ａ）上に
この磁気抵抗効果Ｍ（４）と抵抗値の略等しい例えばチ
タンの膜（５８）を積層し、これにも電流が流れる様に
して所定のバイアス磁界が生ずる如くする。
この磁気抵抗効果Ｍ（４）と抵抗値の略等しい例えばチ
タンの膜（５８）を積層し、これにも電流が流れる様に
して所定のバイアス磁界が生ずる如くする。
又この、用台この代υに磁気抵抗効果膜（４）の信号検
出部（４ａ）の信号検出部（４ａ）上にＡｕのバーバー
ポールを設けて所定のバイアス磁界を生ずる様にしても
良い。
出部（４ａ）の信号検出部（４ａ）上にＡｕのバーバー
ポールを設けて所定のバイアス磁界を生ずる様にしても
良い。
この磁気抵抗効果膜（４）、リファイア基板００の全面
に亘って５１０２、Ａｔ２０３等の絶Ｒ層（ｌｌａ）を
被着する。
に亘って５１０２、Ａｔ２０３等の絶Ｒ層（ｌｌａ）を
被着する。
この絶縁層（ｌｌａ）上に磁気抵抗効果膜（４）の信号
検出部（４ａ）を跨ぐ如く、磁気テープ（３）のトラッ
ク幅ｔに相当する例えば数１０μｍ−数１００ ／１ｍ
の幅の一方のコアを構成する透磁率／ｌが大で抗磁力Ｈ
ｅの小さい例工ばノｆ−マロイ、モリブデン／’Ｐ−マ
ロイ、センダスト、アモルファス等を１ワさ例えば２〜
３μｍで磁気デ〜プ（３）の摺接面（３８）よシ所定長
スパッター又は蒸着によシコア磁性体層０ネを被着する
。この場合このコア磁性体層θ→の磁気抵抗効果膜（４
）のイハ号検出部（４８）上に対応する部分に２〜５μ
ｍのギャップ（］、２ａ）を形成し、このギャップ（１
２ａ）により磁気テープ（３）よ１訳の再生磁束が良好
に磁気抵抗効果膜（４）の信号検出部（４ａ）に供給さ
れる如くなす。
検出部（４ａ）を跨ぐ如く、磁気テープ（３）のトラッ
ク幅ｔに相当する例えば数１０μｍ−数１００ ／１ｍ
の幅の一方のコアを構成する透磁率／ｌが大で抗磁力Ｈ
ｅの小さい例工ばノｆ−マロイ、モリブデン／’Ｐ−マ
ロイ、センダスト、アモルファス等を１ワさ例えば２〜
３μｍで磁気デ〜プ（３）の摺接面（３８）よシ所定長
スパッター又は蒸着によシコア磁性体層０ネを被着する
。この場合このコア磁性体層θ→の磁気抵抗効果膜（４
）のイハ号検出部（４８）上に対応する部分に２〜５μ
ｍのギャップ（］、２ａ）を形成し、このギャップ（１
２ａ）により磁気テープ（３）よ１訳の再生磁束が良好
に磁気抵抗効果膜（４）の信号検出部（４ａ）に供給さ
れる如くなす。
次にこのコア磁性体層θ擾の後方部の磁気回路を構成す
る後述する他方のコアｆ全構１３ｙ、するコア磁性体層
と接合する部分を除きコア磁性体層０諺、絶縁層（ｌｌ
ａ）上全面に５ＩＯ２又はＡｔ２０３の絶Ｒ層（ｌｌｂ
）を被着する。この場合絶縁層（ｌｌｂ）は磁気テー
プ（３）の摺接面（３ａ）の近傍に於いてはヘッド磁気
ギャップ（７）に相当する例えば０．２〜０．５１１ｍ
の厚さとし、コア磁性体層Ｏオのギャップ（１２ａ）の
上部に於いては中盤となる如くする。
る後述する他方のコアｆ全構１３ｙ、するコア磁性体層
と接合する部分を除きコア磁性体層０諺、絶縁層（ｌｌ
ａ）上全面に５ＩＯ２又はＡｔ２０３の絶Ｒ層（ｌｌｂ
）を被着する。この場合絶縁層（ｌｌｂ）は磁気テー
プ（３）の摺接面（３ａ）の近傍に於いてはヘッド磁気
ギャップ（７）に相当する例えば０．２〜０．５１１ｍ
の厚さとし、コア磁性体層Ｏオのギャップ（１２ａ）の
上部に於いては中盤となる如くする。
この絶縁層（ｌｌｂ）上にコア磁性体ｒｒｊＯのと重な
る如く磁気テープ（３）のトラック幅ｔに相当する例え
は数１０ ／１ｍ〜数１００μｍの幅の他方のコアを構
成する透磁率μが大で抗磁力■ｌｃの小さい例えばパー
マロイ、モリブデンパーマロイ、センダスト、アモルフ
ァス等を厚さ例えば２〜３μｍで磁気テープ（３）の摺
接面（３ａ）よシ所定長ス・平ツク−又は蒸着によシ他
方のコア磁性体層゛咋を排着する。この場合磁気テープ
（３）の摺接面（３Ｂ）に於いて、一方のコア於磁性体
層Ｈの端部と他方のコア磁性体層０１の端部とでヘッド
磁気ギャップ（７）を構成する如くすると共にこの一方
及び他方のコア磁性体層０２及び＼ ０：〉の夫々の後部を接合して、このコア磁性体層０ａ
及び０１で磁気回路を構成する如くする。
る如く磁気テープ（３）のトラック幅ｔに相当する例え
は数１０ ／１ｍ〜数１００μｍの幅の他方のコアを構
成する透磁率μが大で抗磁力■ｌｃの小さい例えばパー
マロイ、モリブデンパーマロイ、センダスト、アモルフ
ァス等を厚さ例えば２〜３μｍで磁気テープ（３）の摺
接面（３ａ）よシ所定長ス・平ツク−又は蒸着によシ他
方のコア磁性体層゛咋を排着する。この場合磁気テープ
（３）の摺接面（３Ｂ）に於いて、一方のコア於磁性体
層Ｈの端部と他方のコア磁性体層０１の端部とでヘッド
磁気ギャップ（７）を構成する如くすると共にこの一方
及び他方のコア磁性体層０２及び＼ ０：〉の夫々の後部を接合して、このコア磁性体層０ａ
及び０１で磁気回路を構成する如くする。
その上に全面に亘って５１０２又はＡｔ２０３の絶縁層
（ｌｉｅ）を被着すると共にこの絶Ｒ層（ｌｌｃ）上に
接着剤（８）等によシ非磁性基板０（）と硬度の略同じ
本例に於いてはサファイア板の保護板０→を被着する。
（ｌｉｅ）を被着すると共にこの絶Ｒ層（ｌｌｃ）上に
接着剤（８）等によシ非磁性基板０（）と硬度の略同じ
本例に於いてはサファイア板の保護板０→を被着する。
本例に依れば第１図、第２図例と同様に磁気テープ（３
）に記録さｉまた信号を古学ずることができる。
）に記録さｉまた信号を古学ずることができる。
この場合本例ＫＸれは渭らかな表面のリーファイア基板
０１の上に直接に磁気抵抗効果膜（４）を形成している
ので抗磁力Ｈｅの比較的小さい磁気抵抗効」−膜を安定
して形成することができると共に〜リファイア基板（１
ｔ） 、 Ｑ→は比較的硬度が大きいので１１ｉＩＪｊ
？・磁性が良く、この為、磁気テープ（３）の摺接面（
３ｎ）よシ磁気抵抗効果膜（４）−１，での距離を比較
的小さく２〜５μｍとすることができ、門生磁気効率の
良い磁気′回路を得ることができ、従来に比し２感度を
大幅に増大することができ、良好なｍ生信号を得ること
ができる。
０１の上に直接に磁気抵抗効果膜（４）を形成している
ので抗磁力Ｈｅの比較的小さい磁気抵抗効」−膜を安定
して形成することができると共に〜リファイア基板（１
ｔ） 、 Ｑ→は比較的硬度が大きいので１１ｉＩＪｊ
？・磁性が良く、この為、磁気テープ（３）の摺接面（
３ｎ）よシ磁気抵抗効果膜（４）−１，での距離を比較
的小さく２〜５μｍとすることができ、門生磁気効率の
良い磁気′回路を得ることができ、従来に比し２感度を
大幅に増大することができ、良好なｍ生信号を得ること
ができる。
更に本例に依ればリファイア基板００．θ→を使用して
いるので、この−リファイア基板（１０、（１→は熱伝
導が良好であり、良好に熱発散をすることができこの為
発熱による熱雑音も低減することができる。
いるので、この−リファイア基板（１０、（１→は熱伝
導が良好であり、良好に熱発散をすることができこの為
発熱による熱雑音も低減することができる。
第４図及び第５図は夫々本発明の他の実施例を示す。
この第４図に於いては第３図例に於いて磁気抵抗効果ｆ
ｉＩＡ（４） 、リファイア基板（１０の全面に亘つて
５ｈｏ２． ｈｔ２ｏ３等の絶縁層（ｌｌａ）を被着し
た後、この絶縁Ｍ（ｉｘａ）をこの磁気抵抗効果膜（４
）の周囲だけを残して除去し、一方のコア磁性体層（１
のを直接リファイア基板００上に形成し、１．−の他は
第３図同様にｔＩＩ″を成したものである。
ｉＩＡ（４） 、リファイア基板（１０の全面に亘つて
５ｈｏ２． ｈｔ２ｏ３等の絶縁層（ｌｌａ）を被着し
た後、この絶縁Ｍ（ｉｘａ）をこの磁気抵抗効果膜（４
）の周囲だけを残して除去し、一方のコア磁性体層（１
のを直接リファイア基板００上に形成し、１．−の他は
第３図同様にｔＩＩ″を成したものである。
この第４図に於いても第３図同様の作用効果が得られる
と共にこの第４図例に於いては表面が滑らかなリファイ
ア基板０（卓上に直接一方のコア磁性体層０のを形成す
るので抗磁力Ｈｃの小さい安定なコア磁性体層θつを得
ることができ、更に磁気テープ（３）の摺接面（３ａ）
に於いて、絶縁層（ｌｌａ）がないのでそれだけ磁気ヘ
ッドを薄くできる利益がある。
と共にこの第４図例に於いては表面が滑らかなリファイ
ア基板０（卓上に直接一方のコア磁性体層０のを形成す
るので抗磁力Ｈｃの小さい安定なコア磁性体層θつを得
ることができ、更に磁気テープ（３）の摺接面（３ａ）
に於いて、絶縁層（ｌｌａ）がないのでそれだけ磁気ヘ
ッドを薄くできる利益がある。
又第５図は第３図に於いてバイアス磁界発生用のチタン
の膜（５ａ）を設けることなく、複数の上述磁気ヘッド
の一方及び他方のコア磁性体層（ｌ及び０１間に共通に
例えばＡｕの・々イアスジインα９を設け、これに所定
の電流を流す様にし、全トラックに対する複数の磁気ヘ
ッドに一括してバイアス磁界を供給したものである。
の膜（５ａ）を設けることなく、複数の上述磁気ヘッド
の一方及び他方のコア磁性体層（ｌ及び０１間に共通に
例えばＡｕの・々イアスジインα９を設け、これに所定
の電流を流す様にし、全トラックに対する複数の磁気ヘ
ッドに一括してバイアス磁界を供給したものである。
発明の効果
本発明に依れば抗磁力■Ｉｃの比較的小さい磁気抵抗効
果膜（４）を安定に形成することができると共に磁気テ
ープ（３）の摺接面（３ｎ）より磁気抵抗効果膜壕での
距離を比較的小さくすることができ門４１−磁気効率の
良い磁気回路を得ることができ、従来に比し感度を大幅
に増大するとＬができ、良好な再４１：信号を得ること
ができる。更に熱！Ｉｆｔ音も低減することができる。
果膜（４）を安定に形成することができると共に磁気テ
ープ（３）の摺接面（３ｎ）より磁気抵抗効果膜壕での
距離を比較的小さくすることができ門４１−磁気効率の
良い磁気回路を得ることができ、従来に比し感度を大幅
に増大するとＬができ、良好な再４１：信号を得ること
ができる。更に熱！Ｉｆｔ音も低減することができる。
第１図Ｃ」従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの例を示す
横断面図、第２図ｔｊ、第１図の■−■紳断面断面図３
図は本発明磁気抵抗効果パリ磁気ヘッドの一実施例を示
ずイＪＩ″ｉ断面図、第４同及び第５図は夫々本発明の
他の実施例を示す横Ｉフ［面図である。 （３）は磁気テープ、（４）は磁気抵抗効果ｊ摸、（７
）υ磁気ギャップ、０（）及び（Ｍは夫々−リファイア
基板、（ｌｌａ）、（ｌｌｂ）、（ｌｌｃ）は夫々絶縁
層、θ→及び０′やは夫夫一方及び他方のコア磁性体層
である。 手続補正書 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１３３８８１号 ２°発明０名称 磁気抵抗効果型磁気−ット・３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用８北品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代′表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号置 ０３−
３４３−５８２１１１！５ （新宅ビル）６、補正に
より増加する発明の数 ７、補正の対象 明＃ｌ１ｉＦ１７）発明
の詳細な説明の欄。 （１） 明細書中、第３頁１８行、第８頁４行及び第
９頁７行「アモルファス」とあるを夫々「Ｃｏ−Ｚｒ。 Ｆｅ−Ｂ等のアモルファス膜」Ｋ訂正する。 （２）同、第１１頁１２行「薄くできる利益Ｊとあるを
「薄くできると共に耐摩耗性が向上する利益」に訂正す
る。 以 上゛・ 手続補正書 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１３３８８１ 号２、発明の名称
磁気抵抗効果型磁気ヘッド３、補正をする者 代表取締役 大 賀 典 ｊ：ｆｍ 程 ６、補圧により増加する発明の数 （１）明細１巾、第１１Ｂ１９行Ｆ供給したものである
。」の後に改行して下記を加入する。 ［尚上述の実施例に依れば非磁性基板としてザファイア
基板を用いたが、表面粗度が良く、熱伝導性が良いもの
であれば他のものも用いることができる。特に表面粗度
は１００Ｘ以下が好まシイ。例えばコーニング社製フォ
トセラム（商品名）等のガラスセラミック（結晶化ガラ
ス）以 上
横断面図、第２図ｔｊ、第１図の■−■紳断面断面図３
図は本発明磁気抵抗効果パリ磁気ヘッドの一実施例を示
ずイＪＩ″ｉ断面図、第４同及び第５図は夫々本発明の
他の実施例を示す横Ｉフ［面図である。 （３）は磁気テープ、（４）は磁気抵抗効果ｊ摸、（７
）υ磁気ギャップ、０（）及び（Ｍは夫々−リファイア
基板、（ｌｌａ）、（ｌｌｂ）、（ｌｌｃ）は夫々絶縁
層、θ→及び０′やは夫夫一方及び他方のコア磁性体層
である。 手続補正書 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１３３８８１号 ２°発明０名称 磁気抵抗効果型磁気−ット・３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用８北品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代′表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号置 ０３−
３４３−５８２１１１！５ （新宅ビル）６、補正に
より増加する発明の数 ７、補正の対象 明＃ｌ１ｉＦ１７）発明
の詳細な説明の欄。 （１） 明細書中、第３頁１８行、第８頁４行及び第
９頁７行「アモルファス」とあるを夫々「Ｃｏ−Ｚｒ。 Ｆｅ−Ｂ等のアモルファス膜」Ｋ訂正する。 （２）同、第１１頁１２行「薄くできる利益Ｊとあるを
「薄くできると共に耐摩耗性が向上する利益」に訂正す
る。 以 上゛・ 手続補正書 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１３３８８１ 号２、発明の名称
磁気抵抗効果型磁気ヘッド３、補正をする者 代表取締役 大 賀 典 ｊ：ｆｍ 程 ６、補圧により増加する発明の数 （１）明細１巾、第１１Ｂ１９行Ｆ供給したものである
。」の後に改行して下記を加入する。 ［尚上述の実施例に依れば非磁性基板としてザファイア
基板を用いたが、表面粗度が良く、熱伝導性が良いもの
であれば他のものも用いることができる。特に表面粗度
は１００Ｘ以下が好まシイ。例えばコーニング社製フォ
トセラム（商品名）等のガラスセラミック（結晶化ガラ
ス）以 上
Claims (1)
- 非磁性基板上に該非磁性基板の磁気記録媒体摺接面とは
離れた位置に磁気抵抗効果素子を形成し、該磁気抵抗効
果素子と磁気的に結合される第１のコアと、上記磁気記
録媒体摺接面に臨む磁気ギャップを有する磁気回路を形
成する如く第２のコアを設けると共に上記磁気回路を上
記非磁性基板と挾む如くこの非磁性基板に対向する保護
板を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13388182A JPS5924427A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13388182A JPS5924427A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5924427A true JPS5924427A (ja) | 1984-02-08 |
| JPH0375930B2 JPH0375930B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=15115262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13388182A Granted JPS5924427A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5924427A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132215A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-14 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツド |
| JPS6266414A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPS6337811A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-18 | Toshiba Corp | ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
-
1982
- 1982-07-31 JP JP13388182A patent/JPS5924427A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132215A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-14 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツド |
| JPS6266414A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPS6337811A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-18 | Toshiba Corp | ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375930B2 (ja) | 1991-12-03 |
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